Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип | Маркировка | Тип |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | h26 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | S71 | SST271 | |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | SST310 | |
| C91 | SST4391 | 6Z | MMBF170 |
| 701 | 2N7001 | V02 | VN0605T |
| 702 | SN7002 | V04 | VN45350T |
| SA | BSS123 | V0AJ | TP610T |
| SS | BSS138 | V50 | VP0610T |
| V01 | VN50300T |
- Просмотров: 12005
Загрузка.
Полевой транзистор — презентация онлайн
Похожие презентации:
Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы JFET. (Лекция 8)
Полевые транзисторы. Основные сведения и классификация
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы
Полевые транзисторы (FET)
Устройство полевого транзистора
Полевые транзисторы
1. Полевой транзистор
В полевых транзисторах используютэффект воздействия поперечного
электрического поля на проводимость
канала, по которому движутся носители
электрического заряда.
Полевые транзисторы изготавливают
двух типов:
— с затвором в виде p-n-перехода;
— с изолированным затвором.
3. Устройство полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода
4. Принцип действия полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода
Принцип действия полевого транзистора с p-nзатвором основан на изменении шириныобедненного слоя при изменении обратного
напряжения p-n-перехода.
С увеличениемнапряжения на затворе ширина обедненного слоя
увеличивается, а поперечное сечение канала и,
соответственно, его проводимость уменьшается.
Максимальный ток стока и максимальное
напряжение Uвых будет при нулевом напряжении на
затворе.
Ток стока становится равным нулю при напряжении
отсечки Uо.
5. Схематическое изображение полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода.
Схематическое изображение полевоготранзистора с затвором в виде p-nперехода.
6. Выходная ( стоковая ) характеристика полевого транзистора с затвором в виде p-n- перехода: Ic=f(Uc)
IcUc
7. Полевой транзистор с изолированным затвором
• Полевой транзистор с изолированнымзатвором чаще называют
транзистором МДП- типа.
М- металл
Д- диэлектрик
П- полупроводник
8. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором
1-исток2-затвор
3-сток
4-металл
5-диэлектрик
6-канал n-типа
7полупроводник
р-типа
9.
Принцип действия полевого транзистора с изолированным затворомПри подаче на затвор положительногонапряжения электроны вытягиваются из
основной пластины и скапливаются под
изолирующей пластинкой. При определенной
разности потенциалов концентрация
электронов под диэлектриком превысит
концентрацию дырок и области n будут
соединены проводящим электронным
каналом.
При отрицательной полярности напряжения на
затворе на металлической поверхности его
образуется скопление зарядов отрицательного знака,
а у прилегающей к диэлектрику поверхности канала
образуется обедненный слой, как результат ухода из
него свободных электронов.
При этом проводимость канала уменьшается, что
приводит к уменьшению тока стока.
Такой режим работы транзистора называют режимом
обеднения.
При положительной полярности напряжения на
затворе режим называют режимом обогащения.
11. Схематическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором
12.
Стоковая характеристика полевого транзистора с изолированным затворомIcUз>0
Uз=0
Uз<0
Uc
13. Основные характеристики полевых транзисторов
1. Крутизна характеристик S равна отношению изменения токастока ∆Iст к изменению напряжения на затворе ∆Uз при
постоянном напряжении на стоке.
S=∆Icт/∆Uз при Uст=const
2. Внутреннее сопротивление ( выходное сопротивление ) Ri
равно отношению изменения напряжения на стоке ∆Uст к
изменению тока на стоке ∆Iст при постоянном напряжении на
затворе.
Ri=∆Uст/∆Iст при Uз=const
3. Коэффициент усиления μ показывает во сколько раз сильнее
влияет на ток стока изменение напряжения на затворе ∆Uз, чем
изменение напряжения на стоке ∆Uс.
μ=∆Uc/∆Uз при Iс=const или μ=S∙Ri
4. Входное сопротивление Rвх между затвором и истоком
определяется при максимально допустимом напряжении между
этими электродами.
Rвх=∆Uз max/∆Iз max
• 5. Напряжение отсечки Uз отс- обратное напряжение на затворе
при котором токопроводящий канал окажется перекрытым.
15. Маркировка транзисторов:
Состоит из 4 элементов:• 1- буква или цифра обозначающая материал базы транзистора.
• 2- буква, указывающая класс прибора:
Т- биполярный транзистор
П- полевой транзистор.
• 3- трехзначное число, показывает диапазон частот и мощность прибора:
Мощность рассеяния, Вт
Малая
Р<0,3
Средняя
Р<1,5
Большая
Р>1,5
Низкая f<3
101-199
401-499
701-799
Средняя 3<f<30
201-299
501-599
801-899
Высокая 30<f<300
301-399
601-699
901-999
• 4- буква от А до Я- определяет производственную разновидность
прибора.
• КТ324А-кремневый биполярный
транзистор, высокочастотный, малой
мощности.
• 1Т806Б-?
• КП102Е-?
• ГТ703Б-?
• КП350А-?
• КП201В-?
English Русский Правила
UnitedSiC Домашняя страница UnitedSiC
Qorvo Design Summit 2022Серия технических вебинаров в прямом эфире с экспертами по энергетике 8-10 ноября
Зарегистрироваться
Продукция
Ресурсы
Характеристики SiC FET 750 В 6 мОм при коротком замыкании
Узнайте, что определяет время выдерживания короткого замыкания и почему это так важно.
Семь выводов для семи новых полевых транзисторов SiC
Новые области применения и стандарты производительности, достигнутые с полевыми транзисторами SiC в D2PAK-7L
Обеспечение КПД 99,3 % в 3,6 кВт Totem-pole PFC
Узнайте, как спроектировать простой высокоэффективный Totem-pole PFC
Учить большеПросмотреть все
Видео
Открытие новых горизонтов в инверторах и защите цепей
Узнайте, как устройства SiC обеспечивают новый уровень производительности приложений в инверторах и полупроводниковых автоматических выключателях.
Смотреть сейчас
Видео
Несколько вариантов SiC FET обеспечивают большую гибкость конструкции
Узнайте о производительности, стоимости и тепловых характеристиках семейства SiC FET 750 В Gen 4 в безмостовой схеме с тотемным полюсом PFC.
Смотреть сейчас
Видео
Представляем лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC 6 мОм 750 В Gen 4
Узнайте, как новые полевые транзисторы SiC 750 В обеспечивают лучшую в отрасли производительность и максимальную гибкость конструкции
Смотреть сейчас
«UnitedSiC идеально подходил для нашей архитектуры выходного каскада».
Андре Уиллис
технический директор, предварительный переключатель
Больше опций SiC FET означает большую гибкость для экономичных решений
При разработке силового преобразователя необходимо найти компромисс между многими параметрами.
Узнать больше
Замена механических автоматических выключателей на полевые транзисторы SiC
Механические автоматические выключатели имеют малые потери, но также работают медленно и изнашиваются. Твердотельные решения с SiC FET решают эти проблемы с потерями, которые должны уменьшиться.
Узнать больше
Эффективность рекуперации энергии становится реальным отличием
Импульс электромобилей достиг критической точки, трудно представить себе будущее, в котором электромобили не будут занимать значительное место на наших дорогах. Это сильно меняет не только наши покупательские предпочтения и привычки вождения, но и то, как мы думаем о мобильности.
Узнать больше
Будьте в курсе
Подпишитесь на наш ежеквартальный информационный бюллетень и получайте важную техническую информацию обо всех новых продуктах, заметки о приложениях, официальные документы и блоги.
fet%20marking%20code%20365 спецификация и примечания по применению
| каталог техпаспорт | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
2007 — 12В 10А БДЖТ Резюме: коммутация постоянного тока 60 В 10 А FET 99 мВ LM3495 MTC16 TSSOP-16 500 fet мощность n fet 22VIO | Оригинал | LM3495 200 кГц ЦСОП-16 DS201699-06-JP 12В 10А БДЖТ Переключение постоянного тока 60 В 10 А FET 99 мВ LM3495 МТС16 ЦСОП-16 500 футов мощность н фет 22VIO | |
2007 — КАК 1628 Реферат: преобразователь постоянного тока 12v 5a LM5116 AN-1628 F.E.T PWM схематический понижающий преобразователь | Оригинал | LM5116
Ан-1628
AN300191-01-JP
АС 1628
преобразователь постоянного тока 12v 5a
LM5116
Ан-1628
Ф. Э.Т.
ШИМ-схема понижающего преобразователя | |
футов до 92 Реферат: ПЧ МОП полевой транзистор SSM3J13T SSM3J16FU ssm3k14t транзистор ЭСМ 2SK1830 2SK2035 2SK2825 SSM3J15TE | Оригинал | SSM3K03TE ССМ3К16ТЕ ССМ3К15ТЕ SSM3J16TE SSM3J15TE SSM3K03FE SSM3K04FE 2SK1830 2SK2825 2SK2035 фет до 92 Пч МОП-транзистор SSM3J13T SSM3J16FU ссм3к14т транзистор ЭСМ SSM3J15TE | |
2004 — цепь демультиплексора 1-8 Реферат: CBTD1G125 CBTD16210 CBT1G384 демультиплексор CBTD3306 | Оригинал | СВТ1G125 СВТ1G384 CBTD1G125 CBTD1G384 СВТ3306 CBTD3306 CBTS3306 СВТ3125 СВТ3126 СВТ3244 схема демультиплексора 1-8 CBTD16210 демультиплексор | |
2009 — PA1005 Резюме: PA1005.100NL SER2013-362ML sir472 LM5020 35SVPD47M SiR468DP SiR472DP 42CTQ030S LM25037 | Оригинал | LM5112 LM25037 LM5020 PA1005 ПА1005.100НЛ СЕР2013-362МЛ сэр472 LM5020 35СВПД47М SiR468DP SiR472DP 42CTQ030S LM25037 | |
2007 — LM3495 Реферат: МТК16 ЦСОП-16 | Оригинал | LM3495 200 кГц ЦСОП-16 DS201699-06-JP LM3495 МТС16 ЦСОП-16 | |
2007 — Ан-1628 Резюме: маркировка полевого транзистора AN1628 GH MOSFET LM5116 F.E.T FET применение MARK LS | Оригинал | Ан-1628
LM5116DC/DC
12вин1
570259-005-ДжП
Ан-1628
метка
АН1628
GH МОП-транзистор
LM5116
Ф. Э.Т.
приложение полевого транзистора
МАРК Л.С. | |
ic lm2637 Резюме: vrm ic SCR pwm FZ 98 1500 6,3 В fz 7a 1500 6,3 В 12 В 20A С FET 6MV1500GX LM2635 LM2637 M24B | Оригинал | LM2637 LM2637 50 кГц 24 отведения LM2637M ic lm2637 врм ic SCR ШИМ ФЗ 98 1500 6.3В фз 7а 1500 6.3в 12v 20A с полевым транзистором 6MV1500GX LM2635 М24Б | |
ИРФ9210 Резюме: Дарлингтон NPN 600V 8a транзистор fet 10a 600v Darlington NPN 600V 12a транзистор транзистор IRF9640 N-CH POWER MOSFET TO-92 600v 12A TO220F NPN транзистор 600V 5A TO-220 транзистор irf620 КШ217-1 | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4401 2Н4403 2Н5087 2Н5088 2Н5551 2Н6515 КСП06 КСП10 IRF9210 Транзистор Дарлингтона NPN 600V 8a фэт 10а 600в Дарлингтон NPN 600V 12a транзистор транзистор IRF9640 N-CH МОЩНЫЙ МОП-транзистор TO-92 600В 12А ТО220Ф Транзистор NPN 600В 5А ТО-220 транзистор irf620 КШ217-1 | |
2007 — SOT23 ПМОП Реферат: AN-1299 LM1770 MA05B MF05A SP SOT23-5 tr fet 2A 1299 mosfet SOT23-6 NMOS SOT23-6 PMOS | Оригинал | ЛМ1770 ЛМ1770 ОТ-23 100 кГц DS201662-03-JP дс201662 SOT23 ПМОС Ан-1299 MA05B MF05A СП СОТ23-5 тр фет 2А 1299 мосфет SOT23-6 НМОП SOT23-6 ПМОП | |
2007 — Ан-1149 Реферат: Ан-1229 LM2642 LM2642MTC | Оригинал | LM2642 DS200462-09-JP 20 мКо В/100 мА 80 кГцRc1 40 дБ/дек Ан-1149 Ан-1229 LM2642 LM2642MTC | |
фут 30 ф 124 Реферат: fpg 12v 400E 6100B LP2975 MUA08A NDP6020P NDT452P Fet до 220 ECA-1AFQ181 | Оригинал | LP2975 LP2975 12V5V3 МУА08А DS10003 ф 30 ф 124 фпг 12v 400Э 6100Б МУА08А НДП6020П НДТ452П фет до 220 ЭКА-1AFQ181 | |
2007 — 1628 Реферат: LM5116 AN-1628 FET | Оригинал | LM5116 Ан-1628 ЦСП-9-111С2 ЦСП-9-111С2ЦСП-9-111С2″ 1628 Ан-1628 Ф.Э.Т. | |
2004 — принципиальная схема ИБП Power Tree Аннотация: принципиальная схема перекрестной ссылки транзистора ИБП SN74CB3Q16233 FET Transistor Guide принципиальная схема док-станции для ноутбука 1 на 12 схема демультиплексора FST3253 эквивалентная книга данных полевого транзистора бесплатно скачать принципиальную схему онлайн ИБП | Оригинал | 32-битный А070804 SCDB006A принципиальная схема ИБП Power Tree перекрестная ссылка на транзистор принципиальная схема ИБП fe СН74КБ3К16233 Руководство по полевым транзисторам схема док станции для ноутбука Схема демультиплексора 1 на 12 Эквивалент FST3253 фет дата книга скачать бесплатно принципиальная схема онлайн ИБП | |
лм1777 Реферат: Ан-1299 LM1770 MA05B MF05A SOT23 PMOS SOT23 NMOS 150 футов | Оригинал | ЛМ1770 ЛМ1770 ОТ-23 100 кГц DS201662-03-JP дс201662 lm1777 Ан-1299 MA05B MF05A SOT23 ПМОС SOT23 NMOS 150 футов | |
ммик Аннотация: Смещение постоянного тока полевого транзистора Смещение постоянного тока цифрового переключателя SPST на полевых транзисторах gaas | OCR-сканирование | ||
м2222а Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS | OCR-сканирование | БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a SOD80C ФИЛИПС BCB47B 1N4148 СОД80С ПМБТА64 PXTA14 BF960 полевой транзистор BFW11 BF345C BC558B ФИЛИПС | |
2008 — JESD22-A114 Аннотация: LM3150 RJK0305DPB ET-24 | Оригинал | ЛМ3150 ЛМ3150 ДС300531-04-ДжП Ан-1900 14 отведений ДЖЭСД22-А114 РДЖК0305ДПБ ЭТ-24 | |
фут 30 ф 124 Резюме: ECA1AFQ181 fpg 12v FZ 75 конденсатор FZ 77 1000 ECA-1AFQ181 6100B mosfet Маркировка SA s ECA1EFQ181 400E | Оригинал | LP2975 LP2975 12V5V3 МУА08А DS100034-06-JP ф 30 ф 124 ECA1AFQ181 фпг 12v Конденсатор ФЗ 75 ФЗ 77 1000 ЭКА-1AFQ181 6100Б MOSFET Маркировка SA s ECA1EFQ181 400Э | |
2ск170 ФЭТ Реферат: Полевой транзистор Junction-FET to92 2SK364 2SK118 2sk117 2SJ74 2sk879 2sj105 2SJ14 | Оригинал | 2СК246 2SJ103 2СК117 2SK362 2SK363 2SK364 2SJ104 2СК30АТМ 2СК170 2SJ74 2ск170 ФЭТ Соединение-FET фет до 92 2СК118 2SJ74 2sk879 2сж105 2SJ14 | |
ВЧ аттенюатор soic Реферат: Смещение постоянного тока полевого транзистора 2-ваттный полевой транзистор Смещение постоянного тока полевого транзистора gaas GHz Power FET | OCR-сканирование | ||
2007 — LM2642 Реферат: Ан-1149 Ан-1229 LM2642MTC | Оригинал | LM2642 DS200462-09-JP 20 мКо В/100 мА 80 кГцRc1 40 дБ/дек LM2642 Ан-1149 Ан-1229 LM2642MTC | |
2006 — Ан-1299 Резюме: LM1771 MUA08A SDE06A | Оригинал | LM1771 дс201890 100 кГц DS201890-03-JP Ан-1299 LM1771 МУА08А SDE06A | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
