Site Loader

Содержание

Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1 Элемент 2 Элемент 3 Элемент 4
Буква — код материала :
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма

MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPSA-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент – буква Г , К , А или цифра 1 , 2 , 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1 . Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2 . Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3 . Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия .

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

10.Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:

· исток (англ. source ) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

· сток (англ. drain ) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

· затвор (англ. gate ) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Маркировка полевых транзисторов , применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.

§ Первый символ — буква или цифра , указывает (как и в случае маркировке диодов ) исходный полупроводниковый материал;

§ Второй символ — буква , обозначает класс прибора: П — полевые, Т — биполярные транзисторы;

§ Третий символ — цифра (от 1 до 9 ), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;

§ Четвертый и пятый символы — цифры (от 01 до 99 ), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ — буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.

11. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор , изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.

При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.


V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения

Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

  • КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
  • КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
  • КТ973А — один квадрат.
  • КТ973Б — два квадрата.
  • КТ646А — один треугольник.
  • КТ646Б — слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

  • КТ 814 — серо-бежевый;
  • КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
  • КТ 816 — розово-красный;
  • КТ 817 — серо-зеленый;
  • КТ 683 — фиолетовый;
  • КТ9115 — голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

Полевые транзисторы КП305 основные характеристики, цоколевка и зарубежные аналоги


Рис.1. Полевые транзисторы КП305 внешний вид и цоколевка.

Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы КП305 с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высоких и низких частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура C изолированным затвором и n-каналом
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). PСИ, P*СИ, т max КП305Д 150 мВт, (Вт*)
КП305Е 150
КП305Ж 150
КП305И 150
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). UЗИ отс, U*ЗИ пор КП305Д ≥6 В
КП305Е ≥6
КП305Ж ≥6
КП305И ≥6
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. UСИ max, U*ЗC max КП305Д 15; ±15 В
КП305Е 15; ±15
КП305Ж 15; ±15
КП305И 15; ±15
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). UЗИ max КП305Д ±15 В
КП305Е ±15
КП305Ж ±15
КП305И ±15
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) IС, I*С, И КП305Д 15 мА
КП305Е 15
КП305Ж 15
КП305И 15
Начальный ток стока IС нач, I*С ост КП305Д мА
КП305Е
КП305Ж
КП305И
Крутизна характеристики полевого транзистора S КП305Д 10 В; 5 мА 5.2…10.5 мА/В
КП305Е 10 В; 5 мА 4…8
КП305Ж 10 В; 5 мА 5.2…10.5
КП305И 10 В; 5 мА 4…10.5
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком C11и, С*12и, С*22и КП305Д ≤5; ≤0.8* пФ
КП305Е ≤5; ≤0.8*
КП305Ж ≤5; ≤0.8*
КП305И ≤5; ≤0.8*
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ КП305Д 250 МГц ≥13* Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
КП305Е
КП305Ж 250 МГц ≥13*
КП305И
Коэффициент шума транзистора Кш, U*ш, E**ш, Q*** КП305Д 250 МГц ≤7.5 Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
КП305Е
КП305Ж 250 МГц ≤7.5
КП305И
Время включения транзистора tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT КП305Д нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)
КП305Е
КП305Ж
КП305И

Аналоги полевых транзисторов КП305

КП305Д — MFE3004, 2N4223
КП305Е — 2N4224
КП303Д — MFE3004, 2N4223
КП303Е — 2N4224

Смотрите так же: Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов.

Страница не найдена — Время электроники

Кажется мы ничего не нашли. Может быть вам помогут ссылки ниже или поик?

Архивы
Архивы Выберите месяц Ноябрь 2021 Октябрь 2021 Сентябрь 2021 Август 2021 Июль 2021 Июнь 2021 Май 2021 Апрель 2021 Март 2021 Февраль 2021 Январь 2021 Декабрь 2020 Ноябрь 2020 Октябрь 2020 Сентябрь 2020 Август 2020 Июль 2020 Июнь 2020 Май 2020 Апрель 2020 Март 2020 Февраль 2020 Январь 2020 Декабрь 2019 Ноябрь 2019 Октябрь 2019 Сентябрь 2019 Август 2019 Июль 2019 Июнь 2019 Май 2019 Апрель 2019 Март 2019 Февраль 2019 Январь 2019 Декабрь 2018 Ноябрь 2018 Октябрь 2018 Сентябрь 2018 Август 2018 Июль 2018 Июнь 2018 Май 2018 Апрель 2018 Март 2018 Февраль 2018 Январь 2018 Декабрь 2017 Ноябрь 2017 Октябрь 2017 Сентябрь 2017 Август 2017 Июль 2017 Июнь 2017 Май 2017 Апрель 2017 Март 2017 Февраль 2017 Январь 2017 Декабрь 2016 Ноябрь 2016 Октябрь 2016 Сентябрь 2016 Август 2016 Июль 2016 Июнь 2016 Май 2016 Апрель 2016 Март 2016 Февраль 2016 Январь 2016 Декабрь 2015 Ноябрь 2015 Октябрь 2015 Сентябрь 2015 Август 2015 Июль 2015 Июнь 2015 Май 2015 Апрель 2015 Март 2015 Февраль 2015 Январь 2015 Декабрь 2014 Ноябрь 2014 Октябрь 2014 Сентябрь 2014 Август 2014 Июль 2014 Июнь 2014 Май 2014 Апрель 2014 Март 2014 Февраль 2014 Январь 2014 Декабрь 2013 Ноябрь 2013 Октябрь 2013 Сентябрь 2013 Август 2013 Июль 2013 Июнь 2013 Май 2013 Апрель 2013 Март 2013 Февраль 2013 Январь 2013 Декабрь 2012 Ноябрь 2012 Октябрь 2012 Сентябрь 2012 Август 2012 Июль 2012 Июнь 2012 Май 2012 Апрель 2012 Март 2012 Февраль 2012 Январь 2012 Декабрь 2011 Ноябрь 2011 Октябрь 2011 Сентябрь 2011 Август 2011 Июль 2011 Июнь 2011 Май 2011 Апрель 2011 Март 2011 Февраль 2011 Январь 2011 Декабрь 2010 Ноябрь 2010 Октябрь 2010 Сентябрь 2010 Август 2010 Июль 2010 Июнь 2010 Май 2010 Апрель 2010 Март 2010 Февраль 2010 Январь 2010 Декабрь 2009 Ноябрь 2009 Октябрь 2009 Сентябрь 2009 Август 2009 Июль 2009 Июнь 2009 Май 2009 Апрель 2009 Март 2009 Февраль 2009 Январь 2009 Декабрь 2008 Ноябрь 2008 Апрель 2008 Март 2008 Февраль 2008 Январь 2008 Декабрь 2007 Ноябрь 2007 Октябрь 2007 Сентябрь 2007

irf540 транзистор характеристики на русском, цоколевка, аналоги datasheet

Из-за своих технических характеристик irf540 применяется для решения большинства сложных задач в импортной технике. Это мощный, N-канальный, полевой транзистор третьего поколения от International Rectifier (IR). Выпускается, в настоящее время, компанией Vishay с названием SiHF540. В статье рассмотрен классический irf540, его технические характеристики и особенности. Так же приведены примеры его более современных версий, с улучшенными параметрами.

Распиновка

У irf540 следующая цоколевка, он имеет три гибких вывода, слева на право: затвор (G), сток (D) и исток (S). Радиатор физически соединен с выводом стока. Чаще всего представляет собой полупроводниковое устройство с изолированным затвором  (IG-FET), в пластмассовом корпусе ТО-220AB. Между выводами стока и истока встроен паразитный диод.  Распиновка представлена на рисунке.

Примерно до 1990 года, некоторые экземпляры от IR, выпускались в корпусе для поверхностного монтажа SMD-220. IRF540FI от компании STM был исполнен в нестандартном корпусе ISOWATT220 или ТО-220FI. В настоящее время появились улучшенные модификации этого транзистора, в более современном корпусном исполнении. Так Vishay, производит их в корпусе ТО-262, например IRF540ZL и D2PAK (он же TO-263 или SOT404), с маркировкой: IRF540S (SiHF540S), IRF540NS (SiHF540NS), IRF540ZS.

Характеристики

Если углубляться в технические тонкости, то все оригинальные «irf» сделаны по запатентованной IR технологии HEXFET, которая имеет более сложную структуру. Неоригинальные устройства, от других компаний, имеют свои технологии изготовления, но общий принцип един для всех. Ниже представлены основные характеристики itf540, к ним относятся:

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DS) — 100 В;
  • Максимальный постоянный ток стока (I D) – 28 А; импульсный — 110 А;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 77 мОм;
  • Максимальный суммарный заряд затвора (QG(Max) ) — 72 нКл;
  • Рассеиваемая мощность (PD) — 150 Вт;
  • Диапазон рабочих температур (TJ) от — 55 до +175 °C.

Максимальные

Транзистор выдерживает достаточно большой ток в нагрузке, до 28 А. В последнее время на рынке представлены более современные модификации, такие как irf540n, irf540z. Они имеют улучшенные параметры. Так, у некоторых представителей этого семейства ID достигает 36 А, а сопротивление открытого канала снижено до 26.5 мОм. Это связано с совершенствованием технического процесса производства. Рассмотрим предельно допустимые или так называемые максимальные для данного устройства.

Электрические

Электрические характеристики представлены, при температуре окружающей среды +25 °C. Максимальное пороговое напряжение на затворе, при этом у всех производителей не более 4 В. Однако практика показывает, что для полного открытия перехода, необходимо подавать больше 5 В. А для использования с контроллером, лучше использовать рекомендуемый производителем IRF540NL.

Тепловые сопротивления

Температуры окружающей среды +25 °C, при работе транзистора, невозможно добиться в обычных условиях его использования. Поэтому все, без исключения, производители в своих DataSheet предоставляют значения тепловых сопротивлений. Они могут понадобиться для расчета элементов охлаждения в схеме.

Кроме вышеперечисленных параметров, для принятия решения об использовании, необходимо учитывать ёмкостные характеристики, время переключения устройства и др.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является MOSFET irf9540. Это полевик от IR, с фирменной HEXFET-структурой,  в пластмассовом корпусе ТО-220AB. Соответственно, он имеет  проводимость P-типа.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами irf540 являются: BUZ21, D84EL2 (Siemens), STP22NE10L, STP24NF10 (STM). Ближайшим по параметрам будет 2SK2314 (Toshiba).  В качестве российской замены можно порекомендовать: КП540, КП746А, КП746Б.

Принцип работы

IRF540 может быть включен или выключен при подаче требуемого порогового напряжения затвора (VGS). Переход сток-исток закрыт, когда на него напряжение не подается. При подаче напряжения, переход открывается. В нашем случае, при появлении на затворе напряжения в 5 В, переход откроется и будет пропускать ток. Схематично работа полевика представлена на рисунке.

Если переход открыт и надо его закрыть, то на затвор надо подать 0 В. До этого момента полевик останется открытым. Чтобы избежать этой проблемы, обычно используют понижающий резистор (R1). На рисунке от представлен сопротивлением в 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или регулировка яркости света, используют сигнал ШИМ для быстрого переключения. При этом емкость затвора MOSFET создает обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, применяют ограничивающий конденсатор. На рисунке он представлен емкостью C1 — 470 пФ. Посмотрите видео на похожую тему с использованием вместо контроллера потенциометра.

Производители и DataSheet

Основным производителем irf540 является компания Vishay. Именно её продукцию сейчас можно встретить на российских прилавках магазинов радиотоваров. В том числе и под торговой маркой International Rectifier. В тоже время, может встречаться продукция таких известных брэндов: Infineon, STM, Fairchild, Philips, Motorola. Или неизвестных: Bay Lianer, Harris.

Полевые транзисторы | ElWiki — справочник по радиоэлектронике и электротехнике

Декодеры цветовой маркировки


Опубликовано Rico в 9 Март, 2011 — 12:58

Чтобы повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры, необходимо защищать полупроводниковые приборы от разрядов статического электричества, которое образуется в результате трения, дробления и других процессов. Возникновению такого электричества способствует одежда из синтетических тканей (капрона, нейлона и др.), резиновая обувь, полы, покрытые линолеумом, тара из органического стекла, а также низкая относительная влажность воздуха в помещении (менее 40%).

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 10:04

КП150, IRF150, КП240, IRF240, КП250, IRF250, КП340, IRF340, КП350, IRF350, КП365А, BF410C, КП382А, BF960, КП440, IRF440, КП450, IRF450, КП501А, ZVN2120, КП502, BSS124, КП503, BSS129, КП504, BSS88, КП505, BSS295, КП510, IRF510, КП520, IRF520, КП530, IRF530, КП540, IRF540, КП610, IRF610, КП620, IRF620, КП630, IRF630, КП640, IRF640, КП707Б1, BUZ90, КП710, IRF710, КП717Б, IRF350, КП718А, BUZ45, КП718Е1, IRF453, КП720, IRF720, КП722А, BUZ36, КП723А, IRFZ44, КП723Б, IRFZ45, КП723В, IRFZ40, КП723Г, IRLZ44, КП724А, MTP6N60, КП724Б, IRF842, КП725А, TPF450, КП726А, BUZ90A, КП727А, BUZ71, КП727Б, IRFZ34, КП727В, IRLZ34, КП728А, BUZ80A, КП730, IRF730, КП730А, IRGPH50F, КП731А, IRF710, КП731Б, IRF711, КП731В, IRF712, КП737А, IRF630, КП737Б, IRF634, КП737В, IRF635, КП739А, IRFZ14, КП739Б, IRFZ10, КП739В, IRFZ15, КП740, IRF740, КП740А, IRFZ24, КП740Б, IRFZ20, КП740В, IRFZ25, КП741А, IRFZ48, КП741Б, IRFZ46, КП742А, STH75N06, КП742Б, STH75N05, КП743А, IRF510, КП743Б, IRF511, КП743В, IRF512, КП744А, IRF520, КП744Б, IRF521, КП744В, IRF522, КП744Г, IRL520, КП745А, IRF530, КП745Б, IRF531, КП745В, IRF532, КП745Г, IRL530, КП746А, IRF540, КП746Б, IRF541, КП746В, IRF542, КП746Г, IRL540, КП747А, IRFP150, КП748А, IRF610, КП748Б, IRF611, КП748В, IRF612, КП749А, IRF620, КП749Б, IRF621, КП749В, IRF622, КП750А, IRF640, КП750Б, IRF641, КП750В, IRF642, КП750Г, IRL640, КП751А, IRF720, КП751Б, IRF721, КП751В, IRF722, КП752А, IRF730, КП752Б, IRF731, КП752В, IRF732, КП753А, IRF830, КП753Б, IRF831, КП753В, IRF832, КП771А, STP40N10, КП820, IRF820, КП830, IRF830, КП840, IRF840

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 10:01

КП312А, КП312Б, 2П312А, 2П312Б, 3П320А-2, 3П320Б-2, КП323А-2, КП323Б-2, 3П324А-2, 3П324Б-2, АП325А-2, 3П325А-2, 3П326А-2, 3П326Б-2, КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г, 3П328А-2, КП329А, КП329Б, 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, 3П331А-2, 3П339А-2, 3П343А-2, 3П344А-2, КП346А-9, КП346Б-9, 3П606А-2, 3П606Б-2, 3П606В-2, 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2, 3П927А-2, 3П927Б-2, 3П927В-2, 3П927Г-2, 3П927Д-2

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:53
Транзистор Назначение
2П101 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП102 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П103

2П103-9

для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС104 для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:33

КП501А, КП501Б, КП501В, КП502А, КП503А, КП504А, КП504Б, КП505А, КП505Б, КП505В, КП505Г, КП601А, КП601Б, 2П601А-9, АП602А-2, АП602Б-2, АП602В-2, АП602Г-2, АП602Д-2, 3П603А2, 3П603Б2, 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П605А-2, 3П606А-2, 3П606Б-2, 3П606В-2, 3П607А-2, 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608В-2, 3П608Г-2, 3П608Д-2, 3П608Е-2, 2П609А, 2П609Б, КП698А, КП698Б, КП698В, КП698Г, КП698Д, КП698Е

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:27

3П351А-2, 3П351А1-2, 2П352А, 2П352Б, АП354А-5, АП354Б-5, АП354В-5, АП355А-5, АП355Б-5, АП355В-5, АП356А-5, АП356Б-5, АП356В-5, АП357А-5, АП357Б-5, АП357В-5, АП358А-5, АП358Б-5, АП358В-5, КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Г, КП364Д, КП364Е, КП364Ж, КП364И

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:21

3П331А-2, 2П332А, 2П333А, 2П333Б, 2П333В, 2П333Г, 2П334А, 2П334Б, 2П335А-2, 2П335Б-2, 2П336А-1, 2П336Б-1, 2П337АР, 2П337БР, 2П338АР1, 3П339А-2, 2П340А-1, 2П340Б-1, 2П341А, 2П341Б, КП342А, 3П343А-2, 3П344А-2, 3П345А-2, КП346А-9, КП346Б-9, КП346В-9, 2П347А-2, 3П348А-2, КП350А, КП350Б, КП350В

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:16

КП313А, КП313Б, КП313В, КП314А, КПС315А, КПС315Б, 2ПС316А1, 2ПС316Б1, 2ПС316В1, 2ПС316Г1, 2ПС316Д1, 2ПС316Е1, 2ПС316Ж1, 2ПС316И1, 3П320А-2, 3П320Б-2, 3П321А-2, КП322А, КП323А-2, КП323Б-2, 3П324А-2, 3П324Б-2, 3П325А-2, 3П326А-2, 3П326Б-2, КП327А, КП327Б, КП327В, КП327Г, 3П328А-2, КП329А, КП329Б, 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 09:10

КП301А, КП301Б, КП301В, КП301Г, КП302А, КП302Б, КП302В, КП302Г, КП302АМ, КП302БМ, КП302ВМ, КП302ГМ, КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И, КП304А, 2П305А, 2П305Б, 2П305В, 2П305Г, КП305Д, КП305Е, КП305Ж, КП305И, КП306А, КП306Б, КП306В, КП307А, КП307Б, КП307В, КП307Г, КП307Д, КП307Е, КП307Ж, 2П308А-9, 2П308Б-9, 2П308В-9, 2П308Г-9, 2П308Д-9, 2П308Е-9, 2П310А, 2П310Б, КП312А, КП312Б

Опубликовано Rico в 16 Апрель, 2010 — 08:52

2П101А, 2П101Б, 2П101В, КП101Г, КП101Д, КП101Е, КП102Е, КП102Ж, КП102И, КП102К, КП102Л, 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, 2П103А9, 2П103Б9, 2П103В9, 2П103Г9, 2П103Д9, 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, 2ПС104Е, КПС104Ж, КПС104И, КПС104К, КПС104Л, КПС105А, КПС105Б, КПС105В, КПС105Г, 2П201А-1, 2П201Б-1, 2П201В-1, 2П201Г-1, 2П201Д-1, КП201Е-1, КП201Ж-1, КП201И-1, КП201К-1, КП201Л-1, 2ПС202А2, 2ПС202Б2, 2ПС202В2, 2ПС202Г2, 2П202Д-1, 2П202Е-1, КПС203А1, КПС203Б1, КПС203В1, КПС203Г1

Опубликовано Rico в 13 Январь, 2010 — 00:11

Полевые транзисторы серий КП951А-2, КП951Б-2, КП951В-2, КП953А, КП953Б, КП953В, КП953Г, КП953Д, КП954А, КП954Б, КП954В, КП954Г, КП955А, КП955Б, КП956А, КП956Б, КП957А, КП957Б, КП958А, КП958Б, КП958В, КП958Г, КП959А, КП959Б, КП959В, КП960А, КП960Б, КП960В, КП961А, КП961Б, КП961В, КП961Г, КП961Д, КП965А, КП965Б, КП965В, КП965Г, КП965Д, КП971А, КП971Б, КП973А, КП973Б

Опубликовано Rico в 13 Январь, 2010 — 00:08

Полевые транзисторы серий КП931А, КП931Б, КП931В, КП932А, КП933А, КП933Б, КП934А, КП934Б, КП934В, КП934А-1, КП934Б-1, КП934В-1, КП936А, КП936Б, КП936В, КП936Г, КП936Д, КП936Е, КП937А, КП938А, КП938Б, КП938В, КП938Г, КП938Д, 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д, КП944А, КП944Б, КП945А, КП945Б, КП946А, КП946Б, КП948А, КП948Б, КП948В, КП948Г

Опубликовано Rico в 13 Январь, 2010 — 00:06

Полевые транзисторы серий КП901А, КП901Б, КП902А, КП902Б, КП902В, КП903А, КП903Б, КП903В, КП904А, КП904Б, КП905А, КП905Б, КП907А, КП907Б, КП907В, КП908А, КП908Б, КП909А, КП909Б, КП909В, АП910А-2, АП910Б-2, КП911А, КП911Б, КП912А, КП912Б, КП913А, КП913Б, 2П914А, 3П915А-2, 3П915Б-2, КП918А, КП918Б, КП920А, КП920Б, КП921А, 2П922А, 2П922Б, 2П922В, 2П922А-1, 2П922Б-1, 2П922В-1, 2П922Г-1, КП923А, КП923Б, КП923В, КП923Г, 3П925А-2, 3П925Б-2, 2П926А, 2П926Б, 2П926В, 3П927А-2, 3П927Б-2, 3П927В-2, 3П927Г-2, 3П927Д-2, 2П928А, 2П928Б, 3П930А, 3П930Б, 3П930В

Опубликовано Rico в 13 Январь, 2010 — 00:01

Полевые транзисторы серий КП801А, КП801Б, КП801В, КП801Г, КП802А, КП802Б, КП803А, КП803Б, КП804А, КП805А, КП805Б, КП805В, КП809А, КП809Б, КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е, КП809А1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1, КП809Д1, КП809Е1, КП810А, КП810Б, КП810В, КП812А1, КП812Б1, КП812В1, КП813А, КП813Б, КП813А1, КП813Б1, КП814А, КП814Б, КП814В, КП814Г, КП814Д, КП814Е, КП814Ж, КП814И, КП814К, КП814Л, КП814М, КП814Н, КП814П, КП814Р, КП814С, КП814Т, КП814У, КП814Ф, КП820, КП830, КП840

Опубликовано Rico в 12 Январь, 2010 — 23:56

Полевые транзисторы серий КП731А, КП731Б, КП731В, КП733А, КП733Б, КП733В1, КП737А, КП737Б, КП737В, КП739А, КП739Б, КП739В, КП740, КП740А, КП740Б, КП740В, КП741А, КП741Б, КП742А, КП742Б, КП743А, КП743Б, КП743В, КП744А, КП744Б, КП744В, КП744Г, КП745А, КП745Б, КП745В, КП745Г, КП746А, КП746Б, КП746В, КП746Г, КП747А, КП748А, КП748Б, КП748В, КП749А, КП749Б, КП749В, КП750А, КП750Б, КП750В, КП750Г, КП751А, КП751Б, КП751В, КП752А, КП752Б, КП752В, КП753А, КП753Б, КП753В, КП771А

Опубликовано Rico в 12 Январь, 2010 — 23:50

Полевые транзисторы серий КП701А, КП701Б, КП702А, КП703А, КП703Б, КП704А, КП704Б, КП705А, КП705Б, КП705В, 2П706А, 2П706Б, 2П706В, КП707А, КП707Б, КП707В, КП707Г, КП707Д, КП707Е, КП707А1, КП707Б1, КП707В1, КП707Г1, КП707Д1, КП707Е1, КП709А, КП709Б, КП710, 2П712А, 2П712Б, 2П712В, КП720, КП723А, КП723Б, КП723В, КП723Г, КП726А, КП726Б, КП726В, КП726Г, КП727А, КП727Б, КП727В, КП728А1, КП728Б1, КП728В1, КП728Г1, КП728Д1, КП728Е1, КП728Ж1, КП728И1, КП728К1, КП728Л1, КП728М1, КП728Н1, КП728П1, КП728Р1, КП730

Опубликовано Rico в 12 Январь, 2010 — 23:43

Полевые транзисторы серий КП150, КП240, КП250, КП340, КП350, КП440, КП450, КП460, КП510, КП520, КП530, КП540, КП610, КП620, КП630, КП640.

Опубликовано Rico в 12 Январь, 2010 — 23:13

крутизна характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке (U). начальный ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и напряжение на стоке, при котором это значение измеряется. ток утечки затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором, при котором измеряется ток утечки.

Вход для пользователей

RSS


2sk3667 7.5A 600V импортный полевой транзистор to-220f транзистор — Купить IC, Электронный компонент

в ru.made-in-china.com

2SK3667 7.5A 600V Импортный полевой транзистор TO-220F Транзистор

основная характеристика

• Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии: RDS (ВКЛ) = 0,75 Ом (тип.)
• Высокая проводимость прямого перехода : | Yfs | = 5.5S (тип.)
• Низкий ток утечки: IDSS = 100 мкА (VDS = 600 В)
• Режим расширения: Vth = 2.0 ~ 4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)

приложений

продукты широко используются в дронах, цифровых продуктах, системах связи, светодиодных приводах, источниках питания, зарядных устройствах, умных домах,
телевизионные приставки, аудио, индукционные плиты, сварочные горелки, лифты, компьютеры и другие электронные и электрические продукты,
также может разработать индивидуальные микросхемы для клиентов

упаковка и доставка

900 64 900 5-7 рабочих дней
d / c кол-во на складе срок поставки гарантия упаковка примечания

2017+

более 10000 шт.

3- 5 дней для собственного склада

60 дней

одинарная упаковка

новые и оригинальные; 100% качество
dhl ups tnt fedexx ems морское судоходство
3-5 рабочих дней 5-7 рабочих дней 7-9 рабочих дней 12-15 рабочих дней; в зависимости от страны получения адреса


информация о компании

1.Основанная в 1988 году, компания является всемирно известным дистрибьютором интегральных схем (ИС), в основном производящим известные марки микросхем, транзисторов, кремниевых выпрямителей, полевых транзисторов, igbts и трехконтактных устройств постоянного напряжения.

2. Мы являемся эксклюзивным эксклюзивным агентом бренда «jdp». Большинство наших деталей широко используются в автомобильной, бытовой и промышленной технике и инструментах.
наши продукты надежны и долговечны, они подкреплены многолетним опытом. 90% нашей продукции мы экспортируем по всему миру.

сертификация

Компания была выбрана электронной сетью huaqiang в качестве одного из десяти наиболее кредитоспособных предприятий, десяти поставщиков высшего качества и десяти крупных брендов.
с концепцией инноваций, эффективности и обслуживания, компания завоевала доверие и поддержку клиентов в стране и за рубежом.

спасибо, что пришли!

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

suneducationgroup.com Интегральные схемы (ИС) Полупроводники и активные элементы 5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

он может быть доставлен в нерозничной упаковке, например, в простой коробке или коробке без надписи, либо в полиэтиленовом пакете. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий : Бренд: Без товарного знака , MPN: : Не применяется : Модель: : P80NF55L-06 , UPC: : Не применяется ,, неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке (если применима упаковка).Если товар идет напрямую от производителя. 5шт P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор. В другую отдаленную страну .. Состояние: Новое: Совершенно новое, неиспользованное.








5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор




NR WH 6DC АККУМУЛЯТОР 2100 мАч ДЛЯ Hitachi FEB 7S FEB7S NR 90GC. Вставной вербиндер Pneumatik IQS Schott-Steckverschraubung mit Innengewinde, PASPN 20 PASLODE IM350 PLUS ГВОЗДЬ ВЕНТИЛЯТОРА В СБОРЕ 403167 НОВИНКА.DUALIT PROHEAT NEW TOASTER ELEMENT СРЕДНИЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПОДХОДИТ ДЛЯ ЧАСТЕЙ МОДЕЛЕЙ 6 СРЕЗОВ. 2 x восстановленных картриджа с черными чернилами 15 C6615DE для принтеров HP. D370 100 шт. 6 мм автомобильное отверстие пластиковые заклепки Зажим для крепления панели бампера, защелка, VAUNT 30001 1/4 «хвостовик 10 шт., Фрезерный набор, 5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортированный полевой транзистор , нержавеющая сталь Два комплекта зажимов для шлангов для мини-топливной линии.30Pc НАБОР РОТАЦИОННЫХ ИНСТРУМЕНТОВ ДЛЯ АЛМАЗНЫХ ВОРОТ Dremel Гравировальная плитка Камень Стекло Дерево. Сверхмощное устройство для удаления скрепок Удалите скобы с бумаги и картона Офисная работа дома. 3M Scotchlok UY2 WASSERDICHT Kabelverbinder SCHNELLVERBINDER IDC 2,08mm NEU. 5PCS SI3455ADV-T1-E3 МОП-транзистор P-CH 30V 2.7A 6-TSOP SI3455V-T1-E3 3455 SI3455. 5шт P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор , спасательный рыболовный магнит 130 кг Неодимовый сверхсильный охотничий магнит.



8 Step Mudah Untuk Melanjutkan Kuliah Ke Luar Negeri

Пада дасарнйа СОЛНЦЕ Образование menyediakan pelayanan komprehensif, lengkap dan mudah dalam satu atap.Mulai dari konsultasi gratis pilihan studi, proses pendaftaran ke institusi yang dituju, pengurusan visa hingga pelayanan selama siswa studi di luar negeri.

Berikut adalah pelayanan prima SUN Education, yang dirangkum ke dalam 8 Langkah Mudah Pengurusan Studi ke Luar Negeri:

1 ШАГ 1: ПОДГОТОВКА НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Faktor terpenting sebagai modal utama Untuk sukses belajar di luar negeri adalah penguasaan akan bahasa Inggris. Sebagai persyaratan masuk suatu institusi, diperlukan hasil nilai IELTS ™, TOEFL®, SAT® atau GMAT®.

SUN Language & Training Centre merupakan divisi integration dari SUN Education Ян Хадир Untuk Memberikan Solusi Terbaik Untuk Persiapan Anda. Tidak perlu jauh-jauh, tes internasional-nya pun dapat dilakukan di salah satu cabang SUN Education terdekat.

2 ШАГ 2: KONSULTASI DENGAN KONSELOR SUN EDUCATION GROUP

Dapatkan informasi lengkap mengenai bidang studi, prospek karir, pemilihan negara дан Universitas berdasarkan minat dan kemampuan.

SUN Education bekerjasama dengan Biro Psikologi terkemuka: Tes Bakat Indonesia, memberikan pelayanan extra bagi siswa yangmbutuhkan bimbingan lebih lanjut mengenai penjuruan studi дан eksplorasi minat bakat.

3 ШАГ 3: ПРОЗА APLIKASI

Untuk mendaftar diperlukan dokumen seperti mengisi formulir pendaftaran, nilai akademis (ijasah, rapor, UAN), ujian bahasa Inggris internasional (IELTS ™, TOEFL® atau tes lainnya) и фотокопи паспор.

Tambahan dokumen lainnya bila diperlukan adalah seperti surat akademik dan profesional, личное заявление, surat referensi kerja dan предложение riset. Tidak perlu khawatir, semua proses pengurusan dokumen di atas akan dibimbing oleh konselor SUN Education янь berpengalaman.

4 ШАГ 4: ПРЕДЛОЖЕНИЕ

Konselor SUN Education акан мембанту мем-последующие меры для институтов янь dituju. Tergantung на уровне Studi дан institusi Ян dituju, biasanya dibutuhkan waktu 1 minggu hingga 2 bulan untuk mendapatkan surat penerimaan ini.

5 ШАГ 5: ПЕМБАЯРАН БИАЯ СЕКОЛА (ПЛАТА ЗА ОБУЧЕНИЕ)

Сетелах менерима Письмо-предложение дан семуа персьяратан академис дипенухи, мака сисва акан диминта унтук мелакукан пембаяран биая уанг секолах дан / атау бияя лайн ян диперлукан.

6 ШАГ 6: ПЕНГУРУСКАЯ ВИЗА ПЕЛАДЖАР

Konselor SUN Education akan mengurus surat permohonan visa pelajar di negara yang bersangkutan. Untuk mengajukan visa pelajar diperlukan dokumen seperti formulir visa, surat penerimaan (письмо с предложением), букти кеуанган дари орангтуа атау пихак спонсор, букти академик терахир, акте лахир, карта келуарга дан лайння.

7 ШАГ 7: TIKET, AKOMODASI DAN PENJEMPUTAN

Konselor SUN Education акан мембанту далам халпенгурусан тикет песават, акомодаси дан пенджемпутан ди негара туджуан.

8 ШАГ 8: ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Mengikuti pengarahan (брифинг перед отъездом) дари конселор SUN Education sebelum berangkat ke negara tujuan. Selama siswa studi ди луар negeri, konselor kami pun akan selalu siap memantu.

2 сентября 2021 г.

Джерман Менджади Салах Сату Негара ди Еропа Ян Менджади Туджуан Махасисва Индонезия Саат Беркулия ди Луар Негери. Денган биая […]

1 сентября 2021 г.

Шиапа ян пунйа чита-чита кулиа хукум? Apalagi kalau jurusan hukumnya di Universitas luar negeri seperti Inggris.Inggris sendiri memiliki […]

30 августа 2021 г.

Джика Дитанья Негара Eropa Мана Ян Инджин Диджадикан Туджуан Беладжар, Пасти Баньяк Ян Менджаваб Беланда. Меманг, карена аданья седжарах […]


НОВОСТИ LIHAT SEMUA

Событие Булан Ини

Продвижение IG Live UIC College — 4 сентября 2021 г.

Без категории

Учеба в Сингапуре Неделя 8-10 сентября 2021 г.

SUN Education
Senayan STC STC Level 1 No.55-58 STC Senayan, Jalan Asia Afrika, RT.1 / RW.3, Gelora, Kota Jakarta Pusat, DKI Jakarta 10270 Индонезия

Учеба в Сингапуре Неделя 8-10 сентября 2021 г.

SUN Education
Senayan STC STC Level 1 No.55-58 STC Senayan, Jalan Asia Afrika, RT.1 / RW.3, Gelora, Kota Jakarta Pusat, DKI Jakarta 10270 Индонезия

Учеба в Сингапуре Неделя 8-10 сентября 2021 г.

SUN Education
Senayan STC STC Level 1 No.55-58 STC Senayan, Jalan Asia Afrika, RT.1 / RW.3, Gelora, Kota Jakarta Pusat, DKI Jakarta 10270 Индонезия

Информационная сессия в Западном Сиднее — 11 сентября 2021 г.

SUN Education
Senayan STC STC Level 1 No.55-58 STC Senayan, Jalan Asia Afrika, RT.1 / RW.3, Gelora, Kota Jakarta Pusat, DKI Jakarta 10270 Индонезия


СОБЫТИЯ LIHAT SEMUA

Kuliah Ke Luar Negeri Merupakan Impian Setiap Orang

Menyandang gelar sarjana дари университас луар negeri dengan berbagai pengalaman unik akan menjadi nilai jual tersendiri ketika memasuki dunia kerja, terutama saat kembali ke Indonesia.

Tentunya untuk mencapai semua hal tersebut, semua persiapan harus direncanakan dengan matang.


  • Saya telah mendengar SUN Education sebelumnya dari keluarga дан теман-теман сайа дан мерека менгатакан бахва лайанан ян диседиакан адалах бенар-бенар байк дан сангат мембанту. SUN Education sangat memberu saya untuk belajar ke Selandia Baru dengan pelayanan дан ответ янь cepat дан оранг-орангутанг янь benar-benar baik. Terima kasih khususnya kepada para konselor yang memberu saya menyelesaikan persyaratan dan dokumentasi Untuk gelar master Saya.Мантан Секолах: Университет Таруманегара Джурусан: Магистр Акунтанси Institusi: Университет Вайкато,
  • Pengalaman Saya Bersama SUN Education sangat menyenangkan. Сая percaya SUN Education адалах агент пертама ян сая пилих карена мемилики латар белаканг дан кинерджа ян сангат байк. SUN Education дан konselornya sangat gesit дан memantu 100% keperluan дан ketentuan янь dibutuhkan oleh Universitas янь dituju. SUN Education sangat mempercepat proses segalanya.Бывшая школа: SMA Bogor Raya Специальность: диплом по бизнесу (часть 2) Учреждение: Университет Монаша
  • SUN Education member saya untuk mencari referensi kampus dan memudahkan mengurus dokumen untuk ke Universitas. Бывшая школа: Universitas Trisakti Специальность: магистр международного бизнеса. Учреждение: Curtin Singapore
Наши интегрированные партнеры:

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортированный полевой транзистор 5 шт. P80NF55L-06, В другие отдаленные страны, товары с бесплатной доставкой, бесплатная доставка по всему миру, бестселлеры и многое другое, лучшая цена, бесплатная доставка по всем заказам! транзистор 5шт P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор, 5шт P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор.

Объем рынка полевых транзисторов

и скорость его роста к 2023 году исследуются в последнем исследовании «MarketersMEDIA — Услуги по распространению пресс-релизов — Услуги по распространению пресс-релизов

Отчет о рынке полевых транзисторов

Junction предоставляет подробный анализ производства, выручки, валовой прибыли, стоимости потребления, объема потребления, продажной цены, импорта, экспорта и прогноза до 2023 года

Пуна, Индия — 11 апреля 2018 г. / MarketersMedia / — Цель отчета о рынке полевых транзисторов Global Junction — предоставить подробный анализ структуры рынка вместе с прогнозами по различным сегментам и подсегментам.Этот отчет также предоставит информацию о факторах, влияющих на рост рынка. Для анализа рынка полевых транзисторов Junction на основе различных факторов — анализа цен, анализа цепочки поставок, анализа пяти сил и т.д. рынок.

Узнайте больше об этом отчете по адресу: https://www.themarketreports.com/report/global-junction-field-effect-transistor-industry-market-research-2018

В отчете «Рынок полевых транзисторов

» анализируется отрасль промышленности полевых транзисторов с двух сторон.Одна часть посвящена его производству, а другая — потреблению. В рамках производственного анализа представлен анализ производства, выручки, валовой прибыли основных производителей и цены за единицу продукции, которую они предлагают в различных регионах с 2012 по 2018 год. Что касается потребления, этот отчет охватывает объем потребления, стоимость потребления, продажную цену, импорт и экспорт в различных регионах с 2012 по 2018 год. Ключевые компании, представленные в этом отчете, — это Calogic, Fairchild, Nxp, On Semiconductor, Vishay, Stmicroelectronics, Infineon, Panasonic, Toshiba, Cental Semiconductor с точки зрения профиля компании, технических характеристик продукции, мощности, производства, цены, стоимости, валовой выручки и контактной информации.

Приобрести этот отчет по адресу: https://www.themarketreports.com/report/buy-now/1065351

В этот отчет включены следующие типы продуктов:
• Dual N-Channel
• N-Channel
• P-Channel

В этот отчет включены следующие приложения:
• Усилитель с высоким входным импедансом
• Малошумящий усилитель
• Дифференциальный усилитель
• Источник постоянного тока
• Аналоговый переключатель или затвор
• Резистор с регулируемым напряжением

Отчет может ответить на следующие вопросы:
1.Каковы мировые (Северная Америка, Южная Америка, Европа, Африка, Ближний Восток, Азия, Китай, Япония) производство, стоимость производства, потребление, стоимость потребления, импорт и экспорт соединительных полевых транзисторов?
2. Кто является мировыми ключевыми производителями индустрии полевых транзисторов? Какова их операционная ситуация (мощность, производство, цена, стоимость, валовая прибыль и выручка)?
3. Каковы типы и области применения соединительных полевых транзисторов? Какова рыночная доля каждого типа и приложения?
4.Каковы исходные материалы и производственное оборудование для Junction Field-Effect Transistor? Каков процесс производства соединительных полевых транзисторов?
5. Экономическое влияние на промышленность полевых транзисторов и тенденции развития отрасли полевых транзисторов.
6. Каковы будут размер рынка полевых транзисторов Junction и темпы роста в 2023 году?
7. Каковы ключевые факторы развития мировой индустрии полевых транзисторов?
8.Какие основные рыночные тенденции влияют на рост рынка соединительных полевых транзисторов?
9. Каковы проблемы рынка соединительных полевых транзисторов для роста рынка?
10. С какими возможностями и угрозами на рынке соединительных полевых транзисторов сталкиваются поставщики на мировом рынке соединительных полевых транзисторов?

Узнайте больше об этом отчете по адресу: https://www.themarketreports.com/report/ask-your-query/1065351

Контактная информация:
Имя: Шириш Гупта
Электронная почта: Отправить электронное письмо
Организация: Обзор рынка
Адрес: SF-29, North Block, Sacred World, Wanawadi
Телефон: + 1-631-407-1315
Веб-сайт: https: // www.themarketreports.com/report/global-junction-field-effect-transistor-industry-market-research-2018

Исходный URL: https://marketersmedia.com/global-junction-field-effect-transistor-market-size-and-growth-rate-to-2023-is-examined-in-a-latest-research/329560

Источник: MarketersMedia

Идентификатор выпуска: 329560

Издатель журналов открытого доступа

В последние годы плоды черники привлекли внимание потребителей благодаря хорошему вкусу и высокой пищевой ценности.Однако короткий срок хранения плодов является одним из основных недостатков интенсивного выращивания черники. Таким образом, оптимизированная технология хранения с измененной атмосферой необходима для продления срока хранения плодов черники на рынке. Целью данного исследования было изучение длительного хранения плодов голубики высокорослой ( Vaccinium corymbosum L.) ‘Liberty’ под контролем воздуха (0,5% CO 2 , 19,5% O 2 , 80% N 2 ) и в условиях контролируемой атмосферы: 5% CO 2 , 5% O 2 , 90% N 2 ; 15% CO 2 , 5% O 2 , 80% N 2 ; и 25% CO 2 , 5% O 2 , 70% N 2 .Отбор плодов производился четыре раза за время хранения (17, 30, 44, 62 суток). Оценка проводилась для веса плодов, общего и индивидуального содержания сахара и органических кислот, отношения сахара к органической кислоте и содержания отдельных фенольных соединений. После 44 дней хранения потеря веса была максимальной при 15% CO 2 и самой низкой при 5% CO 2 с небольшими отклонениями. Наибольшее разложение общего сахара наблюдалось для контроля воздуха, а наименьшее — для 25% CO 2 . Содержание органических кислот значительно снижалось при всех этих условиях хранения.Следовательно, высокое отношение сахара к органической кислоте поддерживалось во фруктах, хранящихся с 25% CO 2 . Содержание всех идентифицированных фенолов значительно снизилось с 15% и 25% CO 2 . После 62 дней хранения с 5% CO 2 было небольшое снижение содержания флаван-3-олов и гидроксикоричной кислоты, в то время как содержание флавоноидов и антоцианов не изменилось, или содержание некоторых отдельных фенольных соединений увеличилось. Эти данные показывают, что 15% CO 2 или выше ускоряет разложение фенольных соединений.Можно сделать вывод, что для поддержания веса и питательных качеств плодов черники Liberty оптимальной контролируемой атмосферой при длительном хранении является 5% CO 2 , 5% O 2 и 90% N 2 . Полная статья Рынок полевых транзисторов

будет экспоненциально расти в течение 2021-2026 годов

Отчет об исследовании рынка полевых транзисторов

Включены: текущие рыночные тенденции, анализ воздействия COVID-19, шкала вознаграждений, темпы роста, разновидности продуктов, охват приложений, конкурентный сценарий.

Отчет об исследовании рынка полевых транзисторов включает в себя движущие факторы и тенденции, которые будут влиять на рост отрасли в течение прогнозируемого периода. В отчете проводится тщательный анализ рыночного вознаграждения в привязке к региону. В нем также упоминаются проблемы, с которыми столкнется эта сфера бизнеса, а также предоставляется информация о потенциальных перспективах роста. Кроме того, в отчет также включены тематические исследования COVID-19, чтобы предоставить более полное представление об этой сфере бизнеса всем участникам отрасли.

Запросите образец отчета о рынке полевых транзисторов по адресу: https://www.marketstudyreport.com/request-a-sample/42
?utm_source=altcoinbeacon.com&utm_medium=AG

Основные указатели эффекта COVID-19 оценка:

  • Экономический обзор и статус COVID-19 в мире.
  • Колебания в цепочке поставок и доле спроса в отрасли.

Обзор территории региона:

  • В отчете региональный ландшафт рынка полевых транзисторов делится на Северную Америку, Европу, Азиатско-Тихоокеанский регион, Юго-Восточную Азию, Ближний Восток и Африку, Южную Америку.
  • Показатели каждого регионального рынка с указанием темпов их роста за исследуемый период включены в отчет.
  • Предоставляются данные о темпах роста, произведенных продажах и накопленных доходах по каждому географическому региону.

Другие важные моменты из отчета о рынке полевых транзисторов:

  • На конкурентной арене рынка полевых транзисторов выступают такие крупные игроки, как NXP, Diotec, IXYS, Texas Instruments, Farnell, Fairchild Semiconductors и Wuxi Donghai.
  • Приведена важная информация о профиле компании, производимой продукции, моделях производства и рыночном вознаграждении.
  • Приводятся рыночные доли каждой листинговой компании вместе с их валовой прибылью и структурой цен.
  • Рынок полевых транзисторов делится на JFET и МОП-транзисторы в зависимости от ассортимента продукции.
  • В отчете также представлены прогнозы объемов и доходов для каждого типа продуктов.
  • Документируются другие важные аспекты, такие как график производства, доля рынка и темпы роста каждого сегмента продукта за период исследования.
  • Спектр применения рынка полевых транзисторов включает в себя электронику и аэрокосмическую промышленность.
  • Исследование включает долю рынка для каждого сегмента приложений и прогнозирует темпы роста в течение периода анализа.
  • В отчете представлен подробный аналитический обзор отраслевой цепочки поставок, а также тенденции конкуренции.
  • Он также принимает к сведению анализ пяти сил Портера и оценку SWOT, позволяющую сделать вывод о жизнеспособности нового проекта.

Спросите о скидке в отчете о рынке полевых транзисторов по адресу: https: // www.marketstudyreport.com/check-for-discount/42
?utm_source=altcoinbeacon.com&utm_medium=AG

Ключевые особенности этого отчета:

  • В отчете представлена ​​рыночная оценка, а также прогнозируемые темпы роста мирового месторождения. Рынок транзисторов с эффектом, охватывающий все годы до 2025 года.
  • В отчете также описываются основные движущие силы мирового рынка полевых транзисторов путем рассмотрения и принятия расчетных рисков в тандеме с выявлением и тестированием новых стратегий.
  • В отчете об исследовании содержится подробный анализ отраслевой цепочки. Кроме того, он охватывает процесс производства полевого транзистора, информацию о поставщиках исходного сырья, затраты на сырье, затраты на рабочую силу, производственные затраты, каналы сбыта, а также последующих покупателей рынка полевых транзисторов.
  • В отчете представлены подробные сведения о конкурентном сценарии глобального рынка полевых транзисторов, а также обсуждаются многочисленные маркетинговые стратегии, применяемые компаниями, чтобы оставаться впереди в конкурентной борьбе.
  • В отчете анализируются различные сегменты рынка, а также представлен их вклад в развитие глобального рынка полевых транзисторов.

Содержание:

  • Обзор глобального рынка полевых транзисторов
  • Конкуренция на рынке производителей
  • Производство, выручка (стоимость) по регионам
  • Предложение (производство), потребление, экспорт, импорт по регионам
  • Производство, выручка (стоимость), ценовая тенденция по типу
  • Анализ рынка по приложениям
  • Анализ производственных затрат
  • Производственная цепочка, стратегия снабжения и последующие покупатели
  • Анализ маркетинговой стратегии, дистрибьюторы / трейдеры
  • Анализ факторов влияния рынка
  • Глобальный Прогноз рынка полевых транзисторов

Подробнее об этом отчете: https: // www.marketstudyreport.com/reports/global-field-effect-transistor-market-development-strategy-pre-and-post-covid-19-by-corporate-strategy-analysis-landscape-type-application-and-leading-20- стран

Некоторые из основных моментов TOC включают:

Анализ регионального рынка полевых транзисторов

  • Производство полевых транзисторов по регионам
  • Глобальное производство полевых транзисторов по регионам
  • Глобальное производство полевых транзисторов по регионам Регионы
  • Потребление полевых транзисторов по регионам

Анализ рынка полевых транзисторов (по типам)

  • Глобальное производство полевых транзисторов по типам
  • Глобальный доход от полевых транзисторов по типам Тип

Анализ рынка полевых транзисторов (по приложениям)

  • В мире Потребление полевых транзисторов по приложениям
  • Глобальное потребление полевых транзисторов Доля рынка по приложениям (2014-2019)

Анализ основных производителей полевых транзисторов

  • Места производства полевых транзисторов и обслуживаемая территория
  • Введение в продукт, применение и спецификация
  • Производство полевых транзисторов, выручка, заводская цена и валовая прибыль (2014-2019)
  • Основной бизнес и обслуживаемые рынки

Отчеты по теме:


1.Глобальная стратегия развития рынка беспроводных приемников энергии до и после COVID-19, по анализу корпоративной стратегии, ландшафту, типу, применению и ведущим 20 странам
В этом отчете рыночные данные беспроводных приемников энергии классифицируются по производителям, региону, типу и применению, а также анализирует состояние рынка, долю рынка, темпы роста, будущие тенденции, движущие силы рынка, возможности и проблемы, риски и входные барьеры, каналы продаж, анализ дистрибьюторов.
Подробнее: https: // www.marketstudyreport.com/reports/global-wireless-power-receivers-market-development-strategy-pre-and-post-covid-19-by-corporate-strategy-analysis-landscape-type-application-and-leading-20- стран

2. Глобальная стратегия развития рынка мониторинга трансформаторов до и после COVID-19, с разбивкой по анализу корпоративной стратегии, ландшафту, типу, применению и ведущим 20 странам
Отчет о рынке мониторинга трансформаторов охватывает информацию производителей, включая отгрузку, стоимость, доход, чистая выгода, беседа с записью, присвоение бизнеса и так далее., эта информация позволяет покупателю лучше думать о претендентах. Этот отчет дополнительно охватывает все районы и страны мира, что демонстрирует прогресс в провинциях, включая размер рынка, объем и оценку, а также информацию о стоимости. Кроме того, он охватывает данные о клиентах различных предприятий, что очень важно для производителей.
Подробнее: https://www.marketstudyreport.com/reports/global-transformer-monitoring-market-development-strategy-pre-and-post-covid-19-by-corporate-strategy-analysis-landscape-type- приложение-и-ведущие-20 стран

Подробнее об отчетах можно узнать на: https: // www.marketwatch.com/press-release/predictive-main maintenance-for-manufacturing-market-size-soaring-at-156-cagr-to-reach-38573-million-usd-by-2025-2021-11-01

Свяжитесь с нами:
Корпоративные продажи,
Отчет об исследовании рынка
Телефон: 1-302-273-0910
Бесплатный звонок: 1-866-764-2150
Электронная почта: [электронная почта защищена]

Крупнейший в мире производитель полупроводниковых чипов

На северо-западном побережье Тайваня, между илистыми лугами, кишащими крабами-скрипачами и ароматными садами хурмы, находится самая важная компания в мире, о которой вы, вероятно, никогда не слышали.Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., или TSMC, является крупнейшим в мире контрактным производителем полупроводниковых микросхем, также известных как интегральные схемы или просто микросхемы, которые используются в наших телефонах, ноутбуках, автомобилях, часах, холодильниках и многом другом. Среди его клиентов Apple, Intel, Qualcomm, AMD и Nvidia.

Внутри квадратного не совсем белого цвета штаб-квартиры в сонном уезде Синьчжу техники в ярко окрашенных защитных костюмах — бело-голубых для сотрудников, зеленых для подрядчиков и розовых для беременных женщин — толкают полированные металлические тележки под желтовато-желтым светом.Над их головами «клешневые машины» — прозванные в честь классической аркадной игры — тащат 9-килограммовые пластиковые контейнеры, содержащие 25 отдельных пластин или «пластин» кремния, на рельсах между сотнями производственных станций, где они извлекаются один за другим для обработка, очень похожая на музыкальный автомат, выбирающий запись. Только после шести-восьми недель кропотливого травления и тестирования каждую пластину можно разделить на отдельные чипы для отправки по всей планете.

«Мы всегда говорим, что это похоже на строительство высотки», — сказал TIME один менеджер отдела TSMC, указав на то, как его технические специалисты старательно следуют инструкциям, продиктованным им с помощью планшета.«Вы можете строить только одну историю за раз».

Фирма с оборотом 550 миллиардов долларов сегодня контролирует более половины мирового рынка микросхем, изготавливаемых на заказ, и еще более жестко держит самые передовые процессоры, занимая, по некоторым оценкам, более 90% доли рынка.

рабочих TSMC в «чистой комнате», где происходит производство чипов, в штаб-квартире компании в Синьчжу

Билли Х.К. Квок для TIME

«TSMC абсолютно критична», — говорит Питер Хэнбери, специалист по полупроводникам консалтинговой фирмы Bain & Co. «Они в основном контролируют наиболее сложную часть полупроводниковой экосистемы, и они практически монополисты на переднем крае».

Важность полупроводниковых микросхем за последние полвека выросла в геометрической прогрессии.В 1969 году лунный модуль «Аполлон» отправил на Луну десятки тысяч транзисторов общим весом 70 фунтов; Сегодня Apple MacBook вмещает 16 миллиардов транзисторов при его общем весе всего 3 фунта. Распространенность микросхем будет продолжать расти вместе с распространением мобильных устройств, Интернета вещей (IOT), сетей 5G и 6G и ростом спроса на них. вычислительная мощность. Мировые продажи микросхем в 2020 году составили 440 миллиардов долларов и, по прогнозам, будут расти более чем на 5% в год. Президент Джо Байден называет их «критически важными продуктами», чьи «сбои в цепочке поставок могут поставить под угрозу жизнь и средства к существованию американцев», в то время как правительства Японии и Южной Кореи сравнивают важность полупроводников с «рисом».

Успех TSMC в завоевании этого жизненно важного рынка превратился в геостратегическую мигрень. Пентагон требует от администрации Байдена больше инвестировать в передовое производство микросхем, чтобы его ракеты и истребители не зависели от самоуправляющегося острова, который китайский лидер Си Цзиньпин считает отколовшейся провинцией и неоднократно угрожал вторжением. Более того, глобальная нехватка микросхем затронула 169 отраслей, согласно анализу Goldman Sachs, от стали и товарного бетона до кондиционеров и пивоварен.Самое серьезное, что автопроизводители в Америке, Японии и Европе были вынуждены замедлить и даже остановить производство, а это означает, что в этом году в мировые автосалоны выйдет на 3,9 миллиона автомобилей меньше, чем в прошлом.

Автомобильные компании «сразу же указали пальцем на TSMC» из-за дефицита, сказал TIME председатель TSMC Марк Лю в эксклюзивном интервью. «Но я сказал им:« Вы — покупатель моего клиента. Как я мог [расставить приоритеты для других] и не дать вам чипы? »

Из-за нехватки чипов TSMC из в значительной степени анонимной сервисной компании оказалась в центре глобальной борьбы за будущее технологий; Фирма будет играть огромную роль в определении того, как будет выглядеть мир в конце этого десятилетия.Некоторые предвидят возникновение антиутопии, вызванной обострением климатического кризиса и ростом геополитической напряженности между Китаем и США. Более оптимистичный сценарий Лю состоит в том, что широкое внедрение искусственного интеллекта (ИИ) к 2030 году поможет смягчить разрушительные последствия изменения климата за счет детального прогнозирования погоды. сделать возможной более точную диагностику рака на более раннем этапе и даже бороться с фальшивыми новостями с помощью автоматической проверки фактов в социальных сетях. «С COVID-19 все чувствуют, что будущее ускоряется», — говорит Лю.С его точки зрения, как это будет выглядеть «намного яснее, чем, скажем, два года назад».

Дефицит полупроводниковых чипов впервые заставил залы заседаний потеть примерно в феврале, когда среднее время от заказа до доставки чипов увеличилось до беспрецедентных 15 недель из-за стечения факторов: экономический спад, вызванный пандемией, побудил автопроизводителей преждевременно сократить заказы на чипы, которые вскоре возобновились, поскольку чипы накапливались фирмами, опасавшимися быть вовлеченными в U.Торгово-технологическая война между Южным Китаем и Китаем. На фоне того, что было описано как глобальная нехватка микросхем, на фабрики отправлялось больше микросхем, чем оставлялось в продуктах, а это означает, что «есть люди, которые определенно накапливают микросхемы неизвестно где в цепочке поставок», — говорит Лю.

Силиконовая пластина перед нарезкой на микросхемы

Билли Х.К. Квок для TIME

Председатель TSMC Марк Лю

Билли Х.К. Квок для TIME

Чтобы исправить ситуацию, Лю приказал своей команде триангулировать различные точки данных, чтобы определить, какие клиенты действительно нуждаются, а какие накапливаются. «Мы тоже учимся, потому что раньше нам не приходилось делать этого», — говорит Лю. Это вынудило его принимать жесткие решения, откладывая выполнение заказов для ценных клиентов, неотложные нужды которых были сочтены менее острыми.«Иногда [клиенты] могут быть недовольны, но мы просто должны делать то, что лучше всего для отрасли».

Кризис заострил внимание на доступе к технологиям, которые США изобрели и по-прежнему разрабатывают лучше, чем кто-либо, но больше не производят в больших масштабах. План Байдена на 2 триллиона долларов по ремонту американской инфраструктуры включал 50 миллиардов долларов на повышение конкурентоспособности полупроводников. Это сверх 52 миллиардов долларов, выделенных в соответствии с Законом США об инновациях и конкуренции, который был принят Сенатом в июне и нацелен прямо на конкуренцию с Китаем во всех областях технологий.Тем не менее, одна только TSMC инвестирует 100 миллиардов долларов в новые мощности в течение следующих трех лет. Это ошеломляющая сумма, хотя для Лю «чем больше я на это смотрю, этого будет недостаточно».

Полупроводниковая промышленность сократилась, хотя сами микросхемы стали более распространенными и ключевыми. Помимо TSMC, единственной фирмой, способной коммерчески производить на сегодняшний день самые передовые 5-нанометровые (нм) чипы, является южнокорейская Samsung Electronics.Однако TSMC строит новый производственный завод — или «фабрику» — на 22 футбольных полях на юге Тайваня для производства новаторских 3-нм чипов, которые, как ожидается, будут на 15% быстрее и потреблять гораздо меньше энергии. Это последнее поколение производителей микросхем, или «узлов», опередит такие американские фирмы, как Intel и GlobalFoundries, по крайней мере, на два поколения. «Это позор для Intel», — говорит Дэниел Ненни, соавтор книги Fabless: The Transformation of the Semiconductor Industry. «Просто очень досадно, что они потеряли лидерство.”

Подробнее: От автомобилей до тостеров: нехватка полупроводников в Америке наносит ущерб нашей жизни. Можем ли мы это исправить?

На заре современной компьютерной индустрии такие пионеры, как Intel, разрабатывали и производили чипы собственными силами. Но американские фирмы начали борьбу с японскими конкурентами в 1980-х годах и, чтобы оставаться конкурентоспособными, передали производственные стороны своего бизнеса сторонним организациям, вместо этого сконцентрировавшись на более прибыльном аспекте дизайна.Фабрики были дорогими, с низкой рентабельностью, поэтому компенсация этих капиталовложений и рисков имела большой смысл.

Тенденцию «без всяких сказок» предвидел хитрый инженер китайского происхождения по имени Моррис Чанг, который основал TSMC в 1987 году после учебы в Гарварде, Стэнфорде и Массачусетском технологическом институте и 25 лет работы в Texas Instruments. Среди своих многочисленных достижений Чанг впервые применил тактику первоначального ценообразования на чипы в убыток, ожидая, что раннее завоевание доли рынка увеличит масштабы до такой степени, что снижение затрат принесет прибыль.По мере развития технологий стоимость новых фабрик резко возрастала, что заставляло все больше производителей микросхем использовать аутсорсинг и увеличивать долю рынка TSMC. «Он выполнял работу, которой больше никто не хотел заниматься», — говорит Вилли Ши, профессор Гарвардской школы бизнеса.

Рабочие и посетители должны надевать пыленепроницаемую одежду перед входом в чистое помещение

Билли Х.К. Квок для TIME

В июне 2018 года, в возрасте 86 лет, Чанг наконец передал бразды правления TSMC Лю и генеральному директору C.C. Вэй. То, что могло быть трудным переходом, вместо этого оказалось трамплином для более агрессивной философии бизнеса, которая позволила TSMC опередить конкурентов. Помимо миллиардов, вложенных в закрепление технологического превосходства, он приступает к «географической диверсификации, которой не было бы при Моррисе Чанге», — говорит Ши.В то время как Вэй был более технически ориентированным в новой команде руководителей, его прекрасно дополнял отполированный и ориентированный на бизнес Лю, чье представление о развлечениях возвращается с помощью журнала, посвященного глобальным событиям, и потоковой передачи классической музыки на YouTube.

Во многом карьера Лю перекликается с его наставником Чангом. Лю родился в Тайбэе и получил степень доктора философии. в Калифорнийском университете в Беркли, прежде чем устроиться на работу в Intel, где он помог запустить преобразующий процессор i386, который подпитывал революцию персональных компьютеров в конце 1980-х.После ухода из Intel он провел шесть лет, проводя исследования в AT&T Bell Laboratories в Нью-Джерси, прежде чем присоединиться к TSMC в 1993 году. Одна из его первых ролей заключалась в том, чтобы «намочить руки» в строительстве фабрик, говорит он, когда основатель взял его под свое руководство. крыло. «Моррис дал мне огромный опыт, от операций до планирования, продаж, маркетинга и исследований и разработок», — говорит Лю. «Вот почему я прошу наших сотрудников выйти из зоны комфорта и научиться чему-то, а не просто чувствовать удовлетворение, получая от вашего начальника хорошую оценку эффективности.

Недавний успех TSMC был связан, в частности, с одним клиентом: Apple. Гигант из Купертино передал производство своих чипов Samsung для первых шести поколений iPhone. Но после того, как Samsung выпустила свои собственные конкурирующие смартфоны Galaxy, Apple в 2011 году подала иск о краже интеллектуальной собственности, который в конечном итоге был урегулирован путем выплаты американской фирме компенсации в размере 539 миллионов долларов. Этот спор был благом для TSMC, поскольку Apple стремилась отделить свои цепочки поставок от Samsung и избегать любых партнерских отношений, которые могли бы отпугнуть потенциального конкурента.Обнадеживает тот факт, что TSMC — это специализированный литейный бизнес, который не сбивается с пути. Сегодня Apple остается крупнейшим клиентом TSMC. «Это трастовый бизнес, — говорит Лю. «Мы не конкурируем с нашими клиентами».

Apple также сыграла решающую роль в превращении TSMC в бесспорного технологического лидера. Вычислительная техника долгое время регулируется законом Мура, названным в честь соучредителя Intel Гордона Мура, который лучше описать как «наблюдение» о том, что вычислительная мощность удваивается каждые два года или около того.В отрасли была тенденция отдавать приоритет новому полупроводниковому узлу, чтобы соответствовать этим временным рамкам.

Однако Apple настаивала на том, что ей нужен новый узел для каждой итерации iPhone. Поскольку Apple гордится тем, что никогда не пропускает запуск своей жемчужины в короне, TSMC находилась под огромным давлением, заставляя постоянно идти вперед. Поэтому вместо того, чтобы комбинировать множество новых технологий для удвоения мощности каждые два года, компания ежегодно добивалась небольших успехов. «Люди высмеивали TSMC, говоря:« О, это не настоящий узел », — говорит Ненни.«Но эти детские шаги помогли им изучить эти новые технологии. И они смеялись всю дорогу до банка ».

Тем не менее, лидерство сопряжено с разными проблемами. Сегодня чипсы могут быть повсеместными, но их использование в самых передовых разновидностях остается ограниченным. (Тостеры и светофоры могут использовать гораздо менее продвинутые узлы.) По мере того, как пул клиентов TSMC сокращался, риск того, что один из них окажется втянутым в политическую турбулентность, увеличился; TSMC в прошлом году прекратила поставки китайского телекоммуникационного гиганта Huawei, например, после того, как U.Южнокорейские спецслужбы обвинили его — не представив веских доказательств — в том, что он является доверенным лицом китайского государства. На острове с населением всего 23 миллиона человек, где недавняя сильная засуха поставила под угрозу водоемкую полупроводниковую промышленность, также становится труднее найти необходимые ресурсы для расширения границ. «Будущее становится все более и более сложным, — говорит Дэн Ван, отраслевой и технологический аналитик Gavekal Dragonomics. «Когда ты наверху, единственное направление — вниз».

Подробнее: Внутри неоднозначной компании, помогающей Китаю контролировать будущее Интернета

TSMC доминирует так, что ее главными соперниками являются не компании, а правительства.Дефицит автомобильной промышленности стал тревожным сигналом для политиков, уже оправившихся от пандемии и торговой войны. Европейская комиссия объявила о создании государственно-частного полупроводникового альянса, нацеленного на увеличение своей доли в мировом производстве до 20% к 2030 году. Правительство Южной Кореи предлагает стимулы для привлечения инвестиций производителями микросхем на сумму 450 миллиардов долларов до 2030 года.

Вафля перед нарезкой на чипсы

Билли Х.К. Квок для TIME

Китай тем временем вкладывает миллиарды в проблему полупроводников с ограниченным успехом и некоторыми бросающимися в глаза неудачами. Хотя он, скорее всего, вскоре станет крупнейшим производителем микросхем по объему, они не последнего поколения. Ее ведущая фирма — это SMIC, базирующаяся в Шанхае, но, несмотря на $ 300 млн государственных субсидий в 2019 году, лучший чип, который он может произвести, отстает примерно на пять лет от TSMC, и у нас мало шансов наверстать упущенное.Между тем, как минимум шесть многомиллиардных китайских компаний по производству микросхем обанкротились за последние два года, в том числе Wuhan Hongxin Semiconductor Manufacturing Co., которая оказалась мошенничеством на 20 миллиардов долларов, совершенным мошенниками без опыта работы в отрасли.

Усилия Пекина наверстать упущенное также сдерживались тем, что Вашингтон неоднократно блокировал его попытки напрямую купить иностранные фирмы-производители микросхем, а также специализированное оборудование, необходимое для передовых заводов. Это ставит в затруднительное положение Пекин, который стремится к усилению геополитического влияния, которое приносит глобальное технологическое лидерство.Си Си регулярно подчеркивал критическую важность «местных исследований и разработок», создания «безопасных и контролируемых цепочек поставок» и достижения прорывов в «технологиях узких мест».

Ситуация также ставит в затруднительное положение Тайвань и США. В то время как на американские фирмы приходится 65% всех продаж TSMC, Китай является крупнейшим конечным пунктом назначения в силу своей роли мирового завода, импортировав микросхемы на сумму около 350 миллиардов долларов только в 2020 году. .По оценкам Boston Consulting Group, «разделение» технологических секторов США и Китая сократит выручку американских компаний по производству микросхем на 80 миллиардов долларов, в то время как конкуренция с Пекином обойдется тем же фирмам в 10-15 миллиардов долларов.

Лю вторит многим руководителям предприятий, когда он говорит, что нынешняя вражда между США и Китаем никому не выгодна. Многие китайские фирмы накапливают чипы, чтобы не оказаться такими же мишенями, как Huawei. «США и Китай должны понять, что они могут не быть друзьями, но они также не враги», — говорит Лю.«Нам нужны общие правила, чтобы … дать людям определенное представление о том, как вести бизнес».

Если TSMC окажется в центре перетягивания каната между Вашингтоном и Пекином, то то же самое произойдет и с островом, на котором он находится, — с гораздо более опасными потенциальными последствиями. 16 сентября высокопоставленные официальные лица США и Австралии пообещали «укрепить связи» с Тайванем всего через день после того, как обе страны, вместе с Великобританией, представили новый альянс безопасности, получивший название AUKUS, для сдерживания Китая. Пекин уже с тревожной частотой совершает воздушные и военно-морские вылеты вблизи территории Тайваня.

Стратеги говорят, что Тайвань защищен эффективным «кремниевым щитом», учитывая, что нарушение цепочки поставок микросхем в случае вторжения будет означать для экономики Китая. Однако по мере роста напряженности и важности микросхем некоторые аналитики пересматривают эту точку зрения. Ориана Скайлар Мастро, специалист по вооруженным силам Китая в Институте международных исследований Фримена Спогли Стэнфордского университета, говорит, что перспектива получения эффективного контроля над мировыми поставками микросхем может сделать Тайвань более, а не менее уязвимым, потому что такой большой приз означает, что Пекин может эффективно диктовать условия мира: «Я думаю, это дает Китаю преимущество.

Лю не согласен, настаивая на том, что угроза вторжения Пекина «преувеличена». «Тайвань определенно не станет предпринимать действия, чтобы спровоцировать войну», — говорит он, признавая, что отношения между двумя сторонами пролива больше не диктуются исключительно островом. «Это действительно отношения США и Китая».

Несмотря на доминирование Америки в области проектирования микросхем, отсутствие у нее производственных мощностей по-прежнему вызывает беспокойство у политиков, которые пытаются вывести на сушу больше фабрик.Оставаясь заказчиком TSMC, Intel модернизирует свой литейный бизнес, построив два новых завода в Аризоне стоимостью 20 миллиардов долларов. В прошлом году TSMC взяла на себя обязательство построить фабрику стоимостью 12 миллиардов долларов, также в штате Гранд-Каньон. Компания также изучает новые заводы в континентальном Китае, Японии и Европе.

Лю откровенно рассказывает о причинах этих инвестиций в США и их ограничениях. Это было вызвано «политическим подталкиванием наших клиентов», — говорит он, настаивая на том, что «локализация полупроводников не повысит устойчивость цепочки поставок.Он говорит, что это может даже «снизить устойчивость».

Подробнее: Почему сейчас все дороже? Пусть объяснит этот фаршированный жираф. Транзистор в 3-нм узле составляет всего 1/20 000 ширины человеческого волоса. Если бы вы увеличили полупроводниковую пластину длиной в фут до размеров континентальной U.S., требуемый узор для этих фишек по-прежнему будет только шириной эскиза. Ключевым компонентом может быть только силикон или очищенный песок, но волшебство проявляется в том, как его обрабатывают и манипулируют. «Это похоже на выпечку хлеба», — говорит менеджер отдела TSMC. «Ингредиенты почти такие же, но вот как долго его следует запекать, какая температура должна быть, вот что имеет значение».

FOUP (унифицированный контейнер с открывающимся спереди), ожидающий получения на складе

Билли Х.К. Квок для TIME

По этой причине литейный цех TSMC находится под тщательным контролем. Все посетители должны надеть головные уборы, непыльные куртки, брюки и обувь перед тем, как пройти через «воздушный душ» для удаления случайных частиц. Каждая из аппаратов для литографии в крайнем ультрафиолете, которые использует TSMC, стоит около 175 миллионов долларов. У более крупных фабрик их будет 20 штук.Создание микросхемы занимает около 1500 шагов, каждый из которых содержит от 100 до 500 переменных. Даже если показатель успешности каждого шага составляет 99,9%, это означает, что можно использовать менее четверти конечного результата. «Есть ли что-то немного другое в воде, воздухе или химикатах в Аризоне?» — спрашивает Хэнбери. «Команда НИОКР не собирается останавливаться на достигнутом, чтобы решить эти проблемы».

В то время как основатель TSMC Чанг хвалил «дешевую землю и электричество» в США.С. в своем недавнем выступлении также ворчал, что «нам пришлось очень постараться, чтобы найти компетентных техников и рабочих». Лю отмечает, что затраты в США оказались «намного выше», чем ожидала TSMC.

Все это указывает на увлечение локализацией, вызванное политикой, а не наукой или бизнесом. В конце концов, открытие фабрики в США влияет только на небольшую часть производственного процесса. Сегодня полупроводники обычно разрабатываются в США, производятся на Тайване или в Южной Корее, тестируются и собираются в Юго-Восточной Азии, а затем устанавливаются в продукты в Китае.Он уже невероятно специализирован: поскольку TSMC доминирует в литейных услугах, только голландская фирма ASML производит те передовые литографические машины, на которых полагаются все ее фабрики.

Если прочность цепи определяется ее самым слабым звеном, открытие фабрик в США не сильно укрепится. Повышать конкурентоспособность США можно только постепенно. Например, новый завод TSMC в Аризоне будет производить 5-нм чипы, которые, хотя и являются передовыми сегодня, будут на пару узлов позади самых быстрых, когда начнется массовое производство в 2024 году.Между тем, штаб-квартира TSMC будет продвигаться вперед с 3-D интегральными схемами следующего поколения, которые, по словам Лю, «откроют путь к инновациям в полупроводниковых архитектурах».

Эти технологии настолько продвинуты, что невозможно наверстать упущенное, не вкладывая огромные суммы денег. Даже тогда ничего не гарантировано. В конце концов, инвестиции в 100 миллиардов долларов, о которых сообщила TSMC, не являются самостоятельными. Он сочетается с глубокими отделами исследований и разработок Apple, Nvidia и всех других близких партнеров TSMC и дополняется ими, чтобы создать «бюджет, который в 100 раз больше того, что вы увидите в их финансовых показателях», — говорит Ненни.«Ни одна компания или страна просто не могут догнать эту огромную экосистему, которая движется вперед, как грузовой поезд».

Что было бы разумнее, считает Лю, если бы США гарантировали, что они находятся на передовой рубежа следующего великого наступления. Например, его способность к спасению жизни в вакцинах с мРНК COVID-19 существует только благодаря огромным инвестициям в геномику и биотехнологии за последние 40 лет. Вместо того, чтобы безуспешно преследовать и локализовать аспекты цепочки поставок полупроводников, Лю предлагает вложить те же деньги в развитие следующего большого скачка.

«США должны сосредоточиться на своих сильных сторонах: проектировании систем, искусственном интеллекте, квантовых вычислениях и на этих перспективных вещах», — говорит Лю. TSMC, возможно, уже выиграла 2030 год, но следующее десятилетие еще предстоит. — С сообщениями Глэдис Цай / Синьчу и Алехандро де ла Гарса / Нью-Йорк

Еще истории, которые необходимо прочитать из TIME


Напишите Чарли Кэмпбеллу в «Чарли»[email protected]

Global Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren und Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Market Size, Share & Industry Analysis, Entwicklungen, Globale Trends und Regionale Vorhersage

Die Global Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren und Metal-Oxide Field- Effect Transistor-Markt Bericht bietet überblick über die Branche, einschließlich Definitionen und Klassifizierungen. Маркетинговый анализ на международном рынке, анализ конкурентной среды, Entwicklungstrends и статус развития региона.Die Studie gibt eine komplizierte Untersuchung von IVs-Anwendungen, einschließlich einer detaillierten Kosten-Bewertung Analyze von Produkten, die verfügbar sind auf dem Markt im Hinblick auf bestehende Hersteller Gewinnmargen. Es hilft, herauszufinden, die primären treibenden Kräfte des Marktes in bedeutende end-use-Organisationen auf der ganzen Welt. Es stellt ebenfalls eine umfassende Untersuchung der Beschränkungen hinsichtlich der Markt -, Geschäfts-Muster und der Wirtschaft Struktur der Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren и Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Markt.Der Bericht besteht aus einer übersicht über die verschiedenen Branchen im Hinblick auf Universelle Wachstum, Entwicklung, Chancen-und business-Strategie.

Laden Sie eine эксклюзивный Probe der Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren und Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Markt-Bericht: https://market.us/report/insulated-gate-bipolar-transistors- и-металл-оксид-полевых транзисторов / образец-запроса
(Nutzen Sie Firmen-E-Mail-ID zu Bekommen, Höhere Priorität)

Top-Unternehmen der Führenden Globalen Изолированный биполярный затвор -Transistoren und Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Markt:

von Fairchild Semiconductor International Inc
STMicroElectronics
ABB Ltd
Hitachi Power Semiconductor Gerät Ltd.
Toshiba Corporation,
Mitsubishi Electric Corporation,
Infineon Technologies AG

Marktforschung-Typen:

Diskrete IGBT
IGBT Modul
Energie & Power

Markt Forschung Von Anwendungen: 36
Elektrische Fahrzeug
Industriellen System
(Medical Devices & Traktion)

Wenn Sie Irgendwelche Fragen Zu Diesem Bericht wenden Sie Sich Bitte an Uns: https: // market.нас / отчет / рынок-биполярных транзисторов с изолированным затвором и оксидом металла / # запрос
(Nutzen Sie Firmen-E-Mail-ID zu Bekommen, Höhere Priorität)

die Wichtigsten Fragen Beantwortet der Report

1. Был ли рынок глобальных биполярных транзисторов с изолированным затвором и металло-оксидным полевым транзистором Markt im Jahr 2031?

2. Был ли рынок CAGR глобальных биполярных транзисторов с изолированным затвором и металлооксидных полевых транзисторов?

3.Die Produkt ist wahrscheinlich das Schnellste Wachstum des Marktes?

4. Рынок полевых транзисторов с изолированным затвором и биполярных транзисторов с изолированным затвором и металлооксидных полевых транзисторов?

5. Welche region wird voraussichtlich am meisten zu schaffen Reihe von Möglichkeiten in der globalen Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren und Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Markt?

6. Gibt es änderungen im Wettbewerb auf dem Markt für den Prognosezeitraum?

7.Был ли рынок сбыта полевого транзистора с изолированным затвором, биполярного транзистора и оксидно-металлического полевого транзистора?

8. Был ли sind die häufigsten business-Taktik angenommen Spieler?

9. Был ли рынок сбыта полевых транзисторов с изолированным затвором, биполярных транзисторов и металлооксидных полевых транзисторов ist die Wachstumsaussichten der globalen?

Erhalten Sie Sofortigen Zugang oder Kaufen Diese Premium-Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren und Metal-Oxide Field Effect Transistor-Markt-Bericht: https: // market.us / Purchase-report /? report_id = 21669

Wichtige Punkte aus dem Inhaltsverzeichnis:

1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором и металлооксидные полевые транзисторы с изолированным затвором — Markt im Überblick

2. Global Insulated- Затворные биполярные транзисторы и металлооксидные полевые транзисторы — Markt Wettbewerb durch Hersteller

3. Глобальные изолированные затворные биполярные транзисторы и металлооксидные полевые транзисторы — Kapazität, Produktion, Umsatz (Wert) nach Regionen)

4.Глобальный биполярный транзистор с изолированным затвором и металлооксидный полевой транзистор Versorgung (производство), Verbrauch, экспорт, импорт по регионам

5. Глобальный биполярный транзистор с изолированным затвором и металлооксидный полевой транзистор Produktion, Einnahmen (Wert), Preisentwicklung nach Typ

6. Глобальный анализ с изолированным затвором, биполярным транзистором и металлооксидным полевым транзистором, анализ до

7. Глобальный изолированный затвор-биполярный транзистор и оксид металла Полевой транзистор — профиль Герстеллера / анализ

8.Биполярный транзистор с изолированным затвором и металлооксидный полевой транзистор Herstellung-Kosten-Analyze

9. Mechanisch-Kette, Sourcing-Strategie und Downstream-Käufer

10. Marketing-Strategie-Analyze, Distributoren / Händler

11. Markt-Effekt-Faktoren-Analyze

12. Global Insulated Gate-Bipolar-Transistoren и Metal-Oxide Field-Effect Transistor-Markt Prognose

13. Forschungsergebnisse und Fazit

14. Приложение

Warum die Отчеты по внутреннему рынку:

* Entdecken Sie die umfangreiche Bibliothek von Marktberichten

* Genaue und Umsetzbare Erkenntnisse

* der Schwerpunkt auf die Wichtigsten Trends Online 24 -0003000

000 9000 просмотров 9000 9000 9000 9000 отзывов Offline-Unterstützung

* die Meisten-detaillierte Marktsegmentierung

Spezielle Chemikalien und Materialien Reports @ http s: // Chemicalmarketreports.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *