Базовые элементы
Базовые элементы3.Структура и принцип работы базовых электронных элементов
Все многообразие устройств ЭВМ базируется на ограниченном наборе типовых электронных элементов. Поэтому принцип действия даже сверхсложного компьютера легко понять, если предварительно разобраться в структуре и принципе работы базовых электронных элементов, к которым относятся инвертор (ключ), вентиль и триггер.
Инвертор. На рис. 3, а представлена схема электронного ключа на биполярном транзисторе, реализующая логическую функцию «НЕ» (отрицание), а на рис. 3, б — его условное обозначение. При подаче на вход схемы сигнала низкого уровня (логического «0») транзистор будет заперт, т.е. ток через него проходить не будет, и на выходе будет сигнал высокого уровня (напряжение источника питания Еп, логическая «1»). Если же на вход схемы подать сигнал высокого уровня (логическую «1»), то транзистор «откроется», начнет пропускать электрический ток. На его выходе за счет падения напряжения на сопротивлении нагрузки Rн установится напряжение низкого уровня (логический «0»).Таким образом, схема преобразует (инвертирует) сигналы одного уровня в другой, тем самым выполняя логическую функцию «НЕ».Если на входы Вх1 и Вх2 поданы сигналы низкого уровня (логические «0»), то оба транзистора закрыты, ток через них не проходит, выходное напряжение на Rн близко к 0. Пусть на один из входов подано напряжение высокого уровня (логическая «1»). Тогда соответствующий транзистор откроется, однако другой останется закрытым, и ток через транзисторы и сопротивление нагрузки Rн по-прежнему не будет проходить. Следовательно, при подаче напряжения высокого уровня лишь на один из транзисторов схема не переключается и на выходе остается напряжение низкого уровня. И лишь при одновременной подаче на входы сигналов высокого уровня (логических «1») на выходе мы также получим сигнал высокого уровня: открытые транзисторы практически не оказывают сопротивление току, все напряжение падает на сопротивлении нагрузки, потенциал вывода Вых становится высоким.
Здесь транзисторы включены параллельно друг другу. Если оба закрыты, то их общее сопротивление велико и на выходе будет сигнал низкого уровня (логический «0»).Достаточно подать сигнал высокого уровня (логическую «1») на один из транзисторов, как схема начнет пропускать ток и на сопротивлении нагрузки установится также сигнал высокого уровня (логическая «1»).
Показано («Бинарная логика, законы алгебры логики»), что любая сколь угодно сложная логическая функция может быть разложена на комбинацию элементарных логических функций «НЕ», «И» и «ИЛИ», так что из инвертора и соответствующих вентилей можно построить электронную логическую схему, выполняющую любое запланированное действие. Там же показано, что вместо трёх вышеперечисленных логических функций, можно использовать всего лишь одну комбинированную логическую функцию «И-НЕ» или «ИЛИ-НЕ». Эти логические элементы получаются из «И» и «ИЛИ» путём переноса сопротивления нагрузки Rн из эмиттерной цепи в коллекторную (как в схеме инвертора).
Рассмотрим работу этой схемы. Пусть в начальный момент времени входы R, S и выход Q имеют низкий логический уровень. Для переключения триггера в состояние Q=1 необходимо на вход S подать «1».На входе соответствующего вентиля будут действовать входные логические сигналы: «0»(с выхода Q) и «1» (со входа S). На его выходе возникает инвертированная «1»,т. е. «0». Следовательно, через некоторое время Dt
Регистр. Из триггеров (они бывают и других типов, отличных от рассмотренного) строятся многие элементы ЭВМ, например регистры. Они предназначены для приема, временного хранения и передачи информации в двоичном коде. Каждый триггер регистра используется для ввода, хранения и вывода одного разряда двоичного числа. Регистр, предназначенный для хранения информации, называют накопительным. Существуют также сдвигающие регистры, в которых двоичную информацию можно перемещать поразрядно влево и вправо, а также счетные регистры, предназначенные для преобразования десятичных чисел в двоичные и обратно. На основе базовых элементов строятся различные микросхемы ЭВМ, например, процессор, память, сумматор, дешифратор, мультиплексор и др.
Назад На главную
Логические элементы
Глава 1. КОМБИНАЦИОННЫЕ СХЕМЫ И ЦИФРОВЫЕ АВТОМАТЫ
1.1. Логические элементы
Различают комбинационные схемы и цифровые автоматы. В комбинационных схемах состояние на выходе в данный момент времени однозначно определяется состояниями на входах в тот же момент времени. Комбинационными схемами, например, являются логические элементы И, ИЛИ, НЕ и их комбинации. В цифровом автомате состояние на выходе определяется не только состояниями на входах в данный момент времени, но и предыдущим состоянием системы. К цифровым автоматам относятся триггеры.
Логическими элементами называются элементы, выполняющие логические операции И, ИЛИ, НЕ и комбинации этих операций. Указанные логические операции можно реализовать с помощью контактно-релейных схем и с помощью электронных схем. В настоящее время в подавляющем большинстве применяется электронные логические элементы, причем электронные логические элементы входят в состав микросхем. Имея в распоряжении логические элементы И, ИЛИ, НЕ, можно сконструировать цифровое электронное устройство любой сложности. Электронная часть любого компьютера состоит из логических элементов.
Система простых логических функций, на основе которой можно получить любую логическую функцию, называется функционально полной.
Отсюда следует, что для построения логического устройства любой сложности достаточно иметь однотипные логические элементы, например, И-НЕ или ИЛИ-НЕ.
Логические элементы могут работать в режимах положительной и отрицательной логики. Для электронных логических элементов в режиме положительной логики логической единице соответствует высокий уровень напряжения, а логическому нулю — низкий уровень напряжения. В режиме отрицательной логики логической единице соответствует низкий уровень напряжения, а логическому нулю — высокий.
Для контактно-релейных схем в режиме положительной логики логической единице соответствует замкнутый контакт ключа или реле, а логическому нулю — разомкнутый. Светящийся индикатор (лампочка, светодиод) соответствует логической единице, а несветящийся — логическому нулю.
Логические элементы, реализующие для режима положительной логики операцию И, для режима отрицательной логики выполняют операцию ИЛИ, и наоборот. Так, например, микросхема, реализующая для положительной логики функции элемента 2И-НЕ, будет выполнять для отрицательной логики функции элемента 2ИЛИ-НЕ.
Как правило, паспортное обозначение логического элемента соответствует функции, реализуемой «положительной логикой». Логические элементы И, ИЛИ, НЕ имеют один выход, число входов логических элементов И, ИЛИ может быть любым начиная с двух. Логические элементы И и ИЛИ, выпускаемые в составе микросхем, обычно имеют 2, 3, 4, 8 входов. В названии элемента первая цифра указывает число входов.
Прежде всего, рассмотрим реализацию логических элементов с помощью контактно-релейных схем. Рассмотрим логический элемент 2И. Он выполняет операцию логического умножения. На рисунке 1.1,а приведена контактно-релейная схема логического элемента 2И для режима положительной логики.
Обозначение логического элемента 2И на принципиальных схемах показано на рисунке 1.1,б. Знак & (амперсант) в левом верхнем углу прямоугольника указывает, что это логический элемент И. Первые две буквы обозначения DD1.2 указывают на то, что это цифровая микросхема, цифра слева от точки указывает номер микросхемы на принципиальной схеме, а цифра справа от точки – номер логического элемента в составе данной микросхемы.
Функционирование логического элемента обычно задают таблицей истинности. Контактно-релейная схема логического элемента 2И (режим положительной логики) позволяет легко составить таблицу истинности этого элемента. Так как микросхема имеет для подачи входных сигналов два входа, то возможны 22=4 различных комбинации входных сигналов. Необходимо проанализировать состояние лампочки при различных положениях тумблеров Sa1, Sa2, т.е. рассмотреть 4 различных комбинации состояний тумблеров (рис. 1.1,в).
Введение понятия активного логического уровня существенно облегчает анализ функционирования сложных цифровых устройств. Активным логическим уровнем на входе элемента (логический нуль, логическая единица) называется такой уровень, который однозначно задает состояние на выходе элемента независимо от логических уровней на остальных входах элемента. Активный логический уровень на одном из входов элемента определяет уровень на его выходе. Уровни, обратные активным, называются пассивными логическими уровнями.
Активным логическим уровнем для элементов И является логический нуль. Пусть, например, имеем логический элемент 8И. Необходимо проанализировать 28=256 различных состояний для составления таблицы истинности этого элемента. Воспользуемся понятием активного логического уровня. Если хотя бы на одном из входов этого элемента будет активный логический уровень, то состояние на выходе элемента определено однозначно и нет необходимости анализировать состояния на остальных входах элемента.
Таким образом, таблицу истинности логического элемента 8И можно свести к двум строчкам: на выходе этого элемента будет логическая единица, если на всех входах будут сигналы логической единицы и на выходе будет логический нуль, если хотя бы на одном из входов элемента будет сигнал логического нуля.
Логический элемент 2ИЛИ выполняет логическую операцию логического сложения у=х1+х2. Контактно-релейная схема элемента приведена на рисунке 1.2,а, а его условное обозначение – на рисунке 1.2,б. Знание контактно-релейной схемы элемента позволяет составить таблицу истинности (рис.1.2,в). Лампочка будет гореть, если замкнуты контакты хотя бы одного тумблера, т.е. активным логическим уровнем для элементов ИЛИ является уровень логической единицы.
Логический элемент НЕ выполняет операцию отрицания, и для этого элемента проще составить сразу таблицу истинности, а не вычерчивать сначала контактно-релейную схему, а затем по ней составлять таблицу истинности. Для логических элементов И и ИЛИ проще сначала вычертить контактно-релейную схему, а уже потом составлять таблицу истинности.
Напомним алгоритм работы электромагнитного реле с нормально замкнутыми контактами: при отсутствии электрического тока через обмотку реле контакты реле замкнуты, а при протекании достаточного тока через обмотку реле контакты реле разомкнуты. Контактно релейная схема элемента НЕ приведена на рисунке 1.3а, а его условное обозначение – на рисунке 1.3б.
Проанализируем работу контактно-релейной схемы логического элемента НЕ (рис. 1.3а). Если контакты ключа Sa1 разомкнуты, то через обмотку К электромагнитного реле ток протекать не будет. Контакты К1.1 (цифра слева от точки указывает номер реле на принципиальной схеме, а цифра справа – номер контактной группы данного реле) будут замкнуты (электромагнитное реле с нормально замкнутыми контактами). Электрическая лампочка HL1 в этом случае будет гореть, что для режима положительной логики будет означать логическую единицу. При замкнутых контактах ключа Sa1 (на входе элемента логическая единица) через обмотку реле протекает ток, достаточный для размыкания контактов К1.1, поэтому лампочка перестает гореть (логический нуль). В результате анализа мы получили, что сигнал на выходе элемента противоположен сигналу на входе, т.е. если на входе элемента сигнал логической единицы, то на выходе элемента сигнал логического нуля и наоборот (рис. 1.3,в).
При анализе работы логических элементов следует помнить о режиме их работы (режим положительной или отрицательной логики). Логические элементы, реализующие для режима положительной логики операцию И, для
режима отрицательной логики выполняют операцию ИЛИ и наоборот. Решим следующую задачу.
Задача. Какую логическую операцию выполняет контактно-релейная схема, приведенная на рисунке 1.4.
Правильным ответом в этой задаче будет следующий. Указанная контактно-релейная схема выполняет операцию 3И для режима положительной логики и 3ИЛИ для режима отрицательной логики (решение обосновать самостоятельно).
В практической работе широко используются комбинации логических элементов и особенно элементы И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Рассмотрим подробнее контактно-релейную схему элемента 2ИЛИ-НЕ, приведенную на рисунке 1.5,а. Условное обозначение элемента на принципиальных схемах показано на рисунке 1.5,б. Заполним таблицу истинности, приведенную на рисунке 1.5в. Если оба ключа разомкнуты (Х1=0, Х2=0), то лампочка HL1 горит, что соответствует логической единице на выходе элемента (Y=1). Замкнем контакты ключа Sa1 (Х1=1), оставляя ключ Sa2 разомкнутым (Х2=0). Лампочка HL1 в этом случае не горит (Y=0). Если замкнут хотя бы один ключ, то лампочка не горит. Следовательно, активным логическим уровнем на входе элемента ИЛИ-НЕ является уровень логической единицы.
Для двух аргументов логического элемента возможны 16 логических функций. В данном пособии рассматриваются логические функции: логическое И, логическое ИЛИ, логическое НЕ, логическое И-НЕ, логическое ИЛИ-НЕ, сумма по модулю 2.
В таблице 1.1 приведены условные обозначения элементов 2И, 2ИЛИ, НЕ, 2И-НЕ, 2ИЛИ-НЕ, исключающее ИЛИ (сумма по модулю 2), условные обозначения выполняемых этими элементами логических операций, таблицы их истинности и контактно-релейные схемы. При анализе контактно-релейной схемы элемента исключающее ИЛИ необходимо учитывать, что положения переключателей SA1 и SA2 в таблице 1.1 соответствуют логическим единицам (верхнее положение подвижного контакта переключателя соответствует логической единице), т.е. Х1=1 и Х2=1. Лампочка HL1 горит лишь в том случае, когда подвижный контакт одного из переключателей находится в верхнем положении, а подвижный контакт второго переключателя в нижнем положении. Из анализа работы данной контактно-релейной схемы получаем таблицу истинности элемента исключающее ИЛИ.
Рассмотрим решение следующей задачи: имея в распоряжении логические элементы 2И-НЕ, сконструировать устройство, реализующее операцию 3ИЛИ-НЕ для режима положительной логики. Эту задачу решим в два этапа. Сначала сконструируем устройство, выполняющее операцию 3И-НЕ для режима положительной логики (рис. 1.6,а), а потом на входах и выходе элемента 3И-НЕ установим логические элементы НЕ (рис. 1.6,б).
По мере развития вычислительной техники электронные логические элементы совершенствовались. Рассмотрим принципиальную схему логического элемента 2И (рис. 1.7,а), построенного на диодах и резисторах. Для простоты рассмотрения будем считать, что напряжение логического «0» на входе элемента равно 0 В, а напряжение логической «1» — 5 В. Внутреннее сопротивление вольтметра значительно больше сопротивления резистора R1.
Вспомним особенности вольтамперной характеристики полупроводникового кремниевого диода небольшой мощности. При обратном напряжении ток, протекающий через диод, составляет десятые доли микроампера. Напряжение на диоде при протекании через него в прямом направлении тока в десятки миллиампер, равно приблизительно 0,7-0,8 В. Определим примерно параметры логических уровней на выходах данного элемента, если на входе действуют логические уровни с указанными ранее параметрами. Если на оба входа поданы напряжения логических «1», то токи через диоды VD1 и VD2 не протекают, и напряжение на выходе элемента при условии, что сопротивление нагрузки значительно больше сопротивления резистора R1, будет примерно равно напряжению питания. Если хотя бы один из входов элемента соединить с минусовым проводом источника питания, то на выходе элемента в случае кремниевых диодов будет напряжение 0,7 — 0,8 В (зависит от сопротивления резистора R1 и напряжения источника питания).
Примечание: для рассмотренного логического элемента логическая «1» на входе будет, если вход никуда не подключен или подключен к плюсовому выводу источника питания.
На рисунке 1.7,б приведена схема простого и удобного в работе стенда для исследования диодно-резистивного логического элемента 2И. Светодиоды VD3 — VD5 являются индикаторами логических сигналов на входах и выходе логического элемента. Вольтметр V позволяет определить напряжения логической единицы и логического нуля. Для диодно-резистивного логического элемента 2И напряжение логического нуля на выходе примерно 0,7-0,8 В, а напряжение логической единицы чуть меньше напряжения на зажимах источника питания (определяется соотношением сопротивлений резистора R1 и нагрузки).
На рисунках 1.8,а и 1.8,б приведены схемы для исследования диодно-резистивного логического элемента 2ИЛИ. Для этого элемента напряжение логического нуля на выходе равно 0 В, а напряжение логической единицы равно напряжению питания минус 0,7-0,8 В.
Следующим этапом совершенствования элементной базы цифровой техники было создание логических элементов диодно-транзисторной логики.
Рассмотрим принципиальную схему логического элемента 2И-НЕ диодно-транзисторной логики (рис. 1.9,а).
Для понимания принципа работы логического элемента 2И-НЕ диодно-транзисторной логики необходимо знать, какой вид имеет зависимость тока коллектора транзистора от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении эмиттер- коллектор. Эта характеристика имеет примерно такой же вид, как и прямая ветвь вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Для кремниевых транзисторов при напряжении база-эмиттер (в прямом направлении) менее 0,5 В ток в цепи коллектор-эмиттер практически равен нулю при любых допустимых напряжениях коллектор-эмиттер (транзистор закрыт, сопротивление между коллектором и эмиттером закрытого транзистора VТ1 может достигать единиц МОм). При незначительном увеличении напряжения база-эмиттер (в прямом направлении) более 0,5 В ток коллектора значительно увеличивается, говорят, что транзистор открывается.
Диоды VD1, VD2 и резистор R1 (рис. 1.9,а) образуют логический элемент 2И. Роль инвертора выполняет транзистор VT1. Если транзистор закрыт, то ток в цепи: плюс источника питания, резистор R2, коллектор-эмиттер транзистора VT1, минус источника питания не протекает и напряжение между эмиттером и коллектором транзистора будет равно напряжению на зажимах источника питания. Диоды VД3, VД4 необходимы для надежного закрытия транзистора VТ1, когда хотя бы на одном из входов элемента было напряжение логического нуля.
Если на обоих входах Х1, Х2 присутствуют сигналы логических единиц, транзистор VT1 открывается током базы, протекающим по цепи: плюс источника питания, резистор R1, диоды VD3, VD4, переход база-эмиттер транзистора VT1, минус источника. На выходе элемента будет напряжение 0,1-0,2 В, что соответствует логическому нулю.
На рисунке 1.9,б приведен вариант логического элемента 2И-НЕ на транзисторах. Инвертор на транзисторе VT1 не обеспечивает большую нагрузочную способность, поэтому в качестве инверторов применяют более сложные схемы. Сложный инвертор в микросхемах транзисторно-транзисторной логики будет рассмотрен чуть позже. Сейчас остановимся на принципе работы инверторов, схемы которых приведены на рисунке 1.10.
Рассмотрим делитель напряжения (делитель напряжения источника питания) образованного резистором R3 и цепью коллектор-эмиттер транзистора VТ1 (рис.1.10,а). Если на входе элемента логическая единица (подвижный контакт переключателя SA1 в верхнем положении), то транзистор VT1 открыт и в его коллекторной цепи протекает ток. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора составляет десятые доли вольта (не более 0,4 В). При логическом нуле на входе элемента транзистор закрыт и напряжение на выходе элемента равно напряжению питания, что соответствует логической единице.
На рисунках 1.10,б и 1.10,в приведены схемы инверторов с использованием полевых транзисторов. Напомним устройство и принцип действия полевых транзисторов. Существуют следующие виды полевых транзисторов: полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным каналом, полевые транзисторы с изолированным затвором с индуцированным каналом.
Полевые транзисторы называются также униполярными, одноканальными. Полевой транзистор в отличие от биполярного имеет большое входное сопротивление по цепи управления. Ток в выходной цепи полевого транзистора управляется напряжением, в то время как в биполярном транзисторе ток в выходной цепи транзистора управляется током во входной цепи транзистора. Таким образом, мощность управления в полевом транзисторе значительно меньше, чем в биполярном.
Полевой транзистор имеет 3 вывода: исток, сток, затвор. Исток – это вывод полевого транзистора, от которого основные носители заряда идут в канал. Сток – это вывод полевого транзистора, к которому идут основные носители заряда из канала. Затвор — это вывод полевого транзистора, на который подается управляющее напряжение относительно истока или относительно стока.
Наибольшее распространение имеют схемы включения транзистора с общим истоком, когда управляющее напряжение подается на затвор относительно истока.
В вычислительной технике в качестве электронных ключей широко используются полевые транзисторы с изолированным затвором с индуцированным каналом. Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа (рис. 1.11). В полупроводнике p-типа сделаны два кармана с проводимостью n-типа. Знак n+ указывает на большую концентрацию электронов, что делается для уменьшения сопротивлений выводов стока и истока. Металлический затвор изолирован от кристалла полупроводника.
При напряжении затвор-исток, равном нулю, в цепи сток-исток ток не протекает при любых допустимых напряжениях сток-исток, так как образуются два p-n перехода, причем верхний подключен в обратном направлении.
Подадим на затвор относительно истока положительный потенциал. В полупроводниках p-типа имеются неосновные носители заряда (электроны). Рассмотрим движение электронов и дырок в слое полупроводника p-типа, прилежащем к затвору. Для упрощения рассмотрения соединим область p-типа с выводом истока. Под действием электрического поля, обусловленного наличием напряжения затвор – исток, дырки будут двигаться вправо, а электроны влево, т.е. в полупроводнике в приграничной к затвору области концентрация дырок уменьшается, а концентрация электронов увеличивается. При определенном напряжении затвор-исток в указанной области концентрация электронов станет больше концентрации дырок, наступит инверсия проводимости, т.е. в приграничной к затвору области появится слой полупроводника n-типа. В этом случае в цепи сток-исток протекает ток, т.к. между выводами стока и истока появился канал n-типа. Этот канал называется индуцированным (наведенным).
Для понимания принципа работы логических элементов на полевых транзисторах необходимо знать, что собой представляет стоко-затворная характеристика полевого транзистора. Стоко-затворная характеристика полевого транзистора в схеме включения с общим истоком (исток является общим для входной и выходной цепи) — это зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток. Эта характеристика полевого транзистора с изолированным затвором с индуцированным каналом n-типа приведена на рисунке 1.12. Особенности стоко-затворных характеристик полевых транзисторов с изолированным затвором с индуцированным каналом позволяют использовать эти транзисторы в качестве электронных ключей. Сравним основные характеристики электронного ключа на полевом транзисторе с характеристиками механического ключа. Сопротивление разомкнутого механического ключа можно считать бесконечно большим (пока не наступит электрический пробой), сопротивление ключа на полевом транзисторе порядка 10 МОм. Когда контакты механического ключа замкнуты сопротивление между контактами составляет сотые доли ома, для такого же состояния полевого транзистора сопротивление между стоком и истоком сотни Ом.
Если на входе инвертора, схема которого приведена на рисунке 1.10,б, напряжение логической единицы, то сопротивление между выводами сток и исток транзистора мало. Сопротивление резистора R1 выбирают значительно больше сопротивления между стоком и истоком открытого полевого транзистора и, следовательно, напряжение на выходе элемента будет близко к нулю вольт. При логическом нуле на входе логического элемента НЕ полевой транзистор будет закрыт, и на выходе элемента будет напряжение, примерно равное напряжению источника питания. Это обусловлено тем, что сопротивление резистора R1 выбирают во много раз меньше сопротивления между стоком и истоком закрытого транзистора.
Рассмотрим принцип работы инвертора (логического элемента НЕ) КМОП (комплиментарный, металл, окисел, полупроводник) структуры (рис. 1.10,в). Комплиментарный означает дополняющий друг друга по типу проводимости. Микросхемы КМОП имеют транзисторы как с каналом p-типа, так и с каналом n-типа. Учтем, что сопротивление между выводами сток-исток открытого транзистора — 200-300 Ом, а сопротивление между выводами сток-исток закрытого транзистора более 10 МОм.
Выберем напряжение питания 9 В. Пусть на вход Х подано напряжение логического «0», тогда транзистор VТ2 будет закрыт, а транзистор VТ1 открыт, так как потенциал затвора транзистора VТ1 относительно истока этого же транзистора равен минус 9В. На выходе элемента логическая единица.
Подадим на вход Х напряжение, соответствующее логической единице. Для рассмотренного случая это + 9 В относительно общего провода. В этом случае транзистор VТ2 будет открыт, а транзистор VТ1 – закрыт и на выходе элемента будет напряжение логического нуля.
Рассмотрим основные параметры, которыми характеризуются цифровые микросхемы.
Помехоустойчивость Uп, макс – наибольшее значение напряжения помехи на входе микросхемы, при котором еще не происходит изменения уровней ее выходного напряжения.
Напряжение логической единицы U1 – значение высокого уровня напряжения для «положительной» логики и значение низкого уровня напряжения для «отрицательной» логики.
Напряжение логического нуля U0 – значение низкого уровня напряжения для «положительной» логики и значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики.
Пороговое напряжение логической единицы U1пор – наименьшее значение высокого уровня напряжения для «положительной» логики или наибольшее значение низкого уровня напряжения для «отрицательной» логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое.
Пороговое напряжение логического нуля U0пор – наибольшее значение низкого уровня напряжения для «положительной» логики или наименьшее значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики на входе микросхемы, при котором она переходит из одного устойчивого состояния в другое.
Входной ток логической единицы I1вх – измеряется при заданном значении напряжения логической единицы.
Входной ток логического нуля I0вх – измеряется при заданном значении напряжения логического нуля.
Выходной ток логической единицы I1вых – измеряется при заданном значении напряжения логической единицы.
Выходной ток логического нуля I0вых– измеряется при заданном значении напряжения логического нуля.
Ток потребления в состоянии логической единицы I1пот – значение тока, потребляемого микросхемой от источников питания при логических единицах на выходах всех элементов.
Ток потребления в состоянии логического нуля I0пот – значение тока, потребляемого микросхемой от источников питания при логических нулях на выходах всех элементов.
Средний ток потребления Iпот. ср. – значение тока, равное полусумме токов, потребляемых цифровой микросхемой от источников питания в двух устойчивых различных состояниях.
Потребляемая мощность в состоянии логической единицы Р1пот – значение мощности, потребляемой микросхемой от источника питания при логических единицах на выходах всех элементов.
Потребляемая мощность в состоянии логического нуля Р0пот – значение мощности, потребляемой микросхемой от источника питания при логических нулях на выходах всех элементов.
Средняя потребляемая мощность Рпот. ср.– полусумма мощностей, потребляемых микросхемой от источников питания в двух устойчивых различных состояниях.
Время перехода интегральной микросхемы из состояния логической единицы в состояние логического нуля t1,0 – интервал времени, в течение которого напряжение на выходе микросхемы переходит от напряжения логической единицы к напряжению логического нуля, измеренный на уровнях напряжения 0,1 и 0,9 от амплитуды импульса.
Время перехода интегральной микросхемы из состояния логического нуля в состояние логической единицы t0,1 – интервал времени, в течение которого напряжение на выходе микросхемы переходит от напряжения логического нуля к напряжению логической единицы, измеренный на уровнях напряжения 0,1 и 0,9 от амплитуды импульса.
Время задержки распространения сигнала при включении t1,0зд, р – интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения логической единицы к напряжению логического нуля, измеренный на уровне 0,5 амплитуды.
Время задержки распространения сигнала при выключении t0,1зд, р – интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от логического нуля к логической единицы, измеренный на уровне 0,5 амплитуды.
Среднее время задержки распространения сигнала tзд, р.с.– интервал времени, равный полусумме времени задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровой микросхемы.
Коэффициент объединения по входу Коб – число входов микросхемы, по которым реализуется логическая функция.
Коэффициент разветвления по выходу Краз – число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу микросхемы (единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем).
Коэффициент объединения по выходу Коб.вых – число соединяемых между собой выходов интегральной микросхемы, при котором обеспечивается реализация соответствующей логической операции.
Сопротивление нагрузки Rн – значение активного сопротивления нагрузки, подключаемой к выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечивается заданное значение выходного напряжения (выходного тока) или заданное усиление.
Емкость нагрузки Сн – максимальное значение емкости, подключенной к выходу интегральной микросхемы, при котором обеспечиваются заданные частотные и иные параметры.
Синхронизация работы отдельных узлов ЭВМ и других устройств цифровой техники осуществляется периодическими последовательностями прямоугольных импульсов напряжения. Импульсом напряжения называют отклонение напряжения от первоначального значения в течение короткого промежутка времени. Последовательность импульсов, мгновенные значения которых повторяются через равные промежутки времени, называют периодической последовательностью импульсов. Участок импульса, на котором происходит изменение напряжения от начального уровня до конечного, называют фронтом импульса, а участок, на котором напряжение возвращается к исходному уровню, называется срезом импульса. Длительностью фронта импульса считают время нарастания напряжения от 0,1 Uм до 0,9 Uм, а длительностью среза – время изменения напряжения от 0,9 Uм до 0,1 Uм, где Uм – амплитуда импульса. Когда говорят о длительности импульса, то необходимо указывать, на каком уровне от амплитуды импульса проводились измерения: на уровне 0,1 Uм или 0,5 Uм. Частота следования импульсов – это число импульсов в одну секунду. Период следования импульсов – это минимальное время, через которое повторяются мгновенные значения напряжения. Интервал времени между окончанием одного импульса и началом следующего называется паузой. Величину, равную отношению периода следования импульсов к длительности импульса, называют скважностью импульсов. Периодическая последовательность прямоугольных импульсов при скважности 2 называется меандром. Прямоугольный импульс напряжения иногда рассматривают как совокупность двух перепадов напряжения. Перепады напряжения – это быстрые изменения напряжения между двумя уровнями. Перепад называют положительным, если напряжение изменяется от низкого уровня к высокому, и отрицательным, если напряжение изменяется от высокого уровня к низкому. Перепад напряжения, у которого длительность равна нулю, называется скачком напряжения.
На рисунке 1.13 показано, как определяется длительность фронта входного импульса tф, время перехода интегральной микросхемы из состояния логической единицы в состояние логического нуля t1,0, время перехода интегральной микросхемы из состояния логического нуля в состояние логической единицы t0,1, время задержки распространения при включении t1,0зд, р, время задержки распространения при выключении t0,1зд, р .
предложен необычный логический элемент с памятью
Вопрос дальнейшего снижения масштабов техпроцесса волнует всех производителей полупроводников и компанию Intel в частности. Уменьшение размеров элементов на кристалле позволяет снижать как питание и потребление, так и увеличивать рабочие частоты. И хотя до теоретического предела работы традиционных КМОП-процессов ещё есть небольшой запас, проблемы с переходом на 10-нм технологические нормы показали, что каждый следующий нанометр надо вырывать у природы с неимоверными усилиями и затратами. При этом всем очень хочется, чтобы даже в эру после КМОП процессорные архитектуры продолжали соответствовать фон-неймановским. Это привычно и даёт возможность использовать опыт многих десятилетий. Реально ли это? В Intel считают, что реально.
Как сообщают в Intel, в журнале Nature опубликованы результаты совместной разработки специалистов компании и учёных из калифорнийского Университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (Lawrence Berkeley National Laboratory). В публикации сообщается о разработке логического элемента будущего. Элемент называется MESO: magneto-electric spin-orbit или, по-русски, магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО). По сравнению с транзисторами логика МЭСО может переключаться с напряжением в 5 раз меньшим, чем транзисторы в логике КМОП. В эксперименте элемент переключался с напряжением 500 мВ, но расчёты показывают, что переключение также будет происходить при напряжении 100 мВ.
Снижение напряжения для переключения элемента автоматически ведёт к снижению потребления и токов утечек. Разработчики считают, что МЭСО-логика уменьшит потребление чипов от 10 до 30 раз и обеспечит сверхнизкое потребление в ждущем режиме. Нетрудно представить, что разработка обещает толкнуть вычислительные архитектуры далеко вперёд, что в эру ИИ может оказать неоценимую услугу отрасли и людям. Мы же не хотим конкурировать со Скайнет за доступ к электростанциям? Шутка.
Но на этом вся прелесть в МЭСО не заканчивается. Этот элемент может также хранить информацию — как минимум один бит данных на один элемент. Тем самым информация может храниться там, где она обрабатывается. Мозги 2.0? Фишка в том, что в качестве материала для ячейки МЭСО используется мультиферроик в виде соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Мультиферроики (в советской литературе — сегнетомагнетики) отличаются тем, что в них существуют две и более упорядоченности. В противовес им, например, в ферромагнетике под воздействием внешнего электромагнитного поля проявляется намагниченность, а в сегнетоэлектриках — начинает течь ток.
В мультиферроиках в виде соединения BiFeO3 атомы кислорода и железа внутри решётки из висмута создают электрический диполь и связанный с ними магнитный (спиновый) момент. Меняя направление электрического диполя с помощью напряжения переключения, также изменяется направление намагниченности. Последнее можно записать и позже считать как данные (0 или 1). Вторая часть аббревиатуры МЭСО — спин-орбитальный — означает, что считывание и запись данных происходит с использованием эффекта переноса вращательного момента, используя для этого спин-орбитальный момент электронов. Логический элемент и память в одной элементарной структуре — это очень интересно!
Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Как сложить два числа с помощью транзисторов
Что мы уже знаем о транзисторах:
- Это устройство, похожее на кран, только для электричества, и он либо пропускает сквозь себя ток, либо не пропускает.
- Если такие «краны» правильно соединить, то можно создать иллюзию полезной для человека работы — например, суммирования.
- На транзисторах основаны все современные компьютерные вычисления. Современные транзисторы очень маленькие — в буквальном смысле микроскопические. Они соединены сложным образом внутри всех наших процессоров, контроллеров и даже памяти.
- Транзисторы сами по себе ничего не понимают. Они просто перемешивают электричество. Но если их правильно соединить и их будет много, от этого перемешивания получится значительная польза, от автоматических и очень быстрых математических операций до современных компьютеров.
В этой статье разберём, как же именно соединены транзисторы, чтобы уметь так хорошо считать. Для этого нужно сначала понять транзисторную логику, после чего станет очевидно, как устроена транзисторная математика.
Нам потребуется вспомнить эту картинку, которая обозначает принцип действия транзистора:
Тут ток течёт слева направо. На транзистор подаётся управляющий ток, который этот транзистор «открывает», и ток течёт. Если управляющий ток выключить, то транзистор «закроется», движение тока остановится.
Транзисторная логика
У транзисторов есть три принципиальных способа соединения, которые соответствуют трём базовым логическим операциям. Если понимать эти способы и логику, вы поймёте архитектуру всего компьютерного мира. Запоминать и учить её не надо, достаточно просто увидеть.
Основных логических операций всего три: И, ИЛИ, НЕ. Все остальные получаются из их комбинаций, поэтому нам достаточно понять, как работают эти. Можно представить, что мы через транзисторы хотим включить лампочку в комнате и у нас есть выключатель на стене.
Операция «НЕ»
Самая простая операция: она меняет значение на противоположное. Так как в компьютерах и транзисторах на базовом уровне существуют только понятия «есть ток» и «нет тока», то тут будет очевидно, что противоположно чему:
НЕ (есть ток) = нет тока
НЕ (нет тока) = есть ток
Эту же запись можно представить так:
НЕ (1) = 0
НЕ (0) = 1
В терминах нашей комнаты с лампочкой это звучит так: «Если выключатель выключен, то лампочка должна гореть». Схема подключения такая:
Инженеры договорились обозначать такую схему вот такой фигурой. Она означает «Логическая операция НЕ»:
Операция «И»
Здесь уже участвуют два параметра, причём результат равен 1 только тогда, когда оба параметра — 1.
0 И 0 = 0
1 И 0 = 0
0 И 1 = 0
1 И 1 = 1
Только в последнем случае у нас получилась единица, потому что оба параметра — единицы. Как только хотя бы один из параметров — ноль, то всё выражение становится равно 0.
Это то же самое, как если бы у нас в комнате было два выключателя, а лампочка загоралась бы только тогда, когда включены оба.
На схемах такой логический элемент обозначается так, два входа и один выход:
Операция «ИЛИ»
Тоже работает с двумя параметрами, но по другим правилам: если хотя бы одна единица есть, результат тоже будет единицей.
0 ИЛИ 0 = 0
1 ИЛИ 0 = 1
0 ИЛИ 1 = 1
1 ИЛИ 1 = 1
Эта операция смотрит, есть ли хоть одна единица, одна или вторая, или вообще обе, и если находит её — сразу тоже становится единицей.
В терминах комнаты с лампочкой: чтобы лампочка загорелась, должен быть включён хотя бы один выключатель.
На схемах такой логический элемент обозначается так:
Вся логика и вычислительная мощь всех процессоров мира построена на этих трёх логических кубиках. Исключение — квантовые процессоры, но они устроены внутри совсем по-другому.
Что дальше
Комбинируя эти три логические схемы (там есть ещё четвёртая, она делается из трёх основных), мы сможем собрать такой каскад транзисторов, который поможет нам складывать числа. Забегая немного вперёд, вот каскад, который способен сложить два числа, если эти числа — единицы или ноли:
Этот каскад может сложить число размером 1 бит (единица или ноль). Его возможные результаты:
00 — ноль
01 — единица
10 — двойка в двоичном счислении
Если такой каскад «схлопнуть» до одной коробочки (и немного допилить), а потом соединить между собой несколько коробочек, можно складывать более сложные числа. Например, такой каскад сложит два числа до 4 бит, от 0 до 15:
Что мы узнали на этом этапе.
- Транзисторы можно соединять по-разному: по цепочке, параллельно, как-то ещё хитро.
- В зависимости от схемы соединения эта конструкция из транзисторов будет давать разные результаты. Например, лампочка будет гореть при выключенном выключателе. Или будет гореть, когда включён хотя бы один. Или когда включены оба.
- Эти схемы соединений помогают воспроизвести простые логические операции: НЕ, И, ИЛИ.
- Из этих логических операций можно собрать простейший сумматор единицы и ноля.
- Из простейшего сумматора можно каскадом собрать более сложный, например, для чисел от 0 до 15.
- А дальше просто наслаиваешь эти сумматоры друг на друга, соединяешь разными хитрыми образами, и у тебя получается всё более и более сложная вычислительная машина.
Логические основы цифровых схем | Composter 2.0
В некоторых случаях функции электической схемы можно представить с помощью логических операторов Булевой алгебры. Тогда говорят, что схема цифровая, т.е. подчиняется законам, хорошо иллюстрированным логическими операциями — инверсии, логического сложения, конъюнкции, исключающего «ИЛИ» и т.п. Первым исследовал эти законы Клод Шеннон в 1938 г. на примере электрических цепей с ключами. Впрочем, каждому из нас по силам придумать пример, иллюстрирующий физические явления, подчиняющиеся законам формальной логики.
Одной из самых распространенных аналогий является управление водопроводными кранами. Рассмотрим некоторые примеры из этой области, принимая во внимание, что по электрическим схемам тоже «течет ток».
Рис 1. Вентильные схемы работы логических элементов
Во времена первых компьютеров в ходу была диодная логика, по принципу действия в чем-то схожая с работой водопроводных вентилей. Сегодня логические схемы реализуются интегральными микросхемами с высокой плотностью компоновки полупроводниковых элементов, но иногда полезно вспомнить, как формируется один логический элемент с использованием нескольких диодов.
Подключение по схеме «ИЛИ»
Практическую пользу схемы «ИЛИ» трудно переоценить: существует множество схем питания, использующих логику двух входов с диодной коммутацией. Если на одном из входов или на обеих сразу высокий логический уровень, диод (диоды) проводит ток, обеспечивая на выходе Y логическую единицу.
Рис 2. Логический элемент «ИЛИ», выполненный на двух диодах и подтягивающем резисторе
В логических элементах, основанных на диодной логике возможны состояния, при которых все диоды закрыты: для приведенной схемы «ИЛИ» это состояние, когда на входах A и B присутствует низкий уровень либо они не подключены. В этом случае, элемент «ИЛИ» должен выдавать на выход уровень логического нуля, что и обеспечивается резистором, соединяющим выход с общим проводом.
Подключение по схеме «И»
Диодный элемент «И» состоит из двух входов и выхода (Y). На вход диодной схемы может подаваться логическая единица (ей соответствует высокий уровень сигнала) или логический ноль — коммутация на общий провод («земля»). Замкнутые ключи схемы формируют ноль на выходе. Единицу можно получить только в случае, если не нажат ни один из них: высокий логический уровень на обоих входах дает высокий логический уровень на выходе.
Рис 3. Логический элемент «И», выполненный на двух диодах и подтягивающем резисторе
Для приведенной схемы диодного элемента «И» закрытое состояние обоих диодов возможно при наличии высокого уровня на обоих входах. Аналогичный результат, отсутствие тока через диоды, будет иметь место когда ключи не замкнуты
Если подтягивающие резисторы не устанавливать
Если в схеме логического «ИЛИ» все входные диоды отключены (Рис 2.а) либо в схеме логического «И» все входные диоды отключены (Рис 3.а), на выходе будет так называемое Z-состояние — состояние высокого сопротивления, несущее неопределенность. Его восприятие зависит от схемотехники входных цепей, подключенных к выходу нашего логического элемента. Не исключено, что схема сохранит работоспособность и без подтягивающего резистора, если такой резистор (в явном виде или в виде паразитных цепей утечки) имеется во входной цепи следующего каскада. Рассчитывать на такой «подарок» не следует, поэтому неопределенность устраняется подключением терминирующего резистора.
Выбор номинала для подтягивающего резистора является компромиссом: при низком сопротивлении сигнал будет «просаживаться», при высоком — внешние факторы, такие как паразитные токи утечек, окажут на работу элемента существенное влияние, и требуемый логический уровень не будет гарантирован. Чтобы избежать неопределенности, формированием логического нуля следует считать соединение входа с общим проводом, логической единицы — соединение с плюсом источника питания, а неподключенного состояния следует избегать. Для этого и нужны подтягивающие резисторы. Как видим, приведенные выше схемы на основе кнопок нарушают правила терминации, опираясь на частные случаи и рассчитывая на предсказуемую реакцию диодной логики в неподключенном состоянии (при разомкнутой кнопке).
Вентили на полевых транзисторах
Для построения сложных схем требуются элементы, способные обеспечить развязку между управляющей и ведомой цепями. В качестве таких элементов используются транзисторы. Наиболее продуктивной для логических схем оказалась CMOS-технологиях их изготовления. В качестве основы для этих транзисторов используется комплементарная структура металл-оксид-полупроводник, что и определило название всего семейства.
Рис 4. N-канальный транзистор закрыт, когда потенциал на затворе равен истоковому
В работе N-канального СMOS-транзистора используется 5-вольтовая логика: ключ на его основе окажется закрытым, если на затвор прибора подать напряжение низкого уровня и открывается при подаче +5V. Напряжение на затворе управляет проводимостью между стоком и истоком «полевика», и этот факт разработчиком схемы может использоваться для реализации заданных возможностей.
Рис 5. N-канальный транзистор откроется, если на затвор подать положительный потенциал
Стоит только изменить уровень напряжения на затворе транзистора, и он откроется, переключаясь в проводимое состояние. Если нулевой уровень запирает логическую схему, то перевести ее в противоположное (открытое) состояние можно только подав относительно истока положительное напряжение. Его уровень должен превышать определенный барьер — threshold voltage. Конструкция транзисторов СMOS-логики такова, что порог срабатывания, как правило, выше 1,5 вольта.
Примечание. Если быть предельно точным, то для надежной работы схемы переключения требуется, чтобы напряжение на затворе превышало коммутируемое напряжение. Именно поэтому в импульсных регуляторах, где ШИМ-контроллер питается от +12V и коммутируемое напряжение равно +12V применяется Boost-цепочка, формирующая напряжение в пределах 20…24V для питания затворов.
Урок 8.3 — Логические элементы
8.3. Логические элементы
Все, абсолютно все электронные компоненты, обрабатывающие цифровые сигналы, состоят из небольшого набора одинаковых «кирпичиков». В микросхемах малой степени интеграции могут быть единицы и десятки таких элементов, а в современных процессорах их может быть очень и очень много. Они называются логические элементы. Логическим элементом называется электрическая схема, предназначенная для выполнения какой-либо логической операции с входными данными. Логический элемент — элемент, осуществляющий определенные логические зависимость между входными и выходными сигналами. Входные данные представляются здесь в виде напряжений различных уровней, и результат логической операции на выходе — также получается в виде напряжения определенного уровня. Логические элементы обычно используются для построения логических схем вычислительных машин, дискретных схем автоматического контроля и управления.
Тем не менее, принцип работы цифровой логики остается неизменным – на входе логического элемента (входов может быть несколько) должен быть цифровой сигнал (сигналы, если входов несколько), который однозначно определяет сигнал на выходе логического элемента.
Конечно, логические элементы строятся, в свою очередь, из уже рассмотренных в предыдущих уроках резисторов, транзисторов и других электронных компонентов, но с точки зрения разработки цифровых схем именно логический элемент является их «элементарной» частицей.
При анализе работы логических элементов используется так называемая булева алгебра . Начала этого раздела математики было изложено в работах Джорджа Буля – английского математика и логика 19-го века, одного из основателей математической логики. Основами булевой алгебры являются высказывания, логические операции, а также функции и законы. Для понимания принципов работы логических элементов нет необходимости изучать все тонкости булевой алгебры, мы освоим ее основы в процессе обучения с помощью таблиц истинности.
Еще несколько замечаний. Логические элементы (как, впрочем, и другие элементы электронных схем) принято обозначать так, чтобы входы были слева, а выходы справа. Число входов может быть, вообще говоря, любым, отличным от нуля. Реальные цифровые микросхемы могут иметь до 8 входов, но мы ограничимся двумя – этого достаточно для понимания. Условные обозначения соответствуют отечественному ГОСТу, в других стандартах они могут быть иными.
Какие же бывают логические элементы?
Логические элементы имеют один или несколько входов и один или два (обычно инверсных друг другу) выхода. Значения «нулей» и «единиц» выходных сигналов логических элементов определяются логической функцией, которую выполняет элемент, и значениями «нулей» и «единиц» входных сигналов, играющих роль независимых переменных. Существуют элементарные логические функции, из которых можно составить любую сложную логическую функцию.
Элемент «И» (AND), он же конъюнктор, выполняет операцию логического умножения:
Условное обозначение — Таблица истинности
Здесь изображен логический элемент «2И» (цифра перед буквой «И» означает число входов). Знак & (амперсант) в левом верхнем углу прямоугольника указывает, что это логический элемент «И». Первые две буквы обозначения DD1.2 указывают на то, что это цифровая микросхема (Digital), цифра слева от точки указывает номер микросхемы на принципиальной схеме, а цифра справа от точки – номер логического элемента в составе данной микросхемы. Одна микросхема может содержать несколько логических элементов.
Состояние входов в таблице обозначаются «0» и «1» («ложь» и «истина»). Из таблицы видно, что выход «Y» будет иметь состояние «1» только в том случае, когда на обоих входах «Х1» и «Х2» будут «1». Это легко запомнить: умножение на «0» всегда дает «0».
Элемент «ИЛИ» (OR), он же дизъюнктор, выполняет операцию логического сложения:
Условное обозначение — Таблица истинности
Состояние «1» на выходе будет всегда, пока есть хотя бы одна «1» на входах.
Элемент «НЕ» (NOT), он же инвертор, выполняет операцию логического отрицания:
Условное обозначение — Таблица истинности
Состояние на входе обратно состоянию на входе.
Вот из этих трех элементов строятся все цифровые устройства!
Рассмотрим еще три логических элемента, которые можно получить, комбинируя уже рассмотренные. В силу исторически сложившихся схемотехнических решений эти скомбинированные схемы тоже считаются логическими элементами.
Элемент «И-НЕ» (NAND), конъюнктор с отрицанием:
Условное обозначение — Таблица истинности
Элемент И-НЕ работает точно так же как «И», только выходной сигнал противоположен. Там где у элемента «И» на выходе должен быть «0», у элемента «И-НЕ» будет единица. И наоборот.
Элемент «ИЛИ-НЕ» (NOR), дизъюнктор с отрицанием:
Условное обозначение — Таблица истинности
Элемент работает так же как и «ИЛИ», но с инверсией выхода.
Элемент «Исключающее ИЛИ» (XOR), сумматор по модулю 2:
Условное обозначение — Таблица истинности
В этом элемента «1» на выходе будет только тогда, когда на входах разные состояния.
На таких элементах строят сумматоры двоичных многоразрядных чисел. Для этого используется еще один дополнительный выход, на котором при появлении на входах двух «1» появляется сигнал переноса разряда.
Мы рассмотрели логические элементы, которые применяются в цифровой технике для построения логических схем любого уровня сложности, но рассмотренные нами элементы не могут делать одну крайне важную работу – они не умеют хранить информацию. Для хранения используется более сложный класс устройств, называемый элементами с памятью или конечными автоматами. В этот класс входят триггеры, регистры, счетчики, шифраторы (дешифраторы), мультиплексоры (демультиплексоры) и сумматоры. Некоторый из этих устройств мы рассмотрим в следующем уроке.
Логические элементы в дискретном исполнении
Базисные логические функции(логические элементы) могут быть представлены как в дискретном исполнении, так и методами интегральной технологии. Базисные логические функции(логические элементы) «И», «ИЛИ» и «НЕ» могут выполняться на диодах, резисторах, биполярных полевых транзисторах. В соответствии с конструкцией построения логических элементов различают резисторно-транзисторную логику(РТЛ), диодно-транзисторную(ДТЛ), транзисторно-транзисторную логику(ТТЛ), а также логику на полевых транзисторах(«р»-канальная-рМОП, «n»-nМОП), комплементарную (КМДП) и динамическую (МОП).
Логический элемент «НЕ» (логическое отрицание).
Логический элемент «НЕ» имеет один вход и один выход. Условно обозначается в схемах:
Таблица истинности операции «НЕ» имеет вид:
Логический элемент » НЕ» представляет собой усилительный каскад на транзисторе, включённом по схеме ОЭ и работает в ключевом режиме. На вход подаются положительные сигналы в положительной логике. Используется транзистор типа n-p-n (рис.14-12.).
Рис. 14-12. Электронная схема реализующая логический элемент «НЕ».
Допустим, что транзистор VTзакрыт отрицательным потенциалом на базе от -Еб. Если на «Вх» подать низкий потенциал, соответствующий «0» , то VT остаётся закрытым, а при этом Iк=0 и . Следовательно, на выходе будет высокое напряжение соответствующее «I».
Если на “Вх” подать высокий положительный потенциал соответствующий «I», то VTбудет в состоянии насыщения и .Такой логический элемент еще называют «инвертором».
Логический элемент «И» (логическое умножение).
Обозначается . Элемент имеет как минимум два входа и один выход. Условное обозначение элемента “И”:
Таблица истинности операции «И» имеет вид:
Схема двухходового элемента «И» на биполярных транзисторах показана на рис 14-13.
Рис 14-13. Электронная схема, реализующая логический элемент «И».
Из схемы (рис 14-13) видно, что транзисторы VT1 и VT2 соединены последовательно и электрический ток может протекать тогда, когда открыты оба транзистора. В том случае, когда один из транзисторов будет закрыт, то на входе напряжение будет равно «0», что соответствует таблице истинности. Этот логический элемент называется конъюктор.
Логический элемент «ИЛИ» (логическое сложение)
Обозначается .
Таблица истинности операции «или» имеет вид:
Схема двухходового логического элемента «ИЛИ» показаны на рис 14-14.
Рис 14-14. Электронная схема, реализующая логический элемент «ИЛИ».
Схема элемента «ИЛИ» выполнена на биполярных транзисторах (технология
транзисторно-транзисторной логики). Если на входы и не подается
напряжение, то TV1 и TV2 заперты и на (на выходе) нет напряжения, и это соответствует тому, что на выходе логический «0». Если на один вход или на оба входа подается положительное напряжение (логическая «1»), то один или оба транзистора открываются и на выходе появляется положительное напряжение, отображающее «1», что соответствует таблице истинности. Этот логический элемент еще называют дизъюнкцией.
Логический элемент «И-НЕ»(отрицание умножения, штрих Шеффера)
Условное обозначение в схемах.
Таблица истинности операции “И-НЕ” имеет вид:
Рассмотрим схему «И-НЕ» транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) (элемент Шеффера, рис 14-15)
Рис 14-15. Электронная схема, реализующая логический элемент «И-НЕ» (выполнена в ТТЛ).
Данная схема предназначен для работы от сигналов в виде напряжений, отрицательной полярности в отрицательной логике. (рис 14-15)
При отсутствии сигналов на входах схемы, и заперты положительным смещением , тока нет и на выходе (то есть «I»).Когда на входы одновременно будут поданы ( то есть «I») и , то V и V откроются и на выходе .Если на ВхI подать «0», а на Вх2 –«1», то будет заперт, а открыт, тока в цепи нет и (логическая «1»). Если на ВХ1 подать «1», а на ВХ2 – «0», то на выходе также (логическая «1»)
Логический элемент «ИЛИ-НЕ»(отрицание сложения элемент Пирса).
Условное обозначение в схемах (логического элемента «ИЛИ-НЕ»)
Таблица истинности логического элемента «ИЛИ-НЕ» :
Рассмотрим схему элемента «ИЛИ-НЕ» (рис 14-16) :
Рис 14-16. . Электронная схема, реализующая логический элемент «ИЛИ-НЕ».
Схема (рис 14-16) работает от сигналов в виде напряжений отрицательной полярности в отрицательной логике. Схема выполнена на транзисторе и работает как логический элемент «НЕ» с несколькими входами (не менее двух).
При отсутствии на входах сигналов транзистор заперт положительным смещением +Еб на базе, тогда Iк=0 и Uвых = -Ек (т.е. «I»). Когда на любой из входов поступит сигнал Ubx = Uo (т.е. «I»), то транзистор отпирается и Uвых 0 (т.е. «О») и т.д. Здесь чаще всего используют МОП-транзисторы, т.к. у них высокая степень интеграции и повышенная помехоустойчивость.
Основываясь на законах алгебры логики можно любой логический элемент заменить устройством, собранных только на двухходовых элементах И-НЕ.
1). Операция НЕ, ,
Таблица истинности операции «НЕ».
у | ||
2). Операция И,
Таблица истинности операции «И».
Х1 | Х2 | И1 | НЕ(у1) | И2 | НЕ (у) |
3). Операция «ИЛИ»,
Таблица истинности операции «ИЛИ».
Х1 | Х2 | И1 | И2 | И1 | И2 | И3 | У(или) |
4). Операция сложения по модулю два (исключающее ИЛИ),
Таблица истинности операции «исключающее ИЛИ».
Х1 | Х2 | И1 | И2 | И1 | И2 | И3 | И4 | И3 | И4 | И | НЕ(У) |
Учебное пособие по цифровому логическому вентилю
— Основные логические вентили
Цифровые логические вентили могут иметь более одного входа, например, входы A, B, C, D и т. Д., Но обычно имеют только один цифровой выход (Q). Отдельные логические вентили можно соединять или каскадировать вместе, чтобы сформировать функцию логического элемента с любым желаемым числом входов, или для формирования цепей комбинационного и последовательного типа, или для создания функций логического элемента, отличных от стандартных вентилей.
Стандартные коммерчески доступные цифровые логические вентили доступны в двух основных семействах или формах: TTL , обозначающее Transistor-Transistor Logic , такое как серия 7400, и CMOS , которое обозначает Complementary Metal-Oxide-Silicon , который обозначает . это 4000 серия микросхем.Это обозначение TTL или CMOS относится к логической технологии, используемой для изготовления интегральной схемы (IC) или «микросхемы», как ее чаще называют.
Цифровой логический вентиль
Вообще говоря, логические ИС TTL используют биполярные переходные транзисторы типа NPN и PNP, в то время как логические ИС CMOS используют дополнительные полевые транзисторы типа MOSFET или JFET как для входных, так и для выходных схем.
Наряду с технологиями TTL и CMOS, простые цифровые логические вентили также могут быть изготовлены путем соединения вместе диодов, транзисторов и резисторов для создания RTL, логических вентилей резистор-транзистор, DTL, логических вентилей диод-транзистор или ECL, логических вентилей с эмиттерной связью. но сейчас они менее распространены по сравнению с популярным семейством CMOS.
Интегральные схемы или ИС, как их чаще называют, можно сгруппировать в семейства в соответствии с количеством транзисторов или «затворов», которые они содержат. Например, простой логический элемент И может содержать только несколько отдельных транзисторов, тогда как более сложный микропроцессор может содержать многие тысячи отдельных транзисторных вентилей. Интегральные схемы подразделяются на категории в зависимости от количества логических вентилей или сложности схем в одном кристалле с общей классификацией количества отдельных вентилей:
Классификация интегральных схем
- Малая интеграция или (SSI) — Содержит до 10 транзисторов или несколько вентилей в одном корпусе, например вентили И, ИЛИ, НЕ.
- Medium Scale Integration или (MSI) — от 10 до 100 транзисторов или десятков вентилей в одном корпусе и выполнение цифровых операций, таких как сумматоры, декодеры, счетчики, триггеры и мультиплексоры.
- Large Scale Integration или (LSI) — от 100 до 1000 транзисторов или сотен вентилей и выполняет определенные цифровые операции, такие как микросхемы ввода / вывода, память, арифметические и логические блоки.
- Very-Large Scale Integration или (VLSI) — от 1000 до 10000 транзисторов или тысяч вентилей и выполняют вычислительные операции, такие как процессоры, большие массивы памяти и программируемые логические устройства.
- Super-Large Scale Integration или (SLSI) — от 10 000 до 100 000 транзисторов в одном корпусе и выполнение вычислительных операций, таких как микропроцессорные микросхемы, микроконтроллеры, базовые PIC и калькуляторы.
- Ultra-Large Scale Integration или (ULSI) — более 1 миллиона транзисторов — большие мальчики, которые используются в процессорах компьютеров, графических процессорах, видеопроцессорах, микроконтроллерах, FPGA и сложных PIC.
Хотя «сверхбольшая» классификация ULSI используется не так широко, другой уровень интеграции, который представляет сложность интегральной схемы, известен как система на кристалле или ( SOC ) для краткости.Здесь отдельные компоненты, такие как микропроцессор, память, периферийные устройства, логика ввода / вывода и т. Д., Все производятся на одном куске кремния и представляют собой целую электронную систему в одном единственном кристалле, буквально помещая слово «интегрированный» в интегральную схему. .
Эти полные интегрированные микросхемы, которые могут содержать до 100 миллионов отдельных затворов кремниевых КМОП-транзисторов в одном корпусе, обычно используются в мобильных телефонах, цифровых камерах, микроконтроллерах, PIC и приложениях роботизированного типа.
Закон Мура
В 1965 году соучредитель корпорации Intel Гордон Мур предсказал, что «количество транзисторов и резисторов на одном кристалле будет удваиваться каждые 18 месяцев» относительно развития технологии полупроводниковых затворов. Когда Гордон Мур сделал свой знаменитый комментарий еще в 1965 году, на одном кремниевом кристалле или кристалле было всего около 60 отдельных транзисторных вентилей.
Первым микропроцессором в мире в 1971 году был Intel 4004, который имел 4-битную шину данных и содержал около 2300 транзисторов на одном кристалле, работающем на частоте около 600 кГц.Сегодня корпорация Intel разместила ошеломляющие 1,2 миллиарда отдельных транзисторных вентилей на своем новом четырехъядерном 64-битном микропроцессоре i7-2700K Sandy Bridge, работающем с частотой почти 4 ГГц, и количество транзисторов на кристалле все еще растет, поскольку новые более быстрые микропроцессоры и микроконтроллеры разработаны.
Цифровые логические состояния
Цифровой логический вентиль является основным строительным блоком, из которого построены все цифровые электронные схемы и системы на основе микропроцессоров.Базовые цифровые логические элементы выполняют логические операции И, ИЛИ и НЕ над двоичными числами.
В схеме с цифровой логикой разрешены только два уровня или состояния напряжения, и эти состояния обычно обозначаются как логическая «1» и логический «0», или ВЫСОКИЙ и НИЗКИЙ, или ИСТИНА и ЛОЖЬ. Эти два состояния представлены в булевой алгебре и стандартной таблице истинности двоичными цифрами « 1 » и « 0 » соответственно.
Хорошим примером цифрового состояния является простой выключатель света.Переключатель может находиться в состоянии «ВКЛ» или «ВЫКЛ», в одном или другом состоянии, но не в обоих одновременно. Затем мы можем суммировать отношения между этими различными цифровыми состояниями как:
Логическая алгебра | Логическая логика | Состояние напряжения |
Логическая «1» | ИСТИНА (Т) | ВЫСОКИЙ (В) |
Логический «0» | ЛОЖЬ (F) | НИЗКИЙ (л) |
Большинство цифровых логических вентилей и цифровых логических систем используют «положительную логику», в которой логический уровень «0» или «НИЗКИЙ» представлен нулевым напряжением, 0 В или землей и логическим уровнем «1» или «ВЫСОКИЙ» представлен более высоким напряжением, например +5 вольт, с переключением с одного уровня напряжения на другой, либо с логического уровня «0» на «1», либо с «1» на «0». сделано как можно быстрее, чтобы предотвратить любую неправильную работу логической схемы.
Существует также дополнительная система «отрицательной логики», в которой значения и правила логического «0» и логической «1» меняются местами, но в этом разделе руководства о цифровых логических вентилях мы будем ссылаться только на соглашение о положительной логике. как наиболее часто используемый.
В стандартных ИС TTL (транзисторно-транзисторная логика) есть предопределенный диапазон напряжения для уровней входного и выходного напряжения, которые точно определяют, что такое уровень логической «1» и что такое уровень логического «0», и они показаны ниже.
Уровни входного и выходного напряжения TTL
Существует большое разнообразие типов логических вентилей как в семействах биполярных 7400, так и в семействе цифровых логических вентилей CMOS 4000, таких как 74Lxx, 74LSxx, 74ALSxx, 74HCxx, 74HCTxx, 74ACTxx и т. Д., Причем каждый из них имеет свои преимущества и недостатки по сравнению к другому. Точное напряжение переключения, необходимое для создания логического «0» или логической «1», зависит от конкретной логической группы или семейства.
Однако при использовании стандартного источника питания +5 В любой вход напряжения TTL между 2,0 В и 5 В считается логической «1» или «ВЫСОКИЙ», в то время как любой вход напряжения ниже 0,8 В распознается как логический «0» или « НИЗКИЙ». Область напряжения между этими двумя уровнями напряжения либо в качестве входа, либо в качестве выхода называется неопределенной областью , и работа в этой области может привести к тому, что логический вентиль выдаст ложный выход.
В семействе логики CMOS 4000 используются разные уровни напряжения по сравнению с типами TTL, поскольку они разработаны с использованием полевых транзисторов или полевых транзисторов.В технологии CMOS уровень логической «1» работает в диапазоне от 3,0 до 18 вольт, а уровень логического «0» — ниже 1,5 вольт. Затем в следующей таблице показана разница между логическими уровнями традиционных логических вентилей TTL и CMOS.
Уровни логики TTL и CMOS
Тип устройства | Логика 0 | Логика 1 |
TTL | от 0 до 0,8 В | от 2,0 до 5 В (V CC ) |
КМОП | от 0 до 1.5v | от 3,0 до 18 В (V DD ) |
Затем, исходя из вышеприведенных наблюдений, мы можем определить идеальный цифровой логический вентиль TTL как тот, который имеет логический «0» уровня «НИЗКИЙ», равный 0 вольт (земля), и логическую «1» уровня «ВЫСОКИЙ», равный +5 вольт, и это можно продемонстрировать как:
Идеальные уровни напряжения цифрового логического затвора TTL
Когда размыкание или замыкание переключателя создает либо логический уровень «1», либо логический уровень «0» с резистором R, известным как «подтягивающий» резистор.
Цифровой логический шум
Однако между этими определенными значениями HIGH и LOW лежит то, что обычно называют «ничейной землей» (синяя область выше), и если мы подадим напряжение сигнала на значение в пределах этой нейтральной зоны, мы не знаем логический вентиль ответит на него как уровень «0» или как уровень «1», и выход станет непредсказуемым.
Шум — это название случайного и нежелательного напряжения, которое индуцируется в электронных схемах из-за внешних помех, например, от близлежащих переключателей, колебаний источника питания или от проводов и других проводников, которые улавливают паразитное электромагнитное излучение.Затем, чтобы логический вентиль не подвергался влиянию шума, он должен иметь определенный запас шума или помехозащищенность.
Помехоустойчивость цифрового логического затвора
В приведенном выше примере шумовой сигнал накладывается на напряжение питания Vcc, и пока он остается выше минимального уровня (V ON (min) ), вход и соответствующий выход логического элемента остаются неизменными. Но когда уровень шума становится достаточно большим и всплеск шума приводит к падению ВЫСОКОГО уровня напряжения ниже этого минимального уровня, логический вентиль может интерпретировать этот всплеск как вход НИЗКОГО уровня и соответственно переключать выход, создавая ложное переключение выхода.Затем, чтобы логический вентиль не подвергался воздействию шума, он должен выдерживать определенное количество нежелательного шума на своем входе без изменения состояния своего выхода.
Простые базовые цифровые логические вентили
Простые цифровые логические вентили могут быть созданы путем объединения транзисторов, диодов и резисторов с простым примером логического логического элемента диод-резистор (DRL) и логического элемента диод-транзистор (DTL) NAND, приведенного ниже.
Схема диод-резистор | Диодно-транзисторная схема |
2 входа И ворота | 2 входа NAND Gate |
Простой двухвходовой диодно-резисторный логический элемент И может быть преобразован в логический элемент И-НЕ путем добавления одного транзисторного инвертирующего каскада (НЕ).Использование дискретных компонентов, таких как диоды, резисторы и транзисторы, для создания схем цифровых логических затворов не используется в практических коммерчески доступных логических ИС, поскольку эти схемы страдают от задержки распространения или задержки затвора, а также потери мощности из-за подтягивающих резисторов.
Еще один недостаток диодно-резисторной логики состоит в том, что отсутствует функция «разветвления», которая представляет собой способность одного выхода управлять множеством входов следующих каскадов. Также этот тип конструкции не полностью выключается, поскольку логический «0» дает выходное напряжение 0.6 В (падение напряжения на диоде), поэтому вместо них используются следующие схемы TTL и CMOS.
Основные логические элементы TTL
Простой диод-резистор И вентиль, описанный выше, использует отдельные диоды для своих входов, по одному на каждый вход. Поскольку биполярный транзистор фактически представляет собой два диодных перехода, соединенных вместе, представляющих либо устройство NPN (отрицательно-положительно-отрицательное), либо устройство PNP (положительно-отрицательно-положительное), входные диоды схемы диодно-транзисторной логики (DTL) могут быть заменен одним одиночным транзистором NPN с несколькими входами эмиттера, чтобы сформировать другой тип логической схемы, называемой транзисторно-транзисторной логикой или TTL, как показано.
2 входа NAND Gate
Эта упрощенная схема затвора И-НЕ состоит из входного транзистора TR 1 , который имеет два (или более) эмиттерных вывода и одноступенчатую схему инвертирующего переключающего транзистора NPN TR 2 .
Когда один или оба эмиттера TR 1 , представляющие входы «A» и «B», подключены к логическому уровню «0» (LOW), базовый ток TR 1 проходит через его переход база / эмиттер к земля (0 В), TR 1 насыщается, и за ним следует вывод коллектора.Это действие приводит к тому, что база TR 2 подключается к земле (0 В), следовательно, TR 2 находится в состоянии «ВЫКЛ», а выход на Q имеет высокий уровень.
Когда оба входа «A» и «B» ВЫСОКИЙ на логическом уровне «1», входной транзистор TR 1 переключается в положение «ВЫКЛ», база переключающего транзистора TR 2 становится ВЫСОКИМ и включает его, так что выход при Q — НИЗКИЙ из-за переключающего действия транзистора. Несколько эмиттеров TR 1 подключены как входы, таким образом создавая функцию логического элемента И-НЕ.
Цифровой логический вентиль с эмиттерной связью
Emitter Coupled Logic или просто ECL — это еще один тип цифрового логического элемента, который использует логику биполярного транзистора, где транзисторы не работают в области насыщения, как это происходит со стандартным цифровым логическим элементом TTL. Вместо этого входная и выходная цепи представляют собой двухтактные транзисторы с отрицательным питающим напряжением относительно земли.
Это увеличивает скорость работы логических вентилей с эмиттерной связью до гигагерцового диапазона по сравнению со стандартными типами TTL, но шум имеет большее влияние на логику ECL, потому что ненасыщенные транзисторы работают в своей активной области и усиливают а также переключать сигналы.
Подсемейства интегральных схем «74»
Благодаря усовершенствованиям в схемотехнике, учитывающим задержки распространения, потребление тока, требования к разветвлению и разветвлению и т. Д., Этот тип технологии биполярных транзисторов TTL формирует основу семейства цифровых логических ИС с префиксом «74», таких как как «7400» Quad 2-входной логический элемент И-НЕ, или «7402» Quad 2-входной логический элемент ИЛИ-НЕ и т. д.
Имеются подсемействамикросхем серии 74xxx, относящиеся к различным технологиям, используемым для изготовления затворов, и они обозначаются буквами между обозначением 74 и номером устройства.Существует ряд доступных подсемейств TTL, которые обеспечивают широкий диапазон скоростей переключения и энергопотребления, например, вентиль NAND 74 L 00 или 74 ALS 00, где «L» означает «TTL с низким энергопотреблением. », А« ALS »означает« Advanced Low-Power Schottky TTL », и они перечислены ниже.
- • 74xx или 74Nxx: Стандартный TTL — эти устройства представляют собой исходное семейство логических вентилей TTL, представленных в начале 70-х годов. Они имеют задержку распространения около 10 нс и потребляемую мощность около 10 мВт.Диапазон напряжения питания: от 4,75 до 5,25 вольт
- • 74Lxx: TTL с низким энергопотреблением — энергопотребление было улучшено по сравнению со стандартными типами за счет увеличения количества внутренних сопротивлений, но за счет снижения скорости переключения. Диапазон напряжения питания: от 4,75 до 5,25 вольт
- • 74Hxx: High Speed TTL — скорость переключения была улучшена за счет уменьшения количества внутренних сопротивлений. Это также увеличило энергопотребление. Диапазон напряжения питания: от 4,75 до 5,25 вольт
- • 74Sxx: TTL Шоттки — технология Шоттки используется для улучшения входного импеданса, скорости переключения и потребляемой мощности (2 мВт) по сравнению с типами 74Lxx и 74Hxx.Диапазон напряжения питания: от 4,75 до 5,25 вольт
- • 74LSxx: Low Power Schottky TTL — То же, что и типы 74Sxx, но с повышенным внутренним сопротивлением для улучшения энергопотребления. Диапазон напряжения питания: от 4,75 до 5,25 вольт
- • 74ASxx: Advanced Schottky TTL — улучшенная конструкция по сравнению с типами 74Sxx Schottky, оптимизированная для увеличения скорости переключения за счет энергопотребления около 22 мВт. Диапазон напряжения питания: от 4,5 до 5,5 вольт
- • 74ALSxx: Advanced Low Power Schottky TTL — более низкое энергопотребление около 1 мВт и более высокая скорость переключения 4 нс по сравнению с типами 74LSxx.Диапазон напряжения питания: от 4,5 до 5,5 вольт
- • 74HCxx: High Speed CMOS — технология CMOS и транзисторы для снижения энергопотребления до менее 1 мкА с входами, совместимыми с CMOS. Диапазон напряжения питания: от 4,5 до 5,5 вольт
- • 74HCTxx: High Speed CMOS — технология CMOS и транзисторы для снижения энергопотребления до менее 1 мкА, но имеет увеличенную задержку распространения примерно на 16 нс из-за TTL-совместимых входов. Диапазон напряжения питания: от 4,5 до 5,5 вольт
Базовый цифровой логический вентиль CMOS
Одним из основных недостатков серии цифровых логических вентилей TTL является то, что логические вентили основаны на логической технологии биполярных транзисторов и, поскольку транзисторы являются устройствами, работающими от тока, они потребляют большое количество энергии от постоянного источника питания +5 В.
Кроме того, затворы биполярных транзисторов TTL имеют ограниченную рабочую скорость при переключении из состояния «ВЫКЛ» в состояние «ВКЛ» и наоборот, называемое «затвором» или «задержкой распространения». Чтобы преодолеть эти ограничения, были разработаны дополнительные МОП, называемые «КМОП» ( C , дополнительный M и др. O xide S emiconductor) логические вентили, в которых используются «полевые транзисторы» или полевые транзисторы.
Поскольку эти вентили используют как P-канальные, так и N-канальные MOSFET в качестве входных устройств, в условиях покоя без переключения энергопотребление CMOS-вентилей почти равно нулю (от 1 до 2 мкА), что делает их идеальными для использования в маломощных схемы батарей и со скоростью переключения выше 100 МГц для использования в высокочастотных схемах синхронизации и компьютерных схемах.
2 входа NAND Gate
Этот базовый пример затвора КМОП содержит три N-канальных полевых МОП-транзистора с нормально выключенным расширением, по одному на каждый вход, состоящий из полевого транзистора 1 и полевого транзистора 2 , и дополнительный переключающий полевой МОП-транзистор, полевой транзистор 3 , который постоянно смещен в положение «ВКЛ». через его ворота.
Когда один или оба входа «А» и «В» заземлены на логический уровень «0», соответствующий входной полевой МОП-транзистор, полевой транзистор 1 или полевой транзистор 2 переключаются на «ВЫКЛ», создавая логическую «1» (ВЫСОКИЙ). состояние выхода с клеммы истока полевого транзистора 3 .
Только когда оба входа «A» и «B» удерживаются ВЫСОКИМ на логическом уровне «1», ток протекает через соответствующий полевой МОП-транзистор, переключая его в положение «ВКЛ», создавая выходное состояние на Q, эквивалентное логическому уровню «0», поскольку оба МОП-транзисторы, полевые транзисторы 1 и полевые транзисторы 2 являются проводящими. Таким образом создается действие переключения, представляющее функцию логического элемента И-НЕ.
Усовершенствования в схемотехнике, касающиеся скорости переключения, низкого энергопотребления и улучшенных задержек распространения, привели к разработке стандартного семейства логических ИС CMOS 4000 «CD», дополняющих диапазон TTL.
Как и в случае стандартных цифровых логических вентилей TTL, все основные цифровые логические вентили и устройства доступны в пакете CMOS, например, CD4011, четырехвходовой вентиль NAND с 2 входами, или CD4001, вентиль NOR с четырьмя входами с 2 входами вместе с все их подсемейства.
Как и логика TTL, дополнительные схемы MOS (CMOS) используют тот факт, что как N-канальные, так и P-канальные устройства могут быть изготовлены вместе на одном материале подложки для выполнения различных логических функций.
Одним из основных недостатков диапазона КМОП ИС по сравнению с их эквивалентными типами TTL является то, что они легко повреждаются статическим электричеством.Кроме того, в отличие от логических вентилей TTL, которые работают с одним напряжением +5 В для своих входных и выходных уровней, цифровые логические элементы CMOS работают с одним напряжением питания от +3 до +18 вольт.
Общие подсемейства CMOS включают:
- • Серия 4000B: Стандартная КМОП — эти устройства представляют собой исходное семейство логических вентилей КМОП с буферизацией, представленных в начале 70-х годов, и работают от напряжения питания от 3,0 до 18 В постоянного тока. Серия
- • 74C: 5v CMOS — Эти устройства совместимы по выводам со стандартными 5v TTL устройствами, поскольку их логическое переключение реализовано в CMOS, но с TTL-совместимыми входами.Они работают от напряжения питания от 3,0 до 18 В постоянного тока.
Обратите внимание, что логические элементы и устройства CMOS чувствительны к статическому электричеству, поэтому всегда принимайте соответствующие меры предосторожности, работая на антистатических матах или заземленных рабочих столах, надев антистатический браслет и не вынимая детали из антистатической упаковки до тех пор, пока это не потребуется.
В следующем уроке о Digital Logic Gates мы рассмотрим функцию цифрового логического логического элемента И, используемую в логических схемах TTL и CMOS, а также ее определение логической алгебры и таблицы истинности.
(PDF) Модель моностабильно-бистабильного переходного логического элемента (MOBILE) для одноэлектронных транзисторов
Модель моностабильно-бистабильного переходного логического элемента (MOBILE) для
Одноэлектронные транзисторыYing Wang1, Weihua Han1 *, Xiang Ying Jianjun Chen 1, Fuhua Yang1, 2
1 Исследовательский центр полупроводниковых интегрированных технологий, Институт полупроводников Китайской академии наук,
P.O. Box 912, Beijing 100083, China
2 Государственная ключевая лаборатория сверхрешеток и микроструктур, Институт полупроводников Китайской академии
наук, P.O. Box 912, Beijing 100083, China
* Электронная почта: [email protected]
Abstract
Традиционная логика моностабильно-бистабильного перехода
Элементная структура(MOBILE) обычно состоит из
резонансных туннельных диодов (RTD) . В этом письме описывается МОБИЛЬНАЯ структура нового типа
, состоящая из одиночных электронных транзисторов
(т.е.е. КОМПЛЕКТ-МОБИЛЬНЫЙ). Аналитическая модель одноэлектронных транзисторов
(SET) представляет собой
, учитывающую три состояния (включая возбужденное состояние) дискретных квантовых уровней энергии
. Результаты моделирования
показывают характеристики отрицательной дифференциальной проводимости (NDC)
на кривой IDS-VDS. SET-MOBILE
, использующий характеристики NDC, может успешно реализовать базовые логические функции
как RTD-MOBILE.
1.Введение
Новые усовершенствованные устройства с квантовыми эффектами
обладают потенциалом преодолеть ограничения традиционных транзисторов
[1] и в будущем обеспечат сверхмалое энергопотребление и
схем сверхвысокой плотности. Одно из наиболее интересных приложений этих устройств
— искусственные нейронные сети [2]. Эти новые устройства
имеют относительно простые функции, но могут выполнять
сложных задач с высокой степенью параллельности, как это делают нейроны или
клеток.Например, MOBILE — одна из них [3].
большое количество блоков этих устройств может быть интегрировано
с большей плотностью по сравнению с обычными транзисторами
.
Резонансные туннельные диоды (RTD) [4]
интенсивно изучаются и применяются. Устройства SET-MOBILE
имеют несколько преимуществ по сравнению с устройствами RTD-MOBILE
. Во-первых, SET-MOBILE может состоять из
материалов на основе Si, в то время как RTD-MOBILE состоит из
материалов III-V в целом.SET-MOBILE работает лучше
, потому что он совместим с промышленными интегральными схемами
CMOS. Во-вторых, RTD-MOBILE представляет собой многослойную структуру
, и качество устройств
RTD-MOBILE в значительной степени зависит от роста материала
. SET-MOBILE может изготавливать
непосредственно на кремнии на изоляторе (КНИ). Следовательно, изготовление SET-MOBILE
в некотором роде проще.
В-третьих, поскольку масштаб устройства SET-MOBILE на
намного меньше, может быть достигнута интеграция с более высокой плотностью.
В-четвертых, RTD — это двухконтактное устройство. Требуется
другое устройство, такое как транзистор с высокой подвижностью электронов
(HEMT), чтобы объединить вместе, чтобы сформировать трехконтактное устройство
[5]. При этом условии увеличивается сложность изготовления
. SET-MOBILE — трехточечное устройство
. SET-MOBILE может выполнять те же функции
, что и RTD-MOBILE из-за отрицательной дифференциальной характеристики
проводимости (NDC), появившейся на кривой
IDS-VDS SET [6,7].
В этой статье мы предлагаем аналитическую модель
SET и моделируем функцию SET-MOBILE.
2. Одноэлектронный транзистор модели
Принципиальная схема набора представлена на рис.1.
Мы предположили, что туннелирование переходов истока и стока
RS и RD больше, чем квантовое сопротивление
h / e2 ~ 25,8 кОм для подавления туннелирования, вызванного
квантовыми флуктуациями. Мы также предположили, что n электрон
в точке в начале и два состояния электрона n
,и n + 1 рассматриваются при условии предоставления
напряжения смещения.
Рис.1. Принципиальная схема НАБОР.
Аналитическая модель кремниевых одноэлектронных транзисторов
рассмотрела три состояния (включая возбужденное состояние
) на дискретных квантовых уровнях энергии. Выражения
были получены на основе основных уравнений устойчивого состояния
. Ток стока IDS описывается как
следующих уравнений [8]:
)) () ((
)) () ((
), 1 (, 1,) 1, (,,
), 1 (, 1,) 1, (,,
EPEPe
EPEPeI
S
nnEnE
S
nnEnG
S
nnGnG
S
−ΔΓ =
+++
+++ (1)
Выход
978-1-4244-2186-2 / 08/25 долларов США.00 © 2008 IEEE
(PDF) Пороговая логическая операция взвешенной суммы MOBILE (логический элемент моностабильного-бистабильного перехода) с использованием резонансно-туннельных транзисторов
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL.
14,
НЕТ.
10,
ОКТЯБРЬ
1993
475
Пороговая логическая операция с взвешенной суммой
из
МОБИЛЬНЫЙ (моностабильный-бистабильный
Transition Logic Elementawa), использующий
hi транзисторов Maobillo-транзисторов Koomozuki ,Member,
IEEE, и Такаши Мизутани,
Member,
IEEE
Abstruct-
Функциональная работа MOBILE
(логический элемент моностабильного-бистабильного перехода) была изучена с использованием нескольких входов
—. логические ворота.
MOBILE
использует два резонансных туннельных транзистора
,
(R’IT’s),
, соединенных последовательно и управляемых осциллирующим напряжением смещения
для создания перехода от моно-бистабильности
цепи.
A
изготовленный МОБИЛ с тремя входами
с соотношением ширины
1: 2: 4
может различать все
8
(Z3)
шаблоны ввода
, соответствующие
—
—
каждая взвешенная сумма, в зависимости от старого значения порога, выбранного управляющим вентилем.Результаты означают реализацию
логической операции взвешенной суммы пороговых значений
входных сигналов.
N
В последние годы наблюдается интерес к резонансным туннельным устройствам
I
[11- [7]). Эти устройства имеют преимущества
,
отрицательного дифференциального сопротивления (NDR)
,
, а также чрезвычайно высокую скорость работы, и они
могут иметь высокий потенциал в качестве функциональных устройств благодаря
уникальные
IV
характеристики.Эти новые устройства также могут преодолеть ограничения, накладываемые сложностью
обычных
транзисторов. Недавно мы предложили логический элемент с таблично-бистабильным переходом monos-
(MOBILE) [8] в качестве нового функционального устройства
. Существенными преимуществами MO-
BILE’S являются высокая скорость работы, большое количество доступных разветвлений
без ущерба для скорости работы, несколько входов
и операция взвешенной суммы.В этом письме мы
описываем экспериментальные результаты порога взвешенной суммы
логическая операция
из
МОБИЛЬНЫХ устройств с несколькими входами —
сигналов.
MOBILE использует два резонансно-туннельных транзистора
(RTT),
, соединенных последовательно и управляемых переключающим напряжением смещения
(Vhias).
Подробное объяснение принципа работы
дано в
[8].
Ключевым принципом работы является
«моностабильный-бистабильный переход». Когда
Vhias
превышает
удвоенное пиковое напряжение
из
NDR, происходит
моно-бистабильный переход
. Любая из двух стабильных точек выбирается
чрезвычайно малой разницей пиковых токов
из
двумя
Rn
как раз на переходе. Эти две рабочие точки
соответствуют
ONE
и
ZERO
в случае
из
логического элемента.
Рукопись получена
26 мая 1993 г .;
исправлено
июля
12,
1993.
Авторы работают в NTT LSI Laboratories,
3-1
Morinosato,
Wakamiya, Atsugi
243-01,
Япония.IEEE
Номер журнала
9212268.
Этот режим работы имеет несколько преимуществ, таких как небольшая входная емкость
и доступность
из
множества разветвлений.
Рис.
1
показывает схематический вид в разрезе
RlT
, имеющего затворы p ’/ n-перехода. Напряжение затвора изменяет ширину обедненного слоя
и изменяет сечение туннельного тока резонатора
. Таким образом, количество входных клемм
может быть увеличено путем разделения электродов затвора.
Ожидается, что эффективность модуляции пикового тока будет
пропорционально ширине каждого затвора.Эпитаксиальная структура
была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии и состоит из
из
n + -In ,, Ga ,, As / n + -In.Ga, -, As / n + -GaAs
эмиттерных контактов
тактовых слоев
(30/50/20
нм), эмиттерный слой n — GaAs (100
нм), разделительный слой i-GaAs (1,5 нм), i-AlAs / i-
In ,, ,, Ga ,,,, As / i-AIAs резонансно-туннельная структура
(2/5/2 нм), разделительный слой i-GaAs (5 нм), коллекторный слой n — GaAs
(450 нм ), и тактовый слой n + -GaAs-коллектора
(200
нм).В этом исследовании для уменьшения пикового напряжения
использовалась нелегированная квантовая яма
In ,,,, Ga ,,, As толщиной 5 нм. Ni / Zn / Au / Ti / Au наносили на электроды затвора
и спекали с образованием областей p + отдельно
под каждым затвором.
Изготовленный MOBILE имеет три входа ворот с соотношением ширины ворот
1: 2: 4
(3,
6,
12 часов вечера), как показано на рис. 2.
Ворота одинаковой ширины электроды электрически соединены.
Шлюзы с 1,
2,
и 4 отношениями ширины ворот называются воротами
1, воротами
2,
и
3,
соответственно.
Все измерения
были выполнены при комнатной температуре. Рис.
3
показывает резонансную модуляцию тока
, когда напряжения затвора
(VG>
были поданы на
каждого затвора относительно заземленного эмиттера, где затворы
без входного напряжения были заземлены.Когда мы составляем логическую схему
, используя МОБИЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ, входы, которые
являются выходами МОБИЛЬНЫХ устройств предыдущего каскада, являются положительными с
относительно земли. По этой причине мы используем положительное напряжение затвора
. Характеристика модуляции составляет
на основе смещенного в прямом направлении p ’/ n перехода, однако
каждый ток утечки затвора меньше 50
пА
при
В,
=
1.0
В.
Эффектом этого тока утечки можно пренебречь как
по сравнению с эффектом
модуляции обедненного слоя
.
Пиковая плотность тока составляла приблизительно
1
X
lo4
А / см2, а отношение пика к минимуму было около 1,6 при
VG
=
0
V.
g,
при пиковом напряжении были около
0.25, 0,45 и
0,80
мс для ворот
1,
ворот 2 и
3,
0741-3106 / 93 $ 03,00
0
1993
IEEE
~~
Возможно ли создание из транзисторов модульных логических вентилей для учебных целей?
Если все, что у вас есть, это NPN и резисторы, вы захотите использовать какую-либо форму RTL. Здесь основным логическим элементом является вентиль ИЛИ-НЕ. Однотранзисторный затвор использует меньше транзисторов (очевидно), но многотранзисторный затвор более надежен по нескольким причинам.
И здесь есть возможность обучения, чтобы показать, как вентиль ИЛИ-НЕ является «универсальным» логическим элементом — все другие функции могут быть созданы комбинациями вентилей ИЛИ-НЕ (включая вырожденный вентиль ИЛИ-НЕ с одним входом или инвертор).
Так были построены даже большие системы. Исходная логика Cray-1 была полностью реализована с использованием вентилей ECL NOR с 4 и 5 входами!
Одной из стратегий реализации было бы создание отдельных вентилей с 3, 4 или 5 входами на однорядных модулях, таких как эти:
(источник)
Их легко подключить к розетке на макетной плате, что позволяет учащимся сосредоточиться на логике, которую они строят.Если вам нужно их большое количество, сделайте заказную печатную плату.
И если вы действительно амбициозны, вы можете подключить их к универсальной карте для переноса проводов для более крупных проектов и более постоянной реализации.
Построение дискретной логики на полевых МОП-транзисторах намного проще, чем на биполярных транзисторах, потому что высокий импеданс затвора предотвращает проблему, которую вы описываете. Схемы NMOS проще, чем CMOS (которая используется чаще, потому что она имеет меньшую мощность).
Я думаю, вы хотите следовать логике TTL.Я сам этого не делал, но проблема с этой простой разводкой транзисторов, которую вы показываете, может выйти из строя, когда вы соберете их вместе.
Итак, вот способ работы с TTL. Это шлюз NAND
здесь я нахожу хорошую инструкцию — и вы, возможно, захотите добавить более небольшую логику диод-резистор — это то, что вы вводите эмиттеры. Это позволяет учащимся понять разницу между тем, как «текут» логические биты, и как текут токи, понимаете, понимая тот факт, что состояние логического 0 означает, что выходной элемент должен потреблять ток (это тот же урок с диодом И ворота).
И вам не нужны транзисторы с двумя эмиттерами, я читал, что вы можете просто соединить два транзистора параллельно, базу и коллектор вместе и отдельные эмиттеры.
PS: если вы воспользуетесь моим подходом (сообщите об этом) и обнаружите, что теперь вам нужно больше транзисторов, я пожертвую еще 200 на ваш проект.
Будет интересно поэкспериментировать и с выходным каскадом на тотемном полюсе. Целых девять ярдов: открытый коллектор, нормальный всегда включен и три состояния. Классный проект.
Как работают транзисторы? — Объясни, что это за штука
Криса Вудфорда. Последнее изменение: 21 сентября 2020 г.
Ваш мозг содержит около 100 миллиардов клеток, называемых нейронами, — крошечных переключателей, которые позволяют вам думать и запоминать вещи. Компьютеры содержат миллиарды миниатюрных «клеток мозга». Их называют транзисторами и они сделаны из кремния, химического элемента, обычно встречающегося в песке. Транзисторы произвели революцию в электронике с момента их появления изобретен более полувека назад Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильям Шокли.Но что это такое и как они работают?
Фото: Насекомое с тремя ногами? Нет, типичный транзистор на электронной плате. Хотя простые схемы содержат отдельные транзисторы, подобные этому, сложные схемы внутри компьютеров также содержат микрочипы, каждый из которых может иметь тысячи, миллионы или сотни миллионов транзисторов, упакованных внутри. (Технически, если вас интересуют более интересные вещи, это кремниевый транзистор усилителя PNP 5401B. Я объясню, что все это означает сейчас.)
Что на самом деле делает транзистор?
Фото: Компактные слуховые аппараты были одними из первых применений транзисторов, а этот датируется концом 1950-х или 1960-х годов. Он был размером с колоду игральных карт, поэтому его можно было носить в кармане пиджака или на нем. С другой стороны корпуса есть микрофон, который улавливает окружающие звуки. Вы можете ясно видеть четыре маленьких черных транзистора внутри, усиливающих эти звуки, а затем выстреливающих их в маленький динамик, который находится у вас в ухе.
Транзистор действительно прост — и действительно сложен. Давайте начнем с простая часть. Транзистор — это миниатюрный электронный компонент, который может выполнять две разные работы. Может работать как усилитель или как переключатель:
- Когда работает как усилитель, нужно в крошечном электрическом токе на одном конце ( входной ток) и производит гораздо больший электрический ток (выходной ток) на другой. Другими словами, это своего рода усилитель тока. Это входит действительно полезно в таких вещах, как слуховые аппараты, одна из первых вещей люди использовали транзисторы для.В слуховом аппарате есть крошечный микрофон. который улавливает звуки из окружающего вас мира и превращает их в колеблющиеся электрические токи. Они подаются на транзистор, который усиливает их и приводит в действие крошечный громкоговоритель, так что вы слышите гораздо более громкую версию окружающих вас звуков. Уильям Шокли, один из изобретателей транзистора, однажды объяснил студенту транзисторные усилители в более подробном виде. юмористический способ: «Если взять тюк сена и привязать его к хвост мула, а затем чиркнуть спичкой и поджечь тюк сена, и если вы затем сравните энергию, израсходованную вскоре после этого, мул с энергией, затраченной вами на зажигание спички, вы поймете концепцию усиления.« Транзисторы
- также могут работать как переключатели. А крошечный электрический ток, протекающий через одну часть транзистора, может значительно увеличить ток течет через другую его часть. Другими словами, маленький ток переключается на больший. По сути, так работают все компьютерные микросхемы. Для например, микросхема памяти содержит сотни миллионов или даже миллиарды транзисторов, каждый из которых можно включать или выключать индивидуально. Поскольку каждый транзистор может находиться в двух различных состояниях, он может хранить два разных числа, ноль и единицу.С миллиардами транзисторов микросхема может хранить миллиарды нулей и единиц, и почти столько же обычных цифр и букв (или символов, как мы их называем). Подробнее об этом чуть позже.
Самое замечательное в машинах старого образца было то, что вы могли их отдельно, чтобы понять, как они работают. Это никогда не было слишком сложно, с немного толкать и тыкать, чтобы узнать, какой бит сделал что и как один вещь привела к другому. Но электроника совсем другая. Это все об использовании электронов для управления электричеством.Электрон — это минута частица внутри атома. Он такой маленький, весит чуть меньше 0.000000000000000000000000000001 кг! Самые современные транзисторы работают контролируя движения отдельных электронов, чтобы вы могли представьте, насколько они маленькие. В современном компьютерном чипе размер ноготь, вы, вероятно, найдете от 500 миллионов и два миллиарда отдельных транзисторов. Нет шанса разобрать транзистор, чтобы узнать, как он работает, поэтому мы должны понять это с помощью теории и воображения.Во-первых, это помогает, если мы знаем, из чего сделан транзистор.
Как делается транзистор?
Фото: Кремниевая пластина. Фото любезно предоставлено Исследовательским центром Гленна НАСА (NASA-GRC).
Транзисторы изготовлены из кремния, химического элемента, содержащегося в песке, который обычно не проводит электричество (оно не позволяет электронам легко проходить через него). Кремний — полупроводник, а это значит, что он ни на самом деле проводник (что-то вроде металла, пропускающий электричество), ни изолятор (что-то вроде пластика, не пропускающего электричество).Если мы обрабатываем кремний примесями (процесс, известный как легирование), мы можем заставить его вести себя по-другому способ. Если мы добавим в кремний химические элементы мышьяк, фосфор, или сурьма, кремний получает дополнительные «свободные» электроны — те, которые может проводить электрический ток, поэтому электроны будут вытекать об этом более естественно. Поскольку электроны имеют отрицательный заряд, кремний обработанный таким образом, называется n-типом (отрицательный тип). Мы также можем легировать кремний другими примесями, такими как бор, галлий и алюминий.Кремний, обработанный таким образом, имеет меньше «свободные» электроны, поэтому электроны в соседних материалах будут стремиться втекать в него. Мы называем этот кремний p-типом (положительным типом).
Вкратце, мимоходом, важно отметить, что ни кремний n-типа, ни p-типа на самом деле не имеет заряда сам по себе : оба электрически нейтральны. Это правда, что кремний n-типа имеет дополнительные «свободные» электроны, которые увеличивают его проводимость, в то время как кремний p-типа имеет меньше этих свободных электронов, что помогает увеличить его проводимость противоположным образом.В каждом случае дополнительная проводимость возникает из-за добавления нейтральных (незаряженных) атомов примесей к кремнию, что изначально было нейтральных — и мы не можем создавать электрические заряды из воздуха! Для более подробного объяснения мне потребуется представить идею под названием ленточная теория, что немного выходит за рамки данной статьи. Все, что нам нужно помнить, это то, что «лишние электроны» означают лишние свободных электронов — те, которые могут свободно перемещаться и помогать переносить электрический ток.
Кремниевые бутерброды
Теперь у нас есть два разных типа кремния. Если мы сложим их вместе слоями, делая бутерброды из материала p-типа и n-типа, мы можем сделать различные виды электронных компонентов, которые работают во всех видах способами.
Предположим, мы присоединяем кусок кремния n-типа к куску p-типа. кремний и поместите электрические контакты с обеих сторон. Увлекательно и полезно вещи начинают происходить на стыке двух материалы. Если мы обратимся от тока, мы можем заставить электроны течь через переход от сторона n-типа к стороне p-типа и наружу через цепь.Этот происходит из-за отсутствия электронов на стороне p-типа переход притягивает электроны со стороны n-типа и наоборот. Но если мы меняем направление тока, электроны вообще не текут. Что мы сделанный здесь называется диодом (или выпрямителем). Это электронный компонент, который позволяет току течь через него только в одном направлении. Это полезно, если вы хотите превратить переменный (двусторонний) электрический ток в постоянный (односторонний) ток. Диоды тоже можно сделать так, чтобы они испускали светится, когда через них проходит электричество.Вы могли видеть эти светодиоды на карманных калькуляторах и электронных дисплеи на стереооборудовании Hi-Fi.
Как работает переходной транзистор
Фотография: Типичный кремниевый PNP-транзистор (A1048, разработанный как усилитель звуковой частоты).
Теперь предположим, что вместо этого мы используем три слоя кремния в нашем сэндвиче. из двух. Мы можем сделать бутерброд p-n-p (с ломтиком n-типа кремний в качестве заполнения между двумя пластинами p-типа) или n-p-n сэндвич (с p-типом между двумя плитами n-типа).Если мы присоединить электрические контакты ко всем трем слоям сэндвича, мы можем сделать компонент, который будет либо усиливать ток, либо включать его, либо выключен — другими словами, транзистор. Посмотрим, как это работает в случае n-p-n транзистор.
Итак, мы знаем, о чем говорим, давайте дадим имена трем электрические контакты. Мы назовем два контакта, соединенных с двумя кусочки кремния n-типа эмиттер и коллектор, и контакт соединенный с кремнием p-типа, который мы назовем базой.Когда нет ток протекает в транзисторе, мы знаем, что кремний p-типа не хватает электроны (показаны здесь маленькими знаками плюс, обозначающими положительные зарядов) и два куска кремния n-типа имеют лишние электроны (показаны маленькими знаками минус, обозначающими отрицательные заряды).
Другой способ взглянуть на это — сказать, что в то время как n-тип имеет избыток электронов, p-тип имеет дырки, где электроны должно быть. Обычно отверстия в основании действуют как барьер, предотвращающий любые значительный ток от эмиттера к коллектору при транзистор находится в выключенном состоянии.
Транзистор работает, когда электроны и дырки начинают двигаться
через два перехода между кремнием n-типа и p-типа.
Давай подключить транзистор к некоторой мощности. Допустим, мы прикрепляем небольшой положительное напряжение на базу, сделать эмиттер отрицательно заряженным и сделать коллектор положительно заряженным. Электроны вытягиваются из эмиттер в базу, а затем из базы в коллектор. А также транзистор переходит в состояние «включено»:
Малый ток, который мы включаем на базе, создает большой ток. поток между эмиттером и коллектором.Повернув небольшой вход ток в большой выходной ток, транзистор действует как усилитель. Но в то же время он действует как переключатель. Когда нет тока база, между коллектором и эмиттер. Включите базовый ток, и течет большой ток. Итак, база ток включает и выключает весь транзистор. Технически это тип транзистора называется биполярным, потому что два разных вида (или «полярностей») электрического заряда (отрицательные электроны и положительные отверстия) участвуют в протекании тока.
Мы также можем понять транзистор, представив его как пару диодов. С база положительная, а эмиттер отрицательная, переход база-эмиттер похож на прямое смещение диод, с электронами, движущимися в одном направлении через переход (слева направо в диаграмму) и отверстия, идущие в противоположную сторону (справа налево). База-коллектор переход похож на диод с обратным смещением. Положительное напряжение коллектора тянет большая часть электронов проходит через внешнюю цепь (хотя некоторые электроны рекомбинируют с дырками в основании).
Как работает полевой транзистор (FET)
Все транзисторы работают, управляя движением электронов, но не все из них делают это одинаково. Подобно переходному транзистору, полевой транзистор (полевой транзистор) имеет три разных контакта, но они иметь названия источник (аналог эмиттера), сток (аналогично коллектор), и затвор (аналог цоколя). В полевом транзисторе слои Кремний n-типа и p-типа устроен несколько иначе и покрытый слоями металла и оксида.Это дает нам устройство под названием MOSFET (Металлооксидное полупроводниковое поле) Эффектный транзистор).
Хотя в истоке и стоке n-типа есть лишние электроны, они не могут перетекать от одного к другому из-за дыр в ворота p-типа между ними. Однако если приложить положительный напряжение на затвор, там создается электрическое поле, позволяющее электроны перетекают по тонкому каналу от истока к стоку. Этот «полевой эффект» позволяет току течь и включает транзистор:
Для полноты картины отметим, что полевой МОП-транзистор является однополярным. транзистор потому что только один («полярность») электрического заряда участвует в его работе.
Как работают транзисторы в калькуляторах и компьютерах?
На практике вам не нужно ничего знать об этом электроны и дыры, если вы не собираетесь разрабатывать компьютерные чипы для заработка! Все, что вам нужно знать, это то, что транзистор работает как усилитель или переключатель, используя небольшой ток включить более крупный. Но есть еще одна вещь, которую стоит знать: как все это помогает компьютерам хранить информацию и принимать решения?
Мы можем соединить несколько транзисторных ключей, чтобы что-то сделать. называется логическим вентилем, который сравнивает несколько входные токи и в результате дает другой выход.Логические ворота позволяют компьютерам создавать очень простые решения с использованием математической техники, называемой булевой алгеброй. Точно так же и ваш мозг принимает решения. Например, используя «входные данные» (то, что вы знаете) о погоде и о том, что у вас есть в коридоре, вы можете принять такое решение: «Если идет дождь И я есть зонтик, я пойду в магазины «. Это пример булевой алгебры, в которой используется так называемое И «оператор» (слово «оператор» — это просто математический жаргон, заставляют вещи казаться более сложными, чем они есть на самом деле).Ты можешь сделать аналогичные решения с другими операторами. «Если ветрено ИЛИ идет снег, тогда я надену пальто «- это пример использования оператора ИЛИ. Или как насчет «Если идет дождь, И я есть зонтик ИЛИ у меня есть пальто, тогда можно выйти на улицу «. Используя AND, ИЛИ и другие операторы, вызываемые Компьютеры NOR, XOR, NOT и NAND могут складывать или сравнивать двоичные числа. Эта идея является краеугольным камнем компьютерных программ: логическая серия инструкций, которые заставляют компьютеры действовать.
Обычно переходной транзистор выключен, когда нет базы. ток и переключается в положение «включено», когда течет базовый ток.Это значит требует электрического тока для включения или выключения транзистора. Но такие транзисторы могут быть подключены к логическим элементам, чтобы их выход соединения возвращаются на свои входы. Транзистор затем остается включенным, даже если базовый ток отключен. Каждый раз новый база ток течет, транзистор «переключается» или выключается. Остается в одном из эти стабильные состояния (включены или выключены) до тех пор, пока не появится другой ток приходит и переворачивает его в другую сторону. Такая аранжировка известен как триггер, и это превращает транзистор в простой запоминающее устройство, в котором хранится ноль (когда он выключен) или один (когда он на).Шлепанцы — это основная технология, лежащая в основе компьютерных микросхем памяти.
Кто изобрел транзистор?
Изображение: Оригинальный дизайн точечного транзистора, как изложено в Патент Джона Бардина и Уолтера Браттейна в США (2 524 035), поданный в июне 1948 г. (примерно через шесть месяцев после оригинальное открытие) и награжден 3 октября 1950 года. Это простой PN-транзистор с тонкий верхний слой германия P-типа (желтый) на нижнем слое германия N-типа (оранжевый).Три контакта: эмиттер (E, красный), коллектор (C, синий) и база (G, зеленый). Вы можете прочитать больше в оригинальном патентном документе, который указан в ссылках ниже. Изображение любезно предоставлено Управлением по патентам и товарным знакам США.
транзисторов были изобретены в Bell Laboratories в Нью-Джерси в 1947 году. трех блестящих физиков США: Джона Бардина (1908–1991), Уолтера Браттейн (1902–1987) и Уильям Шокли (1910–1989).
Команда, возглавляемая Шокли, пыталась разработать новый тип усилителя для телефонной системы США — но что собственно изобретенные они оказались гораздо более распространенными Приложения.Бардин и Браттейн создали первый практический транзистор (известный как точечный транзистор) во вторник, 16 декабря 1947 года. Хотя Шокли сыграл большую роль в этом проекте, он был разъяренный и взволнованный из-за того, что его оставили в стороне. Вскоре после этого во время остановиться в отеле на конференции по физике, единолично выяснил он теория переходного транзистора — устройство гораздо лучше, чем точечный транзистор.
В то время как Бардин ушел из Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил пользуются еще большим успехом при изучении сверхпроводников в Университете Иллинойса), Браттейн остался на некоторое время, прежде чем уйти на пенсию, чтобы стать учителем.Шокли основал собственную компанию по производству транзисторов и помог вдохновить современный феномен «Силиконовая долина» (процветающий район вокруг Пало-Альто, Калифорния, где корпорации электроники собраны). Двое его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, ушли чтобы основать Intel, крупнейшего в мире производителя микрочипов.
Бардин, Браттейн и Шокли ненадолго воссоединились несколько лет спустя, когда они поделились лучшими науками награда, Нобелевская премия по физике 1956 г., за их открытие.Их история захватывающий рассказ о интеллектуальный талант борется с мелкой ревностью, и это хорошо стоит прочтения больше о. Вы можете найти отличные отчеты об этом среди книг и веб-сайты, перечисленные ниже.
Intel представляет крупнейшую в мире ПЛИС с 43,3 миллиардами транзисторов
Сегодня Intel представила FPGA с самой высокой в мире емкостью, большой корпус чиплета с 43,3 миллиардами транзисторов. Stratix 10 GX 10M имеет 10,2 миллиона логических элементов и использует EMIB для сшивания двух матриц FPGA вместе с четырьмя чиплетами приемопередатчика.
(Изображение предоставлено Intel)В августе Xilinx попала в заголовки газет в отрасли FPGA, представив 16-нм Virtex UltraScale + VU19P как FPGA с самой высокой емкостью в мире. Это была его третья ПЛИС, в которой для подключения четырех кристаллов использовался переходник. VU19P имел 9 миллионов логических элементов и 35 миллиардов транзисторов. Другие характеристики включали полосу пропускания трансивера 4,5 Тбит / с и 2072 пользовательских контакта ввода-вывода.
Корпорация Intel опередила Xilinx, анонсировав удачно названный Stratix 10 GX 10M.10M состоит из двух больших матриц ПЛИС и четырех блоков приемопередатчика. Он имеет в общей сложности 10,2 миллиона логических элементов и 2304 пользовательских контакта ввода / вывода. Для сравнения, Stratix 10 GX 2800, предыдущая самая большая FPGA Intel, имеет 2,75 миллиона логических элементов и 1160 подключений ввода-вывода. Это означает, что она имеет почти в четыре раза больше логических элементов и вдвое больше операций ввода-вывода для повышения гибкости.
Кроме того, Intel утверждает, что 10M обеспечивает снижение энергопотребления на 40% при эквивалентной мощности. Intel измерила это, используя четыре Stratix 10 2800 с той же емкостью и частотой, что и 10M.
Intel использует несколько иной подход, чем Xilinx, для подключения матриц. Вместо промежуточного устройства Intel продолжает использовать свою технологию упаковки EMIB 2.5D, которая обеспечивает мост с высокой пропускной способностью между двумя соседними кристаллами через относительно небольшой кусок кремния. Шина интерфейса данных EMIB имеет 25 920 соединений. Поскольку каждое соединение имеет пропускную способность 2 Гбит / с, это обеспечивает пропускную способность между кристаллами 6,5 ТБ / с.
Изображение 1 из 4 (Изображение предоставлено Intel) Изображение 2 из 4 (Изображение предоставлено Intel) Изображение 3 из 4 (Изображение предоставлено Intel) Изображение 4 из 4 (Изображение предоставлено Intel)Фактически, это первый раз, когда Intel использует EMIB для соединения двух больших логических кристаллов.До сих пор Intel ограничивала EMIB для подключения HBM к графическому процессору Vega в Kaby Lake-G и для подключения различных чиплетов HBM и приемопередатчиков к базовой Stratix 10 FPGA.
Как часть серии Stratix 10, новая ПЛИС построена по 14-нм техпроцессу Intel. Intel заявила, что 10M содержит 43,3 миллиарда транзисторов. Приблизительная оценка, основанная на предоставленном размере упаковки, дает общий размер двух больших матриц ~ 1400 мм2 и плотность ~ 31MTr / мм2. Это делает его самым большим пакетом кремниевой логики, о котором мы знаем.7-нанометровая серия Versal от Xilinx в настоящее время насчитывает 37 миллиардов транзисторов. Размер сетки Nvidia, близкий к сетке (предел размера кристалла для монолитных кристаллов), V100 имеет 21,2 миллиарда транзисторов на площади 815 мм2.
Другие характеристики оказались менее важными, поскольку его множители DSP 7k 18×19 и 308 МБ памяти соответствуют другим FPGA Stratix 10 GX. Он также имеет четыре чиплета приемопередатчика, обеспечивающих пропускную способность 0,84 Тбит / с.
Основным целевым приложением высокопроизводительной FPGA является разработка ASIC.Intel заявляет, что уже поставляет производственные микросхемы клиентам, имея в виду быстрое время вывода на рынок, которого она может достичь, используя технологию чиплетов. Но маловероятно, что Stratix 10 GX 10M — это реакция в последнюю минуту на объявление Xilinx, поскольку у Intel еще не было 14-нм кристалла FPGA с 5,1 миллионами логических элементов.
Intel начала массовые поставки Stratix 10 в 2017 году, но 10M — вторая новая FPGA Intel всего за несколько месяцев. В сентябре Intel представила серию Stratix 10 DX, в которой использовалась согласованная UPI-связь Intel с кеш-памятью, PCIe 4.0 и постоянную память Optane в серию через новую плитку чиплета.
Новый транзистор сочетает в себе функции логики и памяти, значительно снижает энергопотребление
Принципы работы логического элемента и элемента памяти. (а) Когда на электрод затвора подается положительное напряжение, атомы металла попадают в изолятор от электрода затвора. (b) Когда концентрация атомов металла вблизи электродов истока / стока превышает критическое значение, изолятор переходит в проводящее состояние.(c) При приложении еще более высокого напряжения атомы металла образуют кластер. (d) Для растворения кластера необходимо приложить отрицательное напряжение.Группе, возглавляемой доктором Цуёси Хасегава, главным исследователем Международного центра наноархитектоники материалов (MANA; Япония), удалось разработать новый транзистор, «атомный транзистор», который выполняет как логические функции, так и функции памяти, уменьшая при этом потребляемая мощность до 1 x 10 -6 , что у обычных устройств.Логические элементы, которые способны сохранять свое состояние (например, память), будут незаменимы при разработке персональных компьютеров (ПК) с мгновенным включением и другого электронного оборудования. Ожидается, что развитие этой работы ускорит реализацию этих устройств.
В отличие от обычных транзисторов, которые управляют движением электронов в полупроводнике, недавно разработанный «атомный транзистор» работает путем переноса очень небольшого количества атомов металла в изолятор.Используя изолятор, который имеет более высокое сопротивление, чем полупроводник, в качестве основного материала и реализуя состояния включения / выключения путем переноса небольшого количества атомов металла в этот материал, новое устройство достигает высокого отношения включения / выключения на том же уровне. как обычные полупроводниковые транзисторы с чрезвычайно низким энергопотреблением.
Кроме того, было обнаружено, что «атомный транзистор» также работает как элемент памяти, который сохраняет состояния путем управления диапазоном рабочего напряжения.
Поскольку энергонезависимые логические схемы, которые реконфигурируют схемы в соответствии с результатами вычислений, способны сохранять свое состояние даже при отключении питания, на разработанное устройство возлагаются большие надежды как на новый тип компьютерной схемы для реализации ПК с нулевое время запуска.Обычно один «логический элемент с памятью» формировался путем объединения логического элемента (транзистора) и элемента памяти (памяти).
Однако в обычных устройствах потребляемая мощность для памяти чрезвычайно высока, а низкое энергопотребление, при котором требования к мощности памяти значительно снижаются, считалось необходимым для практического применения. «Атомный транзистор», разработанный в этом исследовании, снижает энергопотребление, необходимое для памяти, до 1/1 000 000 по сравнению с традиционной технологией.Кроме того, поскольку он обладает как логическими функциями, так и функциями памяти, ожидается, что он внесет свой вклад в реализацию нейронных вычислительных систем.
Революционная технология сверхвысокой скорости памяти, решающая ограничение по скорости масштабирования при разработке встроенных модулей памяти
Дополнительная информация: Эти результаты были опубликованы онлайн в научном журнале «Applied Physics Express (APEX)» 24 декабря 2010 года.Название статьи: Энергозависимый / энергонезависимый атомный транзистор с двойным функционалом. Авторы: Цуёси Хасегава и др.
Предоставлено Национальный институт материаловедения
Ссылка : Новый транзистор сочетает в себе функции логики и памяти, резко снижает энергопотребление (2011, 1 февраля) получено 20 июля 2021 г. с https: // физ.org / news / 2011-02-транзистор-комбинирует-логику-память-functions.html
Этот документ защищен авторским правом.