Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

 

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

 

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
		КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
		КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
		КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
		КТ829Б	—	60*
		КТ829В	—	60*
		КТ829Г	—	60*
		КТ829АТ	—	50
		КТ829АП	—	50
		КТ829АМ	—	60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ829А	—	≥4	МГц
		КТ829Б	—	≥4
		КТ829В	—	≥4
		КТ829Г	—	≥4
		КТ829АТ	—	≥4
		КТ829АП	—	≥4
		КТ829АМ	—	≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ829А	1к	100*	В
		КТ829Б	1к	80*
		КТ829В	1к	60*
		КТ829Г	1к	45*
		КТ829АТ	—	100
		КТ829АП	—	160
		КТ829АМ	—	240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ829А	—	5	В
		КТ829Б	—	5
		КТ829В	—	5
		КТ829Г	—	5
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ829А	—	8(12*)	А
		КТ829Б	—	8(12*)
		КТ829В	—	8(12*)
		КТ829Г	—	8(12*)
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ829А	100 В	≤1.5*	мА
		КТ829Б	80 В	≤1.5*
		КТ829В	60 В	≤1.5*
		КТ829Г	60 В	≤1.5*
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ829А	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Б	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829В	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Г	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829АТ	—	≥1000
		КТ829АП	—	≥700
		КТ829АМ	—	400…3000
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ829А	—	≤120	пФ
		КТ829Б	—	≤120
		КТ829В	—	≤120
		КТ829Г	—	≤120
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ829А	—	≤0.57	Ом, дБ
		КТ829Б	—	≤0.57
		КТ829В	—	≤0.57
		КТ829Г	—	≤0.57
		КТ829АТ	—	≤0.3
		КТ829АП	—	≤0.25
		КТ829АМ	—	≤0.66
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ829А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ829А	—	—	пс
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Характеристики транзисторов кт829, схема, аналоги, цоколевка

КТ829 – кремниевые мезапланарные составные усилительные n-p-n транзисторы большой мощности средней частоты. Применяются в переключающих устройствах, усилителях низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ829

• Во многих случаях можно заменить на 2SD691, BD335, BD263A, BDX53C

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

• Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара KT853

Корпусное исполнение и цоколевка КТ829

Схема КТ829

Характеристики транзистора КТ829

Предельные параметры КТ829

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т = 25° C:

• КТ829Г — 45 В
• КТ829В — 60 В
• КТ829Б — 80 В
• КТ829А — 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т = 25° C:

• КТ829Г — 45 В
• КТ829В — 60 В
• КТ829Б — 80 В
• КТ829А — 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т = 25° C:

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (P_{К, max}) при Т_к = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

Электрические характеристики транзисторов КТ829 при Т_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 3 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (I_КЭR)

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

• КТ829А-Г — 2,08 ° C/Вт

Опубликовано 12.02.2020

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 — маркировка и цоколевка.

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу

Параметры транзистора КТ829. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ829. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

КТ829 — кремниевый биполярный низкочастотный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-220

Назначение: КТ829 предназначен для применения усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Аналог КТ829: по параметрам близки TIP120, TIP121, TIP122

Комплементарная пара: по параметрам близок составной pnp транзистор КТ853

Цоколевка КТ829: Б-К-Э,см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ829: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ829:
Параметр	Режим измерения	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ829	Uкэ=3B, Iк=3A	750	20000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ829	Iк=3.5А, Iб=14мA		2.0В
Напряжение насыщения база-эмиттер КТ829	Iк=3.5A, Iб=14мA		2.5В
Предельные параметры транзисторов КТ829:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г	Rэб≤ 1кОм		100В 80В 60В 45В
Напряжение эмиттер-база (обратное)			5В
Постоянный ток коллектора КТ829			8А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 500 мкс, Т/tи≥10		12А
Постоянный ток базы			0.2А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 25 °С		60Вт

Подробные характеристики КТ829 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.

Чертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Электрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Граничное напряжение при IК=100 мА, не менее
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
КТ827В, 2Т827В	60-80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более	2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более	2,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=3 А, не менее
при ТК=24,85°С и ТК=84,85°С	750
при ТК=-40,15°С	100
при Т=ТК макс, не менее	750
при Т=-60,15°С, не менее	100
Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=3 В, IК=3 А, ƒ=10 МГц, не менее	0,4
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более
при Т=24,85°С и Т=-40,15°С	1,5 мА
при ТК=84,85°С	3 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более	2 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора	8 А
Постоянный ток базы	0,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤500 мкс, Q≥10	12 А
Постоянный ток базы	0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк≤24,85°С	60 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	2,08 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -40,15 до Тк=84,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Т_к>298÷358 К рассчитывается по формуле:

Р_{К макс}=(423-Т_к)/2,08.

2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.

Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от I_К/I_Б. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

КТ829 — биполярный кремниевый NPN транзистор — схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ829 — биполярный кремниевый NPN транзистор — схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

Основные технические параметры кремниевого NPN транзистора КТ829. Транз истор IК, макс А UКЭ макс В UКБ макс В UЭБ макс В PК макс  Вт h21Э UКЭ нас В IКБ0 мА fгр МГц КТ829А 8 (12) 100 100 5 60 750 2 — 4 КТ829Б 8 (12) 80 80 5 60 750 2 — 4 КТ829В 8 (12) 60 80 5 60 750 2 — 4 КТ829Г 8 (12) 45 80 5 60 750 2 — 4 Обозначение на схеме кремниевого NPN транзистора КТ829 Цоколёвка и размеры NPN транзистора КТ829 Внешний вид NPN транзистора КТ829

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу