Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°. Π˜Π·ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзисторных схСм.- Elektrolife

Из Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром слСдуСт: Π°) Ссли сигнал (напряТСниС) Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ измСняСтся Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…, напряТСниС Π½Π° эмиттСрС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ…; Π±) коэффициСнт усилСния Π΅ΡΡ‚ΡŒ просто ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ) ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ (Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ).
Рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ усилитСля этого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния. ΠœΡ‹ΡΠ»Π΅Π½Π½ΠΎ расчлСним схСму, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π² качСствС каскада с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ (рСзистивной)

Одна Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ прСдставляСт собой управляСмый напряТСниСм источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ покоя Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1,0 мА, Π° коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ составляСт – 1 мА/Π’. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ прСдставляСт собой ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ; Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС ΠΎΠ½ измСряСтся Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°Ρ… [Ρ‚ΠΎΠΊ/напряТСниС] ΠΈΠ»ΠΈ [1/сопротивлСниС]. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, обратная ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, называСтся
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽΒ  (Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, обратная Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, называСтся Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ; Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, обратная импСдансу ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ, называСтся ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ), ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ Π΅Π΅ измСрСния слуТит симСнс, Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ эту Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ измСрСния Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈ ΠΌΠΎΒ  (ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠΌ). Если коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ измСряСтся Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°Ρ… проводимости, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ называСтся усилитСлСм с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ; ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ IΠ²Ρ‹Ρ… /U Π²Ρ… называСтся ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ ΠΈ обозначаСтся gm.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΎΠ΄Π½Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ схСмы прСдставляСт собой ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ (ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°) составляСт 1 мА/Π’ (1000 ΠΌΠΊΠ‘ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ 1Β ΠΌΠ‘ΠΌ, Π° это Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ 1/
RΠ­). Другая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ схСмы прСдставляСт собой Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор (Β«ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΒ»), ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² напряТСниС. РСзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ усилитСлСм с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт усилСния измСряСтся Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°Ρ… [напряТСниС/Ρ‚ΠΎΠΊ], Ρ‚.Β Π΅. Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°Ρ… сопротивлСния. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС напряТСниС покоя (Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС) – это UKK, Π° коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС) Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 10 ΠΊΠ’/А (10 кОм), Π° это Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ RΠΊ.

Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΠ² эти Π΄Π²Π΅ части ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ коэффициСнтов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ составных частСй. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС:
Β 
К = gmRΠΊ =Β RΠΊ /RΠ­ = –10 – бСзразмСрная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, равная ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ [(Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС)/(Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС)].

ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ для Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° усилитСлСй, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ позволяСт Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ составныС части схСмы нСзависимо Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. НапримСр, для усилитСля с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ
gmΒ  для схСм Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ для ΠΈΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ (ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ схСмы с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм) ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ связан коэффициСнт усилСния с Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ измСнСния напряТСния. Если вас интСрСсуСт ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:Β 
КU = gmrm, Π³Π΄Π΅ r m ‑ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Β 
Π’ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ счСтС, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° простой Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ схСмой с высоким ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ для ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада усилитСля Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ коэффициСнта усилСния, Ρ€Π°Π²Π½ΡƒΡŽ 10000 ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния: Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ примСнимости ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора.Β  Π’ соотвСтствии с нашСй модСлью коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Ρ€Π°Π²Π΅Π½ – RK /RΠ­. Π§Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚, Ссли сопротивлСниС RΠ­ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΡΡΡŒ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ? Богласно ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ, коэффициСнт усилСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ этом Π±Π΅ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. Однако измСрСния, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² рассмотрСнной Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ схСмС, ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΡƒΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, хотя ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ покоя, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ 1 мА, коэффициСнт усилСния ΠΈ растСт, ΠΏΡ€ΠΈΒ RΠ­ = 0 (эмиттСр Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½) ΠΎΠ½ становится Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ всСго 400.

ΠžΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ элСмСнт (Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π΅ воспроизводит ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Π² точности Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ), Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС становится нСбольшим ΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ, Π° смСщСниС Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ модСль транзистора: ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ)

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΏΡ€Π°Π²ΠΊΡƒ слСдуСт внСсти Π²
ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ4 ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ опрСдСляСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ik = h21Π­IΠ‘. ΠœΡ‹ рассматривали транзистор ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ являСтся Π³Ρ€ΡƒΠ±Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ для Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… практичСских случаСв большСй точности ΠΈ Π½Π΅ трСбуСтся. Однако для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ усилитСли, логарифмичСскиС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, схСмы Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсации ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ практичСски ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ схСмы, слСдуСт Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор ΠΊΠ°ΠΊ элСмСнт с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ‑ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π½Π΅ΠΌ опрСдСляСтся напряТСниСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ,
ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ4 Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅:
Если
ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° 1–3 ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π΅Π½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ IК связан с напряТСниСм UΠ‘Π­ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ:
IК = Iнас [exp(UΠ‘Π­ /UT ) – 1]
Π³Π΄Π΅Β 
UTΒ  = kT /qΒ  = 25,3Β ΠΌΠ’ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ (20Β Β°C), qΒ  – заряд элСктрона (1,60Β·10‑19 Кл),Β kΒ  – постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π° (1,38Β·10‑23 Π”ΠΆ/К), Π’Β  – Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π² ΠšΠ΅Π»ΡŒΠ²ΠΈΠ½Π°Ρ… (К  = Β°Π‘ + 273,16), Iнас ‑ Ρ‚ΠΎΠΊ насыщСния транзистора (зависит ΠΎΡ‚ T ). Β 
Β«ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Π°ΡΒ»Β 
h21Π­ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ значСния ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 1000 ΠΈ зависит ΠΎΡ‚ транзистора, IК , UKΠ­ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π’ΠΎΠΊ Iнас прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области IК>> Iнас ΠΈ Ρ‡Π»Π΅Π½ΠΎΠΌ – 1 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ.

Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ для 
IК извСстно ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Β«ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π­Π±Π΅Ρ€ΡΠ°β€‘ΠœΠΎΠ»Π»Π°Β». Оно ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ описываСт Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ напряТСния для Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Ссли UTΒ  умноТаСтся Π½Π° ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт mΒ  со Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ 1 ΠΈ 2.
Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² транзисторС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, Π° Π½Π΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ (Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Π³Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ опрСдСляСтся коэффициСнтом
h21Π­). Π­ΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌΒ IК ΠΈ напряТСниСм UΠ‘Π­ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² большом Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ Π½Π°Π½ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ Π΄ΠΎ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. На рисункС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ этой зависимости.

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² транзистора ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром

Если ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… значСниях ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости
h21Π­ ΠΎΡ‚Β IК

Випичная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ для транзистора (h31Π­) ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Богласно ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Π­Π±Π΅Ρ€ΡΠ°β€‘ΠœΠΎΠ»Π»Π°, напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром «управляСт» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ это свойство нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСпосрСдствСнно Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ (ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ смСщСниС Π² транзисторС с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ транзисторных схСм:

  1. БтупСнчатая характСристика Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. На сколько Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС UΠ‘Π­, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΒ IК увСличился Π² 10 Ρ€Π°Π·? Из уравнСния Π­Π±Π΅Ρ€ΡΠ°β€‘ΠœΠΎΠ»Π»Π° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎΒ UΠ‘Π­ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° UT loge 10, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° 60Β ΠΌΠ’ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ увСличиваСтся Π½Π° 60Β ΠΌΠ’ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² 10 Ρ€Π°Π·. Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ являСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ IК = IK0eΞ”U/25, Π³Π΄Π΅ Ξ”U измСряСтся Π² ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ….
  1. ИмпСданс для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала со стороны эмиттСра ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном напряТСнии Π½Π° Π±Π°Π·Π΅. Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΎΡ‚Β UΠ‘Π­ ΠΏΠΎ IК: rΠ­ UT /IK = 25/IK Ом, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΒ IK измСряСтся Π² ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ…. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° 25/IK Ом соотвСтствуСт ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ собствСнноС сопротивлСниС эмиттСра rΠ­ выступаСт Π² качСствС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ для эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²ΠΎ всСх транзисторных схСмах. Оно ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ усилСниС усилитСля с Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ эмиттСром, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния эмиттСрного повторитСля ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΈ Π½Π΅ позволяСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ эмиттСрного повторитСля ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ.
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ относится ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° для усилитСля с Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ эмиттСром опрСдСляСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:
gm = 1/rΠ­.
  1. ВСмпСратурная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. Глядя Π½Π° ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π­Π±Π΅Ρ€ΡΠ°β€‘ΠœΠΎΠ»Π»Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΒ UΠ‘Π­ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт, Π½ΠΎ это Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ. Π’ связи с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Iнас зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ напряТСниС насыщСния UΠ‘Π­ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 2,2 ΠΌΠ’/Β°Π‘. Π’ Π³Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ 1/Вабс, Π³Π΄Π΅ Вабс ‑ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°. (Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ всё большСС число элСктронов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π·ΠΎΠ½Ρƒ проводимости, соотвСтствСнно увСличиваСтся ΠΈ концСнтрация Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ).
  1. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ Π­Ρ€Π»ΠΈ.Β UΠ‘Π­ Ρ…ΠΎΡ‚ΡŒ ΠΈ Π² слабой ΠΌΠ΅Ρ€Π΅, Π½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ UKΠ­ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ IК. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ эффСкт обусловлСн ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ эффСктивной ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ описываСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ: Ξ”UΠ‘Π­ = –αUКЭ, Π³Π΄Π΅Β Ξ±Β ~= 0,0001.

Π­Ρ‚ΠΎ основныС ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅. Π­Ρ‚ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Π° Π½Π΅ сами уравнСния Π­Π±Π΅Ρ€ΡΠ°β€‘ΠœΠΎΠ»Π»Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ транзисторных схСм.

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° — транзистор — Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ЭнциклопСдия НСфти ΠΈ Π“Π°Π·Π°, ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, страница 3

CΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 3

Π’ умноТитСлях Π½Π° основС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ транзистора ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ коэффициСнтом усилСния — ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ транзистора — ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.  [31]

Благодаря Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π½Π΅ соприкасаСтся с ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, сниТаСтся ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ², увСличиваСтся ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Π°Ρ Π³Π° — ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ коллСкторная контактная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ биполярного транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для создания омичСского ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоко-ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ слою Π³Π°-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π‘ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ слой Π³Π° — Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² структурС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ сопротивлСния области Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π΅Π³ΠΎ частотных характСристик.  [32]

Π’ составном транзисторС рис. 2.19 Π° автоматичСски устанавливаСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора Π’ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора 7Y ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ эмиттСра

ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° Si транзистора 7 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ нСдопустимо ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒΡΡ. ИзмСняя Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ любой Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π’, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ для получСния Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹. НиТнСС сопротивлСниС рСзистора R ограничиваСтся допустимым влияниСм Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы.  [33]

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ достоинством Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ способа симмСтрирования являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов происходит Π±Π΅Π· Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΏΠ΄ ΠΈ усилСния каскада ΠΏΠΎ мощности, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ балансировка Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² происходит ΠΏΠΎ срСднСму Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ транзисторов. Π’ усилитСлС рис. 5.7, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ схСмы рис.

5.6, Π½Π΅ тСряСтся напряТСниС ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π½Π° ΡΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ΅. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ рис. 5.7 характСризуСтся высокой ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊ измСнСнию Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ внСшнСй срСды.  [34]

Из этого ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, обусловлСнная омичСским сопротивлСниСм элСктролитичСского кондСнсатора Π² эмиттСрной Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Sr. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора Π² Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ сотни ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ Π½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ сопротивлСниС Π³ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π² нСсколько ΠΎΠΌ создаСт Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь.  [35]

Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π² качСствС ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π²Π΅Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ высокоомным источником сигнала ΠΈ Π½ΠΈΠ·-ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ частоты ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию коэффициСнта усилСния ΠΈΠ·-Π·Π° частотных искаТСний, опрСдСляСмых ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами транзистора.  [36]

Благодаря падСнию напряТСния ΠΈΠ° рСзисторС R Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ становится ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока. ΠŸΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ рСзистору Rc Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ с ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Cj Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ каскад.| Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° транзисторного ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°, состоящая ΠΈΠ· каскада Π£Π’Π§ ΠΈΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада УНЧ.  [37]

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этой ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ составляСт прямолинСйный участок. ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ позволяСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ транзистора.  [38]

ПослСднСС Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ опрСдСляСт условия, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… коэффициСнт Ρƒ ь лСния Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Из этого условия слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ зависимости

ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ транзисторов Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π½Π°ΠΊ. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов с ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ коэффициСнтами являСтся Π² настоящСС врСмя ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ слоТной Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ.  [39]

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ / g ΠΎΡ‚ напряТСния Π±Π°Π·Π° — эмиттСр ( / g На этом рисункС, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π½Π° всСх ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ…, Π³Π΄Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ характСристики транзисторов, ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСний Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π°. ΠŸΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… элСктродов ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра Ρƒ транзисторов структуры ΠΏ-Ρ€ — ΠΏ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Ρƒ транзисторов структуры Ρ€-ΠΏ — Ρ€.| Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° эмиттСр UQ.  [40]

Вторая кривая Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°. Она, Π² частности, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ постоянна ΠΈ измСняСтся Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ напряТСния.  [41]

ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ сигнала ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ смСщСния Π•0 Π½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… транзисторов подаСтся напряТСниС АРУ UАРУ, зависящСС ΠΎΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ нСсущСго колСбания Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ‡Π΅ΠΌ сильнСС сигнал, Ρ‚Π΅ΠΌ большС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС коэффициСнт усилСния Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… каскадов.  [42]

Π‘ΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ эмиттСрных рСзисторов.  [43]

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора ΠΈ коэффициСнт усилСния каскада с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρƒ — 1 ΠΌΠΈΠ½ э 1 6 — 0 54 Ρ€Π°Π·Π° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, минимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ SOCMHH составит 1 5 Π° / Π². ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ класса Π’ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… транзисторов разброс Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… мощностСй обусловлСн Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ транзисторов, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ ΠΈΡ… напряТСний ΠΎΡ‚ΠΏΠΈ рания. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ эмит-Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π² каскадС создаСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь, TQ ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈ дСйствиС этого Π΄Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.  [44]

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° 5 — 2 прСдставляСт собой простой модулятор сигнала Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня, примСняСмый Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… каскадах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° радиочастоты. ΠœΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡ осущСствляСтся ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊ эмиттСрной ΠΈΠ΅ΠΏΠΈ сигнала Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ измСняСт ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, модулируя ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ транзистора.  [45]

Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹:      1    2    3    4

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°? — ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· WhatIs.com

По

  • Участник TechTarget

TransconductanceΒ β€” это характСристика биполярного ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (FET). Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ большС коэффициСнт ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ устройства, Ρ‚Π΅ΠΌ большСС усилСниС (усилСниС) ΠΎΠ½ΠΎ способно ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° всС ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для биполярного устройства ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ измСнСнию напряТСния Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ напряТСния Π±Π°Π·Ρ‹. Для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°Β β€” это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ измСнСнию напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ, сколь ΡƒΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

Π‘ΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ» ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ Π³ ΠΌ . Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ являСтся симСнс, Ρ‚Π° ΠΆΠ΅ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°, которая ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для проводимости постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (DC).

Если dI прСдставляСт собой ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ стока, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ нСбольшим ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° dE , Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½Π°:

Π³ ΠΌ = dI / dE

По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° приблиТаСтся ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° становится всС мСньшС ΠΈ мСньшС, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

dI / dE Β ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Ρƒ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅. Наклон этой Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ прСдставляСт собой Ρ‚Π΅ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ биполярного транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ стока.

ПослСднСС ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅: Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€ΡŒ 2021 Π³.

нСизмСняСмая инфраструктура

НСизмСняСмая инфраструктура β€” это ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ слуТбами ΠΈ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния Π½Π° ИВ-рСсурсах, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ, Π° Π½Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ.

ΠŸΠΎΠΈΡΠΊΠ‘Π΅Ρ‚ΡŒ

  • восточно-Π·Π°ΠΏΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ

    Π’Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ Восток-Π—Π°ΠΏΠ°Π΄ Π² контСкстС сСти β€” это ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠ² Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… с сСрвСра Π½Π° сСрвСр Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….

  • CBRS (ГраТданская ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½Π°Ρ радиослуТба)

    Π‘Π»ΡƒΠΆΠ±Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠΉ радиосвязи для Π³Ρ€Π°ΠΆΠ΄Π°Π½, ΠΈΠ»ΠΈ CBRS, прСдставляСт собой Π½Π°Π±ΠΎΡ€ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ», Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… для сСгмСнта ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ бСспроводного спСктра ΠΈ …

  • частный 5G

    Private 5G β€” это тСхнология бСспроводной сСти, которая обСспСчиваСт ΡΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ связь для случаСв использования частных сСтСй, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ частныС …

ΠŸΠΎΠΈΡΠΊΠ‘Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

  • Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ модСль бСзопасности с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ?

    МодСль бСзопасности с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΠ΅ΠΌ β€” это ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ кибСрбСзопасности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ доступ ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ рСсурсам прСдприятия ΠΈ …

  • RAT (троянСц ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ доступа)

    RAT (троян ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ доступа) β€” это врСдоносноС ПО, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π·Π»ΠΎΡƒΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΈΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ для получСния ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… административных ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΈΠ»Π΅Π³ΠΈΠΉ ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ управлСния Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ . ..

  • Π°Ρ‚Π°ΠΊΠ° Π½Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ поставок

    Атака Π½Π° Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ поставок β€” это Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΊΠΈΠ±Π΅Ρ€Π°Ρ‚Π°ΠΊΠΈ, Π½Π°Ρ†Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ сосрСдоточСния внимания Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слабых Π·Π²Π΅Π½ΡŒΡΡ… Π² ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ …

ПоискCIO

  • пространствСнныС вычислСния

    ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ вычислСния Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ смыслС Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ процСссы ΠΈ инструмСнты, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Π°, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ взаимодСйствия с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ.

  • ΠŸΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚

    Π”ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ взаимодСйствия с ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ (UX) β€” это процСсс ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ внСдрСния ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ …

  • соблюдСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

    БоблюдСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ β€” это соблюдСниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ установлСнных ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, спСцификаций ΠΈΠ»ΠΈ …

SearchHRSoftware

  • Поиск Ρ‚Π°Π»Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²

    ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°Π»Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ² β€” это стратСгичСский процСсс, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ для Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° своих долгосрочных потрСбностСй Π² Ρ‚Π°Π»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ… Π² контСкстС бизнСса . ..

  • ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ сотрудников

    Π£Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ сотрудников β€” организационная Ρ†Π΅Π»ΡŒ сохранСния ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚Π°Π»Π°Π½Ρ‚Π»ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ сниТСния тСкучСсти ΠΊΠ°Π΄Ρ€ΠΎΠ² Π·Π° счСт стимулирования …

  • гибридная рабочая модСль

    Гибридная рабочая модСль β€” это структура Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ силы, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ сотрудников, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎ, ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° мСстС, Π² офисС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ…

SearchCustomerExperience

  • CRM (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ с ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ) Π°Π½Π°Π»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠ°

    Аналитика CRM (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ с ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ) Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя всС ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹Π΅ срСдства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎ ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ… ΠΈ β€‹β€‹ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚…

  • Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³

    Π”ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³ β€” это ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² посрСдством Π΄ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ³Π°.

  • Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³

    Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΈΠ½Π³ β€” это ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ для Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… усилий ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ связи с ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктронных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°?

ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½ΠΎ

168.4k+ просмотров

Подсказка: Π­Ρ‚ΠΎ элСктричСская характСристика, ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΈ напряТСниС, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктричСской Ρ†Π΅ΠΏΠΈ/устройства. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстно ΠΊΠ°ΠΊ взаимная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π’Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°:
${g_m} = \dfrac{{\Delta {I_{out}}}}{{\Delta {V_{in}}}}$, Π³Π΄Π΅ ${g_m}$ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ, ( ΠΌ для Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½Ρ‹Ρ…), $\Delta {I_{out}}$ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, Π° $\Delta {V_{in}}$ прСдставляСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС.

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡˆΠ°Π³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚:
ΠšΡ€ΡƒΡ‚Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ – это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктричСской Ρ†Π΅ΠΏΠΈ/устройства. ΠšΡ€ΡƒΡ‚Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ рассчитываСтся ΠΏΠΎ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ

9{\dfrac{{{v_{BE}}}}{{{v_T}}}}}\]

${g_m} = \dfrac{{{I_C}}}{{{V_T}}}$, Π³Π΄Π΅ ${I_C}$ β€” постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Q, Π° ${V_T}$ β€” Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС.

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° биполярного транзистора (BJT).
Для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° β€” это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ измСнСнию напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

Вранскондуктивный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Вранскондуктивный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, управляСмый напряТСниСм.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. Π•Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ измСрСния ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ Π² систСмС БИ являСтся симСнс, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ обозначаСтся символом $S$. 1 симСнс Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ Π½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² элСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… элСктронных устройств.

НСдавно ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ страницы

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΡΡƒΠ±Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π°Π½Ρ‚ΠΈΠ±ΠΈΠΎΡ‚ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Rhizobium класса 12 NEET_UG

Π‘Π°Π»Π°ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ биоинсСктициды Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ· Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ класса A 12 NEET_UG

КакоС ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ бакуловирусов класса 12 ΠΏΠΎ Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ NEET_UG

ΠšΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ городскиС ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ нСпосрСдствСнно отнСсСны ΠΊ классу 12 ΠΏΠΎ Π±ΠΈΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ NEET_UG

ΠžΡ‡ΠΈΡΡ‚ΠΊΠ° сточных Π²ΠΎΠ΄ выполняСтся ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ±Π°ΠΌΠΈ A.

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *