Каталог транзисторов с параметрами

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты. На большинство элементов приведено подробное описание с графиками.

Каждому компоненту соответствует свой pdf- файл с описанием. Часть справочников создана сканированием, а что-то взято с сайтов производителей.

© 2007 — 2017 trzrus.ru & trzrus.narod.ru Краткое содержание справочников по электронике. В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице. Справочник smd транзисторов. Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах. Справочник транзисторов маломощных биполярных. В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы. Справочник отечественных транзисторов биполярных средней мощности. В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117. Справочник по отечественным мощным транзисторам. В справочники по транзисторам кт. включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт. где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31 э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500. Справочник по импортным мощным транзисторам. Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар. Справочник по отечественным полевым транзисторам. В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора. Справочник по импортным полевым транзисторам. В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045. Справочник IGBT транзисторов. В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов. Справочник выпрямительных и высоковольтных диодов. В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя. Справочник импортных и отечественных диодов Шоттки. В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей. Справочник по радиолампам отечественным. В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов. Справочник тиристоров отечественных. В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность. Справочник стабилитронов отечественных. В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы. Отечественные постоянные резисторы. Справочник. В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов. Отечественные переменные резисторы. Справочник. Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх. Справочник конденсаторов электролитических, керамических и металлопленочных. В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики. Отечественные операционные усилители. Справочник. В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets . Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле. Справочник стабилизаторов напряжения интегральных. В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем. КМОП цифровые микросхемы. Справочник. В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы. Справочник по ШИМ-контроллерам для источников питания. Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания Справочник по отечественным реле. В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры. Справочник по разъемам низкочастотным. Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов. Отечественные оптроны. Справочник. В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки. Справочник по светодиодам отечественным В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов. Импортные диодные мосты. Справочник. В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии. В справочнике приведены описания, характеристики и даташиты более 100 000 транзисторов Подбор биполярного транзистора по параметрам. Поиск аналогов Сейчас в справочнике описаны 118158 транзисторов. Наш каталог компонентов содержит технические описания и фильтры по параметрам на почти 1.5 млн компонентов. Просто выберите нужный раздел каталога. Отобразится специальный фильтр подходящих параметров, отмечая соответствующие галочки вы сузите список до подходящих наименований.

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) — DJVU, страница 6

жимов Например, для режима ((кэь (эч (см рнс 2 3) теп човое сопротивление, КтВт, й,и „= (т„— ты))икэ,(ы Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус связано с тепловым сопротивлением в статическом режиме соотношением )(г = Якэ~!кь ()кэ~ !к ~)Я у Все мощные биполярные транзисторы СВЧ диапазона пред назначены лля работы в режимах с отсечкой коллекторного тока Допустимые электрические режимы на постоянном токе (по напряжению и мощности рассеивания), как правило, существенно оч чичаются от динамических режимов работы В лннамических режимах среднее напряжение эми г.гер-база должно быть запирающим Проведенные в справочнике параметры мощных СВЧ транзисторов позвояяют пользоваться типовой эквивалентной схемой для оценки их эксплуатационных характеристик Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис 2 7 В ряде случаев параметры некоторыч элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутств) ют Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена Например, если не приволится эквивалентное ьлл Корпус Рис 2 7 Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме СКЗ вЂ” активнвк емкость коллектора, СКЗ вЂ” асснвнае емкость «олче ора, СКЭ вЂ” емко н «оллекточьэмиттер, СЭ вЂ” емкость эмнттера С, С„С вЂ” емкости вывол относительно «ор.

Г 3 пука, У.»Э, Ьь. ЬК вЂ” инлуктивиссти слов змнттера, базм, «олпе ора соответственно, К вЂ” сопро зс ие базы, аз — по ело а с ьное сопротивление в Пепи эмиттсра, эквивалентное сопротивление «оллектора, Э вЂ” сонротивчснне эмнтмрното перекопа 32 ледовательное сопРотивление коллектора, то это означает малое послед влияние этого параметра на типовые эксплуатационные характе ристик, стики, и он может быть исключен из схемы. Приводимое в справочнике значение емкости коллекторного перех ерехода СВЧ мощных транзисторов включает в сеоя значения емк сзей металлизированных площадок в структуре транзистора и гкостей корпуса. То же относится и к понятию «емкость эмиттерного перехола» уснлителыеые свойства мощных высокочастотных линейных травзисторов характеризуются параметрами, методы измерения которых основываются на использовании двухтонового сигнала, состопшего из двух гармонических сигналов Нелинейные свойства транзисторов в зточ случае оцениваются коэффициентом комбинационных составляющих третьего и пятого порядков, являющимся отношением наибольших амплитуд соответствующих комбинационных составляющих спектра выходного сигнача (рис 2 8) к амплитуде основного тона.

Рис. 2.8. Вил спектра частот выхолного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих метолом лвухтонового сигнала !†юнов оя он У вЂ” б напнонпыс сосеввл юю е ре аее лорал а, 3 — коы. бюыа нные соса ааляюыае пят о па. рядка Ууу 26т Ге 6а Уба-тбг 26 гт Между средней мощностью линейного двухтонового сигнала и мощностью в лике огибающей существует соотношение Рвы„ю Р.ыцп.,’г. Это соотношение используется для расчета КПД коллектора транзистора в режиме двухтонового сигнала. В процессе монтажа транзисторов я схемы механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ, так как это может привести к растрескиванию изолятора и, следовательно, к нарушению герметичности корпуса транзистора При рихтовке, формовке и обрезке участок вывола у корпуса транзистора лолжен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса (агзолятора) он не испытывал изгибающих илн растягивающих усилий.

Оснастка для формовки выводов должна быть заземлена Расстояние от корпуса транзистора до начала изгиба вывода прн формовке должно быть не менее 2 мм, есяи в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное. При диаметре вывода 2 Поаупровалннновыа проборы не бочее 0,5 мм радиус его изгиба должен быть ие менее 0,5 мм при диаметре от 0,6 до 1,0 мм — не менее 1 мм, при диаметре бочее 1,0 мм — не менее 1,5 мм Прн чу кении, пайке и монтаже транзисторов сзедует принимаю меры, исключающие возможность их повреждения из-за перегрева и механических усилий В процессе выполнения операций лужения и пайки расстояние от корпуса (изотятора) ло места зужения н пайли почжно бысть не менее 3 мм, если в ТУ на конкретный тип транзистора не )казано иное Допускаетси пайка без теплоотвода и групповым методом есзи температура припоя не превышает (533 й 5)К, а время пайки не бо зее т с, ес ш в ТУ на конкретный тип транзистора не указано иное Очисгку печатных пзат от ф чюсов допускается производить жидкостями, не портящими покрытие, маркировку и матернач корпуса транзистора (рекомендуется спиртобензиновая смесь) В процессе монтажа, транспортировки, хранения ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов н МДП полевых транзисторов необходимо обеспечивать защиту их ог воздействия статического э ектрнчества Способы защиты изложены в ОСТ !! аАО 336013-73 К числу вал нейших предупредитечьных мер относятся хорошее заземление оборудования и измеритечьных приборов, применение заземляющих браслетов (илн колец) межлу телом оператора и землей, антистатических ~ипатов, нспозьзование низковозьтных электропаяльников с заземленным жалом Транзисторы МДП почевые (кроме мошньж) хранят и транспортируют прн наличии эамыкателей на их выводах Замыкатечи удаляют только перед моментом включения (монтажа) транзистора в схему В момент пайки все выводы МДП транзистора доз.кны быть закорачены Для сохранения минимальных значений тока затвора МДП полевых транзисторов необходимо применять меры, предохраняющие корпус от попадания флюса и прнпоя Прп выборе лаков или компаунлов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора Прн пргзлзененин МДП полевых транзисторов во входных каскадах радиоэлектронной аппаратуры необходимо принимать меры их за~питы от эчектрических перегрузок Для измерения параметров транзисторов промышленностью выпускается ряд измерительных приборов Наибольшее распространение дчя измерения параметров маломощных биполярных транзисторов получил прибор Л2-22, мощиых— Л2-42 Для измерения параметров полевых транзисторов могут быть использованы приборы типов Л2-32, ЛЗ-ЗВ, Л2-46 и Л2-48 Методы измерения основны~ электрических параметров транзисторов установлены государственными стандартами Для наблюдения вольт-амперных характеристик транзисторов рекомендуется использовать прибор Л2-56 (ПНХТ-2).

Часть вторая СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Разде з третий ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ и-р-и ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД Транзисторы германиевые сплавные и-р-и универсальные низкочастотные маломощные Прелназначены лля применения в усилительных, импульсных и переключающих схемах в составе гибрилных интегральных микросхем залитой и капсулнрованной констр>кцнй.

красная Фс, уб база колле унит мул, мбб, мус, муд бага Карнаробо чная сяочна 35 !8-55 20-60 40-120 40- 160 18 — 110 20- 120 40-240 40- 320 Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической пчате (ТМЗА, ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД) и с гибкими выводами (МЗА, МЗВ, МЗГ, МЗД) Обозначение типа транзистора приводится на его корпусе Масса транзистора иа керамической азате не бозес 0,8 г, с гиб. кими выводами не бочсе 0,5 г Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при 1ткв = 5 В, уз = 1 мА не менее ТМЗА, МЗА…………… 1,0 МГц ТМЗВ, ‘ГМЗГ, МЗВ, МЗГ…….

50 мг ТМЗД, МЗД . !О,О МГ 5,0 МГц Постоянная времени цепи обратной связи прп ьгкк = 5 В, !з = 1 мА, Г= 5 МГц пе более ТМЗА, МЗА…………… 3,0 нс ТМЗВ, ТМЗГ, ТМЗД, МЗВ, МЗГ, МЗД….. 3,5 нс Статический козффидиент передачи тока в схеме с общим эмнттером прп !ткв = 1 В, уз = 10 мА при Т= 293 К ТМЗА, МЗА.

ТМЗВ, МЗВ. ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. при Т= 213 К ТМЗА, МЗА………….., 7 2 — 55 ТМЗВ, МЗВ…………… 8,0-60 ТМЗГ, МЗГ…………… 16-120 ТМЗД, МЗД………..,… 16-160 при Т= 346 К ТМЗА, МЗА ТМЗВ, МЗВ . ТМЗГ, МЗГ. ТМЗД, МЗД. Граничное напряжение при уз = 5 мЛ не менее . Напряжение насыгцения ко ~лектор-эмиттер прп Iк = 1О мА, ук = 1 мА не ботев Напряжение насышения база-эмпттер при )н=!0 мА, уь = 1 мА не более Время рассасывания при 7„= 10 мА, Г= 1,5 кГц не более . Обратный ток коллектор-эмиттер прп !укз = 15 В, !уьз = = -0,5 В не бочее при Т= 293 К при Т= 346 К Обратный ток эмиттера прн !/вз = 15 В не более .

Емкость кочлекторного перехода при !Iкв = 5 В, Г= 5 МГц пе более . Емкость змнттерного перехода при !твз = 0,5 В,Г= 5 МГц не более . 15 В 0,5 В 1,0 В 2,5 мьс 20 мкА 150 мьА 20 мкА 35 пФ 70 пФ )5 В )5 В !О В !)остоянное напРяжение коллектор-эмиттер . !)остоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора (змиттера) при Т= 2)3+ 308 К. Импульсный ток коллектора (эмиттера) прн т, = !О мкс и средней рассеиваемой мощности, пе превышающей постоянную предельную рассеиваемую мощность . Постоянная рассеиваемая мощность при у=2!3+298 К Тепловое сопротивление переход-среда, Температура окРужающей среды 50 мА )ОО мА, 75 мВт 0,8 К/мвт От 2!3 до 346 К /В гМЯ Та,мл 0,5 0,3 О 01 О,г Ов 04 050„,0 а О,г 04 ОВ ОВ 100„0 Входные характеристики.

Входные характеристики. 1,В 0,9 О,В ‘ 1 г таВ872 ЯЯВ/ОО’ ‘!. ид Зз а,е ‘ О 1 г г 4 52„,//я Зависимость относительного статического коэффициента пе. Редачи тока от тока эмиттера. Зависимость относительного времени рассасывания от /к//в. 37 1,4 к 1,г т о,в о,в Предельные эксплуатационные данные 1,4 й1,0 во,В о,в Прнлзечани я ! При Т> 308 К ток коллектора (эмиттера) мА, рассчитывается по формуле (к(1э) = 2 )1358 — Т 2 При Т> 298 К максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, мВт, рассчитывается по формуле 2И~г и 0,9 ‘213 233 853 Зависимость относительного на пряжения насыщения коччекторэмиттер от температуры Зависимость относительного статического коэффициента пе.

редачи тока от температуры МП9А, МП10, МП10А, МП108э, МП11, МП11А зранзнсторы германиевые сплавные и-р-я усилительные низко частопзые с ненормированным (МП)0, МП)ОЛ, МП)ОБ, МП! ! МП! (А) и нормированным (МП9А) коэффициентами шума на частоте ! кГц Предназначены дзя усиления снгназов низкой частоты Вып)слаются в металчостекчянном корпусе с гибкилзи выводазяз Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г Кздяек База Энивтлг Электрические параметры Предельная частота коэффициента передачи тока при (гкк = 5 В, (э = 1 мА не менее МП9Л, МП)0, МП)ОА, МП)ОБ . ! МГп 38 1,9 1,2 1,0 .сч О,б 1,Я ‘й 11 10 *» а,з „-О,О Р,у 0,6 823293тТ,К ‘213838853гуунг313333тд 2 МГц 10 дБ 15-45 15 — 30 25 — 50 25-55 45 — 100 6 — 45 6 — 30 9 — 50 9-55 18 — 100 15 — 90 15 — 60 25-100 25-110 45-165 30 мьА ЗО мкА 50 мкА 30 мкА 30 мкА 150 Оч 2,5 мкСч 60 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-база при Т = 213 — 323 К МП9А, МП10, МП!1, МП1!А МП10Л, МП10Б .

при Т = З2З вЂ” З4З К МП9А, МП!0, МП11, МП11А МП!ОА, МП10Б . 15 В 30 В 10 В 20 В МП11, МП11А . Коэффициент шума при !зкь = 1,5 В, Т = 0,5 Г= 1 кГц МП9А не более Козффициснт передачи тока в режиме малого сигнала при ггьв — — 5 В, зэ = 1 мА, ~= 1 ьГц при Т= 293 К МП9А МП10, МП10А МП10Б МП11 . МП11А при Т= 213 К МП9А МП!0, МП10А МП10Б МП!1 . МП11А прц Т= 343 К МП9Л МП10, МП!ОА МП10Б МП11 . МП11А Обратный ток коллектор-зчиттер при Т= 293 К ие более МП9А, МП10, МП11, МП11А при !ткэ = 15 В ° МП1ОА при ‘!Укк=’30 В . МП10Б при бнв = 30 В .

Транзисторы для начинающих часть 8 — Транзисторы — Фундаменты электроники — Каталог статей

В предыдущем эпизоде вы познакомились с основными тепловыми параметрами транзисторов. Обе эти характеристики, как и использующих их формулы очень просты. В общем, оказалось, однако, что это дело достаточно простое только для транзисторов малой мощности. В случае транзисторов большой мощности (уже выше 1Вт), нужно учитывать не только свойства транзистора, но самое главное — радиатора.

Начнем с основ. В предыдущем разделе мы узнали новый параметр Rthja — активное термическое сопротивление между переходом и окружающей средой (измеряется без радиатора). В случае использования мощных транзисторов, с теплоотводом, мы имеет дело с потоком тепла между переходом и окружающей средой. По-прежнему интересует нас общее тепловое сопротивление Rthja (но оно уже не из справочника для транзистора без теплоотвода). Проблема в том, что теперь сопротивление Rthja будет зависеть от используемого радиатора. Мы должны также учитывать неидеальный контакт корпуса транзистора с теплоотводом. В результате общие сопротивление Rthja между кристаллом и окружающей средой будет состоять из трех отдельных тепловых сопротивлений:
— Rthjc (переход-корпус)
— Rthcr (корпус-радиатор)
— Rthra (радиатор-окражающая среда)

Тепло из кремниевой структуры должно пройти сначала корпус, а затем радиатор и далее рассеяться в окружающей среде. По дороге оно должно найти место соприкосновения корпуса с теплоотводом. Контакт из-за микроскопических неровности обоих поверхностей не идеальный, и здесь также есть тепловое сопротивление.

В соответствии с рисунком 59a, общее тепловое сопротивление между переходом и окружающей средой, мы можем представить как последовательное соединение трех указанных сопротивления. Изображено это на рисунке 59с. Во время работы транзистора тепло, выделившиеся на переходе уходит в окружающую среду. В соответствии с прежней аналогий распределение температур напоминает распределение напряжений на последовательно включенных резисторах. Это иллюстрирует рисунок 59c.

Тепловое сопротивление между переходом и поверхностью корпуса данного транзистор (Rthjc), указывается в справочнике. Для лучших транзисторов и интегральных схем, оно составляет 0,8…1K/Вт. Для обычных транзисторов в корпусах TO-220 обычно составляет 1…3 К/Вт. Больше значение имеют только транзисторы старого типа.

Сопротивление Rthcr составляет примерно 1K/Вт если просто транзистор прикрутить к радиатору, и примерно 0,1…0,2К/ВТ при применение пасты (силиконовой) хорошо проводящей тепло или силиконовой (похожих на резиновую) прокладки. Паста и тонкие прокладки уменьшают тепловое сопротивление соединения, потому что заполняют микроскопические неровности на поверхности радиатора и транзистора (изображенные на рисунке 59a при большом увеличении). Но внимание! Не надо тут путать слюдяные прокладки с силиконовыми. Самым молодым читателям следует помнить, что слюда минерал с очень хорошими свойствами с точки зрения электрической изоляции. Слюду легко разделить на тонкие слои — ломтики. Вы легко резать ножом и аккуратно сверлить в ней отверстия. Тонкий, прозрачный кусок слюды эффективно изолирует транзистор от радиатора с электрической точки зрения (гальванически), и при этом в меру хорошо проводит тепло. Но, к сожалению, в случае применения слюдяной прокладки (даже помазанной термопастой), сопротивление Rthcr значительно увеличивается, до 1…2K/В.

Силиконовые прокладки, похожие на резиновые, также могут гальванически изолировать транзистор от радиатора, и имеют очень хорошие тепловые свойства, т.е. небольшое термическое сопротивление. Сопротивление это, в зависимости от толщины, может составлять 0,1…1K/В. Силиконовые прокладки, не должны использоваться многократно, — раз использованная прокладка должна быть заменена в случае замены транзистора.

А сопротивление Rthra зависит от размера радиатора, его формы, вида поверхности и цвета, и может составлять от 50K/Вт (маленький алюминиевая бляха) до 0,5K/В (и меньше) для мощных радиаторов из специальных алюминиевых профилей. Термическое сопротивление Rthra сильно зависит от условий движения воздуха вокруг радиатора. Например, использование вентилятора может уменьшить величину активного термического сопротивления даже в несколько раз. Еще более эффективными являются радиаторы, охлаждающиеся жидкостью (водой или маслом), но мы не будем ими заниматься, потому что я их практически не используют из-за стоимости.

В практике, что бы обеспечить работу мощного транзистора необходимо, прежде всего, подобрать соответствующий радиатор. Теоретически дело очень простое. Имея допустимую температуры перехода +150 градусов C, температуру окружающей среды (как правило, принимается +30…+50 градусов С), и рассеиваемую мощность P, при котором транзистор будет работать, легко вычислить максимальное общее сопротивление Rthja по формуле:

Потом от рассчитанного сопротивления вычесть сопротивлением Rthjc и Rthcr:

Получим значение, теплового сопротивления радиатора Rthra. Конечно, радиатор может иметь меньшее значение теплового сопротивления чем рассчитанное значение — тогда температура соединения будет меньше допустимой (+150°С).

Выполните несколько простых упражнений.

Задача
Рассчитать термическое сопротивление радиатора необходимого для выходного транзистора усилителя мощности. Максимальная рассеиваемая мощность этого транзистора в худших условиях составит 30ВТ. Транзистор имеет следующие параметры: Ptot=125 ВТ, Rthjc = 1,1K/В, Tjmax = +150 Градусов C. Максимальная температура окружающей среды внутри корпуса пусть составляет +50 градусов C. Не применяются термопаста, активное сопротивление Rthcr следует принять равным 1K/Вт. На сколько можно уменьшить радиатор просто после применения термопасты, уменьшающей Rthcr до 0,2К/В?

Вычислим максимальное допустимое общее сопротивление Rthja:
Rthja=(150–50)/30W=3,3°C/W=3,3K/W
Rthra=3,3–(1+1,1)=1,2K/W

Без силиконовой смазки требуется радиатор с сопротивлением 1,2К/Вт.
В то время как со смазкой:
Rthra=3,3–(1+0,2)=2,1K/W

Это большая разница, — со смазкой сопротивление радиатора может быть на целых 75% больше, так что… стоит смазывать. Это железное правило: при больших мощностях не обходима термопаста или силиконовые прокладки.

Задача
Сопротивление Rthjc транзистора BD135 (BD135…140) составляет 10 К/Вт. Рассеиваемая мощность в устройстве составляет 5 ВТ. Можете ли вы не использовать силиконовую смазку в ситуации, когда транзистор будет работать с теплоотводом с сопротивлением Rthra равной 7К/В?

В этом случае можно не проводить расчеты. Просто оценим, как повлияет отсутствие силиконовой пасты на температуру перехода. Вы можете принять активное сопротивление Rthcr без силикона равным 1,5K/Вт, а с силиконом 0,3K/Вт. Иначе говоря, без силикона общее сопротивление увеличивается на 1,2K/В. При мощности 5 ВТ, это вызовет повышение температуры на дополнительные 6 градусов. 6 градусов – это мало, так что в случае малых рассеиваемых мощностей (до 5…10 Вт) влияние смазки не большое.

Но при больших мощностях это влияние, иногда даже имеет решающее значение. Если мощность была 50W, при отсутствии смазки, температура повысилась бы на 60 градусов.

Задача
Убедитесь, что транзистор BDV64 (Ptot =125 ВТ, Rthjc=1K/В Tjmax=+150°C) может рассеять в окружающую среду мощность 80ВТ с теплоотводом о Rthra=1,5K/Вт при температуре окружающей среды +50 градусов при использовании силиконовой смазки (Rthcr=0,15K/В).

Для проверки. Сначала рассчитаем
Rthja=1K/W+0,15K/W+1,5K/W=2,6K/W
При мощности 80 ВТ повышение температуры составит:
ΔT=80×2,56=212°C
Температура составит +262 градусов C — транзистор ни в коем случае не может работать в таких условиях!

Задача
Рассчитать, активное термическое сопротивление радиатора, работающего с транзистором 2N3055 (Ptot =117W, Rthjc=1,5K/В, Tjmax=+200ос ) в системе стабилизатора, где максимальная рассеиваемая мощность составит 85Вт. Максимальная температура окружающей среды внутри корпуса +50 градусов C. Благодаря теромопасте Rthcr = 0,1К/В.

Определяется необходимое общее тепловое сопротивление
Rthja=(200–50)/85=1.765K/W

От сюда
Rthra=1,765–(1,5+0,1)=0,165K/W

Радиатор с таким маленьким тепловым сопротивлением в любительских условиях сделать не возможно! Не поможет даже мощный вентилятор!

Задача
Транзистор BD136 (корпус к-126, Ptot =12 ВТ, Rthjc=10°С/вт, Tjmax=+150° C) работает с теплоотводом о Rthra = 4K/В. Без силикона Rthcr = 1°C/Вт. Может ли транзистор работать в этих условиях с рассеиваемой мощностью, равной 10 ВТ при температуре окружающей среды, равной +40°C?

Нет! Потому что с мощностью 10ВТ и допустимого перепада температур, равного 110°C, общее сопротивление должно быть не больше, чем 11К/Вт. Между тем, уже сам транзистор и прокладка уже имеют такое термическое сопротивление. В данном случае не поможет ни один радиатор. Указанный транзистор не может работать в таких условиях.

Что делать?

Применение смазки мало поможет, потому что даже при уменьшении Rthcr к 0,3°С/Вт, следовало бы применить большой радиатор с очень малым сопротивлением Rthra равной 0,7К/В. Теоретически такой радиатор можно сделать, но это иррационально.

Достаточно применить более мощный транзистор, например BD244 с сопротивлением Rthjc равной 1,92K/В.

Конечно, общее сопротивление Rthja все равно не может быть больше, чем 11К/В, но теперь достаточно было бы использовать радиатор с сопротивлением Rthra=11–(1,92+0,2)=8,88K/W

Указанный радиатор (Rthra = 4K/В) обеспечит запас. В самом деле, повышение температуры соединения, не превышает ΔT=10W×(1,92+0,2+4)=61,2°C то есть, температура будет не много превышать +100°С.

Подумайте, какие выводы, можно сделать из этих упражнений. Оказалось, что во многих случаях вы не можете работать с заявленной в каталоге мощностью Ptot.

Что происходит? Где кроется ошибка?

Ошибки нет. С расчетами (хотя и упрощенными) все в порядке. Сейчас разберемся, о чем идет речь. Рассчитайте, какой радиатор необходим при работе в „справочных” условиях мощного транзистора. Пусть это будет транзистор BDW83B (Ptot =130, Tjmax=+150 градусов C, Rthjc=0,96K/В). Пусть температура окружающей среды составляет +40°С.
Rthja=(150–40)/130=0.846K/W
это меньше, чем значение в каталоге Rthjc! Транзистор не может работать в таких условиях!

Нет ли у вас впечатления, что производители транзисторов пускают вас в заблуждение, делая на них спрос при рассеиваемой мощности 130 ВТ в справочнике, которую, как выясняется, ни в коем случае нельзя „выжать” из транзистора без риска перегрева?

На самом деле, на практике ни один мощный транзистор не может работать с мощность Ptot указанной в справочнике. Тогда откуда там эта мощность?

Запомните раз навсегда, что это мощность, которую теоретически можно рассеять в устройстве при использовании идеального радиатора. А точнее – указывается в каждом каталоге максимальная рассеиваемая мощность Ptot в лабораторных условиях тестирования при идеальном охлаждении, (будьте осторожны!) при температуре корпуса в (как правило) только +25°C. Обратите внимание, что эти +25°C температура корпуса во время работы, когда выделяется «рассеиваемая мощность из справочника» Такую температуру корпуса можно получить только при вынужденном охлаждении, и не воздухом, а жидкостью.

Убедитесь, что эти данные верны для транзистора BDW83. Если вы сможете удержать температуру корпуса на уровне +25 градусов C, то есть разница температур достичь (150-25=)125°C, максимальная мощность составит:

И это и есть та мощность, которую взяли из каталога. Согласны?

Теперь будьте внимательны! Имея указанную в каталоге мощность потерь Ptot и максимальную температуру перехода (обычно +150°С) ты вычисляешь сопротивление Rthjc. Предполагая, что температура корпуса должно составлять +25°C, то есть при разнице температур 100°С считаем:

Просто? Да! Хотя в редких случаях вы можете найти сюрприз. А именно, в случае некоторых транзисторов производители дают максимальную мощность Ptot, при температуре корпуса не +25°C, а +60°C. Но тогда это то ничем не грозит, потому что фактическое сопротивление Rthjc окажется еще меньше, чем вычисленная с помощью простого способа выше.

Теперь мы вернемся к сделанным ранее упражнениям.

Оказалось также, что рассеиваемая мощность Ptot что указывается в каталогах транзисторов, имеет очень мало общего с реальностью, потому что ее можно получить только при идеальном охлаждении. Если да, то рассчитайте теперь, с какой мощность действительно может работать транзистор BDW83 с „сенсационной мощностью” Ptot=130Вт. Для его охлаждения используется большой ребристый радиатор с, тепловым сопротивлением, равным 1,5K/Вт и сопротивление Rthcr можно принять равным 0,1К/Вт (термопаста или тонкая силиконовая подкладка). Максимальную температуру окружающей среды примем реальную, равную +40°С.

Общее тепловое сопротивление:


И что? Снова неожиданность? Только 43W? А должно было быть 130Вт?! К сожалению, да! И поверьте мне — радиатор с сопротивлением 1,5K/Вт – это очень большой кусок ребристого алюминиевого профиля.

К сожалению, при проектировании схем из мощных транзисторов (и не только), вы должны всегда принимать во внимание результаты наших соображений. Потому что у вас нет возможности использовать идеальный радиатор, поэтому раз и на всегда отбрасывать нереальные мечты — никогда не выжать из мощного транзистора мощности Ptot указанную в справочнике. Во первых, приблизительные расчеты дают, что да же с приличным радиатором силовой транзистор будет у вас работать не более чем с половиной мощностью указанной в каталоге.

Кроме того, если до сих пор вам казалось, что достаточно большой радиатор всегда решит проблему, то это мечта. Предыдущие примеры показывают, что даже если вы применил идеальный радиатор, вы никогда не уменьшите общее тепловое сопротивление ниже Rthjc. При этом всегда имеется некоторое значение Rthcr – даже, применение термопасты, не уменьшит ее до нуля, а только до 0,1…0,2К/Вт.

Здесь я полностью объяснить проблемы «узких мест», о которой я упоминал при обсуждении усилителя 100 Вт. Обратитесь к этой статье EDW 8/97 на стр. 18. Теперь последние упражнения показали, что вышеупомянутый «узким местом» является сопротивление Rthjc. Это следует из конструкции транзистора, и мы не можем ни как на это повлиять. И если вы не примените силиконовые смазки, то сопротивление Rthcr еще ухудшится до 1 .. 2 K/Вт.

Теперь вы понимаете проблему, охлаждения и подбора радиатора?

Вам кажется, что понимаете? В таком случае рассчитайте активное термическое сопротивление радиатора, необходимое для схем на рисунках 60 и 61. Для усилителя на рисунке 61 рассчитаем три раза:
а) для радиатора, соединенного гальванически с минусом питания планируется использовать силиконовую смазку примем Rthcr = 0,1К/В,
b) для радиатора, гальванически изолированного планируется использовать изоляционную прокладку, примем Rthcr = 0,5K/В,
c) для радиатора гальванически изолированного планируется использование изоляционной прокладки, из слюды смазанной с двух сторон термопастой примем Rthcr = 1,5K/В.

Какие принимать температуры окружающей среды? В случае, если блок питания для автомобиля на рисунке 60, должно работать с температурой порядка +60…+80 градусов C, не так ли? В случае усилителя проще +40…+50 градусов C. Не пугайтесь, что на рисунке 61 у вас микросхема, а не транзистор. Порядок расчета тепловых величин такой же, как при транзисторах. Указанная рассеиваемая мощность интегральной схемы LM3886 в худшем из возможных случаях – указана EdW 2/98 стр. 10 рис. 3 для напряжения питания ±30В. Имея такие данные, рассчитайте необходимый радиатор. В самом деле, при нормальной работе усилителя средняя выделяемая мощность будет меньше, и такой радиатор, безусловно, будет подобран с некоторым запасом. А теперь считайте.

Посчитали? Здорово!

Ну, может быть, не совсем здорово… Потому что, как и, что теперь делать с этим значением? Что с того, что рассчитали необходимое термическое сопротивление радиатора? А откуда вы знаете, какое термоспротивление сопротивление имеют имеющиеся у вас радиаторы?

И это пол беды, если вы заказываете радиатор в хорошей компании и тепловое сопротивление, указанно в справочнике. Но как я знаю, в большинстве случаев ни кто не пользуются услугами этих компаний, только вы пробовали применить какой-нибудь радиатор или кусок жести. Как рассчитать или измерять термическое сопротивление такого радиатора?

Это уже история из другой сказки – я с удовольствием расскажу вам, если вы напишите мне на адрес Редакции. Тогда будет отдельная статья о подборе радиаторов. Я также могу вам предложить схему простого прибора для измерения теплового сопротивления радиаторов. Жду письма по этому вопросу.

Радиатор для транзистора, как его правильно рассчитать

Радиатор для транзистора, как его правильно рассчитать

Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Нередко, проектируя мощное устройство на силовых транзисторах, или прибегая к использованию в схеме мощного выпрямителя, мы сталкиваемся с ситуацией, когда необходимо рассеивать очень много тепловой мощности, измеряемой единицами, а иногда и десятками ватт.

К примеру IGBT-транзистор FGA25N120ANTD от Fairchild Semiconductor, если его правильно смонтировать, теоретически способен отдать через свой корпус порядка 300 ватт тепловой мощности при температуре корпуса в 25 °C! А если температура его корпуса будет 100 °C, то транзистор сможет отдавать 120 ватт, что тоже совсем немало. Но для того чтобы корпус транзистора в принципе смог отдать это тепло, необходимо обеспечить ему надлежащие рабочие условия, чтобы он раньше времени не сгорел.

Все силовые ключи выпускаются в таких корпусах, которые можно легко установить на внешний теплоотвод — радиатор. При этом в большинстве случаев металлическая поверхность ключа или другого устройства в выводном корпусе, электрически соединена с одним из выводов данного устройства, например с коллектором или со стоком транзистора.

Так вот, задача радиатора как раз и состоит в том, чтобы удержать транзистор, и главным образом его рабочие переходы, при температуре, не превышающей максимально допустимую.

Если корпус кремниевого транзистора полностью металлический, то типичная максимальная температура составляет примерно 200 °C, если же корпус пластиковый, то 150 °C. Данные о максимальной температуре для того или иного транзистора вы сможете легко найти в даташите. Например для FGA25N120ANTD лучше если его температура не будет превышать 125 °C.

Зная все основные тепловые параметры, несложно подобрать подходящий радиатор. Достаточно лишь выяснить максимальную температуру окружающей среды, в которой будет работать транзистор, мощность, которую должен будет рассеивать транзистор, затем подсчитать температуру переходов транзистора с учетом тепловых сопротивлений соединений кристалл-корпус, кропус-радиатор, радиатор-окружающая среда, после чего останется выбрать радиатор, с которым температура транзистора будет хотя бы немного ниже максимально допустимой.

Важнейшим параметром при подборе и расчете радиатора является тепловое сопротивление. Оно равно отношению величины перепада температур на поверхности теплового контакта в градусах к передаваемой мощности.

Когда тепло передается посредством процесса теплопроводности, то тепловое сопротивление остается величиной постоянной, которая не зависит от температуры, а зависит лишь от качества теплового контакта.

Если переходов (тепловых контактов) несколько, то тепловое сопротивление перехода, состоящего из нескольких последовательных соединений, окажется равно сумме тепловых сопротивлений этих соединений.

Так, если транзистор будет смонтирован на радиатор, то общее тепловое сопротивление при теплопередаче будет равно сумме тепловых сопротивлений: кристалл-корпус, корпус-радиатор, радиатор-окружающая среда. Соответственно температура кристалла находится в этом случае по формуле:

Для примера рассмотрим случай, когда нам необходимо подобрать радиатор для двух транзисторов FGA25N120ANTD, которые будут работать в схеме двухтактного преобразователя (push-pull), причем на каждом транзисторе будет рассеиваться по 15 ватт тепловой мощности, которую необходимо передать в окружающую среду, то есть от кристаллов транзисторов через радиатор — воздуху.

Поскольку транзисторов два, то сначала найдем радиатор для одного транзистора, после чего просто возьмем радиатор с вдвое большей площадью теплообмена, с вдвое меньшим тепловым сопротивлением (будем использовать изолирующие прокладки).

Пусть наше устройство будет работать при температуре окружающей среды в 45°C. Пусть температура кристалла удерживается не выше 125°C. В даташите видим, что для встроенного диода тепловое сопротивление кристалл-корпус больше теплового сопротивления кристалл-корпус непосредственно IGBT, и оно равно 2 °C/Вт. Это значение и будем брать в расчет в качестве теплового сопротивления кристалл-корпус.

Тепловое сопротивление силиконовой изолирующей прокладки составляет порядка 0,5 °C/Вт — это и будет тепловое сопротивление корпус-радиатор. Теперь, зная рассеиваемую мощность, максимальную температуру кристалла, максимальную температуру окружающей среды, тепловое сопротивление кристалл-корпус и тепловое сопротивление корпус-радиатор, найдем необходимое тепловое сопротивление радиатор-окружающая среда.

Итак, нам необходимо подобрать такой радиатор, чтобы тепловое сопротивление радиатор-окружающая среда получилось в данных условиях 2,833 °C/Вт или меньше. И до какой температуры в этом случае перегреется радиатор по сравнению с окружающей средой?

Возьмем найденное тепловое сопротивление на границе радиатор-окружающая среда, и умножим на рассеиваемую мощность, для нашего примера 15 Вт. Перегрев составит около 43 °C, то есть температура радиатора будет около 88 °C. Поскольку транзисторов в нашей схеме будет два, то и мощности рассеять нужно будет вдвое больше, значит необходим радиатор с тепловым сопротивлением вдвое меньшим, то есть 1,4 °C/Вт или меньше.

Если у вас нет возможности подобрать радиатор именно с найденным тепловым сопротивлением, то можно воспользоваться старым добрым эмпирическим методом — обратиться к графику из справочника. Зная разность температур окружающая среда — радиатор (для нашего примера 43 °C), зная рассеиваемую мощность (для нашего примера для двух транзисторов — два по 15 Вт), находим необходимую площадь радиатора, то есть общую площадь контакта радиатора с окружающим воздухом (для нашего примера — два по 400 кв.см).

Ранее ЭлектроВести писали, что на Тернопольщине художник отказался от газа, обогревая дом по принципу автомобильной печки.

По материалам: electrik.info.

Цепь ночного освещения

с использованием транзистора PNP

27.12.2017 | Автор: Джон Ледук,

Автор: Джон Ледук, Digi-Key Electronics

Введение

В большинстве простых схем, в которых используется компонент, управляемый током, будет использоваться транзистор NPN. Эта простая схема использует PNP, поэтому мы можем объяснить различия между ними.

Просматривая приведенные выше схематические символы, вы должны отметить, что для включения транзистора типа NPN вам необходимо использовать положительный ток на выводе базы.

Чтобы включить транзисторы PNP, вам необходимо использовать отрицательный ток или на уровне земли на выводе базы.

NPN должен иметь нагрузку на стороне коллектора, которая управляется положительным током, протекающим к базе, который затем переключает эмиттер на землю, позволяя току течь от коллектора к эмиттеру (называя это «источником» нагрузки).

Для транзисторов типа PNP эмиттер находится на положительной стороне напряжения питания, а нагрузка — на стороне коллектора, но опускает его на землю через отрицательный ток, идущий к базе (обозначенный как V-, отрицательное напряжение или заземление).

(См. Нашу статью «Основы транзисторов» для более простого, но более подробного обсуждения транзисторов, а также для другой точки зрения, объясненной другим способом, см. Нашу статью на eewiki под названием «Как управлять шаговым двигателем», которая может помочь более подробно определить, как работают транзисторы)

Создание схемы

Что касается схемы Night Light ниже — мы хотели использовать транзистор PNP для объяснения схемы (большинство обсуждений в Интернете посвящено типам NPN)

, и мы хотели создать простую и интересную схему, чтобы помочь молодым студентам построить полезную схему, с которой они могут экспериментировать (… в рамках нашей местной информационно-пропагандистской программы Digi-Key в области STEM).

Используя фотопроводящий фотоэлемент CDS, мы можем создать ночник (или индикатор низкого уровня освещенности), используя всего пару резисторов, транзистор (в данном случае PNP-2N3906FS) и светодиод на схематическом чертеже. ниже.

Схема выше была создана с помощью Scheme-it. Щелкните изображение выше, чтобы узнать подробности.

Номер детали «PDV-P5003» Фотоэлемент CDS — это просто светозависимый резистор.Чем больше света попадает на него, тем меньше сопротивление между выводами. Смещение основного вывода PNP с помощью делителя напряжения активирует точку срабатывания, в которой ток будет течь от эмиттера к коллектору, запитывая светодиод или включая его. Если мы просмотрим данные, вы увидите, что сопротивление в темноте составляет около 1 Мегаом или когда фотоэлемент CDS отсутствует на свету. Используя резистор 220 000 Ом, мы можем правильно настроить чувствительность смещения базы до точки, при которой нормальный комнатный свет будет держать светодиод выключенным, а когда вы накроете фотоэлемент (или выключите свет в комнате), он погаснет. к очень высокому сопротивлению, позволяющему основанию быть ближе к земле или V-, что, в свою очередь, включает коллекторный переход эмиттера, включая светодиод.R2 можно заменить потенциометром для дальнейшей настройки чувствительности включения светодиода или его выключения.

Схема выше была создана на схеме it Вот ссылка на схему на схеме it: Night Light

Список компонентов:

Дополнительные материалы по электронике:

Вероятно, лучшая книга по электронике, которую я заказал и которая, как правило, является отличным стандартом для определения функций электронных компонентов, — это книга: «Искусство электроники» Пола Горовица и Уинфилда Хилла — 2-е или 3-е издание

Еще одна книга, которую стоит приобрести, которая, как правило, более удобна для производителей, — это Поваренная книга по электронике Саймона Монка

.

японский% 20 транзистор% 20данные% 20книжное техническое описание и примечания к приложению

2008 — преобразователь Tyco Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	64III Tyco Resolver
IC-3405 Аннотация: IC-8201 U11415E IC-8874 IC-8571 IC-3179 IC-8111 IC-3411 NEC D78002 ic3405 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	78 К / 0 U11126J U12326J U10904J U10903J U11126E IC-3405 IC-8201 U11415E IC-8874 IC-8571 IC-3179 IC-8111 IC-3411 NEC D78002 ic3405
PF412 Аннотация: SVM9300 PF245 PF446 PF833 PF336 PF382 PF227 PF556 pf220 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	SEA6472F0A PC8104F SPC8107FOE PC8110 PF723 PF810 PF724 PF725 PF785 PF767 PF412 SVM9300 PF245 PF446 PF833 PF336 PF382 PF227 PF556 pf220
IC-3224 Аннотация: U10121E 87AD U10540E nec 78k ассемблер dos EEU-1284 U10105E Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	78K / 0 U11126J U12326J U10904J U10903J U11126E IC-3224 U10121E 87AD U10540E nec 78k ассемблер дос EEU-1284 U10105E
IC-8631 Аннотация: IC-3403 78083 U10540E ic 3403 U10605E 87AD Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	78 К / 0 78 тыс. / Кв. 70K / O U11126J U12326J U10904J U10903J U11126E IC-8631 IC-3403 78083 U10540E ic 3403 U10605E 87AD
2002 — JT-I431 Аннотация: G703 JT-G703 JTG704 JT-G706 JT-G704 AN382 DS21348 DS2148 DS2149 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	JT-G703 JT-G704 JT-G706 JT-G703.DS2155, DS21Q55 JT-G703) JT-I431 G703 JT-G703 JTG704 JT-G706 JT-G704 AN382 DS21348 DS2148 DS2149
87AD Аннотация: EEU-1404 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	78 К / 0 U11126J U12326J U1Q904J U10903J U11126E 87AD EEU-1404
1998-м6388 Аннотация: MSM6373-329 M6588 MSM63 * ADPCM Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	E2D0050-27-41 MSM6375 MSM6372-100 MSM6372-119 MSM6373-308 MSM6373-329 MSM6374-006 MSM6374-007 MSM6374-519 MSM6374-544 m6388 M6588 MSM63 * ADPCM
2007 — 090-II Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2001 — 69008-0724 Реферат: MOLEX 39-00-0081 39-00-0081 molex 5558 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1998 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2014 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2356-81-300 / факс: 847-843-7900 / факс: 6835-3011 / факс: 21-5037-2222 / факс: GSCC-009B
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
ТК10489М Аннотация: TK11380bm Регулятор напряжения с малым падением напряжения TK14590V TK11950M TK14521 TK71125N TK10690 переключатель ШИМ dc-dc контроллер TK70001M Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	TK111xx TK112xx TK113xx TK116xx TK119xx TK70403 TK713xx TK715xx TK732xx GC3-E001 TK10489M ТК11380бм Стабилизатор с малым падением напряжения ТК14590В TK11950M TK14521 TK71125N TK10690 переключатель PWM dc-dc контроллер TK70001M
D4D-1187N омрон Аннотация: GS-ET-15 6132N zb omron Denki D4D-2162N D4D 1162N J162 5522n omron D4D-3120N Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	EN50047 EN1088 EN60947-5-1 J9950233 UL508 E76675 Д4Д-1187Н омрон GS-ET-15 6132N zb omron Денки D4D-2162N D4D 1162N J162 5522n omron D4D-3120N
jrc386d Аннотация: LM3171 LM1011N MJ13005 UA78GKC upc1018c x0137ce PLL02A MN8303 HA1457w Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	ЭКГ10 ЭКГ11 ЭКГ12 ЭКГ13 ЭКГ14 ЭКГ15 ЭКГ16 ЭКГ17 ЭКГ18 ЭКГ19 jrc386d LM3171 LM1011N MJ13005 UA78GKC upc1018c x0137ce PLL02A MN8303 HA1457w
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1999 — ДЕМОПЛАТА MSM9831 Аннотация: ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ОТКРЫТЫЙ КНОПКИ 6-контактный светодиод p10 печатная плата MSC1157 MSC1157RS MSM66P573 MSM9831 5.1 кнопочный переключатель на плате звуковой системы, 4 контакта Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	E2D0102-19-23 MSM9831 MSM9831-105 MSM66P573 MSM9831 ДЕМОПЛАТА MSM9831 КНОПКА ОТКРЫТОГО ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ, 6 контактов Печатная плата светодиода p10 MSC1157 MSC1157RS MSM66P573 Печатная плата звуковой системы 5.1 кнопочный переключатель 4 контакта
MF931 Аннотация: PF495 SSL20 PF752 PF515 PF516 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	SLA4Q000 SLA35000 SLA30000 SLA9000F SLA100X PF472 PF495 PF840 PF793 PF839 MF931 SSL20 PF752 PF515 PF516
2-строчный 16-символьный жк-дисплей Аннотация: ЖК-дисплей 16 x 2, ЖК-дисплей, матрица 16 x 16, 16 символов, NJU6645, кандзи, ром Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	NJU6645, 16 символов / 6 строк 96COM 256SEG 16 символов / 6 строк) NJU6645 2-строчный 16-символьный жк-дисплей ЖК-дисплей 16 x 2 ЖК-дисплей Матрица 16×16 точек 16-ХАРАКТЕР NJU6645 кандзи ром
2009 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

MacBook Pro 14 дюймов и MacBook Pro 16 дюймов

Supercharged для профессионалов.

Самый мощный MacBook Pro в истории. С молниеносным чипом M1 Pro или M1 Max — первым кремнием Apple, разработанным для профессионалов, — вы получаете революционную производительность и потрясающее время автономной работы. Добавьте к этому потрясающий дисплей Liquid Retina XDR, лучшую камеру и аудиосистему на ноутбуке Mac и все необходимые порты. MacBook Pro — первый в своем роде ноутбук.

Вплоть до 3.7x выше производительность CPU

Вплоть до 13x быстрее
графика
производительность

Вплоть до 11x быстрее
машинное обучение

Вплоть до 21 год часов
автономной работы

Профи для Макса.

Страшно быстро.

ЦП до 10 ядер

Графический процессор до 16 ядер

До 32 ГБ объединенной памяти

Пропускная способность памяти до 200 ГБ / с

Страшно быстрее.

10-ядерный процессор

До 32-ядерный графический процессор

До 64 ГБ объединенной памяти

Пропускная способность памяти до 400 ГБ / с

M1 Pro и M1 Max поднимают удивительную архитектуру M1 на новый уровень — и впервые они переносят архитектуру системы на кристалле (SoC) в профессиональный ноутбук.Оба имеют больше ядер ЦП, больше ядер графического процессора и больше унифицированной памяти, чем M1. Наряду с мощным Neural Engine для усиленного машинного обучения и обновленными медиа-движками с поддержкой ProRes, M1 Pro и M1 Max позволяют профессионалам делать то, что они никогда не могли раньше.

Зайдите внутрь M1 Pro и M1 Max

M1 Pro

Страшно быстро.

M1 Pro выводит исключительную производительность архитектуры M1 на совершенно новый уровень для профессиональных пользователей.Даже самые амбициозные проекты легко выполняются с использованием до 10 ядер ЦП, до 16 ядер графического процессора, 16-ядерного Neural Engine и специализированных механизмов кодирования и декодирования мультимедиа, поддерживающих кодеки H.264, HEVC и ProRes.

Графический процессор до 16 ядер

До 32 ГБ объединенной памяти

Пропускная способность памяти до 200 ГБ / с

Поддержка двух внешних дисплеев

Воспроизведение до 20 потоков видео в формате 4K ProRes

Xcode

M1 Макс

Страшно быстрее.

M1 Max — это самый мощный из когда-либо созданных для профессиональных ноутбуков чипов с 10 ядрами ЦП, до 32 ядрами графического процессора и 16-ядерным Neural Engine. Он обеспечивает в два раза более быструю обработку графики и вдвое большую пропускную способность памяти по сравнению с M1 Pro. И у него есть специальный медиа-движок для декодирования и два для кодирования — с кодированием видео до двух раз быстрее — и два ускорителя ProRes для еще более высокой многопотоковой производительности.

До 32-ядерный графический процессор

До 64 ГБ единой памяти

Пропускная способность памяти до 400 ГБ / с

Поддержка четырех внешних дисплеев

До 7 потоков воспроизведения видео 8K ProRes

Final Cut Pro

Выберите свой размер.Выберите свой чип.

Пусть рвется.

Final Cut ProLogic Pro

Новый MacBook Pro доступен в моделях с диагональю 35,97 см (14,2 дюйма) и 41,05 см (16,2 дюйма). Каждый из них может быть сконфигурирован с чипом M1 Pro или M1 Max и обеспечивает беспрецедентный уровень профессиональной производительности. Таким образом, вы можете управлять миллионами полигонов в Cinema 4D, редактировать до семи потоков видео 8K ProRes в Final Cut Pro или настраивать цвет в HDR на видео 8K 4444 ProRes — все это в милях от монтажного отсека.

Производительность ЦП

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором Четырехъядерный процессор Intel Core i7
, 13-дюймовый MacBook Pro

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором 8-ядерный Intel Core i9
16-дюймовый MacBook Pro Более быстрая вычислительная гидродинамика

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором Четырехъядерный процессор Intel Core i7
, 13-дюймовый MacBook Pro

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором 8-ядерный Intel Core i9
16-дюймовый MacBook Pro Другие плагины Amp Designer

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором Четырехъядерный процессор Intel Core i7
, 13-дюймовый MacBook Pro

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором 8-ядерный Intel Core i9
16-дюймовый MacBook Pro Более высокая производительность публикации

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором Четырехъядерный процессор Intel Core i7
, 13-дюймовый MacBook Pro

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором 8-ядерный Intel Core i9
16-дюймовый MacBook Pro Повышение производительности многоядерных векторов

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором Четырехъядерный процессор Intel Core i7
, 13-дюймовый MacBook Pro

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 10-ядерным процессором M1 Pro с 10-ядерным процессором 8-ядерный Intel Core i9
16-дюймовый MacBook Pro

Производительность графического процессора

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором 13-дюймовый MacBook Pro
с Intel Iris Plus

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором MacBook Pro 16 дюймов с
Radeon Pro 5600M и HBM2 8 ГБ Более быстрая работа в 3D в реальном времени

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором 13-дюймовый MacBook Pro
с Intel Iris Plus Более быстрый рендеринг с Redshift

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором MacBook Pro 16 дюймов с
Radeon Pro 5600M и HBM2 8 ГБ

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором 13-дюймовый MacBook Pro
с Intel Iris Plus

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором MacBook Pro 16 дюймов с
Radeon Pro 5600M и HBM2 8 ГБ Более быстрые фильтры и функции с ускорением на GPU

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором 13-дюймовый MacBook Pro
с Intel Iris Plus

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором MacBook Pro 16 дюймов с
Radeon Pro 5600M и HBM2 8 ГБ Более быстрая комбинированная векторная и растровая производительность графического процессора

14 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором 13-дюймовый MacBook Pro
с Intel Iris Plus

16 ″ MacBook Pro

M1 Max с 32-ядерным графическим процессором M1 Pro с 16-ядерным графическим процессором MacBook Pro 16 дюймов с
Radeon Pro 5600M и HBM2 8 ГБ

Мы можем заниматься этим весь день.

Adobe Photoshop Lightroom Классический

Сверхвысокая производительность и потрясающее время автономной работы — в этой эффективности волшебство кремния Apple. За одну зарядку вы можете компилировать в Xcode до четырех раз больше кода или редактировать изображения вдвое дольше в Lightroom Classic. В отличие от других ноутбуков, MacBook Pro обеспечивает такую ​​же потрясающую производительность вне зависимости от того, подключен он к сети или нет.

14 ″ MacBook Pro

До 17 часов воспроизведения видео До 11 часов просмотра веб-страниц по беспроводной сети

16 ″ MacBook Pro

До 21 часа воспроизведения видео До 14 часов просмотра веб-страниц по беспроводной сети

Самая крутая часть.Усовершенствованные тепловые системы перемещают на 50% больше воздуха даже при более низкой скорости вращения вентилятора. А благодаря эффективности кремния Apple вентиляторы никогда не включаются для многих повседневных задач.

Fast. И тд. Получите потрясающую скорость чтения 7,4 ГБ / с с твердотельного накопителя емкостью до 8 ТБ — до двух раз быстрее, чем у предыдущего поколения. Таким образом, вы можете мгновенно открывать видео в формате 8K или одновременно хранить сотни тысяч фотографий в формате RAW.

Совершенно новая структура власти.

В новом MacBook Pro впервые реализована система на кристалле (SoC) в профессиональном ноутбуке. В других профессиональных системах используются энергоемкие процессоры, дискретные графические процессоры и несколько микросхем, каждый из которых работает отдельно. M1 Pro и M1 Max объединяют CPU, GPU, I / O и Neural Engine в одном SoC с унифицированной памятью. В результате M1 Pro и M1 Max не только справляются с интенсивными рабочими процессами, которые когда-то были невозможны на ноутбуке, но и обеспечивают невероятное время автономной работы.

Подключен к микросхеме. Другим профессиональным ноутбукам необходимо копировать данные туда и обратно через более медленный интерфейс.Только не новый MacBook Pro. Его ЦП и графический процессор совместно используют единый пул унифицированной памяти. Это означает, что каждая часть чипа подключается к данным и памяти без необходимости их копирования, поэтому все, что вы делаете, будет быстрее и эффективнее.

M1 Pro

Вплоть до 32 ГБ единая память

Вплоть до 200 ГБ / с пропускная способность памяти

M1 Макс

Вплоть до 64 ГБ единая память

Вплоть до 400 ГБ / с пропускная способность памяти

Каждый из процессоров

M1 Pro и M1 Max использует до восьми высокопроизводительных ядер и двух высокоэффективных ядер для обеспечения более быстрой обработки при одной десятой мощности.Их графические процессоры имеют доступ к данным с меньшей задержкой и значительно улучшенной энергоэффективностью для непревзойденной производительности на ватт.

До
10-ядерный ЦП

Вплоть до 16-ядерный графический процессор

16-ядерный Нейронный двигатель

10-ядерный процессор

Вплоть до 32-ядерный графический процессор

16-ядерный Нейронный двигатель

Невероятная производительность.Непревзойденная эффективность.

Обратите внимание на XDR.

Blackmagic Design DaVinci Resolve

Жидкая сетчатка XDR. Лучший дисплей среди ноутбуков с экстремальным динамическим диапазоном и контрастностью миллион к одному. HDR-контент оживает на фотографиях, видео и играх — с изысканными зеркальными бликами, невероятной детализацией в тенях и яркими, реалистичными цветами. Каждый дисплей откалиброван на заводе и имеет профессиональные эталонные режимы для цветокоррекции HDR, фотографии, дизайна и печати.

Продвижение. ProMotion впервые появляется на Mac, делая все, от прокрутки веб-страницы до игр, плавным и быстрым, при этом снижая энергопотребление. Благодаря частоте обновления до 120 Гц адаптивная технология автоматически настраивается в соответствии с движением контента. Видеоредакторы ProMotion также могут выбрать фиксированную частоту обновления, которая точно соответствует их отснятому материалу.

Корпус дисплея.Его толщина составляет менее 4 мм, поэтому он обеспечивает структуру лучшего в мире дисплея для ноутбуков.

Мини-светодиоды. Тысячи мини-светодиодов сгруппированы в индивидуально управляемые зоны локального затемнения для точной яркости и контрастности.

Изготовленные на заказ оптические пленки и диффузоры. Семь пленок и диффузоров эффективно смешивают и формируют свет, обеспечивая при этом ультратонкий дизайн.

Высокоподвижный оксидный TFT.Оксидный тонкопленочный транзистор (TFT) позволяет пикселям заряжаться в два раза быстрее, чем раньше, обеспечивая частоту обновления до 120 Гц.

ЖК-панель. Активная область дисплея сдвинута к краю, что позволяет уменьшить толщину границ до 60%, предоставляя больше места для вашего контента.

1,000 нит устойчивая яркость

1,600 пиковая яркость нит

10 000 мини-светодиоды

10,00,000: 1 Контрастность

10,00,000,000 цвета

41.05 см (16,2 дюйма)

3456×2234

7,7 миллиона пикселей

254 пикселей на дюйм

35,97 см (14,2 дюйма)

3024×1964

5,9 миллиона пикселей

254 пикселей на дюйм

Внимание — 1080p HD камеры.

Оставаться на связи важнее, чем когда-либо. Вот почему новая камера MacBook Pro имеет вдвое большее разрешение — 1080p — и использует объектив с более широкой диафрагмой, который пропускает больше света.Вместе с более крупным датчиком изображения с более эффективными пикселями камера обеспечивает в два раза лучшие характеристики при слабом освещении.

Подключено больше, чем когда-либо.

Перенос фото и видео с помощью устройства чтения карт SDXC. Подключайтесь к телевизорам или дисплеям с выходом HDMI. Слушайте через разъем для наушников 3,5 мм, который распознает наушники с высоким сопротивлением и автоматически подстраивается под них. Подключайтесь к высокоскоростным периферийным устройствам или дисплеям с тремя портами Thunderbolt 4. И быстрая зарядка с помощью быстроразъемного порта MagSafe 3.

Мощность

Pro встречает профессиональную клавиатуру.

Впервые в MacBook Pro Magic Keyboard представляет собой полноразмерный ряд функциональных клавиш — с тактильными ощущениями механических клавиш, которые нравятся профессионалам. Он включает новые сочетания клавиш для Spotlight, Dictation и Do Not Disturb. А Touch ID имеет новое тактильное кольцо, которое направляет ваш палец, чтобы быстро, легко и безопасно разблокировать Mac.

macOS Monterey и кремний Apple.Красавица и Чудовище.

Используйте одну клавиатуру и мышь или трекпад для бесперебойной работы между Mac и iPad с помощью Universal Control. Автоматизируйте сложные задачи с помощью ярлыков. Делитесь своим экраном, смотрите вместе или работайте вместе с FaceTime. И просматривайте страницы с лучшим браузером Safari. Когда пришло время сосредоточиться, Focus позволяет вам контролировать, какие люди и приложения могут связаться с вами.

Подробнее о macOS Monterey

Pro приложений.Разработано M1 Pro и M1 Max.

Более 10 000 приложений и подключаемых модулей уже оптимизированы для микросхемы Apple. А Rosetta 2 легко переводит приложения, разработанные для процессоров Intel, для использования на вашем новом MacBook Pro.

Adobe Photoshop, Affinity Photo, Capture One, Adobe Photoshop Lightroom Classic и другие.

Affinity Designer, Sketch, Vectorworks, Adobe Illustrator, Pixelmator Pro и другие.

Octane X, Maxon Cinema 4D, Redshift, Blender и другие.

Logic Pro, Ableton Live 11, Adobe Audition, FL Studio и другие.

Adobe Premiere Pro, Blackmagic Design DaVinci Resolve, Final Cut Pro, Motion, Compressor, Adobe Media Encoder, Blackmagic Fusion Studio, Adobe After Effects и другие.

Xcode, Unity Editor, Create ML, TensorFlow, Visual Studio Code, NAG Fortran Compiler и другие.

NASA TetrUSS, Wolfram Mathematica, OsiriX MD, Shapr3D, CrystalMaker® и другие.

Жилищный кризис: 5 лучших книг для чтения

Нехватка доступного жилья ощущается по всей Америке, от дорогих прибрежных городов до сельских поселений и повсюду между ними. Домовладение по-прежнему недоступно для миллионов людей, а кризис доступности аренды поднимается все выше по лестнице доходов.

Почему? Все сложно.

Такие проблемы, как расизм и дискриминация, федеральная жилищная и трудовая политика, ипотечная отрасль, а также давняя одержимость ценностями собственности — все это способствовало нарастанию проблемы, которая сложна настолько, что большинство из нас не в полной мере осознает ее. К счастью, любознательные журналисты и социологи проникли в глубины этих проблем в книгах, которые помогают переворачивать страницы.

Чтобы лучше понять ситуацию, мы попросили экспертов — в области рынка жилья, землепользования, финансовой индустрии и критики — порекомендовать книги по этой теме и дать собственные рекомендации.Эти заголовки объясняют, как кризис доступного жилья пересекается с такими проблемами, как раса, бедность, спекуляции недвижимостью, джентрификация, финансы и даже то, кто появляется на публичных собраниях.

---

Выселенные: бедность и прибыль в американском городе

Мэтью Десмонд, (Crown Books, 2016)

«Мы тратим много времени, пытаясь решить проблему бездомности, не устраняя ее первопричины. В книге Десмонда подробно рассматривается шаткое положение нескольких семей Милуоки, которые тратят большую часть своих доходов на аренду некачественного жилья, не имеют защиты от выселения и, тем не менее, помогают сделать своих домовладельцев богатыми. — Карри Джейкобс, обозреватель Curbed и автор книги The Perfect House за 100 000 долларов

---

Цвет закона: забытая история того, как наше правительство сегрегировало Америку

Ричард Ротштейн, (Liveright, 2017)

«Книга Ротштейна учит нас истории роли федерального правительства, правительства штата и местного самоуправления в создании современного рынка недвижимости, который ценит дома в черных кварталах меньше, чем дома в белых кварталах.” — Дороти А. Браун , профессор права в Университете Эмори

---

2,00 доллара в день: жить почти ничем в Америке

Х. Люк Шефер и Кэтрин Эдин, (Houghton Mifflin Harcourt, 2015)

«Подобно выселенным , это сборник этнографических исследований нескольких семей с почти нулевым денежным доходом. Совершенно душераздирающе наблюдать за действительно ужасным набором вариантов, доступных им только для того, чтобы выжить: продать плазму или остаться без еды? » — Дженни Шуэц , научный сотрудник Программы городской политики Института Брукингса

---

Золотые ворота: борьба за жилье в Америке

Коннор Догерти, (Пингвин, 2020)

«Хотя факты важны для информационного обеспечения политических дискуссий, убедительные рассказы, которые иллюстрируют, как кризис разыгрывает жизни людей и движущие силы рынка жилья, имеют реальную власть повлиять на общественное мнение — как это сделал Мэтт Десмонд Выселено несколько лет назад назад.Новая книга Конора Догерти, Golden Gates: Fighting for Housing in America , может быть еще одной книгой, которая расширит понимание и осведомленность о коренных причинах жилищных проблем, с которыми мы сталкиваемся.

«В книге рассказывается о нескольких деятелях из района Сан-Франциско, занятых попытками расширить предложение жилья и защитить оставшиеся доступные квартиры. Для меня одна из самых захватывающих частей книги — это история скромного 48-квартирного многоквартирного дома в Норт-Фэйр-Оукс, который покупали и продавали несколько раз, с резким повышением арендной платы и перемещением многих арендаторов с низкими доходами.То, как инвестор определил здание, как они привлекли капитал для сделки и какое влияние репозиционирование собственности оказало на сообщество, дает четкое представление о том, как изменились рынки жилья в наш век больших данных и социальных сетей. инвестирование ». — Крис Герберт, управляющий директор Объединенного центра жилищных исследований в Гарварде (адаптировано, с разрешения, из , недавняя запись в блоге )

---

Гонка за прибылью: как банки и индустрия недвижимости подорвали домовладение чернокожих

Киэнга-Ямахтта Тейлор, (University of North Carolina Press, 2019)

Жилищный кризис — это вовсе не кризис для чернокожих американцев, это хроническое заболевание, по словам Кианги-Ямахтты Тейлор, профессора афроамериканских исследований в Принстоне.В ее новой книге «Гонка за прибылью: как банки и индустрия недвижимости подорвали домовладение чернокожих» объясняется, как федеральное правительство и частный сектор продолжают увековечивать это с помощью концепции, которую она называет «хищнической инклюзией».

Посредством Закона о жилищном строительстве и городском развитии 1968 года федеральное правительство хотело увеличить количество домовладельцев среди афроамериканцев и надеялось, что это сделает частный сектор. Из-за новой политики в соответствии с этим законом и Законом о справедливом жилищном обеспечении кредиторы поняли, что больше денег можно заработать на людях, не выполняющих свои обязательства по ипотеке.Они часто продавали ветхие дома по завышенным ценам людям, финансовое положение которых заставляло их пропускать платежи, в основном чернокожим женщинам.

Если эта смесь хищных кредиторов, субстандартных кредитов и эксплуатирующей недвижимости звучит знакомо, то это: те же самые проблемы подпитывали кризис потери права выкупа Big Short –era в 2000-х годах.