Транзисторы для УМЗЧ — Интерлавка

Главная » Новичкам тест

Рубрика: Новичкам тестАвтор: admin

 При разработке транзисторного усилителя мощности (УМ) первым делом необходимо подобрать подходящие транзисторы, а затем подходящие методики расчёта. Последнее очень важно, так как в противном случае будет выполнен формальный расчёт режима транзистора, и рассчитанные параметры будут существенно отличаться от практических результатов.

      Выбор транзистора для выходного (оконечного) каскада УМ осуществляется на основании заданной мощности P~н в полезной нагрузке и рабочей частоты f (или диапазона рабочих частот fмин – fмакс) УМ.

      При разработке УМ на биполярном транзисторе рекомендуется, чтобы рабочая частота УМ (в случае диапазонного или полосового УМ его нижняя рабочая частота) составляла не менее 20…30 \% от граничной рабочей частоты транзистора fгр, независимо от схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ) или с общей базой (ОБ). При этом верхняя рабочая частота УМ при включении транзистора с ОЭ обычно принимается не превышающей fгр и (2…3)fгр при включении транзистора с ОБ

      Как известно качество усилителя мощности на прямую зависит от используемых компонентов. Так же известно, что далеко не всегда под рукой есть необходимые для реонта или изготовления компоненты. По этой причине и была создана сводная таблица параметров комплементарных транзисторов:

model	pnp compl.	builder	VCE,V	IC,A	FT,MHz	PD,W	HFE	remarks
КТ8101A	КТ8102A	Rus	200	16	10 min	150	20 min
КТ8101Б	КТ8102Б	Rus	160	16	10 min	150	20 min
КТ864A	КТ865A	Rus	200	10	15 min	150	40…200	не производятся (?)
КТ850А	КТ851А	Rus	250	2	40…200	25	20 min
КТ850Б	КТ851Б	Rus	300	2	20 min	25	20 min
КТ850В	КТ851В	Rus	180	2	20 min	25	20 min
	КТ639Г	Rus	60	1. 5	80 min	12.5	40…100
	КТ639Д	Rus	60	1.5	80 min	12.5	63…160
	КТ639Е	Rus	100	1.5	80 min	12.5	40…100
	КТ639Ж	Rus	100	1.5	80 min	12.5	63…160
КТ683А		Rus	150	1	50 min	8	40..120
КТ683Б		Rus	120	1	50 min	8	80…240
КТ683В		Rus	120	1	50 min	8	40…120
КТ683Г		Rus	100	1	50 min	8	40..120
КТ683Д		Rus	60	1	50 min	8	80…240
КТ683Е		Rus	60	1	50 min	8	160…480
КТ961А		Rus	100	1. 5	50 min	12.5	40..100
КТ961Б		Rus	80	1.5	50 min	12.5	63..160
КТ961В		Rus	60	1.5	50 min	12.5	100…250
КТ940А	КТ9115A	Rus	300	0.1	90 min	10	25 min	Единственная высоковольтная высокочастотная советская пара средней мощности
КТ940Б		Rus	250	0.1	90 min	10	25 min
КТ940В		Rus	160	0.1	90 min	10	25 min
КТ698А	КТ6127А	Rus	90	1	200 min	0.8	30 min	HFE 20min для 698А
КТ698Б	КТ6127Б	Rus	70	1	200 min	0. 8	30 min	HFE 20min для 698А
КТ698Ж	КТ6127Ж	Rus	120	1	200 min	0.8	30 min
КТ698И	КТ6127И	Rus	160	1	200 min	0.8	30 min
КТ698К	КТ6127К	Rus	200	1	200 min	0.8	30 min
КТ3102АМ		Rus	50	0.1	150 min	0.25	100…200	F — коэффициент шума — 10 dB max
КТ3102БМ		Rus	50	0.1	150 min	0.25	200…500	F — коэффициент шума — 10 dB max
	КТ3107А	Rus	50	0.1	200 min	0.3	70…140	F — коэффициент шума — 10 dB max
	КТ3107Б	Rus	50	0.1	200 min	0. 3	120…220	F — коэффициент шума — 10 dB max
MJL3281A	MJL1302A	Motorola	200	15	30 typ	150	60…175
MJ3281	MJ1302	Motorola	200	15	30 typ	250	60…175
MJ15020	MJ15021	Motorola	250	4	20 min	150	30 min
MJ15030	MJ15031	Motorola	150	8	30 min	50	20 min
MJ15032	MJ15033	Motorola	250	8	30 min	50	50 min
MJE340	MJE350	Motorola	300	0.5	?	20.8	30..250
MJE182	MJE172	Motorola	80	3	50 min	12.5	50. .250
BD139	BD140	Philips	80	1.5	190 typ	8	40..250
BF420	BF421	Philips	300	0.05	60 min	0.83	50 min
BF422	BF423	Philips	250	0.05	60 min	0.83	50 min
BF469	BF470	Philips	250	0.1	60 min	1.8	50 min
BF471	BF472	Philips	300	0.1	60 min	1.8	50 min
BC546	BC556	Philips	60	0.1	100 min	0.62	110…450	low noise
2N5550	2N5540	Philips	140	0.3	100 min	0.63	60 min
2SC4468	2SA1695	Sanken	140	10	20 typ	100	50 min
2SC3856	2SA1492	Sanken	180	15	20 typ	130	50 min
2SC3857	2SA1493	Sanken	200	15	20 typ	150	50 min
2SC3858	2SA1494	Sanken	200	17	20 typ	200	50 min
2SC2837	2SA1186	Sanken	150	10	60 typ	100	50 min	«LAPT»
2SC3284	2SA1303	Sanken	150	14	50 typ	125	50 min	«LAPT»
2SC3519 (A)	2SA1386 (A)	Sanken	160 (180)	15	40 typ	130	50 min	«LAPT»
2SC3263	2SA1294	Sanken	230	15	50 typ	130	50 min	«LAPT»
2SC2921	2SA1215	Sanken	160	15	60/50 typ	150	50…140	«LAPT»
2SC2922	2SA1216	Sanken	180	17	50/40 typ	20	30…180	«LAPT»
2SC3264	2SA1295	Sanken	230	17	35/60 typ	200	50…140	«LAPT»
2SC2983	2SA1225	Toshiba	160	1. 5	100 typ	15	70…240	Для предвыходного каскада (Drivers)
2SC3421	2SA1358	Toshiba	120	1	120 typ	10	100…320	Для предвыходного каскада (Drivers)
2SC4793	2SA1837	Toshiba	230	1	70 typ	20	100…320	Для предвыходного каскада (Drivers)
2SC5171	2SA1930	Toshiba	180	2	200 typ	20	100…320	Для предвыходного каскада (Drivers)
2SC5199	2SA1942	Toshiba	160	12	30 typ	120	100…320
2SC5200	2SA1943	Toshiba	230	15	30 typ	150	55…160
2SC5242	2SA1962	Toshiba	230	15	30 typ	130	55…160
2SC4689	2SA1804	Toshiba	120	16	30 typ	70	55…160
2SC5358	2SA1986	Toshiba	230	15	30 typ	150	55…160
2SC5359	2SA1987	Toshiba	230	15	30 typ	180	55…160

      Более подробную информацию по транзисторам, используемым в усилителях мощности можно взять в подборке даташитов. В архиве подобраны наиболее популярные пары. В названиях папок указаны критические параметры комплементарной пары — максимальное напряжение и ток. Внутри папки — PDF файлы с подробнейшей информацией от завода-производителя.

0

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:

Комплементарная пара — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Комплементарная пара транзисторов в двухтактной схеме эмит-терного или истокового повторителя не требует парафазного сигнала для раскачки. Это существенно упрощает схему ОУ и является основной причиной распространения такой схемной конфигурации двухтактных эмиттерных повторителей. Оконечные каскады ОУ выполняются как на одиночных комплементарных парах транзисторов, так и на комплементарных парах на основе составных транзисторов.  [1]

Усилитель выполнен на комплементарной паре транзисторов, причем нагрузка включена в их эмиттерную цепь. Следовательно, транзисторы работают в режиме повторителей напряжения. Усиление мощности обусловлено усилением тока. В режиме покоя оба транзистора закрыты, поскольку напряжение на эмиттерных переходах равно нулю. Во время положительной полуволны входного сигнала открыт п — р — n — транзистор, ток / К1 через нагрузку протекает в направлении, указанном штриховой стрелкой. Во время отрицательной полуволны открыт р — п — / 7-транзистор и ток / К2 протекает в направлении, указанном другой стрелкой.  [2]

Это объясняется тем, что усилительные свойства комплементарной пары транзисторов примерно одинаковые и применение УЭ в качестве динамической нагрузки, а динамической нагрузки в качестве УЭ почти равнозначно. КБЗ, которая для кремниевых транзисторов средней мощности достигает десяти вольт. Следовательно, с помощью комплементарной пары транзисторов в каскаде с динамической нагрузкой можно транслировать постоянный потенциал вниз от единиц до десятков вольт, что весьма существенно для интегральных усилителей, где используются непосредственные связи между каскадами.  [3]

Можно, конечно, применять и не комплементарную пару транзисторов, например транзисторы типа ВС490, но при этом увеличится значение коэффициента формы синусоидального напряжения.  [4]

Двухтактные эмиттерные повторители в ОУ выполняются на комплементарной паре транзисторов, один из которых обычный п-р — п транзистор с вертикальной инжекцией носителей, а другой — транзистор р-п — р тина, реализованный на подложке. Иногда в одном плече двухтактного эмит-терного повторителя применяется составной транзистор, который состоит из входного р-п — р транзистора с горизонтальной инжекцией носителей и выходного п-р — п транзистора с вертикальной инжекцией носителей. Составной транзистор является транзистором р-п — р типа, и его можно сформировать в кристалле без дополнительных технологических операций. Для питания транзисторов двухтактного оконечного каскада необходимо иметь либо два источника питания, либо один источник питания и два конденсатора очень большой емкости, либо один источник и выходной трансформатор ( см. гл. Поскольку ни трансформатор, ни конденсаторы большой емкости по микроэлектронной технологии получить невозможно, то для питания транзисторов двухтактного оконечного каскада ОУ используют почти всегда два источника питания.  [5]

Для создания усилителей очень низких частот и особенно усилителей постоянных и медленно изменяющихся напряжений и токов используют двухкаекадные усилители на комплементарных парах транзисторов с непосредственными связями. Транзисторы и резисторы в коллекторных ( RK) и эмиттерных ( R3) цепях попарно симметричны и подобраны таким образом, что обеспечивается стабильный рабочий режим по постоянному току и параметры усилителя очень мало зависят от изменений напряжения источника питания и изменений температуры. Если на входе и выходе усилителя устанавливаются разделительные конденсаторы С1 и С2, то усилитель пригоден только для усиления импульсных сигналов и сигналов переменного тока.  [6]

Соответствующие варианты включения КМОП /) / Д-5-триггера при неполном использовании его функциональных возможностей показаны на рис. 5.35 г — у КМОП ИС не рекомендуется оставлять неподключенным ни одного неиспользованного входа из-за открывания входной комплементарной пары транзисторов, что приводит к протеканию большого сквозного тока и резкому увеличению потребления мощности в статическом режиме.  [7]

Принципиальная электрическая схема радиоприемника Эхо-601 — стерео.  [8]

Все каскады УЗЧ имеют гальванические связи. Выходные каскады — двухтактные на комплементарных парах транзисторов.  [9]

Темпера-ура поддерживается простым терморегулятором, выполненным на комплементарной паре транзисторов. Резистор обратной связи регулирует интервал между температурами, что позволяет достичь точность поддержания температур г 0 5; I С.  [10]

Более эффективны способы компенсации прохождения сигналов управления на выход. С этой точки зрения предпочтительны последовательно-параллельные ключи, в которых один ключ всегда работает на запирание, а другой на отпирание, и ключи на комплементарной паре транзисторов, один из которых имеет канал п-типа, а другой р-типа.  [11]

Электрические параметры интегральных операционных.  [12]

На выходе усилителя используется эмит-терный повторитель на комплементарных транзисторах Т ] з и Ti4, работающих в режиме В. Такой режим работы способствует уменьшению мощности, отбираемой от источников питания. При этом благодаря использованию комплементарной пары транзисторов Т з и Ги выходной каскад обеспечивает передачу сигналов как положительной, так и отрицательной полярности. При появлении в коллекторной цепи Т12 сигналов положительной полярности отпирается п-р-и-транзистор Т ( 4 и передает сигнал на выход, а при появлении сигналов отрицательной полярности отпирается р-п-р-транзистор Ti3, также обеспечивая передачу сигнала на выход.  [13]

Это объясняется тем, что усилительные свойства комплементарной пары транзисторов примерно одинаковые и применение УЭ в качестве динамической нагрузки, а динамической нагрузки в качестве УЭ почти равнозначно. КБЗ, которая для кремниевых транзисторов средней мощности достигает десяти вольт. Следовательно, с помощью комплементарной пары транзисторов в каскаде с динамической нагрузкой можно транслировать постоянный потенциал вниз от единиц до десятков вольт, что весьма существенно для интегральных усилителей, где используются непосредственные связи между каскадами.  [14]

Комплементарная пара транзисторов в двухтактной схеме эмит-терного или истокового повторителя не требует парафазного сигнала для раскачки. Это существенно упрощает схему ОУ и является основной причиной распространения такой схемной конфигурации двухтактных эмиттерных повторителей. Оконечные каскады ОУ выполняются как на одиночных комплементарных парах транзисторов, так и на комплементарных парах на основе составных транзисторов.  [15]

Страницы:      1    2

Коэффициент усиления по постоянному току в комплементарных транзисторах

Действительно ли это соответствует только 10%?

Быстрая проверка таблицы данных:

Действительно, hFe кажется хорошо согласованным между ними, но имейте в виду, что эти кривые представляют типичных характеристик . Изготовитель гарантирует только значения в таблице характеристик:

При указанных условиях (Ic=4A Vce=4V) минимальное значение hFe равно 20, а максимальное равно 70. Значение hFe около 50 из приведенной выше кривой соответствует действительности. посередине, поэтому мы должны ожидать распределения по Гауссу, но они не говорят о его дисперсии. Кроме того, hFe сильно меняется в зависимости от температуры:

Кривые от другого транзистора, но вы поняли идею. Так как речь идет о силовых транзисторах, то они предположительно будут использоваться в усилителе мощности и соответственно будут греться, причем не обязательно до одной температуры, также температура будет разной, и возможно один транзистор будет установлен на более прохладной части тепла раковина и т.д.

Другими словами, правда «между 20 и 70» при определенных условиях, что не имеет ничего общего с этим «hFe соответствует 10%».

Наличие одинакового hFe для обоих транзисторов означает, что оба они будут одинаково нагружать схему драйвера (которая обеспечивает их базовый ток), и это должно уменьшить некоторые формы искажений.

Это то, что вы обычно ожидаете от «дополнительной пары»: два транзистора, которые производитель попытается сделать очень похожими, но на самом деле недостаточно, чтобы называться «согласованными». Кроме того, невозможно изготовить НПН и ПНП с одинаковыми характеристиками.

Если вы хотите, чтобы два транзистора были максимально согласованы и идентичны, единственный способ — изготовить их из одной и той же кремниевой пластины и расположить рядом друг с другом, чтобы они были изготовлены в одинаковых условиях. Они должны быть одного типа (например, 2x NPN).

Пример: SSM2220 или более дешевая серия DMMT. В этом случае транзисторы маломощные, в одном корпусе, чтобы попытаться сохранить их температуру как можно ближе, и они либо на одном кремниевом кристалле, либо на той же кремниевой пластине с тщательно контролируемым согласованием, проверенным тестированием. Очень важным моментом в этих согласованных транзисторах является согласование Vbe, так как именно оно определяет входное напряжение смещения, если они используются как пара с длинным хвостом.

PS: Если вы хотите собрать аудиоусилитель, 2955/3055 в классе B очень не рекомендуется.

РЕДАКТИРОВАТЬ:

Легче сопоставить NPN и NPN, потому что это один и тот же процесс изготовления, и вы можете изготовить оба транзистора в одних и тех же условиях, на одной пластине, на одном производственном цикле.

Однако, если они не расположены рядом друг с другом на одной и той же пластине, такие вещи, как легирование, осаждение паров и т. д., никогда не будут идеально однородными на вашей пластине, и они будут меняться между пластинами… так что ваши два «идентичных» транзистора будут имеют большой разброс в своих характеристиках… это факт производства кремниевых чипов.

NPN и PNP используют разные процессы изготовления, с разными шагами, выполняемыми в разном порядке, который будет зависеть от разных параметров… так что сопоставить их еще сложнее.

Таким образом, 10% на самом деле совсем неплохо.

Можно провести аналогию: машина, производящая шурупы, легко сможет изготавливать почти идентичные шурупы из одной и той же производственной партии, если она использует одни и те же инструменты и настройки, нет необходимости в сверхточной регулировке. Но если вы хотите изготавливать гайки, точно соответствующие винтам, то вам нужно настроить машину для изготовления гаек так, чтобы она очень точно соответствовала машине для изготовления винтов, что намного сложнее…

транзисторы — Дополнительная пара — Роль конденсатора на эмиттере

спросил 2 года, 2 месяца назад

Изменено 2 года, 2 месяца назад

Просмотрено 151 раз

\$\начало группы\$

Купил этот маленький комплект для усилителя класса AB.

Второй каскад вполне ясен (и типичен), но я изо всех сил пытаюсь понять роль конденсатора C2 на эмиттерной ветви в первом каскаде. В пояснении говорят, что это «комплементарная пара в режиме общего эмиттера» . Тем не менее, я ожидаю увидеть два соединенных эмиттера и либо без конденсатора, либо с конденсатором в качестве байпаса. Это выглядит как разомкнутая цепь постоянного тока.

Я также построил модель LTSpice для проверки напряжений, и похоже, что она используется для поддержания базы Q1 на уровне Vcc/2 (приблизительно).

Я огляделся и не смог найти другого похожего примера.

Я неправильно читаю схему? Просто изучаю электронику и усилители только для собственного образования, поэтому, пожалуйста, потерпите меня.

• транзисторы
• bjt
• дарлингтон
• класс-a
• класс-ab

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

Я изо всех сил пытаюсь понять роль конденсатора C2 на эмиттере филиал в первой очереди

Если я перерисовал это так (где конденсатор C2 удален), имеет ли смысл: —

Другими словами: если вы поменяли местами C2 и R3 в исходной схеме, вы бы увидели постоянный ток напряжение около 9 вольт на C2 (половина от 18 вольт постоянного тока).