Усилитель на полевом транзисторе | Основы электроакустики

Схемотехнические решения, применяемые при построении каскадов на полевых транзисторах, во многом схожи с решениями, используемыми при построении каскадов на биполярных транзисторах. Существующие особенности связаны с отличием собственных свойств этих приборов.         При построении аналоговых усилителей на полевых транзисторах наибольшее распространение получила схема каскада с общим истоком. При этом в ней, как правило, применяются либо полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, либо МОП-транзисторы со встроенным каналом. На рис.11.13. приведена типовая схема каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.         Начальный режим работы полевого транзистора обеспечивается постоянным током IС0и соответствующим ему постоянным напряжением на стоке UСИ0 (для биполярного транзистора IK0и UКЭ0).         Ток IС0 в выходной (стоковой) цепи устанавливается с помощью источника питания ЕПИТ и начального напряжения смещения на затворе UЗ0 отрицательной полярности (для полевого транзистора с p-каналом – положительной полярности). В свою очередь, напряжение UЗ0 обеспечивается за счет того  же самого тока IС0,  протекающего через резистор в цепи истока RИ, т.е. UЗ0=IC0RИ. Это напряжение через резистор RЗ прикладывается к затвору с полярностью, приоткрывающей транзистор. Изменяя RИ, можно изменять напряжение UЗ0 и ток стока IC0, устанавливая его требуемое значение.

Рис.11.13. Усилитель на полевом транзисторе

         Резистор, кроме функции автоматического смещения на затворе, выполняет функцию термостабилизации режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя IC0. Чтобы на сопротивлении RИ не выделялось напряжение за счет переменной составляющей тока стока IC (это привело бы к ООС по переменному току), его шунтируют конденсатором CИ, емкость которого определяют из условия СИ >> 1/ωRИ, где ω – частота усиливаемого сигнала.         Резистор RЗ, включенный параллельно входному сопротивлению усилителя, которое очень велико (сопротивление p-n перехода исток – затвор), должен иметь соизмеримое с ним сопротивление.         Динамический режим работы полевого транзистора обеспечивается резистором в цепи стока RC, с которого снимается переменный выходной сигнал при наличии входного усиливаемого сигнала. Обычно RC << RЗ; RЗ ≈ RВХ. Коэффициент усиления каскада на полевом транзисторе в области средних частот определяется равенством 

КU = – SRC~ ,           где S – статическая крутизна характеристики полевого транзистора; RC~ = RCRН / (RС + RН).    

         Знак «–» в выражении 11.11 указывает, что усилительный каскад с ОИ меняет фазу усиливаемого сигнала на 180º (как в усилительном каскаде с ОЭ). В этой схеме можно обеспечить любой из описанных классов усиления, однако наиболее часто она используется в режиме класса А при построении входных каскадов усилителей. Объясняется это следующими преимуществами полевого транзистора перед биполярным: — большее входное сопротивление, что упрощает его согласование с высокоомным источником сигнала;- как правило, меньший коэффициент шума, что делает его более предпочтительным при усилении слабых сигналов; — большая собственная температурная стабильность режима покоя. Вместе с тем каскады на полевых транзисторах обычно обеспечивают получение меньшего коэффициента усиления по напряжению. Из-за схожести выходных ВАХ графический анализ работы усилительного каскада на полевом транзисторе идентичен рассмотренным ранее случаям усилителя на биполярном транзисторе.

11) Коэффициент усиления транзистора

Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.

Коэффициент усиления транзистора по току

Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hf

Б или h31_Б), с общим эмиттером буквой β (hf_Э или h31_Э).

Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (I_к) к силе тока эмиттера (I_э) при неизменном напряжении в части коллектор-база:

α = I_К / I_Э, при U_К-Б = const

Коэффициент усиления по току во втором случае (β) – отношение величины силы тока в коллекторе (I_к) к силе тока в базе (I_Б) при неизменном напряжении в переходе коллектор-эмиттер:

β = I_К / I_Б, при U_К-Э = const

На показатель влияет не только входной ток, но и температура.

Коэффициент усиления транзистора по напряжению

Данный коэффициент вычисляется по формуле

K_U = U₂ / U₁,

где U₂ — изменение напряжения на выходе, а U₁ — изменение напряжения на входе.

Коэффициент усиления триода по мощности

Это величина отношения выходной мощности (P₂) к мощности, подаваемой на вход триода (P₁):

К_Р = Р₂ / Р₁

Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (К_I) и коэффициента усиления по напряжению (K_U):

К_Р = К_I * K_U

12) Коэффициент усиления триода по мощности

Это величина отношения выходной мощности (P₂) к мощности, подаваемой на вход триода (P₁):

К_Р = Р₂ / Р₁

Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (К_I) и коэффициента усиления по напряжению (K

U):

К_Р = К_I * K_U

13) Зависимость фазового сдвига р от частоты представляет собой 4разо — частотную ( или фазовую) характеристику ( ФЧХ) усилителя. [1]

Зависимость фазовых сдвигов от частоты усиливаемых колебаний называется фазовой характеристикой. Снятие фазовой характеристики сводится к определению фазы колебательного процесса в данный момент времени. Фазовые сдвиги между входным и выходным напряжениями обусловлены наличием реактивных элементов в схемах усилителей. [2]

Зависимость фазового сдвига от частоты составляет фазово-частотную характеристику четырехполюсника ( обычно ее называют просто фазовой характеристикой) Дер Др ( со) и также определяет результат суммирования составляющих на выходе — устройства. [

3]

15) Усилитель — элемент системы управления (или регистрации и контроля), предназначенный для усиления входного сигнала до уровня, достаточного для срабатыванияисполнительного механизма (или регистрирующих элементов), за счёт энергии вспомогательного источника, или за счёт уменьшения других характеристик входного сигнала (под термином «сигнал» здесь и далее понимается любое явление (или процесс), характеристики которого необходимо увеличить).^{[источник не указан 839 дней}

^]

Термин усилитель в своём первичном (основном) значении относится к преобразованию (увеличению, усилению) одной из характеристик исходного входного сигнала (будь томеханическое движение, колебания звуковых частот, давление жидкости или поток света), при этом вид сигнала остаётся неизменным (остаётся механическим движением и т. д.; из одного вида в другой сигнал преобразуют датчики и устройства управления).

В то же время, термин «усилитель» не вполне корректно, но традиционно употребляется для устройств управления мощными электрическими нагрузками, например, «релейныйусилитель» и «магнитный усилитель».

17) ВХОДНОЕ И ВЫХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ. Входное сопротивление Zвх (проводимость

Увх) усилителя или другого устройства — это внутреннее сопротивление (проводи­мость) между его входными зажимами. В большинстве случаев оно­ может быть представлено в виде параллельного соединения ре­зистивного (активного) сопротивления Rвх (проводимости gвх = 1 / Rвх) и емкости Свх. В этом случае полная входная проводи­мость в комплексной форме Yвх = gвх + jωCвx. Обычно желательно большое Rвх (малое gвх) и малое Свх. Но если входной сигнал подается по кабелю, то для согласования с ним требуется Rвх усили­теля, равное волновому сопротивлению кабеля, обычно составляющему 75 или 50 Ом. В некоторых измерительных усилителях иногда требуется Rвх → 0 (gвх → ∞).

Выходное сопротивление Zвых усилителя — это внутреннее со­противление между его выходными зажимами. По отношению к нагрузке усилитель является источником колебаний, внутреннее сопротивление которого равно Zвых. В области средних частот вы­ходное сопротивление можно считать резистивным (активным). Если усилитель работает на нагрузку, подключаемую через коаксиальный кабель, с которым она согласована, Rвых должно рав­няться волновому сопротивлению кабеля во избежание отражений, приводящих к искажениям формы импульсов.

Для усилителей звуковой частоты желательно, чтобы их выходное сопротивление было как можно меньше. Это демпфирует (подавляет) собственные колебания подвижной системы громкоговорителя и ослабляет зависимость, выходного напряжения от сопротивления нагрузки. Последнее особенно важно для усилителей, работающих на нестабильную нагрузку, например на трансляционную сеть звукового вещания. Применяются специальные показатели: коэффициент демпфирования kд = Rн / Rвых и коэффициент сброса нагрузки

kc = |Uвыx хх / Uвых| = |1 + Zвых / Zн|.

18) На нижних и верхних (низших и высших) частотах АЧХ обычно спадает. Частоты, на которых относительное усиление М уменьшается до условного уровня отсчета d, называются граничными частотами усилителя: fн и fв — соответственно нижняя и верхняя. Будем использовать в основном угловую частоту ω, так что ωн = 2πfн и ωв = 2πfв. Типовым или стандартным уровнем отсчета считается значение d = 1 / √2 = 0,707. Диапазон частот от fн до fв называется полосой пропускания усилителя.

Вследствие спада усиления на краях полосы пропускания не все спектральные составляющие сложного колебания усиливаются в одинаковое число раз. Это приводит к искажениям его формы, которые называются амплитудно-частотными или частотными искажениями. Их косвенной мерой является значение относительно усиления на граничных частотах полосы пропускания. Изменение усиления на граничных частотах относительно его значения на средних частотах называется неравномерностью частотной характеристики, выражается в децибелах (20 lg М) и указывается в TУ на аппаратуру. Неравномерность нормированной АЧХ характеризуют также параметром ε(f) = М(f) — 1. При этом абсолютное значение ε при М(f) < 1 называют спадом АЧХ, а при М(f) > 1 — её подъемом.

19) Частотные и фазовые искажения называются линейными, так как создаются емкостями и индуктивностями схемы, которые являются линейными элементами. Они искажают форму лишь сложного колебания, а форму гармонического (синусоидального) колебания не изменяют. Линейные искажения не приводят к появлению новых составляющих в спектре сигнала. Они вызывают лишь изменение соотношения амплитуд и фаз между отдельными спектральными составляющими.

20) Частотные и фазовые искажения называются линейными, так как создаются емкостями и индуктивностями схемы, которые являются линейными элементами. Они искажают форму лишь сложного колебания, а форму гармонического (синусоидального) колебания не изменяют. Линейные искажения не приводят к появлению новых составляющих в спектре сигнала. Они вызывают лишь изменение соотношения амплитуд и фаз между отдельными спектральными составляющими.

21) Усилитель передает на выход не только усиленный полезный сигнал, но и нежелательные колебания, возникающие внутри него и поэтому называемые собственными помехами. Основными из них являются фон, наводки и шумы, а в усилителях постоянного тока — еще и дрейф нуля.

Фон — это колебание с частотой питающей сети или кратной ей. Обычно оно попадает в усилитель по цепям питания из-за недостаточного сглаживания пульсаций выпрямителя питающего напряжения. В ламповых усилителях дополнительным источником фона являются цепи накала катодов, если они питаются переменным током.

Наводками называются помехи, наводимые на цепи усилителя электрическими и магнитными полями. Источниками этих помех могут быть сетевой трансформатор блока питания, его соединительные провода, провода электросети или какие-либо электроустановки. Для количественной оценки фона и наводок используют отношение их напряжения на выходе усилителя к выходному гармоническом напряжению, соответствующему номинальный выходной мощности. Для качественных усилителей напряжение фона составляет -60 … -70 дБ.

Собственные шумы усилителя представляют собой флуктуационные колебания, обусловленные хаотическим движением свободных носителей заряда (электронов и дырок) во всех электропроводящих материалах, из которых сделаны детали усилителя. Шумы возникают на микроскопическом уровне строения материа­лов и поэтому очень слабые. Но, будучи усиленными многокаскад­ным усилителем, они могут оказаться соизмеримыми с уровнем полезного сигнала. В отличие от фона и наводок полностью устра­нить собственные шумы усилителя принципиально невозможно. Количественная оценка шумовых свойств усилителей будет дана в гл. 13.

Дрейфом нуля называют медленные изменения выходного на­пряжения усилителя из-за нестабильности напряжения питания и характеристик транзисторов. Дрейф в основном проявляется в уси­лителях постоянного тока. Количественно его оценивают напряже­нием или током дрейфа, пересчитанным ко входу. Так же оцени­вают иногда и уровень фона.

22) Динамическим диапазоном D усилителя называется отношение наибольшего выходного (или входного ) напряжения усилителя к наименьшему в пределах линейной части амплитудной характеристики:

D = Uвых2/ Uвых1 = Uвх2/ Uвх1. (1.5)

Обычно он выражается в децибелах D, дБ=20 lgD и составляет 40 … 60 дБ. Амплитуда колебания, представляющего реальный (например, речевой) усиливаемый сигнал, непрерывно изменяется от минимального до максимального значения, отношение которых называется динамическим диапазоном сигнала Dс = Uc max / Uc min. Так, для радиовещательных речевых сигналов Dс ≈ 40 дБ, для симфонического оркестра Dc ≈ 70 дБ. Чтобы усилитель мог воспроизвести на выходе все изменения уровня входного сигнала, надо обеспечить D ≥ Dc.

Для некоторых устройств, например логарифматоров, вся АХ является нелинейной и подчиняется определенному закону. Однако ее начало и конец отклоняются от нужного закона нелинейности и по-прежнему имеют вид, показанный на рис. 1.3, б. Такие устройства характеризуются двумя динамическими диапазонами: по входу и выходу, причем Dвx ≠ Dвых.

23) При отыскании нестабильности какого-либо технического показателя γ устройства принято использовать понятие чувствительности (параметрической)

, (1.6)

которая по существу представляет отношение относительных нестабильностей интересующего нас показателя γ и параметра х как источника нестабильности. Безразмерная величина называется чувствительностью показателя γ к изменению параметрах. Так, если для простейшего однотранзисторного усилителя (каскада) в (1.6) γ = К, x = Iкo, то чувствительность коэффициента усиления (К) к изменениям тока коллектора в исходной рабочей точке (Iко) .

Интересующий нас показатель может быть не обязательно параметром устройства (например, коэффициентом усиления), но и какой-либо функцией (например, передаточной). В последнем слу­чае чувствительность тоже является функцией. Частную производную дγ / дх в (1.6) называют функцией чувствительности или коэффициентом влияния параметра х на величину γ.

Относительное изменение интересующего нас технического показателя

(1.7)

Если γ зависит от нескольких параметров: хl, х2, …, то полное относительное изменение

Если интересующий нас показатель комплексный γ = γ ехр (jφ), то назы­вается модульной чувствительностью, а- фазовой чувствительностью.

24) Простейшая схема каскада на биполярном транзисторе (рис. 1.4, а) содержит транзистор VT и резистор Rк, включенный в цепь коллектора последовательно с источником питания Еп. Во входной цепи последовательно с источником переменного усиливаемого напряжения Uвх включен источник постоянного напряжения смещения Uсм. Переменная составляющая тока коллектора, протекая через резистор Rк, выполняющий функции коллектор нагрузки, создает на нем выходное напряжение. Оно снимается с коллектора через разделительный конденсатор (на схеме не показано) и подается далее на сопротивление нагрузки каскада Rн. Конденсатор пропускает только переменную составляющую.

Рассмотрим работу каскада. В исходном состоянии или режиме покоя uвх = 0. При этом напряжение на базе равно Uсм, а ток коллектора и напряжение на нем в исходной рабочей точке равны Iко и Uко = Еп – IкоRк.

Пусть теперь подается входное переменное напряжение uвх = Umвх sin(ωt) (рис. 1.4, б). Оно дополнительно открывает транзистор в первый полупериод и частично закрывает его во второй. В результате ток коллектора изменяется около значения в исход­ной рабочей точке тоже по закону синуса: .Мгновенное значение напряжения коллектор — эмиттер , где — амплитуда его переменной составляющей. В первый полупериод (рис. 1.4,б) уменьшается из-за увеличения токаи падения напряжения на. Здесьиграет роль преобразователя тока в напряжение.

При достаточно большом оказывается, т. е. каскад дает усиление по напряжению. Благодаря большому внутреннему сопротивлению выходной цепи транзистора включение сопро­тивления почти не уменьшает амплитуду переменного тока коллектора, т.е. транзистор выступает в роли управляемого генератора сигнального тока, а сопротивление- в роли преобразова­теля этого тока в сигнальное напряжение.

Процесс управления током выходной цепи транзистора можно рассматривать так же, как результат изменения его мгновенного внутреннего сопротивления постоянному току (рис. 1.4,в). Благо­даря этому происходит непрерывное перераспределение напряжения источника питания между транзистором и нагрузкой. Управ­ление внутренним сопротивлением транзистора осуществляется входным напряжением.

25) Простейшая схема каскада на биполярном транзисторе (рис. 1.4, а) содержит транзистор VT и резистор Rк, включенный в цепь коллектора последовательно с источником питания Еп. Во входной цепи последовательно с источником переменного усиливаемого напряжения Uвх включен источник постоянного напряжения смещения Uсм. Переменная составляющая тока коллектора, протекая через резистор Rк, выполняющий функции коллектор нагрузки, создает на нем выходное напряжение. Оно снимается с коллектора через разделительный конденсатор (на схеме не показано) и подается далее на сопротивление нагрузки каскада Rн. Конденсатор пропускает только переменную составляющую.

Рассмотрим работу каскада. В исходном состоянии или режиме покоя uвх = 0. При этом напряжение на базе равно Uсм, а ток коллектора и напряжение на нем в исходной рабочей точке равны Iко и Uко = Еп – IкоRк.

26)

27) В зависимости от того, какую долю периода усиливаемого ко­лебания синусоидальной формы ток протекает через усилительный элемент , различают несколько режимов его работы, которые при­нято обозначать заглавными буквами латинского алфавита. Рас­смотрим основные из них. Самым распространенным является режим А (рис. 1.4). Он характеризуется тем, что путем подачи постоянного смещения исходная рабочая точка транзистора выби­рается при сравнительно большом токе. Поэтому ток коллектора не прерывается в течение всего периода колебания. Режим А дает малые нелинейные искажения. Он применяется во всех каскадах предварительного усиления, а иногда и в оконечных каскадах.

Режимом В называется такой режим, когда исходная рабочая точка совмещается с началом передаточной характеристики транзистора (точка О на рис. 1.5).

В режиме АВ рабочую точку А (рис. 1.5) выбирают примерно на середине начального криволинейного участка передаточной характеристики транзистора. Режим С характеризуется выбором исходной рабочей точки (А1 на рис. 1.5) в области запирания транзистора, в результате чего угол отсечки Θ < 90º. Режим С применяется в радиопередаю­щих устройствах, а также в усилителях с повышенным КПД.

Режим D, или ключевой режим работы транзистора, состоит в том, что на его вход подаются прямоугольные импульсы большой амплитуды, полностью отпирающие и запирающие транзистор. Иногда употребляют понятия и других режимов или классов усиления, но пока еще нет единообразия в их обозначениях.

1)

2) Работу усилительного прибора в схеме можно интерпретировать как процесс управления протеканием тока Iвых с помощью из­менений входного сигнала Iвx или Uвх. В процессе указанного управления значения токов и напряжений в каскаде изменяются. Точка плоскости выходных или других ВАХ усилительного при­бора, связывающая текущие значения токов и напряжений в ка­скаде, называется рабочей точкой (РТ). Рабочая точка, соответствующая отсутствию сигнальных воздействий, называется исходной рабочей точкой (ИРТ). В дальнейшем, обозначения токов и напряжений, соответствующие ИРТ, будем отмечать дополнительным индексом «0». Так, значение коллекторного тока, соответствующее исходной рабочей точке, будет обозначаться как Iко. Зна­чение разности потенциалов между коллектором и эмиттером в этой точке — как Uкэо и т. д.

4) Напряжения, токи, а также цепи, обеспечивающие положение ИРТ в усилительной области, называются соответственно напря­жениями, токами и цепями смещения. Напряжения и токи смеще­ния часто также называют начальными.

5) Область возможных значений выходного тока и напряжения ограничена необходимостью выполнения ряда условий, вытекаю­щих из требования обеспечения надежной и безопасной работы усилительного прибора в схеме. В качестве параметров, определяющих эти ограничения, выступают паспортные данные на тран­зистор о предельно допустимых значениях выходного тока Iвыхтах и выходного напряжения Uвыхтах, а также тепловой мощности Ptтах, выделяемой в выходной цепи усилительного прибора. При отсутствии сигнала, а также при малой его интенсивности (когда ΔIвых << Iвыхо) в выходной цепи транзистора выделяется мощность Pt = UвыхоIвыхо, где Uвыхо, Iвыхо — значения выходного напряжения и тока в исходной РТ. Таким образом, область безопасной работы (ОБР) — это область выходных ВАХ, в пределах которой выполняются условия Iвых < Iвыхтах, Uвых < Uвыхmах и Рt = IвыхоUвыхо << Ptтах. На рис. 2.1 и 2,2 границы ОБР выделены штриховкой.

6) На основании проведенного рассмотрения может быть сформу­лировано следующее правило определения положения ИРТ с помощью графических построений:

Чтобы определить положение ИРТ, необходимо в соответствии с (2.2) на плоскости выходных характеристик усилительного при­бора построить график ВАХ нагрузки, совместив начало его координат с точкой (Uкэ = Еп, Iк = 0) и изменив направление оси на­пряжений этого графика на противоположное. Точка пересечения графика, построенного таким образом, с графиком текущей выходной ВАХ усилительного прибора определит текущее положение РТ.

7) В результате с сопротивлением разделительного конденсатора можно не считаться и при составлении эквивалент­ной схемы для переменного тока его можно заменить коротким замыканием.

При рассмотрении работы каскада на переменном токе исполь­зуют так называемую эквивалентную схему каскада для переменного тока. При ее составлении из схемы прототипа исключаются все разделительные и блокировочные конденсаторы (они замеща­ются накоротко замкнутыми цепями), а все источники постоянного напряжения заземляются, так как на внешних зажимах этих источников сигнальные потенциалы отсутствуют. Эквивалентная схема каскада рис. 2.5, б для переменного тока приведена на рис. 2.5, в. В схеме выходной сигнальный ток iвых транзистора протекает через параллельное соединение резисторов Rн и RвхN+1. ВАХ этого соединения, называемого эквивалентным сопротивле­нием Rэкв в нагрузки, определяет характер преобразования сигналь­ного тока iвых транзистора в сигнальное напряжение uвых. Поэтому еe можно рассматривать как нагрузочную характеристику транзи­стора на переменном токе, а само параллельное соединение – как нагрузку транзистора на переменном токе.

8) В процессе воздействия сигналов на входные зажимы усили­тельного прибора значения токов и потенциалов в каскаде изме­няются, а РТ занимает различные положения. Линия на плоскости выходных ВАХ, по которой движется РТ в процессе воздействия сигналов на вход усилительного прибора, называется нагрузочной линией или нагрузочной характеристикой. При резистивной нагрузке, когда взаимосвязь тока, протекающего через нагрузку, с создаваемой этим током разностью потенциалов однозначна (между изменениями тока и напряжения нет фазовых сдвигов и запаздываний), нагрузочная характеристика имеет вид линии, в ка­честве которой при линейной нагрузке выступает прямая линия.

В общем случае под нагрузочной характеристикой на переменном токе понимается ВАХ на переменном токе полного сопротивления, включенного между выходной клеммой транзистора и точкой нулевого потенциала. Обычно нагрузочную характеристику на переменном токе рассмат­ривают только при резистивном характере нагрузки. Поэтому график этой характеристики в отличие от траектории рабочей точки имеет вид не замкнутого контура, а сплошной линии.

9) В схеме рис. 2.5, б, соотношение между нагрузками на перемен­ном Rн~ и постоянном Rн- токах таково, что Rн~ < Rн- . Схема, в которой Rн~ > Rн- приведена на рис. 2.6, а, а графические по­строения, соответствующие проведению анализа ее работы на постоянном и переменном токах,- на рис. 2.6, б. Построение нагру­зочной характеристики по постоянному току (Rн-) осуществлено в предположении, что первичная обмотка трансформатора имеет пренебрежимо малое сопротивление на постоянном токе, поэтому график этой нагрузочной характеристики представлен вертикаль­ной линией. Точка пересечения этой линии с ВАХ транзистора, соответствующей начальному базовому току Iбо, определяет поло­жение ИРТ. Ход графика нагрузочной характеристики на перемен­ном токе (Rн~) определяет сопротивление Rн~, численно равное сопротивлению нагрузки, пересчитанному к выходу первичной ω1 обмотки трансформатора, при этом

Rн = (ω1 / ω2)²ηтрRн, (2.3)

где ω1, ω2 — число витков первичной и вторичной обмоток транс­форматора; ηтр — кпд трансформатора; Rн — сопротивление на­грузки, подключенной ко вторичной ω2 обмотке трансформатора.

10) При комплексной нагрузке, например, при резистивно-емкост­ном ее характере между сигнальными изменениями тока и напря­жения наблюдаются фазовые сдвиги, в результате чего РТ в про­цессе усиления сигналов перемещается на плоскости выходных ВАХ транзистора не по линии, а по контуру, называемому траек­торией движения рабочей точки. Конфигурация этой траектории зависит от формы сигнала, его интенсивности и скорости изменения во времени, а также от степени отклонения характера нагрузки от резистивного.

В процессе воздействия сигналов на входные зажимы усили­тельного прибора значения токов и потенциалов в каскаде изме­няются, а РТ занимает различные положения. Линия на плоскости выходных ВАХ, по которой движется РТ в процессе воздействия сигналов на вход усилительного прибора, называется нагрузочной линией или нагрузочной характеристикой. При резистивной нагрузке, когда взаимосвязь тока, протекающего через нагрузку, с создаваемой этим током разностью потенциалов однозначна (между изменениями тока и напряжения нет фазовых сдвигов и запаздываний), нагрузочная характеристика имеет вид линии, в ка­честве которой при линейной нагрузке выступает прямая линия.

11) Проведенное рассмотрение показывает, что при комплексной нагрузке РТ может существенно отклоняться от нагрузочной ха­рактеристики, что в ряде случаев может приводить к ее выходу за пределы области безопасной работы и перегрузке выходной цепи по току (при емкостном характере нагрузки), напряжению (при индуктивном) и по току и напряжению (при индуктивно­-емкостном). В целях предотвращения выхода из строя транзисто­ров в цепь нагрузки часто включают специальные элементы защиты, такие как диоды, стабилитроны, варисторы.

12) При усилении сигналов большой интенсивности часто необхо­димо обеспечить возможность получения на выходе каскада пре­дельных сигнальных изменений тока и напряжения, соизмеримых с Iвыхmах и Uвыхmах. В указанных условиях выбор положения ИРТ осуществляют с учетом полярности сигнала и его формы. При этом, когда ожидаемые сигнальные изменения тока на выходе транзи­стора двунаправлены, т. е. имеют как положительные, так и отри­цательные приращения, например соответствуют синусоидальному закону, то ИРТ располагают в середине усилительной области та­ким образом, чтобы

Iвыхо ≈ Iвыхтах / 2; Uвыхо ≈ (Uвыхтах + Uначmах) / 2. (2.6)

В этом случае обеспечивают возможность получения выходного тока и напряжения с амплитудами Iт и Um, достигающими пре­дельных значений Iттах = Iвыхта х/ 2; Uттах = (Uвыхтах — Uначmах) / 2. (рис.2.8, а).

В случае усиления однополярных сигналов ИРТ располагают при одном из крайних возможных значении тока усилительной об­ласти ВАХ, т. е. таким образом, чтобы Iвыхо ≈ Iвыхтах (ИРТ1 на рис. 2.8, б) либо Iвыхо ≈ 0 (ИРТ2 на рис. 2.8, б). При таких положе­ниях ИРТ обеспечивается возможность получения наибольших амплитуд импульсного сигнала Uттах = Uвыхо — Uнач. Конкретный выбор из двух возможных положений ИРТ зависит от соотношения полярности сигнала и типа проводимости транзистора.

Если это сочетание таково, что все сигнальные воздействия на­правлены на увеличение тока в транзисторе, то ИРТ располагают при минимально возможных значениях тока на выходе, в против­ном случае — при значениях Iвыхо, приближающихся к Iвыхтах. По­следний вариант менее желателен, так как при нем каскад обла­дает повышенным токопотреблением.

13) При организации схемы усилительного каскада один из его эквипотенциальных участков обычно присоединяется к точке ну­левого потенциала. Такое подключение называется заземлением участка цепи, а точка заземления — общей точкой. Следует отме­тить, что заземление одного из эквипотенциальных участков (од­ного из узлов) цепи не отражается на ее работе. Обычно зазем­лению подвергаются один из зажимов источника питания и один из выводов усилительного прибора.

На рис. 2.5, а приведен пример такого схемного построения, об­разованного на базе схемы рис. 1,4, а путем заземления в ней цепи эмиттера. Обычно в преобразовании выходного сигнального тока ∆Iк = iвых в выходное сигнальное напряжение uвых участвует не только двухполюсник Rн, но и другие цепи.

14) Появление сигнального приращения ∆Iб базового тока Iбо из­меняет ход выходной ВАХ транзистора. В результате этого точка пересечения графиков ВАХ занимает новое положение, определяя сигнальные изменения ∆Iк и ∆Uкэ коллекторного тока и разности потенциалов коллектор — эмиттер.

Аналоговый сигнал ∆Iб(t) изменяется плавно и непрерывно, в ответ на такие изменения происходят плавные и непрерывные изменения положения РТ, в результате чего процесс усиления сигнала можно трактовать как процесс управления ходом выходной ВАХ транзистора, приводящий к изменениям положения ра­бочей точки и появлению сигнальных составляющих тока и напря­жения на выходе усилительного каскада.

15) При выборе положения ИРТ следует также руководствоваться необходимостью обеспечения безотказной работы усилительных схем. С этой точки зрения требуется, чтобы в процессе усиления сигналов РТ, и в первую очередь ИРТ, не выходили за границы области безопасной работы, т. е. в каскаде выполнялись условия Iвыхо < Iвыхтах, Uвыхо ≈ Uвыхтах, а положение ИРТ удовлетворяло условию IвыхоUвыхо ≤ Ptтах (ИРТ находилась бы в пределах неза­штрихованных на рис. 2.1 и 2.2 областей).

При выборе положения ИРТ следует также иметь в виду, что мощность Pt = IвыхоUвыхо имеет наибольшее значение при Uвыхо = Еп / 2 (при Iвыхо = Еп / 2Rн-).

ИЗ всего сказанного следует, что для того, чтобы определить условия, при которых транзистор обеспечи­вает наибольшее значение мощно­сти Р~ без выхода РТ за пределы усилительной области ВАХ, необходимо вписать в эту область тре­угольник мощности с наибольшей площадью, например, как это показано на рис. 2.9.

Гипотенуза этого треугольника может пересекать линию огра­ничений по предельно допустимой мощности Р~тах при условии, что ИРТ лежит ниже этой линии, а РТ выходит за пределы указанной границы в процессе усиления лишь на небольшие отрезки времени, как это, например, наблюдается при усилении коротких импульсных сигналов, следующих с большой скважностью. Угол наклона гипотенузы треугольника мощности с наибольшей пло­щадью определяет оптимальное значение сопротивления нагрузки на переменном токе R~opt. При этом значении нагрузки УП способен выделить во внешнюю цепь наибольшую сигнальную мощ­ность Р~.

Следует отметить, что значение R~opt обычно не совпадает с тем, которое вытекает из условия равенства сопротивлений на­грузки и источника. Таким образом, ограничения по увеличению площади треугольника мощности и соответственно по возможно­стям получения больших мощностей Pt связаны с тем, что реаль­ные УП имеют ограничения по току, напряжению и мощности.

В условиях отсутствия ограничений по мощности Pt в качестве формулы для оценки значения R~opt может быть использовано со­отношение

16) Большие токи Iко и Iсо желательны с точки зрения уменьшения влияния факторов, дестабилизирующих работу каскада на по­стоянном токе. С этой точки зрения необходимо, чтобы в каска­де на биполярном транзисторе выполнялось условие Iко>> Iкоh31Э, где Iко— неуправляемый ток обратносмещенного р-n перехода; h31Э — номинальное значение коэффициента усиления транзистора по току в схеме с заземленным эмиттером.

Если к усилителю малых сигналов не предъявляются какие­-либо специальные требования, то значение токов Iко и Iсо выби­рают в интервале 0,5 … 5 мА. Исключение составляют случаи построения так называемых микромощных усилителей, где токи Iко и Iсо могут достигать десятка микроампер и менее.

17) Взаимосвязь изменений ΔIвых тока Iвых от сигнальных изменений ΔIвx или ΔUвх входного тока Iвx или входного напряжения Uвх должна быть не только причинно-следственной, но и по возможности линейной. Только при линейной (пропорциональной) функ­циональной зависимости значений ΔIвых от ΔIвx или ΔUвх возможно неискаженное воспроизведение усиливаемого сигнала на выходе, каскада при работе его усилительного прибора на линейную рези­стивную нагрузку. Косвенным признаком возможности неискажающей работы усилительного прибора в усилительном каскаде яв­ляется эквидистантность графиков семейства ВАХ, представленных на рис. 2.1 и 2.2. Очевидно, что условие эквидистантности выполняется лишь в ограниченной области значений токов и напря­жений. Область выходных ВАХ УП, где указанное условие выполняется с приемлемой для практики точностью, называется усилительной областью. Протяженность этой области ограничена с одной стороны так называемой линией насыщения (1 на рис. 2.1 и 2.2), а с другой — линией отсечки (2 на рис. 2.1 и 2.2). При значениях тока коллектора, соответствующих областям выходных ВАХ, лежащим левее линии 1 и ниже линии 2, не только нарушается пропор­циональная зависимость выходных сигнальных приращений от входных, но вообще прекращается управляющее воздействие вход­ного сигнала на выходной ток, т. е. усилительный прибор полностью теряет усилительную способность.

18) В ряде случаев условия работы схемы отличаются от типовых. Часто базовые выводы транзисторов VТ1 и VТ2 подключены к точ­кам с ненулевым значением постоянных потенциалов, например к средней точке резистивного делителя постоянного напряжения. Такая ситуация часто встречается на практике, когда рассматриваемая схема питается от однополярного источника питания (рис. 6.8, б), а также в многокаскадных усилительных трактах, когда в их состав входят несколько непосредственно или кондуктивно связанных каскадов. В этих условиях особое внимание обра­щается на обеспечение симметрии схемы на постоянном токе, которая достигается строгим выравниванием токозадающих потенциалов U01 и U02 в точках подключения базовых выводов транзисторов VТ1 и VT2, например подбором сопротивлений в резистивных делителях, питающих базовые цепи транзисторов в схеме рис. 6.8, б. Необходимость выполнения условия симметрии связана с тем, что рассматриваемая схема весьма чувствительна к разности потенциалов между базовыми выходами транзисторов VТ1 и VT2, т. е. к разности потенциалов . Возникновение этой разности потенциалов хотя и не приводит к заметным изменениям тока I0, но вызывает его перераспределение между двумя ветвями схем. В результате этого коллекторно-эмиттерный ток одного транзистора увеличивается, а другого — уменьшается. Появление разности потенциалов между базами транзисторов в 70…80 мВ вызывает практически полную асимметрию в работе схемы на постоянном токе, при которой один, из транзисторов оказывается закрытым, а другой — в состоянии насыщения, вследствие, чего схема теряет способность усиливать сигналы.

19) Важнейшими требованиями, которым должна отвечать схема современного электронного устройства, являются его серийнопригодность и возможность изготовления этого устройства при минимальном числе настроечно-наладочных операций. Условию высокой серийнопригодности в первую очередь отвечают такие усилительные схемы, в которых обеспечиваются высокая стабильность работы на постоянном токе, малая зависимость этих режимов от свойств конкретного транзистора и условий его работы.

В соответствии с рис. 2.1 биполярный транзистор можно рас­сматривать как усилительный прибор, управляемый током. По­этому имеются стремления задавать положение ИРТ за счет выбора определенного значения тока базы Iбо, например, как это реализовано в схеме рис. 3.1, а. Эту схему можно рассматривать как схему с фиксированным током базы, т. е. таким, который прак­тически не зависит от свойств конкретного транзистора и воздействия дестабилизирующих факторов. Указанная независимость обусловлена тем, что сквозная передаточная ВАХ биполярного транзистора, представляющая функциональную связь напряжения база — эмиттер Uбэ с током коллектора Iк (рис. 3.1, б), подобна ВАХ стабилитрона, т. е. такова, что напряжение Uбэ при любом токе коллектора практически неизменно, поскольку указанная зависимость имеет логарифмический характер

Uбэ = тUт ln (Iк / Iоэ), (3.1)

где т — параметр, значение которого близко к единице при малых токах Iк и достигает 2 … 5 при приближающихся к максимально допустимым; Iоэ — обратный ток насыщенного перехода база-эмиттер; Uт ≈ 0,026 В — температурный потенциал.

20) Разность потенциалов Uо = Uбо — на резисторе R2 в этих условиях также не зависит от свойств конкретного тран­зистора, при этом в соответствии с той ролью, которую играет эта разность потенциалов в обеспечении заданного значения тока Iко, ее можно назвать токозадающей разностью потенциалов. В дальнейшем эту разность потенциа­лов будем обозначать Uо. Очевидно, что для создания тока в транзисторе значение разности потенциа­лов Uо должно быть не ниже номинального напряжения Uбэо.

С точки зрения обеспечения в схеме рис, 3.2 стабильного и определенного тока Iко существенным является то, что при работе биполярного транзистора в режиме усиления сигналов разность потенциалов Uбэо база — эмиттер в малой степени зависит от тока коллектора, поскольку эта зависимость по характеру приближается к логарифмической, определяемой соотношением (3.1).

Таким образом, можно считать, что в усилительном каскаде на биполярном кремниевом транзисторе малой и средней мощности потенциал Uбо передается (транслируется) к его эмиттеру, за вы­четом номинального напряжения Uбэо, которое для кремниевых транзисторов приблизительно равно 0,65 … 0,70 В. Благодаря этому независимо от свойств конкретного транзистора. ((В каскадах на кремниевых транзисторах малой и средней мощ­ности эта разность потенциалов имеет значение, приблизительно равное 0,7 В. В дальнейшем это приближенное значение напряже­ния Uбэ, соответствующее работе транзистора в режиме усиления сигналов, будем называть номинальным напряжением база — эмиттер и обозначать Uбэо.))

21) Несмотря на простоту организации и кажущуюся очевидность заложенных принципов функционирования, схемы рис., 3.1, а с фиксированным током базы не находят широкого применения, так как они не могут обеспечить высокой стабильности и опреде­ленности положения ИРТ. Это связано с тем, что у биполярных транзисторов наблюдается существенный разброс значений коэффициентов передачи В тока базы, и так как Iкo ≈ Iбо В, то при фиксированном токе Iбо токи Iко в различных экземплярах усили­тельных схем при бесподстроечной технологии их изготовления могут существенно отличаться. Таким образом, рассмотренный принцип обеспечения заданного положения ИРТ не может гаран­тировать возможность получения серийнопригодных усилительных схем, ведь стабилизации должен подвергаться ток коллектора, а не ток базы.

На рис. 3.2 приведена так называемая схема эмиттерно-базовой стабилизации, с помощью которой в каскадах усиления обеспечиваются высокая стабильность и определенность тока коллек­тора Iко. В ней потенциал базового вывода транзистора питается от низкоомной цепи, например, с помощью резистивного делителя, относительно которого выполняется условие Iдел >> Iбо ≈ Iко/В, бла­годаря чему при фиксированных значениях питающих напряжений и потенциал базы Uбо прак­тически не зависит от тока базы Iбо, т. е. от свойств конкретного транзистора, что и дает основания называть эту схему схе­мой с фиксированным потенциалом базы.

22) Основным соотношением, на базе которого осуществляется анализ на постоянном токе с помощью графических построений, является соотношение

Uзи = Uо — Uи= Uо — Iио · Rи (3.5)

при этом также считается, что Iио = Iсо и поэтому для определения тока стока достаточно найти ток истока.

Построение графиков ВАХ проводится в соответствии с (3.5) на плоскости сквозных характеристик транзистора, представляющих зависимость выходного тока транзистора (тока стока Ic) от входного напряжения (напряжения затвор — исток Uзи). Выход­ное напряжение Uси транзистора должно выступать в этих харак­теристиках в качестве параметра. Но учитывая, что в полевом транзисторе, работающем в линейном режиме, токи стока и истока в малой степени зависят от разности потенциалов между стоком — истоком, при графической интерпретации сквозных характеристик полевого транзистора можно ограничиться использованием одной характеристики.

Соответствующие графики и построения, направленные на опре­деление положения ИРТ в схеме рис. 3.3, а, представлены на рис. 3.3, б. Эти построения предполагают, что в истоковой цепи транзистора включен линейный резистор Rи с ВАХ рис. 3.3, в, а на затвор транзистора с помощью делителя R1R2 подан потенциал Uо. Точка пересечения графика ВАХ сквозной характеристики с отображенной на ней в соответствии с (3.5) ВАХ двухполюсника Rи определит искомое положение ИРТ, т. е. значение тока Ico и раз­ности потенциалов Uзио, выступающей в роли напряжения сме­щения.

23) Важной технической задачей, решаемой при проектировании усилительных схем, является обеспечение возможности их беспод­строечного выпуска в условиях наличия разброса характеристик у транзисторов, используемых при изготовлении этих схем. Основным фактором, обусловливающим неопределенность режимов работы на постоянном токе схемы рис. 3.2, является разброс транзисторов по параметрам Uбэо и Iоэ.

Iко ≈ Iэо = (Uо — Uбэо) / Rо ≈ (UR2 — 0,7) / Rо. (3.2)

Из (3.2) следует, что отклонения ΔIк коллекторного тока Iко из-за вариаций ΔUбэ разности потенциалов Uбэо тем меньше, чем большее значение сопротивления имеет резистор Ro, а именно

ΔIк = ΔUбэ / Rо, ΔIк / Iко = ΔUбэ / ΔUR0. (3.3)

Поэтому с точки зрения стабильности и определенности положения ИРТ желательно, чтобы выбор значений Ro и Uэо обеспечивал выполнение условий Rо >> ΔUбэ / Iэо и URO >> ΔUбэ. Обычно приемлемая определенность тока коллектора в отдельно взятом каскаде организованном по схеме рис. 3.2, наблюдается при значениях напряжения Uэо, превышающих 1 … 2 В.

Из (3.1) Uбэ = тUт ln (Iк / Iоэ), (3.1) и (3.3) следует, что в этой схеме вариации пара­метра Iоэ в пределах от Iоэ1 до Iоэ2 приводят к изменениям тока коллектора, которые можно оценить по формуле

ΔIк = (тUт/Ro)ln (Iоэ1 / Iоэ2). (З.4)

Таким образом, с точки зрения обеспечения стабильности и определенности тока Iко, малой зависимости этого тока от конкрет­ных свойств транзистора и возможных температурных изменений желательно, чтобы в схеме рис. 3.2 выполнялись соотношения: UR0 >> ΔUбэ и Iдел >> Iбо ≈ Iко / В, где В ≈ h21Э.

24) Типовое схемное построение каскада на полевом транзисторе, обеспечивающее высокую стабильность и определенность положения ИРТ, приведено на рис. 3.3, а.

Основным соотношением, на базе которого осуществляется анализ на постоянном токе с помощью графических построений, является соотношение

Uзи = Uо — Uи= Uо — Iио · Rи (3.5)

при этом также считается, что Iио = Iсо и поэтому для определения тока стока достаточно найти ток истока.

Построение графиков ВАХ проводится в соответствии с (3.5) на плоскости сквозных характеристик транзистора, представляющих зависимость выходного тока транзистора (тока стока Ic) от входного напряжения (напряжения затвор — исток Uзи). Выход­ное напряжение Uси транзистора должно выступать в этих харак­теристиках в качестве параметра. Но учитывая, что в полевом транзисторе, работающем в линейном режиме, токи стока и истока в малой степени зависят от разности потенциалов между стоком — истоком, при графической интерпретации сквозных характеристик полевого транзистора можно ограничиться использованием одной характеристики.

Соответствующие графики и построения, направленные на опре­деление положения ИРТ в схеме рис. 3.3, а, представлены на рис. 3.3, б. Эти построения предполагают, что в истоковой цепи транзистора включен линейный резистор Rи с ВАХ рис. 3.3, в, а на затвор транзистора с помощью делителя R1R2 подан потенциал Uо. Точка пересечения графика ВАХ сквозной характеристики с отображенной на ней в соответствии с (3.5) ВАХ двухполюсника Rи определит искомое положение ИРТ, т. е. значение тока Ico и раз­ности потенциалов Uзио, выступающей в роли напряжения сме­щения.

Рассмотренный графический принцип определения положения ИРТ применим и при нелинейном характере БАХ двухполюс­ника Rи. Соответствующие построения для случая, когда в качестве сопротивления Rи использован двухполюсник с ВАХ рис. 2.4, а, от­мечены на рис. 2.4, б штриховой линией.

Я радиолюбитель. Азбука схем. Часть 2.

	Для усиления и генрации сигналов обычно служат биполярные транзисторы. Транзистор представляет два, встречно включенных p-n перехода с очень тонким средним общим слоем, называемым БАЗОЙ. Два других слоя называют КОЛЛЕКТОРОМ И ЭМИТТЕРОМ соответсвенно.
	Транзисторы могут быть, в соответствии с используемымм слоями, n-p-n или p-n-p типа. Малый ток базы, создаваемый небольшим базовым источником питания, уменьшает границы тонкого базового слоя и соответственно сопративление перехода коллектор-эмиттер. Т.о. возникает ток создаваемый коллекторным источником, пропорциональный базовому.
n-p-n	Проверить работоспособность транзистора можно просто прозвонив его тестером, т.к. по сути он представляет два встречно включенных диоода.
p-n-p	Проверить работоспособность транзистора можно прозвонив его простто тестером, т.к. по сути он представляет два встесно включенных диоода.
	Для правильной работы транзистора необходимо задать его рабочую точку с помощью резистивных цепей. Для этого резистивным делителем Rб1,Rб2 создается такой базовый ток, чтобы ток коллектора обеспечил падение напряжения на резисторе Rк равное примерно половине напряжения питания. Iб=Iвх; Iк=Iвых
	Тогда , а статический коэффициен усиления транзистора . Таким образом, связаны коллекторный и базовый токи транзистора.
	Нормальная работа схемы обеспечивается заданием режимов транзистора. Как было сказано выше это обеспечивается специальными схемами включения триодов, обеспечивающих рабочую точку. Это стандартная схема стабилизации режимов. Делитель R1,R2 обеспечивает задание начального смещения на базе транзистора. R4 стоит в цепи отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному току и повышает стабильость работы. R3 — резистор нагрузки. Конденсаторы C1 и C2 разделительные. C3 — блокировочный, он шунтирует R4 по переменному току для поднятия усиления.
	Однако такое включение приводит к уменьшения входного и увеличению выходного сопративлений каскада. Коэффициент же усиления хоть становится большим, но сильно зависит от параметров данного транзистора. Для повышения повторяемости введем резистор R5. Его номинал 100-500 Ом. Такое включение позволяет за счет ООС повысить входное сопративление. Оно примерно будет равно R5Хh31. Коэффициент усиления примерно можно расчитать по формуле К=R3/R4.
	Впрочем, задать рабочую точку транзистора можно просто задав базовый тока транзистора ограничев его резистором R1. С R2 снимаеся выходной сигнал. Конденсаторы С1 и С2 необходимы для развязки по посточнному току. Схема вполне работоспособна, но конкретно для каждого транзистора необходим подбор своего номинала R1.
	Схема с коллекторно-эмиттерной стабилизацией режимов работы дает более стабильные результаты. Небольшой резистор R3 служит для стабилизации режимов по постояному и переменному току, повышению входного соративления каскада. С достаточной степенью точности входное сопративление Rвх=R3Хh31, а коэффициент усиления К=R2/R3.
	Повторитель (включение с общим коллектором — ОК). Постулат: Напряжение Uбэ у кремниевых транзисторов не может превышать напряжение 0,6В. (Если превысило болше, чем на 0,1В — меняй транзистор). Следовательно выходное напряжение, снимаемое с разделительнорго конденсатора C2, будет с большой точностью повторять входное, подаваемое через разделительный кондкенсатор C1. Входное сопративление каскада примерно Rвх=R3Хh31, выходное Rвых=R3/h31 Каскад служит для согласования устройств как входной или выходной.
	При достаточно больших номиналах R3 суммарное сопративление делителя R1,R2 (по переменному ттоку включеных параллельно) начинает ограничивать входное сопративлении каскада. избежать это влияние можно введя цепь R4C4.
	Фазоинвертор очень просто построить по схеме при R3=R4 (т.к. коэффициент усиления каскада равен K=R3/R4=1, а сигнал снимаемый с коллектора противофазен входному).
	Иногда транзистор включают по схеме с общей базой (ОБ). Такой каскад имеет наибольшую полосу пропускания. Часто используется как динамическая нагрузка.
	Очень хорошие результаты показывает каскад из двух комплементарных транзисторов. VT1 работает как входнгой повторитель и усилитель сигнала, а VT2 является его нагрузкой и одновременно обеспечивает низкое выходное сопративление. Коэффицтент усиления K=R2/R3. R1 обеспечивает установку рабочей точки каскада. Конденсаторы C1 и C2 разделиьельные. Впрочем все не так просто, но распишу потом подробно.
	Полевой транзистор устроен очень просто. Полупроводниковый канал,, который управляется полем, приложенным к затвору. Схема с общим истоком (ОИ). Коэффициент усиления примерно Kус=R2/R3.
	Тек выглядит схема с общим стоком (повторитель).
	Полевые транзисторы бывают и с изолированным затвором. Но схемотехнических больших отличий я не знаю. Вот повторитель — схема ОС.
	Так выглядит фазоинверттор. Каскад с прямым и инверсным выходами и коэффициентом усиления Кус=1.
	Очень интересно совместное применение полевого и биполярного транзистора. Можно подобрать транзисторы с разным знаком температурных коэффициентов. Тогда мы получаем идеальный термостабильный входной каскад для устройств измерительной техники с большим входным сопротивлением. Коэффициент усиленния примерно Kус=R2/R3.
	То же самое, но полевой транзистор с изолированным затвором.
	Применение электронных ламп ничем не отличаеися от применения полевых транзисторов, только анодное напряжение может достигать нескольких сотен вольт и даже киловольт. Триод.
	Если ввести еще одну сетку получится тетрод.
	Очень мудрая и очень распространенная схемка.
	11
	11X

Кафедра технологии бетона и строительных материалов — Технологии определяют всё

Является одним из старейших подразделений современного Брестского технического университета.

История кафедры начинается с 1967 года, когда ещё в Брестском инженерно-строительном институте (сегодня Брестский государственный  технический университет)  была основана кафедра «Строительные материалы».

Кафедру возглавляли:
Жоров Владимир Леонтьевич, к.т.н., доцент (с 1967  по 1977 год)
Зайцев Анатолий Алексеевич, к.т.н., доцент (с 1977 по 1987 год)
Волкова Флора Николаевна, к.т.н., доцент (с 1987-1988 год).

В 1988 году кафедра «Строительные материалы» была объединена с кафедрой «Технология строительного производства». Объединённая кафедра стала называться «Технология строительного производства и строительные материалы», которую возглавляли:
Бобко Фадей Александрович к.т.н., доцент (с 1988 по 1989 год)
Голубицкая Галина Андреевна, к.т.н., доцент  (с 1989 по1991 год)
Плосконосов Владимир Николаевич, к.т.н., доцент  ( с 1991 по 1992 год).

В 1991 году в институте открывается подготовка инженеров-технологов-строителей по специальности  «Производство строительных изделий и конструкций». Организация учебного процесса по данной специальности возложена на кафедру «Технологии строительного производства и строительных материалов». Разнообразие направлений работы кафедры не позволяет эффективно управлять её деятельностью и требует совершенствования структуры управления учебным процессом. В связи с чем приказом ректора по Брестскому политехническому  институту №67 от 12 июня 1992 года в отдельное подразделение выделяется уже кафедра  «Технологии бетона и строительных материалов» которую с 1992 по1993 год возглавляет Довнар Надежда Ивановна, к.т.н., доцент.

С 1993 года кафедрой  руководит Тур Виктор Владимирович, профессор, доктор технических наук.

Кафедра технологии бетона и строительных материалов является выпускающей кафедрой по специальности 70 01 01 «Производство строительных изделий и конструкций» и готовит специалистов, имеющих квалификацию инженер-строитель-технолог, что позволяет им работать практически в любом направлении строительного, и не только, производства.

Так же на кафедре изучают специальные дисциплины строительного профиля студенты следующих специальностей очного и заочного обучения: «Промышленное и гражданское строительство» (1-70 02 01), «Автомобильные дороги» (1-70 03 01), «Экспертиза и управление недвижимостью» (1-70 02 02), «Архитектура» (1-69 01 01), «Сельское строительство и обустройство территорий» (1-74 04 0), «Автоматизация технологических процессов и производств» (1-53 01 01), «Водоснабжение, водоотведение и охрана водных ресурсов» (1-70 04 03),  «Мелиорация и водное хозяйство» (1-74 05 01), «Коммерческая деятельность» (1-25 01 10).

На кафедре проводится подготовка  аспирантов по специальности «Строительные конструкции, здания и сооружения», «Строительные материалы и изделия».

 

Обеспечение устойчивости рабочей точки: Стабилизация режимов работы каскадов на полевых транзисторах с управляющим переходом

У полевых транзисторов с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом изменения температуры приводят к изменениям контактной разности потенциалов на \(p\)-\(n\)-переходе, обратного тока через переход, а также подвижности основных носителей заряда. Эти процессы имеют различное, иногда противоположное, влияние на характеристики транзистора в целом. Так, например, контактная разность потенциалов уменьшается при увеличении температуры, что приводит к уменьшению сопротивления управляющего перехода, увеличению напряжения отсечки и, соответственно, к росту тока через канал. Но с другой стороны, при увеличении температуры подвижность основных носителей заряда в полупроводнике уменьшается, т.е. сопротивление канала будет расти, а ток через него будет падать. При определенных условиях действие нескольких противоположных физических явлений может взаимно компенсироваться, и ток в канале полевого транзистора с управляющим переходом окажется неподвержен влиянию температурных колебаний. Точку на сток-затворных (передаточных) характеристиках полевого транзистора, в которой ток не зависит от температуры, называют термостабильной точкой. На рис. 2-2.16 показаны передаточные характеристики \(n\)-канального полевого транзистора с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом для различных значений температуры. Из этих характеристик видно, что с ростом температуры напряжение отсечки полевого транзистора увеличивается (по модулю), ток через канал с одной стороны от термостабильной точки растет, а с другой — падает, крутизна характеристики передачи уменьшается на всем ее протяжении (заметим, что уменьшение крутизны характеристики передачи транзистора приводит к заметному падению с ростом температуры общего коэффициента усиления каскада на полевом транзисторе, компенсация такого падения возможна с помощью цепей обратной связи).   Рис. 2-2.16. Влияние температуры на сток-затворные (передаточные) характеристики полевого транзистора с управляющим переходом   Обычно рабочую точку каскада на полевом транзисторе с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом выбирают несколько выше термостабильной точки. Так что при повышении температуры ток стока транзистора незначительно падает, предотвращая саморазогрев, характерный для биполярных транзисторов при повышении температуры коллекторного перехода. Важной, но достаточно редко упоминаемой, особенностью полевых транзисторов с управляющим переходом является большое влияние температуры на входные характеристики. Обычно говорится, что сопротивление обратносмещенного управляющего \(p\)-\(n\)-перехода очень велико, а это позволяет строить высокочувствительные схемы, в которых величина входного тока лежит в пикоамперном диапазоне. Все это так лишь до тех пор, пока температура перехода не превышает комнатную (15…25 °C). Обратный ток управляющего перехода резко (фактически экспоненциально) нарастает с ростом температуры (грубо говоря можно считать, что он удваивается на каждые 10 °C). Это приводит к тому, что входной ток (ток затвора в схемах с ОИ и с ОС) усилительного каскада на полевом транзисторе с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом при температуре 50…60 °C может превысить входной ток аналогичного каскада на биполярном транзисторе (напомним, что ток утечки базы биполярного транзистора с ростом температуры имеет даже незначительную тенденцию к понижению). Дополнительное негативное влияние оказывает снижение общего коэффициента усиления каскада с ОИ или с ОС, обусловленное уменьшением входного сопротивления. Гораздо меньшее значение указанные эффекты имеют для схемы с общим затвором. Учитывая все описанные выше физические процессы, легко понять, какое влияние оказывают изменения температуры на стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом (рис. 2-2.17). Очевидно, что снижение крутизны характеристики передачи с ростом температуры будет приводить к смещению стоковых характеристик в область более низих величин тока стока, а также к их более плотному расположению в этой области.   Рис. 2-2.17. Влияние температуры на стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с \(p\)-\(n\)-переходом   На практике, для компенсации температурных изменений характеристик полевых транзисторов в схемы смещения в большинстве случаев вообще не приходится вносить каких-либо изменений. Обусловлено это, во-первых, меньшей температурной зависимостью этих параметров по сравнению с биполярными транзисторами, во-вторых, как уже было указано, правильным выбором исходной рабочей точки по постоянному току (в районе термостабильной точки транзистора) и эти незначительные зависимости можно свести к минимуму. И наконец, в представленных на рис. 2-2.6, 2-2.9, 2-2.13, 2-2.15 цепях смещения для полевых транзисторов с управляющим переходом уже присутствует элемент, обеспечивающий отрицательную обратную связь, стабилизирующую рабочую точку каскада. Таким элементом является сопротивление \(R_И\) в цепи протекания тока истока. Его роль совершенно аналогична роли сопротивления в цепи протекания эмиттерного тока в каскадах на биполярных транзисторах. Остановимся на этом несколько подробнее. Во всех указанных схемах (рис. 2-2.6, 2-2.9, 2-2.13, 2-2.15) падение напряжения на резисторе \(R_И\) при протекании через него тока истока \(I_И\) оказывает определяющее влияние на напряжение на управляющем переходе транзистора \(U_{ЗИ}\). Причем падение тока истока \(I_И\) (а соответственно и тока стока \(I_С\)) приводит к уменьшению падения напряжения на резисторе \(R_И\). Это, в свою очередь, означает, что уменьшится абсолютная величина напряжения обратного смещения, приложенного к управляющему переходу \(U_{ЗИ}\), т.е. увеличится электропроводность канала транзистора, и ток через него возрастет, вернувшись на прежний уровень. При увеличении тока истока имеют место аналогичные процессы, но в противоположном направлении. Очевидно, что наличие отрицательной обратной связи в каскаде усиления оказывает влияние не только на его параметры по постоянному току. В рабочей полосе частот это приводит к понижению общего коэффициента усиления, понижению уровня нелинейных искажений и расширению динамического диапазона каскада. Иногда эти воздействия оказываются полезны, а иногда от них стремятся избавиться. Самым простым и распространенным методом является шунтирование истокового резистора конденсатором, чье сопротивление в рабочей полосе частот усилителя оказывается пренебрежимо малым по сравнению с сопротивлением резистора \(R_И\). Пример такой схемы приведен на рис. 2-2.18. Заметим, что данный метод во всем аналогичен тому, как устраняют влияние резистора в цепи эмиттера в каскадах на биполярных транзисторах.   Рис. 2-2.18. Шунтирование истокового резистора конденсатором для устранения его влияния на коэффициент усиления в рабочей полосе частот каскада   Условия эксплуатации и предъявляемые требования к стабильности рабочей точки усилительного каскада могут быть очень разнообразными. Поэтому обратная связь по току, реализуемая с помощью резистора в цепи протекания тока истока, хотя и является универсальным средством, но не всегда может быть достаточна для надежной и стабильной работы каскада. Особенно в тех случаях, когда принятая рабочая точка транзистора значительно отклоняется от его термостабильной точки (это часто имеет место в каскадах, рассчитанных на высокие, близкие к предельно допустимым, уровни сигналов, например, в выходных каскадах усилителей низкой частоты или в усилителях мощности). В таких ситуациях в дополнение к ООС по току для компенсации температурных и иных воздействий в каскадах на полевых транзисторах могут применятся все те же решения, которые были разработаны для схем на биполярных транзисторах. В первую очередь, это, конечно, параметрическая компенсация с помощью терморезисторов с правильно подобранным температурным коэффициентом сопротивления. Но терморезисторы никак не могут защитить от нетемпературных внешних воздействий, например, от изменения питающих напряжений. Поэтому не редким является и применение параллельной ООС по напряжению, реализуемой за счет подключения одного из резисторов входного делителя напряжения не напрямую к источнику питания, а через контур протекания тока стока (рис. 2-2.19). При таком включении увеличение тока через канал транзистора вызывает уменьшение напряжения, подаваемого на затвор, и, как следствие, увеличение обратного смещения на управляющем переходе затвор—исток — ток через канал падает, возвращаясь к своему прежнему уровню.   Рис. 2-2.19. Использование ООС по напряжению в схеме смещения полевого транзистора с управляющим переходом   Чтобы устранить влияние ООС по напряжению на сигналы в рабочем диапазоне частот в рассматриваемом случае, так же, как и в схеме с ООС по току, используют шунтирующие конденсаторы (рис. 2-2.20).   Рис. 2-2.20. Устранение влияния ООС по напряжению и току на сигналы в рабочем диапазоне частот усилителя с помощью шунтирующих конденсаторов   Для достижения оптимальных характеристик на практике чаще всего применяются разнообразные комбинированные схемы, в которых в зависимости от условий эксплуатации и назначения конкретного каскада подбирается глубина и устанавливается разумный баланс между разными видами ООС (рис. 2-2.21).   Рис. 2-2.21. Пример комбинированной схемы смещения полевого транзистора с управляющим переходом (здесь глубина ООС по напряжению зависит от соотношения номиналов резисторов \(R_{С1}\), \(R_{С2}\)   Особенности физических процессов, протекающих в полевых транзисторах при колебаниях температуры, как правило позволяют обеспечить стабильность рабочей точки по постоянному току гораздо легче, чем это имеет место в каскадах на биполярных транзисторах. Однако здесь преобладает проблема иного характера. Крутизна характеристики передачи в полевых транзисторах значительно изменяется при колебаниях температуры (уменьшается при разогреве). В большей степени этот эффект выражен у МДП приборов, но и у полевых транзисторов с управляющим переходом он достаточно заметен. В конечном счете крутизна характеристики передачи непосредственно определяет общий коэффициент усиления каскада. Иногда его колебания могут оказаться вредны и приводить к общей неустойчивости усилителя в определенных внешних условиях. Поэтому в схемах с полевыми транзисторами часто приходится применять специальные методы, компенсации температурного изменения крутизны характеристики передачи. Самым простым и эффективным решением является охват усилителя цепями обратной связи. Это могут быть как цепи обратной связи, охватывающие сразу весь многокаскадный усилитель, так и отдельные цепочки внутрикаскадных обратных связей. Более подробно возможные способы введения обратных связей в различные усилительные каскады на полевых транзисторах мы будем рассматривать позднее. Однако здесь мы опишем одну важную возможность. Существуют (хотя и достаточно редки) полевые транзисторы с управляющим переходом, в которых выполнен отдельный вывод от подложки кристаллической структуры (от той части полупроводника, в которой располагается канал). В таких транзисторах возможно очень эффективное управление крутизной передаточной характеристики путем подачи управляющего напряжения между истоком и подложкой. Фактически подложка играет роль второго затвора, напряжение на котором оказывает такое же влияние на ток в канале, как и напряжение на первом (основном) затворе. Описанная конструкция полевого транзистора позволяет вводить в каскад цепи коррекции коэффициента усиления, которые в случае его падения (например, при повышении температуры) обеспечивают изменение (в нашем случае уменьшение) напряжения между подложкой и истоком, что приводит к обратному процессу — увеличению коэффициента усиления каскада. Такой метод удобен для нейтрализации не только температурных влияний, но и любых других внешних факторов, способных оказать воздействие на коэффициент усиления каскада. На рис. 2-2.22 приведен пример усилительного каскада на \(n\)-канальном полевом транзисторе с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом и отдельным выводом подложки (например, это может быть транзистор КПС315 или КПС316). В данной схеме включена цепочка, которая обеспечивает коррекцию напряжения \({U_{ПИ}}_0\) между подложкой и истоком в случае изменения температуры. Используется метод параметрической стабилизации на основе прямосмещенного диода \(VD1\). При увеличении температуры падение напряжения на прямосмещенном диоде \(VD1\) уменьшается, увеличивается ток через делитель напряжения \(R3\), \(R4\), а следовательно, увеличивается напряжение между подложкой и корпусом схемы. Таким образом, отрицательное относительно истока напряжение на подложке по абсолютной величине уменьшается, что приводит к росту крутизны передаточной характеристики транзистора и возвращению коэффициента усиления каскада к необходимому уровню. Конденсаторы \(C1\), \(C2\) предотвращают влияние цепей смещения на сигналы в рабочем диапазоне частот усилительного каскада.   Рис. 2-2.22. Усилительный каскад на полевом транзисторе с управляющим \(p\)-\(n\)-переходом и отдельным выводом от подложки с цепью коррекции температурных колебаний коэффициента усиления   Следует понимать, что описанный метод коррекции становится возможным только при условии некоторого резервирования усилительной способности транзистора за счет работы при ненулевом напряжении между подложкой и истоком. Когда требуется обеспечить максимально возможный коэффициент усиления каскада не взирая на прочие условия, все приведенные цепи коррекции оказываются вредны, а единственно возможным решением является соединение выводов подложки и истока. Полевые транзисторы известны как приборы с невероятно большим числом разновидностей. Выше мы рассмотрели только наиболее распространенные виды транзисторов с управляющими \(p\)-\(n\)-переходами. Схемы задания смещения для полевых транзисторов с управляющими переходами Шоттки или гетеропереходами в большинстве случаев идентичны приведенным схемам. Упомянем также еще один достаточно редкий подвид — двухзатворные транзисторы с управляющими переходами. В них имеется два управляющих перехода, каждый из которых выполняет ту же функцию, что и единственный управляющий переход обычного транзистора. Т.е. мы можем управлять характеристиками транзистора аналогично тому, как это было описано для транзистора с отдельным выводом от подложки. Если кто-то еще не догадался, уточним: конечно же есть транзисторы с двумя затворами и отдельным выводом от подложки (например, КП322). Ясно, что с характеристиками таких приборов мы можем делать практически все что угодно.     < Предыдущая   Следующая >

2.09. Крутизна

ГЛАВА 2. ТРАНЗИСТОРЫ

НЕКОТОРЫЕ ОСНОВНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ

В предыдущем разделе мы проанализировали работу усилителя с общим эмиттером следующим образом: а) предположив, что сигнал (напряжение) на базе изменяется в некоторых пределах, обнаружили, что напряжение на эмиттере имеет такой же размах; б) подсчитали эмиттерный ток; затем, пренебрегая незначительным влиянием тока базы, определили размах коллекторного тока и в) коллекторного напряжения. При этом коэффициент усиления есть просто отношение коллекторного напряжения (выходного) к напряжению на базе (входному).

Рис. 2.31. Усилитель с общим эмиттером в качестве каскада с передаточной проводимостью, управляющий нагрузкой (резистивной).

Рассмотрим работу усилителя этого типа с другой точки зрения. Мысленно расчленим схему, как показано на рис. 2.31. Одна часть представляет собой управляемый напряжением источник тока, его ток покоя равен 1,0 мА, а коэффициент передачи составляет — 1 мА/В. Коэффициент передачи представляет собой отношение выходного сигнала к входному; в данном случае он измеряется в единицах [ток/напряжение] или [1/сопротивление]. Величина, обратная сопротивлению, называется проводимостью (величина, обратная реактивному сопротивлению, называется реактивной проводимостью; величина, обратная импедансу или полному сопротивлению, называется полной проводимостью), и единицей ее измерения служит сименс. раньше эту единицу измерения называли мо (обратный ом). Если коэффициент передачи измеряется в единицах проводимости, то такой усилитель называется усилителем с передаточной проводимостью; отношение I_вых/I_вх называется крутизной и обозначается g_m.

Итак, одна часть схемы представляет собой усилитель с передаточной проводимостью, коэффициент передачи которого (крутизна) составляет 1 мА/В (1000 мкСм или 1 мСм, а это есть не что иное, как 1/R_э). Другая часть схемы представляет собой нагрузочный резистор («усилитель»), преобразующий ток в напряжение. Резистор можно назвать усилителем с передаточным сопротивлением, его коэффициент усиления измеряется в единицах [напряжение/ток], т. е. в единицах сопротивления. В данном случае напряжение покоя (рабочее напряжение) — это U_кк, а коэффициент передачи (передаточное сопротивление) равен 10 кВ/А (10 кОм), а это есть не что иное, как R_к. Соединив эти две части последовательно, получим усилитель напряжения, обшее усиление которого определяется произведением коэффициентов передачи составных частей. В данном случае: К = g_mR_к = R_к/R_э = -10 — безразмерная величина, равная отношению [(выходное напряжение)/(входное напряжение)].

Описанный метод очень полезен для анализа усилителей, так как позволяет рассматривать составные части схемы независимо друг от друга. Например, для усилителя с передаточной проводимостью можно оценить величину g_m для схем различной конфигурации и для иных элементов, например для полевых транзисторов. Затем можно рассмотреть нагрузку (или часть схемы с передаточным сопротивлением) и оценить, как связан коэффициент усиления с диапазоном изменения напряжения. Если вас интересует общее усиление по напряжению, то его можно определить следующим образом: K_U = g_mr_m, гле r_m — передаточное сопротивление нагрузки. В конечном счете замена простой активной нагрузки схемой с высоким передаточным сопротивлением позволяет получать для одного каскада усилителя величину коэффициента усиления, равную 10000 и выше. С помощью описанного метода удобно рассматривать каскодный усилитель, с которым вы познакомитесь ниже.

В гл. 4, где расматриваются операционные усилители, приведено немало примеров усилителей, на входах и выходах которых действуют напряжения и токи, усилители напряжения, усилители тока, усилители с передаточной проводимостью, усилители с передаточным сопротивлением.

Предельный коэффициент усиления: границы применимости простейшей модели транзистора. В соответствии с нашей моделью коэффициент усиления по напряжению усилителя с обшим эмиттером равен — R_к/R_э. Что произойдет, если сопротивление R_э будет уменьшаться, стремясь к нулю? Согласно уравнению, коэффициент усиления будет при этом беспредельно возрастать. Однако измерения, выполненные в рассмотренной выше схеме, покажут, что, хотя при постоянном токе покоя, равном 1 мА, коэффициент усиления и растет, при R_э = 0 (эмиттер заземлен) он становится равным всего 400. Окажется также, что усилитель начнет при этом работать как нелинейный элемент (выходной сигнал не воспроизводит по форме в точности входной), входное сопротивление становится небольшим и нелинейным, а смещение начинает зависеть от температуры. Очевидно, что модель транзистора, которой мы пользовались, несовершенна и ее необходимо дополнить, чтобы она пришла в соответствие с измерениями, описанными выше, и некоторыми другими фактами, на которых мы еще остановимся. Модель, которую мы сейчас рассмотрим, будет достаточно точна и удовлетворит нас в дальнейшем.

Модель Эберса-Молла для основных транзисторных схем

%d0%ba%d0%be%d1%8d%d1%84%d1%84%d0%b8%d1%86%d0%b8%d0%b5%d0%bd%d1%82%20%d1%83%d1%81%d0%b8%d0%bb%d0%b5%d0%bd%d0%b8%d1%8f%20%d1%82%d1%80%d0%b0%d0%bd%d0%b7%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%be%d1%80%d0%b0 — с русского на все языки

Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАканАлтайскийАрагонскийАрабскийАстурийскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБагобоБелорусскийБолгарскийТибетскийБурятскийКаталанскийЧеченскийШорскийЧерокиШайенскогоКриЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийВаллийскийДатскийНемецкийДолганскийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГэльскийГуараниКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийВерхнелужицкийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнупиакИнгушскийИсландскийИтальянскийЯпонскийГрузинскийКарачаевскийЧеркесскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийКомиКиргизскийЛатинскийЛюксембургскийСефардскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМаньчжурскийМикенскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийКомиМонгольскийМалайскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийНауатльОрокскийНогайскийОсетинскийОсманскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийАрумынскийРусскийСанскритСеверносаамскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиШумерскийСилезскийТофаларскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийТувинскийТвиУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВьетнамскийВепсскийВарайскийЮпийскийИдишЙорубаКитайский

 

Все языкиАнглийскийНемецкийНорвежскийКитайскийИвритФранцузскийУкраинскийИтальянскийПортугальскийВенгерскийТурецкийПольскийДатскийЛатинскийИспанскийСловенскийГреческийЛатышскийФинскийПерсидскийНидерландскийШведскийЯпонскийЭстонскийТаджикскийАрабскийКазахскийТатарскийЧеченскийКарачаевскийСловацкийБелорусскийЧешскийАрмянскийАзербайджанскийУзбекскийШорскийРусскийЭсперантоКрымскотатарскийСуахилиЛитовскийТайскийОсетинскийАдыгейскийЯкутскийАйнский языкЦерковнославянский (Старославянский)ИсландскийИндонезийскийАварскийМонгольскийИдишИнгушскийЭрзянскийКорейскийИжорскийМарийскийМокшанскийУдмурдскийВодскийВепсскийАлтайскийЧувашскийКумыкскийТуркменскийУйгурскийУрумскийЭвенкийскийБашкирскийБаскский

Учебное пособие по биполярным и полевым транзисторам

Рассмотрев конструкцию и работу биполярных переходных транзисторов NPN и PNP (BJT), а также полевых транзисторов (FET), как переходных, так и с изолированным затвором, мы можем суммировать основные моменты этих руководств по транзисторам, как показано ниже:

• Биполярный транзистор (BJT) представляет собой трехслойное устройство, состоящее из двух соединенных вместе полупроводниковых диодных переходов, одного с прямым смещением и одного с обратным смещением.
• Существует два основных типа транзисторов с биполярным переходом, (BJT), NPN и PNP.
Биполярные транзисторы
• — это « Current Operated Devices », где гораздо меньший базовый ток вызывает протекание большего тока от эмиттера к коллектору, которые сами по себе почти равны.
• Стрелка в символе транзистора представляет обычный ток.
• Наиболее распространенное соединение транзисторов — это конфигурация с общим эмиттером (CE), но также доступны общая база (CB) и общий коллектор (CC).
• Требуется напряжение смещения для работы усилителя переменного тока.
• Переход база-эмиттер всегда смещен в прямом направлении, тогда как переход коллектор-база всегда смещен в обратном направлении.
• Стандартное уравнение для токов, протекающих в транзисторе, имеет следующий вид: I _E = I _B + I _C
• Кривые коллекторных или выходных характеристик могут использоваться для определения Ib, Ic или β, до которых может быть построена линия нагрузки для определения подходящей рабочей точки Q с вариациями базового тока, определяющими рабочий диапазон.
• Транзистор также может использоваться в качестве электронного переключателя между областями насыщения и отсечки для управления такими устройствами, как лампы, двигатели, соленоиды и т. Д.
• Для индуктивных нагрузок, таких как двигатели постоянного тока, реле и соленоиды, требуется обратный смещенный диод «Маховик», установленный поперек нагрузки. Это помогает предотвратить повреждение транзистора любой наведенной обратной ЭДС, возникающей при выключении нагрузки.
• Транзистор NPN требует, чтобы база была более положительной, чем эмиттер, в то время как тип PNP требует, чтобы эмиттер был более положительным, чем база.

Учебное пособие по полевым транзисторам

• Полевые транзисторы , или полевые транзисторы, называются «устройствами , управляемыми напряжением, » и могут быть разделены на два основных типа: устройства с переходным затвором, называемые полевыми транзисторами, и устройства с изолированным затвором, называемые IGFET или более известные как полевые МОП-транзисторы.
• Устройства с изолированными затворами также можно подразделить на типы улучшения и типы истощения. Все формы доступны как в N-канальной, так и в P-канальной версиях.
Полевые транзисторы
• имеют очень высокое входное сопротивление, поэтому на входную клемму течет очень небольшой ток (типы MOSFET) или совсем его нет, что делает их идеальными для использования в качестве электронных переключателей.
• Входное сопротивление полевого МОП-транзистора даже выше, чем у полевого транзистора из-за изолирующего оксидного слоя, и поэтому статическое электричество может легко повредить устройства МОП-транзистора, поэтому при обращении с ними необходимо соблюдать осторожность.
• Когда на затвор улучшающего полевого транзистора не подается напряжение, транзистор находится в состоянии «ВЫКЛ», аналогичном «разомкнутому переключателю».
• Полевой транзистор с обеднением по своей природе является проводящим и находится в состоянии «ВКЛ», когда на затвор не подается напряжение, аналогично «замкнутому переключателю».
Полевые транзисторы
• имеют гораздо более высокий коэффициент усиления по току по сравнению с транзисторами с биполярным переходом.
• Наиболее распространенным соединением полевого транзистора является конфигурация общего источника (CS), но также доступны конфигурации общего затвора (CG) и общего стока (CD).
МОП-транзисторы
• могут использоваться в качестве идеальных переключателей из-за их очень высокого сопротивления канала «ВЫКЛ» и низкого сопротивления «ВКЛ».
• Чтобы выключить N-канальный JFET-транзистор, на затвор должно быть подано отрицательное напряжение.
• Чтобы выключить P-канальный JFET-транзистор, на затвор необходимо подать положительное напряжение.
• N-канальные полевые МОП-транзисторы с истощением находятся в состоянии «ВЫКЛ.», Когда на затвор подается отрицательное напряжение для создания области истощения.
• P-канальные полевые МОП-транзисторы с истощением находятся в состоянии «ВЫКЛ.», Когда на затвор подается положительное напряжение для создания области истощения.
• N-канальные полевые МОП-транзисторы находятся в состоянии «ВКЛ», когда на затвор подается «+ ve» (положительное) напряжение.
• P-канальные полевые МОП-транзисторы находятся в состоянии «ВКЛ», когда на затвор подается «-ve» (отрицательное) напряжение.

Схема полевых транзисторов

Смещение затвора для конфигураций полевого транзистора с переходным полевым транзистором (JFET) и металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (MOSFET) имеет следующий вид:

Тип	Соединительный полевой транзистор		Металлооксидный полупроводник FET
	Режим истощения		Режим истощения		Режим улучшения
Смещение	НА	ВЫКЛ	НА	ВЫКЛ	НА	ВЫКЛ
N-канал	0V	-ve	0V	-ve	+ ве	0 В
P-канал	0V	+ ве	0V	+ ве	-ve	0 В

Различия между полевым транзистором и биполярным транзистором

Полевые транзисторы

могут использоваться для замены обычных транзисторов с биполярным переходом в электронных схемах. Ниже приводится простое сравнение полевых транзисторов и транзисторов с указанием их преимуществ и недостатков.

	Полевой транзистор (FET)	Биполярный переходной транзистор (BJT)
1	Низкое усиление напряжения	Высокое усиление напряжения
2	Максимальное усиление по току	Низкое усиление по току
3	Очень высокий входной импеданс	Низкое входное сопротивление
4	Высокое выходное сопротивление	Низкое выходное сопротивление
5	Низкий уровень шума	Средний уровень шума
6	Быстрое время переключения	Среднее время переключения
7	Легко повреждается статическим электричеством	Прочный
8	Некоторым требуется вход, чтобы выключить его	Требуется нулевой вход, чтобы выключить его.
9	Устройство, управляемое напряжением	Устройство контроля тока
10	Обладает свойствами резистора
11	Дороже биполярного	дешевые
12	Сложно смещать	Легко смещается

Ниже приведен список дополнительных биполярных транзисторов, которые могут использоваться для универсального переключения слаботочных реле, управления светодиодами и лампами, а также для приложений усилителей и генераторов.

Дополнительные транзисторы NPN и PNP

НПН	PNP	В CE	I C (макс.)	П г
BC547	BC557	45 В	100 мА	600 мВт
BC447	BC448	80 В	300 мА	625 мВт
2N3904	2N3906	40 В	200 мА	625 мВт
2N2222	2N2907	30 В	800 мА	800 мВт
BC140	BC160	40 В	1.0A	800 мВт
TIP29	TIP30	100 В	1.0A	3 Вт
BD137	BD138	60 В	1.5A	1,25 Вт
TIP3055	TIP2955	60 В	15A	90 Вт

Конфигурации цепей на полевых транзисторах

»Примечания по электронике

Конфигурации схемы

FET представляют собой форматы общего истока, общего затвора и общего стока, каждый из которых имеет свои собственные характеристики..

---

FET, Конструкция схемы полевого транзистора Включает:
Основы проектирования схемы на полевых транзисторах Конфигурации схемы Общий источник Общий дренажный / истоковый повторитель Общие ворота

---

Конфигурации схемы полевого транзистора представляют собой форматы общего истока, общего затвора и общего стока. Каждый из них имеет свои собственные характеристики усиления по напряжению и току, а также входного и выходного сопротивления.

Выбор конфигурации или топологии схемы полевого транзистора является одним из ключевых параметров проектирования, на котором основывается общая конструкция схемы.

Основы конфигурации полевого транзистора

Терминология, используемая для обозначения трех основных конфигураций полевого транзистора, указывает на электрод полевого транзистора, который является общим как для входных, так и для выходных цепей. Это дает начало трем терминам: общий затвор, общий сток и общий исток.

Три различных конфигурации схемы полевого транзистора:

• Общий источник: Эта конфигурация полевого транзистора, вероятно, является наиболее широко используемой. Схема общего источника обеспечивает средние уровни входного и выходного сопротивления.Усиление по току и напряжению можно описать как среднее, но выход является обратным входному, то есть изменение фазы на 180 °. Это обеспечивает хорошую общую производительность и поэтому часто считается наиболее широко используемой конфигурацией.
  Конфигурация цепи полевого транзистора с общим истоком
• Общий сток: Эта конфигурация полевого транзистора также известна как истоковый повторитель. Причина этого в том, что напряжение истока следует за напряжением затвора. Обладая высоким входным сопротивлением и низким выходным сопротивлением, он широко используется в качестве буфера.Коэффициент усиления по напряжению равен единице, хотя коэффициент усиления по току велик. Входной и выходной сигналы синфазны.
  Общий сток (истоковый повторитель) Конфигурация цепи полевого транзистора
• Общий затвор: Эта конфигурация транзистора обеспечивает низкий входной импеданс при высоком выходном сопротивлении. Несмотря на высокое напряжение, коэффициент усиления по току невелик, а общий коэффициент усиления по мощности также невелик по сравнению с другими доступными конфигурациями полевых транзисторов. Другой важной особенностью этой конфигурации является то, что вход и выход находятся в фазе.
  Конфигурация цепи полевого транзистора с общим затвором

Сводная таблица конфигурации схемы полевого транзистора

В таблице ниже приведены основные характеристики различных конфигураций схемы полевых транзисторов.

Сводная таблица конфигурации полевого транзистора
Конфигурация полевого транзистора	Общие ворота	Common Drain (последователь источника)	Общий источник
Коэффициент усиления по напряжению	Высокая	Низкий	Средний
Прирост текущей	Низкий	Высокая	Средний
Прирост мощности	Низкий	Средний	Высокая
Входное сопротивление	Низкий	Высокая	Средний
Выходное сопротивление	Высокая	Низкий	Средний
Соотношение фаз вход / выход	0 и	0 °	180 °

Как видно, разные конфигурации или топологии имеют разные характеристики.Общий источник — это наиболее широко используемая конфигурация схемы полевого транзистора, которая приравнивается к транзисторному усилителю с общим эмиттером. Повторитель с общим стоком или истоком на полевом транзисторе используется в качестве буферного усилителя и приравнивается к транзисторному усилителю с общим эмиттером.

Другие схемы и схемотехника:
Основы операционных усилителей Схемы операционных усилителей Цепи питания Конструкция транзистора Транзистор Дарлингтона Транзисторные схемы Схемы на полевых транзисторах Условные обозначения схем
Вернуться в меню «Конструкция схемы».. .

Усилитель на полевых транзисторах — TINA и TINACloud

Усилитель на полевых транзисторах

В этой главе мы параллельны подходу, который мы использовали для транзисторов BJT, на этот раз сосредоточившись на полевом транзисторе. Изучив этот материал, вы

• поймете разницу между полевыми транзисторами и биполярными транзисторами.
• Узнайте о различиях между различными формами полевых транзисторов.
• Знайте, как смещать полевые транзисторы для линейной работы.
• Узнайте о моделях слабого сигнала и о том, как их использовать.
• Уметь анализировать схемы усилителя на полевых транзисторах.
• Уметь разрабатывать схемы усилителя на полевых транзисторах в соответствии со спецификациями.
• Узнайте, как программы компьютерного моделирования моделируют полевые транзисторы.
• Знайте, как изготавливаются полевые транзисторы как часть интегральных схем.

ВВЕДЕНИЕ

Современный полевой транзистор (FET) , предложенный W.Шокли в 1952 году отличается от BJT. FET — это устройство основной несущей . Его работа зависит от использования приложенного напряжения для управления основными носителями (электроны в материале типа n и дырки в материале типа p ) в канале. Это напряжение регулирует ток в устройстве с помощью электрического поля.

Полевые транзисторы — это устройства с тремя выводами, но в отличие от биполярных транзисторов, напряжение на двух выводах управляет током, протекающим на третьем выводе.Три клеммы в полевом транзисторе — это сток , исток и затвор .

Сравнивая полевые транзисторы и биполярные транзисторы, мы увидим, что сток (D) аналогичен коллектору, а исток (S) аналогичен эмиттеру. Третий контакт, вентиль , (G), аналогичен основанию. Исток и сток полевого транзистора обычно можно менять местами, не влияя на работу транзистора.

Мы подробно обсуждаем два класса полевых транзисторов, это переходные полевые транзисторы (JFET) и металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET).

Глава начинается с обсуждения характеристик полевых МОП-транзисторов и полевых транзисторов JFET и сравнения этих характеристик. Затем мы исследуем способы использования этих устройств в схемах и методы смещения различных конфигураций усилителей.

По мере детального изучения методов анализа мы представляем компьютерные имитационные модели. Далее следуют подробные разделы, посвященные методам анализа и методологии проектирования.

Глава завершается кратким описанием других специальных устройств.

Симуляторы схем TINA и TINACloud, поддерживающие этот ресурс, включают в себя множество сложных компьютерных имитационных моделей MOSFET и JFET, а также схем, которые будут использоваться для моделирования схем.

NEXT- 1. Преимущества и недостатки полевых транзисторов Транзистор

— полевые транзисторы (полевые транзисторы) — ток, диод, заряд и BJTS

Полевые транзисторы (FET) — это твердотельные активные устройства, основанные на другом принципе, чем биполярные транзисторы, но дающие практически тот же результат. Полевые транзисторы — это трехконтактные устройства, как и BJT.Входной вывод полевого транзистора называется его затвором и представляет собой один из электродов диода с обратным смещением. Полевые транзисторы обеспечивают управление током, направляя ток через узкий канал типа n или p , проводимость которого регулируется входным сигналом. Выходной ток, управляемый полевым транзистором, проходит между двумя оставшимися выводами, называемыми истоком и стоком. Ток через полевой транзистор должен проходить через узкий канал, образованный переходом входного диода.Поскольку этот входной диод имеет обратное смещение, в этом канале обычно мало носителей заряда. Входной сигнал на полевой транзистор может истощить или увеличить количество доступных носителей заряда в этом канале, регулируя ток в цепи стока. Поскольку входной диод имеет обратное смещение, полевой транзистор почти не требует тока от источника сигнала, поэтому почти не требуется подавать питание. Коэффициент усиления мощности, обычно достигаемый в усилителе на полевых транзисторах, очень высок.

Конкретный тип полевого транзистора, называемый MOSFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор), может иметь входное сопротивление до 10 ¹⁸ Ом.Из-за очень высокого входного сопротивления полевые транзисторы мгновенно разрушаются, если они получают даже небольшой статический электрический заряд из-за неосторожного обращения. Скольжение по пластиковому стулу может передать достаточно заряда телу техника, чтобы разрушить входной диод полевого транзистора при первом касании . Работать с полевыми транзисторами должны только лица, которые заземлились перед тем, как прикоснуться к этим устройствам, чтобы сначала рассеять статические заряды.

Полевые транзисторы

особенно полезны в качестве усилителей очень слабых сигналов, например, создаваемых высококачественными микрофонами.Полевые транзисторы имеют более желательные характеристики перегрузки, чем биполярные транзисторы, так что полевые транзисторы могут обрабатывать множество сигналов одновременно, некоторые сильные и некоторые слабые, без серьезных искажений. До использования полевых транзисторов в автомобильных приемниках эти радиостанции легко перегружались сильными сигналами; Введение полевых транзисторов значительно улучшило характеристики автомобильного радиоприемника.

Разница между BJT и FET: работа и их характеристики

BJT и FET — это два разных типа транзисторов, также известные как активные полупроводниковые устройства.Аббревиатура BJT — Bipolar Junction Transistor, а FET — это полевой транзистор. BJTS и FETS доступны в различных пакетах в зависимости от рабочей частоты, тока, напряжения и номинальной мощности. Эти типы устройств позволяют лучше контролировать их работу. BJTS и полевые транзисторы могут использоваться в качестве переключателей и усилителей в электрических и электронных схемах. Основное различие между BJT и FET заключается в том, что в полевом транзисторе течет только основной заряд, тогда как в BJT текут как основные, так и неосновные носители заряда.

Разница между BJT и FET

Основное различие между BJT и FET обсуждается ниже, включая то, что такое BJT и FET, конструкция и работа BJT и FET.

Что такое BJT?

BJT — это один из типов транзисторов, в котором используются как основные, так и неосновные носители заряда. Эти полупроводниковые устройства доступны в двух типах, таких как PNP и NPN. Основная функция этого транзистора — усиление тока. Эти транзисторы можно использовать как переключатели и усилители.Применение BJT включает широкий спектр электронных устройств, таких как телевизоры, мобильные телефоны, компьютеры, радиопередатчики, усилители звука и промышленное управление.

Биполярный переходной транзистор

Конструкция BJT

Биполярный переходной транзистор состоит из двух p-n-переходов. В зависимости от структуры BJT они подразделяются на два типа, такие как PNP и NPN. В NPN-транзисторе слаболегированный полупроводник P-типа помещен между двумя сильно легированными полупроводниками N-типа.Точно так же транзистор PNP формируется путем размещения полупроводника N-типа между полупроводниками P-типа. Конструкция BJT показана ниже. Выводы эмиттера и коллектора в приведенной ниже структуре называются полупроводниками n-типа и p-типа, которые обозначаются буквами «E» и «C». В то время как оставшийся вывод коллектора называется полупроводником p-типа и обозначается буквой «B».

Конструкция BJT

Когда высокое напряжение подключено в режиме обратного смещения как к клеммам базы, так и к клеммам коллектора.Это приводит к образованию зоны с высоким обеднением, которая образуется поперек соединения BE, с сильным электрическим полем, которое останавливает отверстия от B-терминала до C-терминала. Всякий раз, когда клеммы E и B подключаются с прямым смещением, поток электронов будет направлен от клеммы эмиттера к клемме базы.

В базовом выводе некоторые электроны рекомбинируют с дырками, но электрическое поле через переход B-C притягивает электроны. Большинство электронов в конечном итоге перетекают в клемму коллектора, создавая сильный ток.Поскольку протеканием сильного тока через вывод коллектора можно управлять с помощью небольшого тока через вывод эмиттера.

Если разность потенциалов на переходе BE не велика, электроны не могут попасть в клемму коллектора, поэтому ток через клемму коллектора не протекает. По этой причине в качестве переключателя также используется биполярный переходной транзистор. Переход PNP также работает по тому же принципу, но клемма базы сделана из материала N-типа, а большинство носителей заряда в транзисторе PNP представляют собой дырки.

Области BJT

BJT могут работать в трех областях, таких как активная, отсечка и насыщение. Эти регионы обсуждаются ниже.

Транзистор включен в активной области, тогда ток коллектора является сравнительным и управляется током базы, как IC = βIC. Он сравнительно нечувствителен к VCE. В этом регионе он работает как усилитель.

Транзистор выключен в области отсечки, поэтому нет передачи между двумя выводами, такими как коллектор и эмиттер, поэтому IB = 0, поэтому IC = 0.

Транзистор включен в области насыщения, поэтому ток коллектора изменяется в меньшей степени из-за изменения тока базы. VCE небольшой, а ток коллектора в основном зависит от VCE, в отличие от активной области.

Характеристики BJT

Характеристики BJT включают следующее.

• Импеданс i / p BJT низкий, тогда как импеданс o / p высокий.
• BJT — это зашумленный компонент из-за наличия неосновных носителей заряда.
• BJT — биполярное устройство, потому что поток тока будет там из-за обоих носителей заряда.
• Теплоемкость BJT мала, потому что в противном случае выходной ток меняет на противоположный ток насыщения.
• Допирование на выводе эмиттера максимальное, тогда как на выводе базы низкое
• Площадь выводов коллектора в BJT большая по сравнению с FET

Типы BJT

Классификация BJT может быть выполнена на основе их конструкции, например PNP и NPN.

Транзистор PNP

В транзисторе PNP между двумя полупроводниковыми слоями p-типа зажат только полупроводниковый слой n-типа.

Транзистор NPN

В транзисторе NPN между двумя полупроводниковыми слоями N-типа зажат только полупроводниковый слой p-типа.

Что такое полевой транзистор?

Термин FET означает полевой транзистор, также его называют униполярным транзистором. Полевой транзистор — это один из типов транзисторов, в котором ток в разомкнутом состоянии регулируется электрическими полями. Основной тип полевого транзистора совершенно не похож на биполярный транзистор. Полевой транзистор состоит из трех выводов: истока, стока и затвора.Носителями заряда этого транзистора являются дырки или электроны, которые текут от вывода истока к выводу стока через активный канал. Этот поток носителей заряда можно контролировать с помощью напряжения, приложенного к клеммам истока и затвора.

Полевой транзистор

Конструкция полевого транзистора

Полевые транзисторы подразделяются на два типа, такие как JFET и MOSFET. Эти два транзистора имеют схожие принципы. Конструкция p-канального JFET показана ниже. В полевом транзисторе с p-каналом большая часть носителей заряда течет от истока к стоку.Выводы истока и стока обозначены буквами S и D.

Конструкция полевого транзистора

Вывод затвора подключен в режиме обратного смещения к источнику напряжения, так что обедненный слой может быть сформирован в областях затвора и канала, по которому протекают заряды. Каждый раз, когда обратное напряжение на выводе затвора увеличивается, слой обеднения увеличивается. Таким образом, он может остановить поток тока от вывода истока к выводу стока. Таким образом, изменяя напряжение на выводе затвора, можно управлять потоком тока от вывода истока к выводу стока.

Области полевых транзисторов

полевых транзисторов работали в трех областях, таких как область отсечки, активная и омическая область.

Транзистор будет выключен в области отсечки. Таким образом, нет проводимости между истоком и стоком, когда напряжение затвор-исток выше по сравнению с напряжением отсечки. (ID = 0 для VGS> VGS, выкл.)

Активная область также известна как область насыщенности. В этой области транзистор включен. Управление током стока может быть выполнено через VGS (напряжение затвор-исток) и сравнительно нечувствительно к VDS.Итак, в этой области транзистор работает как усилитель.

Итак, ID = IDSS = (1- VGS / VGS, off) 2

Транзистор активирован в омической области; однако он работает как видеомагнитофон (резистор, управляемый напряжением). Как только VDS становится низким по сравнению с активной областью, ток стока приблизительно сравним с напряжением исток-сток и регулируется через напряжение затвора. Итак, ID = IDSS

[2 (1- VGS / VGS, off) (VDS / -VDS, off) — (VDS / -VGS, off) 2]

В этом регионе

RDS = VGS, off / 2IDss (VGS-VGS, off) = 1 / gm

Типы полевых транзисторов

Существует два основных типа переходных полевых транзисторов, подобных следующим.

JFET — Полевой транзистор

IGBT — Полевой транзистор с изолированным затвором, более известный как MOSFET — Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор)

Характеристики полевого транзистора

Характеристики полевого транзистора включая следующее.

• Входное сопротивление полевого транзистора высокое, например 100 МОм.
• Когда полевой транзистор используется в качестве переключателя, он не имеет напряжения смещения.
• Полевой транзистор сравнительно защищен от излучения.
• Полевой транзистор является устройством с основной несущей.
• Это униполярный компонент, обеспечивающий высокую термическую стабильность.
• Он имеет низкий уровень шума и больше подходит для входных каскадов усилителей низкого уровня.
• Обеспечивает высокую термическую стабильность по сравнению с BJT.

Разница между BJT и FET

Разница между BJT и FET представлена ​​в следующей табличной форме.

BJT	FET
BJT обозначает биполярный переходной транзистор, поэтому это биполярный компонент	FET обозначает полевой транзистор, поэтому он является унифицированным транзистор
BJT имеет три клеммы, такие как база, эмиттер и коллектор.	FET имеет три клеммы, такие как Drain, Source и Gate.
Работа BJT в основном зависит как от носителей заряда, таких как большинство, так и меньшинства.	Работа полевого транзистора в основном зависит от большинства носителей заряда — дырок или электронов.
Входное сопротивление этого биполярного транзистора составляет от 1 кОм до 3 кОм, поэтому оно очень мало	Входное сопротивление полевого транзистора очень велико
BJT — устройство, управляемое током	FET — устройство, управляемое напряжением
BJT имеет шум	FET га s меньше шума
Изменение частоты BJT повлияет на его производительность	Его частотная характеристика высокая
Зависит от температуры	Его термостойкость лучше
Это низкая стоимость	Дорогой
Размер BJT больше, чем у полевого транзистора	Размер полевого транзистора низкий
Имеет напряжение смещения	Не имеет напряжения смещения
Коэффициент усиления BJT больше	Коэффициент усиления полевого транзистора меньше
Его выходной импеданс высокий из-за высокого усиления	Его выходной импеданс низкий из-за низкого усиления
По сравнению с выводом эмиттера, оба вывода BJT, такие как база и коллектор, более положительны.	Его вывод стока положительный, а вывод затвора отрицательный по сравнению с источником.
Его базовый вывод отрицательный по отношению к выводу эмиттера.	Его вывод затвора более отрицательный по сравнению с выводом истока.
Он имеет высокий коэффициент усиления по напряжению	Он имеет низкий коэффициент усиления по напряжению
Он имеет меньший коэффициент усиления по току	Он имеет высокий коэффициент усиления по току
Время переключения BJT среднее	Время переключения FET быстрый
Смещение BJT просто	Смещение FET сложно
BJT использует меньшее количество тока	FET использует меньшее количество напряжения
BJT применимы для слаботочных приложений .	Полевые транзисторы применимы для приложений низкого напряжения.
BJT потребляют большую мощность	FET потребляют низкую мощность
BJT имеют отрицательный температурный коэффициент	BJT имеют положительный температурный коэффициент

Ключевое различие между BJT и FET

• Биполярные переходные транзисторы Биполярные устройства, в этом транзисторе есть поток как основных, так и неосновных носителей заряда.
• Полевые транзисторы являются униполярными устройствами, в этом транзисторе протекает только основная масса носителей заряда.
• Транзисторы с биполярным переходом управляемые по току.
• Полевые транзисторы управляются напряжением.
• Во многих приложениях используются полевые транзисторы, а не биполярные переходные транзисторы.
• Транзисторы с биполярным переходом состоят из трех выводов: эмиттера, базы и коллектора. Эти выводы обозначены буквами E, B и C.
• Полевой транзистор состоит из трех выводов, а именно истока, стока и затвора.Эти клеммы обозначены буквами S, D и G.
• Входное сопротивление полевых транзисторов выше, чем у транзисторов с биполярным переходом.
• Производство полевых транзисторов может быть значительно меньше, чтобы они были эффективными при проектировании коммерческих схем. В основном полевые транзисторы доступны в небольших размерах и занимают мало места на кристалле. Устройства меньшего размера удобнее и удобнее в использовании. Биполярные транзисторы больше, чем полевые транзисторы.
• Полевые транзисторы, в частности, полевые МОП-транзисторы, более дороги в разработке по сравнению с биполярными транзисторами.
• полевые транзисторы более широко используются в различных приложениях, они могут изготавливаться небольшого размера и потреблять меньше энергии. BJT применимы в электронике для хобби, бытовой электронике и приносят большую прибыль.
• Полевые транзисторы обеспечивают ряд преимуществ для коммерческих устройств в крупных отраслях промышленности. Когда они используются в потребительских устройствах, они предпочтительнее из-за их размера, высокого импеданса i / p и других факторов.
• Одна из крупнейших компаний-разработчиков микросхем, такая как Intel, использует полевые транзисторы для питания миллиардов устройств по всему миру.
• BJT требуется небольшой ток для включения транзистора. Тепло, рассеиваемое при биполярном режиме, останавливает общее количество транзисторов, которые могут быть изготовлены на кристалле.
• Когда клемма «G» полевого транзистора заряжена, больше не требуется тока для поддержания транзистора во включенном состоянии.
• BJT отвечает за перегрев из-за отрицательного температурного коэффициента.
• FET имеет температурный коэффициент + Ve для предотвращения перегрева.
• BJT применимы для слаботочных приложений.
• FETS применимы для приложений низкого напряжения.
• полевые транзисторы имеют усиление от низкого до среднего.
• BJT имеют более высокую максимальную частоту и более высокую частоту среза.

Почему FET предпочтительнее BJT?

• Полевые транзисторы обеспечивают высокий входной импеданс по сравнению с BJT. Коэффициент усиления полевых транзисторов меньше, чем у биполярных транзисторов.
• Полевой транзистор генерирует меньше шума
• Эффект излучения полевого транзистора меньше.
• Напряжение смещения полевого транзистора равно нулю при нулевом токе стока, поэтому он является отличным прерывателем сигнала.
• Полевые транзисторы более устойчивы к температуре.
• Это чувствительные к напряжению устройства с высоким входным сопротивлением.
• Входное сопротивление полевого транзистора выше, поэтому его предпочтительно использовать как ступень i / p для многокаскадного усилителя.
• Один класс полевых транзисторов производит меньше шума.
• Изготовление полевого транзистора несложно.
• Полевой транзистор реагирует как регулируемый по напряжению переменный резистор для крошечных значений напряжения сток-исток.
• Они не чувствительны к радиации.
• Полевые транзисторы мощности рассеивают большую мощность, а также могут коммутировать большие токи.

Что быстрее BJT или FET?

• Для управления маломощными светодиодами и такими же устройствами от MCU (Micro Controllers Unit), BJT очень подходят, потому что BJT могут переключаться быстрее по сравнению с MOSFET из-за низкой емкости на управляющем контакте.
• МОП-транзисторы используются в приложениях большой мощности; поскольку они могут переключаться быстрее, чем BJT. В полевых МОП-транзисторах
• используются небольшие катушки индуктивности в импульсных источниках питания для повышения эффективности.

Таким образом, это все о сравнении между BJT и FET, включая, что такое BJT и FET, конструкция BJT, конструкция FET, различия между BJT и FET. Оба транзистора, такие как BJT и FET, были разработаны с использованием различных полупроводниковых материалов, таких как P-тип, а также N-тип. Они используются в конструкции переключателей, усилителей, а также генераторов. Мы надеемся, что вы лучше понимаете эту концепцию. Кроме того, любые вопросы относительно этой концепции или проектов электроники, пожалуйста, комментируйте в разделе комментариев ниже.Вот вам вопрос, каковы применения BJT и FET?

Фото:

Схемы полевых транзисторов, май 1967 г. Electronics World

Май 1967 Мир электроники Таблица содержания Воск, ностальгирующий по истории ранней электроники. См. Статьи из Electronics World , опубликовано в мае 1959 г. — декабрь 1971 г.Настоящим подтверждаются все авторские права.

Если вы только вводите области электроники, концепции, представленные в этой статье полувековой давности для основные полевые транзисторы по-прежнему актуальны. Значительные улучшения есть было сделано с тех пор, но основы остаются в силе. Один из самых полезных предметов в Эта статья представляет собой Таблицу 1, в которой сравниваются и противопоставляются вакуумные лампы, биполярный переход транзисторы и полевые транзисторы.Рассматриваемые темы включают общие свойства полевых транзисторов, повторителей источников (а-ля повторителей эмиттеров в BJT), усилителей с общим истоком (как усилители с общим эмиттером в биполярных транзисторах), генератор Миллера, комбинации Полевые транзисторы и биполярные транзисторы, а также стробируемый амплитудный модулятор.

Схемы на полевых транзисторах

Джозеф Х. Вуджек-младший и Макс Э. Макги

Группа из шести простых и недорогих схем, которые иллюстрируют многие принципы. работы полевого транзистора.

Рис. 1 — Табличное сравнение ламп, транзисторов и полевых транзисторов.

Рис. 2 — Схема «исток-повторитель» с АЧХ.

Рис. 3 — Схема усилителя на полевом транзисторе с общим истоком и характеристика.

Рис. 4 — Схема генератора Миллера.

Рис. 5 — Пара полевой транзистор / транзистор имеет усиление и высокое входное сопротивление.

Рис. 6 — Схема расширителя импульсов с полевым транзистором и транзисторами.

Одним из важнейших новых полупроводниковых устройств является полевой транзистор. (FET). В этой статье описываются шесть недорогих схем, которые могут быть построены для демонстрации важные свойства полевых транзисторов. Используются полевые транзисторы с р-каналом U-110 и / или U-112. в обсуждаемых схемах и относительно невысокая цена. Siliconix предлагает U-110 и U-112 вместе в пакете по 2 доллара.75. У-110 можно оставить в одиночестве для 1 доллар США по этому предложению. Полевые транзисторы промышленного типа, U-146 и U-147, немного выше в цене. В качестве биполярных транзисторов используются эпоксидные устройства General Electric. которые продаются по цене от 0,50 до 1 доллара за штуку.

Общие свойства полевых транзисторов

Для удобства сходства среди электронных ламп, транзисторов и полевых транзисторов показаны на рис. 1. Мы должны признать внутренние различия, которые существуют между электронными лампами, транзисторами и полевыми транзисторами и таблица служит только для помощи в указании полярностей предубеждений.

Полевой транзистор похож на вакуумную лампу тем, что сопротивление, смотрящее на затвор очень высока и может составлять порядка сотен МОм. Кроме того, полевой транзистор — это устройство с низким уровнем шума, лучше, чем биполярные транзисторы, и конкурирует с электронными лампами. С другой стороны, полевые транзисторы похожи на транзисторы по токам утечки, которые протекают между их электродами, когда устройство отключено.

Последователь Источника

Схема истокового повторителя аналогична катодному повторителю на электронных лампах. или транзисторный эмиттер-повторитель.Мы можем ожидать аналогичного поведения от этих схем. так оно и есть. Таким образом, у нас высокий входной импеданс, относительно низкий выходной импеданс, и коэффициент усиления по напряжению, который можно сделать очень близким к единице.

На рис.2 показана простая схема истокового повторителя и характеристики полосы пропускания. получается с двумя разными полевыми транзисторами. Резистор 2 МОм устанавливает затвор. смещения и аналогичен резистору утечки сетки, используемому в ламповой работе. Однако этот резистор должен быть достаточно мал, чтобы увеличился ток утечки между затвором и источник не изменит кардинально предвзятость.Для У-110 и У-112 утечка между затвором и истоком при комнатной температуре порядка 5 наноампер (5 x 10 ^-9 amp), поэтому резистор на 1 или 2 МОм будет достаточным.

При повышенных температурах увеличение тока утечки приведет к тому, что резистор меньшего размера должен использоваться, чтобы уменьшить изменения смещения с током утечки. Это можно смещать полевые транзисторы так, чтобы получился очень небольшой температурный дрейф.

Усилитель с общим источником

Схема с общим истоком аналогична транзистору с общим эмиттером и общим катодом. ламповые схемы.Опять же, свойства этой схемы аналогичны транзистору. и ламповые аналоги. Входное и выходное сопротивление имеют промежуточное значение и может быть реализовано усиление по напряжению больше единицы.

На рис. 3 показаны схема с общим источником и диаграмма полосы пропускания, полученная с использованием либо полевой транзистор U-110, либо U-112.

Генератор Миллера

Очень высокий входной импеданс полевого транзистора позволяет нам построить простую схему Миллера. осциллятор рис.4. Высокое сопротивление схемы затвора приводит к небольшой нагрузке. кристалла. Комбинация LC в контуре стока настроена так, чтобы слегка резонировать ниже параллельного резонанса кристалла. Для рассматриваемого типа устройств В этой статье верхний предел работы по частоте составляет всего несколько мегагерц. Для кристаллов, отличных от показанного блока 512 кГц, необходимо изменить комбинацию LC. соответственно.

Выход генератора не выдержит большой нагрузки, но источник-повторитель Схема может использоваться в качестве драйвера для обеспечения низкого выходного сопротивления без нагрузки ступень генератора чрезмерно.Учитывая различия в типах полевых транзисторов и деталях компоновки, также может потребоваться некоторая модификация сети LC. Для тестируемой схемы «чистые» колебания наблюдались для четырех типов полевых транзисторов, указанных на рисунке. без перенастройки схемы и при напряжении питания от 6 до 22 вольт.

Пара полевых транзисторов / транзисторов

Схема, которая работает как улучшенный повторитель-источник или повторитель-эмиттер. показан на рис.5. Полевой транзистор снова обеспечивает очень высокое входное сопротивление, в то время как транзисторный выход обеспечивает низкий выходной импеданс. В отличие от последователя-источника или ведомого-эмиттера, эта схема может быть построена так, чтобы коэффициент усиления по напряжению был больше единицы. Это выполнено резистором в цепи обратной связи, как показано на рис. 5A (внизу справа).

На рис. 5В приведены характеристики полосы пропускания при использовании с коэффициентом усиления по напряжению, равным единице. и с усилением по напряжению больше единицы. Полоса пропускания зависит от импеданса. источника движения.При возбуждении испытательным генератором на 600 Ом верхние 3 дБ точка составляет 2 МГц. Полоса пропускания уменьшается по мере увеличения импеданса источника возбуждения. В на низких частотах входное сопротивление усилителя составляет около 100 МОм, а выходное сопротивление менее 2000 Ом.

На рис. 6 показан стретчер, который измеряет пиковую амплитуду импульса и удерживает этот уровень напряжения на время, намного превышающее ширину импульса. Диаграмма включает кнопку для подачи импульса, но, конечно, импульс может быть связан из подходящего внешнего источника.

Транзисторы Q1 и Q3 обеспечивают преобразование импеданса и изолируют полевой транзистор от как источник, так и нагрузка. При появлении входного импульса конденсатор заряжается через Q1 и диод. После окончания входного импульса Q1 отключается, и диод с обратным смещением. Входное сопротивление Q2 очень велико, так что заряд утекает из конденсатора в основном за счет тока утечки через диод и конденсатор. Затем полевой транзистор (Q2) представляет постоянный ток. уровень до Q3, который действует как выходной драйвер.На рис. 6 также показана длительность выходного сигнала, полученного с четырьмя различными полевыми транзисторами. (Обратите внимание, что полевой транзистор подключен в обратном направлении, чтобы сделать сток отрицательным.)

Постоянная времени может быть увеличена за счет использования полевого транзистора с очень низкой утечкой затвора. и выбрав диод и конденсатор с очень низкой утечкой. Используя эти больше дорогие компоненты, схемы стретчера на полевых транзисторах с длительностью выходных импульсов до Построено 30 часов. Схема может использоваться как детектор пиковой амплитуды или для получения необходимой выдержки времени.Сброс осуществляется путем разрешения выхода на распад или замыканием конденсатора на массу.

Полевой транзистор также можно использовать в качестве линейного затвора или электронного переключателя, как показано на рис. 7. Сопротивление между истоком и стоком при «замкнутом» переключателе составляет примерно 1 / г _м . Когда переключатель находится в «разомкнутом» положении, только небольшой ток утечки протекает между источник и сток. Этот тип схемы также может использоваться в качестве амплитудного модулятора.

Рис.7 — Схема линейного стробирования или амплитудного модулятора.

Мы представили шесть простых и недорогих схем, которые иллюстрируют многие принципы работы полевого транзистора. Эти схемы предназначены для понимания устройств и стимулировать размышления о других приложениях.

Авторы выражают признательность г-ну Чарльзу Макдональду за сотрудничество. из Siliconix, Inc. и г-на Эл Кенрика из General Electric Company.

Опубликовано: 22 июля 2019 г. (оригинал 3/1/2012)

Поставщики и ресурсы беспроводной связи RF

О мире беспроводной связи RF

Веб-сайт RF Wireless World является домом для поставщиков и ресурсов радиочастотной и беспроводной связи.На сайте представлены статьи, руководства, поставщики, терминология, исходный код (VHDL, Verilog, MATLAB, Labview), тестирование и измерения, калькуляторы, новости, книги, загрузки и многое другое.

Сайт RF Wireless World охватывает ресурсы по различным темам, таким как RF, беспроводная связь, vsat, спутник, радар, оптоволокно, микроволновая печь, wimax, wlan, zigbee, LTE, 5G NR, GSM, GPRS, GPS, WCDMA, UMTS, TDSCDMA, Bluetooth, Lightwave RF, z-wave, Интернет вещей (IoT), M2M, Ethernet и т. Д. Эти ресурсы основаны на стандартах IEEE и 3GPP.Он также имеет академический раздел, который охватывает колледжи и университеты по инженерным дисциплинам и MBA.

Статьи о системах на основе Интернета вещей

Система обнаружения падений на основе Интернета вещей для пожилых людей : В статье рассматривается архитектура системы обнаружения падений, используемой для пожилых людей. В нем упоминаются преимущества или преимущества системы обнаружения падений Интернета вещей. Читать дальше➤
Также обратитесь к другим статьям о системах на основе Интернета вещей следующим образом:
• Система очистки туалетов самолета. • Система измерения столкновений • Система отслеживания скоропортящихся продуктов и овощей • Система помощи водителю • Система умной торговли • Система мониторинга качества воды. • Система Smart Grid • Система умного освещения на базе Zigbee • Умная парковка на базе Zigbee • Система умной парковки на основе LoRaWAN

---

RF Статьи о беспроводной связи

В этом разделе статей представлены статьи о физическом уровне (PHY), уровне MAC, стеке протоколов и сетевой архитектуре на основе WLAN, WiMAX, zigbee, GSM, GPRS, TD-SCDMA, LTE, 5G NR, VSAT, Gigabit Ethernet на основе IEEE / 3GPP и т. Д. .стандарты. Он также охватывает статьи, относящиеся к испытаниям и измерениям, по тестированию на соответствие, используемым для испытаний устройств на соответствие RF / PHY. СПРАВОЧНЫЕ СТАТЬИ УКАЗАТЕЛЬ >>.

---

Физический уровень 5G NR : Обработка физического уровня для канала 5G NR PDSCH и канала 5G NR PUSCH рассмотрена поэтапно. Это описание физического уровня 5G соответствует спецификациям физического уровня 3GPP. Читать дальше➤

---

Основы повторителей и типы повторителей : В нем объясняются функции различных типов ретрансляторов, используемых в беспроводных технологиях.Читать дальше➤

---

Основы и типы замирания. Читать дальше➤

---

Архитектура сотового телефона 5G : В этой статье рассматривается структурная схема сотового телефона 5G с внутренними модулями 5G. Архитектура сотового телефона. Читать дальше➤

---

Основы помех и типы помех: В этой статье рассматриваются помехи по соседнему каналу, помехи в совмещенном канале, Электромагнитные помехи, ICI, ISI, световые помехи, звуковые помехи и т. Д.Читать дальше➤

---

5G NR Раздел

В этом разделе рассматриваются функции 5G NR (New Radio), нумерология, диапазоны, архитектура, развертывание, стек протоколов (PHY, MAC, RLC, PDCP, RRC) и т. Д. 5G NR Краткий указатель ссылок >>
• Мини-слот 5G NR • Часть полосы пропускания 5G NR • 5G NR CORESET • Форматы DCI 5G NR • 5G NR UCI • Форматы слотов 5G NR • IE 5G NR RRC • 5G NR SSB, SS, PBCH • 5G NR PRACH • 5G NR PDCCH • 5G NR PUCCH • Эталонные сигналы 5G NR • 5G NR m-последовательность • Золотая последовательность 5G NR • 5G NR Zadoff Chu Sequence • Физический уровень 5G NR • Уровень MAC 5G NR • Уровень 5G NR RLC • Уровень 5G NR PDCP

---

Учебные пособия по беспроводным технологиям

В этом разделе рассматриваются учебные пособия по радиочастотам и беспроводной связи.Он охватывает учебные пособия по таким темам, как сотовая связь, WLAN (11ac, 11ad), wimax, bluetooth, zigbee, zwave, LTE, DSP, GSM, GPRS, GPS, UMTS, CDMA, UWB, RFID, радар, VSAT, спутник, WLAN, волновод, антенна, фемтосота, тестирование и измерения, IoT и т. Д. См. УКАЗАТЕЛЬ Учебников >>

---

Учебное пособие по 5G — В этом учебном пособии по 5G также рассматриваются следующие подтемы по технологии 5G:
Учебное пособие по основам 5G Частотные диапазоны руководство по миллиметровым волнам Волновая рама 5G мм Зондирование волнового канала 5G мм 4G против 5G Испытательное оборудование 5G Сетевая архитектура 5G Сетевые интерфейсы 5G NR канальное зондирование Типы каналов 5G FDD против TDD Разделение сети 5G NR Что такое 5G NR Режимы развертывания 5G NR Что такое 5G TF

---

В этом учебном пособии GSM рассматриваются основы GSM, сетевая архитектура, сетевые элементы, системные спецификации, приложения, Типы пакетов GSM, структура или иерархия кадров GSM, логические каналы, физические каналы, Физический уровень GSM или обработка речи, вход в сеть мобильного телефона GSM, установка вызова или процедура включения питания, MO-вызов, MT-вызов, VAMOS, AMR, MSK, модуляция GMSK, физический уровень, стек протоколов, основы работы с мобильным телефоном, Планирование RF, нисходящая линия связи PS-вызовов и восходящая линия связи PS-вызовов.
➤Подробнее.

LTE Tutorial , охватывающий архитектуру системы LTE, охватывающий основы LTE EUTRAN и LTE Evolved Packet Core (EPC). Он обеспечивает связь с обзором системы LTE, радиоинтерфейсом LTE, терминологией LTE, категориями LTE UE, структурой кадра LTE, физическим уровнем LTE, Стек протоколов LTE, каналы LTE (логические, транспортные, физические), пропускная способность LTE, агрегация несущих LTE, передача голоса по LTE, расширенный LTE, Поставщики LTE и LTE vs LTE продвинутые.➤Подробнее.

---

RF Technology Stuff

Эта страница мира беспроводной радиосвязи описывает пошаговое проектирование преобразователя частоты RF на примере преобразователя RF UP от 70 МГц до диапазона C. для микрополосковой платы с использованием дискретных радиочастотных компонентов, а именно. Смесители, гетеродин, MMIC, синтезатор, опорный генератор OCXO, колодки аттенюатора. ➤Подробнее.
➤Проектирование и разработка радиочастотного трансивера ➤Конструкция RF-фильтра ➤Система VSAT ➤Типы и основы микрополосковой печати ➤ОсновыWaveguide

---

Секция испытаний и измерений

В этом разделе рассматриваются контрольно-измерительные ресурсы, испытательное и измерительное оборудование для тестирования DUT на основе Стандарты WLAN, WiMAX, Zigbee, Bluetooth, GSM, UMTS, LTE.ИНДЕКС испытаний и измерений >>
➤Система PXI для T&M. ➤ Генерация и анализ сигналов ➤Измерения слоя PHY ➤Тест устройства на соответствие WiMAX ➤ Тест на соответствие Zigbee ➤ Тест на соответствие LTE UE ➤Тест на соответствие TD-SCDMA

---

Волоконно-оптическая технология

Оптоволоконный компонент , основные сведения, включая детектор, оптический соединитель, изолятор, циркулятор, переключатели, усилитель, фильтр, эквалайзер, мультиплексор, разъемы, демультиплексор и т. д.Эти компоненты используются в оптоволоконной связи. Оптические компоненты INDEX >>
➤Учебное пособие по оптоволоконной связи ➤APS в SDH ➤SONET основы ➤SDH Каркасная конструкция ➤SONET против SDH

---

Поставщики и производители радиочастотной беспроводной связи

Сайт RF Wireless World охватывает производителей и поставщиков различных радиочастотных компонентов, систем и подсистем для ярких приложений, см. ИНДЕКС поставщиков >>.

Поставщики радиочастотных компонентов, включая радиочастотный изолятор, радиочастотный циркулятор, радиочастотный смеситель, радиочастотный усилитель, радиочастотный адаптер, радиочастотный разъем, радиочастотный модулятор, радиочастотный трансивер, PLL, VCO, синтезатор, антенну, генератор, делитель мощности, сумматор мощности, фильтр, аттенюатор, диплексор, дуплексер, микросхема резистора, микросхема конденсатора, микросхема индуктивности, ответвитель, оборудование ЭМС, программное обеспечение для проектирования радиочастот, диэлектрический материал, диод и т. д.Производители RF компонентов >>
➤Базовая станция LTE ➤RF Циркулятор ➤RF Изолятор ➤Кристаллический осциллятор

---

MATLAB, Labview, встроенные исходные коды

Раздел исходного кода RF Wireless World охватывает коды, связанные с языками программирования MATLAB, VHDL, VERILOG и LABVIEW. Эти коды полезны для новичков в этих языках. ИНДЕКС ИСХОДНОГО КОДА >>
➤3-8 декодер кода VHDL ➤Код MATLAB для дескремблера ➤32-битный код ALU Verilog ➤T, D, JK, SR триггеры labview коды

* Общая информация о здравоохранении *

Выполните эти пять простых действий, чтобы остановить коронавирус (COVID-19).
СДЕЛАЙТЕ ПЯТЬ
1. РУКИ: часто мойте их
2. КОЛЕНО: Откашляйтесь
3. ЛИЦО: Не трогай его
4. НОГИ: держитесь на расстоянии более 3 футов (1 м) друг от друга
5. ЧУВСТВОВАТЬ: Болен? Оставайся дома

Используйте технологию отслеживания контактов >>, соблюдайте >> рекомендации по социальному дистанцированию и установить систему видеонаблюдения >> чтобы спасти сотни жизней. Использование концепции телемедицины стало очень популярным в таким странам, как США и Китай, остановить распространение COVID-19, поскольку это заразное заболевание.

---

RF Беспроводные калькуляторы и преобразователи

Раздел «Калькуляторы и преобразователи» охватывает ВЧ-калькуляторы, беспроводные калькуляторы, а также преобразователи единиц. Сюда входят такие беспроводные технологии, как GSM, UMTS, LTE, 5G NR и т. Д. СПРАВОЧНЫЕ КАЛЬКУЛЯТОРЫ Указатель >>.
➤ Калькулятор пропускной способности 5G NR ➤5G NR ARFCN против преобразования частоты ➤Калькулятор скорости передачи данных LoRa ➤LTE EARFCN для преобразования частоты ➤Калькулятор антенн Яги ➤ Калькулятор времени выборки 5G NR

---

IoT-Интернет вещей Беспроводные технологии

Раздел IoT охватывает беспроводные технологии Интернета вещей, такие как WLAN, WiMAX, Zigbee, Z-wave, UMTS, LTE, GSM, GPRS, THREAD, EnOcean, LoRa, SIGFOX, WHDI, Ethernet, 6LoWPAN, RF4CE, Bluetooth, Bluetooth Low Power (BLE), NFC, RFID, INSTEON, X10, KNX, ANT +, Wavenis, Dash7, HomePlug и другие.Он также охватывает датчики Интернета вещей, компоненты Интернета вещей и компании Интернета вещей.
См. Главную страницу IoT >> и следующие ссылки.
➤ НИТЬ ➤EnOcean ➤Учебник по LoRa ➤Учебник по SIGFOX ➤WHDI ➤6LoWPAN ➤Zigbee RF4CE ➤NFC ➤Lonworks ➤CEBus ➤UPB

СВЯЗАННЫЕ ЗАПИСИ

RF Wireless Учебники

Различные типы датчиков

Поделиться страницей

Перевести страницу

.