Классификация транзисторов — презентация онлайн

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

К
ЕК
IБ
Б
ЕЭ
IК
К
nК
К
КП
ЭП
pБ
IБ
Б
nЭ
Э
ЕК
Э
Б
ЕЭ
IК
pК
К
КП
ЭП
nБ
Б
pЭ
Э
IЭ
а) БТ n p n-типа
IЭ
б) БТ p n p-типа
Структуры биполярных транзисторов
Э
Режимы работы БТ и полярности ИП.
1. Линейный (активный) режим: ЭП-отперт ; КП- заперт
n-p- n транзистор
p- n-p транзистор
Основные особенности:
Rкэ изменяется от Rmin до Rmax ;
β =ΔIк / ΔIб ˃˃ 1
При — Iб =const транзистор- cтабилизатор тока Iк =const.
2. Режим насыщения (отперт)
Оба перехода отперты
3. Режим отсечки(заперт)
Оба перехода заперты
Rкэ отп= Rнас -мало; состояние лог. «0»
Rкэ зап = Rотс. — велико; состояние
лог. «1»
4. Инверсный режим – обратный линейному (КП –отперт; ЭП заперт) Полярности ИП
и направление токов противоположны.
Схемы включения БТ
Rвх ≈ h21
Rвых ≈ Rк
Ku = h31*Rк / Rвх ˃˃1
Rвх ≈ (1+ h31) Rэ — велико
Rвых = Rэ ǁ rэб ≈ rэб -мало
Ku = Uвых / Uвх = Uвх – Uбэ / Uвх˂1
Rвх = Rэ ǁ rэб ≈ rэб -мало
Rвых = R к ǁ rкб ≈ R к
Ku = α* Rк / Rвх ˃ 1

Принцип работы БТ в схеме с ОЭ и соотношение токов
nэ ˃˃ pб
Iб = Iрб + Inэ рек ≈ Iрб — ток базы;
2. Iк = I1nэ + Iк0 , где: I1nэ –ток, перенесённый
из Э в К; Iк0 = Iрк + I nб — тепловой ток транзистора;
3. Iэ = Iк + Iб — закон Кирхгофа для транзистора;
4. Iк /Iб = β = h21 ˃˃ 1 — коэффициент усиления;
5. Iк /Iэ = α ˂ 1 — коэффициент усиления БТ с ОБ;
6. Iэ / Iб = (Iк + Iб) / Iб = 1+ β.
1.
Работа УК в схеме с ОЭ (главная цепь).
Iб = Uбэ / h21
Iк = β* Iб
Uкэ = Uп — Iк * Rк
Основные характеристики и параметры БТ в схеме с ОЭ
1. Входные характеристики
IБ = f(UЭБ) при UКЭ = const.
2. Выходные характеристики
IК = f(UКЭ) при IБ = const.
˂
Схема замещения БТ с ОЭ в физ. параметрах
1. rб ≈ 100ни Ом -сопротивление базовой области
2. rэ ≈ 10ки Ом –сопротивление ЭП и эмиттерной области
3. rкб ≈100ни кОм- сопротивление КП и коллекторной области
4. β *Iб — эквивалентный генератор тока;
5. rвх = rб + (1+ β)* rэ ≈1цы кОм –входное сопротивление;
6. rвых ≈ rкб ≈100ни кОм — выходное сопротивление
UБЭ = h21Э IБ + h22Э UКЭ;
IК = h31Э IБ + h32Э UКЭ,
Транзистор как активный четырёхполюсник
Эквивалентная схема замещения
БТ в h- параметрах.
h21Э = UБЭ / IБ, [Ом] при UКЭ = const
входное сопротивление транзистора;
h22Э = UБЭ / UКЭ
при IБ = const
коэффициент обратной связи;
h31Э = IК / IБ
при UКЭ = const
коэффициент усиления транзистора по току.
h32Э = IК / UКЭ, [1/Ом] при IБ = const
выходная проводимость транзистора.
Экспериментальное определение параметров БТ
h21Э = UБЭ / IБ, = rвх
при UКЭ = const;
h22Э = UБЭ / UКЭ
при IБ = const
h31Э = IК / IБ = β
при UКЭ = const
h32Э = IК / UКЭ, = 1/rвых
при IБ = const
Работа УК в схеме с ОЭ (главная цепь).
Iб = Uбэ / h21
Iк = β* Iб
Uкэ = Uп — Iк * Rк
Примеры использования БТ в электронных схемах
Rвх = Uвх /Iвх = R1ǁ R2ǁ h21 ≈ h21
т.к. R1 и R2 ˃˃ h21;
Rвых = Δ Uвых / Δ Iвых = Rк ǁ 1/ h32 ≈ Rк т.к 1/ h32 –велико;
Ku = Uвых / Uвх = h21*Rк / Rвх ˃˃ 1
Особенности работы БТ в ключевом режиме

English     Русский Правила

Классификация транзисторов По основному полупроводниковому материалу

Т ранзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

На принципиальных схемах обозначается «VT» или «Q«.

Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 22 нм . В настоящее время на одном современном кристалле площадью 1—2 см² могут разместиться несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров, снижению энергопотребления и тепловыделения.

История

П ервые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. В 1934 году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор.

Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике они существенно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX века МОП-технология стала доминировать над биполярной.

В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году они были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости.

Позднее вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый триод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor, образовано от слов transfer — передача и resist — сопротивление), предложенное Джоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.

Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемым напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах — напряжением между затвором и истоком, в биполярных транзисторах — напряжением между базой и эмиттером). — током базы.

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы:

• Германиевые

• Кремниевые

• Арсенид-галлиевые

Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок.

	p-n-p		канал p-типа
	n-p-n		канал n-типа
Биполярные		Полевые

Обозначение транзисторов разных типов. Условные обозначения: Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база; З — затвор, И — исток, С — сток.

Транзисторы

Биполярные

Полевые

p-n-p

n-p-n

С p-n-переходом

С изолированным затвором

С каналом n-типа

С каналом p-типа

Со встроенным каналом

С индуцированным каналом

Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена в соответствующие статьи.

Классификация, конфигурация, применение и преимущества Транзистор

изначально назывался «транзитным резистором» или «переходным резистором». Это элементарная единица электронных схем. Они настолько интенсивно используются, что вы не можете представить печатную плату без этого компонента. В этой статье речь пойдет о том, что такое транзистор, его конфигурация, классификация, принцип работы, области применения, преимущества и недостатки.

Что такое транзистор

Транзисторы представляют собой электронные устройства, которые составляют основной и основной компонент любых электронных схем. Раньше транзисторы делались из германия, чувствительного к температуре, и постепенно их заменяли кремнием. Кремниевые транзисторы дешевле в производстве. Они являются элементарными единицами микрочипов и компьютеров.

Рис. 1. Физический вид транзистора

Его также можно определить как устройство с тремя выводами, которое состоит из трех отдельных слоев, где два одинаковых слоя находятся между слоями противоположного типа, называемыми «транзисторами».

Слои могут быть двух типов «P», между которыми находится один тип «N», или два слоя «N», между которыми находится один тип «P», как показано на рис.2. Левый терминал называется Излучателем, правый терминал называется Коллектором, а область посередине называется Базой.

Классификация транзисторов

В основном транзисторы из трех типов:

• Контактный транзистор. – Классификация транзисторов
  Транзистор с точечным контактом

  Это были первые изобретенные транзисторы, в которых в качестве полупроводника использовался германий, и через него проходили два провода из фосфористой бронзы. Импульсы сильного тока использовались для плавления проводов, и это вызвало диффузию фосфора из проводов в германий, что создало области P-типа вокруг точек. Образовалась PNP-структура, обладающая отрицательным сопротивлением.

  Полевой транзистор (FET)

  Полевые транзисторы представляют собой три оконечных устройства с затвором, истоком, стоком и подложкой, которые считаются четвертым выводом. Это устройства, управляемые напряжением, которые контролируют размер и форму канала. Поскольку они работают на одном канале, они помечены как униполярные транзисторы. Далее они классифицируются как:

  • JFET
  • MOSFET
  JFET

  J соединение G ate F ield- E ffect T Ранзистор представляет собой трехполюсное устройство, которое не требует тока смещения и полностью контролируется напряжением. Они называются устройствами режима истощения, имеющими каналы N-типа и P-типа.

  MOSFET

  M ETAL O XIDE S ILICON F IELD E FFECT T RANSISTOR также является UNIPLERTOR, и является DRAIS -SOCTRATE, и SUBTRATE SOCTRATE, и Subtrate, и Subtrate, и Subtrate, и Subtrate, и Subtrate, и Subtrate, и является Drustrate, и является Drustrate, и является Drustrate. Двумя режимами работы MOSFET являются режим расширения и режим истощения с каналами N-типа и P-типа.

  Биполярный переходной транзистор (BJT)

  Переходные транзисторы обычно называются BJT или биполярными переходными транзисторами, имеющими три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Ток управляет транзисторами, то есть небольшой ток, протекающий через базу, вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. BJT включается входным током, который подается на базу.

  Далее они подразделяются на:

  • NPN Транзисторы
  • PNP Transistors

  Fig. 3 – Basic Structure & Circuit Symbol of NPN – PNP Transistors

  NPN Transistor

  A NPN Transistor is a type of BJT which is composed of three layers где легированный слой «P» зажат между двумя слоями, легированными «N».

  Транзистор PNP

  Транзистор PNP представляет собой тип BJT, который состоит из трех слоев, в которых слой с примесью N расположен между двумя слоями с примесью P.

  Конфигурации цепи транзистора

  Транзистор имеет три вывода, а именно выводы эмиттера, базы и коллектора, но когда он подключен к цепи, требуется четыре вывода. Две клеммы необходимы для входа и две другие для вывода. Следовательно, одна клемма транзистора является общей как для входной, так и для выходной клеммы. Эмиттер и коллектор неизменно имеют прямое и обратное смещение соответственно.

  Существует три способа подключения транзистора к цепи, а именно:

  • Соединение с общей базой (цепь с общей базой)
  • Соединение с общим эмиттером (цепь с общим эмиттером)
  • Соединение с общим коллектором (цепь с общим коллектором)

  Цепь с общей базой

  База как для ввода, так и для вывода. Входной сигнал подается между эмиттером и базой, а выходной сигнал поступает от коллектора и базы. В этом типе схемы ток эмиттера (I _E ), который также является входным током, высок. Следовательно, входное сопротивление низкое.

  Рис. 4 – Цепь с общей базой

  Из-за обратного напряжения на коллекторе выходное сопротивление высокое. Соединение с общей базой редко используется, так как оно не имеет текущего усиления.

  Схема с общим эмиттером

  Это наиболее широко используемая схема во всех транзисторных приложениях. Эта схема, как показано на рис. 5, имеет общий эмиттер как для входа, так и для выхода. Входной сигнал подается между базой и эмиттером, а выходной сигнал поступает от коллектора и эмиттера. Из-за малого базового тока (I _B ), входное сопротивление очень велико. Рис. 5 – Схема с общим эмиттером . Коэффициент усиления по напряжению в этой схеме высокий.

  Общая схема коллектора

  В схеме этого типа, как показано на рис.6, коллектор является общим как для входа, так и для выхода. Входной сигнал подается между базой и коллектором, а выходной сигнал получается между эмиттером и коллектором.

  Рис. 6 – Цепь общего коллектора

  Входное сопротивление высокое, а выходное сопротивление низкое по сравнению с другими цепями. Прибавки по напряжению нет. Эта схема находит свое применение в согласовании импедансов.

  Как работает транзистор

  Чтобы понять принцип работы транзистора, рассмотрим NPN-транзистор, как показано на рис.6. Переход между эмиттером и базой известен как переход эмиттер-база, который смещен в прямом направлении. Точно так же соединение между базой и коллектором известно как соединение коллектор-база, которое имеет обратное смещение. 9Рис. 7. Базовая схема большое количество носителей заряда (электронов) внедряется в базовую область. Этот ток из области эмиттера называется током эмиттера I _E . Поскольку ток протекает через базу P-типа, небольшое количество электронов объединяется с дырками. Это составляет Базовый ток I _Б . База очень тонкая и слегка легированная, что помогает оставшимся носителям заряда перемещаться в область коллектора.

  Обратное смещение коллектора притягивает электроны. Коллектор умеренно легирован и позволяет остальным электронам проходить через него. Отсюда можно сделать вывод, что ток эмиттера представляет собой сумму тока базы и тока коллектора, т.е. I _E = I _B + I _C

  0002 Области применения включают:
  • Транзисторы используются в генераторах и модуляторах в качестве усилителей.
  • Используются в цифровых схемах в качестве переключателей.
  • Транзисторы используются в радиочастотных цепях для беспроводных систем.
  • Транзисторные переключатели используются в охранной сигнализации, промышленных схемах управления, памяти и микропроцессорах.
  • Они используются в драйвере Sub Wordline Driver (SWD) для создания низкочастотных токов.
  • МОП-транзисторы используются в схемах прерывателя.
  • JFET , МОП-транзистор может выступать в качестве пассивного элемента, такого как резистор.
  Преимущества Транзистор

  Преимущества:

  • Транзисторы имеют компактные размеры.
  • Они обеспечивают высокий коэффициент усиления по напряжению и требуют меньшего напряжения питания.
  • Не требуют нагрева, так как не имеют нити накала.
  • Срок службы транзисторов выше, чем у электронных ламп.
  • Упрощено управление цепями высокой мощности.
  • Схема проще.
  Недостатки Транзистор

  Недостатки:

  • Ток утечки усиливается в цепи с общим эмиттером.
  • Имеют меньшую рассеиваемую мощность менее 300 Вт.
  • Транзисторы, за исключением FET (полевых транзисторов), имеют низкий входной импеданс.
  • Они зависят от температуры.

    Читайте также: 
   Однопереходный транзистор  (UJT) - конструкция, работа, кривая характеристик и применение
  Транзистор PNP — принцип работы, характеристики и применение
  Фильтр верхних частот — типы, области применения, преимущества и недостатки  

  Классификация транзисторов

  Содержание

  Изобретение транзистора оказало беспрецедентное влияние на электронную промышленность. Итак, сегодняшний электронный век начался великолепно. С развитием времени, а затем во главе с компьютерами, электронные технологии достигли быстрого развития. Его появление обогатило жизнь людей. Сегодня easybom подробно анализирует типы транзисторов.

  Классификация по полупроводниковым материалам и полярности

  Полупроводниковые материалы, используемые в транзисторах, можно разделить на транзисторы из германиевого материала и транзисторы из кремниевого материала. В зависимости от полярности этот транзистор можно разделить на германиевый NPN-транзистор, германиевый PNP-транзистор, кремниевый NPN-транзистор и кремниевый PNP-транзистор.

  Классификация по структуре и производственному процессу

  Транзисторы можно разделить на диффузионные транзисторы, планарные транзисторы и сплавные транзисторы на основе их конструкции и технологии производства.

  Классификация по току

  Транзисторы бывают маломощные, среднемощные и высокомощные в зависимости от их мощностей.

  Классификация по рабочей частоте

  Транзисторы подразделяются на низкочастотные транзисторы и высокочастотные транзисторы, а также сверхвысокочастотные транзисторы в соответствии с используемой ими рабочей частотой.

  Классификация по структуре корпуса

  Транзисторы можно разделить на транзисторы в металлическом корпусе, транзисторы в пластиковом корпусе, транзисторы в стеклянном корпусе, транзисторы в поверхностном корпусе и транзисторы в керамическом корпусе. Существуют различные формы пакетов.

  Классификация по функциям и назначению

  Транзисторы можно разделить на малошумящие транзисторы усилителя, транзисторы усилителя средней и высокой частоты, транзисторы усилителя низкой частоты, переключающие транзисторы, транзисторы с высоким обратным напряжением, транзисторы с демпфированием, фототранзисторы, транзисторы полосового сопротивления и магниточувствительные транзисторы.

  Силовой транзистор

  Силовой транзистор GTR представляет собой транзистор с биполярным переходом, способный выдерживать ток и высокое напряжение. Поэтому его иногда называют Power BJT. Его характеристики: высокое выдерживаемое напряжение, большой ток и хорошие характеристики переключения. Но его схема привода сложна, а мощность привода велика. Принцип GTR и транзисторов с биполярным переходом абсолютно идентичен.

  Фототранзистор

  Фототранзисторы — это оптоэлектронные компоненты, состоящие из трехконтактных устройств, таких как биполярные транзисторы или полевые транзисторы. Свет поглощается в его активной области, создавая фотогенерированные носители. Через внутренний механизм электрического усиления генерируется усиление фототока. Фототранзистор работает на трех выводах. Легко реализовать электрическое управление или электрическую синхронизацию. Материал, используемый в фототранзисторах, обычно представляет собой арсенид галлия. Он в основном делится на биполярные фототранзисторы, полевые фототранзисторы и связанные с ними устройства. Биполярные фототранзисторы обычно имеют высокий коэффициент усиления, но быстродействие не слишком быстрое. Полевой фототранзистор имеет быстродействие. Недостаток его в том, что светочувствительная площадь мала и коэффициент усиления мал. Он часто используется в качестве чрезвычайно высокоскоростного оптического детектора. Есть много других планарных оптоэлектронных устройств, связанных с этим. Характеристики высокая скорость и подходит для интеграции. Ожидается, что такие устройства найдут широкое применение в оптоэлектронной интеграции.

  Биполярный транзистор

  Биполярный транзистор относится к типу транзисторов, которые очень часто используются в аудиосхемах. Биполярный происходит от соотношения между током, протекающим в двух полупроводниковых материалах. Биполярные транзисторы классифицируются как типы PNP или NPN в зависимости от полярности их рабочего напряжения.

  Биполярный транзистор

  Биполярные транзисторы также называют полупроводниковыми транзисторами. Это инструмент, который соединяет два соединения PN с помощью определенной процедуры и поставляется с двумя комбинированными структурами, PNP и NPN. Снаружи нарисованы три полюса: коллектор, эмиттер и база. Коллектор вытягивается из области коллектора. Излучатель выводится из зоны запуска. База рисуется из базовой области. BJT имеет увеличительный эффект. Для обеспечения этого процесса передачи, с одной стороны, должны быть выполнены внутренние условия. Требуется, чтобы концентрация примесей в эмиттерной области была намного больше, чем концентрация примесей в базовой области, а толщина базовой области должна быть небольшой. Кроме того, он должен соответствовать внешним условиям. Переход передатчика должен быть смещен вперед, а переход коллектора должен иметь обратное смещение. Есть много типов BJT. По частоте он делится на высокочастотные и низкочастотные. По мощности различают лампы малой, средней и большой мощности. По полупроводниковым материалам он делится на кремниевые трубки и германиевые трубки. Он состоит из усилительных схем: схема усиления с общим эмиттером, общей базой и общей коллекторной схемой.

  Полевой транзистор

  Полевой транзистор — это транзистор, работающий по принципу полевого эффекта. Называется FET. Полевой эффект изменяет направление или величину электрического поля, приложенного перпендикулярно поверхности полупроводника, для управления плотностью или типом основных носителей в полупроводниковом проводящем слое (канале). Он модулирует ток в канале напряжением. Его рабочий ток переносится большинством носителей в полупроводнике. Такой тип транзистора, в котором в проводимости участвует только один носитель полярности, также называют униполярным транзистором. По сравнению с биполярными транзисторами полевые транзисторы обладают такими характеристиками, как высокое входное сопротивление, низкий уровень шума, высокая предельная частота, низкое энергопотребление, простота производственного процесса и хорошие температурные характеристики. Он широко используется в различных схемах усиления, цифровых схемах и микроволновых схемах.

  Статический индукционный транзистор

  Статический индукционный транзистор SIT представляет собой полевой транзистор. Он изменяет горизонтальную проводящую структуру маломощного устройства SIT, используемого для обработки информации, на вертикальную проводящую структуру, чтобы сделать устройство SIT высокой мощности. SIT — это многодетное проводящее устройство. Его рабочая частота эквивалентна или даже выше, чем у мощного MOSFET. Его мощность также больше, чем мощность MOSFET. Поэтому он подходит для случаев высокой частоты и высокой мощности. Он широко используется в некоторых профессиональных областях, таких как радиолокационное оборудование связи, ультразвуковое усиление мощности, усиление импульсной мощности и высокочастотный индукционный нагрев.

  Одноэлектронный транзистор

  Одноэлектронные транзисторы — это транзисторы, которые могут записывать сигналы с одним или небольшим числом электронов. По мере развития полупроводниковых технологий и методов травления становится все проще интегрировать крупномасштабные схемы. В настоящее время общая память содержит 200 000 электронов в каждом запоминающем элементе, в то время как каждый запоминающий элемент одноэлектронного транзистора содержит только один или небольшое количество электронов. Это резко снизит энергопотребление и повысит эффективность интегральных схем.