Как проверить мощный полевой транзистор

В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности [2]. В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора [3] , управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком.

Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током.

Поиск данных по Вашему запросу:

Как проверить мощный полевой транзистор

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Что такое полевой транзистор и как его проверить
• Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)
• Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром
• N канальный полевик. Как проверить полевой транзистор.
  Проверка полевиков в схеме
• Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность
• Полезные товары
• Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра
• Как проверить полевой транзистор
• Как проверить МОП транзистор
• Транзистор

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Полевой ТРАНЗИСТОР

Что такое полевой транзистор и как его проверить

В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. Транзисторами также называются дискретные электронные приборы, которые, выполняя функцию одиночного транзистора, имеют в своем составе много элементов, конструктивно являясь интегральной схемой, например составной транзистор или многие транзисторы большой мощности [2].

В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов.

В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора [3] , управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком.

Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током. К м годам транзисторы, благодаря своей миниатюрности, экономичности, устойчивости к механическим воздействиям и невысокой стоимости практически полностью вытеснили электронные лампы из малосигнальной электроники.

Благодаря своей способности работать при низких напряжениях и значительных токах, транзисторы позволили уменьшить потребность в электромагнитных реле и механических переключателях в оборудовании, а благодаря способности к миниатюризации и интеграции позволили создать интегральные схемы , заложив основы микроэлектроники.

С х в связи с появлением новых мощных транзисторов, стали активно вытесняться электронными устройствами трансформаторы, электромеханические и тиристорные ключи в силовой электротехнике, начал активно развиваться Частотно-регулируемый привод и инверторные преобразователи напряжения. До х гг. В году немецкий физик Карл Фердинанд Браун впервые обнаружил явление односторонней проводимости контакта металл—полупроводник. В году инженер Гринлиф Виттер Пиккард изобретает точечный полупроводниковый диод-детектор.

В году английский физик Уильям Икклз обнаружил у некоторых полупроводниковых диодов способность генерировать электрические колебания, а инженер Олег Лосев в году самостоятельно разработал диоды, обладающие при некоторых напряжениях смещения отрицательным дифференциальным сопротивлением, с помощью которых впервые успешно использовал усилительные и генераторные свойства полупроводников Кристадинный эффект , в детекторных и гетеродинных радиоприёмниках собственной конструкции.

Особенностью этого периода развития было то, что физика полупроводников была ещё плохо изучена, все достижения являлись следствием экспериментов, учёные затруднялись объяснить, что происходит внутри кристалла, часто выдвигая ошибочные гипотезы.

Потенциальных перспектив полупроводников никто не видел. Первый шаг в создании полевого транзистора сделал австро-венгерский физик Юлий Эдгар Лилиенфельд , который предложил метод управления током в образце путём подачи на него поперечного электрического поля, которое, воздействуя на носители заряда, будет управлять проводимостью. Однако несмотря на то, что полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля и по протекающим в них физическим процессам проще биполярных, создать работоспособный образец полевого транзистора долго не удавалось.

Работоспособный полевой транзистор был создан уже после открытия биполярного транзистора. В году Уильям Шокли теоретически описал модель полевого транзистора другого типа, модуляция тока в котором, в отличие от ранее предложенных МДП [8] структур, осуществлялась изменением толщины проводящего канала за счёт расширения или сужения обеднённой области, прилегающего к каналу р-n-перехода.

Это происходило при подаче на переход управляющего напряжения запирающей полярности затворного диода. Первый полевой МДП-транзистор, запатентованный ещё в е годы и сейчас составляющий основу компьютерной индустрии, впервые был создан в году после работ американцев Канга и Аталлы, предложивших в качестве слоя затворного диэлектрика формировать на поверхности кремниевого кристалла с помощью окисления поверхности кремния тончайший слой диоксида кремния , изолирующий металлический затвор от проводящего канала, такая структура получила название МОП-структура Металл-Окисел-Полупроводник.

В отличие от полевого, первый биполярный транзистор создавался экспериментально, а его физический принцип действия был объяснён уже позднее. Иоффе провёл ряд экспериментов с полупроводниковым устройством, конструктивно повторяющим точечный транзистор на кристалле карборунда SiC , однако достаточного коэффициента усиления получить тогда не удалось.

Изучая явления электролюминесценции в полупроводниках, Лосев исследовал около 90 различных материалов, особенно выделяя кремний, и в году он вновь упоминает о работах над трёхэлектродными системами в своих записях, но начавшаяся война и гибель инженера в блокадном Ленинграде зимой года привели к тому, что некоторые его работы оказались утеряны и сейчас неизвестно, насколько далеко он продвинулся в создании транзистора.

В начале х годов точечные трёхэлектродные усилители изготовили также радиолюбители Ларри Кайзер из Канады и Роберт Адамс из Новой Зеландии, однако их работы не были запатентованы и не подвергались научному анализу [5].

Успеха добилось опытно-конструкторское подразделение Bell Telephone Laboratories фирмы American Telephone and Telegraph , с года в нём, под руководством Джозефа Бекера, работала группа ученых специально нацеленная на создание твердотельных усилителей. До года изготовить полупроводниковый усилительный прибор не удалось предпринимались попытки создания прототипа полевого транзистора.

После войны, в году, исследования возобновились под руководством физика-теоретика Уильяма Шокли , после ещё 2 лет неудач, 16 декабря года, исследователь Уолтер Браттейн , пытаясь преодолеть поверхностный эффект в германиевом кристалле и экспериментируя с двумя игольчатыми электродами, перепутал полярность приложенного напряжения и неожиданно получил устойчивое усиление сигнала.

Последующее изучение открытия, совместно с теоретиком Джоном Бардиным показало, что никакого эффекта поля нет, в кристалле идут ещё не изученные процессы, это был не полевой, а неизвестный прежде, биполярный транзистор.

Узнав об успехе, уже отошедший от дел Уильям Шокли, вновь подключается к исследованиям и за короткое время создает теорию биполярного транзистора, в которой уже наметил замену точечной технологии изготовления, более перспективной, плоскостной.

И все же, мировой сенсации не состоялось, первоначально открытие не оценили по достоинству, ибо первые точечные транзисторы, в сравнении с электронными лампами, имели очень плохие и неустойчивые характеристики. Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии вторично за создание теории сверхпроводимости.

Прибор использовался в качестве смесителя в радиолокационной технике, как два, близких по параметрам, выпрямительных точечных диода, выполненных на одном кристалле германия.

Тогда же Матаре впервые обнаружил влияние тока одного диода на параметры другого и начал исследования в этом направлении. После войны Герберт Матаре, в Париже, встретился с Иоганном Велкером, где оба физика, работая в филиале американской корпорации Westinghouse Electric , продолжили эксперименты над дуодиодом в инициативном порядке.

Серийно выпускаемые фирмой Westinghouse транзитроны, несмотря на то что по качеству они успешно конкурировали с транзисторами, также не смогли завоевать рынок и вскоре работы в этом направлении прекратились [5]. Несмотря на миниатюрность и экономичность, первые транзисторы отличались высоким уровнем шумов, маленькой мощностью, нестабильностью характеристик во времени и сильной зависимостью параметров от температуры.

Точечный транзистор, не являясь монолитной конструкцией, был чувствителен к ударам и вибрациям. Фирма-создатель Bell Telephone Laboratories не оценила перспективы нового прибора, выгодных военных заказов не ожидалось и лицензия на изобретение вскоре начала продаваться всем желающим за 25 тыс. В году был создан плоскостной транзистор, конструктивно представляющий собой монолитный кристалл полупроводника, и примерно в это же время появились первые транзисторы на основе кремния.

Характеристики транзисторов быстро улучшались и вскоре они стали активно конкурировать с электронными радиолампами. Позднее транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

В начале го века транзистор стал одним из самых массовых изделий, производимых человечеством. С появлением интегральных микросхем началась борьба за уменьшение размера элементарного транзистора. В году самые маленькие транзисторы содержали считанные атомы вещества [12]. Транзисторы стали основной частью компьютеров и других цифровых устройств.

В некоторых конструкциях процессоров их количество превышало миллиард штук. Современная технология может оперировать не только электрическим зарядом, но и магнитными моментами, спином отдельного электрона, фононами и световыми квантами, квантовыми состояниями в общем случае.

Помимо основного полупроводникового материала , применяемого обычно в виде легированного в некоторых частях монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции металлические выводы, изолирующие элементы, корпус пластиковый, металлостеклянный или металлокерамический. Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев.

Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на основе углеродных нанотрубок [13] , о графеновых полевых транзисторах. Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа и внутренней структуры.

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:. Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счёт изменения конструкции зоны эмиттера. Такая конструкция транзистора позволяет сократить количество внешних навесных компонентов и минимизирует необходимую площадь монтажа. RET транзисторы применяются для непосредственного подключения к выходам микросхем без использования токоограничивающих резисторов.

Применение гетеропереходов позволяет создавать высокоскоростные и высокочастотные полевые транзисторы, такие как например, HEMT. Но транзисторы почти всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов назначить общим, и, поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три основные схемы включения транзистора:. Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора стока при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема.

Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Статья с подробным описанием принципа в англоязычном разделе. Существуют экспериментальные разработки полностью цифровых усилителей, на основе ЦАП, состоящих из мощных транзисторов [20] [21].

Транзисторы в таких усилителях работают в ключевом режиме. Транзисторы применяются в качестве активных усилительных элементов в усилительных и переключательных каскадах.

Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления по мощности, чем транзисторы, но работают только в ключевом переключательном режиме. Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП металл-оксид-полупроводник -транзисторах МОПТ , как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах.

Иногда их называют МДП металл-диэлектрик-полупроводник -транзисторы. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 8 нм [ источник не указан дней ]. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров миниатюризация МОПТ и увеличение их количества на одном чипе степень интеграции , в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе см.

Закон Мура. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров, снижению энергопотребления и тепловыделения. В настоящее время микропроцессоры Intel собираются на трёхмерных транзисторах 3d транзисторы , именуемых Tri-Gate.

Эта революционная технология позволила существенно улучшить существующие характеристики процессоров. Суть этой технологии в том, что сквозь затвор транзистора проходит особый High-K диэлектрик, который снижает токи утечки.

По принципу управления наиболее родственен электронной лампе полевой транзистор, многие соотношения, описывающие работу ламп, пригодны и для описания работы полевых транзисторов. Это привело к широкому использованию комплементарных схем КМОП. Основные преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников вакуумные лампы в большинстве электронных устройств:. Материал из Википедии — свободной энциклопедии.

У этого термина существуют и другие значения, см. Транзистор значения. Подробное рассмотрение темы: Изобретение транзистора. Основная статья: Составной транзистор. Дополнительные сведения: Электронная лампа. Транзисторная история. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор. Виртуальный компьютерный музей.

Краткие основы и история развития. На ветвях углеродного дерева вырос небывалый транзистор. Для улучшения этой статьи желательно :. Проставив сноски , внести более точные указания на источники. Пожалуйста, после исправления проблемы исключите её из списка параметров. После устранения всех недостатков этот шаблон может быть удалён любым участником. Электронные компоненты. Резистор Переменный резистор Подстроечный резистор Варистор Фоторезистор Конденсатор Переменный конденсатор Подстроечный конденсатор Катушка индуктивности Кварцевый резонатор Предохранитель Самовосстанавливающийся предохранитель Трансформатор Мемристор Бареттер.

Электронно-лучевая трубка ЖК-дисплей Светодиод Газоразрядный индикатор Вакуумно-люминесцентный индикатор Блинкерное табло Семисегментный индикатор Матричный индикатор Кинескоп. Терморезистор Термопара Элемент Пельтье. Транзисторные усилители.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ)

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными. Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы исток и сток. Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток.

Перед началом проверки полевых транзисторов рассмотрим, какие .. Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

Продолжаем рубрику проверки электрорадиоэлементов, и сегодня я представляю первую статью по проверке полевых транзисторов тестером или как сейчас принято говорить — мультиметром. Из этого рисунку видно, что полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором. Сегодня я вам расскажу, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом , а в следующем выпуске журнал перейдем к проверке MOSFET транзистора, так что не забываем подписываться на журнал. Форма подписки после статьи. Полевые транзисторы бывают n-канальные и p-канальные. В виду того, что широкое распространение получили n-канальные полевые транзисторы, на их примере и рассмотрим принцип работы полевого транзисторы с управляющим p-n переходом. Итак, транзистор состоит из n-полупроводника с внедренными в него высоколегированными n-областями с большой концентрацией носителей заряда — электронов. Сам полупроводник находится на подложке p-типа, которая соединена с еще одной p-областью. Вместе эти области называются затвором gate.

N канальный полевик. Как проверить полевой транзистор. Проверка полевиков в схеме

В современной электронной аппаратуре, в блоках питания , мониторах, системных платах ПК и другой аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. При проведении ремонта мы сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В данной статье даны рекомендации по проверке полевого транзистора и мерах предосторожности при работе с этими компонентами электронных схем. Полевые транзисторы ПТ , благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания ПК, телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.

Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе.

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения — вот сфера применения таких элементов. Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт.

Полезные товары

Для того, чтобы проверить полевой транзистор с управляющим P-N переходом, достаточно вспомнить его внутреннее строение. Теперь давайте вспомним, какой радиоэлемент у нас состоит из P-N перехода? Все верно, это диод. Получается что Затвор и Исток образуют один диод, а Затвор и Сток — другой диод. Сам канал обладает каким-то сопротивлением, а это есть нечто иное как резистор. У нас в гостях уже знакомый вам из прошлой статьи N-канальный полевой транзистор с P-N переходом 2N Впрочем, не так быстро!

Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET. Приведена методика как проверить полевой транзистор р- и n-канального.

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Как проверить мощный полевой транзистор

Компьютер — это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части большие и малые , мы приобретаем знание. Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит.

Как проверить полевой транзистор

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверить полевой транзистор MOSFET. Измеряем RDS, сопротивление канала.

В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра. Полевые транзисторы ПТ , благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов.

Как проверить МОП транзистор?

Как проверить МОП транзистор

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы Главное — не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее. Re: проверка полевого транзистора на схеме. Было бы не плохо ещё схему увидеть Ну, если это только один транзистор, то в данном случае его лучше и безопаснее выпаять мощным паяльником и проверить отдельно от платы.

Транзистор

Добрый день! Как проверить полевой транзистор стрелочным мультиметром. Везде где встречал методы проверки используется цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов.

Как проверить полевой транзистор?

Такой транзистор можно заменить практически любым n-канальным с напряжением между стоком и истоком больше или равно 40V и током стока больше или равно 30А, например IRFZ44, 40n10, 50N06 и т.п. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов.

Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Расположение выводов полевых транзисторов (Gate – Drain – Source) может быть различным. Часто выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S).

Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать некоторые правила безопасности.

Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. При проверке чаще всего пользуются обычным омметром, у исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление, следует заметить, что тут могут быть некоторые исключения.

Например, если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный к истоку (S), емкость затвора зарядится и транзистор откроется. И тогда при замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое можно ошибочно принять за неисправность транзистора.

Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным.

В противном случае транзистор признается неисправным. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежать досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора.

Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида, вначале берем и выпаиваем транзистор, кладем его на стол лицом к себе, ноги обязательно должны быть в воздухе, ничего не касаться. Черный щуп слева на подложку (D – сток), красный на дальний от себя вывод справа (S – исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде ~502 мВ, транзистор закрыт .

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G – затвор и опять возвращаем его на дальний (S – исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а ~150…170мВ): полевой транзистор открылся прикосновением.

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G – затвор) ножки, не отпуская красного щупа и вернуть его на подложку (D – сток), то полевой транзистор закроется, и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500мВ.

Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK. Открываем. Открыт. Закрываем. Закрыт. Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз – исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия.

Для этого просто меняем щупы мультиметра местами. Еще раз по-быстрому: Берем тестер на режиме проверки диодов. Кладем транзистор на стол лицом к себе, ноги в воздухе, ничего не касаются. Щупы тестера ставим так: минус в правую ногу, а плюс в левую. Это откроет транзистор. Плюс переносим на среднюю ногу.

Тестер должен показать минимальное падение напряжения (около 10-50 мВ). (В случае мультиметра – показывает около 0, что-то типа “002”) Теперь плюс на правую ногу, а минусом на левую. Это закроет транзистор. Тестер показывает бесконечность. И опять плюс на среднюю ногу, а минус на правую. Тестер показывает бесконечность. (Минус на среднюю ногу, плюс на правую – показывает что-то около 500 – это встроенный диод, защитный, присутствует в большинстве мощных мосфетов).

Просмотров: 314

транзисторпроверка

Поделиться:

На этом сайте не используются файлы cookie, соглашаясь вы предоставите возможность принимать файли куки подробнее

Как проверить полевой транзистор

Для проверки исправности полевого транзистора Вы можете воспользоваться любым цифровым мультиметром с функцией «прозвонки диодов». Эта функция работает таким образом, что позволяет измерить прямое падение напряжения на p-n переходе, которое будет отображаться на дисплее мультиметра во время тестирования.

В процессе данного теста мультиметр способен пропускать ток через проверяемую цепь в пределах нескольких миллиампер, а если падение напряжения окажется слишком маленьким, то при наличии в приборе функции звукового оповещения он будет прозрачный. А так как в любом полевом транзисторе присутствуют p-n переходы, то можно ожидать вполне адекватного результата.

Перед проверкой полевого транзистора на обрыв закоротите фольгой все его выводы на секунду для снятия статического заряда, чтобы разрядить все его переходные емкости, включая емкость затвор-исток.

Проверка встроенного обратного диода

Практически во всех современных полевых транзисторах, за исключением их специальных типов, параллельно диоду цепи сток-исток включена внутренняя «защитная» схема.

Наличие этого диода внутри поля обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, но в большинстве полевых транзисторов без него, как части интегральной структуры электронного компонента, не обойтись. Поэтому в исправном полевом транзисторе этот диод тоже должен быть рабочим. В n-канальном полевом транзисторе этот диод подключен катодом к стоку, анодом к истоку, а в p-канальном анодом к стоку, а катодом к истоку.

Включить мультиметр в режим «звонка» диодов. Если полевой транзистор n-канальный, то красный щуп мультиметра присоедините к его истоку (истоку), а черный к стоку (сток).

Обычно сток находится посередине и подключается к токопроводящей подложке транзистора, а исток — правый вывод (проверьте это в даташите). Если внутренний диод исправен, мультиметр покажет прямое падение напряжения на нем — в районе 0,4-0,7 вольта. Если теперь положение щупов поменять местами, прибор покажет бесконечность. Если да, то внутренний диод работает.

Проверить цепь сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. А если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится.

Итак, если транзистор n-канальный, присоединяем черный щуп к затвору, а красный к истоку, а через секунду меняем положение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный к истоку . Так что сначала мы, наверное, разгрузили затвор, а уже после этого заряжали. Затвор обычно слева, а источник справа (см. техпаспорт).

Теперь переместите красный щуп от затвора к стоку, а черный пусть останется у истока. Если транзистор исправен, то как только вы передвинете красный щуп от затвора к стоку, мультиметр покажет, что на стоке есть падение напряжения (не бесконечное, но может возрастать) — это значит, что транзистор перегорел. переходит в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на истоке, а черный щуп на затворе (разряжаем затвор обратной полярностью), после чего красный щуп снова на стоке, а черный щуп на истоке. Прибор должен показывать бесконечность — транзистор закрыт. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Если прибор защищает

Если прибор защищает сток-исток на этапе проверки, это может быть вполне нормально, т.к. в современных полевых транзисторах сопротивление сток-исток в открытом состоянии очень мало. Главное, чтобы не было кольца затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент, когда затвор заряжается противоположной полярностью. Как вариант, можно подключить затвор к истоку и в таком положении вызвать сток-исток (для n-канала красный на сток, черный на исток) прибор должен показывать бесконечность.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра

МОП-транзисторы (металл-оксид-полупроводниковые полевые транзисторы) обычно используются в электронике для управления протеканием тока. Тестирование полевых МОП-транзисторов имеет решающее значение для обеспечения надлежащего функционирования электронных устройств. В этом руководстве представлен всесторонний обзор того, как проверить полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра.

Вы можете точно и эффективно тестировать МОП-транзисторы с помощью наших пошаговых инструкций и советов по устранению неполадок.

Транзисторы необходимы для поставщиков электроэнергии, таких как переключатели, источники питания, средства управления двигателем, усилители и инверторы. Транзисторы есть почти во всех бытовых приборах, но обычные транзисторы достаточно просты для изучения и проверки; это отличается при обсуждении MOSFET.

Что такое МОП-транзистор?

Мосфеты — это уникальный и современный тип транзисторов, устанавливаемых в бытовых приборах и стильно выполняющих работу транзисторов. Как следует из названия, МОП-транзисторы представляют собой полевые транзисторы на основе оксидов металлов и полупроводников, поэтому эти отдельные транзисторы состоят из двух основных компонентов. Первый представляет собой оксид металла, а второй – полупроводник.

Таким образом, эти МОП-транзисторы, современные транзисторы, помогают усиливать различные типы нагрузок в бытовых приборах.

Работа полевого МОП-транзистора

 

Поскольку МОП-транзисторы являются транзисторами, они генерируют электрические поля. МОП-транзисторы состоят из полупроводников.

Когда на МОП-транзисторы подается электричество, носители заряда или электроны в полупроводнике начинают двигаться и создают электрическое поле. Терминал, называемый терминалом затвора, помогает и вводит заряды в полупроводник. Поэтому сопротивление между выводом стока и истоком уменьшается, и ток начинает легко проходить между ними.

Когда мы выключаем МОП-транзисторы, генерируемое электрическое поле притягивает электроны и носители заряда. Из-за этого сопротивление между выводами истока и стока увеличивается и прекращает протекание тока между ними.

МОП-транзисторы помогают передавать электрический ток между истоком и стоком.

Работа МОП-транзисторов аналогична работе обычных транзисторов, но материалы, используемые для изготовления МОП-транзисторов, и принцип работы МОП-транзисторов отличаются от обычных транзисторов. Вот почему тестирование полевых МОП-транзисторов кажется сложным, и в этом случае нам нужно надлежащее руководство, чтобы, если мы увидим какую-либо неисправность в полевых МОП-транзисторах, мы могли проверить ее должным образом, не проявляя небрежности.

Типы МОП-транзисторов:

Существует два типа МОП-транзисторов.

• МОП-транзистор с каналом P:

Второй тип полевых МОП-транзисторов — это полевые МОП-транзисторы с p-каналом, и они называются полевыми МОП-транзисторами с p-каналом, потому что тип легирования полупроводника в них является p-типом.

Канальные МОП-транзисторы p-типа имеют много дырок в полупроводнике, поэтому легирование p-типа помогает увеличить количество дырок в их полупроводнике.

• N-канальный МОП-транзистор:

Первый тип МОП-транзисторов — это n-канальные МОП-транзисторы. Это называется n-канальным MOSFET, потому что легирование в полупроводниковом материале в них n-типа.

Из-за этого легирование N-типа увеличивает количество электронов в полупроводнике. В N-канальном MOSFET в полупроводнике присутствует большое количество электронов.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра?

Чтобы проверить тип неисправности и повреждения MOSFET, вы можете использовать для этой задачи хорошо известный и самый известный электронный инструмент, цифровой мультиметр. Этот инструмент используется для проверки полевого МОП-транзистора, потому что с ним легко обращаться, и любой может проверить полевой МОП-транзистор, если он знает, как правильно пользоваться цифровым мультиметром.

Если вы боитесь и тестируете МОП-транзистор впервые, то вам будет удобно использовать цифровой мультиметр.

Меры предосторожности:

Прежде чем прикасаться к любому электронному инструменту и тестировать его, следует принять некоторые меры предосторожности. Это выгодно, потому что, если вы попытаетесь протестировать электроинструменты и приборы без каких-либо мер предосторожности, вы даже можете столкнуться с внезапной аварией, чтобы уберечь себя от любой будущей катастрофы и принять во внимание следующие профилактические меры.

• Не прикасайтесь к МОП-транзистору, если вы видите какие-либо физические повреждения, потому что в поврежденном состоянии нет смысла проверять его с помощью цифрового мультиметра. В этом случае вы должны заменить его новым, поэтому не пытайтесь проверить поврежденный или сломанный МОП-транзистор.
• Перед тестированием МОП-транзистора наденьте защитные перчатки и очки.
• Перед началом тестирования с помощью цифрового мультиметра убедитесь, что вы знаете максимальное значение тока и напряжения МОП-транзистора.
• Используйте чистый цифровой мультиметр для проверки МОП-транзистора, особенно частей цифрового мультиметра, которые будут соединяться с цифровым мультиметром.

Необходимые инструменты и материалы:

• Цифровой мультиметр
• Защитные перчатки
• Защитные очки.

Подготовив все инструменты и материалы, необходимые для процедуры тестирования полевого МОП-транзистора, и приняв во внимание некоторые основные меры предосторожности, теперь вы готовы протестировать полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра, для чего вы должны следовать данным шаги.

Перед тем, как перейти к подробному руководству, вот краткий обзор процедуры тестирования.

Как проверить МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра (краткое руководство):

• Вы должны знать о выводах затвора, стока и истока МОП-транзистора
• Установите цифровой мультиметр на настройки диода
• Держите полевой МОП-транзистор выключенным
• Подключите положительный вывод цифрового мультиметра к клемме затвора МОП-транзистора, а отрицательный вывод цифрового мультиметра — к клемме истока МОП-транзистора
• См. экран дисплея цифрового мультиметра
• Если мультиметр показывает нулевое напряжение, это означает, что полевой МОП-транзистор исправен, а если показывает любое другое значение напряжения, это означает, что МОП-транзистор поврежден.
• Теперь прикрепите положительный вывод цифрового мультиметра с выводом затвора MOSFET и отрицательный вывод цифрового мультиметра с выводом напряжения MOSFET
• Если на экране цифрового мультиметра отображается нулевое напряжение, это означает, что MOSFET работает хорошо
• Теперь установите цифровой мультиметр на настройки сопротивления
• Подсоедините положительный щуп цифрового мультиметра к клемме стока MOSFET, а отрицательный вывод цифрового мультиметра к клемме истока MOSFET
• Если цифровой мультиметр показывает высокое значение сопротивления означает, что с МОП-транзистором проблем нет
• Теперь соедините положительный щуп цифрового мультиметра с клеммой стока, а отрицательный щуп цифрового мультиметра с клеммой истока МОП-транзистора
• Если цифровой мультиметр показывает низкое значение сопротивления, это означает, что МОП-транзистор исправен.
• Теперь установите цифровой мультиметр на параметры непрерывности
• Соедините красный щуп цифрового мультиметра с клеммой затвора МОП-транзистора и черный щуп цифрового мультиметра с выводом источника MOSFET
• Посмотрите на экран дисплея цифрового мультиметра
•  если он указывает на наличие короткого замыкания и высокое значение непрерывности, то это означает, что MOSFET не был поврежден , и если вы не видите никакой непрерывности, это означает, что MOSFET был неисправен.

Ниже приведено подробное пошаговое руководство по проверке МОП-транзистора с помощью мультиметра:

Как проверить МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра (пошаговое руководство):

Важное примечание:

Процедура тестирования предназначена для МОП-транзистора с без подачи напряжения , поэтому оставьте МОП-транзистор выключенным, а затем примените к нему тесты.

Шаг 1: Найдите клеммы

Прежде чем приступить к тестированию MOSFET, в первую очередь нужно узнать обо всех клеммах MOSFET. Всего в МОП-транзисторе три контакта. Это клемма затвора, клемма истока и клемма стока. Все эти клеммы помечены разными буквами.

Таким образом, клемма ворот помечена буквой «G», клемма истока помечена буквой «S», а клемма стока помечена буквой «D». Если вы этого не понимаете, вы также можете проверить отчет о покрытии, предоставленный производителем, который поставляется с MOSFET. Вы можете лучше понять, прочитав это.

Шаг 2: Настройка цифрового мультиметра

После получения уведомлений обо всех клеммах MOSFET вы можете перейти к следующему шагу, который является настройкой цифрового мультиметра. Во-первых, вы должны установить цифровой мультиметр в настройках диода. Вы можете сделать это, повернув диск выбора цифрового мультиметра в сторону символа диода. После настройки цифрового мультиметра перейдите к следующему шагу.

Шаг 3: Подсоедините цифровой мультиметр

Теперь вам нужно один за другим подключить цифровой мультиметр к клеммам MOSFET. Сначала вы должны взять положительный вывод цифрового мультиметра и соединить его с выводом затвора MOSFET, а затем взять отрицательный вывод цифрового мультиметра и соединить его с выводом истока MOSFET.

Шаг 4: Измерьте показания

После подключения обоих выводов цифрового мультиметра к клеммам полевого МОП-транзистора вы теперь должны посмотреть на экран дисплея цифрового мультиметра. Он покажет значение напряжения между затвором и выводом истока MOSFET.

Если MOSFET работает нормально, результирующее значение напряжения должно быть равно нулю, а если вы получаете более высокое значение напряжения, это означает, что MOSFET поврежден.

Шаг 5: Измените соединение

Сейчас самое время выполнить второй тест. Для этого вам необходимо соединить положительный вывод цифрового мультиметра с клеммой затвора MOSFET, а отрицательный вывод цифрового мультиметра с клеммой стока MOSFET.

Посмотреть результаты

Ваш мультиметр должен показать нулевое значение напряжения между затворами MOSFET и выводом стока. Если он показывает более высокое значение напряжения, это указывает на то, что MOSFET был поврежден, и вы должны заменить его новым.

Шаг 6: Установите цифровой мультиметр

Теперь вам нужно изменить настройки цифрового мультиметра и повернуть ручку выбора в сторону настройки сопротивления для следующего шага.

Шаг 7: Подключите мультиметр

Теперь вам нужно соединить положительный вывод цифрового мультиметра с выводом стока полевого МОП-транзистора, а отрицательный вывод цифрового мультиметра с выводом истока полевого МОП-транзистора.

См. результаты:

Если на экране цифрового мультиметра отображается меньшее значение сопротивления, это означает, что полевой МОП-транзистор находится в хорошем состоянии.

Важное примечание:

Теперь включите полевой МОП-транзистор и проверьте его в этом состоянии, следуя инструкциям.

Шаг 8: Проверьте сопротивление

Чтобы проверить сопротивление МОП-транзистора при его включении, вы должны соединить положительный вывод цифрового мультиметра с выводом стока МОП-транзистора, а отрицательный вывод цифрового мультиметра с Исходная клемма MOSFET.

Вы должны увидеть меньшее значение сопротивления на экране цифрового мультиметра. Это будет означать, что MOSFET работает хорошо, и если вы увидите результаты, соответствующие нормальному состоянию, это означает, что MOSFET поврежден.

Шаг 9: Проверьте целостность цепи

Чтобы проверить целостность полевого МОП-транзистора, когда он включен, вы должны установить цифровой мультиметр в настройки непрерывности, а затем соединить черный щуп цифрового мультиметра с клеммой истока МОП-транзистор и красный щуп цифрового мультиметра с клеммой затвора МОП-транзистора. Точный MOSFET покажет более высокие значения непрерывности в результатах.

Окончательный вердикт:

Проверив напряжение, сопротивление и непрерывность различных выводов MOSFET с помощью цифрового мультиметра, вы решите, исправен ли ваш MOSFET или он вышел из строя.

Таким образом, после выполнения всех тестов вы сможете лучше понять, что вам следует делать. Независимо от того, нужно ли вам проверить полевой МОП-транзистор у любого другого специалиста или в случае серьезного повреждения, единственным решением будет замена МОП-транзистора.