Как проверить mosfet полевой транзистор мультиметром: Как проверить полевой транзистор: проверка мультиметром, не выпаивая — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Как проверить mosfet полевой транзистор мультиметром

Добрый день! Как проверить полевой транзистор стрелочным мультиметром. Везде где встречал методы проверки используется цифровой мультиметр в режиме прозвонки диодов. У меня мультиметр стрелочный. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6!

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Как проверить транзистор мультиметром – сколько деталей, столько и способов

Как проверить полевой транзистор мультиметром, проверка мосфет

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

N канальный полевик. Как проверить полевой транзистор. Проверка полевиков в схеме

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

Как проверить МОП транзистор

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК ПРОВЕРИТЬ ПОЛЕВИК Наглядная проверка работы Мосфета

Как проверить транзистор мультиметром – сколько деталей, столько и способов

Материал из Wiki. Обозначение выводов: S — исток, D — сток, G — затвор Рис. На мультиметре выставляем режим проверки диодов. Транзистор закрыт: мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде — мВ.

Также следует обращать внимание на соотношение Vgs th и максимального напряжения, выдаваемого мультиметром в режиме проверки диодов. Для диагностики полевых транзисторов N -канального вида ставим мультиметр на проверку диодов обычно он пищит на этом положении , черный щуп слева на подложку D — сток , красный на дальний от себя вывод справа S — исток , мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде — мВ, транзистор закрыт Рис.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода G — затвор Рис. Если сейчас черным щупом коснуться нижней G — затвор ножки, не отпуская красного щупа Рис. Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен. Для проверки P -канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Как перешить BIOS? Регистрация Забыли пароль? Как перепаять конденсаторы на материнской плате? Как проверить полевой транзистор? Проверим nForce2 MCP? Проверим nForce3 ? Обозначение выводов: S — исток, D — сток, G — затвор.

Как проверить полевой транзистор мультиметром, проверка мосфет

Для того чтобы проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая, необходимо помнить, что в современных транзисторах типа мосфет.

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

Солнечный город — Обустройство, ремонт, полезные советы для дома и квартир. В блоках питания или источниках бесперебойного напряжения полевые транзисторы часто выходят из строя. Проверка полевого транзистора важный, а в некоторых случаях один из первых шагов при ремонте подобной техники. Описанная схема предназначена для n —канального полевика, p — канальный проверяется аналогично, только необходимо изменить полярность щупов. Для проверки полевого транзистора, также можно использовать небольшие схемы, к которым подключается полевик. Такой метод даст быструю и точную диагностику. Но если нет необходимости в частых проверках полевика или лень возиться со схемой, то описанная методика проверки полевого транзистора мультиметром будет отличным решением поставленной задачи. Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов , также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных. Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ биполярный транзистор с изолированным затвором , гибридный тип, где МОП МДП транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении. Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных, посудомоечных машин, миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования.

N канальный полевик. Как проверить полевой транзистор. Проверка полевиков в схеме

Отправить комментарий. Как проверить полевой транзистор мультиметром? Исходя из особенностей конструкции полевых транзисторов способ проверки отличается от способа проверки биполярных транзисторов. Тем не менее есть один надежный способ проверки. Транзистор должен быть выпаян, на распаяном транзисторе в большинстве случаев этот способ не сработает за счет обвязки окружающих деталей.

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

Проверю на исправность один из них — К Не могу точно сказать, чем именно он привлёк моё внимание. Наверное, размером:- Вот его Datasheet. Его цоколёвка и условно-графическое обозначение: Посмотрю, в каком он состоянии, ведь когда я его выпаивал, я не знал, что он — MOSFET и никаких особых мер не предпринимал. Выпаял и положил в коробку.

Как проверить МОП транзистор

Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

Определение цоколёвки полевых транзисторов. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S.

Как проверить полевой транзистор, MOSFET-транзистор. Как проверить полевой . Процесс проверки полевого транзистора цифровым мультиметром.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов обычно он пищит на этом положении , черный щуп слева на подложку D — сток , красный на дальний от себя вывод справа S — исток , тестер показывает Ома — полевой транзистор закрыт Рис. Далее, не снимая черного щупа, касаемся Рис. Если сейчас черным щупом коснуться нижней G — затвор ножки, не отпуская красного щупа Рис.

Управление мощной нагрузкой постоянного тока с помощью полевого транзистора. Определение начал и концов обмоток электродвигателя методом Петрова. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности.

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы Главное — не стесняйтесь.

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы разновидность полевых транзисторов. Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов. На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток — эмиттеру, сток полевого транзистора — коллектору биполярного транзистора.

В современной электронной аппаратуре, в блоках питания , мониторах, системных платах ПК и другой аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. При проведении ремонта мы сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов.

В данной статье даны рекомендации по проверке полевого транзистора и мерах предосторожности при работе с этими компонентами электронных схем.

✅ Как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.
Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Проверка тиристоров

Рассмотрим также как прозванивать тиристоры, они во многом напоминают рассматриваемые детали. Тут есть 3 p-n сегмента, а режим после сигнала управления не меняется — в этом и заключается разница. Структуры идут поочередно как полосы на зебре. Thyristor открыт, пока значение протекающей величины не спадет «до тока удержания». Такие детали позволяют создавать экономные схемы.

Мультиметр ставят на отметку 2000 Ом. Чтобы открыть проверяемый thyristor, черную жилу — к катоду, красную — к аноду. Деталь открывается как зарядом «+», так и «−». В двух случаях сопр. должно быть меньше «1». Деталь открытая, если величина управляющего импульса превысит рамку удержания, если меньше — ключ закрывается.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Как устроен полевой транзистор: 6 типов — краткие сведения

Разобраться с конкретным полевиком и понять его структуру нам поможет классификация, приведенная на картинке ниже, где структурированы их виды.

JFET и MOSFET имеют разную структуру. У JFET затвор (Gate) непосредственно встроен в поперечное сечение канала, работает как управляющий p-n переход.

У мосфета:

имеется дополнительный четвертый вывод, соединенный внутренней связью с корпусом. При подключении к внешним цепям им не пользуются;
зона вывода затвора отделена слоем диоксида кремния (диэлектрика) от полупроводника канала. Он работает как пластина конденсатора с емкостной связью. За счет этой доработки его и называют «с изолированным затвором» или МДП, МОП транзистор.

МДП обозначает металл-диэлектрик-полупроводник, а МОП — металл-оксид-полупроводник. Разница между ними для начинающего электрика не существенна, практически отсутствует.

На схемах мосфет и джифет обозначаются разными способами. MOSFET чертится с:

четвертым выводом, который никуда не подключается;
затвором, отделенным от основного канала.

Мосфеты производятся с разными подложками (каналами), которые могут быть обедненными или обогащенными основными носителями заряда.

Более подробно разрисовывать и описывать отличия каждого типа этих полупроводников для начинающего электрика я не буду: нет большого смысла.

Ниже просто привожу типовые графики их работы. Они дадут общее представление о поведении, а конкретные данные вам надо будет брать из даташита — технической документации.

Сила протекающего тока через сток зависит от приложенного напряжения между затвором и истоком, а также от окружающей температуры.

Выходные стоковые характеристики тока зависят от величины приложенного напряжения между стоком-истоком и затвором-истоком.

Так работает МДП-транзистор с встроенным каналом. Крутизна тока увеличивается при возрастании напряжения Uси, Uзи.

А здесь характеристики транзисторов с индуцированным каналом.

Перед любой проверкой каждого транзистора необходимо уточнять его технические возможности по заводской документации.

Такие графические изображения и зависимости процессов электротехники, благодаря наглядности, обладают лучшей информативностью.

6 особенностей работы электронных устройств с MOSFET

В последнее время у нас все чаще работают полевики типа мосфет с каналом любой проводимости.

Вкратце проанализируем подобную схему и ее свойства.

Нюанс №1: в какое плечо включать нагрузку

При полностью открытом полупроводниковом переходе между стоком и истоком создается очень маленькое сопротивление в десятки или сотни миллиОм (Rоткр), что образует низкое падение напряжения на этом участке (Iн·Rоткр), где Iн — величина тока нагрузки.

Потенциала напряжения, подаваемого на затвор, может не хватить для полного открытия полупроводника. Поэтому нагрузку включают выше со стороны стока в полевике n- типа, а истока — у p- типа при питании схемы от одного источника.

Если же в устройстве используются дополнительные источники напряжения, то это требование соблюдать не обязательно.

Нюанс №2: хитрости подключения полевика к микроконтроллерам

Для надежной работы MOSFET необходимо между его затвором и истоком (gate-source) подать пороговое значение напряжения, которое указывается в даташите. Обычно оно составляет около 10 вольт. Все же цифровые устройства работают до пяти: их питания недостаточно, потребуется добавить уровень.

Решить проблему можно одним из трех способов:

ключом с биполярными транзисторами подается необходимое питание на затвор;
подключить специальный драйвер (микросхему) для формирования управляющего сигнала. Они созданы как для верхнего, так и нижнего плеча с учетом нагрузки. Причем в драйвере верхнего плеча часто применяется схема увеличения выходного напряжения;
использовать специализированный полевик низкого уровня открытия (logic level). Однако приобрести его бывает проблематично.

Нюанс №3: как избежать влияния электрических помех

Появление любого потенциала помехи на выводе транзистора часто приводит к его несанкционированным переключениям и нарушению алгоритмов работы электроники.

Поэтому затвор всегда «притягивают» к питанию либо земле через определенное сопротивление даже при подключении через микроконтроллер. Его нельзя оставлять в свободном состоянии, доступном для проникновения посторонних помех.

Нюанс №4: борьба с броском тока при включении

Естественное наличие емкости на выводе gate приводит к «броску тока» при каждом открытии транзистора. Это чревато выводом из строя полупроводникового перехода.

Проблема решается введением в цепочку затвора резистора достаточного номинала. Однако подбирать его величину необходимо с учетом увеличения времени открытия ключа.

Нюанс №5: предохранение от броска тока при отключении индуктивных нагрузок

Защитный быстродействующий TVS-диод, параллельно включенный между истоком и стоком, надежно шунтирует импульсы, создаваемые отключением индуктивных нагрузок.

При работе на высоких частотах мостовых или полумостовых схем импульсных блоков питания либо индукционных нагревателей варочных панелей на вывод стока встречно подключают диод Шоттки, блокирующий паразитный диод, ибо он увеличивает время закрытия, что чревато повреждением полупроводника.

Нюанс №6: дополнительная защита MOSFET

Безопасная работа скоростного высокочастотного ключа в режиме переключения мощных индуктивнных нагрузок обеспечивается его подключением к снабберным цепям. Они:

замыкают на себя апериодические токи, создаваемые переходными процессами;
снижают нагрев полупроводников;
защищают полевик от несанкционированного открывания во время быстрого возрастания напряжения между стоком и истоком.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

Исправность p-канала

Проверка исправности p-канального элемента производится аналогичным методом, что и для n-канального вида. Отличие состоит в том, что к минусу мультиметра необходимо подключать красный щуп, а к плюсу прибора следует произвести подключение черного провода.

Таким образом, можно сделать следующие выводы относительно полевых транзисторных компонентов и проверочных процедур:

Полевые элементы разновидности МОСФЕТ широко применяются в радиоэлектронике, технике и прочих сферах, связанных с практической электроникой;
Проверка работоспособности транзисторных элементов удобнее всего и качественнее осуществляется с помощью мультиметра — при следовании определенной пошаговой методике;
Проверка p-канального и n-канального транзисторного компонента осуществляется одинаковыми методами, но при этом необходимо сменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Полевые транзисторные компоненты очень популярны в различных технических и электронных устройствах. Но для качественной и долговечной работы требуется периодическая проверка мосфет транзисторов с применением мультиметра. Следуя всем вышеописанным методам, можно сэкономить значительные финансовые затраты, связанные с заменой и ремонтом полевых транзисторов.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

с управляющим переходом;
с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Немного о конструкции

Полевой транзистор состоит из следующих элементов:

n-канала, который имеет кремниевую подложку с p-проводимостью;
n-области, которые получают путем добавления в подложку примесей;
изолирующего затвор от канала диэлектрика.

К n-областям подсоединяются выводы. Ток протекает из истока в сток по транзистору благодаря источнику питания. Величина тока контролируется изолированным затвором транзистора.

При работе с транзисторным компонентом необходимо учитывать его чувствительность к воздействию электрического поля. Хранить такие элементы следует с выводами, закороченными фольгой, а перед пайкой понадобится закорочение проволокой. Пайка транзисторных элементов осуществляется при помощи паяльной станции, обеспечивающей защиту от статического электричества.

Прежде чем решить, как проверить мосфет мультиметром, требуется определить его цоколевку. На импортном приборе имеются метки, соответствующие выводам транзистора. В данном случае буква G обозначает затвор прибора, S есть исток, а обозначением D называют сток.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Правила безопасной работы

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.

Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Как проверить полевой транзистор?

MOSFET: N-канальный полевой транзистор.

S — исток, D — сток, G — затвор

На мультиметре выставляем режим проверки диодов.

Транзистор закрыт: сопротивление — 502 ома

MOSFET — это Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на проверку диодов (обычно он пищит на этом положении), черный щуп слева на подложку (D — сток), красный на дальний от себя вывод справа (S — исток), тестер показывает 502 Ома — полевой транзистор закрыт (Рис. 4). Далее, не снимая черного щупа, касаемся (Рис.5) красным щупом ближнего вывода (G — затвор) и опять возвращаем его на дальний (S — исток), тестер показывает 0 Ом: полевой транзистор открылся прикосновением (Рис.6).

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G — затвор) ножки, не отпуская красного щупа (Рис.7), и вернуть его на подложку (D — сток), то полевой транзистор закроется и снова будет показывать сопростивление около 500 Ом (Рис.8). Это верно для большинства N-канальных полевиков в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

В цепи сток-исток имеется диод. Кстати его наличие обусловлено технологией производства.

Тестером можно подтвердить наличие этого диода.

0.5В — это падение напряжение на внутреннем диоде Шоттки. Если поменять щупы местами, то должен быть «обрыв».

А теперь можно проверить и затвор.

Тестер должен показывать «обрыв» при проверке затвор-исток и затвор-сток, причем полярность щупов не имеет значения.

Но вот что интересно, если черный щуп («-«) держать на истоке, а красным щупом («+») коснуться затвора, то транзистор откроется. В чем мы можем убедится, опять проверив

Тестер покажет почти нулевое сопротивление.

Теперь поместим щуп «+» на сток, а черный щуп на затвор и проверим сток-исток. Тестер опять будет показывать или падение напряжения на диоде или «обрыв», т.е транзистор закрылся!

Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля. И чем больше пройдет времени, тем больше будет сопротивление.

Почему же так происходит? А все очень просто — емкость между затвором и стоком достаточно большая (обычно единицы нанофарад) и когда мы открываем MOSFET транзистор, эта емкость заряжается. А так как полевой транзистор управляется полем а не током, то пока не разрядится конденсатор, транзистор будет открыт.

P-канальный MOSFET транзистор можно проверить по такому же принципу, только полярность затвора другая.

В современной радиоэлектронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Как доказала практика, конструктивная надежность данных компонентов обуславливает высокую практичность работоспособности всевозможной бытовой техники. В процессе ремонтных работ, которые все же случаются, возникает необходимость тестирования того или иного компонента на предмет его исправности. Например, как проверить полевой транзистор, который выпаяли из неисправного блока, вышедшего из строя аппарата. Самый простой метод проверки с применением стрелочного тестера. У исправного транзистора между всеми его выводами прибор показывает бесконечное сопротивление, кроме современных, имеющих диод между стоком и истоком, который и ведет себя, как обычный диод. Второй способ проверки с применение современного цифрового мультиметра. Черный щуп, являющийся отрицательным, прикладываем к выводу стока транзистора. Красный щуп, являющийся положительным, прикладываем к выводу истока. Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде около 450мВ, в обратном – бесконечное сопротивление. В данный момент транзистор закрыт. Что мы делаем далее. Не снимая черного щупа, прикладываем красный к затвору, и вновь возвращаем на вывод истока. Мультиметр показывает 280мВ, т.е. он открылся прикосновением. Теперь, если прикоснуться затвора черным щупом, не отпуская красного щупа и вернуть его на вывод стока, то полевой транзистор закроется, и прибор снова покажет падение напряжения на диоде. Диагностика произведена, в результате чего мы убедились в исправности тестируемого транзистора. Для образца мы применили N-канальный полевой транзистор. Чтобы проверить исправность P-канального транзистора, необходимо, всего лишь, поменять местами щупы мультиметра.

ЗЫ: Взял где взял, обобщил и добавил немного. (не отвлекайтесь и откликайтесь кому это не по зубам) — Копипаста? Да! . обобщённая и дополненная.

Простите за качество некоторых картинок (чем богаты).

Как паять полевые транзисторы правильно и безопасно: 5 советов

Рекомендую новичкам на этот вопрос обратить самое пристальное внимание. Тогда разочарования от проделанной работы у вас не возникнет.

Где спрятана засада или чем опасна статика для электроники

В повседневной жизни статическое электричество мы ощущаем редко, например, при расчесывании волос пластиковой расческой, выходе из автомобиля после поездки или в некоторых других случаях.

Обычно статика доставляет нашему организму небольшие неприятности, которые просто раздражают. Но с полупроводниками дела обстоят иначе.

У МОП транзисторов очень тонкий слой изоляции между затвором и материалом канала. Он образует емкостную связь затвор-исток, затвор-сток. Причем сам диэлектрик создает этот эффект, работая как емкость.

Мы знаем, что любой конденсатор выпускается для работы под определенным напряжением. Если его превысить, то происходит пробой изоляции. Для повреждения оксидной пленки полевика обычно достаточно десятка вольт, а иногда и меньше.

Теперь показываю фотографиями какие опасности мы можем создать своими руками для транзисторов, если не будем соблюдать правила их пайки.

Я взял свой любимый трансформаторный паяльник Момент, включил его шнур питания в розетку, но кнопку включения не нажимал. Один конец провода мультиметра через крокодил посадил на жало, а второй — просто прислонил к пальцу. Установил режим вольтметра переменного тока.

Прибор показывает 28 вольт. Вот такие наводки создаются даже при обесточенном трансформаторе.

Продолжаю эксперимент. Черный щуп оставил на прежнем месте, а красный прислонил к диэлектрической поверхности табуретки, где размещены все приборы.

Почти 6,4 вольта. Когда отделил красный щуп воздушным пространством — показание стало вообще 8 вольт.

А ведь это совершенно случайные замеры, результаты которых зависят от множества факторов, что значит: напряжение может быть значительно больше или меньше.

Мы можем даже не чувствовать эту статику, но ее случайный разряд способен выжечь тонкий полупроводниковый переход кристалла.

Чтобы этого не допустить важно соблюдать обязательные рекомендации.

Как избежать скрытой опасности и безопасно работать паяльником: 5 рекомендаций

Совет №1: шунтирование выводов

Исключить повреждение полупроводниковых переходов при хранении и работе можно содержанием микросхем, транзисторов, изделий интегральной электроники в слое фольги.

Аналогичный результат, в частности, получается, если обмотать контакты их выводов тонкой медной проволочкой без изоляции.

Совет №2: снятие статики с работающего оборудования

Работать лучше всего профессиональной паяльной станцией с заземленным наконечником. Если ее нет, то заземлите отдельными проводниками жало паяльника и монтажную плату. Выводы транзистора зашунтируйте тонкой проволочкой, которая будет снята после пайки.

Снять опасный потенциал статики с пинцета и инструмента, которым будете работать, позволяет заземляющий браслет на руке или иной части тела. Его сопротивление в 1 МОм исключает возможность опасного статического разряда.

Совет №3: подготовка рабочего места

Сухой воздух северных широт, особенно зимой, способствует накоплению статики на окружающих предметах. Увлажнители и мойки воздуха успешно борются с этим явлением.

Антистатический коврик сразу надежно снимает статические потенциалы, воздействия электрических помех из окружающей среды.

Совет№4: профессиональные смеси

Специальный флюс марки FluxOff не только отлично смывает канифоль и следы от коррозии, но реально убирает статику. Им достаточно просто смочить плату.

Совет №5: быстрая пайка

Выбирайте минимально необходимую мощность паяльника, но работайте им быстро. Опытные ремонтники умудряются разогреть жало, взять им припой, обесточить паяльник и затем припаять деталь на место.

Часть современных микросхем и транзисторов имеет защиту от статики, но это не отменяет необходимости соблюдать правила безопасной пайки со всеми остальными изделиями.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т. д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Цифровые транзисторы

Цифровой транзистор — особый вид, есть особенности как правильно его проверить.

Составными частями цифровых транзисторов являются резист. (R1 и 2), их номинал одинаковый (10, 22, 47 кОм) или смешанный, разный. Внешне изделие имеет обычный вид, но при «прозвонке» возникают существенные различия.

Удобный прибор для проверки транзисторов — ампервольтметр, можно взять и multimeter. При прямонаправленности, при открытом сегменте, на тестере появится сопр. приблизительно сравнимое с базовым резист. R1. При изменении полярности щупов точка база/эмит. закрытая, ток течет через последовательно включенные резист. R1 (10 кОм) и 2 (22 кОм), на табло будет сумма их сопр., в нашем примере 32 кОм.

Сегмент база-эмит. (VD2) шунтируется резистором R2. Сопротивление там должно быть примерно в 10 раз ниже R2, а при смене полярности АВОметра — бесконечно большим.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
Л – лампочка.
R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Проверка IGBT

IGBT имеют изолированный затвор, это 3-электродные силовые полупроводниковые элементы. Тут каскадным включением соединяются 2 транз. в 1 структуре: полевик и биполярный (управляющий и силовой каналы).

Проанализировать можно транзистор на плате и выпаянный аналогичным методом. Тестер ставят на анализ полупроводников («прозвонка», значок диода) или сопр. 2000 Ом. Затем замеряют сопр. на участке эмит./затвор прямо и обратно. Так выявим замыкание, если оно есть. Далее, красный провод подключают к эмит., черным делают краткое касание затвора. Происходит заряд последнего отрицательным напряжением, транзистор останется закрытым.

Следующий пункт — надо подтвердить функциональность. Заряжают плюсовым напряжением входной участок затвор-эмит.: одновременно коротко красной жилой касаются затвора, черной — эмит.

Далее, проверяем переходную точку между колл. и эмит.: красный провод к первому, черный — к другому. Если отобразится слабое падение значения на 0.5–1.5 В и величина будет несколько сек. стабильной, то вх. емкость целая, транзистор рабочий.

Проверка мощных высоковольтных транзисторов имеет особенность. Если напряжения мультиметра не хватает, чтобы открыть IGBT, то для его зарядки на выходе используют источники на 9–15 В, например, батарейку «крону» 9 В.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Разбираемся, как проверить полевой транзистор мультиметром или другими приборами

Содержание:

Для тестирования прибора на работоспособность стоит узнать, как проверить полевой транзистор мультиметром – это самый простой и быстрый способ диагностики устройства. Перед тем, как приступить к тестированию прибора на предмет его исправности, необходимо на несколько секунд замкнуть фольгой щупы. Эта манипуляция снимет с него статическое напряжение.

Для проведения проверки подойдет любой цифровой мультиметр, имеющий режим прозвонки диода. Эта функция измеряет изменение напряжение при p-n-переходе. Тестируемая величина будет показана на экране измерительного прибора.

Лучше использовать современные модели мультиметров, имеющие самые различные режимы и работы и удобный экран. Это позволит сделать тестирование более удобным и точным. Подробный алгоритм проверки описан в данной статье. В качестве наглядного примера добавлено два наглядных видеоролика и интересный скачиваемый файл по теме практики.

Устройство транзистора.

Проверка встроенного обратного диода

Практически в любом современном полевом транзисторе, за исключением специальных их типов, параллельно цепи сток-исток включен внутренний «защитный» диод. Наличие этого диода внутри полевика обусловлено особенностями технологии производства мощных транзисторов. Иногда он мешает, считается паразитным, однако в большинстве полевых транзисторов без него, как части цельной структуры электронного компонента, не обойтись.

Следовательно, в исправном полевом транзисторе данный диод тоже должен быть исправным. В n-канальном полевом транзисторе данный диод включен катодом к стоку, анодом — к истоку, а в p-канальном — анодом к стоку, катодом — к истоку. Включите мультиметр в режим «прозвонки» диодов. Если полевой транзистор является n-канальным, то красный щуп мультиметра приложите к его истоку (source), а черный — к стоку (drain).

Транзисторы являются одними из самых широко применяемых радиоэлементов. Несмотря на свою надёжность, они нередко выходят из строя, что связано с нарушениями режима в их работе. При этом поиск неисправного элемента в связи со спецификой устройства полевого транзистора вызывает определённые трудности.

Обычно сток находится посередине и соединен с проводящей подложкой транзистора, а истоком является правый вывод (уточните это в datasheet). В случае если внутренний диод исправен, на дисплее мультиметра отобразится прямое падение напряжения на нем – в районе 0,4-0,7 вольт. Если теперь положение щупов изменить на противоположное, то прибор покажет бесконечность. Если все так, значит внутренний диод исправен.

Порядок измерений.

Проверка цепи сток-исток

Полевой транзистор управляется электрическим полем затвора. И если емкость затвор-исток зарядить, то проводимость в направлении сток-исток увеличится. Итак, если транзистор является n-канальным, приложите черный щуп к затвору (gate), а красный — к истоку, и через секунду измените расположение щупов на противоположное — красный к затвору, а черный — к истоку. Так мы сначала наверняка разрядили затвор, а после — зарядили его. Затвор обычно слева, а исток — справа.

Теперь красный щуп переместите с затвора — на сток, а черный пусть останется на истоке. Если транзистор исправен, то как только вы переместите красный щуп с затвора на сток, мультиметр покажет что на стоке есть падение напряжения — это значит, что транзистор перешел в проводящее состояние.

Теперь красный щуп на исток, а черный — на затвор (разряжаем затвор противоположной полярностью), после чего снова красный щуп на сток, а черный — на исток. Прибор должен показать бесконечность — транзистор закрылся. Для p-канального полевого транзистора щупы просто меняются местами.

Проверка транзистора без выпаивания.

Если прибор запищит

Если на этапе проверки сток-исток прибор запищит, это может быть вполне нормальным, ведь у современных полевых транзисторов сопротивление сток-исток в открытом состоянии бывает очень маленьким. Как вариант, можно соединить затвор с истоком и в таком положении прозвонить сток-исток (для n-канального красный на сток, черный — на исток), прибор должен показать бесконечность.

[stextbox id=’alert’]Главное — чтобы не было звона затвор-исток и сток-исток, особенно в тот момент когда затвор заряжен противоположной полярностью. [/stextbox]

Как проверить полевой транзистор

Такой транзистор можно заменить практически любым n-канальным с напряжением между стоком и истоком больше или равно 40V и током стока больше или равно 30А, например IRFZ44, 40n10, 50N06 и т. п. При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов.

Основные характеристики полевых транзисторов.

Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания. Расположение выводов полевых транзисторов (Gate – Drain – Source) может быть различным. Часто выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S).

Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать некоторые правила безопасности.

[stextbox id=’info’]Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. [/stextbox]

Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. При проверке чаще всего пользуются обычным омметром, у исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление, следует заметить, что тут могут быть некоторые исключения.

Например, если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный к истоку (S), емкость затвора зарядится и транзистор откроется. И тогда при замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое можно ошибочно принять за неисправность транзистора.

[stextbox id=’info’]Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным.[/stextbox]

Интересно по теме: Как проверить стабилитрон.

В противном случае транзистор признается неисправным. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежать досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора.

Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального вида, вначале берем и выпаиваем транзистор, кладем его на стол лицом к себе, ноги обязательно должны быть в воздухе, ничего не касаться. Черный щуп слева на подложку (D – сток), красный на дальний от себя вывод справа (S – исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде ~502 мВ, транзистор закрыт .

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G – затвор и опять возвращаем его на дальний (S – исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а ~150…170мВ): полевой транзистор открылся прикосновением.

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G – затвор) ножки, не отпуская красного щупа и вернуть его на подложку (D – сток), то полевой транзистор закроется, и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500мВ.

Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK. Открываем. Открыт. Закрываем. Закрыт. Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз – исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия.

Для этого просто меняем щупы мультиметра местами. Еще раз по-быстрому: Берем тестер на режиме проверки диодов. Кладем транзистор на стол лицом к себе, ноги в воздухе, ничего не касаются. Щупы тестера ставим так: минус в правую ногу, а плюс в левую. Это откроет транзистор. Плюс переносим на среднюю ногу.

Тестер должен показать минимальное падение напряжения (около 10-50 мВ). (В случае мультиметра – показывает около 0, что-то типа “002”) Теперь плюс на правую ногу, а минусом на левую. Это закроет транзистор. Тестер показывает бесконечность. И опять плюс на среднюю ногу, а минус на правую. Тестер показывает бесконечность. (Минус на среднюю ногу, плюс на правую – показывает что-то около 500 – это встроенный диод, защитный, присутствует в большинстве мощных мосфетов).

Типы транзисторов.

Как работает

с управляющим переходом;
с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия. В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью.

К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

[stextbox id=’info’]Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга. В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.[/stextbox]

Важное по теме. Как проверить конденсатор.

[stextbox id=’alert’]Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком. Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор. [/stextbox]

Типы переходов электронов и дырок.

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние. Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях. Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку. На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.
Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Мультиметр.

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же. Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод.

Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность. Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в. Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален.
В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.
Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах. Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять. При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче.

В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки. Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах.

Заключение

Более подробно о том как проверить полевой транзистор можно узнать из статьи Практикум по полевым транзисторам. Если у вас остались вопросы, можно задать их в комментариях на сайте. Также в нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессионалов.

Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vк.coм/еlеctroinfonеt. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.electrik.info

www.kudashkin.com

www.rusenergetics.ru

www.electro-tehnyk.narod.ru

ПрактикаКак правильно прозвонить транзистор?

ПрактикаКак проверить тиристор на работоспособность?

Как проверить полевой транзистор: проверка мультиметром, не выпаивая

Полевой транзистор — что это

Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Особенности работы MOSFET

Отличие полевого транзистора от классического биполярного состоит в том, что его работа зависит от приложенного напряжения, а не тока. В литературе часто такой радиоэлемент называют МОП-транзистор (метал-оксид-полупроводник) или МДП-транзистор (метал-диэлектрик-полупроводник). В английском варианте его название звучит как мосфет, образованное от MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

Полевые транзисторы являются активными элементами, то есть их работа невозможна без приложения к выводам напряжения. Впервые идея создания прибора, поток носителей заряда в котором управляется величиной приложенного напряжения, была предложена австро-венгерским учёным Юлием Лилиенфельдом. Однако отсутствие технологий создания такого устройства позволило выпустить прототип лишь в 1960 году. С 1977 году мосфеты начали применять при производстве электронно-вычислительных машин, тем самым увеличивая производительность последних.

Различные учёные мира постоянно ведут исследования по улучшению работы электронного прибора, поэтому на сегодняшний день изобретено и внедрено в производство несколько видов полевых транзисторов. Каждый из них обладает своими преимуществами и недостатками, но общий принцип работы у них одинаков.

Виды и конструкция

Разделяют мосфеты на две группы. В зависимости от вида управляющего электрода они могут быть: с p-n переходом и изолированным затвором. В последнее время первого вида элементы начинают использовать всё реже. Транзисторы с управляющим p-n переходом конструктивно представляют собой полупроводниковое основание, основными носителями заряда которого могут быть как дырки (p-тип) так и электроны (n-тип).

На концах основания выполняются выводы, называемые сток и исток. К этим контактам подключается управляемая часть схемы. Управление же прибором происходит через третий вывод транзистора (затвор), образованный путём соединения с основанием проводника обратной проводимости. Таким образом, p-n транзистор имеет три вывода:

Исток — вход, через который поступают основные носители энергии.
Сток — выход устройства, через который уходят основные носители энергии.
Затвор — вывод управляющий прохождением зарядов через прибор.

В зависимости от типа проводимости управляющего электрода такие мосфеты делятся на n и p типа.

Радиоэлемент с изолированным затвором устроен иначе. Его затвор отделён от основания слоем диэлектрика. При изготовлении прибора используется полупроводник, обладающий высоким удельным сопротивлением. Его называют подложкой или затвором. На нём создаются две зоны с обратным типом проводимости — сток и исток. Таким образом, получается три области. Расстояние между управляемыми электродами очень мало, а отделяемый от них затвор покрывается слоем диэлектрика порядка 0,1 микрометра. Обычно в качестве диэлектрика используется соединение SiO2.

В зависимости от способа изготовления устройства с изолированным контактом разделяют на два типа: обеднённые и обогащённые. Первые выпускаются только n-типа и могут иметь два затвора, а вторые бывают как n, так и p-типа.

Обогащённого типа устройства называются транзисторами с индуцированным каналом. В них управляемые контакты не связаны проводящим слоем. Поэтому ток на стоке появляется только при приложении определённой разности потенциалов к затвору относительно истока. Обеднённые транзисторы в своей конструкции содержат встроенный канал, из-за чего транзистор реагирует на напряжение как положительной, так и отрицательной полярности.

Характеристики радиоэлемента

На схемах и в литературе принято обозначать мосфет латинскими буквами VT, после которых идёт его порядковый номер в схеме. Графически полевой элемент изображается кругом, в середине которого рисуются прямые линии, обозначающие путь прохождения тока. На выводе затвора указывается в виде стрелки тип проводимости. Затвор, сток и исток подписываются соответственно буквами латинского алфавита — S, D, G.

Полевые устройства характеризуются множеством параметров. Но среди основных выделяют следующие характеристики:

Напряжение между управляемыми электродами. Показывает величину напряжения, которое может выдержать транзистор без ухудшения своих параметров. То есть практически это максимальное напряжение источника питания, на работу с которым рассчитан транзистор.
Сила тока стока. Обычно указывается максимальное значение для определённой величины постоянного напряжения, приложенного к затвору — истоку.
Импеданс канала сток-исток в открытом состоянии. Чем это значение будет больше, тем хуже работает транзистор, так как на сопротивлении возникают потери энергии, и увеличивается нагрев мосфета.
Мощность рассеивания. Зависит от температуры окружающей среды. Этот параметр изображается в виде характеристики, показывающей зависимость мощности от температуры.
Уровень насыщения канала исток-затвор. Обозначает граничную величину разности потенциалов, при преодолении которой ток через канал не проходит.
Порог включения. Это минимальное напряжение, которое необходимо приложить к транзистору для открытия его проводящего канала.
Ёмкость затвора. Существенный недостаток полевых транзисторов связан именно с этим параметром. Так, из-за паразитной ёмкости ограничивается применение устройств в высокочастотных цепях, снижая скорость переключения режимов работы.

Важно также знать, что мосфеты чувствительны к статическому электричеству, особенно это касается приборов с изолированным затвором. Поэтому проводя проверку полевого транзистора мультиметром, следует надеть на обе руки антистатические браслеты, при этом также не стоит надевать на себя шерстяную одежду.

Принцип работы

Суть работы радиоэлемента с изолированным затвором заключается в управлении величиной тока, проходящего через него, с помощью изменения разности потенциалов. Когда к истоку и затвору прикладывается напряжение, то в приборе образуется электрическое поле поперечное приложенному. Это поле увеличивает число свободных носителей заряда в приповерхностном слое.

Из-за этого возле диэлектрика начинает скапливаться значительное количество носителей заряда, в результате чего формируется зона проводимости. Через эту область начинает протекать ток, то есть между управляемыми выводами. При снятии напряжения с открытого затвора проводимость исчезнет, и течение тока прекратится.

Немного другие процессы происходят в работе полевого транзистора с p-n переходом. Если на этот переход подаётся напряжение обратное основным носителям заряда, его область начинает расширяться. Увеличение перехода приводит к сужению толщины проводящего канала, а значит, увеличению сопротивления. В результате проходящий между стоком и истоком ток уменьшается. Таким образом, изменяя уровень напряжения, изменяется и сила тока, проходящая через транзистор.

Как работает

с управляющим переходом;
с изолированным затвором.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы.

Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.
Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

1 Особенности конструкции, хранения и монтажа
2 Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром
3 Оценка исправности р-канального устройства
4 Видео о том, как проверить полевой транзистор

Какие случаются неисправности

Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Проверка составного транзистора

Еще одно название этого элемента – транзистор Дарлингтона. Особенность его заключается в том, в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме:

Проверка таких транзисторов не отличается от схемы проверки биполярного транзистора, за исключением того, что падение напряжения переходах база-эмиттер составляет 1,2…1,4В, а в обычного около 0,6-0,7В. Некоторые цифровые мультиметры имеют на щупах напряжение меньшее 1,2В, чего не хватает для открывания р-n перехода, это нужно учесть при выборе мультиметра для теста составного транзистора.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.

Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Каналы p- и n-типа

Краткий курс: как проверить полевой транзистор мультиметром на исправность

Простой ключ верхнего плеча можно сделать на p-канальных MOSFET. Использование отрицательного напряжения для открывания p -канального MOSFET меняет схему управления. А именно, чтобы дать транзистору «проводить ток», надо опустить управляющее напряжение ниже порога, а чтобы его выключить, надо подать на затвор напряжение шины питания.

Но p-канальные транзисторы сложны в изготовлении, и, соответственно, дороже обычных n-канальных приборов, а для их открывания может потребоваться отрицательное напряжение на затворе (или, по крайней мере, подключение затвора к земле). Это подходит для батарейного питания переносной аппаратуры, но неудобно для импульсных источников питания.

Одним из решений из решений может быть объединение n- и p-канального транзисторов в двухтактной конфигурации, где они проводят ток поочередно. Здесь стоки p-канального MOSFET верхнего плеча и n-канального MOSFET нижнего плеча соединены вместе, а их затворы управляются синхронно, в результате чего получается один сильноточный ключ. Разработчик должен контролировать процесс переключения, не допуская сквозных токов, которые могут возникать, если оба MOSFET включаются одновременно.

В качестве альтернативы не полностью согласованным p- и n-канальным MOSFET можно использовать микросхему драйвера затворов, которая управляет MOSFET верхнего и нижнего плеча в двухтактной схеме. (Оба устройства n-канальные). Оба транзистора могут включаться и выключаться одной микросхемой (Рисунок 2).


Рисунок 2.	Разработчики могут выбрать микросхему драйвера затворов, управляющую MOSFET верхнего и нижнего плеча в двухтактной схеме. (Оба устройства n-канальные).

И последнее замечание. Низкое сопротивление сток-исток открытого транзистора (RDS(on)) под нагрузкой не говорит о хороших переключательных характеристиках MOSFET, хотя обычно производители на первом месте указывают в спецификации именно низкое значение RDS(on). От величины сопротивления RDS(on) зависит эффективность полевого транзистора – чем оно меньше, тем меньше выделяется тепла. Однако при снижении сопротивления транзистора падает скорость его переключения. Это связано с тем, что для снижения RDS(on) приходится увеличивать размеры затвора, что увеличивает его емкость и затрудняет управление транзистором.

Правила безопасной работы

Как проверить МОП транзистор? Оказывается, ничего сложно в проверке МОП транзистора нет. Для этого достаточно вспомнить его внутреннее строение и провести некоторые простые операции. В этой статье мы будем проверять МОП транзистор двумя способами.

Проверяем МОП-транзистор с помощью мультиметра

Первым делом, вбиваем в любой поисковик то, что написано на корпусе транзистора и добавляем слово “цоколевка”, а потом нажимаем на вкладку “картинки”.

Вот мой транзистор:

Итак, я вбил ” IRFZ44N цоколевка” в Яндекс и нажал на вкладку “картинки”. Яндекс мне выдал уйму картинок с цоколевкой этого транзистора:

Следовательно, на моем транзисторе выводы идут в таком порядке:

Вспоминаем внутреннее строение МОПа. В мощных МОП-транзисторах Подложку соединяют с Истоком еще в процессе производства в самом транзисторе, поэтому МОП выглядит примерно так:

Его эквивалентная схема будет выглядеть вот так:

Значит, первым делом мы без проблем можем проверить эквивалентный диод VD2 между Стоком и Истоком.

В схемотехническом обозначении его тоже часто указывают:

Для того, чтобы подготовить наш транзистор к проверке, первым делом… убираем с себя статику! Касаемся голой батареи и только уже потом начинаем трогать транзистор. Или используем антистатический браслет, один конец которого закрепляем к голой батарее, а другой надеваем на запястье.

Характеристики полевого МОП транзистора

Для того, чтобы узнать характеристики транзистора, нам надо открыть на него даташит и рассмотреть небольшую табличку на первой странице даташита. Будем рассматривать транзистор, который мы использовали в своих опытах: IRFZ44N.

Напряжение VGS – это напряжение между Затвором и Истоком. Смотрим на даташит и видим, что максимальное напряжение, которое можно подать на Затвор это +-20 Вольт. Более 20 Вольт в обе стороны пробьет тончайший слой диэлектрика, и транзистор придет в негодное состояние.

Максимальная сила тока ID , которая может течь через канал Сток-Исток.

Как мы видим, транзистор в легкую может протащить через себя 49 Ампер!!!

Но это при температуре кристалла 25 градусов по Цельсию. А так номинальная сила тока 35 Ампер при температуре кристалла 100 градусов, что чаще всего и происходит на практике.

RDS(on) – сопротивление полностью открытого канала Стока-Истока. В режиме насыщения, сопротивление канала транзистора достигает ну очень малого значения. Как вы видите, у нашего подопечного сопротивление канала достигает 17,5 мОм (при условии, что напряжение на Затворе = 10 Вольт, а ток Стока = 25 Ампер).

Максимальная рассеиваемая мощность PD – это мощность, которую транзистор может рассеять на себе, превращая эту мощность в тепло. В нашем случае это 94 Ватта. Но здесь также должны быть соблюдены различные условия – это температура окружающей среды, а также есть ли у транзистора радиатор.

Также различные зависимости одних параметров от других можно увидеть в даташите на последних страницах.

Например, ниже на графике приводится зависимость тока Стока от напряжения Стока-Истока при каких-то фиксированных значениях напряжения на Затворе при температуре кристалла (подложки) 25 градусов Цельсия (комнатная температура). Верхняя линия графика приводится для напряжения 15 Вольт на Затворе. Другие линии в порядке очереди по табличке вверху слева:

Также есть интересная зависимость сопротивления канала полностью открытого транзистора от температуры кристалла:

Если посмотреть на график, то можно увидеть, что при температуре кристалла в 140 градусов по Цельсию у нас сопротивление канала увеличивается вдвое. А при отрицательных температурах наоборот уменьшается.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

КЗ нагрузки при включенном транзисторе

Как проверить микросхему на работоспособность мультиметром не выпаивая
Аналогично со случаем, рассмотренным выше, ток ограничен характеристиками самого транзистора. Он нарастает со скоростью, которая определяется индуктивностью (паразитной). Перед тем как этот ток дойдет до постоянного установившегося значения, начнется возрастание напряжения коллектора. На затворе происходит увеличение напряжения благодаря эффекту Миллера.

Ток на коллекторе увеличивается, причем он может значительно превышать установившееся значение. Именно для этого режима предусмотрено не только то, что отключается канальный мосфет, но и заложена возможность ограничения напряжения.

От напряжения, приложенного к затвору транзистора, зависит напрямую установившийся ток короткого замыкания. Но при снижении напряжения на затворе полупроводникового элемента происходит довольно интересная картина. Напряжение насыщения увеличивается и, как следствие, увеличиваются потери проводимости. Устойчивость транзистора к короткому замыканию тесным образом связана с крутизной его характеристик.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Проверка встроенного диода

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Как проверить транзистор?

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Проверить транзистор мультиметром прозвонкой на исправность: биполярный, полевой, составной

Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром.

Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

С чего начать?

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Цоколевка

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Правила безопасной работы

Проверка работоспособности полевого транзистора

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Необходимый минимум сведений

Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

Виды транзисторов и принцип работы

Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.

Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.

Проверка составного транзистора

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
Л – лампочка.
R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Основные причины неисправности

Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:

Обрыв перехода между составными частями.
Пробой одного из переходов.
Пробой участка коллектора или эмиттера.
Утечка мощности под напряжением цепи.
Видимое повреждение выводов.

Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Советы

Существует множество способов определения неисправности, но для начала нужно разобраться в строении самого элемента, и четко понимать конструкционные особенности.
Выбор прибора для проверки – это важный момент, касающийся качества результата. Поэтому при недостатке опыта не стоит ограничиваться подручными средствами.
Проводя проверку, следует четко понимать причины выхода из строя тестируемой детали, чтобы не вернуться со временем к тому же состоянию неисправности бытовой электротехники.

испытание различных типов устройств. Проверяем исправный транзистор

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу , то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность , для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров — электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, — диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является , который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Рисунок 3.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 — 800 мВ, а для германиевых порядка 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Рисунок 4.

Рисунок 5.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база — коллектор и база — эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

Рисунок 6.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база — эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база — коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база — эмиттер транзистора КТ3102А.

Рисунок 7.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор — эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор — эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база — эмиттер и база — коллектор «звонятся» как будто нормально!

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

Рисунок 8.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база — эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Рисунок 9.

Все попытки измерить сопротивление участка база — эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база — эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер — коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор — эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Рисунок 10.

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора.

Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.

При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Общие правила в том, гласят начать процедуру с определения работоспособности самого измерительного прибора. Убедившись, что тот работает безошибочно, переходят к дальнейшим измерениям.

Выводы:

Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

Для проверки транзисторов имеется множество специализированных испытателей, измерителей и подобных им дорогостоящих приборов. Здесь рассказывается о том, как доступным прибором проверяется работоспособность или определится назначение выводов. Имеющееся у некоторых моделей специальное гнездо для подключения транзистора позволяет снять его характеристики, но для проверки работоспособности достаточно двух щупов со шнурами. Черный провод подключается на вход COM мультиметра, а красный включатся в гнездо измерения сопротивления. Включен режим измерения диодов, либо в режим измерения сопротивления на пределе 2000 Ом.

Важно иметь представление об устройстве и принципе работа проверяемого транзистора и доступ к справочным материалам.

Транзистором назван полупроводниковый радиоэлектронный компонент для преобразования тока в усилительном, когда большой выходной сигнал меняется пропорционально малому входному, или ключевом, когда транзистор полностью открыт или закрыт в зависимости от наличия входного сигнала, режимах. Применительно к технологии изготовления можно разделить на биполярные и полевые радиоэлементы. Биполярные компоненты бывают прямой (p-n-p) либо обратной (n-p-n) проводимости. Приборы полевые могут быть n-типа или p-типа, с изолированным или встроенным каналом.

Проверка исправности конкретного транзистора требует некоторых познаний в электронике. Достаточно просто прозвонить выводы транзистора как электрическую цепь, чтобы убедиться, что транзистор исправен. Щуп с черным проводом подключается на вход COM прибора. К входу измерения сопротивления подключен красный провод.

Как проверить биполярный транзистор мультиметром

Проверка биполярного транзистора мультиметром позволяет выявить неисправный компонент или определить расположение выводов (коллектор К, эмиттер Э и база Б). Чтобы знать, как проверить работоспособность, необходимо представить аналог схемы транзистора в виде двух встречно (p-n-p) или обратно (n-p-n) подключенных диодов со средней точкой, которая эквивалентна выводу базы. А оставшиеся два идентичны выводам эмиттера и коллектора. У транзисторов прямой проводимости на базе соединяются катоды («палочки» по схеме), а с обратной проводимостью аноды («стрелочки»). При подсоединении к аноду диода красного (плюсового провода), а черного к катоду тестер покажет на индикаторе какое-то значение. Если оно очень маленькое, значит, измеряемый диод пробит. А если очень большое, тогда диод в обрыве.

Нормальные значения сопротивления эмиттерного или коллекторного перехода лежат в пределах 0,4 — 1,6 кОм в зависимости от конкретного транзистора. Попарным соединением выводов транзистора с щупами мультиметра определяют пары выводов «Б-Э» и «Б-К». Сопротивление перехода К-Э всегда очень велико. Если пара не находится или сопротивление перехода коллектор-эмиттер небольшое, значит транзистор не исправен. Стоит учитывать, что сопротивление коллектора по отношению к базе всегда меньше сопротивления перехода Б-Э, что поможет определиться с цоколевкой исправной детали.

Вышесказанное справедливо как при проверке транзистора прямой проводимости, так и транзистора структуры n-p-n. В последнем случае измерения проводятся с подсоединением проводов тестера в обратной полярности.

Как проверить полевой транзистор

У полевых транзисторов выводы называются сток (С), исток (И) и затвор (З). Несмотря на то, что физика работы отличается от биполярного, при проверке на исправность также можно использовать диодный эквивалент схемы.

Схема проверки полевого транзистора p-типа аналогична испытанию с p-n-p. Перед проверкой необходимо соединить все выводы для разряда емкостей переходов. Сопротивление при подключении щупов к парам выводов «С, З» и «И, З» должно показываться только в одном из направлений. Подсоединяем черный щуп к выводу «С», а красный к вывод «И». Величину показанного сопротивления (400-700 Ом)нужно запомнить. После этого на секундочку соединяем красный провод с затвором, тем самым открывая переход. После этого замеряем сопротивление перехода. Его уменьшение говорит о том, что транзистор частично открылся. Теперь так же соединяем черный провод с выводом «З» и закрываем переход. Восстановление первоначального значения сопротивления перехода свидетельствует об исправности радиодетали. Отличие проверки полевика n-типа заключается только в перемене полярности подключения щупов прибора.

При тестировании полевых транзисторов с изолированным затвором проверяется отсутствие проводимости между затвором и истоком. Потом объединяем исток с затвором. Двухсторонняя проводимость появится у транзистора обедненного типа. У деталей обогащенного типа проводимость будет односторонняя.

Проверка мультиметром составного транзистора

Как проверить транзистор Дарлингтона? Проверить составной транзистор можно так же как биполярный, цифровым мультиметром с прозвонкой транзисторов в режиме проверки диодов. Отличие лишь в том, что прямое напряжение паре выводов Б-Э должно составлять 1,2-1,4 вольта. Если имеющийся прибор не может этого обеспечить, проверка невозможна. И тогда лучше воспользоваться элементарным пробником с использованием батареи 12 В, резистора номиналом 22 кОм включенного в базу и автомобильной лампочки мощностью 5 Вт. Далее подсоединяем «минус» источника к эмиттеру, а коллектор соединяем с лампой. Второй вывод лампы включаем в «плюс» батареи. Если подсоединить резистор к плюсовой клемме лампочка засветится. Теперь резистор переключаем на «плюс» — лампочка погасла. Это означает, что проверяемый транзистор исправен.

Как проверить транзистор, не выпаивая из монтажа

Проверить транзистор мультиметром можно после проверки схемы для выявления вероятного закорачивания выводов проверяемого элемента низкоомными резисторами. Если таковые обнаружатся, деталь для проверки придется выпаять. Если нет – проверка выполняется вышеописанными методами, но достоверность тестирования будет мала. Иногда достаточно отпайки вывода базы.

Полевые транзисторы лучше проверять отдельно от платы. Они очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому необходимо пользоваться антистатическим браслетом.

Как проверить транзистор без мультиметра

Проверка транзистора без использования мультиметра возможна не всегда. Применение при измерениях лампочек и источников питания может с высокой вероятностью вывести из строя проверяемый элемент.

Проверка транзистора биполярного типа может быть сделана простейшей контролькой из батарейки 4,5 В, «минус» которой соединен с лампочкой от карманного фонаря. Попарно подключаете «плюс» и второй контакт лампы к выводам. Если при подключении в любой полярности к паре «К-Э» лампа не загорается — переход исправен. Подключить через ограничительный резистор «плюс» на «Б». Лампу поочередно соединяем с выводами «Э» или «К» и проверяем эти переходы. Чтобы протестировать транзистор другой структуры, изменяем полярность подключения.

Эффективно использовать для проверки транзисторов приборы, сделанные своими руками и схемы которых достаточно доступны.

Это сравнительно новый тип транзисторов, управление которых осуществляется не электрическим током, как в биполярных транзисторах , а электрическим напряжением (полем), о чём и говорит английская аббревиатура MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor или в переводе металл-окисел-полупроводник полевой транзистор), в русской транскрипции этот тип обозначается как МОП (металл-окисел-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник).

Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор (вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов), также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных.

Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором), гибридный тип, где МОП (МДП) транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов : быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении.

Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов — стиральных , посудомоечных машин , миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования. Само собой, что-то из всего этого разнообразия иногда выходит из строя и появляется необходимость выявления конкретной неисправности. Сама распространённость этого вида деталей ставит вопрос:

Как проверить полевой транзистор мультиметром ?

Перед любой проверкой полевого транзистора нужно разобраться с назначением и маркировкой его выводов:

G (gate) — затвор, D (drain) — сток, S (source) — исток

Если маркировки нет или она не читается, придётся найти паспорт (даташип) изделия с указанием назначения каждого вывода , причём выводов может быть не три, а больше, это значит, что выводы объединены между собой внутри.

И также нужно подготовить мультиметр : подключить красный щуп к плюсовому разъёму, соответственно, чёрный к минусу, переключить прибор в режим проверки диодов и коснуться щупами друг друга, мультиметр покажет «0» или «короткое замыкание», разведите щупы, мультиметр покажет «1» или «бесконечное сопротивление цепи» — прибор рабочий. Про исправную батарейку в мультиметре говорить излишне.

Подключение щупов мультиметра указано для проверки n-канального полевого транзистора, описание всех проверок тоже для n-канального типа, но если вдруг попадётся более редкий p-канальный полевик, щупы надо поменять местами. Понятно, что в первую очередь ставится задача оптимизации процесса проверки, чтобы пришлось как можно меньше выпаивать и паять деталей, поэтому посмотреть, как проверить транзистор, не выпаивая, можно на этом видео:

Проверка полевика, не выпаивая

Является предварительной, она может помочь определить, какую деталь нужно проверить точнее и, может быть, заменить.

При прозвонке полевого транзистора, не выпаивая, обязательно отключаем проверяемый прибор от сети и/или блока питания, вынимаем аккумуляторы или батарейки (если они есть) и приступаем к проверке.

Чёрный щуп на D, красный на S, показание мультиметра примерно 500 мВ (милливольт) или больше — скорее исправен, показание 50 мВ вызывает подозрение, когда показание меньше 5 мВ — скорее неисправен.
Чёрный на D, а красный на G: большая разность потенциалов (до1000 мВ и даже выше) — скорее исправен, если мультиметр показывает близко к пункту 1, то это подозрительно, маленькие цифры (50 мВ и меньше), и близко к первому пункту — скорее неисправен.
Чёрный на S, красный на G: около 1000 мВ и выше — скорее исправен, близко к первому пункту — подозрительно, меньше 50 мВ и совпадает с предыдущими показаниями — видимо, полевой транзистор неисправен.

Проверка показала предварительно по всем трём пунктам неисправность? Нужно выпаивать деталь и приступать к следующему действию:

Проверка полевого транзистора мультиметром

Включает в себя подготовку мультиметра (смотри выше). Обязательно снятие статического напряжения с себя и накопленного заряда с полевика, иначе можно просто «убить» вполне себе исправную деталь. Статическое напряжение с себя можно снять, используя антистатический манжет, накопленный заряд снимается закорачиванием всех выводов транзистора.

Прежде всего нужно учитывать, что практически все полевые транзисторы имеют предохранительный диод между истоком и стоком, поэтому проверять начинаем именно с этих выводов.

Красный щуп на S (исток), чёрный на D (сток): показания мультиметра в районе 500 мВ или чуть выше — исправен, чёрный щуп на S, красный на D, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — шунтирующий диод исправен.
Чёрный на S, красный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление», норма, заодно зарядили затвор положительным зарядом, открыли транзистор.
Не убирая чёрного щупа, переносим красный на D, по открытому каналу течёт ток, мультиметр что-то показывает (не «0» и не «1»), меняем щупы местами: показания примерно такие же — норма.
Красный щуп на D, чёрный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — норма, заодно разрядили затвор, закрыли транзистор.
Красный остаётся на D, чёрный щуп на S, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» — исправен. Меняем щупы местами, показания мультиметра в районе 500 мВ или выше — норма.

Вывод по итогам проверки: пробоев между электродами (выводами) нет, затвор срабатывает от небольшого (меньше 5В) напряжения на щупах мультиметра, транзистор исправен.

Проверка IGBT (БТИЗ) мультиметром

Про подготовку мультиметра повторяться не будем.

IGBT транзистор имеет следующие выводы:

G (gate) — затвор, К (C) — коллектор, Э (E) — эмиттер

Начинаем прозванивать:

Вывод: по итогам проверки это изделие исправно.

Печать

Самый быстрый и действенный способ проверки исправности транзисторов — это проверка (прозвонка) его переходов мультиметром, хотя 100% гарантии в некоторых случаях это не дает, но об этом ниже.

Итак, как проверить транзистор мультиметром.

Транзистор можно представить в виде двух диодов включенных навстречу (p-n-p — прямой) и в обратном (n-p-n — обратный) направлении. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунки

Чтобы проверить P-N-P транзистор мультиметром , минусовым щупом (черного цвета) касаемся вывода базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера. Если транзистор цел, то падение напряжения в режиме проверки (прозвонки) в милливольтах, будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом и при этом разница этих значений должна быть невелика. После этого меняем местами щупы, мультиметр не должен показывать никакого падения. Далее проверяем коллектор — эмиттер в обе стороны (меняем местами щупы), здесь также не должно быть никаких значений.

Проверка N-P-N транзисторов мультиметром идентична, с той лишь разницей, что мультиметр должен показать падение напряжения на переходах при касании плюсовым щупом базы транзистора, а черным поочерёдно коллектора и эмиттера.

Посмотрите небольшое видео проверки транзистора мультиметром.

В начале я упоминал, что в некоторых случаях, такая проверка может дать ложный вывод. Бывает в ходе ремонта телевизора, при проверке выпаянного транзистора мультиметром, все переходы показывают нормальные значения, но в схеме он не работает. Выявить это можно только заменой.

Составной транзистор проверяется вставляя в отверстия на панели мультиметра или другого прибора. Для этого нужно знать какой проводимости он является и после этого уже вставлять, не забыв переключить в соответствующее положение тестер.

Проверить силовой транзистор, а так же строчный можно по этой же методике исследуя переходы Б-К, Б-Э, К-Э, но так как в этих транзисторах в большинстве случаев имеются встроенные диоды (К-Е) и сопротивления (Б-Э) все это нужно учитывать. При незнакомом элементе лучше посмотреть его даташит.

Как проверить на плате

Проверить транзистор на плате можно аналогичным способом, но в некоторых случаях установленные рядом в обвязке резисторы с малым сопротивлением, дроссели или трансформаторы могут вносить ложные значения. Поэтому лучше иметь специальные приборы предназначенные для таких проверок, типа ESR-mikro v4.0.

Проверить биполярный транзистор не выпаивая может ESR-mikro v4.0

Проверка полевого

Оценить исправность полевого транзистора сложно и если с мощными это вполне безопасно, то с маломощными — труднее. Дело в том что эти элементы управляются по затвору напряжением и легко пробиваются статическим напряжением.

Работоспособность полевых транзисторов проверяется с осторожностью, желательно на антистатическом столе с антистатическим браслетом на руке (хотя по большей части это касается маломощных элементов).

Сами по себе переходы покажут бесконечное сопротивление, но как видно из предложенных выше сильноточный полевой транзистор имеет диод, его можно проверить. Показатель того, что нет короткого замыкания, это уже хороший знак.

Переводим прибор в режим «прозвонки» диодов и вводим полевой тр-тор в режим насыщения. Если он N-типа, то минусом касаемся стока, а плюсом — затвора. Исправный транзистор должен открыться. Далее плюсовой, не отрывая минусового, переводим на исток, мультиметр покажет какое-то сопротивление. Далее нужно запереть радиодеталь. Не отрывая «плюса» от истока, минусовым нужно коснуться затвора и возвратить на сток. Транзистор будет заперт.

Для элементов P- типа щупы меняем местами.

Дополнительно

Как проверить полевой транзистор с помощью цифрового мультиметра

Этот сайт содержит партнерские ссылки на продукты. Мы можем получать комиссию за покупки, совершенные по этим ссылкам.

0 Share

Вы часто просматриваете каталоги конденсаторных микрофонов? Довольно часто для описания самого микрофона используются термины ET или полупроводниковый. Большинство конденсаторов, доступных сегодня на рынке, имеют в своей конструкции полевые транзисторы.

Однако что такое полевые транзисторы и какова их общая роль в конструкции микрофона? Обратите внимание, что полевые транзисторы (FET) — это активные электрические устройства, которые используют электрическое поле от капсюля микрофона для регулирования потока тока — микрофонного сигнала. Полевые транзисторы часто принимают сигнал с высоким импедансом от капсюлей и выводят пропорциональный полезный сигнал с низким импедансом.

Содержание:

Итак, что такое полевой транзистор?
Каковы другие области применения полевых транзисторов?
Как проверить полевой транзистор?
Заключительные мысли

В этом руководстве мы более подробно поговорим о микрофонных полевых транзисторах и поговорим о микрофонах, которым они нужны, а также о тех, которым они не нужны.

Итак, что такое полевой транзистор?

Чтобы объяснить это далее, полевой транзистор использует электрическое поле для регулирования тока. В двух словах, он использует входной сигнал для модуляции выходного сигнала.

Вы знаете, что такое транзистор? Обратите внимание, что транзистор — это активное полупроводниковое устройство, которое используется для переключения или усиления электрических сигналов и электроэнергии. В большинстве случаев транзисторы используются для включения и выключения и являются важной частью любой двоичной цифровой обработки.

Так обстоит дело с большинством цифровых аудиоустройств; что касается аналоговых микрофонов на полевых транзисторах, функция транзистора заключается в преобразовании импеданса и увеличении сигнала.

Транзистор состоит из полупроводникового материала с не менее чем тремя выводами, которые соединяются с внешней цепью. Подача тока или напряжения на одну пару клемм резистора будет регулировать ток через другую пару клемм. Таким образом, вы можете взять «входной» сигнал на одной паре клемм и использовать его для модуляции «выходного» сигнала вместе с более высоким напряжением или более низким импедансом. В микрофонах, использующих FET, обычно используются полевые транзисторы с обратным затвором или JFET.

Каковы другие области применения полевых транзисторов?

Полевые транзисторы используются в качестве преобразователей импеданса в конденсаторных микрофонах. Капсула конденсаторного микрофона работает как преобразователь, преобразуя звуковые волны в звуковые сигналы. Электрические звуковые сигналы, выдаваемые конденсаторной капсулой, имеют высокое сопротивление и управляют любым током.

Вот почему конвертирующие полевые транзисторы вступают в игру. По своей конструкции полевые транзисторы имеют высокие входные сопротивления затворов. Однако импеданс на стоке ниже и позволяет протекать току.

Таким образом, выходной сигнал капсюля поступает прямо на затвор полевого транзистора. Этот сигнал переменного тока изменяет проводимость между клеммами истока и стока. Таким образом, он изменяет ток на стоке и «выходное» напряжение полевого транзистора.

Короче говоря, полевые транзисторы принимают сигнал с очень высоким импедансом на входе и используют его для смягчения сигнала с низким импедансом на выходе. Этот выходной сигнал может пройти через остальную часть схемы микрофона: микрофонный выход и через микрофонный кабель к микрофонному предусилителю.

Имейте в виду, что полевые транзисторы стали нормой в конденсаторных микрофонах. Под этим мы подразумеваем, что когда конденсатор имеет лампу, он будет называться «ламповым конденсатором», а конденсаторный полевой транзистор будет называться «конденсаторным микрофоном».

Вот некоторые из типичных применений полевых транзисторов помимо использования в микрофонах:

Интегральные схемы

Полевые транзисторы являются типичными транзисторами и являются жизненно важной частью электрической работы интегральных схем. Им не нужна та же последовательность шагов, что и биполярным транзисторам для изоляции PN-перехода на кристалле. Тем не менее, они обеспечивают относительно простое разделение.

КМОП-схемы

КМОП-схема — это разновидность технологии, используемой для создания интегральных схем. Эта технология используется при производстве интегральных схем, таких как микросхемы памяти, микроконтроллеры, микропроцессоры и другие цифровые логические схемы.

Аналоговые переключатели

Преимущества полевых транзисторов для интеграции цифровых схем перевешивают преимущества аналоговой интеграции. Знаете ли вы, что поведение в каждом случае сильно отличается? Цифровые схемы можно было включать и выключать для большинства. Уровень скорости и заряд — два фактора, влияющих на процесс переключения.

Функциональность должна быть гарантирована в пределах переходной области аналоговой схемы в случае, если небольшие изменения V могут изменить выходной ток.

Силовая электроника

Полевые транзисторы используются в широком спектре силовой электроники. Они встроены для защиты от переполюсовки батареи, отключения ненужных нагрузок и переключения питания между альтернативными источниками. Ключевые особенности компактных полевых транзисторов включают встроенную защиту от электростатических разрядов, небольшие габариты и большой ток.

Как проверить полевой транзистор?

Вот шаги, которые необходимо выполнить для проверки полевого транзистора с помощью цифрового мультиметра:

Снимите полевой транзистор, который вы хотите проверить, с печатной платы. В противном случае цифровой мультиметр может выйти из строя, и правильные результаты не появятся.

Есть ли в вашем цифровом мультиметре порт для проверки транзисторов? Не стесняйтесь использовать его. Подключите транзистор к специальному порту для тестирования транзисторов. Подключите транзистор на основе обозначения PNP или NPN. Если для вашего транзистора нет порта, вы можете в качестве альтернативы проверить его с помощью омметра.

Поверните ручку, чтобы правильно установить режим проверки резистора. Вы можете использовать символ hFE для получения коэффициента усиления транзистора.

На этом этапе цифровой мультиметр покажет коэффициент усиления транзистора. Если вы вообще не получили показания, вы можете изменить конфигурацию транзистора с E-B-C на конфигурацию con B-C-E.

Заключительные мысли

Видите ли, тестирование полевого транзистора с помощью цифрового мультиметра не обязательно должно быть сложной задачей. Просто выполните все шаги, которые мы выделили выше, и все готово. Мы надеемся, что наше руководство было для вас актуальным и полезным.

Если вы забудете что-либо из того, что мы обсуждали ранее, не стесняйтесь посетить эту статью еще раз, так что вы будете руководствоваться. У вас есть какие-либо мысли, которыми вы хотите поделиться с нами о полевых транзисторах? Не стесняйтесь делиться своими мыслями с нами, оставляя свои комментарии ниже.

Как проверить транзистор JFET

Как проверить транзистор JFET

Это самый простой способ проверить транзистор JFET, есть более сложный способ с использованием мультиметра, который я покажу вам позже в этой статье, но Я всегда думаю, что лучше начать с простого пути. Если вы читали другие мои материалы, то знаете, что я упоминал эти тестеры компонентов раньше. Если вы хотите узнать больше, вы можете прочитать здесь.

Вам нужно будет отключить полевой транзистор JFET, поэтому сначала вам придется отпаять его от печатной платы. Если вы не знаете, как это сделать, у меня есть статья, которую вы можете прочитать здесь.

Это самый простой способ проверить транзистор JFET. Просто подключите устройство, бросьте рычаг, чтобы удерживать его, подключите его и нажмите кнопку. Я почти уверен, что это может сделать любой.

Вы не только узнаете, что устройство работает, но оно покажет вам, какая распиновка и некоторые другие вещи.

Как видно из рисунка выше, компонент подтвержден как рабочий N-канальный JFET. Вы также можете видеть, что контакт 1 является истоком, контакт 2 — затвором, а контакт 3 — стоком.

Вам не нужно ничего знать о тестируемом устройстве и не нужно пытаться держать его, держа щупы мультиметра на разных ножках и снимать показания. Гораздо быстрее использовать тестер компонентов, и если у вас его нет, я бы посоветовал приобрести его, потому что время и проблемы, которые вы сэкономите, если будете заниматься электроникой на протяжении многих лет, ну, ну, много. Да, и они дешевле мультиметра, но если вы хотите потратить больше времени, хлопот и затрат, используя мультиметр, то,

Как проверить JFET-транзистор с помощью мультиметра

Вы не можете полностью протестировать JFET-транзистор, просто используя мультиметр. выключен, чтобы вы могли измерять его в обоих режимах. Вы можете выполнить простую проверку с помощью мультиметра.

Вам необходимо знать схему распиновки тестируемого устройства, то есть какие ножки сток, затвор и исток. Это достаточно легко найти в Интернете.

Поскольку полевой транзистор JFET может эффективно оставаться включенным, даже если он отключен от цепи, перед тестированием необходимо убедиться, что он выключен. Хороший простой способ — вставить три ножки в кусок токопроводящей пены, в которой доставляются устройства, чувствительные к статическому электричеству.

Это гарантирует, что устройство выключено. Затем установите мультиметр на низкий диапазон сопротивления и измерьте сопротивление. Он будет варьироваться в зависимости от конкретного устройства, но что-то вроде 100 Ом будет нормальным, если оно очень высокое или вообще не проводит ток, то оно, вероятно, неисправно. Как вы можете видеть на картинке выше, он показывает 121,8 Ом в проводящем состоянии.

Тестирование значительно упрощается, если вы вставите JFET-транзистор в макетную плату, а затем подключите к нему провода для соединений.

В чем разница между МОП-транзистором и JFET-транзистором

Оба являются полевыми транзисторами и, очевидно, имеют некоторые сходства, в основном потому, что JFET — это более простое устройство по сравнению с MOSFET, его можно изготовить проще и дешевле. JFET имеет более низкий импеданс, чем MOSFET

Что такое JFET-транзистор и как он работает

JFET представляет собой полевой транзистор с переходом и работает только в режиме истощения, в отличие от MOSFET, который может быть в режиме истощения или улучшения. Подробнее о полевых МОП-транзисторах можно прочитать здесь.

Для начинающих JFET можно рассматривать как нормально замкнутый переключатель регулятора напряжения.

JFET имеет три ножки или клеммы, сток, затвор и исток. Подобно нормально замкнутому переключателю, ток может течь между затвором и истоком или истоком и затвором, когда JFET выключен, однако, когда вы подаете напряжение на затвор, JFET включается, ограничивая протекание тока.

JFET бывают N-канальными или P-канальными, N-канальному устройству требуется отрицательное напряжение на затворе, а P-канальному — положительное напряжение.

Для чего используется JFET-транзистор

Поскольку JFET-транзистор в основном представляет собой управляемый напряжением переключатель или управляемый напряжением усилитель, неудивительно, что JFET-транзисторы используются почти во многих приложениях, как и обычные биполярные транзисторы. от генераторов до усилителей.

В чем разница между JFET и биполярным транзистором

JFET и биполярные транзисторы — это оба типа транзисторов, но JFET — это униполярный транзистор.

Биполярный транзистор имеет базу, коллектор и эмиттер в качестве трех выводов, а JFET имеет сток, затвор и исток в качестве трех выводов или выводов.

Биполярный транзистор управляется током, а JFET управляется напряжением. Полевые транзисторы имеют более высокий импеданс, чем биполярные транзисторы, и обычно потребляют меньше энергии.

Каковы преимущества JFET

JFET менее шумный, чем биполярный транзистор, имеет более длительный срок службы, более высокий импеданс и более эффективен, чем биполярный транзистор, они также имеют лучшую температурную стабильность, но они более подвержены повреждению от статического электричества. Они также обычно дешевле, чем биполярные транзисторы.

курс udemy скачать бесплатно

Как проверить транзистор Mosfet с помощью мультиметра By Some

BILARASA.COM — Я для видео очень здесь, MOSFET тестирует этот метр-метод В этом объяснен показанный транзистор, некоторые методы проверки здесь- multi easy- MOSFET

А вот каталог изображений Как проверить MOSFET-транзистор с помощью мультиметра Некоторым идеально. Просто вставив символы, мы можем создать одну статью в столько 100% дружественных к читателю изданий, сколько вам нравится, что люди рассказывают, а также указывают Создание историй много веселья для вас. Мы получаем удивительно много красивых изображений Как проверить MOSFET-транзистор с помощью мультиметра Некоторое интересное изображение, но многие из нас отображают только настоящие статьи, которые, по нашему мнению, были бы лучшим чтением.

Чтение Как проверить MOSFET-транзистор с помощью мультиметра от Some предназначено только для потрясающей демонстрации, учитывая, что, как и в статьях, пожалуйста, найдите уникальное чтение. Поддержите своего читателя, просто купив оригинальные слова How To Test Mosfet Transistor Using Multimeter By Some , поэтому автор предлагает самые лучшие изображения и продолжает работу. В поисках предложения все виды жилой и коммерческой работы. Вы должны сделать свой поиск, чтобы получить бесплатную цитату, надеюсь, что у вас есть хороший день.

Как проверить транзистор Mosfet с помощью мультиметра некоторыми простыми методами

В этом видео я объяснил некоторые методы проверки МОП-транзистора с помощью мультиметра. Этот метод показан здесь для проверки МОП-транзистора очень легко. здесь. Держите MOSFET за корпус и не касайтесь проводов. затем подключите отрицательный щуп мультиметра к истоку. убедитесь, что вы также присоединили положительный щуп к проводу затвора. подсоедините положительный щуп к сливному проводу и внимательно прочтите показания мультиметра. он должен показывать низкое сопротивление. 1) установите dmm в диапазон диодов. 2) держите MOSFET на сухом деревянном столе на металлическом язычке, стороной с надписью к вам и выводами, направленными к вам. 3) с помощью отвертки или измерительного щупа закоротить затворный и сливной штырьки мосфета. это изначально будет держать внутреннюю емкость устройства полностью разряженной. Вот как проверить n-канальный полевой МОП-транзистор в режиме улучшения с помощью мультиметра, используя настройку проверки диодов на мультиметре. сначала вам нужно будет узнать пин-код устройства, к счастью, его легко найти в Интернете. затем замкните вместе все три ножки мосфета с отрезанным или неизолированным куском провода. Шаг, чтобы проверить mosfet аналоговым мультиметром. 1. Установите аналоговый мультиметр на rx10k, так как этот диапазон мультиметр будет отображать 9vdc от внутренней батареи. 9 В постоянного тока достаточно для смещения ножки затвора, поэтому MOSFET работает в штатном режиме. 2. Разрядите MOSFET, закоротив или соединив 3 ножки вместе с помощью ножки резистора. тогда не трогайте ноги. 3.

Как проверить транзистор Mosfet с помощью мультиметра Youtube

Переместите черный или отрицательный щуп ( ) мультиметра к клемме «слива». (красный щуп ( ) по-прежнему остается у подножия клеммы «источник»). на экране мультиметра отобразится очень низкое значение напряжения. это связано с тем, что MOSFET был активирован, когда черный щуп мультиметра коснулся клеммы «затвор». Для тестирования NMOS подключите красный щуп мультиметра к истоку MOSFET, а черный щуп к стоку. в связи с этим корпусной диод находится в режиме прямого смещения. в этом режиме мультиметр должен показывать показания от 0,4 до 0,9 В.v. если мультиметр показывает нулевое значение или отсутствие показаний, этот MOSFET неисправен. В этом видео я покажу вам, как проверить MOSFET с помощью цифрового и аналогового тестера самым простым способом.

Как проверить транзистор Mosfet с помощью мультиметра Урду Хинди Youtube

Как проверить MOSFET с помощью цифрового мультиметра

Как проверить MOSFET-транзистор с помощью мультиметра несколькими простыми методами

В этом видео я объяснил некоторые методы проверки МОП-транзистора с помощью мультиметра. метод показан здесь, поскольку в этом видео я демонстрирую, как проверить MOSFET-транзистор с помощью цифрового мультиметра Fluke в выключенном и включенном состоянии. вы узнаете, как проверить MOSFET в цепи с помощью мультиметра, и как проверить MOSFET-транзисторы с 3 и 8 с помощью полного видео. МОП-транзистор (полупроводниковый полевой транзистор на основе оксида металла) — это полупроводниковое устройство, которое широко используется в этом видео, в котором объясняется, как проверить p-канальные и n-канальные полевые транзисторы просто с помощью цифрового мультиметра (или аналогового). как проверить МОП-транзистор, тестирование МОП-транзистора, проверка мультиметром, объясняется в видеоуроке с экспериментом. как проверить hello, two type mosfet 1 n канал 2 p канал черный пробник на стоке и красный пробник на истоке если какое то значение показывает это n посмотрите это видео чтобы узнать как проверить тест n и p канал mosfet (металл оксид полупроводник полевой транзистор) в этом видео я объяснил некоторые методы проверки МОП-транзистора с помощью мультиметра. метод показан здесь для этого видео о том, как проверить mosfet, например, если у нас есть новый mosfet, и мы хотим проверить, работает ли он или нет до

Изображение, связанное с тем, как проверить MOSFET-транзистор с помощью мультиметра,

Изображение, связанное с тем, как проверить MOSFET-транзистор, используя мультиметр,

Определение, история, схема, типы, применение

Дом »Физика

Дивья Каре | Обновлено: 13 сентября 2022 г. , 16:48 IST

Сохранить

Скачать публикацию в формате PDF

Сегодняшняя эра — это поколение технологий, где нас окружает множество электронных устройств, и теперь все находится на расстоянии одного клика от нас. С развитием технологий мы превратились из настольных компьютеров в суперкомпьютеры, и в этом долгом путешествии есть электронное устройство, которое сыграло очень важную роль в этом развитии, и это транзистор. В настоящее время полевые транзисторы широко используются в качестве основного активного компонента во многих интегральных схемах. Без них инновации были бы совершенно иными, чем они есть сейчас.

В этой статье мы подробно рассмотрим полевые транзисторы, их типы и области применения.

Полевой транзистор

Полевой транзистор (иногда называемый униполярным транзистором) представляет собой трехполюсное активное полупроводниковое оборудование, в котором электрическое поле, создаваемое входным напряжением, управляет выходным током. Концепция полупроводника с полевым эффектом основана на идее, что заряд на близком предмете может притягивать заряды внутри полупроводникового канала. В основном он работает за счет воздействия электрического поля, отсюда и произошло его название.

История развития

Потребовалось много лет, чтобы превратить концепцию полевого транзистора в практическое приложение. Концепция полевого транзистора была впервые представлена и изложена Лилиенфилдом в 1926 году, а затем принята для дальнейшего развития Оскаром Хейлом в 1935 году. Но все это были только теории и запатентованы только на бумаге.

Следующие учреждения были созданы в 1940-х годах в Bell Laboratories, где была создана исследовательская группа по полупроводникам. Эта группа исследовала различные регионы, связанные с полупроводниками и полупроводниковыми технологиями. Во время этих ранних исследований ученые не смогли заставить идею работать, обратив свои планы на другую мысль и, наконец, разработав еще один тип полупроводниковой аппаратной части: биполярный полупроводник. После этого в области полупроводников произошло множество инноваций, и, наконец, к 1960, эти транзисторы были широко доступны для использования в различных электрических компонентах.

Типы транзисторов FET

Транзисторы FET представляют собой подкатегории в

Полевой транзистовый транзистор (JFET)
Оксид металла полупроводник Полевой транзистор 9029 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2
9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 2 9000 29000 2 9000 2

Полевые транзисторы являются одним из самых простых типов полевых транзисторов. JFET представляет собой управляемое напряжением трехполюсное полупроводниковое устройство, доступное в N-канальных и P-канальных конфигурациях. JFET не имеет PN-перехода, за исключением того, что он имеет ограниченный кусок полупроводникового материала с высоким удельным сопротивлением, обрамляющий «канал» из кремния N-типа или P-типа для протекания основных носителей с двумя омическими электрическими соединениями на каждом конце, обычно называемыми Слив и Исток соответственно.

Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника

МОП-транзистор — это тип полевого транзистора, который обычно используется для переключения или усиления электронных сигналов путем изменения тока, протекающего через них. MOSFET представляет собой полупроводниковое устройство с четырьмя выводами, а именно:

Исток (S)
Сток (D)
Затвор (G)
Корпус

Эти транзисторы также используются в интегральных схемах (ИС) для управления проводимостью канала.

Различия между MOSFET и JFET транзисторами

Ниже приведены различия между MOSFET и JFET транзисторами.

Parameters	MOSFET Transistor	JFET Transistor
Number of Terminal	4 terminal semiconductor device	3 terminal semiconductor device
Mode of Operation 99 Ом\).
Подвержены повреждениям	Они в большей степени подвержены повреждениям из-за слоя оксида металла, который снижает входную емкость.	Они менее подвержены повреждениям благодаря высокой входной емкости.
Производство	Производственный процесс сложный	Производственный процесс простой
Типы шумовых применений	Подходит для приложений с высоким уровнем шума.	Идеально подходят для систем с низким уровнем шума.

Применение транзисторов

Транзисторы были очень важным изобретением в области электроники. Вы увидите его применение почти в каждом электрическом устройстве вокруг вас, от зубной щетки до суперкомпьютера. Итак, давайте обсудим еще несколько интересных и важных повседневных применений транзисторов в нашей жизни.

Используется в качестве переключателя в цифровых и аналоговых цепях.
Использование в схеме усилителя сигнала
В каждом смартфоне или мобильном телефоне используется транзисторный усилитель
Транзисторы используются в качестве регулятора мощности и контроллера мощности
Транзисторы являются важным компонентом интегральных схем, которые являются неотъемлемой частью всех электронных устройств .
Транзисторы используются в микропроцессорах миллиардами штук.
Используется в качестве усилителя звука во всех устройствах, требующих хорошего качества звука, например. Компьютер, радио, наушники и т. д.
Транзисторы, подобные транзисторам Дарлингтона, обычно используются в сенсорных и светочувствительных устройствах.

Давайте готовиться, практиковаться, набирать высокие баллы и занимать первые места на всех конкурсных экзаменах с помощью приложения Testbook. Это приложение создано для создания метода концептуального обучения для студентов, готовящихся к конкурсным экзаменам. В нем есть заметки по физике, одобренные экспертами, а также серии пробных тестов, чтобы учащиеся много практиковали их. Просто скачайте его и начните. Так что скачайте приложение Testbook отсюда прямо сейчас и начните подготовку к экзамену.

Часто задаваемые вопросы о полевых транзисторах

В.1 Что такое полевые транзисторы?

Ответ 1 Полевой транзистор представляет собой активный полупроводник с тремя выводами, в котором электрическое поле, создаваемое входным напряжением, управляет выходным током.

В.2 Как проверить полевой транзистор с помощью мультиметра?

Ответ 2 Полевые транзисторы анализируются путем измерения различных сопротивлений с помощью мультиметра. Проверка JFET: в момент, когда JFET проверяется как диод, мультиметр должен показывать низкое сопротивление между затвором и истоком с одной полярностью. и исключительно высокое сопротивление между затвором и истоком при переключении полярности измерителя. Тестовый полевой МОП-транзистор: При проверке полевого МОП-транзистора оценочное сопротивление между затвором и стоком должно быть неограниченно высоким при той или иной полярности. Низкое сопротивление подразумевает бракованный гаджет.

В.3 Почему полевой транзистор называется полевым транзистором?

Ответ 3 Концепция полевого полупроводника основана на идее о том, что заряд на близком предмете может притягивать заряды внутри полупроводникового канала. В основном он работает за счет использования эффекта электрического поля, отсюда и возникло его название.

В.4 Почему полевой транзистор называется униполярным транзистором?

Ans.4 Полевой транзистор также иногда называют униполярным транзистором, он имеет только один носитель заряда, либо электроны, либо дырки, работающие в качестве носителей заряда.

В.5 Как определить выводы полевого транзистора?

Ответ 5 Когда выводы транзистора находятся в одной плоскости и расположены неравномерно, они идентифицируются по положению и промежуткам между выводами.

В. 6 Каковы преимущества полевого транзистора?

Ответ 6 Благодаря компактным размерам и значительно более низкому энергопотреблению (по сравнению с ИС, использующими биполярные транзисторы), полевые транзисторы могут найти широкое применение в интегральных схемах (ИС).

В.7 В чем разница между FET и MOSFET?

Анс.7 МОП-транзистор представляет собой необыкновенное разнообразие стандартных полевых транзисторов. Он использует кремниевую подложку для защиты затвора транзистора. Он потребляет меньше энергии, чем стандартный полевой транзистор, и поэтому является предпочтительной конфигурацией для большинства транзисторных схем.

Скачать публикацию в формате PDF

Еще на testbook.com

Винтовой калибр: узнайте его формулу, составные части, наименьшее количество и применение
Дифференциальное уравнение первого порядка: узнайте определение, общее и частное решение на примерах!
Понимание стандартного отклонения: определение, значимость и взаимосвязь с дисперсией
Различие между отношением и функцией с примерами
Знак равенства: значение, символ и типы с вопросами	9	9	9

Тестовая схема Idss для JFET и D-MOSFET.

С Учебником.

I _DSS Тестер и учебник

Цепи, измеряющие I

_DSS

Это еще не все! Что? Ваш производитель запчастей предоставляет неполный я 9Диапазон 0521 DSS для вашего полевого транзистора? Затем он говорит вам идти рыбы!

Что делать парню? Вам нужны рыболовные снасти. Домашнее пиво I _{Счетчик DSS}. Измерьте ваши полевые транзисторы, вместо того, чтобы зависеть от неполные техпаспорта. Звучит неплохо? Ниже приведены схемы счетчиков. что катушка в данных.

♦ ОСТОРОЖНО. Никаких улучшающих устройств. Эти цепи измеряют параметры для JFETS или истощения MOSFET. Но схемы не будут измеряйте улучшение МОП-транзисторов. Если вы подключите MOSFET, он не включится. Ты можешь ошибочно считать, что он мертв. (Примеры: Нет 2N7000s! Нет BS170s! )

О счетчиках

Используйте свой DVM для амперметра I _D и V _P (напряжение отсечки) вольтметр. I _DSS показания могут варьироваться от нескольких миллиампер до примерно 100 мА. Напряжение питания то, что вы используете , должно превышать значение полевого транзистора В _P.
Ваши измерения применимы к устройству, которое вы используете, не модель производителя. Полевые транзисторы одного типа сильно различаются. (Иногда природа вторгается в науку. пример.) По этой причине ваши измерения скорее всего не будет соответствуют значениям в паспорте производителя. Не бойся. Разные значения не указывают на дефект .
Аккумулятор. I _DSS — уровень стока текущих предметов аккумулятор до максимального тока, потребляемого устройством. Чтобы сохранить батарея, сокращайте периоды измерений. Чтобы измерить устройства P-канала, поменяйте местами соединения аккумулятора.

Простой счетчик

Сборка в минутах. Тест за считанные секунды! Простой I _DSS счетчик (рисунок 1) позволяет читать I _DSS. В зависимости от FET, который вы измеряете, я _DSS может работать от нескольких миллиампер до 100 миллиампер. (Очень немногие полевые транзисторы имеют I _DSS ниже 1 мА. Пример: PN4117. ) В этой схеме можно использовать ручной мультиметр. для измерения тока I _DSS. Найти V _{GS (офф)} , Мальвино предоставляет эту удобную формулу (1.) …

Рис. 1. Простой I _DSS счетчик

В _{GS (выкл.)} = 2(I _DSS ) / G _M0 ,
где G _M0 крутизна при I _DSS

Зачем мне знать V _{GS (выкл.)} ? Напряжение отсечки В _P имеет ту же величину (но с противоположным знаком) , что и V _{GS (off)} . Все самое важное I _ДСС возникает при напряжении отсечки V _P . Напряжение В _P также определяет границы напряжения вашей конструкции усилителя (наибольший и наименьший ток, полевой транзистор поддерживает).

Использование простого счетчика. В таблице ниже показаны результаты некоторых тестов, проведенных автор. На макетной плате без пайки простая измерительная схема собралась быстро. Тестируемое устройство 2N3819 представляло собой американский полевой транзистор Fairchild JFET производства Mouser (новый-старый запас). Устройство 2N5457 представляло собой китайский JFET Fairchild от eBay. Показания были низкими, возможно потому что напряжение питания было 9вольт, вместо заявленных производителем 15 вольт. Чтобы проверить эту гипотезу, были необходимы дополнительные тесты. Повторный тест несколько дней позже произвел те же значения I _DSS при 9 В постоянного тока. При напряжении питания 15 В постоянного тока I _DSS токи остались теми же , что и при питании 9 В постоянного тока.

Параллельный I _DSS значения умерил ранний цинизм автора о даташитах. Кривые стока в техпаспорте предписывают, что I _ДСС значения будут одинаковыми при 9 или 15 вольтах. Испытательные устройства регулировали ток как им следует. Измеренные значения I _DSS также остались в пределах спецификации.

Тип полевого транзистора	Мощность Вольт	I _DSS (мА)	Дата испытания	Тип тестера
2Н3819	9	10,96	8-11-2020	Простой
2Н5457	9	2,56	8-11-2020	Простой
2Н3819	9	11	20.08.2020	Простой
2Н5457	9	3	20. 08.2020	Простой
2Н3819	15	12	20.08.2020	Простой
2Н5457	15	3	20.08.2020	Простой
• ПРИМЕЧАНИЯ И ВЫВОДЫ В тестах 8-11-2020 автор использовал цифровой измеритель. В повторных тестах 20.08.2020 автор использовал аналоговый счетчик. Тесты 8-20, 9В согласуются с результатами тестов 8-11-2020. Тесты 8-20, 15В опровергают гипотезу о том, что более низкий V _DD это отвечает за показания I _DSS ниже максимальной спецификации на таблицы данных. (2N3819: 20 мА макс. 2N5457: 5 мА макс.)

Шикарный счетчик

Кадиллак для техников. Шикарный счетчик I _DSS появляется на Рисунок 2. Вы можете использовать напряжение питания (B2) по вашему выбору. Питание 20 вольт является типичным примером. (Аккумуляторы постоянного тока тоже подойдут. Конкретный полевой транзистор также может требуется батарея большего размера B1. Например, Хейс и Горовиц используют -15В. (2.) )

Рис. 2. Счетчик Swanky I _DSS (4.)

Для измерения V _{GS
(выкл.)} , отрегулируйте потенциометр 10K. При некотором значении сопротивления полевой транзистор отключится. Когда это произойдет, I _D упадет до нуля. (Напряжение стока В _ДС будет также подняться до напряжения питания. (3.) ) Теперь измерьте V _{GS (выкл.)} между затвором и землей. Этот Схема также позволяет построить кривую G _M (крутизна) для ФЭТ. (Пример этой кривой показан на рис. 5.)

♦ ВНИМАНИЕ: РИСУНОК 2. Никогда не подключайте батарею затвора B1 наоборот! Эта батарея должен обеспечивать отрицательное напряжение от нуля до на затворе. Напряжение никогда не должно подниматься выше нуля вольт. В противном случае соединение ворот может расплавиться, разрушив JFET.

Подробная инструкция для шикарного счетчика

Прикрепите DVM в соответствии со схемой. (Подключите счетчик «+» к В _ДД . Подсоедините провод счетчика «-» к сливной клемме полевой транзистор)
Отрегулируйте потенциометр VR1 так, чтобы он замыкал затвор полевого транзистора на исток. Текущий через тестовый полевой транзистор я доберусь до I _DSS .
Нажмите КНОПКУ ПРОВЕРКИ S1. Ток будет проходить через ваш DVM.
При нажатии кнопки прочитать I _DSS на DVM. Для большинства малосигнальные полевые транзисторы, показания будут в миллиамперах. (Некоторые полевые транзисторы работают в субмиллиамперной области.)
После снятия показаний отпустите кнопку S1.
Для чтения V _{GS (выкл.)} , подключить второй DVM через ворота и общий. Мы назовем это DVM-2. (См. схему, рис. 2.)
Нажмите КНОПКУ ПРОВЕРКИ S1. Ат И _Д (ДВМ-1) , нет тока течет через канал FET. Напряжение сток-земля равно V _DD (9 вольт).
Нажав кнопку , прочитать V _GS на DVM-2. Чтение будет в вольтах. Величина этого показания равна отсечке напряжение В _Р . (Пожалуйста, игнорируйте знак . V _P и V _GS
(off) используйте противоположные знаки.)
После снятия показаний отпустите кнопку S1.

Подробнее о V

_P и I _DSS

Что такое V _P? V _P , а точнее V _P0 , является напряжение отсечки на I _ДСС . При V _P0 сток насыщается током. (5.) В _P0 есть эквивалентно -1[V _{GS (выкл.)} ]. (6.) См. рисунок (справа).

Что такое I _DSS ? Глядя на рисунок 3, давайте начнем с исходной точки, внизу слева. Двигаясь вправо по оси Y, мы определяем V _P , напряжение отсечки. Здесь мы прибываем на вертикальной линии. Теперь мы следуем по линии вверх к кривой стока I _ДСС . Здесь мы видим, что V _P указывает на колено на кривой. В этот момент, ток через полевой транзистор выравнивается. Мы достигли текущего насыщения или Я _ДСС !

Рис. 3. I _DSS возникает при напряжении отсечки V _P . (7.)

Под «насыщением» мы подразумеваем , что полевой транзистор проходит максимальное ток, с которым он может безопасно работать. Идя вправо от V _P, кривая плоская. На плоская область, полевой транзистор работает как источник постоянного тока. То есть напряжение стока имеет практически не влияет на ток стока. (Напряжение пробоя устройства указано правее. При пробое ток возрастает экспоненциально. Срок действия устройства, вероятно, истек.) (8.)

Проектирование с использованием кривых стока

Плоская секция. В даташите устройства больше стока (I _D ) кривые ниже кривой I _DSS. Каждая кривая стока имеет режим насыщения и напряжение отсечки. Нам нужно, чтобы полевой транзистор работал на плоскости, или «насыщении». режим» участка кривой.

Выберите кривую дренажа. При проектировании мы можем использовать наш полевой транзистор на любой кривой стока . На рис. 4, справа, верхняя кривая стока — это I _DSS . Параллельно и ниже I _DSS четыре горизонтальные кривые. Каждая кривая дает различный ток стока I _D . Мы идентифицируйте эти кривые по отрицательному напряжению смещения затвора В _GS, которое производит их…

• -1В

• -2В

• -3В

• -4В, В _{GS (выкл.)}

Полученный R

_S из G _M

Резистор истока R _S смещение позволяет выбрать кривую стока. р _S смещение уменьшает I _D . Хорошее начальное значение для R _S составляет (1/Г _М). Это утверждение предполагает, что мы используем значение G _M (крутизна) в I _DSS. (Технические описания иногда ссылаются на G _M как G _FS или Y _FS). G _M как диапазон значений в I _DSS . Но мы должны выбрать только одно значение G _M! Мы можем справиться, выбрав среднее или «типичный» G _М значение. (Иногда производитель предоставляет типичное значение.) (10.)

Что такое G _M? Есть два типа G _M. Динамический G _M — изменение напряжения затвора, вызывающее заданное изменение тока стока. Статическая G _M Экспресс ток стока на вольт напряжения затвора. Измерение находится в ампер (а точнее миллиампер ). Тем не менее, мы делим отношение (мА/1В) или (мкА/1В), выражая результат в виде десятичной дроби количество. Единицей для этого нового термина обратного сопротивления является Siemens, S (или U). Пример: 3000 мкс или 3 мс. Оба они означают «3 миллиампер на вольт».

Рис. 4. Кривые семейства дренажа (9.)

Рис. 5. G _M кривая: R _S выбирает кривую слива. (11.)

Рис. 6. R _S и статический G _M

Подключение резистора источника. Обратная величина любого статическое значение G _M — значение резистора источника. Мальвино прогулки нас с помощью простой формулы R _S. (12.) Обязательно игнорируйте V _GS знак…

R _S = (-V _GS / I _D )

R _S примеры. На рис. 5 показаны три примера резисторов истока. В таблице ниже приведены расчеты для определения этих трех номиналов резисторов…

В _ГС	И _Д	Р _С	Статическая G _M
0,75 В	5 мА	• (0,75 В / 5 мА) = 150 Ом	6,7 мс
1,3 В	3 мА	• (1,3 В / 3 мА) = 470 Ом	2,1 мс
2В	2 мА	• (2 В / 2 мА) = 1000 Ом	1 мс

Экскурсия по кривой G _M. В Рисунок 5 , обратите внимание, что крутизна (G _M ) представляет собой параболу. По мере подъема кривой крутизна увеличивается. По мере снижения кривой крутизна уменьшается. Вот что это означает для значений резистора истока: Большой резистор истока блокируется. высокое обратное смещение на затворе. При этом напряжении на затворе крутизна равна низкий, но расход тока экономный. С этим большим резистором будьте осторожны, чтобы не подход В _{GS (выкл.)} слишком близко, иначе устройство может защелкнуться. Небольшой источник резистор позволяет протекать гораздо большему току стока. крутизна высокая, но разряд батареи и нагрев могут быть чрезмерными. Может понадобиться теплоотвод. Если дизайн подходит I _DSS слишком близко, отсечение может снова стать проблема.

Учитывайте ток стока вашей схемы. Ток стока влияет рабочая крутизна полевого транзистора. Спецификации производителя обычно указывают показатель крутизны при I _ДСС . Вы работаете на более низкой I _D чем I _DSS ? Затем используйте крутизну (G _M) значение, которое меньше максимального устройства.

Пример: Производитель питает свою модель MPF102 от I _DSS , 20 мА. Но ваш проект FET в среднем потребляет 2 мА. Спецификация серии G _M составляет от 2 до 7,5 мс. Вы выбираете 2 мСм, что дает R _S 500 Ом: (1 / 0,002)= 500 Ом. Затем вы можете использовать стандартный резистор на 470 Ом или 560 Ом.

V

_P и I _DSS Сводка

Когда V _GS = 0, достигается I _DSS : Максимальный ток стока для нормальной работы. (13.)
Ваш усилитель на полевых транзисторах должен работать внутри зоны с этими границами. ..
• Макс I _DSS • Мин I _D
•Вп • Пробивное напряжение
(Минимум I _D происходит при V _{GS (выкл.)}.)

Рис. 7. Рабочая зона усилителя на полевых транзисторах, в пределах активной области сливные кривые. (14.)

Чтобы использовать более низкую кривую I _D (сток), увеличьте напряжение смещения истока, V _GS . (с N-канальным устройства, делают V _GS больше отрицательный. Для P-канальных устройств больше положительных. )
Чтобы использовать более высокую кривую, уменьшите напряжение смещения источника, В _GS . (с N-канальным устройства, марка V _GS больше положительный. Для P-канальных устройств больше минус. )
Для N-канального устройства V _GS равно минус . Для P-канала устройство, V _GS is положительный .
Затвор с обратным смещением предотвращает ток затвора. Ток затвора не течет. (15.)
В _P – напряжение сток-исток.
В _{GS (выкл.)} — напряжение затвор-исток. Он имеет ту же величину, что и Vp, но противоположный знак.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 Далее

Сноски

1. Альберт Пол Мальвино, доктор философии. , Приближение схемы транзистора, 3-е изд. (Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1980), 239. ▶Re: Формула для нахождения V _{DS (off)} .

2. Томас С. Хейс и Пол Горовиц , Искусство электроники. Пособие для студентов, 1-е изд. (Нью-Йорк: издательство Кембриджского университета, 1989), 156. ▶Re: Использование источника питания -15 В для смещения В _ГС . Полезно при чтении V _{ГС (выкл.)} . Более широкий диапазон, чем 6-вольтовая схема в Кибетт и Бойсен. (Относится к измерению N-канальных устройств. Для P-канальных устройств требуется Питание смещения +15 В.)

3. Гарри Кибетт и Эрл Бойсен , Вся новая электроника: Самоучитель, 3-е изд. (Индианаполис, Индиана: Wiley Publishing, Inc., 2008), 142. ▶Re: Когда ток в канале полевого транзистора отсутствует, V _D повышается до напряжения питания V _DD .

4. Там же. , 138. ▶Re: Схема, схема измерения тока стока затвора, I _DSS и напряжения отсечки, В _Р .

5. Дональд Л. Шиллинг и Чарльз Белов , Электронные схемы: дискретные и интегрированные, 2-е изд. (Нью-Йорк: McGraw-Hill Book Company, 1979), 135. ▶Re: Term V _P0 , p. 136.

6. Malvino , 237. ▶Re: V _P есть V _{DS (выкл.)} без знака.

7. Там же. , 235. ▶Re: Диаграмма кривой отсечки.

8. Там же. , 235-236. ▶Re: Связь между напряжением отсечки, V _P, и током стока затвора, I _DSS

9. Там же. , 236. ▶Re: Четыре кривые семейства стоков.

10. Там же. , 239, 242-244. ▶Re: Хорошим начальным значением для R _S является (1 / G _M ), 242-244. •G _M = G _FS или Y _FS, 239. 242 и 244.

11. Там же. , 236. ▶Re: G _M или кривые крутизны показывают, как значение R _S выбирает кривую слива.

12. Там же. , 236. ▶Re: Формула №2 для значения R _S: R _S = (-V _GS / I _D).

13. Там же. , 236. ▶Re: Когда V _GS = 0, достигается максимальный ток стока I _DSS .

14. Там же. , 236. ▶Re: Рабочая зона усилителя на полевых транзисторах. Автор нарисовал рабочую зону по набору кривых стока от Мальвино.

15. Schilling & Belove , 135. ▶Re: Затвор с обратным смещением предотвращает ток затвора.

Содержимое

Цепи, измеряющие I _DSS
О счетчиках
Простой счетчик
Шикарный счетчик
Подробные инструкции для измерительного прибора Swanky
Подробнее о V _P и I _DSS
Проектирование с помощью кривых стока
Полученный R _S из G _M
В _P и I _DSS Сводка
Сноски

Фигурки

Рис. 1. Простой I _DSS Счетчик
Рис. 2. Swanky I _DSS Счетчик
Рис. 3. I _ДСС
Рис. 4. Кривые семейства дренажей
Рис. 5. G _M Кривая
Рис. 6. R _S и статический G _M
Рис. 7. Рабочая зона

JFET’s — Заставьте теорию прошлого месяца работать, июнь 1969 г. Радиоэлектроника

Июнь 1969 Радиоэлектроника

[Оглавление]

Восковая ностальгия и изучение истории ранней электроники. См. статьи из Радиоэлектроника , опубликовано 1930-1988 гг. Настоящим признаются все авторские права.

Вступление к эффект поля транзисторов (FET) в мире электроники было большим преимуществом для разработчиков, нуждающихся в более низкое энергопотребление и, возможно, что более важно, высокое входное сопротивление для активных схемы. Два наиболее принципиально различных типа полевых транзисторов — это металл-оксид-полупроводник. полевой транзистор (MOSFET) и переходной полевой транзистор (JFET). Оба типа FET устройства, управляемые напряжением и не требующие тока смещения (отсюда высокое входное сопротивление) как биполярный переходной транзистор (BJT) делает. Ни один из типов полевых транзисторов не имеет PN-перехода. JFET использует полупроводник с высоким сопротивлением область канала между истоком и стоком с омическим контактом к затвору, тогда как МОП-транзистор имеет изолирующий оксидный слой между затвором и каналом. Проверьте ссылки на каждый тип транзистора для более подробной теоретической информации. У меня еще нет первой части, но надеюсь, что смогу купить 19 мая69 выпуск скоро.

Одно из самых непосредственных применений полевых транзисторов JFET было в мультиметрах для достижения высокого входного сигнала. импеданс, который очень мало влияет на измеряемую цепь из-за напряжения эффект деления. Моим первым мультиметром JFET была модель Microanta (Radio Shack) 22-208. куплен в 1978 году. Его цена в 59,95 доллара в 1978 году эквивалентна примерно 225 долларам в сегодняшних деньгах. (за Калькулятор инфляции BBLS). Глядя на каталог Radio Shack 1979 года странице, сравните входной импеданс дешевого электромобиля ($8,95) модель 22-027 на 1000 Ом/В с моделью 22-207 более высокого уровня (49,95 долларов США) при 100 000 Ом / вольт. Это означает, что при чтении 1 вольт отображается на шкале, эффективное внутреннее сопротивление счетчика равно 1000 Ом (1 кОм) и 100 000 Ом (100 кОм) соответственно. Если цепь, измеренное (тестируемое устройство, также известное как ИУ) имеет выходное сопротивление, скажем, 10 000 Ом (10 кОм), тогда показание эквивалентно тому, что было бы показано, если бы бесконечный измеритель импеданса используется для измерения напряжения, когда резистор 1 кОм или 100 кОм, соответственно, подключается параллельно 10 кОм тестируемого устройства. В первом случае измененное измеряемый выходной импеданс становится равным 10 кОм параллельно с 1 кОм (сокращенно как 10 кОм || 1 кОм), или 909 Ом (снижение на 90,9%). В более позднем случае измененный выходной импеданс, который измеряется, становится равным 10 кОм параллельно со 100 кОм (10 кОм || 100 кОм) или 9,09 кОм (снижение на 9,09%). JFET на 10 МОм метр (10 кОм || 10 МОм) дает снижение всего на 0,1%. Доказательство предыдущего остается в качестве упражнения для читателя.

См. часть 1 за прошлый месяц «JFETS: как они работают, как их использовать».

JFET — Часть 2

Соберите эти два полезных полевых транзистора. проекты — Часть 2

Рэя Клифтона

В прошлом месяце в первой из двух статей мы рассмотрели теорию и рабочие характеристики. из нескольких полевых транзисторов (JFET) стоимостью менее 2,50 долларов. Теперь вы должны будьте готовы экспериментировать и создавать некоторые практические устройства с использованием JFET.

Дизайн предусилителя Майка

Вам понадобится набор резисторов на 1/2 ватта, несколько электролитов на 25 вольт и немного разделительные конденсаторы. Выберите значения деталей, близкие к показанным на рис. 2 и 3. Для удобства Для экспериментов с макетной платой я рекомендую несколько перфорированных плат со вставными клеммами. Поле смещения необходимо, так как смещение определяется динамически. Простая аранжировка с использованием два 9-вольтовые транзисторно-радиобатареи через потенциометр с линейным конусом на 1 мГн, с выключателем для экономии батарей, показан на рис. 1.

Вам также понадобится блок питания, рассчитанный на 20 вольт и не более 5 мА-батарейки красиво получится. Чтобы протестировать и спроектировать схему, вам понадобится аудиогенератор. (А одна частота от 400 до 2500 Гц — это все, что вам нужно, а выходное напряжение может быть довольно низкое — 50 мВ среднеквадратичное значение.) Осциллограф необходим для наблюдения за формами сигналов, но не обязательно иметь высокочастотную характеристику, так как вы будете наблюдать только указанную частоту выше. Необходим высокоимпедансный вольтметр (ламповый или транзисторный), а миллиамперметр приятно, но не принципиально.

Простой монтаж на перфорированной плате двух 9-вольтовых батарей, переключателя и 1 МОм Pot обеспечивает переменный источник смещения. Схема для этой установки ниже.

Простой, но полезный проект — простой предусилитель для кварцевого или керамического микрофона. На рис. 2 показана схема, а вот как были выбраны значения компонентов и первое этап разработан.

Предположим, что выход микрофона составляет около 30 мВ среднеквадратичного значения; это требует довольно низкого уровня ввода JFET. Среди перечисленных в Таблице 1 (выпуск прошлого месяца) D1102 — неплохой выбор. Он имеет низкое напряжение отсечки затвор-исток (V _P ) с разумной пропускной способностью (y _fs) и ток сток-исток (I _DSS). E102 и 2N5033 будут также быть хорошим выбором. (Есть еще лучшие слабосигнальные полевые транзисторы JFET, но они стоят дороже. чем 2,50 доллара США.)

Как и электронные лампы, большинство полевых транзисторов JFET хорошо работают с резистором затвора 470 000 Ом или 1 мегаом. Помните, что цепь затвора имеет высокое сопротивление и обычно не потребляет ток. Таким образом, R1 во входном каскаде составляет 1 МОм.

Резистор сток-нагрузка также заимствован из ламповой конструкции. Чем больше резистор стока, тем выше коэффициент усиления по напряжению (_А ) каскада. Но искажение также увеличивается с увеличением сопротивления нагрузки, а после определенного момента увеличение А _V пренебрежимо мал. Для D1102 на Q1 100 000 Ом — разумный компромисс. для Р2.

Конденсаторы связи C1 и C3 определяют частотную характеристику и, для затвора 1 МОм резисторы 0,1 мкФ обеспечивают наилучшую низкочастотную характеристику. Вы можете использовать 0,05 или даже 0,01 с малозаметной потерей низких частот. Если вам нужен ответ только с качеством речи, используйте 0,005 мкФ.

Для истокового резистора R3 временно припаять около 4700 Ом и поставить смещение коробка последовательно (положительный провод к источнику, отрицательный провод к земле). Это позволяет вам меняйте смещение, пока не найдете оптимальное значение. Конденсатор шунтирования истока С2 может быть любого номинала. примерно от 10 до 50 мкФ, на 25 или 50 вольт. Это просто обход аудио грубой силы вокруг резистора смещения истока.

Динамическая настройка смещения

Подайте среднеквадратичное значение аудиосигнала 30 мВ на C1 и цепь затвора. Установите блок смещения на 5 вольт. или больше, и подключите источник питания к резистору R2, как показано на рис. 2. Напряжение питания должно быть 20 В, ±2 вольт. Повесьте прицел на выход. (Вам пока не нужен нагрузочный резистор, для выхода имеет высокое сопротивление, и прицел нагружает цепь.

Примечание. Будьте очень осторожны с JFET. Используйте плоскогубцы для теплоотвода на выводах при пайке, и остерегайтесь переходных процессов, которые могут вывести из строя полевой транзистор за миллисекунду. Обычно JFET показывает сопротивление между стоком и истоком и наоборот. Между воротами и сливом или источник, он показывает действие диода (высокое сопротивление в одном направлении, низкое в другом). Когда отключен, полевой транзистор JFET теряет действие диода от затвора к каналу и показывает аналогичное сопротивление в обоих направлениях.

Когда все системы работают, уменьшите смещение между источником и землей ниже 4 вольт и наблюдайте за синусоидой волна, выходящая из водостока. (Используйте достаточно приличный усилитель и динамик, чтобы контролировать синусоидальная волна.) Жонглируйте смещением и наблюдайте за прицелом.

Задние компоненты для микрофонного предусилителя.

Эта перфорированная плата позволяет измерять напряжения и формы сигналов без труда. Поскольку номиналы компонентов различаются, такие детали, как истоковый резистор R3, можно припаивать прихваточным швом. пока не будет определено правильное значение R4.

Рис. 2 – Схема микрофонного (микрофонного) предусилителя на полевых транзисторах, работающая с входом 30 мВ от кварцевых или керамических микрофонов. Общий коэффициент усиления по напряжению цепи около 97.

JFET, перечисленные в Таблице I за прошлый месяц, недороги, потому что их параметры строго не указаны. Таким образом, D1102, который вы используете, может иметь I _DSS где угодно. от 0,2 до 1,0 мА; уклон, который вы в конечном итоге используете, может отличаться от моего. Я нашел 0,5 вольта безопасный компромисс, и при этом значении смещения мой D1102 потреблял около 100 мкА сток-исток Текущий. По закону Ома требуется 5000 Ом, чтобы вызвать падение напряжения на 0,5 В при токе 100 мкА. течет. Я выбрал 4700 Ом в качестве ближайшего значения 10% (R3). Ток стока тогда стал 115 мкА, что никак не сказалось на работе сцены.

Вторая ступень — тоже с общим истоком — может быть выполнена аналогично первой, но вы должны вставить регулятор громкости в цепь затвора, иначе вы перегрузите Q2. Больше, чем около 70 мВ среднеквадратичного значения в цепи затвора вызывает клиппинг на выходе. Горшок также позволяет вам увеличить или уменьшить усиление, чтобы компенсировать разные микрофоны и расстояние между говорящим и микрофоном. На рис. 2 показаны значения, полученные мной для каскада Q2 с MPF105. что делает довольно хороший усилитель среднего уровня. Другими подходящими устройствами являются 2N3819., 2Н5163, МПФ153 и ТИС34.

Выходной каскад 03 представляет собой простой истоковый повторитель, обеспечивающий выходной сигнал с довольно низким импедансом. что делает соединение с последующими усилителями менее критичным, чем высокоимпедансный сливной повторитель. Я использовал 2N4304, но подойдет и D1201. Оба имеют достаточно высокий V _P 10 вольт, который вы хотите в выходном каскаде истокового повторителя, чтобы обрабатывать широкие входы.

Истоковый повторитель устроен почти так же, как предыдущие ступени с общим истоком. Основное отличие в том, что нагрузочный резистор R9находится в цепи источника, а не в осушать. В этом случае, и поскольку желательно иметь выход с более низким импедансом, R9 сделан 47000 Ом вместо 100000. Это обеспечивает меньший коэффициент усиления по напряжению, но здесь вы работаете с несколькими вольтами, поэтому усиление менее важно. При определении смещения в В этой схеме вставьте коробку смещения последовательно с R8 и R9, начиная примерно с 4700 Ом для истокового резистора R8. Помните, что выгода исходного последователя никогда не бывает больше чем один.

Кстати, используйте развязывающий конденсатор С8, даже если вы используете питание от батареи. Это предотвращает нежелательная межступенчатая связь.

Простой аудиогенератор

Если вы будете экспериментировать со звуковыми схемами, удобно иметь небольшой генератор. около. Схема на рис. 3 представляет собой базовую схему генератора с фазовым сдвигом, использующего JFET. Дизайн довольно прост и построен вокруг первого этапа. если ты готовы потратить больше денег, вы можете купить JFET с низким V _P и высокий y _fs (например, 2N4338, который стоит 4,95 доллара США) и построить генератор всего с двумя этапы. (В этом случае опустите Q2 и Q3 и привяжите C1 непосредственно к стоку Q1.) К сожалению, ни одно из устройств, перечисленных в Таблице I, не имеет одновременно низкого V _P и высокого y _fs и ни один из них не будет поддерживать колебания от стока до ворот. Поэтому необходимы еще два этапа обеспечить достаточную обратную связь.

Вот как спроектировать схему. Сначала создайте этап Q1, временно используя значения показано на рис. 3 для компонентов обратной связи/фазового сдвига C1, C2, C3 и R1, R2 и R3. (Делать R15 пока не подключайте.) Вы можете использовать 100 000 Ом для стоковой нагрузки R4 (я использовал 82 000 просто потому что у меня закончились 100 тысяч).

Используйте описанный выше метод для определения систематической ошибки. От аудиогенератора подайте информацию о 1 вольт среднеквадратичное значение на C1. Затем подайте напряжение питания стока и подключите коробку смещения к истоку. через любое значение от 1000 до 4700 Ом. Повесить прицел и усилитель на сток-выход схему и изменяйте смещение, пока не получите максимальное усиление с наименьшими искажениями. С использованием По закону Ома определите номинал истокового резистора R5. Я использовал 41000 Ом с 2N4302. Другими вариантами для этого этапа являются D1420 и E102.

Коэффициент усиления каскада Q1 будет около 30 (слишком большой выход), поэтому необходим потенциометр между Q1 и Q2. Используйте потенциометр на 1 МОм, чтобы соответствовать входу Q2. Для Q2 я использовал MPF106, и методом проб и ошибок определил, что 18000 Ом — это работоспособное значение для стока нагрузка. Установите смещение здесь, как и раньше, но не перегружайте сцену. я нашел о Среднеквадратичное значение 35 мВ от плеча резистора R6 было почти всем, что выдержала сцена. Позднее этот контроль используется для определения чистоты формы волны генератора.

Ступень Q3 работает как раздельная нагрузка, предоставляя один выход (от стока) для обратной связи и еще один выход (из источника) для выходной связи. Я использовал D1422, но 2N4304 и Е100 тоже подойдет. Для начала попробуйте нагрузочный резистор около 47 000 Ом или меньше. Затем подключите коробку смещения и определите резистор истока. Если меньше 47000 Ом, замените R10 на R11. В итоге я получил 39 000 Ом в цепях стока и истока. Между прочим, вы все еще должны использовать сигнал внешнего генератора для настройки этих этапы.

Задние компоненты для аудио генератора.

Для создания звукового генератора JFET монтируется транзистор Q1 и связанный с ним компоненты, временно припаянные к вставным клеммам. Наилучшее смещение для Q1 и оставшихся этапы определяются с помощью коробки смещения.

Рис. 3. Этот звуковой генератор на JFET производит чистые одночастотные синусоидальная волна. Схему можно сделать настраиваемой, изменив значения C1-C2-C3 и R1-R2-R3.

Теперь привяжите выход Q3 к RI2 — еще одному потенциометру с сопротивлением 1 МОм. Удалить внешний звуковой генератор от Q1 и перемычка в резисторе обратной связи R15. Попробуйте для начала 47000 Ом. Вы уже должны были установить R6, чтобы он не перегружал Q2. Повесьте прицел на R12 и зажечь цепь. Если выходной сигнал нечеткий, измените R15. (Но всегда выключите питание, прежде чем вы это сделаете!) Попробуйте уменьшить сопротивление, и если форма волны станет более искажено, вы идете неверным путем. Вырежьте и попробуйте, пока не найдете оптимальное значение. Не используйте клипсы, чтобы попробовать R15; блуждающая связь даст вам ложную индикацию. Прикрепите прихватками каждое значение R15 на место, одно за другим.

Как только вы заставите сам осциллятор работать с довольно чистой волновой формой, постройте Q4. Я использовал 2N3819, потому что он имеет высокий V _P и, следовательно, может принять довольно высокий входной сигнал затвора. MPF150 и 2N5163 также будут хорошим выбором. Транзистор Q4 просто ступень изоляции, и вы можете предположить 100 000 Ом для стоковой нагрузки. Установить смещение как и раньше, стараясь не перегрузить ступень с настройкой R12. я получил о Среднеквадратичное значение 4,5 В на выходе Q4 с чистой формой сигнала генератора.

Установите R6 для самой чистой формы волны, и после того, как вы построите Q4, если вы сомневаетесь в осцилляторе, попробуй еще R15. Вы можете варьировать R12 от нулевого выхода до ограничения, и вы должны найти несколько вольт на выходе. Этот выход имеет довольно высокий импеданс, но если вы предпочитаете низкий импеданса, вы можете сделать Q4 каскадом истокового повторителя. Вы не получите столько результатов, но вы сможете использовать более длинную выходную линию и согласовать входы с низким импедансом.

Частота генератора определяется резисторами R1, R2, R3, C1, C2 и C3 и составляет около 600 Гц для значений, которые я использовал. Точная частота определяется по формуле f = 1/10,88 RC, где f — частота в герцах, R — сопротивление R1, R2 или R3 (все равные значения) в омах, а C — емкость C1, C2 или C3 (все равные значения) в фарадах. Обратите внимание, что эта формула верна, только если резисторы и конденсаторы относятся к типу 1%. Я использовал типы 10% и придумали 600 Гц, а не ту частоту, которая была рассчитана изначально: 920 Гц.

Если вы строите эту цепь на металлическом шасси, используйте одиночную изолированную шину заземления. от шасси. Привяжите шину к шасси только в одной точке — на стыке R1, R2 и Р3.

Если вы хотите сделать осциллятор переменной частоты, наточите карандаш и вычислите значения R1-R3 и C1-C3 для нужных вам частот. Я предлагаю использовать трехсекционный конденсатор и коммутация различных резисторов. Использовать прямолинейное расположение деталей и короткие провода, и поместите цепь в металлический ящик, где на нее не повлияют паразитные емкость, которая может изменить частоту.

Общие указания по проектированию

Описанные выше методы, конечно, очень просты. Они предназначены для того, чтобы показать вам как использовать JFET в строительных проектах. Экспериментируя с этими устройствами, вы познакомится с ними. Затем можно переходить к более сложному оформлению.

Из-за разброса параметров JFET те, кто проектирует схемы для производства использование линии должно защищать от различий между устройствами в y _фс, я _ДСС и V _P. Они делают это, используя множество отзывов и сложные сети смещения.