Цветовая маркировка биполярных транзисторов Справочник по биполярным транзисторам

МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРОВ.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор
— электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике. Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких. Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала. В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и

электроны,
и
дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) —
или
электроны,
или
дырки. Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой. И, напоследок:
основная область применения любых транзисторов
— усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Принцип действия

Полупроводники занимают промежуточное состояние между проводниками и диэлектриками. В обычном состоянии они не проводят электрический ток, но их сопротивление падает с ростом температуры. Чем она выше, тем больше энергии, которую получает вещество.

В атомах полупроводника электроны отрываются от «родительского» атома и улетают к другому, чтобы заполнить там «дырку», которую оставил такой же электрон. Получается, что внутри такого материала одновременно происходят два процесса: полет электронов (n-проводимость, от слова negative – отрицательный), и образование «дырок» (p-проводимость от слова positive – положительный). В обычном куске кремния эти процессы уравновешены: количество дырок равно количеству свободных электронов.

Однако с помощью специальных веществ можно нарушить это равновесие, добавив «лишние» электроны (вещества – доноры) или «лишние» «дырки» (вещества акцепторы). Таким образом можно получить кристалл полупроводника с преобладающей n-проводимостью, либо p-проводимостью.

Если два таких материала приложить друг к другу, то в месте их соприкосновения образуется так называемый p-n переход. Дырки и электроны проходят через него, насыщая соседа. То есть там, где был избыток дырок, идет их заполнение электронами и наоборот.

В какой-то момент в месте соприкосновения не останется свободных носителей заряда и наступит равновесие. Это своего рода барьер, который невозможно преодолеть, этакая пустыня. Этот слой принято называть обедненным слоем.

Теперь, если приложить к такому материалу напряжение, то оно поведет себя интересным образом: при прямой его направленности обедненный слой истончится и через него пойдет электроток, а при обратном – наоборот, расширится.

Как говорится, если для чайников, то p-n переход обладает способностью пропускать ток только в одном направлении. Это своего рода «обратный клапан» для электрической сети. На этом их свойстве основана работа всех полупроводниковых приборов.

Существует две основные разновидности транзисторов: полевые (иногда их называют униполярными) и биполярными. Различаются они по устройству и принципу действия.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам. Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу. Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора

), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (
ток базы
). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему? Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки». Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но б
о
льшая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом,
произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу
. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы. Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился. Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор. Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать. Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется
коэффициентом усиления по току
и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно
h31
. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст
статический коэффициент усиления по току
. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается. Вторым немаловажным параметром является
входное сопротивление транзистора
. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления. Третий параметр биполярного транзистора —
коэффициент усиления по напряжению
. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению. Также транзисторы имеют
частотную характеристику
, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется
граничной
. Также параметрами биполярного транзистора являются:

• обратный ток коллектор-эмиттер
• время включения
• обратный ток колектора
• максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Полевой транзистор

Если в биполярном транзисторе управление происходило с помощью тока, то в полевом – с помощью напряжения. Состоит он из пластинки полупроводника, которую называют каналом. С одной стороны к ней подключен исток – через него в канал входят носители электрического тока, а с другой сток – через него они покидают канал.

Сам канал как бы «зажат» между затвором, который обладает обратной проводимостью, то есть если канал имеет n-проводимость, то затвор – p-проводимость. Затвор электрически отделен от канала. Изменяя напряжение на затворе, можно регулировать зону p-n перехода. Чем она больше, тем меньше электрической энергии проходит через канал. Существует значение напряжения, при котором затвор полностью перекроет канал и ток между истоком и стоком прекратится.

Наиболее наглядная иллюстрация в этом случае – садовый шланг, который проходит через камеру небольшого колеса. В таком случае, даже когда в него подается небольшое давление воздуха (напряжение затвор-исток), оно значительно увеличивается в размерах и начинает пережимать шланг, перекрывается просвет шланга и прекращается подача воды (увеличивается зона p-n перехода и через канал перестает идти электроток).

Описанный выше тип полупроводникового прибора является классическим и называется транзистором с управляющим p-n переходом. Часто можно встретить аббревиатуру JFET – Junction FET, что просто перевод русского названия на английский.

Другой тип полевого триода имеет небольшое различие в конструкции затвора. На слое кремния с помощью окисления образуется слой диэлектрика оксида кремния. Уже на него методом напыления металла наносят затвор. Получаются чередующиеся слои Металл -Диэлектрик – Полупроводник или МДП-затвор.

Такой полевой транзистор с изолированным затвором обозначается латинскими буквами MOSFET.

Существует два вида МДП-затвора:

1. МДП-затвор с индуцированным (или инверсным) каналом в обычном состоянии закрыт, то есть при отсутствии напряжения на затворе электроток через канал не проходит. Для того, чтобы открыть его, к затвору необходимо приложить напряжение.
2. МДП-затвор со встроенным (или собственным) каналом в обычном состоянии открыт, то есть при отсутствии напряжения на затворе электроток через канал проходит. Для того, чтобы закрыть его, к затвору необходимо приложить напряжение.

Принцип работы прибора

Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала. Благодаря особому строению кристаллических решёток и полупроводниковым свойствам, этот прибор способен увеличивать амплитуду протекающего тока.

Полупроводники — вещества, которые способны проводить ток, а также препятствовать его прохождению. Самыми яркими их представителями являются кремний и германий. Существует два вида полупроводников:

1. Электронные.
2. Дырочные.

В полупроводниках электрический ток возникает из-за недостатка или переизбытка свободных электронов. Например, кристаллическая решётка атома состоит из трёх электронов. Однако если ввести в это вещество атом, состоящий из четырёх электронов, один будет лишним. Он является свободным электроном. Соответственно, чем больше таких электронов, тем ближе это вещество по своим свойствам к металлу. А значит, и проводимость тока больше. Такие полупроводники называются электронными.

Теперь поговорим о дырочных. Для их создания в вещество вводятся атомы другого вещества, кристаллическая решётка которого содержит больше атомов. Соответственно, в нашем полупроводнике становится меньше электронов. Образуются вакантные места для электронов. Валентные связи будут разрушаться, так как электроны будут стремиться занять эти вакантные места. Далее, мы будем называть их дырками.

Электроны постоянно стремятся занять дырку и, начиная движение, образуют новую дырку. Таким поведением обладают абсолютно все электроны. В полупроводнике происходит их движение, а значит, начинает проводиться ток. Такие полупроводники называются дырочными.

Таким образом, вводя недостаток или избыток электронов в кремний или германий, мы способствуем их движению. Получается ток. Транзисторы состоят из соединений этих полупроводников по определённому принципу. С их помощью можно управлять протекающими токами и другими параметрами электрических сигналов.

Схема включения полевых транзисторов

Распространены три схемы включения полевых транзисторов. Первая схема – с общим истоком. Вторая – с общим стоком. Третья – с общим затвором. Самой распространенной является схема с общим истоком. Она очень похожа на схему биполярного транзистора с общим эмиттером. Очень большое усиление мощности и тока достигается каскадом с общим истоком.

Схема с общим затвором также сравнима с одной из схем биполярных транзисторов, а именно – с общей базой. Усиления тока она не дает, а потому не трудно предположить, что в ней и усиление мощности намного меньше, чем в схеме с общим истоком.

Последняя схема – с общим затвором – имеет достаточно ограниченное применение на практике. Связано это в первую очередь с тем, что каскад общего затвора имеет крайне низкое сопротивление на входе.

Отличие биполярных транзисторов от полевых

Полевые транзисторы управляются при помощи электрического поля и благодаря этому они очень энергоэффективны. Именно по этой причине они используются при производстве процессоров.

С другой стороны, у полевых транзисторов есть слабое место. Это их тонкий p-n переход. Он очень чувствителен к статическому электричеству. Кстати, именно из-за статического электричества перестают работать флешки и карты памяти, если вы их вытащили из устройства во время работы.

Схемы защиты от статического электричества не успевают сработать, и статика разрушает полевые транзисторы.

А вот биполярные транзисторы наоборот, лучше переносят статику. Но в тоже время, они потребляют больше мощности, так как для их открытия нужен электрический ток.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Применение транзисторов в жизни

Транзисторы применяются в очень многих технических устройствах. Самые яркие примеры:

1. Усилительные схемы.
2. Генераторы сигналов.
3. Электронные ключи.

Во всех устройствах связи усиление сигнала необходимо. Во-первых, электрические сигналы имеют естественное затухание. Во-вторых, довольно часто бывает, что амплитуды одного из параметров сигнала недостаточно для корректной работы устройства. Информация передаётся с помощью электрических сигналов. Чтобы доставка была гарантированной и качество информации высоким, нам необходимо усиливать сигналы.
Транзисторы способны влиять не только на амплитуду, но и на форму электрического сигнала. В зависимости от требуемой формы генерируемого сигнала в генераторе будет установлен соответствующий тип полупроводникового прибора.

Электронные ключи нужны для управления силой тока в цепи. В состав этих ключей входит множество транзисторов. Электронные ключи являются одним из важнейших элементов схем. На их основе работают компьютеры, телевизоры и другие электрические приборы, без которых в современной жизни не обойтись.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!

Цветовая маркировка транзисторов

В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.

Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.

При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.

Производители

В настоящее время производство TIP35 налажено у следующих зарубежных компаний: Multicomp, KEC, STMicroelectronics, Power Innovations, Inchange Semiconductor, Unisonic Technologies. Многие радиолюбители до сих пор восхищаются качеством этих транзисторов от ] Motorola[/anchor] (правопреемник On Semiconductor). Именно их устанавливали в 90-х в выходных каскадах английского усилителя Creek Audio 5050 и 6060 (Великобритания), очень популярного в те времена у любителей музыки.

Скачать datasheet на TIP35C в формате pdf можно кликнув по ссылке с наименованием компании-изготовителя.

Символьно — цветовая маркировка транзисторов

Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).

Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.

Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Маркировка года и месяца изготовления электронных компонентов

Согласно ГОСТ 25486-82, для того, чтобы обозначить месяц и год изготовления транзистора и других электронных компонентов, используются буквы и цифры: первое значение – год, второе значение – месяц. Что касается приборов, изготовленных за рубежом, для обозначения даты выпуска применяется кодировка из четырех цифр, где первые две – это год, следующие – номер модели.

Каждому году соответствует своя буква:
ГодКод

Маркировка месяца
МесяцКод

Чтобы обозначить месяц выпуска, применяются не только цифры, но и некоторые буквы: месяцы с января по сентябрь полностью соответствуют цифрам, следующие – первым буквам названия месяца.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Зарубежное производство

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

PRO-ELECTRON (система, разработанная в Европе)

Маркировка приборов у европейских производителей несколько отличается. Код, которым промаркирован иностранный транзистор – это комбинация символом:

1. Символ под номер один указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А – из германия, В – из кремния, С – из арсенида галлия, R – из сульфида кадмия;
2. Второй символ сообщает о типе транзистора: С – маломощный прибор с низкой частотностью; D – мощный элемент с низкой частотностью; F – прибор маленькой мощность с высоким уровнем частотности; G – в одном корпусе присутствует одновременно два и более элемента; L – прибор с высокой мощностью и частотностью; S – маломощный прибор с функцией переключения; U – транзистор-переключатель высокой мощности;
3. Третий символ означает номер серии продукта: изделия общего пользования маркируются цифрами от 100 до 999; в том случае, когда перед цифровым значением прописана буква, это говорит о том, что данная деталь изготовлена для использования в промышленности или специализированного пользования.

Более того, общая кодировка иногда дополнятся символом модификации. Определить ее может только сам производитель.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Японская система JIS

Стандарты маркировки, выработанные в Японии представлены буквами и цифрами в количестве 5 штук:

1. Цифра под номером 1 – тип полупроводникового транзистора: 0 – обозначение фотодиода или фототранзистора; 1 – обозначение диода; 2 – обозначение транзистора;
2. Буквенный символ S проставляется на каждом выпущенном элементе;
3. Третий по счету маркировочный элемент говорит о разновидности детали: А – PNP с высокой частотностью; В – PNP с низкой частотностью; С — NPN с высоким уровнем частотности; D — NPN с низким уровнем частотности; Н – однопереходной; J — транзистор полевого типа с N-каналом; К — транзистор полевого типа с P-каналом;
4. Цифра под номер 4 – номер серии в диапазоне от 10 до 9999;
5. Пятый символ маркировки обозначает модификацию. Иногда данный символ отсутствует.

Бывают ситуации, когда в кодировке присутствует 6 символ – это дополнительная литера N, M или S, которая отвечает за соответствие прибора определенным стандартам. Маркировка, разработанная в Японии, не предусматривает использование обозначений цветом.

• https://habr.com/ru/post/133136/
• https://remont220.ru/osnovy-elektrotehniki/1098-tranzistor/
• https://remont220.ru/stati/595-shemy-vklyucheniya-tranzistorov/
• https://go-radio.ru/transistor.html
• https://tyt-sxemi.ru/tranzistor/
• https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
• https://raschet.info/cvetovaja-i-simvolno-cvetovaja-markirovka-tranzistorov/
• https://www.radiodetector.ru/markirovka-tranzistorov/

Маркировка электронных компонентов.

Маркировка электронных компонентов.

Перебаскин А.В.

Нет, не удалось нам догнать буржуев нигде, кроме как в области цветовой и кодовой маркировки радиокомпонентов. Здесь мы не только догнали загнивающий Запад, но и перегнали его, как говорится, «навсегда». Никакому иностранцу никогда не удастся расшифровать таинственные и постоянно меняющиеся комбинации странных значков и таинственных точечек, коими маркируются отечественные полупроводниковые приборы.  Что, в общем-то, хорошо: чего не понимают, того хотя бы опасаются, так что можно считать отечественную маркировку частью нашей оборонной инициативы, как говорится,  «наш ответ на ультиматум Kерзона». Но в своей страсти зашифровывать и засекречивать  все и вся мы зашли слишком далеко, так как и собственное население уже не может понять, что же за загадочные приборы впаяны в наши неказистые платы.  Невозможно объять необъятное, поэтому из всей массы приборов мы постарались  выбрать группу, которая наиболее часто маркируется всевозможными кодами.

ИСТОРИЯ 

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был KТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе KТ-13. На нем в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления (Рис. 1). Через несколько лет в корпусе KТ-13 стали выпускать транзистор прямой проводимости —  KТ361. Для отличия от KТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны (Рис. 2). 

В 1974 году появился транзистор KТ375 в корпусе KТ-26 (тогда еще с круглыми выводами), который маркировался цифрами 375 и буквой, указывающей группу транзистора. В 1976 году появляется целая группа транзисторов в корпусах KТП-4 и KТ-26, от маркированных цветовым четырех точечным кодом (Рис. 3), и транзистор KТ209 (корпус KТП-4), который маркировался буквой А в левом нижнем углу плоской стороны корпуса. В правом нижнем углу плоской стороны корпуса буквой указывалась группа прибора, выше — двумя цифрами год, а еще выше — двумя цифрами дата изготовления (Рис. 4). Понять, что это за приборы, без расшифровки кода было уже невозможно, поэтому 1976 год можно считать началом эры цветовой и кодовой маркировки корпуса KТ-26 в СССР.

В 1979 году появляются транзисторы в корпусе KТ-26, маркированные символами. Сначала символы ставятся где попало (Рис. 13), но к 1985 году они обретают постоянное место в левом верхнем углу плоской стороны корпуса. Примерно в это же время появляются транзисторы, маркируемые двумя цветовыми метками (Рис. 8). С 1988 года набирает обороты сокращенная символьная маркировка (Рис. 5).

ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ МАРКИРОВКИ
Kорпус KТ-26 (ТО-92) изготавливается из пластмассы темного, чаще черного, цвета, поэтому все надписи наносятся белой или серебристой краской. Маркировка обычно наносится на срезе боковой поверхности корпуса, реже — на цилиндрической части боковой поверхности корпуса, на торце корпуса цветовым кодом указывают группу прибора.
Встречаются приборы, торец корпуса которых целиком закрашен каким-либо цветом. Это, за немногими исключениями, внутризаводская маркировка, которая, как правило, не стандартизируется и не расшифровывается (обозначает иногда разбраковку по одному или нескольким параметрам: номер смены и т.п.). Уловить какие-нибудь закономерности здесь не удалось, да и не очень надо, так как для массового потребителя данный тип маркировки несет немного полезной информации. На корпусе стараются указать тип прибора, группу, дату выпуска (год, месяц или номер смены). Наиболее важными представляются тип и группа прибора — на них мы и сосредоточим свое внимание; что касается даты изготовления, то часто она вообще не указывается. Когда же дата указывается, чаще всего это делается согласно ГОСТ 25486-82 (Табл. 1), или просто: двумя цифрами год, двумя (одной) месяц (например, 95 09 означает 1995 год, сентябрь-месяц). Встречается обратный порядок указания года и месяца (например, 3-74 означает март 1974 года) или обозначение только года изготовления двумя цифрами (например, 85 — 1985 год).

Таблица 1

ТИПЫ МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Для удобства все рассмотренные варианты маркировки полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе КТ-26, были разбиты на шесть классов, которым были присвоены условные названия:

1. Цифро-буквенная маркировка (Рис. 5).

2. Символьно-буквенная маркировка (Рис. 6).

3. Символьно-цветовая маркировка (Рис. 7).

4. Цветовая двухточечная маркировка (Рис. 8).

5. Цветовая четырехточечная маркировка (Рис. 9).

6. Нестандартизируемая маркировка (Рис. 10).

КТ326БМ КТ351Б КТ3102БМ КТ645А КТ219А

Рис. 5

КП364И КТ698К КТ6127Ж КТ502А КТ3107Е

Рис. 6

      КП501А  КТ3117А1   КТ3107А    КТ645Д    КТ3126Б

                                  РИС 7.

продолжение следует…

 А сама книжка — в нашем магазине.

Как читать транзисторы на печатной плате — Технические технические

1. Блог>
2. Как читать транзисторы на печатной плате

по: Карен Лин 17 марта 2014 г. 2951 просмотров 0 Комментарии Опубликовано в Инженерно-технический

печатная плата Печатная плата

Транзисторы бывают разных типов, и все они разные; наиболее распространены два типа — PNP и NPN. На печатной плате отмечены эмиттер, коллектор и база; также известный как ЕЦБ. После того, как вы научитесь читать транзисторы на печатной плате, вы сможете проверить их, используя свое электронное испытательное оборудование.

Инструкции

1 Найдите на печатной плате маркировку рядом с транзистором. Маркировка также может быть под транзистором.

2 Обратите внимание на стрелки с линией в точке треугольника и линию, соединяющую их. Вы также увидите линию, выходящую сбоку от соединительной линии.

3 Расположите печатную плату так, чтобы выходящая линия была обращена влево.

4 Посмотрите на верхний треугольник. Если этот треугольник направлен вверх, то это коллектор NPN-транзистора. Если треугольник направлен вниз, то это коллектор для PNP.

5 Обратите внимание на нижний треугольник. Если треугольник направлен вниз, то это эмиттер NPN-транзистора. Если треугольник направлен вверх, то это эмиттер PNP-транзистора.

Линия, выходящая слева, всегда является базовой. Если у вас нет этой линии и у вас транзистор с металлическим корпусом, то металлический корпус выступает в роли базы.

Присоединяйтесь к нам

Хотите быть преданным писателем PCBWay? Мы определенно надеемся, что вы с нами.

Отправить для публикации Станьте нашим писателем

Оставить комментарий ( 0 )

Поделиться с:

• Предыдущий：Как собрать Gore Mesh на печатной плате
• Next：Как использовать силиконовый герметик для монтажа печатной платы

Похожие статьи

• Автомат для игры в пинбол, который играет сам.
• Встречайте PCBWay на выставке Electronica 2018 (Messe München)
• Пассивные компоненты не такие уж и пассивные (часть 3): печатные платы
• Пассивные компоненты не такие уж и пассивные (часть 2): резисторы

Пишите для PCBWay

• ГОРЯЧАЯ БИРКА

печатная плата Печатная плата Печатная плата дизайн печатной платы Разводка печатной платы Печатная плата Печатные платы Учебник по проектированию печатных плат индустрия печатных плат производство печатных плат Кикад печатная плата

• Категории

Выберите категорию3D-печатьДеятельностьОбработка с ЧПУИнженерная техникаГибкая печатная платаСправочный центрЛитье под давлениемНовостиСборка печатных платОсновная информацияДизайн и компоновка печатных платУчебное пособие по проектированию печатных платПрограммное обеспечение для компоновки печатных платИнформация о производстве печатных платЛистовой металлТехнология

• ЕСЛИ ВЫ ПРОПУСТИЛИ

1

Как сгенерировать файлы Gerber из Eagle

2

Многопротокольный шлюз GoWired

3

PlainDAQ

4

Фарпатч

5

ANAVI Macro Pad 10 и регуляторы

6

ЭджПро1

7

DeepDeck

8

Апер-Окулус

9

Локо

Коды маркировки транзисторов

 Нам повезло с транзисторами, которые, кроме нескольких странностей, о которых я расскажу
чуть позже большинство маркировок соответствуют одному из этих кодов. 
ИС более сложны, так как вы часто имеете дело с нестандартными чипами или маской.
запрограммированные устройства с индивидуальными кодами производителей.
Небольшой совет: всегда ищите известные номера (например, 723, 6502, 2764) и т. д.
между суффиксом и префиксом и остерегайтесь кода даты.

Итак, вернемся к транзисторам. Три стандартные схемы маркировки транзисторов:

  1. Объединенный технический совет по электронным устройствам (JEDEC). 

Они принимают форму:

цифра, буква, серийный номер, [суффикс]

где буква всегда "Н"

первая цифра на единицу меньше количества ножек (2 для транзисторов, если только
они покалечены, хотя я не уверен насчет 4-ногих транзисторов, может быть, они
получить 3), за исключением 4N и 5N, которые зарезервированы для оптронов.

Серийный номер варьируется от 100 до 9999 и ничего не говорит о транзисторе.
за исключением примерного времени его введения.

Суффикс (необязательный) указывает группу усиления (hfe) устройства:
А = низкое усиление
B = средний коэффициент усиления
C = высокий коэффициент усиления
Без суффикса = разгруппировано (любое усиление). 
См. лист данных для фактического распределения усиления и группировок.
Причина группировки усиления заключается в том, что устройства с низким усилением частично
дешевле, чем устройства с высоким коэффициентом усиления, что приводит к экономии для пользователей с большим объемом.

Примеры- 2N3819, 2Н2221А, 2Н904.

  2. Японский промышленный стандарт (JIS). 

Они принимают форму:

цифра, две буквы, серийный номер, [суффикс]

Опять же, цифра на единицу меньше, чем количество ножек.

Буквы обозначают область применения и вкус устройства в соответствии с
к следующему коду:

SA: Транзистор PNP HF SB: Транзистор PNP AF
SC: Транзистор NPN HF SD: Транзистор NPN AF
SE: Диоды SF: Тиристоры
SG: устройства Gunn SH: UJT
SJ: P-канальный FET/MOSFET SK: N-канальный FET/MOSFET
SM: симистор SQ: светодиод
SR: Выпрямитель SS: Сигнальные диоды
ST: лавинные диоды SV: варикапы
СЗ: стабилитроны

Серийный номер от 10 до 9.999.

Суффикс (необязательный) указывает, что тип одобрен для использования различными
японские организации. 

ПРИМЕЧАНИЕ. так как код транзисторов всегда начинается с 2S, иногда
(чаще всего кажется) опущен, поэтому, например, 2SC733 будет
с пометкой С 733.

Примеры- 2SA1187, 2SB646, 2SC733.
  3. Про-электрон. 

Они принимают форму:

две буквы, [буква], порядковый номер, [суффикс]

Первая буква указывает на материал:
А = Ge
В = Si
С = GaAs
R = составные материалы.
Излишне говорить, что большинство транзисторов начинаются с буквы B.

Вторая буква указывает на приложение устройства:

A: ВЧ-диод B: Вариак
C: транзистор, ЗЧ, слабый сигнал
D: транзистор, ЗЧ, питание
E: Туннельный диод
F: транзистор, ВЧ, слабый сигнал
K: устройство на эффекте Холла
L: Транзистор, ВЧ, мощность
N: Оптопара
P: Радиационно-чувствительное устройство
Q: Излучающее устройство
R: тиристор, маломощный
T: тиристор, мощность
U: Транзистор, питание, переключение
Y: выпрямитель
Z: стабилитрон или диод регулятора напряжения

Третья буква указывает на то, что устройство предназначено для промышленного или
профессиональные, а не коммерческие приложения.  Обычно это W, X, Y или Z.

Серийный номер работает от 100-9999.

Суффикс указывает на группировку усиления, как для JEDEC.

Примеры- BC108A, BAW68, BF239, BFY51.

Помимо JEDEC, JIS и Pro-electron, производители часто представляют свои
собственные типы по коммерческим причинам (т. е. для включения их имени в код) или для
подчеркните, что диапазон относится к специализированному приложению.
Общие префиксы для конкретных брендов:

MJ: Мощность Motorolla, металлический корпус
MJE: мощность Motorolla, пластиковый корпус
MPS: Motorolla малой мощности, пластиковый корпус
MRF: Motorolla HF, VHF и микроволновый транзистор
РКА: РКА
РКС: РКС
СОВЕТ: Мощный транзистор Texas Instruments (в пластиковом корпусе)
TIPL: планарный силовой транзистор TI
TIS: маломощный сигнальный транзистор TI (пластиковый корпус)
ЗТ: Ферранти
ZTX: Ферранти

Примеры- ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Многие производители также изготавливают нестандартные детали для крупносерийного использования OEM. 
Эти части оптимизированы для использования в данной части данной схемы.
Обычно у них просто есть штамп производителя и неотслеживаемый номер.
Часто, когда компания становится банкротом или имеет профицит в конце
серийного производства, эти транзисторы находят свое место в упаковках для любителей.
Вы не можете отследить данные на этих устройствах, поэтому они только
подходит в качестве светодиодных драйверов, буферов и т. д., где фактические параметры не
важный. Внимательно проверьте перед покупкой.

После того, как вы идентифицировали свою часть, поездка к листу данных или эквивалентам
требуется книга (кто-нибудь знает о онлайн-списке эквивалентов?).

         

транзистор%20smd%20маркировка%20код%20qa спецификация и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

транзистор%20smd%20маркировка%20code%20qa Листы данных Context Search

alexxlab

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Ярлыки для документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ктд998 транзистор
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
КХ520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
МОП-транзистор FTR 03-E Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 TRANSISTOR GUIDE Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 — SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Транзистор мощности телевизора , техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора