Измерители параметров ПП

Прибор для измерения низкочастотных параметров транзисторов	Измеряет коэффициентусиления по току, начальный и сквозной токи коллектора, входное сопротивление переменному току. На 4 транзисторах и 2 микроамперметрах.	«В помощь радиолюбителю»	1963	15	Морозов В.
Испытатель маломощных транзисторов		«Радио»	1964	10	Окунцов И.
Измеритель частотных характеристик транзисторов	Позволяет измерить коэффициент усиления p-n-p транзисторов и снять частотную характеристику	«Радио»	1965	9	Головин О.
Испытатель мощных транзисторов	Определяет коэффициент усиления В мощных транзисторов	«Радио»	1965	3	Городецкий В.
Характериограф на транзисторах	(Дополнение №6 1967г. стр.56). Приставка к осциллографу. Описываемый прибор позволяет снимать характеристики маломощных транзисторов p-n-p	«Радио»	1965	7	Могилевский Л.
Испытатель полупроводниковых приборов		«Радио»	1966	2	Ломанович В. (UA3DH)
Прибор для проверки мощных транзисторов	Описан универсальный прибор на микроамперметре М94	«Радио»	1968	11	Ломанович В. (UA3DH)
Испытатель тиристоров	На четырех стрелочных приборах	«Радио»	1969	1	Курченко А.
Прибор для подбора транзисторов	(Дополнения в №12 1970г стр.55, №9 1973г стр. 62). Приставка к осциллографу на 4-х транзисторах	«Радио»	1969	5	Резниченко Г.
Универсальный измеритель параметров полевых транзисторов	На 7-ми транзисторах	«Радио»	1972	5	Бутенко В.
Испытатель полупроводниковых приборов	Позволяет измерять статические параметры различных п/п приборов — диодов, транзисторов, тиристоров и т.д. Состоит из микроамперметра и набора шунтов.	«Радио»	1975	6	Бирюков С.
Испытатель транзисторов	На 6 транзисторах	«Радио»	1975	3	Ковальков В.
Приставка-характериограф	Приставка к осциллографу для наблюдения семейства входных и выходных характеристик маломощных p-n-p транзисторов. На 5 транзисторах	«Радио»	1975	4	Никитенко В.
Прибор для испытания транзисторов		«В помощь радиолюбителю»	1982	78	Матлин С.
Полуавтоматический пробник-испытатель	Определяет структуру и В транзисторов. Выполнен на МС серии К155.	«Радио»	1984	6	Смирнов А.
Прибор для проверки транзисторов	(Дополнение в №5 1987г стр.39). Проверяет работоспособность транхисторов малой мощности, оценивает их усилительные качества, шумы. Используется согласующий трансформатор и МП39Б	«Радио»	1984	7	Карпачев А.
Испытатель мощных транзисторов		«Радио»	1985	6	Белоусов А.
Прибор для проверки транзисторов средней и большой мощности		«Радио»	1985	11	Иванов В.
Простой испытатель мощных транзисторов		«В помощь радиолюбителю»	1985	91	Путятин Н.
Два испытателя транзисторов	Описаны испытатели маломощных и мощных транзисторов.	«В помощь радиолюбителю»	1988	100	Аристов А.
Приставка к авометру Ц20	Для проверки транзисторов.	«Радио»	1988	2	Корюков С.
Испытатель маломощных транзисторов	КТ315Бх4, К140УД12	«Радио»	1989	1	Сеталов В.
Характериограф для транзисторов	(Дополнения в №9 1992г стр. 53, №5,6 1994г стр.43). Приставка к осциллографу	«Радио»	1990	12	Иноземцев В.
Испытатель транзисторов	(Дополнения в №2-3,5 1992г стр.72).	«Радио»	1991	5	Сазонов П.
Универсальный пробник для провенки годности транзисторов	Для биполярных и полевых, генератор.	«Радиолюбитель»	1992	9	Коноплянко Н.
Вольт-фарадные характеристики приборов на экране осциллографа	Позволяет наблюдать и измерять зависимости емкости p-n переходов от напряжения. На транзисторах и МС серии К561	«Радио»	1995	5	Нечаев И. (UA3WIA)
Измеритель параметров полупроводниковых приборов	Предназначен для измерения параметров биполярныхи полевых транзисторов, тиристоров, диодов, стабилитронов, подбор пар транзисторов, два независимых вольтметра или амперметра. Используется два микроамперметра.	«Радио»	1995	4	Власов Ю.
Автоматический тестер для проверки транзисторов	Определение выводов, коэффициента усиления, типа проводимости. На КМОП микросхемах, КР573РФ5	«Радиолюбитель»	1996	6	Стюфляев В.
Измеритель коэффициента передачи тока базы транзисторов	Приставка к авометру	«Радио»	1997	1	Долгов О.
Цифровой измеритель параметров транзисторов	На КР572ПВ5. Приведена схема коммутации. Измерительная часть в №8 1998г. стр.62.	«Радио»	1998	12	Бирюков С.
Прибор для определения цоколевки транзисторов		«Радио»	2001	8	Ерофеев М.
Прибор для проверки транзисторов	Мультивибратор на 4 транзисторах	«Радиолюбитель»	2001	4	Белоусов О.
Светодиодный испытатель транзисторов и диодов		«Радио»	2001	7	Ерофеев М.
Приставка к частотомеру для проверки транзисторов	К140УД6, К140УД1А, К561ЛА7.	«Радио»	2002	3	Пермяков С.
Пробник для транзисторов	Генератор	«Радиомир»	2003	5	Вилков В.
Прибор для проверки транзисторов	Мультивибратор на КТ315Бх2	«Радио»	2004	7	Слинченков А.
Приставка для проверки транзисторов	Описание приставки к миллиамперметру. На КП302БМ	«Радио»	2004	1	Календо В.
Микроконтроллерный определитель выводов транзисторов	(Дополнения в №12 2005г. стр.47). На PIC16F84F	«Радио»	2005	8	Краснов В.
Прибор для проверки мощных полевых транзисторов		«Радио»	2005	12	Васильев В. (UA4HAN)
Прибор для проверки полевых транзисторов «ПППТ-01»		«Радио»	2005	1	Косенко С.

Методика измерения параметров транзисторов

Измерение обратного тока коллектор — эмиттер

Размер напряжения U_к, подаваемого от источника постоянного тока на коллектор транзистора, устанавливают равным значению, указанному в стандарте или технических условиях на транзистор испытуемого типа. После этого фиксируют показание микроамперметра (миллиамперметра). Результат измерения — обратный ток коллектор — эмиттер.

Возможны три режима измерения:

1. при коротком замыкании между базой и эмиттером;

2. при включении между базой и эмиттером резистора R_б;

3. при включении источника постоянного тока U

   бэ.

Измерение h-параметров

Эти параметры измеряют на низких частотах, в связи с чем можно пренебречь действием емкости коллектора (например, в приборе Л2-23 частота 760 Гц).

Требуемый режим работы транзистора по постоянному току (см.рис. а) устанавливают потенциометром R₃, регулирующим ток в цепи базы.

Калиброванное по амплитуде переменное напряжение U_г подается на входные зажимы транзистора через образцовый резистор 

R₁ сопротивлением R_обр1. Последнее выбрано таким, чтобы R_обр1 >> r_б, поэтому ток I₁, полностью определяемый значениями U_г и R_0бр1, известен: I₁ ≈ U_г/R_обр1.

Включенные в схему вольтметры с большими входными сопротивлениями измеряют значения напряжения U₁на зажимах база — эмиттер и падения напряжения на резисторе R₂ (сопротивление R_обр2), пропорционального выходному току, т. е. 

U^‘₂ = I₂R_обр2. По ним можно найти измеряемые параметры:

Измерение емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

Эти параметры часто измеряют методом замещения. Применяется также метод емкостного и емкостно-омического делителя. Так как измеряемая емкость мала — от нескольких единиц до нескольких десятков пикофарад, то при ее измерении необходимо принять меры к устранению возможных погрешностей, связанных с влиянием внешних электрических полей, входной емкости вольтметра, собственной емкости соединительных проводов и т.п.

Свойства диодов на низких частотах достаточно полно определяют их ВАХ. При оценке параметров прямой ветви ВАХ целесообразно задавать постоянный ток Iпр изменять прямое напряжение Uпр. Это требование означает, что внутреннее сопротивление источника питания должно быть существенно больше сопротивления диода, чтобы изменение напряжения на диоде не вызывало изменений тока, выходящих за пределы заданной погрешности измерений, т.е. источник должен быть источником тока по отношению к диоду. Это условие должно выполняться при измерении напряжения на всех участках ВАХ, где дифференциальное сопротивление мало.

При измерении параметров диода в области пробоя (в области стабилизации напряжения для стабилитронов) также следует задавать значение обратного тока Iобр и определять обратное напряжение Uобр.

\

При измерении параметров обратной ВАХ, за исключением области пробоя, необходимо, чтобы источник питания, которым задается режим измерения, имел малое внутреннее сопротивление, так как в противном случае незначительные изменения обратного тока будут вызывать большую погрешность при измерении обратного напряжения.

Стабилизированный источник постоянного тока обеспечивает дискретные значения прямого тока в диапазоне изменения прямого напряжения для испытваемого диода VD или обратного тока для стабилитрона. Измерение падения напряжения на диоде осуществляется цифровым вольтметром постоянного тока с высоким входным сопротивлением (от 10⁶ до 10⁹ Ом), а контроль дискретных значений тока – магнитоэлектрическим или цифровым амперметром.

Падение напряжения на контактной системе в проводах, с помощью которых испытываемый диод подключается к измерительной цепи не должно превышать значени от 1 до 2% от максимально возможного напряжения на диоде.

При измерении параметров обратной ветви диода стабилизированный источник напряжения подает на испытуемый диод VD заданные значения обратного напряжения, которые контролируются цифрами или магнитоэлектрическим вольтметром. Значение обратного тока диода измеряется цифровым микроамперметром постоянного тока. Обратный ток Iобр можно измерить косвенным путем

(Iобр = Uo/Ro), включив в цепь диода известное сопротивление Rо, на котором цифровым вольтметром измеряется падение напряжения. При этом Ro << Rобр.

Для оценки частотных свойств диодов снимают частотные хар-ки I

выпр(f).

От измерительного генератора (ИГ) на испытуемый диод VD подводят переменное напряжение неизменной амплитуды различной частоты. Напряжение Uo на резисторе Ro, пропорциональное средневыпрямленному значению тока, измеряется при различных значениях частоты. Семейство частотных характеристик получается изменением значения сопротивления резистора Ro. Измерение напряжения осуществляется высокоомным цифровым вольтметром постоянного тока. Значение емкости конденсатора Со выбирается таким, чтобы емкостное сопротивление при минимальной частоте испытательного напряжения было значительно меньше сопротивления резистора Ro.

Транзисторный тестер и его характеристики

Термин Транзисторный тестер (или анализатор), используемый в этом тексте, относится к приборам, дающим количественные измерения параметров транзисторов. Тестер должен быть в состоянии предоставить прямые показания по крайней мере для двух важных измерений, таких как:

1. Значение прямого усиления в конфигурации с общим эмиттером (h _FE  для усиления по переменному току или h _FE для усиления по постоянному току) , то есть усиление β.
2. Значение тока утечки между коллектором и базой при открытом эмиттере I _сбо .

Последнее измерение обратного тока C-B обычно считается наиболее важным для проверки старения транзистора. Это сравнительно сложное измерение из-за малых токов (в мкА) и чрезвычайной чувствительности к температуре.

Типичный тестер транзисторов и диодов сервисного типа проверяет транзисторы на наличие следующих характеристик.

1. Тест короткого замыкания на пробой C-E
2. Прямое измерение тока утечки коллектора
3. Тест усиления по постоянному току
4. Проверка усиления по переменному току
5. Четырехполюсный параметрический тест (гибридные параметры)
6. Транзисторный тестер для определения полярности

1. Короткое замыкание – Проверка цепи для C – E Пробой:

В схеме испытания на короткое замыкание, приведенной на рис. тесты соединены вместе, и обратное напряжение 4,5 В приложено между коллектором и двумя выводами, которые соединены вместе. На рис. 10.18 (а) показано расположение транзистора PNP, а на рис. 10.18 (б) показано расположение транзистора NPN.

В случае пробоя (обычно от коллектора к эмиттеру) индикатор показывает отклонение на полную шкалу. В этом случае дальнейшие испытания этого транзистора не проводятся, что позволяет избежать возможного повреждения схемы измерителя.

Если показание в короткой позиции меньше максимально допустимого значения, указанного на графике, устанавливается следующий тест на обратный ток I _cbo .

2. Прямое измерение коллектора – Ток утечки:

Коллекторный ток утечки зависит от температуры и удельного сопротивления материала транзистора. Чрезмерная утечка обычно происходит, когда поверхность проводника загрязнена. Другими причинами этого состояния являются перегрев или другие виды повреждений. Это обратный ток от коллектора к базе при открытом эмиттере, обозначаемый I _cbo . Чрезмерное значение I _cbo указывает на неисправность транзистора. Схема тестера для этого теста показана на рис. 10.19.(а). Переход коллектор-база смещен в обратном направлении, а эмиттер открыт. Амперметр (в микродиапазоне) показывает обратный ток.

Ток от коллектора к эмиттеру с открытой базой обозначается I _{ceo .} На рис. 10.19(b) показана схема для этого теста. I _ceo должен быть намного больше, чем I _cbo .

3. Проверка коэффициента усиления по постоянному току:

Коэффициент усиления по постоянному току является мерой эффективности базы в управлении током коллектора. Это полезный параметр для транзисторов, используемых в низкочастотных цепях питания, усиления, переключения и управления. Этот тест полезен, только если транзистор используется в конфигурации с общим эмиттером.

На рис. 10.20 показана схема тестера, используемая для тестирования. R ₁ настроен на нулевое значение вольтметра, в этот момент усиление по постоянному току равно I _c / I _b и R _x / R ₂ .R ₁ обычно имеет калиброванный циферблат для прямого считывания коэффициента усиления по постоянному току.

По мере старения транзистора коэффициент усиления по постоянному току имеет тенденцию к снижению. Это приводит к уменьшению усиления, что приводит к искажению сигнала.

4. Проверка коэффициента усиления по переменному току:

Коэффициент усиления по переменному току выражается двумя разными способами в зависимости от типа конфигурации, в которой используется транзистор. Для конфигурации с общей базой коэффициент усиления равен альфа (α). , которое представляет собой отношение изменения тока коллектора к изменению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе. Во время этого теста коллектор имеет короткое замыкание на базу.

Если транзистор находится в конфигурации с общим эмиттером, коэффициент усиления равен бета β, который представляет собой отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы при постоянном напряжении на коллекторе. Во время этого теста коллектор имеет короткое замыкание на эмиттер.

Существует определенная связь между альфа и бета, поэтому одно из них может быть вычислено, когда известно другое.

Схема измерения бета аналогична схеме измерения усиления по постоянному току (см. рис. 10.20). Основное отличие состоит в том, что для измерения бета требуется сигнал переменного тока на базе транзистора. Надлежащие значения бета или альфа указаны в паспорте производителя. Измеренные значения должны довольно точно совпадать с ними, если транзистор исправен.

5. Проверка параметров четырех выводов (гибридные параметры):

Транзистор можно рассматривать как четырехвыводную цепь для определения соотношения между входом и выходом. Эти отношения называются гибридными (h) параметрами, которые упоминаются в таблицах данных и на испытательном приборе.

Гибридные параметры очень полезны при определении качества транзистора. Сеть с четырьмя терминалами показана на рис. 10.21 (а).

При таком расположении необходимо учитывать два тока и два напряжения. Если два тока рассматриваются как зависимые переменные, результирующие параметры являются короткозамкнутыми параметрами и измеряются в mhos. Когда два напряжения рассматриваются как зависимые переменные, результирующие параметры являются параметрами разомкнутой цепи и измеряются в омах. Гибридные (h) параметры получаются при использовании одного тока и одного напряжения в качестве зависимых переменных. Обозначения для четырех параметров h следующие.

• h _i — входное сопротивление при закороченном выходе
• h _r — коэффициент обратного напряжения при открытом входе
• h _f — коэффициент усиления по прямому току при закороченном выходе
• h _o — пропускная способность выхода при открытом входе

Единицей измерения для h _i является ом, а для h _o

 – мос. Для h _f и h _r нет единиц, поскольку они являются отношениями.

Параметры h могут быть применены к любой из трех основных конфигураций усилителя. Дополнительный нижний индекс обычно используется для обозначения типа конфигурации. Нижний индекс b указывает на общую базу, e обозначает общий эмиттер, а c обозначает общий коллектор.

Обозначения параметра h для общего эмиттера: h _т.е. , h _re , h _fe и h _oe . Альфа для схемы с общей базой равна h _fb , а бета в схеме с общим эмиттером равна h _fe .

Схема тестера для получения параметров h показана на рис. 10.21(b). G ₁ — калиброванный генератор тока, а G ₂ — калиброванный генератор напряжения. Счетчик переменного тока используется для косвенного измерения тока. Переключатели представляют собой четыре объединенные секции пятипозиционного поворотного переключателя.

Положение 1 переключателя соединяет калиброванный генератор тока с эмиттером тестируемого транзистора. Измеритель переменного тока показывает I+ h _f  , которое представляет собой отношение переменного тока базы (i _b ) к переменному току эмиттера (i _e )

Положение 2 переключателя соединяет калиброванный генератор напряжения с коллектором. , а измеритель показывает выходную проводимость, h _o . Эмиттер открыт во время этого измерения.

Позиция 3 такта ч _r , позиция 4 измеряет h _i , а позиция 5 измеряет альфа.

6. Тестер транзисторов на полярность:

Этот тестер проверяет транзистор на полярность (PNP или NPN). Звуковой сигнал указывает на усиление. Этот тестер показан на рис. 10.22.

Тестер можно также использовать в качестве тестера GO/NO GO для сопоставления устройств без маркировки.

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ СИЛЬНОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ (Технический отчет)

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ СИЛЬНОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ (Технический отчет) | ОСТИ. GOV

перейти к основному содержанию

• Полная запись
• Другое связанное исследование

Авторов:

Салливан, WH; Вирт, Дж. Л.

Дата публикации:

1965-07-01

Исследовательская организация:

Sandia Corp., Альбукерке, Северная Мексика.

Идентификатор ОСТИ:

4616411

Номер(а) отчета:

СК-Р-65-941; КОНФ-650707-3

Номер АНБ:

НСА-19-042771

Номер контракта с Министерством энергетики:  

АТ(29-1)-789

Тип ресурса:

Технический отчет

Отношение ресурсов:

Другая информация: ориг. Дата получения: 31-DEC-65

Страна публикации:

США

Язык:

Английский

Тема:

ПРИБОРЫ; Радиационные эффекты; ЦЕПИ; КОНТРОЛЬ; ТОКИ; ДИОДЫ; ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАРЯДЫ; ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ; ЭЛЕКТРОННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ; ОШИБКИ; ЧАСТОТА; МАТЕМАТИКА; ИЗМЕРЕННЫЕ ЗНАЧЕНИЯ; МИЧИГАН; НЕЙТРОН; ПРОГРАММИРОВАНИЕ; РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ; ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ПОЛУПРОВОДНИКИ; СИГНАЛЫ; ХРАНИЛИЩЕ; ТРАНЗИСТОРЫ; США

---

Форматы цитирования

• MLA
• АПА
• Чикаго
• БибТекс

Салливан В.Х. и Вирт Дж.Л. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ СИЛЬНОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ . США: Н. П., 1965. Веб. дои: 10.2172/4616411.

Копировать в буфер обмена

Sullivan, W.H., & Wirth, J.L. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ СИЛЬНОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ . Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/4616411

Копировать в буфер обмена

Салливан, У. Х., и Вирт, Дж. Л. 1965. «МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ БОЛЬШОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ». Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/4616411. https://www.osti.gov/servlets/purl/4616411.

Копировать в буфер обмена

@статья{osti_4616411,
title = {МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАМЕТРОВ БОЛЬШОГО СИГНАЛА ТРАНЗИСТОРА И ДИОДА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПРОГРАММАХ АВТОМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ЦЕПЕЙ},
автор = {Салливан, У.