Site Loader

Содержание

Характеристики и параметры транзисторов | Основы электроакустики

Транзисторы разделяются на типы (подтипы) по классификационным параметрам. Например,маломощные низкочастотные и среднечастотные транзисторы классифицируются по таким параметрам, как коэффициент усиления по току и предельная частота усиления или генерации. В отдельных случаях особо выделяют шумовые свойства транзисторов, характеризуемые коэффициентом шума, или способность транзисторов работать при повышенных напряжениях на коллекторе.

Маломощные высокочастотные транзисторы классифицируются по статическому коэффициенту усиления тока в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и модулю коэффициента усиления тока на частоте 10…20 МГц.

Мощные низкочастотные транзисторы классифицируются по максимальному обратному напряжению между коллектором и базой и статическому коэффициенту усиления тока в схеме с ОЭ.

При практическом использовании транзисторов используются следующие параметры.

Параметры постоянного тока используются для расчета режима транзистора по постоянному току. К этим параметрам относятся:

  •  Обратный ток коллекторного перехода Iко — ток через переход коллектор—база при отключенном эмиттере и заданном напряжении на коллекторе.
  • Обратный ток эмиттерного перехода Iэо — ток через переход эмиттер—база при отключенном коллекторе и заданном напряжении на эмиттере.
  • Начальный ток коллектора Iкн — ток в цепи коллектора при замкнутых эмиттере и базе и заданном напряжении на коллекторе. В некоторых случаях указывается начальный ток коллектора при включении между базой и эмиттером заданного сопротивления.
  •  Ток коллектора запертого транзистора Iкз — ток коллектора при обратном смещении эмиттерного перехода и заданных напряжениях на эмиттере и коллекторе.

Параметры малого сигнала характеризуют работу транзисторов в различных усилителях. Переменные токи и напряжения на электродах транзисторов при измерениях этих параметров должны быть малыми по сравнению с постоянными токами и напряжениями, определяющими выбор начальной рабочей точки (начальное смещение). Сигнал считается малым, если при изменении (увеличении) переменного тока (или напряжения) в два раза значение измеряемого параметра остается неизменным в пределах точности измерений. Так как транзисторы имеют резко выраженные нелинейные свойства, параметры малого сигнала сильно зависят от выбора начального смещения. Для характеристики таких параметров чаще всего используется система Н-параметров в следующем составе:

  • входное сопротивление Н11 — отношение напряжения на входе к вызванному им изменению входного тока;
  • коэффициент обратной связи по напряжению h22 — отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его приращению напряжения на выходе;
  • выходная проводимость Н22 — отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения при условии холостого хода по переменному току на входе;
  • коэффициент усиления тока h31 — отношение изменения выходного тока к вызвавшему его приращению входного при условии короткого замыкания выходной цепи.

В зависимости от схемы включения к цифровым индексам добавляется буквенный: б — для схемы с ОБ, э — в схеме ОЭ, к — для схемы с ОК. Применяются и другие символы для обозначения коэффициента усиления по току: для схемы с ОБ — а, а для схемы с ОЭ — В или р.

Измерение Н-параметров, как правило, производится на низкой частоте (50… 1000 Гц). Они используются при расчетах низкочастотных усилителей, преимущественно первых каскадов, работающих на малых сигналах. На высокой частоте коэффициенты усиления тока становятся комплексными величинами (так же как и другие Н-параметры). Усилительные свойства транзисторов на высокой частоте характеризуются модулем коэффициента усиления тока ¦а¦, ¦h31б] или ¦В¦. Частота, на которой значение ¦h31бl уменьшается на 3 дБ (около 30%) по сравнению с Наш, измеренным на низкой частоте, называется предельной частотой усиления тока fa.

Модуль усиления тока в схеме ОЭ уменьшается с ростом частоты более заметно, чем в схеме ОБ. В некоторой области частот параметр ¦h31э¦ обратно пропорционален частоте: ¦h31э¦=Fт/F. Частота F, — граничная частота усиления тока базы. На этой частоте модуль ¦Н21э¦ равен 1. Имеет место приближенное соотношение: fа=mFт где т=2 для бездрейфовых и т=1,6 для дрейфовых транзисторов.

К малосигнальным параметрам относятся также емкости переходов транзистора.

  •  Емкость коллекторного перехода Ск — емкость, измеренная между коллекторным и базовым выводами транзистора при отключенном эмиттере и обратном смещении на коллекторе.
  •  Емкость эмиттерного перехода Сэ — емкость, измеренная между выводами эмиттера и базы при отключенном коллекторе и обратном смещении на эмиттере. Значения емкостей Ск и Сэ зависят от приложенного напряжения. Если, например, указано значение Ск при напряжении U, то емкость Скх при напряжении U, можно найти из приближенной формулы: Скх = Cк(U/Uх)m, где m определяется таким же образом, как и в формуле .
  • Максимальная частота генерации Fмакс — наибольшая частота автоколебаний в генераторе на транзисторе. С достаточной точностью можно считать, что Fмакc — частота, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности равен единице.
  • Коэффициент шума Кш — отношение полной мощности шумов на выходе транзистора к части мощности, вызываемой тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума выражается в децибелах. Его значение дается для определенного частотного диапазона. Для большинства транзисторов минимальные шумы наблюдаются при работе на частотах 1000.. .4000 Гц. На высоких и низких частотах шумы увеличиваются. Обычно минимальное значение Рш соответствует малым токам коллектора (0,1…0,5 мА) и малым коллекторным напряжениям (0,5… 1,5 В). Шумы резко увеличиваются при повышении температуры. Приводимые в справочных данных значения Рд, относятся к оптимальному внутреннему сопротивлению источника сигнала и режиму работы, которые и следует использовать при проектировании малошумящих усилителей.

Параметры большого сигнала характеризуют работу в режимах, при которых токи и напряжения между выводами транзистора меняются в широких пределах. Эти параметры используются для расчета ключевых схем, предоконечных и оконечных усилителей низкой и высокой частоты, автогенераторов.

  • Статический коэффициент усиления по току: Вcт=(Iк-Iко)/(Iб+Iко). В рассматриваемом случае ток коллектора и ток базы существенно превосходят тепловой ток коллектора 1„„, поэтому на практике пользуются формулой: Вст=Iк/Iб.
  • Статическая крутизна прямой передачи Sст — отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению на входе транзистора. Параметр Sст используется для транзисторов средней и большой мощности, работающих в схемах, где источник входного сигнала имеет малое внутреннее сопротивление. Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения измеряется при определенном значении коллекторного и базового токов или определенной глубине насыщения.
  • Глубина насыщения — это отношение прямого тока базы к току, при котором транзистор находится на границе насыщения.Напряжение между базой и эмиттером транзистора в режиме насыщения измеряется при тех же условиях, что и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения.
  • Время рассасывания Тр — интервал времени между моментом подачи на базу транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня (0,1…0,3)Е„ — напряжение питания коллекторной цепи). Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и измеряется при определенном значении коллекторного и базового токов.

Параметры предельных режимов работы.

  •  Максимальная мощность, рассеиваемая прибором — Раакс- Так как в транзисторах подавляющая часть рассеиваемой мощности выделяется в области коллекторного перехода, то эта мощность практически равна максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторном переходе.
  • Максимальный ток коллектора — определяет максимальный ток коллектора при максимальном напряжении на коллекторе и максимально допустимой рассеиваемой мощности.
  • Максимальное обратное напряжение между коллектором и базой транзистора — Этот параметр используется обычно для расчета режима работы запертого транзистора или при включении его по схеме ОБ и генератора тока в цепи эмиттера.
  • Максимальное обратное напряжение на переходе эмиттер—база . Этот параметр используется для расчета режима работы, когда на входе действует запирающее напряжение (усилители в режиме В, различные импульсные схемы).
  • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ макс при условии короткого замыкания эмиттера с базой. В ряде случаев этот параметр приводится при условии включения между базой и эмиттером резистора заданного сопротивления.Параметр Uкэ макс используется при расчетах режима работы транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и при отсутствии запирающего напряжения или когда оно мало, например, менее 1 В.
  • Максимальные значения токов, напряжений и мощности определяют границы области гарантированной надежности работы. Так как работа в предельном режиме соответствует самой низкой надежности, то использование предельных режимов в схемах, от которых требуется высокая надежность, не допускается.

Практика показывает, что при использовании полупроводниковых приборов в облегченных режимах надежность их работы повышается в десятки раз по сравнению с надежностью в предельном режиме.

Тепловые параметры полупроводниковых приборов устанавливают допустимые пределы или диапазоны температуры окружающей среды и самих приборов, при которых гарантируется их надежная работа Параметры предельных режимов устанавливают­ся исходя из условий обеспечения надежной работы транзисторов. Чтобы радиотехнические устройства на транзисторах работали безот­казно, рабочие режимы транзисторов выбирают такими, при которых ток, напряжения и мощность не превышают 0,8 их максимально до­пустимых значений.

Статические характеристики — Club155.ru

 

При анализе усилительных схем на транзисторах широко используются т.н. статические характеристики. Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную связь между постоянными токами и напряжениями на электродах транзистора.

В зависимости от того, какие токи и напряжения принимаются за независимые переменные, возможны различные системы функциональной связи и соответствующие им семейства статических характеристик. В общем случае связь между токами и напряжениями на трех электродах транзистора можно выразить шестью различными системами (по четыре семейства характеристик в каждой системе).

Мы не будем здесь рассматривать все эти случаи, а обратимся сразу к системе, получившей наибольшее распространение. Это т.н. система статических \({H}\)-параметров (или гибридная система), которая соответствует наиболее распространенной группе малосигнальных параметров (\({h}\)-параметров) и имеет ряд преимуществ перед другими системами.

В данной системе в качестве независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение:

\({U}_{вх} = {f}{(}{{I}_{вх}, {U}_{вых}}{)}\)

\({I}_{вых} = {f}{(}{{I}_{вх}, {U}_{вых}}{)}\)

В статическом режиме эти зависимости выражаются четырьмя семействами характеристик:

  • входными

    \({U}_{вх} = {f}{(}{{I}_{вх}}{)}\left|{\atop{{U}_{вых}={const}}}\right.\)

  • выходными

    \({I}_{вых} = {f}{(}{{U}_{вых}}{)}\left|{\atop{{I}_{вх}={const}}}\right.\)

  • обратной связи

    \({U}_{вх} = {f}{(}{{U}_{вых}}{)}\left|{\atop{{I}_{вх}={const}}}\right.\)

  • прямой передачи

    \({I}_{вых} = {f}{(}{{I}_{вх}}{)}\left|{\atop{{U}_{вых}={const}}}\right.\)

Заметим, что для разных схем включения транзистора в качестве входных и выходных выступают токи и напряжения на его различных электродах. Поэтому вид статических характеристик зависит от схемы включения транзистора.

Для однозначного установления зависимости между токами и напряжениями транзистора достаточно иметь два семейства характеристик из четырех названных. Другие два могут быть найдены с помощью перестроений. На практике наибольшее распространение получили входные и выходные характеристики. Характеристики прямой передачи и обратной связи обычно выступают в роли второстепенных.

Статические характеристики имеют большое значение при анализе работы самых разнообразных усилительных схем. По статическим характеристикам выбирается оптимальное положение рабочей точки транзистора по постоянному току, вычисляются допустимые амплитуды колебаний переменного напряжения и тока на входе усилителя, анализируется линейность усиления и многие другие показатели схемы. По выходным характеристикам можно определить, правильно ли согласован усилительный каскад с нагрузкой, и предсказать поведение этого каскада при изменениях характера нагрузки.

В реальных схемах транзисторных усилителей в качестве входных токов и напряжений выступают напряжения и токи на конкретных электродах. Например, для схемы с ОЭ входным напряжением будет напряжение на участке эмиттер—база (\({U}_{ЭБ}\)), а выходным током — ток коллектора (\({I}_{К}\)). Часто статические характеристики транзисторных схем называют по имени электрода, ток которого эти характеристики отражают. Так, в приведенном выше случае мы будем говорить о выходных коллекторных характеристиках.

 

 

< Предыдущая   Следующая >

Классификация транзисторов, Биполярные транзисторы (Полупроводниковые триоды) Схемы включения , вольт-амперные характеристики кратко

Сразу хочу сказать, что здесь никакой воды про классификация транзисторов, и только нужная информация. Для того чтобы лучше понимать что такое классификация транзисторов,биполярные транзисторы, биполярный транзистор, полупроводниковые триоды,вольт-амперные характеристики транзисторов,вах транзисторов,транзистор,биполярный транзистор , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

полупроводниковые триоды , называемые транзистор ами, служат для тех же целей, что и ламповые триоды, т. е. для усиления и генерирования колебаний, но они по сравнению с электронными лампами обладают рядом преимуществ: очень большим сроком службы, малыми размерами, большой механической прочностью, отсутствием расхода энергии на накал, незначительным собственным потреблением энергии.
Полупроводниковый триод представляет собой пластинку из кремния или германия, состоящую из трех областей. Две крайние области всегда обладают одинаковым типом проводимости, а средняя — противоположной проводимостью.

Виды( Классификация) транзисторов

Биполярные, полевые, JGBT



биполярные транзисторы
биполярный транзистор представляет собой полупроводниковую трехслойную n-p-n или p-n-p структуру и предназначен для усиления мощности электрических сигналов.
Схема технологической структуры биполярного транзистора и его условные обозначения показаны на рис. 1.


Рис. 1 Схемы технологических структур биполярных транзисторов и их условные обозначения.

Внутренняя структура транзистора

Схемы включения транзистора
Указанные три слоя имеют следующие названия: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Для усиления электрической мощности используют три варианта включения биполярного транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).


Рис 2 Схемы включения транзистора

Режимы работы транзистора
1 . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Активный (усилительный)
2. Режим насыщения
3. Режим отсечки

статические вольт-амперные характеристики БПТ


Рис 3

Усилительные свойства транзистора


схема включения транзистора с общим эмиттером

Доказательство: пусть

Транзистор управляется током базы

Схема замещения биполярного транзистора


Рис 4

Связь между входными и выходными токами и напряжениями в транзисторе, представленном в виде эквивалентного четырехполюсника, выражается системой уравнений электрического состояния:

h – параметры транзистора

входное сопротивление транзистора

коэффициент обратной связи

коэффициент усиления по постоянному току

выходная проводимость

Одним из основных параметров биполярного транзистора является коэффициент передачи тока. При работе в режиме постоянного тока для схемы с общей базой это есть отношение тока коллектора к току эмиттера

Для схемы с общим эмиттером коэффициент передачи тока в режиме постоянного тока равен отношению тока коллектора к току базы

Кроме того, как у четырехполюсника, у транзистора другими основными параметрами являются входное и выходное сопротивления, которые характеризуют согласованность входной и выходной цепей транзистора с другими четырехполюсниками.
Графическое определение h — параметров транзистора

Uкэ = Eк — Iк•Rк — линия нагрузки

В таблице 1 приведены сравнительные параметры этих схем включения.

Тесты по теме биполярные транзисторы

1 Биполярный транзистор это:

A– полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими pn — переходами

B– полупроводниковый прибор с двумя pn и одним np — переходом

C– полупроводниковый прибор с одним np и двумя pn — переходами

D – полупроводниковый прибор с переходом металл-полупроводник

2 Входная характеристика биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, описывается функцией

3 В каком режиме должен находиться транзистор, чтобы по выходной ВАХ можно было определить параметр h31?

A – в активном

B – в отсечке

C – в насыщенном

D – в режиме пробоя

4 Коэффициент усиления по напряжению, выраженный в децибелах, определяется по формуле

A – Uвых / Uвх

B – 20 lg(Uвых / Uвх)

C – 10 lg(Uвых / Uвх)

D – ln(Uвых / Uвх)

См. также

  • Полевые транзисторы
  • КМОП-матрица
  • SRAM (память)
  • Логические элементы
  • МОП-структура
  • полевые транзисторы , полевой транзистор ,
  • igbt , силовые транзистор ,
  • эффект защелкивания ,
  • моп-структура , моп ,
  • кмоп , комплементарная структура металл-оксид-полупроводник ,
  • транзисторно-транзисторная логика , ттл ,

А как ты думаешь, при улучшении классификация транзисторов, будет лучше нам? Надеюсь, что теперь ты понял что такое классификация транзисторов,биполярные транзисторы, биполярный транзистор, полупроводниковые триоды,вольт-амперные характеристики транзисторов,вах транзисторов,транзистор,биполярный транзистор и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то нестесняся пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Из статьи мы узнали кратко, но емко про классификация транзисторов

Выходная характеристика — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2

Выходная характеристика — транзистор

Cтраница 2


Выходными характеристиками транзистора в схеме с ОЭ является семейство / к. Они отличаются от выходных характеристик того же транзистора, включенного по схеме с ОБ. С / кэ более резкая, вследствие чего пологие участки этого семейства характеристик имеют больший наклон к оси абсцисс.  [17]

Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с ОБ, называют зависимость тока коллектора / к от напряжения.  [19]

Сравнивая выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером ( рис. 4.14 6) и общей базой ( рис. 4.12 6), можно заметить две наиболее существенные особенности: во-первых, характеристики в схеме с общим эмиттером имеют больший наклон, свидетельствующий об уменьшении выходного сопротивления транзистора и, во-вторых, переход в режим насыщения наблюдается при отрицательных напряжениях на коллекторе.  [20]

Рассмотрим далее входные, передаточные и выходные характеристики транзисторов в области микротоков. Анализ и обобщение параметров микрорежима интересны потому, что создание высоконадежных устройств с незначительным потреблением относится к актуальным и перспективным направлениям в электронике.  [21]

Семейство выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ ( рис. 3.15 6) состоит из зависимостей / к / ( КБ) при / 3 const. Графики коллекторного тока / к аналогичны ВАХ диода, смещенным по оси обратного тока. По установившейся традиции третий квадрант показан на рис. 3.15 6 повернутым на место первого.  [22]

Расчет выходной характеристики транзистора [ JL 86 ] при заданных значениях температуры среды и тока базы сводится к определнию координат двух точек по типовой методике, разработанной для резисторов типа тер-мистор — варистор.  [23]

Семейство выходных характеристик транзистора представлено в первом квадранте рис. 11.17. Они проходят почти горизонтально из-за весьма слабого изменения градиента концентрации при изменении напряжения к. Если ta const, то F-изменении градиент Гп ( хр) сохраняется неизменным.  [25]

Семейство выходных характеристик транзистора показано при некоторых постоянных значениях эмиттерного тока.  [27]

Особенностью выходных характеристик транзистора является слабая зависимость тока коллектора от напряжения коллекторной цепи. В этим смысле транзистор аналогичен пентоду.  [29]

По выходным характеристикам транзистора определяем рабочую область.  [30]

Страницы:      1    2    3    4    5

Методика определения параметров PSPICE-моделей IGBT-транзисторов

В последних версиях программы схемотехнического моделирования PSPICE IGBT-транзистор представлен встроенной моделью [1]. В библиотеках системы PSPICE указываются параметры некоторых типов IGBT-транзисторов для этой модели, однако расчет по ней, как правило, дает большие погрешности [2]. Модель описывается следующими параметрами (на примере транзистора IRGBC30F, для которого представлены достаточно полные справочные данные, а его параметры имеются в стандартной библиотеке):

.MODEL IRGBC30F NIGBT (TAU=264.07E-9 KP=1.6985 AREA=60.000E-6 AGD=7.7500E-6 VT=4.7055 KF=1.9385 CGS=990.49E-12 COXD=3.7832E-9 VTD=-7.2340)

В справочниках приводятся: проходная характеристика Ic от Vge, характеристика насыщения Vce от Ic, зарядная характеристика Vg от Qg, а также времена переключения Tdp, Trs, Tdf, Tfl, энергия включения Eon и полная энергия Etotal для типовой схемы.

На рис. 1 приведены справочные и рассчитанные в PSPICE статические характеристики стандартной модели транзистора IRGBC30F с библиотечными параметрами.

Рис. 1. Статические характеристики IGBT-транзистора IRGBC30F
(сплошной розовой пинией отображены справочные характеристики,
синей прерывистой— расчетные характеристики встроенной модели с библиотечными параметрами,
зеленой прерывистой—расчетные характеристики встроенной модели с параметрами из Model Editor)

Времена переключения и энергии измерялись в типовой схеме [3], изображенной на рис. 2. Результаты сопоставлены со справочными и сведены в таблице 1.

Рис. 2. Типовая схема включения IGBT-транзистора для расчета времен и энергий переключения

Таблица 1.

Как видно из рис. 1 и таблицы 1, библиотечные параметры модели неплохо описывают статические характеристики, но дают очень большую (66%) относительную среднеквадратичную ошибку при расчете времен переключения и энергий.

Для самостоятельного получения параметров приборов в PSPICE применяется программа Model Editor. В ней параметры встроенной модели определяются по справочным характеристикам: проходной характеристике, характеристике насыщения, зарядной характеристике и времени заднего фронта тока Tfl.

Ниже приведены параметры транзистора IRGBC30F, определенные с помощью программы Model Editor:

.MODEL IRGBC30F_ME NIGBT (TAU=240.28E-9 KP=2.0430 AREA=15.500E-6 AGD=6.2000E-6 VT=5.2781 KF=1.0153 CGS=5.3323E-9 COXD=18.116E-9 VTD=-5)

Рассчитанные в PSPICE статические характеристики модели с параметрами из Model Editor приведены на рис. 1.

Результаты измерений времен переключений и энергий с этими параметрами также приведены в таблице 1. Относительная среднеквадратичная ошибка в этом случае немного меньше, но все равно достаточно велика (49%).

Как показывает опыт, подобная же ситуация возникает и с прочими IGBT-транзисторами, содержащимися в стандартной библиотеке.

Таким образом, показано, что имеющиеся параметры приборов и методика определения их параметров при проверке дает низкую точность.

Кроме того, имеющийся в стандартной библиотеке PSPICE набор транзисторов относительно невелик и на сегодняшний день уже устарел. Транзисторов новых поколений в нем нет.

Что делать, если мы хотим использовать при моделировании новые приборы? Модели новых приборов можно отыскать в Интернете на сайтах ведущих фирм-производителей. Однако насколько расчет по найденным таким образом моделям согласуется со справочными данными?

Возьмем для примера с сайта International Rectifier модель транзистора четвертого поколения IRG4PC50F. Текст модели здесь не приводится, так как он довольно объемный, эту модель, как и многие другие модели продукции IRF, можно скачать по адресу http://www.irf.com/ product-info/models/spice/spice.zip. Отметим, однако, что эта модель является не встроенной, а составной, состоящей из МДП и биполярного p-n-p транзисторов. Структура подобной модели подробнее рассмотрена ниже.

На рис. 3 приведены справочные и рассчитанные в PSPICE статические характеристики IRF-модели транзистора IRG4PC50F.

Рис. 3. Статические характеристики IGBT-транзистора IRG4PC50F (сплошной розовой линией отображены справочные характеристики, синей прерывистой — расчетные характеристики по составной модели с параметрами, рассчитанные в МС, зеленой прерывистой — расчетные характеристики по модели с сайт IRF)

Времена переключения и энергии, измеренные в той же типовой схеме, сопоставлены со справочными данными и сведены в таблице 2.

Видно, что динамические свойства модели с сайта IRF плохо соотносятся со справочными данными. Относительная среднеквадратичная ошибка 77%.

Таким образом, видна плохая точность предлагаемых моделей при моделировании переключения IGBT-транзисторов.

Чтобы уменьшить ошибку при моделировании, предлагается использовать известную составную модель IGBT-транзистора [2], состоящую из МДП и биполярного p-n-p транзисторов — подобную той, что используется в модели с сайта IRF (рис. 4). Причем биполярный транзистор работает или в отсечке, или в активной области, а МДП-транзистор — и в отсечке, и в активной, и в насыщении.

Рис. 4. Составная модель IGBT-транзистора

Вообще говоря, такая модель описывается большим числом параметров, что позволяет более гибко настраивать ее характеристики.

Некоторые шаги в этом направлении уже были предприняты ранее [2], однако, как кажется авторам, исследования, опубликованные в этой статье, имеют ряд недостатков. К числу недостатков можно отнести: сопоставление только времен выключения — не учитывались прочие времена и энергии, а главное — отыскание параметров осуществлялось методом подбора.

Используемые параметры биполярного транзистора: Is, Nf, Bf, Vtf, Xtf, Tf. Прочие в списке параметров не указываются.

Параметры МДП-транзистора, используемые в модели: Kp, Vto. Прочие в списке параметров не указываются.

Также в качестве параметров задействованы сопротивления Ron, Rgg, индуктивность эмиттера Le, постоянная емкость Cge=Cgs и параметры нелинейных емкостей Cce и Cgc.

Проходная нелинейная емкость Crss = Cgc = = Cgd здесь записывается как источник тока, зависящий от потенциалов dd-gg следующим образом:

где C0, C1, V1, V2 — параметры нелинейной емкости. Нелинейную емкость Cgd можно задавать и иными способами, например табличным методом. Функция арктангенса была взята здесь только из-за ее плавности и возможности получать постоянное значение емкости при отрицательном напряжении (см. рис. 5).

Рис. 5. Справочные емкостные зависимости и их аппроксимации для транзистора IRG4PC50F

Роль нелинейной емкости Cce здесь играет емкость диода, которая определяется параметрами Cjo, M, Vj.

Параметры составной модели предлагается определять в универсальной математической системе MathCad (МС) следующим образом:

Значение параметров емкостей IGBT-транзи-стора определяется из справочных зависимостей Crss, Ciss, Coss от напряжения и из зарядной характеристики. Емкость Cgs = Ciss — Crss считается постоянной Cgsa и примерно равной первому наклону зарядной характеристики.

Проходная емкость Crss, в основном определяемая емкостью МДП-транзистора Cgd, аппроксимируется с использованием плавной функции atan:

Следует заметить, что практически все IGBT-транзисторы имеют емкостные характеристики, которые трудно аппроксимировать плавными функциями, поэтому провести аппроксимацию по всем точкам справочной зависимости не удается. Однако это не столь существенно — важна верная аппроксимация максимального значения проходной емкости Cgdx при отрицательном напряжении.

Рис. 6. Расчетная и справочная зарядные характеристики транзистора IRG4PC50F

Это максимальное значение Cgdx находится из второго наклона зарядной характеристики:

Емкость Cds = Coss — Crss не столь важна и аппроксимируется обычной степенной функцией, как для диода:

Чтобы определить параметры емкостей в МС, необходимо приравнять значения аппроксимации значениям справочных характеристик и воспользоваться блоком given-minerr. Начальные условия: M = 0.5, V = 1, Co = 1n, C1 = C0 = 0.1, V1 = V2 = 1.

Для транзистора IRG4PC50F значения этих параметров получились следующими: V1 = -0.637, V2 = 0.564, C0 = 4.039n, C1 = 2.57n, Cdso = 2.181n,   Vjds = 2.321,   Mds = 0.886, Cgs = 4.224n, Cgdx = 8.265n.

На следующем графике изображена зарядная характеристика, рассчитанная по емкостным параметрам и соотнесенная со справочной.

Статические параметры определяются в МС на основе кусочно-линейного анализа модели IGBT-транзистора [1]:

Два этих выражения описывают характеристику насыщения и проходную характеристику IGBT-транзистора. Beta = 0,5xKpxW/L, то есть при W = 2u, L = 1u Beta становится равной Kp.

Чтобы определить параметры Is, Nf, Ron, Bf, Beta, Vto в МС, необходимо приравнять значения аппроксимации значениям справочных характеристик и воспользоваться блоком given-minerr.

Начальные условия: Is = 10e -12, Nf = 1.5, Ron = 0.01, Bf = 2, Beta = 2.5, Vto = 5. Следует отметить, что ток МДП-транзистора составляет значительную долю от тока всей структуры, поэтому коэффициент усиления Bf не может быть большим и должен быть сравним с Beta.

Для транзистора IRG4PC50F значения параметров получаются следующие: Is = 3.42e-8, Beta = 1.914, Bf = 2.352, Ron = 0.018, Nf = 1.914, Vto =5.005.

Выключение IGBT происходит так: первым выключается МДП-транзистор, обрывая базу биполярному транзистору, и выключение всего IGBT определяется выключением p-n-p транзистора с оборванной базой. Заряд выводится из него путем рекомбинации, процесс происходит экспоненциально, с постоянной времени Tau. Этап спада Tfp заканчивается, когда ток достигает уровня 0.1 от максимального, откуда Tau:

где Tfp — справочное время спада тока.

Tf связано с Tau следующим образом: Tf = Tau/Bf. Внутреннее сопротивление затвора можно определить из справочной задержки включения, определяемой «полевой» частью IGBT-транзистора:

Здесь Tg — фронт импульса генератора. Начальные условия Rg = 10, Tg = 10ns.

Для транзистора IRG4PC50F значения параметров получаются следующие: Tf = 28.366ns, Rgg = 6.707.

На рис. 3 приведены рассчитанные в PSPICE статические характеристики составной модели с параметрами, определенными в МС. Заметно, что они совпадают лучше, чем характеристики модели с сайта IRF.

Времена переключения и энергии, измеренные в той же типовой схеме, для составной модели с параметрами, определенными в МС, приведены в таблице 2. Видно, что относительная среднеквадратичная ошибка почти вдвое меньше ошибки IRF-модели (30%).

Составная модель обладает большим, нежели было рассмотрено, числом параметров, что придает ей большую гибкость. Однако не все параметры можно определить в МС из-за чрезмерного усложнения аппроксимирующих выражений, которые необходимо записывать в аналитическом виде. Так, например, в МС очень трудно учесть влияние индуктивности, в то же время индуктивность эмиттера Le оказывает большое влияние на динамические процессы. Также большое влияние на динамику оказывают параметры динамического насыщения биполярного транзистора Vtf, Xtf, неучтенные при расчете в МС. Приведенные здесь формулы для расчета Tf и Rgg носят весьма приближенный характер. Кроме того, на динамику оказывает влияние соотношение между параметрами усиления транзисторов Kp и Bf. Если уточнить все вышеперечисленные параметры, то модель может быть настроена еще точнее. Как это сделать?

Подобную настройку можно осуществить при помощи программы параметрической оптимизации PSPICE Optimizer.

Вообще говоря, определение статических параметров Is, Nf, Bf, Ron, Kp, Vto по справочным характеристикам также можно осуществлять в этой программе по характеристике насыщения и проходной характеристике. Для этого указанные параметры внутри модели задаются варьируемыми, в одном проекте помещаются две модели транзистора, подключенные к одному варьируемому источнику напряжения. Для моделирования проходной характеристики источник напряжения является переменным напряжением на затворе, при этом снимается ток транзистора. Для моделирования характеристики насыщения источник напряжения, подключенный к коллектору транзистора через сопротивление, является переменным током коллектора, при этом снимается ток и напряжение коллектора.

В программе Optimizer задаются справочные характеристики Ic от Vge и Vce от Ic, а затем путем варьирования статических параметров снимаемые характеристики приближаются к справочным.

Подбор емкостных параметров при желании также можно осуществлять в этой программе.

Таблица 3.

Однако особенно ценен Optimizer там, где сложно использовать МС — при уточнении параметров Tf, Vtf, Xtf, Bf, Rgg, Le по справочным временам задержек и переключения Tdon, Tr, Tdoff, Tf, а также энергии включения Eon и полной энергии Etotal. Для этого в другом проекте в модели транзистора указанные параметры задаются варьируемыми. Причем, поскольку произведение Bf хKp = 6.599, найденное в МС, определяет статические характеристики, уже верно  нами настроенные,  это  произведение меняться не может. Поэтому в модели МДП-транзистора нужно указать Kp = 6.599/{Bf} и менять только параметр Bf. Модель IGBT-транзи-стора помещается в режим, соответствующий справочному переключению (рис. 2). Снимается осциллограмма тока, по ней фиксируются расчетные значения времен переключения. Кроме того, в проект помещается источник напряжения, пропорциональный произведению тока транзистора и напряжения на нем и подключенный к интегратору, на выходе которого мы имеем напряжение, пропорциональное энергии. Это напряжение снимается при двух моментах времени: после включения транзистора (Eon) и в конце периода (Etotal).

В Optimizer при помощи целевых функций задаются четыре справочных значения времен и два значения энергии, и путем варьирования параметров модели из второй группы расчетные времена и энергии приближаются к справочным. В качестве начальных значений уточняемых параметров берутся параметры, определенные в МС.

Времена переключения и энергии с параметрами, уточненными в Optimizer, приведены в таблице 2. Как видно, относительную среднеквадратичную ошибку удалось уменьшить до 16%.

Таким образом, составная модель IGBT-транзистора, описанная здесь, является более гибкой, чем встроенная модель, в силу большего числа параметров (в статье использовались основные, но не все параметры модели) и может использоваться для моделирования новых типов современных IGBT-транзисторов. Предложенная здесь методика отыскания и уточнения параметров этой составной модели при помощи программ MathCad и Optimizer для моделирования IGBT-транзисторов позволяет получать более достоверные результаты, нежели те, что достигаются при использовании библиотечных параметров или параметров, доступных в Интернете.

Литература
  1. Разевиг В. Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0. М.: «Солон». 1999.
  2. Колпаков А. Моделирование транзисторов IGBT с помощью PSPICE // Компоненты и технологии. 2002. № 8.
  3. Catt J., Chokhawala R., Pelly B. Введение по применению модулей БТИЗ в корпусах 600В, ADD-A-PAK и INT-A-PAK. Силовые полупроводниковые приборы. Книга по применению International Rectifier. AN-988. Пер. с англ. под ред. Токарева В. В. Воронеж. 1995.
  4. Дьяконов В. П., Абраменкова И. В. MATHCAD 7.0 в математике, физике и в Internet // М: «Нолидж». 1999.

Полупроводниковые электронные приборы. » Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером

Март 13, 2009

Хотя для расчетов схем с транзисторами достаточно иметь входные и выходные характеристики, иногда пользуются еще характеристиками передачи по току или переходными характеристиками Iк = f(Iэ) при Ukб = const в случае схемы с общей базой или Iк = f(Iб) гори U кэ = const в случае схемы с общим эмиттером. Эти характеристики показывают, что с увеличением тока эмиттера или тока базы растет и ток коллектора. Пример такой характеристики дан на рис.23.

Рис.23. Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером

У некоторых транзисторов она является почти прямолинейной.
Пользуются также характеристиками обратной связи   Uэб = f(Uкб) при   Iэ = const для схемы с общей базой или    Uбэ при Iб = const для схемы с общим эмиттером.

Следует отметить, что в транзистоpax всегда существует довольно сильная внутренняя обратная связь. Это объясняется тем, что выходная и входная цепи имеют непосредственное электрическое соединение. Поэтому часть выходного напряжения бывает приложена к входу транзистора, а выходной ток (ток коллектора) частично проходит через входную цепь. Изменение этого тока вызывает изменение входного напряжения.
В последнее время в справочниках .часто приводятся   для   транзисторов все четыре типа характеристик, расположенные в четырех квадрантах. Это дает большую экономию места и удобно, так как на осях  координат откладываются в разные стороны от 0 разные величины и каждая ось используется для четырех графиков.  На рис.24 показаны в качестве примера такие характеристики для включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Справа вверху даны выходные характеристики Iк = f(Uкэ ) при Iб = const;   слева  вверху показана    переходная  характеристика  Iк = f(Iб) при Uкэ = const, причем ток Iэ пришлось отложить влево от начала координат. Слева внизу показана входная характеристика Iб = = f (Uбэ ) при Uкэ — const. Для нее пришлось отложить ток Iб влево, а напряжение Uбэ  вниз. Иногда здесь же дается характеристика для Uкэ = 0. Справа внизу располагается   семейство характеристик обратной связи Uбэ = f(Uкэ ) при Iб = const, для которых напряжение Uбэ оказывается отложенным   вниз. Подобные же характеристики приводятся и для случая включения транзистора по схеме с общей базой.

1.3.Динамические характеристики транзистора.

Динамические характеристики определяют режим работы транзистора и используются при графоаналитическом расчете усилителя.

Здесь используются статические характеристики. На выходной характеристике строится нагрузочная прямая, которая зависит от сопротивления нагрузки RКона изображена на рис.4.

Uп=Uвых+IК*RК

Рис. 4. Схема транзистора с ОЭ (а), входная характеристика (б),

выходная динамическая характеристика (в).

1.4.Полевые транзисторы.

Полевым транзистором называется транзистор, в котором между двумя электродами (истоком и стоком) образуется проводящий канал, по которому протекает ток. Управление током осуществляется электрическим полем, создаваемым третьим электродом (затвором).

Полевые транзисторы делятся на две группы:

— с управляющим «p-n» переходом,

— с изолированным затвором (МДП-транзисторы).

По типу электропроводности они подразделяются на транзисторы с каналом «p» и «n» типов.

1.4.1.Транзистор с управляющим «p-n» переходом.

Транзистор с управляющим «p-n» переходом показан на рис.5, представляет собой пластину из полупроводникового материала, имеющую электропроводность определенного типа, от концов которой сделаны два вывода (исток и сток). Вдоль пластины сделан «p-n» переход, который подсоединяется к третьему выводу – затвору.

Рис.5. Структуру полевого транзистора с управляющим «n-p» переходом (а), условное обозначение (б).

Если к электродам подключить напряжение питания, то между соком и истоком будет протекать ток. Если к затвору приложить напряжение UЗИ, то размеры перехода (канала) будут меняться, а, следовательно, изменяется сопротивление канала и проходящий по нему ток. Напряжение на затворе, при котором ток истока минимален, называется напряжением отсечкиUзи отс.

Статические характеристики транзистора показаны на рис.6 и имеют вид:

Рис. 6. Переходная характеристика Iс=f(Uзи) приUси-const(а),

выходная характеристика Iс=f(Uси) приUзи-const(б).

1.4.2.Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы).

В отличии от полевых транзисторов с «p-n» переходами в МДП транзисторах затвор изолирован от канала слоем диэлектрика. Их основное отличие – большое входное сопротивление до 1012÷1014Ом.

Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля.

МДП-транзисторы делятся на транзисторы с встроенным каналом и на транзисторы с индуцированным каналом.

МДП-транзистор с встроенным каналом изображен на рисунке 7 . Здесь канал существует при Uзи=0.

Передаточные и выходные характеристики транзисторов с встроенным каналом приведены на рис.7

Рис.7. Передаточная характеристика (а) и выходная характеристика (б) полевых транзисторов с встроенным каналом.

1.4.3.МДП-транзистор с индуцированным каналом.

Полевые транзисторы с индуцированным каналом отличаются тем, что проводящий канал здесь образуется (индуцируется) благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины при приложении к затвору напряжения. За счет притока электронов образуется проводящий канал и между истоком и стоком протекает ток.

На рис.8 приведена конструкция транзистора и его статические характеристики.

Рис.8. Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом (а), условные обозначения (б), переходная (в) и выходная характеристики (г).

Характеристики транзистора

| Electrical4U

Характеристики транзистора — это графики, которые представляют отношения между током и напряжением транзистора в конкретной конфигурации. Если рассматривать схемы конфигурации транзисторов как аналог двухпортовых сетей, они могут быть проанализированы с использованием характеристических кривых, которые могут быть следующих типов

  1. Входные характеристики: они описывают изменения входного тока с изменением значений входного напряжения, сохраняя постоянное выходное напряжение.
  2. Выходные характеристики: это график зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе.
  3. Характеристики передачи тока: Эта характеристическая кривая показывает изменение выходного тока в соответствии с входным током, сохраняя выходное напряжение постоянным.

Конфигурация транзистора с общей базой (CB)

В конфигурации CB, клемма базы транзистора будет общей между входными и выходными клеммами, как показано на рисунке 1.Эта конфигурация обеспечивает низкий входной импеданс, высокий выходной импеданс, высокий коэффициент усиления сопротивления и высокий коэффициент усиления по напряжению.

Входные характеристики для конфигурации CB транзистора

На рисунке 2 ниже показаны входные характеристики схемы конфигурации CB, которая описывает изменение тока эмиттера, I E с напряжением база-эмиттер, В BE с сохранением коллектор-база напряжение, В CB постоянное.

Это приводит к выражению для входного сопротивления как

Выходные характеристики для конфигурации CB транзистора

Выходные характеристики конфигурации CB (рисунок 3) показывают изменение тока коллектора, I C с V CB , когда ток эмиттера I E поддерживается постоянным.Из представленного графика выходное сопротивление может быть получено как:

Характеристики передачи тока для конфигурации CB транзистора

На рисунке 4 ниже показаны характеристики передачи тока для конфигурации CB, которая иллюстрирует изменение I C с I E , сохраняя V CB постоянным. Результирующий коэффициент усиления по току имеет значение меньше 1 и может быть математически выражено как:

Конфигурация транзистора с общим коллектором (CC)

Эта конфигурация транзистора имеет клемму коллектора транзистора, общую между входными и выходными клеммами (рис. 5) и также называется конфигурацией эмиттерного повторителя.Это обеспечивает высокий входной импеданс, низкий выходной импеданс, коэффициент усиления по напряжению меньше единицы и большой коэффициент усиления по току.

Входные характеристики для конфигурации CC транзистора

На рисунке 6 показаны входные характеристики для конфигурации CC, которая описывает изменение I B в соответствии с V CB , для постоянного значения напряжения коллектор-эмиттер, В CE .

Выходные характеристики для конфигурации CC транзистора

На рисунке 7 ниже показаны выходные характеристики для конфигурации CC, которые демонстрируют изменения в I E по сравнению с изменениями в V CE для постоянных значений I B .

Характеристики передачи тока для CC-конфигурации транзистора

Эта характеристика CC-конфигурации (рисунок 8) показывает изменение I E с I B , сохраняющее V CE как постоянное.

Конфигурация транзистора с общим эмиттером (CE)

В этой конфигурации клемма эмиттера является общей между входными и выходными клеммами, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация предлагает среднее входное сопротивление, среднее выходное сопротивление, среднее усиление по току и усиление напряжения.

Входные характеристики для конфигурации CE транзистора

На рисунке 10 показаны входные характеристики для конфигурации транзистора CE, которые иллюстрируют изменение I B в соответствии с V BE , когда V CE остается постоянным.

Из графика, показанного на рисунке 10 выше, входное сопротивление транзистора может быть получено как

Выходные характеристики для конфигурации CE транзистора

Выходные характеристики конфигурации CE (рисунок 11) также называются характеристиками коллектора. .Этот график показывает изменение I C с изменениями в V CE , когда I B остается постоянным. Из представленного графика выходное сопротивление может быть получено как:

Характеристики передачи тока для конфигурации CE транзистора

Эта характеристика конфигурации CE показывает изменение I C с I B , сохраняя V CE как константа. Математически это может быть задано как

. Это отношение называется усилением по току с общим эмиттером и всегда больше 1.

Наконец, следует отметить, что, хотя описанные характеристические кривые относятся к BJT, аналогичный анализ применим даже в случае FET.

Характеристики транзистора — характеристики входа, выхода и передачи тока

Конфигурация транзистора

Любой тип транзисторной схемы может быть разработан с использованием трех вышеупомянутых характеристик транзистора. Конфигурация транзисторов основана на выводах транзисторов. Существует три типа конфигурации схемы транзистора, а именно:

Каждая конфигурация схемы имеет свою характеристическую кривую.Исходя из требований схемы, выбирается соответствующая конфигурация транзистора.

Несколько вещей необходимо учитывать при использовании правильного транзистора для схемы. Это максимальное номинальное напряжение между эмиттером и коллектором (UCEmax), максимальная мощность для построения цепи и максимальный ток коллектора (ICEmax). Электрическая цепь не должна превышать эти максимальные значения для правильной работы. При превышении допустимого значения может произойти необратимое повреждение цепи. Также важно поддерживать правильное усиление тока и частоту.

Конфигурация с общим эмиттером

В такой конфигурации эмиттер используется как общий вывод для входа и выхода. Он работает как схема инвертирующего усилителя. В этом случае вход применяется в области база-эмиттер, а выход получается между выводами коллектора и эмиттера.

В данном случае

VBE — это входное напряжение,

IB — входной ток,

VCE — выходное напряжение и

IC — выходной ток.

Конфигурация с общим эмиттером обычно основана на транзисторных усилителях. В этом случае ток эмиттера эквивалентен сумме тока базы и тока коллектора.

Следовательно,

IE = IC + IB

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Это уравнение является уравнением транзистора для конфигурации CE. Отношение тока коллектора к току эмиттера дает коэффициент усиления по току альфа в конфигурации с общей базой. Точно так же отношение тока коллектора к току базы дает коэффициент усиления по току бета в конфигурации с общим эмиттером.

Соотношение между двумя коэффициентами усиления по току:

Коэффициент усиления по току (α) = IC / IE

Коэффициент усиления по току (β) = IC / IB

Ток коллектора IC = αIE = βIB

В этой конфигурации используется один из трех схемы конфигурации. Он имеет средние входные и выходные значения импеданса. Он также имеет средний коэффициент усиления по току и напряжению. Выходной сигнал этой конфигурации имеет фазовый сдвиг 180 °, что означает, что вход и выход обратно пропорциональны друг другу.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Входные и выходные характеристики конфигурации с общим эмиттером

  1. Входные характеристики транзистора

Входная характеристика транзистора получается между входным током IB и входным напряжением VB посредством имеющий постоянное выходное напряжение VCE. Поддерживая постоянное выходное напряжение VCE и изменяя входное напряжение VBE в разных точках, мы можем проверить значения входного тока в каждой из точек.Теперь, используя значения, полученные из разных точек, строят график, отображая значения IB и VBE при постоянном VCE.

Rin = VBE / IB (при постоянном VCE)

Это уравнение, необходимое для расчета входного сопротивления Rin.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

  1. Выходные характеристики

Выходная характеристика общего эмиттера получается между выходным напряжением VCE и выходным током IC при постоянном входном токе IB.Сохраняя постоянный базовый ток IB и изменяя значение выходного напряжения VCE в разных точках, мы можем вычислить значение IC коллектора для каждой точки. Теперь, если мы построим график между IC и VCE, мы получим выходные характеристики общей конфигурации эмиттера.

Rout = VCE / IC (при постоянном IB)

Это уравнение для расчета выходного сопротивления.

(изображение будет загружено в ближайшее время)

Характеристики транзистора — MyRank

Характеристики транзистора

Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое используется для переключения или усиления электронных сигналов и электроэнергии.Он состоит из полупроводникового материала, как минимум, с тремя выводами для подключения к внешней цепи.

Характеристики транзистора графики, которые представляют отношения между текущим и напряжения транзистора в конкретной конфигурации. Учитывая схемы конфигурации транзисторов должны быть аналогичны двухпортовой сети, тогда могут быть проанализированы с использованием характеристических кривых, которые могут быть следующими: типы:

Выходные характеристики: Это график зависимости выходного тока от выходное напряжение при постоянном входном токе.

Входные характеристики: Они описывают изменения во входных данных. ток с изменением значений входного напряжения, сохраняя выходное постоянное напряжение.

Характеристики передачи тока: Эта характеристическая кривая показывает изменение выходного тока в соответствии с входным током, сохраняя постоянное выходное напряжение.

Электрические свойства транзистор можно описать, показав взаимосвязь между различными напряжения и токи.Эти отношения между напряжениями и токами могут быть смещены графически, и полученные кривые известны как транзистор характеристические кривые.

Характеристики переходного транзистора можно получить по:

1. Транзистор с общим эмиттером

2. Транзистор с общей базой

3. Транзистор с общим коллектором.

Мы обсуждаем только Общие Эмиттерные характеристики переходного транзистора. Общий эмиттер характеристики можно получить, изучив график между напряжением и электрический ток.База действует как входной терминал, коллектор действует как выходной терминал и эмиттер — земля.

Батарея база-эмиттер смещены вперед переходом база-эмиттер и коллектор-эмиттерная батарея обратное смещение коллекторного перехода базы. Базовый ток и коллектор-эмиттерная батарея обратносмещена переходом база — коллектор. В базовый ток и ток коллектора измеряются амперметром и напряжение и измеряется вольтметром.

В-I характеристика транзистора

Презентация на тему: «ВАХ транзистора» — Расшифровка презентации:

1 Вольт-амперная характеристика транзистора
Поведение транзистора наблюдается с помощью его вольт-амперной характеристики.Есть два типа характеристик. 1. Входная характеристика 2. Выходная характеристика Входная характеристика: Входная характеристика транзистора дает соотношение между входным током и входным напряжением для постоянного выходного напряжения. Выходная характеристика: выходные характеристики транзистора показывают соотношение между выходным током и выходным напряжением при постоянном входном токе.

2 Вольт-амперные характеристики в конфигурации cb

3 Входные характеристики
Входные характеристики — это кривая, построенная между IE и VEB.При постоянном базовом напряжении VCB. Сохраняя постоянный VCB (например, 2V), запишите IEB для разных VEB. Это даст входную характеристику.

4 Вольт-амперные характеристики в конфигурации cb

5 Входные характеристики
Наблюдения: — (i) Ток эмиттера очень мал, когда базовое напряжение эмиттера VEB ниже предельного напряжения.(ii) После перегиба напряжения ток эмиттера быстро увеличивается. Входное сопротивление (ri): — Это отношение изменения напряжения эмиттера ∆VEB к результирующему изменению тока эмиттера ∆IE при постоянном напряжении базы коллектора VCB.

6 Выходные характеристики
Выходные характеристики: — Это кривая между IC и VCB при постоянном токе эмиттера. Сохраняя фиксированный ток эмиттера IE, обратите внимание на ток коллектора IC для различных значений напряжения базы коллектора VCB.

7 Выходные характеристики
Выходные характеристики имеют 3 основные области: Активная область — определяется схемами смещения. Область отсечки — область, где ток коллектора составляет 0A. Область насыщения — область характеристик слева от VCB = 0V.

8 Кривые (выходные характеристики) ясно показывают, что первое приближение к взаимосвязи между IE и IC в активной области определяется как IC ≈IE. Когда транзистор находится в состоянии «включено», предполагается, что напряжение база-эмиттер будет равным. VBE = 0.7В

9

10 НАБЛЮДЕНИЕ: — 1. Ток коллектора Ic изменяется в зависимости от VCB только при очень низком напряжении (VCB <0). Транзистор никогда не работает в этой области. 2. Ток коллектора IC почти постоянен, когда напряжение превышает напряжение отключения. Это означает, что теперь Ic не зависит от VCB и зависит от IE.ВЫХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ: - Это отношение изменения базового напряжения коллектора (∆VCE) к изменению тока коллектора (∆IC) при постоянном токе эмиттера.

11 V-I характеристики конфигурации CE

12 V-I характеристики конфигурации CE

13 Входная характеристика — это кривая, построенная между IB и VBE.
Входная характеристика — это кривая, построенная между IB и VBE.При постоянном напряжении коллектора-эмиттера VCE. Сохраняя постоянный VCE, запишите IB для разных VBE. Это даст входную характеристику.

14 Входные характеристики
IB — микроампер относительно миллиампер IC. IB будет течь, когда VBE> 0,7 В для кремния и 0,3 В для германия. До этого значения IB очень мало и нет IB. Переход база-эмиттер имеет прямое смещение. Увеличение VCE приведет к уменьшению IB для разных значений.Входные характеристики NPN-транзистора с общим эмиттером

15 Наблюдение: — По сравнению с конфигурацией CB, IB увеличивается медленнее с увеличением VBE. Следовательно, входное сопротивление конфигурации CE выше, чем у конфигурации CB. Входное сопротивление: — это отношение изменения напряжения базы-эмиттера (∆VBE) к изменению базового тока (∆IB) при постоянном VCE.

16 Выходные характеристики
Для малых VCE (VCE VCESAT IC не полностью зависит от VCE  постоянная IC IB (uA) очень мала по сравнению с IC (mA).Небольшое увеличение IB вызывает большое увеличение IC IB = 0 A  ICEO происходит. Обратите внимание на значение, когда IC = 0A. Есть еще некоторая стоимость текущих потоков.

17 Замечание: — 1. Ток коллектора IC изменяется в зависимости от VCE только в пределах от 0 до 1 В. После этого ток коллектора становится почти постоянным, независимо от VCE. 2. Для любого значения VCE выше коленного напряжения ток коллектора IC приблизительно равен βIB .. 3. Транзисторы работают в области выше коленного напряжения.Выходное сопротивление: — это отношение изменения напряжения коллектор-эмиттер (∆VCE) к изменению тока коллектора (IC) при постоянном IB.

18 Сравнение конфигурации транзисторов
S.NO ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЩАЯ БАЗА ОБЩИЙ ЭМИТТЕР ОБЩИЙ КОЛЛЕКТОР 1 Входное сопротивление Низкое (около 100 Ом) высокое (около 750 Ом) Очень высокое (около 750 Ом) 2 Выходное сопротивление Очень высокое (около 450 Ом) Высокое (около 45 кОм) (около 50 Ом) 3 Коэффициент усиления по напряжению (около 150) (около 500) Очень низкий (менее 1) 4 Ток утечки Очень маленький (5 мкА для Ge) Очень большой (500 мкА для Ge) (500 мкА для Ge) 5 Применение Для высокочастотных приложений Для звуковых частот Для согласования импеданса

19 Вывод: — Схема с общим эмиттером — наиболее эффективная причина: — 1.Усиление высокого тока 2. высокое напряжение и усиление мощности.


Входные и выходные характеристики транзистора

В другой статье мы обсудили биполярный транзистор и различия между NPN и PNP транзисторами . Но входные и выходные характеристики транзистора очень полезны для понимания основного принципа работы транзистора. Поэтому в этой статье мы собираемся обсудить входные и выходные характеристики транзистора.Основное внимание уделяется характеристике транзистора BJT. Возможны три конфигурации транзистора. Это общий эмиттер ( CE ), общая база ( CB ) и общий коллектор ( CC ). В этой статье мы будем использовать CE конфигурации транзистора.

Содержание в этой статье:

  • Характеристики Кривые
  • Принципиальная схема для построения входных и выходных характеристик транзистора
  • 9354 9354
  • 9354 9354 Выходные характеристики транзистора
  • Активная область
  • Область насыщения
  • Область отсечки
  • Кривые инвертированной области

    представляют собой графические графики, показывающие изменение тока в зависимости от приложенного напряжения.Это актуально для любой электрической и электронной схемы. По этим кривым характеристик можно определить работу этой схемы. В этой статье мы собираемся обсудить кривые входных и выходных характеристик биполярного транзистора .

    Принципиальная схема для построения кривой входных и выходных характеристик транзистора

    Кривые характеристик транзистора можно построить, используя следующую схему транзисторного усилителя .Здесь в режиме общего эмиттера используется NPN-транзистор.

    Схема транзисторного усилителя

    В BE — входное напряжение, В CE — выходное напряжение, I B — входной ток и I C — выходной ток. Для измерения входных и выходных напряжений и токов в этой схеме используются два вольтметра и два амперметра. Эту схему можно использовать и в практических целях. Эта схема также используется для экспериментов с характеристиками транзисторов.

    Входные характеристики транзистора

    Кривая входных характеристик — это график, который показывает изменение входного тока с входным напряжением. Итак, здесь мы проанализируем изменение тока базы (I B ) в зависимости от напряжения база-эмиттер (V BE ). Чтобы нарисовать кривую I B и V BE , нам необходимо заземлить выходной терминал. Это означает, что нам нужно подключить клемму коллектора к клемме эмиттера, поскольку эмиттер уже заземлен в режиме CE.В этом состоянии транзистор ведет себя как диод p-n перехода . Таким образом, кривая I B vs V BE будет аналогична кривой характеристик диода. На рис.1 представлена ​​кривая входных характеристик транзистора в режиме CE.

    Кривая входных характеристик транзистора

    Чтобы построить кривую I B и V BE , нам необходимо собрать данные для I B и V BE через соответствующие амперметр и вольтметр . Затем мы должны построить кривую с помощью этих данных.Имеется экспоненциальный рост на базового текущего с увеличением V BE .

    Выходные характеристики транзистора

    Кривая выходных характеристик транзистора показывает изменение выходного тока с изменением выходного напряжения. Ток коллектора транзистора с общим эмиттером — это выходной ток, а напряжение между коллектором и эмиттером — это выходное напряжение. На рис.2 показана кривая выходных характеристик транзистора.

    Кривая выходных характеристик транзистора

    После сбора данных для I C и V CE с помощью соответствующего амперметра и вольтметра можно легко построить кривую I C против V CE .На графике видно, что вначале происходит быстрое увеличение тока коллектора, а затем ток коллектора становится почти постоянным. Если увеличить V CE дальше, произойдет пробой и тогда транзистор может выйти из строя. Выходную кривую можно разделить на четыре области —

    • Активная область (область, в которой выходной ток становится почти постоянным)
    • Область насыщения (горизонтальные пунктирные линии (—-) на выходной кривой указывают на область насыщения транзистора)
    • Отсечка область (//// линии на выходной кривой указывают область отсечки)
    • Инвертированная область (появляется после пробоя, который не показан на выходной кривой)

    Активная область транзистора

    Область на выходной кривой Транзистор, у которого выходной ток почти постоянен и не зависит от выходного напряжения, является активной областью транзистора.Если сопротивление базы больше максимально допустимого значения, транзистор работает в активной области. Транзистор можно использовать в качестве усилителя , только если он работает в активной области. Также для работы в активной области эмиттерный переход должен иметь прямое смещение, а коллекторный переход — обратное смещение.

    Область насыщения Транзистора

    Область насыщения — это область на выходной кривой транзистора, где ток коллектора быстро увеличивается при небольшом увеличении выходного напряжения.Чтобы транзистор работал в области насыщения, сопротивление базы должно быть меньше максимально допустимого значения. Кроме того, для работы в области насыщения и эмиттерный, и коллекторный переходы должны находиться в прямом смещении. В области насыщения транзистор действует как включенный каскад переключателя.

    Область отключения транзистора

    В области отключения базовый ток почти равен нулю. Следовательно, ток коллектора также становится нулевым даже при более высоком выходном напряжении.Чтобы транзистор работал в области отсечки, как эмиттерный, так и коллекторный переходы должны находиться в состоянии обратного смещения. В отключенной области транзистор действует как выключенный каскад переключателя.

    Инвертированная область транзистора

    Это инверсия активной области. Транзистор будет работать в перевернутой области, если его эмиттерный переход находится в обратном смещении, а коллекторный переход находится в прямом смещении. В этой области происходит пробой, и ток коллектора быстро увеличивается.В инвертированной области нет большого практического использования транзистора. Поэтому работа транзистора в этой области используется редко. Эта область не показана на выходной диаграмме.

    a Переключатель (стадия ВЫКЛ.)
    Область действия Смещение эмиттерного перехода Смещение коллекторного перехода Использование транзистора в этой области
    Активная область Смещение Прямое смещение Как усилитель
    Область насыщения Прямое смещение Прямое смещение В качестве переключателя (каскад ВКЛ)
    Область отсечки Обратное смещение Обратное смещение
    Инвертированная область Обратное смещение Прямое смещение (редко используется)
    условия и использование различных областей выходной кривой

    Это все из этой статьи на Входные и выходные характеристики транзистора.В этой статье мы узнали, как построить кривые входных и выходных характеристик для BJT-транзистора, работающего в режиме CE. Затем мы узнали четыре области кривой выхода транзистора и их использование. Если у вас есть какие-либо сомнения или вопросы по этой теме, вы можете спросить меня в разделе комментариев.

    Спасибо!

    Связанные сообщения:

    1. Биполярный переходной транзистор
    2. Транзистор в качестве переключателя
    3. Разница между NPN и PNP транзистором
    4. в качестве диода стабилизации напряжения

    Узнайте об электронике — викторина по биполярным переходным транзисторам

    • Изучив этот раздел, вы сможете:
    • Разберитесь в использовании обычных графиков характеристик транзисторов.
    • • Передаточные характеристики.
    • • Входные и выходные характеристики.
    • • Взаимные характеристики.
    • При описании работы переходных транзисторов.

    BJT — это транзистор, управляемый током, что означает, что ток, протекающий между эмиттером и коллектором транзистора, намного больше, чем ток между базой и эмиттером. Таким образом, небольшой базовый ток контролирует гораздо больший ток коллектора / эмиттера.Отношение двух токов, I CE / I BE , является постоянным при условии, что напряжение коллектора-эмиттера V CE является постоянным. Следовательно, если ток базы увеличивается, ток коллектора увеличивается.

    Рис. 3.5.1 Передаточная характеристика.

    Передаточная характеристика BJT

    Это соотношение представляет собой УСИЛЕНИЕ ТОКА транзистора и обозначается символом h fe . Транзистор с довольно низким коэффициентом усиления может иметь коэффициент усиления по току от 20 до 50, в то время как тип с высоким коэффициентом усиления может иметь коэффициент усиления от 300 до 800 или более.Разброс значений h fe для любого данного транзистора довольно велик, даже для транзисторов одного типа и партии. График I CE / I BE , показанный на рис. 3.5.1, называется ПЕРЕДАЧНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ, а наклон графика показывает h fe для этого транзистора.

    Можно нарисовать характеристические кривые (графики), чтобы показать другие параметры транзистора, и они используются как для детализации характеристик конкретного устройства, так и в качестве помощи при проектировании усилителей.Показанные здесь примеры типичны для BJT, когда они используются в качестве усилителей напряжения.

    Входная характеристика BJT

    Рис. 3.5.2 Входная характеристика.

    ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА (рис. 3.5.2), график зависимости тока базового эмиттера I BE от напряжения базового эмиттера V BE (I BE / V BE ) показывает входную проводимость транзистора. Поскольку проводимость I / V обратно пропорциональна СОПРОТИВЛЕНИЮ (V / I), эту кривую можно использовать для определения входного сопротивления транзистора.Крутизна этой конкретной кривой, когда напряжение V BE превышает 1 вольт, показывает, что входная проводимость очень высока, и есть большое увеличение тока (на практике обычно достаточно, чтобы разрушить транзистор!) Для очень небольшого увеличения. в V BE . Следовательно, входное СОПРОТИВЛЕНИЕ должно быть низким. График кривых составляет от 0,6 до 0,7 вольт, показывая, что входное сопротивление транзистора изменяется в зависимости от протекающего базового тока, и ниже примерно 0,5 вольт базовый ток прекращается.

    Выходная характеристика BJT

    Рис. 3.5.3 Выходная характеристика.

    На рис. 3.5.3 показана ВЫХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, крутизна которой дает значение выходной проводимости (и, косвенно, выходного сопротивления). Почти горизонтальные части линий графика показывают, что изменение напряжения коллектор-эмиттер V CE почти не влияет на ток коллектора в этой области, как раз тот эффект, которого следовало ожидать, если бы на выходе транзистора последовательно с ним был установлен резистор большого номинала. .Поэтому график показывает, что выходное сопротивление транзистора высокое.

    Эти характерные графики показывают, что для кремниевого транзистора с входом, применяемым между базой и эмиттером, и выходом, принимаемым между коллектором и эмиттером (метод соединения, называемый режимом общего эмиттера), можно было бы ожидать;

    • • Низкое входное сопротивление (от входной характеристики).
    • • Достаточно высокий коэффициент усиления (от передаточной характеристики).
    • • Высокое выходное сопротивление (от выходной характеристики).

    Взаимная характеристика BJT

    Рис. 3.5.4 Взаимная характеристика.

    Рис. 3.5.4, ВЗАИМНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА показывает график ВЗАИМНОЙ ПРОВОДИМОСТИ I C / V BE и иллюстрирует изменение тока коллектора, которое происходит при заданном изменении напряжения базы-эмиттера (т. Е. Напряжения входного сигнала). . Этот график относится к типичному кремниевому силовому транзистору. Обратите внимание на возможные большие токи коллектора и почти линейную зависимость между входным напряжением и выходным током.

    Характеристики, описанные на этой странице, относятся к типичному силовому транзистору, подключенному в режиме «общий эмиттер». Это один из трех возможных режимов подключения транзистора, описанных в модуле 3.6 BJT. — Транзисторные соединения.

    Примечание: во многих транзисторах токи будут намного меньше, чем показано в этих примерах. Для усилителей слабого сигнала базовые токи будут составлять несколько микроампер, а не миллиампер.

    Начало страницы

    Типы конфигураций транзисторов

    — характеристики со сравнительной таблицей

    Транзисторы

    являются основным оборудованием, необходимым для формирования устройств.Следовательно, разработка этих транзисторов была заменой электронных ламп. Базовый транзистор может быть образован комбинацией полупроводника p-типа и полупроводника n-типа. Эта комбинация зажата между одним p-типом и двумя n-типами. Другая комбинация состоит из двух p-типов и одного n-типа. Поэтому образуются транзисторы N-P-N и P-N-P.

    Эти транзисторы можно классифицировать на основе проводимости, по которой очевиден несущий поток. Если проводимость обусловлена ​​как основными, так и неосновными носителями заряда, транзистор классифицируется как биполярный.Если проводимость возникает только у большинства, она называется униполярной. Таким образом формируются биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET).

    Схема транзистора

    Транзистор спроектирован таким образом, что они состоят из трех выводов, обычно известных как эмиттер, база и коллектор. Основная причина разработки таких конфигураций заключается в том, что для обеспечения входных и выходных соединений схемы требуются четыре клеммы.Следовательно, это можно сделать возможным, сделав один общий вывод, который может быть базой, эмиттером или коллектором.

    Эта конструкция предназначена для использования этой схемы в различных приложениях. Разработанные конфигурации, основанные на его требованиях, используются в электронных модулях.

    Различные конфигурации транзисторов

    Возможны три конфигурации этих транзисторов, известные как общая база, общий эмиттер и общий коллектор.Каждая конфигурация имеет собственное значение с точки зрения усиления.

    1. В конфигурации с общей базой нет усиления по току, но присутствует усиление по напряжению.
    2. В общем коллекторе есть усиление по току, но не будет усиления по напряжению.
    3. Общий эмиттер — это конфигурация, в которой присутствует усиление как по току, так и по напряжению.

    Таким образом, наиболее широко используются конфигурации с общим эмиттером.

    1) Общая базовая конфигурация

    Как следует из названия, конфигурация является общей клеммной базой, она остается общей для соединений как входной, так и выходной цепи.Напряжение приложено на стыке эмиттера и базы. Здесь эмиттер и база упоминаются как сторона входа, а коллектор известен как сторона выхода соединения схемы.

    Значение тока, протекающего от клеммной базы к эмиттеру, должно быть более высоким. Это указывает на то, что значение тока на коллекторе меньше, чем значение тока, протекающего через эмиттер. Характеристики входа основаны на напряжении, приложенном к клеммам база и эмиттер, и току на клеммах эмиттера.Выходная характеристика для этой конфигурации основана на параметрах напряжения, приложенного на выводах базы и коллектора, и тока, генерируемого на выводе коллектора.

    Общая базовая конфигурация

    Значение текущего усиления в этом случае либо равно, либо считается меньшим, чем значение единицы. Генерируемые входные и выходные сигналы останутся синфазными. Такая конфигурация имеет наивысшее значение импеданса, а не выхода.Характеристики выходных сигналов демонстрируют сходство с диодом, работающим в прямом смещении.

    Входные характеристики

    Входные характеристики для этого типа конфигурации измеряются по изменению значения напряжения на выводах эмиттера и базы в разных точках, поддерживая постоянное значение напряжения на коллекторе и базе. . Отсюда измеряется входное значение тока эмиттера. На основании чего строится график.

    Входные характеристики с общей базой

    Выходные характеристики

    График построен между напряжением на выходе и током, сохраняя входное значение тока на постоянном уровне, что дает выходные характеристики для этой конфигурации.

    Характеристики выхода с общей базой

    2) Конфигурация с общим коллектором

    Это конфигурация, в которой клемма коллектора является общей для входных и выходных соединений схемы.При этом напряжение на выводе эмиттера следует за напряжением на выводе базы. Следовательно, эта схема называется схемой, следующей за эмиттером. Такая схема полезна в приложениях в качестве буфера.

    Конфигурация общего коллектора

    Входное значение импеданса высокое. Следовательно, они применимы во время согласования методов импеданса. Рассмотренные входные сигналы подаются между выводами коллектора и базы. Выход должен приниматься или считаться между выводами коллектора и эмиттера.

    Сгенерированные входной и выходной сигналы остаются синфазными. Входными параметрами являются напряжение между клеммной базой и коллектором и ток на клеммной базе. Выходными параметрами являются ток коллектора и напряжение на выводах эмиттера и коллектора.

    Входные характеристики

    Характеристики этого типа конфигурации сильно отличаются от других конфигураций. Здесь напряжение на коллекторе и выводе базы определяется уровнем напряжения на эмиттере и коллекторе.

    Характеристики входа общего коллектора

    Поддерживая постоянные значения напряжения на коллекторе и эмиттере, строится график между параметрами тока базы и значением напряжения на коллекторе и выводах базы.

    Выходные характеристики

    Поскольку известно, что конфигурация коллектора соответствует конфигурации эмиттера, работа выхода аналогична работе конфигурации эмиттера. В этой конфигурации, если к клемме базы не приложено напряжение, в схеме не будет очевидного протекания тока.

    Выходные характеристики общего коллектора

    График построен между током эмиттера и напряжением на выводах коллектора и эмиттера путем поддержания постоянного значения тока базы.

    3) Конфигурация с общим эмиттером

    Это наиболее широко используемая конфигурация, поскольку усиление как по напряжению, так и по токам увеличивает значение усиления мощности. В этом случае напряжение входа прикладывается между выводами эмиттера и базы.Выходной сигнал берется через клеммы эмиттера и коллектора. Отсюда эта схема инвертирующего типа.

    Конфигурация с общим эмиттером

    Параметры входа для этого типа конфигурации — это напряжение на базе и эмиттере, а также ток на клемме базы. Параметры, на основе которых характеризуются выходные сигналы, — это напряжение на выводах коллектора и эмиттера, а также ток на выводе коллектора.

    Это наиболее широко используемые конфигурации по сравнению с другими конфигурациями в схемах усилителя.Значение тока на оконечном эмиттере представляет собой сумму отдельных токов на базе и коллекторе. Импеданс на входе и выходе имеет минимальное значение. Это делает конфигурацию более эффективной.

    Коэффициент усиления между отношением тока на выводе коллектора и выводе эмиттера измеряется в единицах альфа. Коэффициент усиления для отношения между токами клеммы коллектора и базы измеряется в единицах бета. Сгенерированный выходной сигнал имеет сдвиг по фазе примерно на 180 градусов, что соответствует входному и выходному сигналам, которые обратно пропорциональны фазам.

    Входные характеристики

    График построен между током на базе и значением напряжения на выводах базы и эмиттера.

    Общие входные характеристики эмиттера

    Выходные характеристики

    График построен между значениями тока коллектора и значением напряжения на выводах коллектора и эмиттера.

    Выходные характеристики общего эмиттера

    Таблица сравнения конфигураций транзисторов

    В основном биполярный переходный транзистор (BJT) состоит из выводов эмиттера, базы и коллектора.Для этих клемм были разработаны эти конфигурации, основанные на объединении одной клеммы, чтобы она могла действовать совместно как для входных, так и для выходных цепей.

    Конфигурации транзисторов

    Common Base

    5000

    1. Значение коэффициента усиления по току составляет

    Низкое

    Высокое

    Среднее

    5 Значение 5 2 Напряжение 2,5

    Высокий

    Низкий

    Средний

    3. Значение усиления мощности составляет

    0

    9854

    Высокая

    4. Величина фазового соотношения между сигналами входа и выхода составляет

    Нулевая степень

    000

    000

    000

    000

    000

    Степень

    5. Сопротивление на входе

    Низкое

    05

    6. Сопротивление на выходе

    Высокое

    Низкое

    Среднее

    9000 три существующих конфигурации терминалов, присутствующих на трех терминалах, присутствуют три конфигурации терминала

    в этом.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *