Параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой, страница 8

Параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой, страница 8

Электротехника \ Физические основы микроэлектроники

Очевидно, что значения параметров транзистора будут различны в схемах с ОБ, ОЭ и ОК. Принято отмечать параметры в зависимости от схемы включения дополнительными индексами: при работе транзистора в схеме с ОБ — буквой б, в схеме с ОЭ — э, а в схеме с ОК — к. Для схемы с ОБ можно записать:

       

где  и  малые амплитуды переменных составляющих токов и напря­жений транзистора.

Наиболее просто h-параметры определить по статическим характе­ристикам транзистора. При этом частные производные токов и напряже-

Рис. 7.       Определение h-параметров по статическим характери­стикам.

ний заменяются конечными малыми приращениями. Параметры h₁₁ и h₁₂ определяются по входным ВАХ, a h₂₁ и h₂₂ — по выходным (рис.

7). Порядок определения h-параметров следующий:

1. Выбирается рабочая тока A() и наносится на входные и выход­
ные характеристики.

2. На входных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое

приращение напряжения  и определяется соответ­ствующее ему приращение тока  при постоянном напряже­нии . Тогда входное сопротивление транзистора

                                                                     (500 Ом–5кОм)

3.  При постоянном токе эмиттера  задается приращение напряжения определяется получившееся при этом приращение

    . Тогда коэффициент обратной связи по напряжению

                             (~10^—

⁴–10^—3)

4.  На выходных ВАХ в окрестностях рабочей точки задается некоторое приращение тока коллектора  и определяется соответ­ствующее ему приращение напряжения  при постоян­ном токе  . Тогда выходная проводимость транзистора

Рис. 8.       Формальная эквивалентная схема транзистора для системы h-параметров.

                                               (~10^-7–10^-6 Cм)

5.  При постоянном напряжении   задается приращение тока эмиттера ,  и определяется соответствующее ему приращение тока

    коллектора  Тогда коэффициент передачи тока

                                           

Скачать файл

Выбери свой ВУЗ

• АлтГТУ 419
• АлтГУ 113
• АмПГУ 296
• АГТУ 267
• БИТТУ 794
• БГТУ «Военмех» 1191
• БГМУ 172
• БГТУ 603
• БГУ 155
• БГУИР 391
• БелГУТ 4908
• БГЭУ 963
• БНТУ 1070
• БТЭУ ПК 689
• БрГУ 179
• ВНТУ 120
• ВГУЭС 426
• ВлГУ 645
• ВМедА 611
• ВолгГТУ 235
• ВНУ им. Даля 166
• ВЗФЭИ 245
• ВятГСХА 101
• ВятГГУ 139
• ВятГУ 559
• ГГДСК 171
• ГомГМК 501
• ГГМУ 1966
• ГГТУ им. Сухого 4467
• ГГУ им. Скорины 1590
• ГМА им. Макарова 299
• ДГПУ 159
• ДальГАУ 279
• ДВГГУ 134
• ДВГМУ 408
• ДВГТУ 936
• ДВГУПС 305
• ДВФУ 949
• ДонГТУ 498
• ДИТМ МНТУ 109
• ИвГМА 488
• ИГХТУ 131
• ИжГТУ 145
• КемГППК 171
• КемГУ 508
• КГМТУ 270
• КировАТ 147
• КГКСЭП 407
• КГТА им. Дегтярева 174
• КнАГТУ 2910
• КрасГАУ 345
• КрасГМУ 629
• КГПУ им. Астафьева 133
• КГТУ (СФУ) 567
• КГТЭИ (СФУ) 112
• КПК №2 177
• КубГТУ 138
• КубГУ 109
• КузГПА 182
• КузГТУ 789
• МГТУ им. Носова 369
• МГЭУ им. Сахарова 232
• МГЭК 249
• МГПУ 165
• МАИ 144
• МАДИ 151
• МГИУ 1179
• МГОУ 121
• МГСУ 331
• МГУ 273
• МГУКИ 101
• МГУПИ 225
• МГУПС (МИИТ) 637
• МГУТУ 122
• МТУСИ 179
• ХАИ 656
• ТПУ 455
• НИУ МЭИ 640
• НМСУ «Горный» 1701
• ХПИ 1534
• НТУУ «КПИ» 213
• НУК им. Макарова 543
• НВ 1001
• НГАВТ 362
• НГАУ 411
• НГАСУ 817
• НГМУ 665
• НГПУ 214
• НГТУ 4610
• НГУ 1993
• НГУЭУ 499
• НИИ 201
• ОмГТУ 302
• ОмГУПС 230
• СПбПК №4 115
• ПГУПС 2489
• ПГПУ им. Короленко 296
• ПНТУ им. Кондратюка 120
• РАНХиГС 190
• РОАТ МИИТ 608
• РТА 245
• РГГМУ 117
• РГПУ им. Герцена 123
• РГППУ 142
• РГСУ 162
• «МАТИ» — РГТУ 121
• РГУНиГ 260
• РЭУ им. Плеханова 123
• РГАТУ им. Соловьёва 219
• РязГМУ 125
• РГРТУ 666
• СамГТУ 131
• СПбГАСУ 315
• ИНЖЭКОН 328
• СПбГИПСР 136
• СПбГЛТУ им. Кирова 227
• СПбГМТУ 143
• СПбГПМУ 146
• СПбГПУ 1599
• СПбГТИ (ТУ) 293
• СПбГТУРП 236
• СПбГУ 578
• ГУАП 524
• СПбГУНиПТ 291
• СПбГУПТД 438
• СПбГУСЭ 226
• СПбГУТ 194
• СПГУТД 151
• СПбГУЭФ 145
• СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 379
• ПИМаш 247
• НИУ ИТМО 531
• СГТУ им. Гагарина 114
• СахГУ 278
• СЗТУ 484
• СибАГС 249
• СибГАУ 462
• СибГИУ 1654
• СибГТУ 946
• СГУПС 1473
• СибГУТИ 2083
• СибУПК 377
• СФУ 2424
• СНАУ 567
• СумГУ 768
• ТРТУ 149
• ТОГУ 551
• ТГЭУ 325
• ТГУ (Томск) 276
• ТГПУ 181
• ТулГУ 553
• УкрГАЖТ 234
• УлГТУ 536
• УИПКПРО 123
• УрГПУ 195
• УГТУ-УПИ 758
• УГНТУ 570
• УГТУ 134
• ХГАЭП 138
• ХГАФК 110
• ХНАГХ 407
• ХНУВД 512
• ХНУ им. Каразина 305
• ХНУРЭ 325
• ХНЭУ 495
• ЦПУ 157
• ЧитГУ 220
• ЮУрГУ 309

Полный список ВУЗов

Уважаемый посетитель!

Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).

Ссылка на скачивание — внизу страницы.

Электроника

В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев Электроника. М: Высшая школа, 1991 г. — 622 с. В книге рассмотрены принципы работы и основы теории электронных приборов и схем, приведены основные сведения о принципе работы и свойствах типовых элементов электронных и оптоэлектронных устройств, усилительных каскадов, многокаскадных интегральных усилителей, аналоговых преобразователей электрических сигналов, электронных ключей, цифровых схем и автогенераторов. Второе издание (1-е-1982) дополнено новым материалом — пассивными компонентами электронных цепей, компонентами устройств для отображения информации, аналоговыми преобразователями электрических сигналов, перемножителями напряжений и детекторами электрических сигналов. К книге добавлены главы из первого издания, усеченные во 2-м. Для студентов вузов, обучающихся по направлениям «Биомедицинская техника», «Приборостроение», «Электроника и микроэлектроника». Будет полезен студентам других направлений электротехнического профиля: «Электротехника, электромеханика и электротехнологии», «Электроэнергетика» и др. Оглавление ПРЕДИСЛОВИЕ ВВЕДЕНИЕ ГЛАВА 1. ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ § 1.1. РЕЗИСТОРЫ Основные параметры резисторов § 1.2. КОНДЕНСАТОРЫ Основные параметры постоянных конденсаторов 1.3. КАТУШКИ ИНДУКТИВНОСТИ Основные параметры катушки индуктивности (ГОСТ 20718—75) § 1. 4. ТРАНСФОРМАТОРЫ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ Основные параметры трансформаторов питания ГЛАВА 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕПЕЙ § 2.1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Основные положения теории электропроводности. Примесная электропроводность. § 2.2. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Концентрация носителей зарядов. Уравнения непрерывности. § 2.3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ Контакт металл — полупроводник. Контакт двух полупроводников p- и n-типов. Свойства несимметричного p-n-перехода. p-n-переход смещен в прямом направлении Переход, смещенный в обратном направлении. Переходы p-i, n-i-, p+-p-, n+-n-типов. 2.4. ОСОБЕННОСТИ РЕАЛЬНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ Пробой p-n-перехода. § 2.5. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ § 2.6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Выпрямительные диоды. Основные параметры выпрямительных диодов и их значения у маломощных диодов Импульсные диоды. Полупроводниковые стабилитроны. Варикапы. Диоды других типов. § 2.7. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Математическая модель транзистора. Три схемы включения транзистора. Инерционные свойства транзистора. Шумы транзистора. Н-параметры транзисторов. § 2.8. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИНЖЕКЦИОННЫМ ПИТАНИЕМ § 2.9. ТИРИСТОРЫ Симметричные тиристоры. Основные параметры тиристоров и их ориентировочные значения § 2.10. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Основные параметры полевых транзисторов и их ориентировочные значения § 2.11. ОСОБЕННОСТИ КОМПОНЕНТОВ ЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕПЕЙ В МИКРОМИНИАТЮРНОМ ИСПОЛНЕНИИ Пассивные компоненты ИС. Конденсаторы. Индуктивности. Транзисторы ИС. Изоляция компонентов в монолитных интегральных узлах. ГЛАВА 3. КОМПОНЕНТЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ И ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ § 3.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О КОМПОНЕНТАХ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ § 3.2. УПРАВЛЯЕМЫЕ ИСТОЧНИКИ СВЕТА Основные параметры и характеристики светодиодов § 3. 3. ФОТОПРИЕМНИКИ Основные характеристики и параметры фоторезистора Фотодиоды. Основные характеристики и параметры фотодиода Фототранзисторы. Основные характеристики и параметры фототранзистора Фототиристоры. Многоэлементные фотоприемники. Фотоприемники с внешним фотоэффектом. § 3.4. СВЕТОВОДЫ И ПРОСТЕЙШИЕ ОПТРОНЫ § 3 5. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О КОМПОНЕНТАХ УСТРОЙСТВ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ § 3.6. ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ § 3.7. ГАЗОНАПОЛНЕННЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ Основные параметры газонаполненных матричных панелей неременного тока § 3.8. ВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ § 3.9. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ГЛАВА 4. УСИЛИТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ § 4.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ, ИХ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРАХ И ХАРАКТЕРИСТИКАХ § 4.2. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ТЕОРИИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ ПРИМЕНИТЕЛЬНО К УСИЛИТЕЛЯМ § 4. 3. СТАТИЧЕСКИЙ РЕЖИМ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ § 4.4. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ Каскад с общим стоком. § 4.5. УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ Входное сопротивление. § 4.6. УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ § 4.7. УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ Сложные эмиттерные повторители. § 4.8. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ § 4.9. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ И С КАСКОДНЫМ ВКЛЮЧЕНИЕМ ТРАНЗИСТОРОВ § 4.10. УПРАВЛЯЕМЫЕ ИСТОЧНИКИ ТОКА И УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ИХ ОСНОВЕ 4.11. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ С ТРАНСФОРМАТОРНОЙ СВЯЗЬЮ 4.12. МОЩНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ Каскад с ОБ трансформаторным входом и трансформаторным выходом. Двухтактные выходные каскады. § 4.13. БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫЕ МОЩНЫЕ ВЫХОДНЫЕ КАСКАДЫ ГЛАВА 5. МНОГОКАСКАДНЫЕ УСИЛИТЕЛИ § 5.1. МНОГОКАСКАДНЫЕ УСИЛИТЕЛИ Параметры RC-цепи связи. § 5. 2. УСИЛИТЕЛИ В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ 5.3. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ § 5.4. ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ § 5.5. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ С УЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ § 5.6. ОСОБЕННОСТИ ВКЛЮЧЕНИЯ И СВОЙСТВА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ, ОХВАЧЕННЫХ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ § 5.7. УСТОЙЧИВОСТЬ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОРРЕКЦИЯ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛАВА 6. АНАЛОГОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ § 6.1. МАСШТАБНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 6.2. ЛИНЕЙНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ 6.3. ИНТЕГРИРУЮЩИЕ УСТРОЙСТВА Интеграторы на основе операционных усилителей. § 6.4. ДИФФЕРЕНЦИРУЮЩИЕ УСТРОЙСТВА Активные дифференцирующие устройства. § 6.5. АКТИВНЫЕ ФИЛЬТРЫ § 6.6. МАГНИТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ § 6.7. НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ § 6.8. ПЕРЕМНОЖИТЕЛИ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВА, ВЫПОЛНЯЮЩИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ § 6.9. ДЕТЕКТОРЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ § 7. 1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ИМПУЛЬСНЫХ ПРОЦЕССАХ И УСТРОЙСТВАХ § 7.2. ДИОДНЫЕ КЛЮЧИ § 7.3. КЛЮЧИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ § 7.4. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КЛЮЧЕВЫХ ЦЕПЯХ С БИПОЛЯРНЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ 7.5. КЛЮЧИ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ § 7.6. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В КЛЮЧАХ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ ГЛАВА 8. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ, ТРИГГЕРЫ, АВТОГЕНЕРАТОРЫ § 8.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТАХ § 8.2. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 8.3. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ § 8.4. ТРИГГЕРЫ § 8.5. НЕСИММЕТРИЧНЫЕ ТРИГГЕРЫ § 8.6. ГЕНЕРАТОРЫ КОЛЕБАНИЙ Генераторы напряжения прямоугольной формы. Генераторы линейно изменяющегося напряжения (ГЛИН). Генераторы напряжения треугольной формы. Генераторы синусоидальных колебаний. Генераторы LC-типа. Генераторы с кварцевыми резонаторами и электромеханическими резонансными системами. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Приложение Схемы включения операционных усилителей ЛИТЕРАТУРА

h-параметр Модель для транзистора

Кривые статических характеристик транзистора нелинейны. Но при работе с малым сигналом рабочая точка перемещается относительно точки покоя в небольшом диапазоне. Тогда параметры транзистора можно считать постоянными в этом небольшом диапазоне работы.

Чтобы управлять моделью h-параметра для транзистора, мы рассмотрим базовую схему усилителя CE на рисунке 1. Переменная i _B , i _C , v _B (=v _BE ) и v _C (v _CE ) представляют мгновенные суммарные значения токов и напряжений. В качестве независимых переменных выбраны входной ток i _B и выходное напряжение v _C . Тогда переменные v _B и i _C являются функциями i _B и v _C . мы можем написать

            …..(1)

          ….. (2)

Разложение уравнения (1) и (2) в ряд Тейлора относительно рабочей точки нулевого сигнала (I _B , V _c ) и пренебрегая членами высшего порядка, получаем принимаются при постоянном токе базы.

Величины , и представляют собой небольшие приращения напряжения и тока базы и коллектора и могут быть представлены символами v _b , i _c , i _b и v _c соответственно. Тогда мы можем переписать уравнения (3) и (4) как показано ниже: 7c)

        …..(7d)

Частные производные в уравнениях (7) определяют h-параметры транзисторов в конфигурации CE.

Параметры h _fe являются наиболее важными параметрами слабого сигнала транзистора и называются малым сигналом, обозначаемым ‘ (как уже определено ранее).

В случае, если синусоидальное напряжение является током, уравнение (7a) принимает вид Предполагая синусоидальные напряжения и токи, были использованы действующие значения I _b , I _c , V _b и V _c . Точно такие же модели могут быть построены для конфигураций CB и CE с использованием h-параметров, соответствующих конфигурациям.

Модель уравнения (3) и соответствующие уравнения действительны как для транзисторов PNP, так и для транзисторов NPN и не зависят от импеданса нагрузки метода смещения.

На рис. 3 представлены модели h-параметров для транзистора в конфигурациях CB и CC. Можно отметить, что в конфигурации CC на рисунке 3(b) B и C являются входными клеммами, а E и C являются выходными клеммами.

Уравнения (5) и (6) действительны для модели CE на рисунке 2. Аналогичные уравнения с использованием h-параметров CB и CC могут быть написаны соответственно для моделей CB и CC.

Для каждой из трех конфигураций применение закона тока Кирхгофа (KCL) дает, что сумма тока I _b + I _c + I _e = 0,

Модели рисунков 2 и 3 представляют собой соответствующие уравнения, действительные как для транзисторов NPN, так и для транзисторов PNP, и не зависят от характера импеданса нагрузки или метода предвзятости.

Графическое определение h-параметров

Кривые статической входной характеристики могут использоваться для графического определения параметров h _{, т.е.} и h _{относительно} , с использованием уравнений 7(a) и 7(b) соответственно. Точно так же кривые статических выходных характеристик могут использоваться для определения h _fe и h _oe с использованием уравнений 7(c) и 7(d) соответственно.

Изменение h-параметров транзистора

Все четыре h-параметра транзистора любой конфигурации, а именно CE, CB и CC, изменяются в зависимости от изменения тока коллектора I _C и температуры перехода коллектора. Обычно I _C = 1 мА принимается за ток коллектора опорного напряжения. Аналогично температура перехода коллектора T _j = 25 ⁰ принимается в качестве эталонной температуры.

Значение h-параметров типичного транзистора

В таблице 1 приведены значения h-параметров типичного транзистора для конфигураций CE, CB и CC.

Таблица 1 Значения h-параметров типичного транзистора
С.Н.	Параметр	СЕ	КБ	СС
1.	ч и	1100 Ом	22 Ом	1100 Ом
2.	ч р	2,5×10 -4	3×10 -4	1
3.	ч ж	50	-0,98	-51
4.	ч 0
5.	1/ч 0	40 кОм	2 МОм	40 кОм

Формулы преобразования h-параметров в трех конфигурациях

Некоторые производители предоставляют только четыре h-параметра CE, в то время как другие предоставляют h _fe , h _ib , h _ob и h _{0rb 9. Поэтому часто необходимо преобразовать один набор h-параметров в одной конфигурации в другой набор в другой конфигурации. В табл. 2 приведены приблизительные формулы преобразования h-параметров. Эти формулы дают достаточно точные результаты и могут использоваться почти во всех случаях.}

Таблица 2 Приблизительные формулы преобразования h-параметра

Таблица 2 позволяет вычислить h-параметры CC и CB, если известны h-параметры CE. Выражение для h-параметров КЭ через h-параметры ТУ можно получить из табл. 2, поменяв местами индексы b и e.

h ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА Помощь по назначению электроники и помощь в выполнении домашних заданий

ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА h Спецификации биполярных транзисторов часто включают значения h-параметров (см. рис. 4, и эти значения часто используются при проектировании и анализе ИТ-цепей Технические характеристики полевых транзисторов читать далее часто включают y-параметр Cr, который мы обсудим позже в этой главе. три соответствующих набора «параметров. Второй нижний индекс добавляется 10 к каждому символу It-P Amur-r, чтобы показать конфигурацию, для которой он применяется: e fur CF для CB. Таким образом, 12» параметры для дуги биполярного транзистора J natch h параметры с общим эмиттером h параметры с общим коллектором параметры с общей базой Если все значения параметров в одной конфигурации известны, то можно определить значения, соответствующие любой другой конфигурации. Наиболее часто приводятся значения для общего эмиттера. Значения, указанные для параметров транзистора, почти всегда являются малосигнальными величинами. Изредка. будет задано значение постоянного тока. в этом случае общепринятой практикой является использование индексов с заглавными буквами, например, «n:. Важно помнить, что все значения параметров слабого сигнала BJT подвержены влиянию тока покоя, как обсуждалось в главе 5. Каждый параметр слабого сигнала представляет собой отношение определенных переменных напряжений и токов. и каждый из них действителен только в небольшой области, в которой изменения характеристик устройства пренебрежимо малы. Рисунок 9-15 показывает, как параметры Il с общим эмиттером могут быть определены графически с использованием характеристических кривых. Обратите внимание, что в конфигурации с общим эмиттером  Поэтому. из определений параметров. вычисление и h должно быть выполнено с учетом того, что требование количества V”r tn he () равносильно требованию, чтобы величина tic оставалась постоянной. Сходным образом. расчет ч.; и ч,… требует этого. O., который удовлетворяется требованием, чтобы In оставалось постоянным. Типичным набором значений It-параметров для кремниевого NPN-транзистора является u. Рисунок 9На -10 показана эквивалентная схема it-параметров транзистора в конфигурации с общим эмиттером. Напомним, что в главе 4 мы обсуждали, как выходное напряжение транзистора влияет на его входные характеристики, и мы видели подтверждение этого факта в семействе кривых зависимости 1/1 от VHf: генерируемых различными значениями Vn·. Теперь должно быть очевидно, что этот эффект обратной связи учитывается в эквивалентной схеме It-параметра: источник напряжения h v на входе на рис. 9-16 противодействует vi: поэтому чем больше значение v, тем меньше ток. См. рис. 4 -18. Значение h является мерой того, насколько значительным является влияние обратной связи, и, поскольку t обычно очень мало, мы могли пренебречь эффектом в предыдущих обсуждениях. Схема It-параметров дает нам более точную модель анализа. Конечно, тот важный факт, что входной ток влияет на выходное напряжение, также отражен в h-фельдшерской модели. с помощью управляемого источника тока h Этот источник тот же самый, который мы использовали в нашей исходной модели транзистора; текущий источник, который мы пометили см. рис. 5-31. Таблица 9-2 дает уравнения преобразования, которые можно использовать для получения значений ii-параметров для любой конфигурации с учетом значений в другой конфигурации. В таблице также перечислены типичные значения каждого параметра в каждой конфигурации.