Простой генератор ВЧ сигнала со стабилизацией амплитуды

Схема из справочника Б.И. Горшкова «Радиоэлектронные устройства», 1984 г.
Исправляем ошибки прошлых лет в текущем периоде.

«Эх, напрасно я поверил. Эх, зазря доверился!» – приблизительно так пожаловался на горькую долю некий Саша К. в послании, поступившем мне на почту.
«Эх, напрасно ноги брила. Эх, зазря в паху скребла! А что, собственно, с вами случилось, Александр?» – вежливо поинтересовался я, несколько опасаясь длинного и нудного ответного текста.
Ан нет, напрасно опасался и зазря беспокоился: всё оказалось довольно просто и прозаично – у Саши К. банально не заработал генератор из умного справочника.
На самом деле, справочник Б. И. Горшкова, обозначенный в заголовке – это весьма познавательная и интересная книга, содержащая массу полезных схемотехнических решений, и которую однозначно можно рекомендовать к прочтению.

А вот всякого рода грубые ошибки, которые, как правило, всегда присутствовали и присутствуют в нашей технической литературе – это да, нежданчик весьма неприятный и требующий постоянной готовности быть начеку.
Однако, давайте всё ж таки припадём к схеме и описанию генератора, приведённого в справочнике Горшкова:

Генератор ВЧ сигнала со стабилизацией амплитуды

Генератор собран на транзисторах VT1 и VT2. Частотозадающим звеном является контур L1C1. При L1=50 мкГн, С1=5 мкФ частота равна 10 кГц; при L1=100 мГн, С1=50 пФ — 700 кГц; при L1=50 мкГн, С1=50 пФ — 3,2 МГц.

Рис.1. Схема ВЧ генератора со стабилизацией амплитуды

Когда в контуре отсутствуют колебания, к транзисторам VT1 и VT2, приложено максимальное питающее напряжение. В этом режиме транзисторы обладают наибольшим усилением. По мере увеличения амплитуды гармонического сигнала на выходе детектора на диодах VD1, VD2 на конденсаторе С4 увеличивается постоянная составляющая, пропорциональная амплитуде. Этим напряжением открывается транзистор VT4 и на его коллекторе напряжение уменьшается. Поэтому уменьшается и напряжение питания транзисторов VT1 и VT2, а это вызывает уменьшение амплитуды гармонического сигнала генератора. В результате устанавливается определённая амплитуда сигнала.

По сравнению с генератором без петли ОС частота сигнала здесь может быть больше в 10 раз.

Ну и как бы всё. Схема хорошая и простая! Барьерный режим включения транзисторов позволяет устройству работать в режиме малых токов, при этом крайне стабильно и в широчайшем диапазоне генерируемых частот.
Так, что же могло так пригорюнить Сашу К.?

А тут всё достаточно самоочевидно и если пораскинуть мозгами, то лежит на самой поверхности:

1. Указанные на схеме транзисторы КТ201, КТ203 с граничной частотой усиления тока – 5МГц никогда нормально не заработают на ВЧ диапазонах.

Самое оно для ВЧ генератора – это КТ363, КТ368, либо, на худой конец, КТ3102, КТ3107, или КТ315, КТ361. Кстати, надо держать на примете, что далеко не каждый импортный (даже высокочастотный) транзистор захочет нормально загенерить, находясь в барьерном режиме.

2. С номиналами резисторов делителя R3, R6 – вообще полный кирдык. Такой делитель, во-первых, своим низким сопротивлением физически уничтожит добротность любого колебательного контура, а, во-вторых, введёт транзистор VT3 в режим глубокого насыщения. Возможно, конечно, номинал у R6 подразумевался равным 2,2М. Однако я бы посоветовал следующие действия: резистор R3 устранить как класс, а R6 подобрать, исходя из напряжения на коллекторе VT3   ~ Еп/2.

Само собой разумеется, что напряжение питания нашего генератора (как и любого другого) должно быть стабилизированным!

 

Сигнал-генератор высокой частоты

12.12.2018

Генераторы

2197

Схема сигнал-генератора высокой частоты

Сигнал-генератор предназначен для проверки и налаживания высокочастотных цепей приемников, сопряжения и настройки контуров и т.

д. Частотный диапазон генератора от 150 кГц до 22 МГц разбит на 5 поддиапазонов: 150—360 кГц, 400 -900 кГц, 900—1900 кГц, 5—11 МГц, 11— 22 МГц.

Выходное напряжение можно регулировать плавно от 0 до 1 В и контролировать отдельным измерительным прибором ИП1.

Генератор собран на транзисторах Т1—Т4. Первые два транзистора работают в задающем генераторе. Резистор R4 и конденсатор С5 в цепи базы транзистора Т2 обеспечивают равномерность амплитуды сигнала генератора. Третий каскад (ТЗ) буферный, четвертый (Т4) выходной. Конденсатором переменной емкости СЗ устанавливают частоту всех поддиапазонов. На первом поддиапазоне параллельно катушке L1 включен переменный конденсатор С4.

Сигнал с нагрузки транзистора Т4 поступает на выходной разъем Ш1, к которому можно подключить внешний аттенюатор, и на смеситель — через контакты ВЗ. Питается генератор ВЧ стабилизированным напряжением 12 В. Кроме того, напряжение на первых трех транзисторах стабилизировано стабилитроном Д1.

Контурные катушки LI—L4 намотаны внавал в карбонильных сердечниках СБ23-17а. Намоточные данные катушек и дросселей приведены в табл. 1.

Катушка L5 намотана на ребристом каркасе диаметром 12 мм, шаг намотки 0,5 мм. Дроссель Др1 выполнен на каркасе диаметром 8 мм, Др2 — на кольцевом сердечнике из феррита 600НН (типоразмер К10х6х5). Конденсатор переменной емкости (СЗ, С4) — от радиоприемника «Атмосфера», должен быть изолирован от шасси.

Любая установленная частота сигнал-генератора может быть точно проверена и скорректирована по гармоникам кварца 100 и 1000 кГц, что очень важно в самодельных генераторах, имеющих шкалы малого размера.

Границы частотных диапазонов устанавливают с помощью волномера, градуированного радиоприемника или генератора стандартных сигналов (например ГСС-6), которые предварительно калибруют кварцевым калибратором. При установке частоты сигнал-генератора с помощью ГСС используют нулевые биения, возникающие в смесителе.

Для этого, установив на ГСС нужную частоту, вращают ручку измерения частоты градуируемого сигнал-генератора до появления в телефонах звука.

При некотором положении ручки настройки появляются нулевые биения, когда звук в телефоне пропадает. Это означает, что частоты ГСС и градуируемого сигнал-генератора совпадают. Надо иметь в виду, что при градуировке четвертого и пятого поддиапазонов появятся сигналы гармоник и разных комбинационных частот, но их громкость будет намного меньше основного сигнала. Поэтому градуировать следует при возможно меньшем уровне напряжения сигнал-генератора.

Полезно при налаживании просмотреть на экране осциллографа форму модулирующего и выходного напряжений в пределах полосы пропускания осциллографа.

• Генератор ВЧ
• ,
• Генератор сигнала

Карбид кремния РЧ силовые транзисторы

Получите больше информации о RF Globalnet с помощью нашего БЕСПЛАТНОГО информационного бюллетеня. Запишите меня

Источник: Корпорация Microsemi

Корпорация Microsemi недавно объявила о своих первых двух мощных ВЧ-транзисторах, использующих технологию карбида кремния, для высокомощных импульсных радаров в диапазонах ОВЧ и УВЧ. Эти силовые ВЧ-транзисторы, обозначенные как 0150SC-1250M и 0405SC-1000M, используют современную технологию карбида кремния, предназначенную для ОВЧ — от 150 до 160 МГц и УВЧ — от 406 до 450 МГц соответственно.

Нажмите здесь, чтобы скачать:
Технический паспорт: 0150SC-1250M Карбид-кремниевый статический индукционный транзистор
Технический паспорт: 0405SC-1000M Транзистор статической индукции из карбида кремния

Корпорация Microsemi недавно объявила о своих первых двух силовых радиочастотных транзисторах, использующих технологию карбида кремния, для мощных импульсных радаров в диапазоне ОВЧ и УВЧ.

Эти силовые радиочастотные транзисторы, обозначенные как 0150SC-1250M и 0405SC-1000M, используют современную технологию карбида кремния, разработанную для ОВЧ — от 150 до 160 МГц и УВЧ — от 406 до 450 МГц соответственно. Эти высокопроизводительные транзисторы высокой мощности с общим затвором класса AB обеспечивают самую высокую в отрасли выходную мощность: типичная пиковая мощность 1400 Вт на ОВЧ и 1100 Вт на УВЧ в компактных несимметричных корпусах.

Типичные решения на основе кремниевых мощных радиочастотных транзисторов, предлагаемые в отрасли, такие как устройства BJT или LDMOS, должны использовать сложные двухтактные конструкции для достижения аналогичных уровней мощности. Новые устройства Microsemi из карбида кремния также состоят из 100% золотой металлизации и золотых проводов в герметичных корпусах для обеспечения максимальной надежности в метеорологических условиях и радарах дальнего действия. Приложения.

Поскольку новые конструкции систем требуют значительного повышения производительности сверх возможностей кремния, карбид кремния является технологией «следующего поколения». Microsemi продолжит разработку и выпуск на рынок SiC-транзисторов высокой мощности для приложений от ВЧ до S-диапазона.

Преимущества системы с использованием силовых радиочастотных транзисторов Microsemi из карбида кремния:

• Несимметричная конструкция с упрощенным согласованием импеданса заменяет сложная двухтактная схема
• Самая высокая в отрасли пиковая мощность снижает суммарную мощность системы
• Высокое рабочее напряжение значительно уменьшает размер блока питания и текущий спрос
• Низкий ток проводимости значительно снижает шумовой эффект системы
• Чрезвычайно прочная работа повышает производительность системы
• Размер на 50 % меньше, чем у самых мощных устройств на основе кремния. БЮТ или ЛДМОС
• Вся золотая металлизация и золотая проволока обеспечивают долгий срок службы военного класса. срок надежности

В новых продуктах Microsemi на основе карбида кремния используется новый дизайн микросхемы и усовершенствования обработки, чтобы обеспечить самые современные характеристики, в частности, высокую мощность, малый размер транзистора и размер схемы в указанном диапазоне частот с шириной импульса 300 мкс и рабочим циклом 10%.

Нажмите здесь, чтобы скачать:
Технический паспорт: 0150SC-1250M Карбид-кремниевый статический индукционный транзистор
Технический паспорт: 0405SC-1000M Карбидокремниевый статический индукционный транзистор

{{/если}}

{{/каждый}} {{/если}}

RF LDMOS транзисторы для ISM и вещания

Все типы ресурсов Minify

Листовки и брошюры

Листовка (1)

Техническая литература

Datahasthip (15)

Флайеры и брошюры

Все листовки и брошюры Флаер (1)

Техническая литература

ВСЕ ТЕХНИЧЕСКАЯ ЛИТЕРАТАЦИЯ (15)

. нужный поисковый запрос и повторите поиск

Быстрые фильтры

Тип файла

Все типы файловPDFZIP

Последнее обновление

Все даты

Все типы ресурсов Minify

Модель HW, библиотеки CAD и SVD

Модели ADS (3)

Модель HW, библиотеки CAD и SVD

Все модели HW, библиотеки CAD и SVD Тип файла IP

4 900ZZ

Последнее обновление

Пожалуйста, введите желаемый поисковый запрос и повторите поиск0002 ST предлагает широкий ассортимент транзисторов RF LDMOS, работающих от напряжения питания от 28 до 50 В с высокой надежностью. Предназначенные для приложений в диапазоне частот от 1 МГц до 2,45 ГГц, наши транзисторы RF LDMOS отличаются высокой пиковой мощностью (до 1,4 кВт) и высокой надежностью.

Благодаря оптимизированной технологической схеме, обеспечивающей улучшенные ВЧ-характеристики, ВЧ-транзисторы ST LDMOS идеально подходят для:

• ВЧ-генераторов плазмы
• Лазерных драйверов
• Ускорители частиц
• Радиочастотное приготовление пищи, обогрев и размораживание
• Магнитно-резонансная томография (МРТ)
• ВЧ- и УКВ-связь
• FM- и ТВ-вещание тепловое сопротивление на 25% ниже, что обеспечивает экономичное решение.

  Чтобы помочь инженерам быстро вывести свои разработки на рынок, мы предлагаем широкий ассортимент оценочных плат, а также несколько программных симуляторов и инструментов анализа.

  • RF4L15400CB4

    650 Вт, 28/32 В, от 0,4 до 1 ГГц RF Power Transistor

  • RF5L05500CB4

    550 W, 50 В, от HF до 250 MHZ RF RF LDMOS Transist

    , 50 В, от HF до 250 MHZ RF RF LDMOS
    W. 50 В, от ВЧ до 250 МГц Мощность РЧ LDMOS транзистор

  • RF4L10700CB4

    700 Вт, 40 В, от ВЧ до 1 ГГц Мощность РЧ LDMOS транзистор

  • ST24180

    180 Вт, 32 В, мощность РЧ LDMOS 9 DM5 от 2,3 до 2,3 ГГц0004

  • RF5L05750CF2

    750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor

  • RF5L051K5CB4

    1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

  • RF5L051K4CB4

    1.3 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

  • RF5L05950CF2

    950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor

  • RF5L052K0CB4

    2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor

  • RF5L08350CB4

    400 Вт, 50 В, от 0,4 до 1 ГГц ВЧ-мощный LDMOS-транзистор

  • RF5L08600CB4

    650 Вт, 50 В, от 0,4 до 1 ГГц ВЧ-мощный LDMOS-транзистор

  • RF2L24280CB4 от 80002 до 1,5 ГГц, RF24280CB4 802,2 2,5 ГГц, RF24280CB4 802,2 2,5 ГГц, RF5L08600CB4

    2,5 Power LDMOS transistor

  • RF5L15030CB2

    30 W, 50 V, HF to 1.