NHDTA114EUX от 5.65 рублей, доступно 2030 шт, производитель NEXPERIA

NEXPERIA

2030 шт.

222.09 ₽

PDF, 290.46 KB

Описание

NEXPERIA — NHDTA114EUX — Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный PNP, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм

Номенклатурный номер

OC3526159

Условия

Срок поставки 4-7 недель
Цена включает все налоги

Срок поставки: 4-7 недель

• 5+

  44.42 ₽

• 10+

  36.67 ₽

• 100+

  19. 5 ₽

• 500+

  12.85 ₽

• 1000+

  6.7 ₽

• 5000+

  5.65 ₽

NHDTA114EUX характеристики:

Резистор На входе Базы R1	10
Линейка Продукции	NHDTA114EU Series
Напряжение Коллектор-Эмиттер	80
Корпус РЧ Транзистора	SC-70
Количество Выводов	3 Вывода
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Соотношение Сопротивления, R1 / R2	1
Transistor Mounting	Surface Mount
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100
Полярность Цифрового Транзистора	Одиночный PNP
Резистор База-эмиттер R2	10
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 — Безлимитный

Перезвоните мне

Спасибо!

Ваша заявка отправлена.

В ближайшее время мы свяжемся с Вами по указанным контактам.

Товар добавлен в корзину

NHDTA114EUX

Срок поставки: 10-15 рабочих дней

Поздравляем!

Вы получили бесплатную доставку на Ваш заказ

Продолжить покупки

Перейти к заказу

Ошибка!

Заказанное количество не является кратным. Правильное количество должно быть кратным .

Извините, произошла ошибка

NHDTA114EUX

Срок поставки: 5-12 дней

Продолжить покупки

Зарегистрироваться
и получить скидку 100₽
на первый заказ

Введите Ваш номер мобильного телефона

Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом для регистрации», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.

Войти в личный кабинет
и получить скидку
на заказ

Введите номер вашего мобильного телефона

Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.

Сохранение профиля

Данные сохранены!

Вы уверены?

Отменить удаление будет невозможно

Скопировать BOM

Введите название

Квота запрошена

Отображение загруженного файла

Запись начинается на строке

12

Предварительный просмотр вашего файла отображается ниже. Ваши столбцы были сопоставлены на основе содержания вашего файла. Пожалуйста, просмотрите выбранные варианты и используйте выпадающие списки над каждым столбцом, чтобы внести какие-либо изменения, а также сопоставить столбцы, которые мы не смогли отобразить автоматически. Требуется столбец как для номера детали, так и для количества.

Спасибо!

Ваша заявка отправлена

Биполярные транзисторы

Автор: admin

4 Фев

Высокочастотные транзисторы компании Infineon обеспечивают наилучшие рабочие характеристики, высокую гибкость применения, превосходное соотношение цена/производительность и позволяют разработчикам сократить время разработки конечного решения.

BFx843 — это малошумящие широкополосные NPN биполярные высокочастотные транзисторы. Устройства интегрируют цепь обратной связи, обеспечивающую предварительное согласование входа и выхода с 50-омной нагрузкой и высокую стабильность в условиях паразитных частотных модуляций, что позволяет существенно упростить разработку произвольных схем малошумящих усилителей (LNA). Выполненные по зарекомендовавшей себя технологии SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов, BFx843 поддерживают напряжение коллектор-эмиттер V

CEO до 2.25 В и ток коллектора I_C 55 мА. Транзисторы идеально подходят для применения в мобильных приложениях, где ключевым требованием является минимальный уровень энергопотребления. BFx843 оснащены схемой защиты от электростатических разрядов напряжением до 1500 В и чрезмерной мощности радиочастотного входного сигнала. Устройства доступны в промышленно стандартных корпусах SOT-343 и SOT-89, а также миниатюрном безвыводном TSLP-3-9, размером 1.0 мм х 0. 6 мм 0.31 мм.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: Infineon

Автор: admin

4 Июл

Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для быстродействующих малошумящих схем в пластиковом корпусе SOT343F. Прибор имеет два вывода эмиттера.

Новейшая модель транзистора BFU768F является представителем семейства, в которое входят приборы, выполненные на основе кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса, а также сочетающие в себе биполярную и КМОП-технологию для СВЧ-радиодиапазона (QUBiC4 Si). Данная модель обладает очень низким собственным шумом при высоком коэффициенте усиления и работе в слаботочном режиме. Это позволяет строить радиоприёмные устройства с малым напряжением питания и надёжной работой в условиях сильных помех.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: NXP

Автор: admin

17 Янв

Установлен новый рекорд по уровню сопротивления открытого канала и поддержанию на абсолютном минимуме задержек коммутации.

Новое поколение BISS-транзисторов с малым V_CE(SAT) выпускаются с двумя вариантами оптимизации рабочих характеристик.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: NXP

DTC143ZCAHZGT116 — NPN Bipolar Digital Transistor — SOT-23 Package

Click to enlarge

₹27.85 (Excluding All Taxes)

• DTC143ZCAHZGT116 NPN 100mA 50V Digital Transistor
• Производитель: ROHM Semiconductor
• Номер детали производителя: DTC143ZCAHZGT116
• Полярность транзистора: NPN
• Упаковка/кейс: SOT-23-3

Ссылка клиента:

DTC143ZCAHZGT116 — Биполярный цифровой транзистор NPN — SOT-23 Количество в упаковке

Для оптовых запросов, пожалуйста, напишите нам по электронной почте [email protected]

Сравнить

Добавить в список желаний

Артикул: ST2103SD1308 Категории: SMD Компоненты, Транзистор Теги: BC850C, Транзистор NPN, SMD IC, Устройство для поверхностного монтажа

• Описание продукта
• ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ
• информация о доставке
• Перевозка и доставка

Описание продукта

DTC143ZCAHZGT116 — биполярный цифровой транзистор NPN — упаковка SOT-23

DTC143ZCAHZGT116 цифровой транзистор NPN 100 мА, 50 В Этот продукт доступен для оценки и разработки.

Характеристики/характеристики:

• Производитель: ROHM Semiconductor
• Номер детали производителя: DTC143ZCAHZGT116
• Тип продукта: BJT — биполярные транзисторы — предварительно смещенные
• Конфигурация: одинарная
• Полярность транзистора: NPN
• Типовой входной резистор: 4,7 кОм
• Типовое отношение резисторов: 10
• Усиление коллектора/базы постоянного тока hFE Мин.: 80
• Непрерывный ток коллектора: 100 мА
• Pd — рассеиваемая мощность: 200 мВт
• Рабочая температура: +150°C
• Выходное напряжение: 100 мВ
  Квалификация: AEC-Q101
• Способ монтажа: SMD/SMT
• Упаковка/кейс: SOT-23-3

Спецификация: DTC143ZCAHZGT116 — биполярный цифровой транзистор NPN — SOT-23, упаковка

Комплектация:

• 1 x DTC143ZCAHZGT116 — биполярный цифровой транзистор NPN — упаковка SOT-23

Примечание. Изображения продуктов показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.

ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ

Информация об отгрузке

Доставка и доставка

Мы делаем все возможное, чтобы добраться до каждого уголка Индии, используя несколько лучших курьерских служб в стране, таких как Delhivery, DTDC, BlueDart, XpressBees, Ecom Экспресс и т. д. в соответствии с отзывами для курьера-партнера по месту нахождения клиента. Некоторые внутренние районы Индии, которые не покрываются этими курьерскими службами, покрываются нами через India-Post. Мы ежедневно прилагаем все усилия, чтобы отправить заказ в тот же день, когда он был заказан, или в течение следующих 24 часов с момента размещения заказа. Большинство заказов, размещенных до 13:00, отправляются и отправляются в тот же день. Заказы размещаются почтой, которая запланирована на отгрузку на следующий день. Такие же усилия прилагаются в течение всей недели, включая будни, а иногда и выходные и праздничные дни. Мы обеспечиваем местный самовывоз (самовывоз для местных клиентов) в будние дни и частично в выходные дни.

Только зарегистрированные клиенты, которые приобрели этот продукт, могут оставить отзыв.

Вам также может понравиться…

NUS2401: биполярный цифровой транзистор, NPN / PNP, интегрированный _ BDTIC A ведущий дистрибьютор в Китае

首 页> ON 安森美> 双极 晶体管> 数字 晶体管 (BRT)> NUS2401

NUS2401: Биполярное цифровое транзистор, NPN / PNP. Интегрированный

Этот интегрированный биполярный цифровой транзистор NPN PNP предназначен для замены массива дискретных решений из трех транзисторов и их цепи смещения с внешними резисторами. BRT (транзисторы с резистором смещения) содержат один транзистор с монолитной цепью смещения, состоящей из двух резисторов; последовательный базовый резистор и резистор база-эмиттер. Технология BRT исключает эти отдельные компоненты за счет их интеграции в одно устройство, поэтому интеграция трех BRT приводит к значительному снижению как стоимости системы, так и места на плате.

特性 Интегрированный дизайн Строки площади и компонентов. Цепи привода

终端产品 Мелкая бытовая техника, системы безопасности, автоматизированное испытательное оборудование Телевизоры и видеомагнитофоны, стереоресиверы, проигрыватели компакт-дисков, кассетные магнитофоны

应用注释 (1)

Document Title	Document ID/Size	Revision	Revision Date
Understanding a Digital Transistor Datasheet	AND9129/D (172kB)	1	DEC, 2013

封装图纸 (1)

Document Title	Document ID/Size	Revision
SC-74 (SC-59ML) 6 ВЫДЕЛА	318F-05 (55,9KB)	N

rev rement

.

Revision Date
Integrated PNP/NPN Digital Transistor Array	NUS2401SNT1/D (134.0kB)	3

产品订购型号

产品	状况	Compliance	具体说明	封装		MSL*	容器		预算价格 (1千个数量的单价）
NUS2401SNT1G	Active	AEC Qualified без свинца Без галогенидов	Биполярный цифровой транзистор, NPN / PNP, встроенный	SC-74	318F-05	1	Tape and Reel	3000	$0.22
NUS2401SNT1	Last Shipments		Bipolar Digital Transistor, NPN / PNP, Integrated	SC-74	318F-05	1	лента и катушка	3000

订购 产品 技术

.