Site Loader
Posted on 21.03.2023

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит

Главная » Техника » Транзистор КТ972А: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Интересуетесь любительской радиотехникой, то вам пригодится данная статья про аналоги ходовых транзисторов, которые имеют широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену. Не всегда в магазине электроники вы можете подобрать нужный вам транзистор, поэтому мы собрали в данной статье информацию о транзисторе КТ972А и его аналогах.

Содержание

  • 1 Аналоги транзистора КТ972А
  • 2 Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
  • 3 Схема транзистора КТ972А
  • 4 Характеристики популярных аналогов
    • 4. 1 Наименование производителя: KT972A
    • 4.2 Наименование производителя: WW263
    • 4.3 Наименование производителя: U2T833
    • 4.4 Наименование производителя: U2T832
    • 4.5 Наименование производителя: U2T823
    • 4.6 Наименование производителя: U2T6O1
    • 4.7 Наименование производителя: U2T605
    • 4.8 Наименование производителя: TTD1415B

Аналоги транзистора КТ972А

↑ TypeMatStructPcUcbUebIcTjFt
Hfe
WW263SiNPN65,00100,005,0010,00150,001000,00
U2T833SiNPN60,0012,005,00200,001000,00
U2T832SiNPN60,0012,005,00200,001000,00
U2T823SiNPN35,0012,005,00200,001000,00
U2T822SiNPN35,0012,005,00200,001000,00
U2T6O1SiNPN50,0080,0020,00200,001000,00
U2T605SiNPN50,00150,0020,00200,001000,00
TTD1415BSiNPN25,00120,006,007,00150,001000,00
TSB142SiNPN125,0010,00150,001000,00
TSB141SiNPN135,0010,00150,001000,00
TIPL777BSiNPN180,001150,006,0020,00150,001000,00
TIPL777ASiNPN180,001050,006,0020,00150,001000,00
TIPL777SiNPN180,00950,006,0020,00150,001000,00
TIP642SiNPN175,00100,005,0010,00200,001000,00
TIP641SiNPN175,0080,005,0010,00200,001000,00
TIP640SiNPN175,0060,005,0010,00200,001000,00
TIP622SiNPN65,00100,005,008,00200,001000,00
TIP621SiNPN65,0080,005,008,00200,001000,00
TIP620SiNPN65,0060,005,008,00200,001000,00
TIP602SiNPN100,00100,005,0010,00200,001000,00
TIP601SiNPN100,0080,005,0010,00200,001000,00
TIP600SiNPN100,0060,005,0010,00200,001000,00
TIP132SiNPN70,00100,005,008,00150,001000,00
TIP131SiNPN70,0080,005,008,00150,001000,00
TIP130SiNPN70,0060,005,008,00150,001000,00
TIP122LSiNPN40,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122FPSiNPN29,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122FSiNPN65,00100,005,005,00150,001000,00
TIP122SiNPN65,00100,005,005,00150,001000,00
TIP121SiNPN65,0080,005,005,00150,001000,00
TIP120SiNPN65,0060,005,005,00150,001000,00
TIP112SiNPN50,00100,005,004,00150,00750,00
TIP111SiNPN50,0080,005,004,00150,00750,00
TIP110SiNPN50,0060,005,004,00150,00750,00
TD649SiNPN62. 5100,005,008,00200,00750,00
TD647
Si		NPN62.580,005,008,00200,00750,00
TD645SiNPN62.560,005,008,00200,00750,00
TD265CSiNPN117,00120,005,0012,00200,00750,00
TD265BSiNPN117,00100,005,0012,00200,00750,00
TD265ASiNPN117,0080,005,0012,00200,00750,00
TD265SiNPN117,0060,005,0012,00200,00750,00
TD163CSiNPN90,00120,005,008,00200,00750,00
TD163BSiNPN90,00100,005,008,00200,00750,00
TD163ASiNPN90,0080,005,008,00200,00750,00
TD163SiNPN90,0060,005,008,00200,00750,00
T430SiNPN100,00600,005,0010,00800,00
T30FSiNPN80,00500,005,0010,001000,00
T30SiNPN100,00500,005,0010,001000,00
STTIP122SiNPN65,00100,005,005,00150,001000,00
STD901TSiNPN35,00500,005,004,00150,001800,00
STD03NSiNPN160,00160,005,0015,00150,005000,00
STD01NSiNPN100,00150,005,0010,00150,005000,00
ST901TSiNPN30,00500,005,004,00175,001500,00
SLA6022SiNPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA6020SiNPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA6012SiNPN*PNP25,0060,006,004,00150,002000,00
SLA4390SiNPN*PNP25,00100,006,005,00150,002000,00
SLA4061SiNPN25,00120,006,005,00150,002000,00
SLA4060SiNPN25,00120,006,005,00150,002000,00
SLA4031SiNPN25,00120,006,004,00150,002000,00
SLA4030SiNPN25,00120,006,004,00150,002000,00
SGSIF465SiNPN65,001300,0010,00175,00
SGSIF464SiNPN65,001200,0010,00175,00
SGSIF463SiNPN65,001000,0012,00175,00
SGSIF461SiNPN65,00850,0015,00175,00
SGSIF445SiNPN55,001300,007,00175,00
SGSIF444SiNPN55,001200,007,00175,00
SGSIF443SiNPN55,001000,008,00175,00
SGSIF441SiNPN55,00850,0010,00175,00
SGSIF425SiNPN45,001300,004,00175,00
SGSIF424SiNPN45,001200,004,00175,00
SGSIF423SiNPN45,001000,005,00175,00
SGSIF421SiNPN45,00850,005,00175,00
SGSIF345SiNPN40,001300,007,00175,00
SGSIF344SiNPN40,001200,007,00175,00
SGSIF343SiNPN40,001000,008,00175,00
SGSIF341SiNPN40,00850,0010,00175,00
SGSIF325SiNPN35,001300,004,00175,00
SGSIF324SiNPN35,001200,004,00175,00
SGSIF323SiNPN35,001000,005,00175,00
SGSIF321SiNPN35,00850,005,00175,00
SGSF665SiNPN250,001300,0020,00175,00
SGSF664SiNPN250,001200,0020,00175,00
SGSF663SiNPN250,001000,0024,00175,00
SGSF661SiNPN250,00850,0030,00175,00
SGSF565SiNPN150,001300,0010,00175,00
SGSF564SiNPN150,001200,0010,00175,00
SGSF563SiNPN150,001000,0012,00175,00
SGSF561SiNPN150,00850,0015,00175,00
SGSF545SiNPN125,001300,007,00175,00
SGSF544SiNPN115,001200,007,00175,00
SGSF543SiNPN115,001000,008,00175,00
SGSF541SiNPN115,00850,0010,00175,00
SGSF465SiNPN125,001300,0010,00175,00
SGSF464SiNPN125,001200,0010,00175,00
SGSF463SiNPN125,001000,0012,00175,00
SGSF461SiNPN125,00850,0015,00175,00
SGSF445SiNPN95,001300,007,00175,00
SGSF444SiNPN95,001200,007,00175,00
SGSF443SiNPN95,001000,008,00175,00
SGSF441SiNPN85,00850,0010,00175,00
SGSF425SiNPN80,001300,004,00175,00
SGSF424SiNPN80,001200,004,00175,00
SGSF423SiNPN80,001000,005,00175,00
SGSF421SiNPN80,00850,005,00175,00
SGSF344SiNPN85,001200,007,00175,00
SGSF343SiNPN85,001000,008,00175,00
SGSF341SiNPN85,00850,0010,00175,00
SGSF324SiNPN70,001200,004,00175,00
SGSF323SiNPN70,00850,005,00175,00
SGSF321SiNPN70,00850,005,00175,00
SGSD93GSiNPN80,00200,0012,00175,001000,00
SGSD93FSiNPN80,00180,0012,00175,001000,00
SGSD93ESiNPN80,00160,0012,00175,001000,00
SGSD00020SiNPN70,00650,008,00175,001000,00
SGS6388SiNPN65,00100,0010,00175,001000,00
SGS6387SiNPN65,0080,0010,00175,001000,00
SGS6386SiNPN65,0060,008,00175,001000,00
SGS132SiNPN65,00100,008,00175,001000,00
SGS131SiNPN65,0080,008,00175,001000,00
SGS130SiNPN65,0060,008,00175,001000,00
SGS122SiNPN65,00100,005,00175,001000,00
SGS121SiNPN65,0080,005,00175,001000,00
SGS120SiNPN65,0060,005,00175,001000,00
SE9302SiNPN70,00100,005,0010,00150,001000,00
SE9301SiNPN70,0080,005,0010,00150,001000,00
SE9300SiNPN70,0060,005,0010,00150,001000,00

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначение
АналогКТ972АBD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972БBD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура—n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ972А—8*
КТ972Б—8*
КТ972В—8*
КТ972Г—8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ972А—≥200
КТ972Б—≥200
КТ972В—≥200
КТ972Г—≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ972А1к60*
КТ972Б1к45*
КТ972В1к60*
КТ972Г1к60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ972А—5,00
КТ972Б—5,00
КТ972В—5,00
КТ972Г—5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ972А—4*
КТ972Б—4*
КТ972В—2,00
КТ972Г—2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ972А60 В≤1*
КТ972Б45 В≤1*
КТ972В60 В≤1*
КТ972Г60 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh31э, h*21ЭКТ972А3 В; 1 А≥750*
КТ972Б3 В; 1 А≥750*
КТ972В3 В; 1 А750…5000
КТ972Г3 В; 1 А750…5000
Емкость коллекторного переходаcк, с*12эКТ972А—≤3
КТ972Б—≤3
КТ972В—≤3
КТ972Г—≤1. 9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.КТ972А——
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ972А——
КТ972Б——
КТ972В——
КТ972Г——
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)КТ972А—≤200*
КТ972Б—≤200*
КТ972В—≤200*
КТ972Г—≤200*


Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Схема транзистора КТ972А

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

  • Маркировка: D1415B
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
  • Корпус транзистора: TO220SIS

Поделиться:

  • Предыдущая записьОбзор электросамокатов
  • Следующая записьЧем заменить холодильник?

Подписывайтесь на обновления по E-mail:

×

Рекомендуем посмотреть

чем заменить традиционные планарные транзисторы / Хабр

Обсуждаем альтернативы подходы к разработке полупроводниковых изделий.

/ фото Taylor Vick Unsplash

В прошлый раз мы говорили о материалах, которые могут заменить кремний в производстве транзисторов и расширить их возможности. Сегодня обсуждаем альтернативные подходы к разработке полупроводниковых изделий и какое применение они найдут в дата-центрах.

Пьезоэлектрические транзисторы

Такие устройства имеют в своей структуре пьезоэлектрический и пьезорезистивный компоненты. Первый преобразует электрические импульсы в звуковые. Второй — поглощает эти звуковые волны, сжимается и, соответственно, открывает или закрывает транзистор. В качестве пьезорезистивного вещества используется селенид самария (слайд 14) — в зависимости от давления он ведет себя или как полупроводник (с высоким сопротивлением), или как металл.

Одними из первых концепцию пьезоэлектрического транзистора представили в IBM. Инженеры компании занимаются разработками в этой области еще с 2012 года. Также в этом направлении работают их коллеги из Национальной физической лаборатории Великобритании, университета Эдинбурга и Оберна.

Пьезоэлектрический транзистор рассеивает значительно меньшее количество энергии, чем кремниевые устройства. В первую очередь технологию планируют применять в небольших гаджетах, от которых сложно отводить тепло — смартфонах, радиоприборах, радарах.

Также пьезоэлектрические транзисторы могут найти применение в серверных процессорах для дата-центров. Технология повысит энергоэффективность аппаратного обеспечения и позволит сократить расходы операторов ЦОД на ИТ-инфраструктуру.

Туннельные транзисторы

Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта.

Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.

Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.


/ фото PxHere PD

В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.

Спиновые транзисторы

Их работа основана на перемещении спинов электронов. Движутся спины с помощью внешнего магнитного поля, упорядочивающего их в одном направлении и формирующего спиновый ток. Устройства, работающие с таким током, потребляют в сто раз меньше энергии, чем кремниевые транзисторы, и могут переключаться со скоростью миллиард раз в секунду.

Главным достоинством спиновых приборов является их многофункциональность. Они совмещают функции накопителя информации, детектора для её считывания и коммутатора для её передачи другим элементам чипа.

Считается, что первыми концепцию спинового транзистора представили инженеры Суприйо Датта (Supriyo Datta) и Бисваджит Дас (Biswajit Das) в 1990 году. С тех пор разработками в этой области занялись крупные ИТ-компании, например Intel. Однако, как признают инженеры, спиновые транзисторы еще нескоро появятся в потребительских продуктах.

Металл-воздушные транзисторы

По своей сути принципы работы и конструкция металл-воздушного транзистора напоминает транзисторы MOSFET. За некоторыми исключениями: стоком и истоком нового транзистора являются металлические электроды. Затвор устройства расположен под ними и заизолирован оксидной пленкой.

Сток и исток установлены друг от друга на расстоянии тридцати нанометров, что позволяет электронам свободно проходить сквозь воздушное пространство. Обмен заряженными частицами происходит за счет автоэлектронной эмиссии.

Разработкой металл-воздушных транзисторов занимается команда из университета в Мельбурне — RMIT. Инженеры говорят, что технология «вдохнет новую жизнь» в закон Мура и позволит строить целые 3D-сети из транзисторов. Производители чипов смогут перестать заниматься бесконечным уменьшением техпроцессов и займутся формированием компактных 3D-архитектур.

По оценкам разработчиков, рабочая частота транзисторов нового типа превысит сотни гигагерц. Выход технологии в массы расширит возможности вычислительных систем и увеличит производительность серверов в дата-центрах.

Сейчас команда ищет инвесторов, чтобы продолжить свои исследования и разрешить технологические сложности. Электроды стока и истока плавятся под воздействием электрического поля — это снижает производительность транзистора. Недостаток планируют поправить в ближайшие пару лет. После этого инженеры начнут подготовку к выводу продукта на рынок.

О чем еще мы пишем в нашем корпоративном блоге:

  • VMware EMPOWER 2019: делимся впечатлениями
  • Перспективы дата-центров: технологии, которые повысят производительность серверов
  • Процессоры для серверов: обсуждаем новинки
  • Развитие дата-центров: технологические тренды
  • Как повысить энергоэффективность дата-центра
  • Как разместить 100% инфраструктуры в облаке IaaS-провайдера и не пожалеть об этом
  • «Как дела у VMware»: обзор новых решений

Каковы основы замены транзисторов? (с картинками)

`;

Технология

Факт проверен

Г. В. Пулос

Замена транзистора часто необходима, когда конкретный транзистор, требуемый в конструкции электроники, недоступен. При попытке замены транзистора следует тщательно сравнить рабочие и физические характеристики транзисторов. В зависимости от области применения и типа исходного транзистора, основными областями интереса являются напряжение, мощность, ток, скорость переключения и характеристики усиления заменителя. Другие области, которые также могут быть важными, включают расположение выводов на транзисторах и варианты монтажа.

Первым фактором, который следует учитывать при замене транзистора, является заряд транзисторов. Транзистор с положительно-отрицательным-положительным зарядом (PNP) необходимо заменить транзистором типа PNP. Аналогично, транзистор отрицательно-положительно-отрицательный (NPN) должен быть заменен транзистором NPN.

Все транзисторы должны рассеивать заданное количество энергии, хотя мощность зависит от конкретного применения. Характеристики рассеиваемой мощности обычно указываются в ваттах или милливаттах. Замещающий транзистор должен рассеивать не меньше энергии, чем исходный. Транзистор большей мощности подходит, если номинальная мощность транзистора включает весь диапазон оригинала.

При замене транзистора номинальное напряжение исходного транзистора должно совпадать. Напряжение транзистора, измеряемое в вольтах или милливольтах, может варьироваться, как и напряжение, подходящее для различных компонентов транзистора. Напряжение также может варьироваться в зависимости от применения транзистора. Транзистор-заменитель должен либо соответствовать всем этим характеристикам оригинала, либо превосходить их.

Рабочий ток, измеряемый в амперах или миллиамперах, должен быть сопоставим между исходным транзистором и его заменой. Оба транзистора также должны иметь одинаковые минимальные и максимальные допустимые токи. Некоторые транзисторы имеют минимальную и максимальную токонесущую способность при разных напряжениях. Они тоже должны быть сопоставимы.

Если транзистор используется для переключения, скорость переключения исходного транзистора должна быть идентичной замене. Слишком медленное или слишком быстрое переключение может вызвать проблемы с другими компонентами схемы. Некоторые транзисторы также имеют определенное напряжение для переключения приложений, которое должно совпадать.

Замена транзистора для усилителей может быть сложной задачей. Замена должна иметь идентичные оригиналу отношения напряжения, тока и отношения сигнал/шум. Кроме того, разные типы входов могут запускать разные типы выходов на разных транзисторах. Все эти параметры должны быть идентичными, чтобы заменитель функционировал так же, как и оригинальный транзистор.

Другие соображения по замене транзисторов связаны с физическими характеристиками транзисторов. Либо они должны иметь идентичную ориентацию коллектора, эмиттера и базы, либо должно быть достаточно места для перемещения выводов заменителя без их короткого замыкания. Также должно быть достаточно физического места, чтобы заменитель мог поместиться на печатной плате. Наконец, некоторые транзисторы крепятся с помощью винта или небольшого болта. Их следует заменить идентичными по монтажу транзисторами.

КАК ПРЕДСТАВЛЕНО НА:

UK Vintage Radio Repair and Restoration

UK Vintage Radio Repair and Restoration — Неисправности транзисторов, тестирование и Замена

Транзистор Неисправности, проверка и замена

Распространено мнение, что клапаны ненадежны и что транзисторы вечные. На самом деле клапаны далеко не так ненадежны. как люди думают (ремонтники часто заявляли, что клапан вышел из строя, и взимали плату за чтобы покрыть стоимость времени, потраченного на поиск и замену пары неисправных конденсаторы, потому что клиенты ожидали выхода из строя клапанов).

Современные кремниевые транзисторы очень надежны при эксплуатации в соответствии с их спецификациями и рекомендованными условиями эксплуатации (температура, влажность и т.д.). Они легко переживут ожидаемый срок службы оборудование. Однако если их вытолкнуть за пределы их возможностей, их жизнь будет ограниченное. Это может быть сделано для экономии денег или намеренного сокращения срока службы. оборудования (почему столько дешевого современного оборудования выходит из строя за несколько месяцев после истечения гарантии?).

Ранние германиевые транзисторы менее надежны, хотя это не следует рассматривать как критику, так как наборы, вероятно, были рассчитано только на пять лет или около того, и никто не ожидал, что коллекционеры будут ремонтировать их сорок лет спустя.

Транзисторы серии AF117

Самыми ненадежными транзисторами являются Серия AF117, используемая в каскадах ВЧ и ПЧ многих производимых транзисторных радиоприемников. в 1960-х годах. У них есть металлические банки и четыре провода — четвертый провод подключен. в банку для просеивания. Номера типов включают AF114, AF115, AF116, AF117, ОС170 и ОС171. Они имеют тенденцию к развитию внутренних коротких замыканий между банкой либо коллектор, либо эмиттер.

Самый простой способ обнаружить эту ошибку — коснуться каждый транзистор ручкой небольшой отвертки с включенным набором на. При постукивании по устройству-нарушителю телевизор либо трещит, либо лопается. ненадолго в жизнь. Может показаться, что набор возвращается к жизни навсегда, но Вы можете быть уверены, что это не сработает, если вы попробуете это снова на следующей неделе!

Следующая диаграмма и абзац взяты из книги Электронный Классика написана Энди Эммерсоном.

» Причина смерти или механизм неисправности довольно интересны. Где вам открыть его вверх, вы обнаружите, что оболочка, окружающая транзистор, содержит силиконовая смазка и воздушное пространство внутри металлической банки. Из внутренней стены из банки в воздушном пространстве растут микроскопические волоски (0,008 мм в поперечнике) неизвестного среда жесткая, упругая и электропроводящая. Примерно через двадцать пять к тридцати годам эти проводящие волоски достигают внутренней свинцовой конструкции, давая описанные симптомы неисправности. Не ясно, является ли воздушное пространство частью проектного замысла или фактически является технологической ошибкой».

Идеального решения этой проблемы не существует. Традиционное решение инженеров состояло в том, чтобы отрезать вывод экрана, который часто заставить набор работать снова. Однако это только вопрос времени, прежде чем другой волосы достигают другого внутреннего соединения.

Любой заменяющий транзистор того же типа, будь то использованный или новый-старый запас, будут расти одинаковые волосы и будут почти наверняка рано или поздно возникнет такая же проблема.

Короткое замыкание можно сдуть разрядкой конденсатор 50 мкФ, заряженный до 50 В между выводом экрана и тремя другими ведет вместе. Если источник питания 50 В недоступен, конденсатор большей емкости заряжается до более низкого напряжения (например, от 1000 мкФ до 9V) вероятно, было бы то же самое эффект, хотя это не было проверено. Снова с этим решением мы на занятое время, потому что рано или поздно другой волос достигнет внутренней связи. Если набор останется в вашей собственной коллекции, возможно, это хорошее решение. потому что он сохраняет оригинальность, и случайный ремонт не является серьезной проблемой. Это мое обычное решение проблемы.

До недавнего времени более новая линейка германиевых транзисторы были доступны — AF121 и AF125 были полезны для общего назначения. устройства, которые заменят всю серию AF117. У них банки поменьше и отведения идут в другом порядке. Таким образом, это не невидимый ремонт, но они надежны. Однако модели AF121 и AF125 больше не доступны. как и любые другие высокочастотные германиевые транзисторы.

Другая альтернатива – установка современных силиконовых транзисторы. Поскольку напряжение смещения разное (от 0,2 В до 0,3 В для германиевых и от 0,6 В до 0,7 В для кремния), схемы смещения необходимо изменить на подходить. Я планирую исследовать необходимые изменения в течение следующих нескольких месяцев и добавят подробности здесь в свое время. Это метод ремонта, используемый дилерами. продам рабочие комплекты с гарантией.

Аудио транзисторы

Аудиовыход и транзисторы драйвера также могут давать проблемы. Они иногда становятся прерывистыми, и та же отвертка Ручка tap-test часто выявляет проблему.

Похоже, это влияет на многие аудиотранзисторы, включая OC71, OC78, OC81, AC127, AC128, AC176, AC187 и AC188. Проблема не в том однако универсальный, как и в серии AF117, и замена на аналогичный транзистор из набора металлолома часто будет постоянным решением.

В серии AC1xx иногда возникают прерывистые замыкания между корпусом и внутренним соединением. Это только вызывает проблема, если транзистор установлен на пластине радиатора, которая подключена к шине 0В комплекта. Я не знаю, является ли причина той же самой, что и Транзисторы типа AF117, или подойдет ли такое же лекарство. В редком случае Я столкнулся с этим, я просто заменил транзистор.

На момент написания статьи ограниченный ассортимент германия аудиотранзисторы все еще доступны, но это, вероятно, только вопрос времени до того, как они будут прекращены. AC128 — хорошая замена для универсального использования. для ОС71, ОС78 и ОС81. Обратите внимание, что AC127, AC176 и AC187 являются NPN, а остальные являются ПНП.

Возможна замена на современные кремниевые устройства. возможность, но в настоящее время это не такая насущная проблема, как серия AF117.

Прочие германиевые транзисторы и диоды

OC44 и OC45, использовавшиеся в ранних наборах транзисторов. склонны быть надежными. Есть достаточно запасных частей из наборов металлолома и т. д., чтобы обеспечить замены для случайного неисправного устройства.

Германиевые диоды имеют тенденцию скорее портиться, чем полностью умереть; часто показывает повышенную обратную утечку и повышенную прямую сопротивление. Несколько германиевых диодов (например, OA47) все еще доступны, но как и в случае с германиевыми транзисторами, их дни должны быть сочтены.

Современные маломощные диоды Шоттки, такие как Philips BAT83 и BAT85 имеют такое же прямое падение, как и германиевые диоды при низких токи и, вероятно, могли бы использоваться в качестве прямой замены во многих наборах. Снова Я буду расследовать это.

Проверка транзисторов

Подозрительный транзистор можно проверить мультиметром на диапазоне сопротивления довольно легко. Поскольку транзистор состоит из двух PN-переходов (между базой и эмиттером и между базой и коллектором) сопротивление их можно проверить в обоих направлениях. Также сопротивление между коллектором и эмиттер надо проверить — он должен быть разомкнут в обе стороны.

Полученные результаты зависят от того, с помощью цифрового счетчика или аналогового счетчика. Для германиевого транзистора PNP вы должны получить следующие результаты:

Цифровой измеритель сопротивления 2 кОм:

Соединения Полярность Результат
от B до E и от B до C Отрицательный на B Несколько сотен Ом
от B до E и от B до C Положительный на B Обрыв цепи
С до Е Отрицательный на E Обрыв цепи
С до Е Положительный к E Обрыв цепи или несколько сотен Ом
С до Е и В Положительный к E Обрыв цепи

Аналоговый измеритель (АВО-8) на диапазон сопротивлений Х1:

Соединения Полярность Результат
от B до E и от B до C Положительный на B Около десяти Ом
от B до E и от B до C Отрицательный на B Обрыв цепи
С до Е Положительный к E Обрыв цепи
С до Е Отрицательный на E Обрыв цепи или около 2 кОм
С до Е и В Отрицательный на E Обрыв цепи

Показания будут различаться у разных счетчиков, но общая картина должна быть такой же, если транзистор исправен.

Обратите внимание, что теоретически мы можем ожидать разомкнутой цепи. показания между эмиттером и коллектором со счетчиком, подключенным в обе стороны. Однако на практике мы часто получаем небольшой прямой ток утечки. это больше проявляется на цифровом измерителе из-за более низкого испытательного тока. Чтобы подтвердить, что это не проблема, соедините базу с эмиттером, чтобы полностью сместить транзистор выключен, и показания сопротивления должны увеличиться до разомкнутой цепи. Это показано в последней строке таблицы выше.

Возможно, вы заметили, что полярность счетчика для аналогового счетчика противоположно цифровому счетчику. Это до тому, как устроены цепи в измерителе, и это именно то, что мы ожидать.

При проверке германиевых транзисторов NPN полярность должны быть обратными для каждого теста, тогда результаты будут одинаковыми. Самый ранний в транзисторных радиоприемниках используются PNP-транзисторы. Единственные транзисторы NPN, которые вы, вероятно, с которыми можно столкнуться в бестрансформаторных выходных каскадах.

При проверке транзистора с экранным выводом (например, серии AF117), проверьте сопротивление между экраном и каждым других отведений. Он должен читаться как разомкнутая цепь.

Часто при тестировании транзисторов не очень нужно подумать о полярности. Просто проверьте базу-эмиттер и базу-коллектор соединения, и для каждого вы должны ожидать увидеть чтение в одну сторону и не читая наоборот. Затем проверьте, чтобы переход коллектор-эмиттер не замыкается накоротко.

Проверка диодов

Диоды также можно проверить мультиметром на диапазон сопротивления. Так как у него только два отведения, есть только два теста — вперед и реверс.

Цифровой измеритель сопротивления 2 кОм:

Соединения Полярность Результат
от А до К Положительный к A Несколько сотен Ом
от А до К Отрицательный на А Обрыв цепи

Аналоговый измеритель (АВО-8) на диапазон сопротивлений Х1:

Соединения Полярность Результат
от А до К Отрицательный на А Около двадцати Ом
от А до К Положительный к A Обрыв цепи

Опять же, показания будут различаться в зависимости от типа метра. Если вторая проверка показывает что-либо, кроме обрыва цепи диода негерметичен.

Замена транзисторов и диодов

Если вы читаете исторические книги, они посоветуют, что следует проявлять большую осторожность, чтобы тепло пайки не достигло корпуса транзисторов и диодов. Они часто предлагают использование теплового шунта (крокодил). или длинногубцы на поводке, чтобы отвести жар) и предупредит об ужасных последствия, если это проигнорировать.

На практике это легче сказать, чем сделать. Транзисторы часто монтируются близко к печатной плате, чтобы не было места для теплового шунта в, если бы вы хотели. Если провода длиннее, они обычно снабжены рукавами для предотвращения короткое замыкание, поэтому снова нельзя использовать тепловой шунт.

Решение — забыть о тепловом шунте, и соблюдать осторожность при пайке, чтобы компонент не перегревался. В исторических книгах часто предлагалось использовать небольшой паяльник диаметром около 15 Вт при пайке транзисторов. Идея заключалась в том, что меньшая мощность чтобы детали не стали слишком горячими. На практике, если вы используете маломощную пайку утюга требуется больше времени для пайки соединения, поэтому тепло распространяется дальше, увеличивая риск повреждения.

Я предпочитаю использовать достаточно мощный утюг, около от 35 до 50 Вт, при полном нагреве. Я использую терморегулятор температура утюга около 350°С. При этом соединения могут быть спаяны или распаяны. быстро, и тепло не успевает распространиться очень далеко. Попытайся избежать нагрев швов более чем на 2 секунды. Этого времени должно хватить припаять или отпаять соединение. Затем подождите 10 секунд или около того, чтобы разрешить все чтобы остыть, прежде чем делать следующий сустав.

Для демонтажа используйте подпружиненный демонтажный насос, чтобы удалить большую часть припоя. Если поводок перегибается на гусенице, затем вам нужно будет нагреть соединение во второй раз и переместить корпус транзистора. так, чтобы поводок слегка оторвался от гусеницы. Это должно быть достаточно чтобы освободить лид, и вы можете повторить операцию на других лидах — запоминая чтобы дать время для охлаждения между операциями.

При установке нового или сменного транзистора может оказаться полезным обрезать провода разной длины, чтобы можно было вставьте их в свои отверстия по одному. Это особенно полезно, если транзистор находится в неудобном положении. Дважды проверьте наличие лидов в нужные отверстия перед пайкой. Мне нравится наносить минимальное количество припоя необходимо выполнить соединения на этом этапе, а затем протестировать комплект. Если он работает, соединения могут быть спаяны с небольшим количеством припоя, а выводы обрезаны. Я не обычно складывают провода против дорожек, так как это делает любой последующий ремонт труднее.

Транзисторные и диодные соединения

Выводные соединения транзисторов часто включены в служебные данные для набора. Если нет, то его обычно можно получить из справочников по транзисторам. Данные по многим транзисторам доступны на моем Valve. Компакт-диск с данными.

На этой схеме показаны соединения выводов для Транзисторы Mullard чаще всего встречаются в британских транзисторных радиоприемниках. в 1960-х (вид снизу). Хотя это и не указано, второй и третьи типы упаковки также обычно имеют цветную точку на боковой стороне банки. по инициативе коллектора. Не думайте, что другие транзисторы в подобных корпусах такие же связи!

У диодов катодный вывод маркируется в полоску или другого цвета. Некоторые диоды, используемые для стабилизации температуры выходных каскадов находятся в однотипных корпусах с транзисторами; с этими вывод катода отмечен точкой сбоку корпуса. Катодный свинец диода иногда обозначают знаком «+», так как это положительный выход, когда диод используется в качестве выпрямителя.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *