Промышленная электроника

Промышленная электроника

Горбачев Г. Н., Чаплыгин Е. Е. Промышленная электроника: Учебник для вузов/Под ред. В. А. Лабунцова. — М.: Энергоатом-издат, 1988, — 320 с. Рассмотрены принцип действия, характеристики и параметры полупроводниковых приборов, транзисторных усилителей, импульсных, логических и цифровых устройств, основанных на применении интегральных микросхем. Рассмотрены принцип действия, расчет, характеристики и параметры зависимых вентильных преобразователей, их влияние на питающую сеть, способы построения систем управления. Дан обзор автономных вентильных преобразователей. Для студентов энергетических и электромеханических специальностей вузов. Оглавление ПРЕДИСЛОВИЕ ВВЕДЕНИЕ Глава первая. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 1.1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.2. ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОМ ПЕРЕХОДЕ 1.3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1.4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 1.5. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1.6. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 1.7. ТИРИСТОРЫ 1.8. ПАРАМЕТРЫ И РАЗНОВИДНОСТИ ТИРИСТОРОВ 1.9. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 1.10. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава вторая. ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 2.1. ПЕРЕДАТОЧНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА 2.2. РЕЖИМ ПОКОЯ В КАСКАДЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ 2.3. ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ. СТАБИЛИЗАЦИЯ РЕЖИМА ПОКОЯ 2.4. СХЕМА ЗАМЕЩЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ КАСКАДА С ОЭ 2.5. ВИДЫ СВЯЗЕЙ И ДРЕЙФ НУЛЯ В УСИЛИТЕЛЯХ ПОСТОЯННОГО ТОКА 2.6. ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ КАСКАД 2.7. КАСКАД С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ 2.8. КАСКАД С ОБЩИМ ИСТОКОМ 2.9. ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2.10. НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ 2. 11. ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ 2.12. ОПЕРАЦИОННЫЕ СХЕМЫ 2.13. КОМПЕНСАЦИЯ ВХОДНЫХ ТОКОВ И НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ НУЛЯ 2.14. ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА И САМОВОЗБУЖДЕНИЕ УСИЛИТЕЛЕЙ 2.15. ИЗБИРАТЕЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ И ГЕНЕРАТОРЫ СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙ 2.16. УСИЛИТЕЛИ С ЕМКОСТНОЙ СВЯЗЬЮ 2.17. КАСКАДЫ УСИЛЕНИЯ МОЩНОСТИ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава третья. ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА 3.1. ПРЕИМУЩЕСТВА ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ В ВИДЕ ИМПУЛЬСОВ 3.2. КЛЮЧЕВОЙ РЕЖИМ ТРАНЗИСТОРА 3.3. НЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЖИМ РАБОТЫ ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ. КОМПАРАТОРЫ 3.4. ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ СИГНАЛОВ С ПОМОЩЬЮ RС-ЦЕПЕЙ 3.3. МУЛЬТИВИБРАТОР НА ОПЕРАЦИОННОМ УСИЛИТЕЛЕ 3.6. ОДНОВИБРАТОР НА ОПЕРАЦИОННОМ УСИЛИТЕЛЕ 3.7. ГЕНЕРАТОРЫ ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩИХСЯ НАПРЯЖЕНИЙ 3.8. МАГНИТНО-ТРАНЗИСТОРНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава четвертая. ЛОГИЧЕСКИЕ И ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА 4.1. ОСНОВНЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ И ИХ РЕАЛИЗАЦИЯ 4.2. ТИПЫ ЛОГИЧЕСКИХ МИКРОСХЕМ 4. 3. АЛГЕБРА ЛОГИКИ 4.4. КОМБИНАЦИОННЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА 4.5. МИНИМИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ 4.6. КОМБИНАЦИОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 4.7. АСИНХРОННЫЙ RS-ТРИГГЕР 4.8. СИНХРОННЫЕ ТРИГГЕРЫ 4.9. СЧЕТЧИКИ И РАСПРЕДЕЛИТЕЛИ ИМПУЛЬСОВ 4.10. РЕГИСТРЫ 4.11. ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЕ И АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ 4.12. МИКРОПРОЦЕССОРЫ 4.13. СИСТЕМА КОМАНД МИКРОПРОЦЕССОРА 4.14. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ И УЗЛЫ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава пятая. МАЛОМОЩНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ ОДНОФАЗНОГО ТОКА 5.1. СТРУКТУРА ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ 5.2. ОДНОФАЗНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ С АКТИВНОЙ НАГРУЗКОЙ 5.3. ОДНОФАЗНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ С АКТИВНО-ИНДУКТИВНОЙ НАГРУЗКОЙ 5.4. ФИЛЬТРЫ МАЛОМОЩНЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ 5.5. ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ И РАСЧЕТА ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ЕМКОСТНЫМ ФИЛЬТРОМ 5.6. ВНЕШНИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МАЛОМОЩНЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ 5.7. СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 5.8. ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ С МНОГОКРАТНЫМ ПРЕОБРАЗОВАНИЕМ ЭНЕРГИИ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава шестая. ВЕДОМЫЕ СЕТЬЮ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СРЕДНЕЙ И БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ 6.1. ПРИМЕНЕНИЕ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В ЭНЕРГЕТИКЕ И ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ 6.2. ОДНОФАЗНЫЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ 6.3. ОДНОФАЗНЫЙ ВЕДОМЫЙ СЕТЬЮ ИНВЕРТОР 6.4. ТРЕХФАЗНЫЙ НУЛЕВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ 6.5. ТРЁХФАЗНЫЙ МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ 6.6. СОСТАВНЫЕ МНОГОФАЗНЫЕ СХЕМЫ ВЫПРЯМЛЕНИЯ 6.7. РЕВЕРСИВНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ И НЕПОСРЕДСТВЕННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ 6.8. РЕГУЛИРУЕМЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава седьмая. ВЛИЯНИЕ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ПИТАЮЩУЮ СЕТЬ 7.1. КОЭФФИЦИЕНТ МОЩНОСТИ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ 7.2. ВЕНТИЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ С ПОВЫШЕННЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ МОЩНОСТИ 7.3. ИСТОЧНИКИ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава восьмая. СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ ВЕНТИЛЬНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ 8.1. ФУНКЦИИ И СТРУКТУРА СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЙ 8.2. ФАЗОСМЕЩАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (ФСУ) 8.3. МНОГОКАНАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ 8. 4. ОДНОКАНАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ Глава девятая. АВТОНОМНЫЕ ВЕНТИЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ 9.1. СПОСОБЫ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 9.2. УЗЛЫ КОММУТАЦИИ ОДНООПЕРАЦИОННЫХ ТИРИСТОРОВ 9.3. ИНВЕРТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 9.4. ИНВЕРТОРЫ ТОКА 9.5. РЕЗОНАНСНЫЕ ИНВЕРТОРЫ КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ И ЗАДАЧИ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Научно-образовательный портал ТУСУР | Изучение статических характеристик биполярного транзистора: Методические указания по выполнению лабораторной работы / Агафонников В. Ф. — 2012. 15 с.

Методические указания по выполнению лабораторной работы

Рассмотрены физические процессы, протекающие при работе биполярного транзистора в разных схемах его включения: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК). Показаны преимущества и недостатки для каждой из схем включения (ОБ, ОЭ, ОК).

Кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры

Автор:   Агафонников В. Ф.

Год издания: 2012

Количество страниц: 15

Скачиваний: 22

Оглавление (содержание)

1. Введение

2. Принцип действия биполярного транзистора в качестве усилителя

3. Статистические характеристики и коэффициент передачи тока в различных схемах включения

3.1 Схема с общей базой

3.2 Схема с общим эмиттером

4. Порядок выполнения работы

5. Задание

6. Вопросы для самопроверки

7. Рекомендуемая литература

---

Пособие используется для изучения 6 дисциплин

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств)

Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11. 03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств) Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Технология электронных средств)

Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Конструирование и технология наноэлектронных средств)

Очная форма обучения, план набора 2013 г. План в архиве

Физика полупроводниковых структур

11.03.03 Конструирование и технология электронных средств (Проектирование и технология радиоэлектронных средств) Очная форма обучения, план набора 2014 г. План в архиве

---

Похожие пособия

Лабораторная работа №3 «Биполярные транзисторы»: Методические указания по дисциплине «Автоматизированное проектирование СВЧ устройств» / Дмитриев В. Д., Брагин Д. С. — 2020. 16 с.

Измерение h-параметров биполярного транзистора: Методические указания к лабораторному занятию по дисциплине «Физические основы микро- и наноэлектроники» / Славникова М. М., Артищев С. А. — 2022. 10 с.

Общая электротехника и электроника. Часть 2 – Общая электроника: Лабораторный практикум / Озеркин Д. В. — 2012.

162 с.

Схемотехника аналоговых электронных устройств: Лабораторный практикум / Шарыгина Л. И. — 2012. 63 с.

Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебно-методическое пособие / Шарыгина Л. И. — 2012. 87 с.

BJT Data Sheets

Home

О книге

Ресурсы для инструктора

Студенческие ресурсы

Бонусные текстовые темы

Примеры специй

Приложение L: Ответы на выбранные задачи

Общее введение в Data Sheets

AMPLIFIE Листы

Листы данных BJT

Листы данных диодов

Листы данных логики

Листы данных MOS

Листы данных стабилитронов и регуляторов

Приложения

Дополнительный материал

Исправления

 

Обратитесь к торговому представителю

Карточка с комментариями о высшем образовании

Щелкните номер детали, чтобы загрузить техническое описание.

Номер страницы	ID# Деталь №	Описание, Производство, Веб-сайт	Характеристики			Копия
			Страницы	Примечания к приложению	Принципиальные схемы
	110 TIP110/112 TIP115/117	Дополнительный силовой кремниевый транзистор Дарлингтона ST Микроэлектроника www. st.com	6	нет	да	да
	115 TIP115/117	См. TIP110/112
Т1271	MJE243/253	Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор На полупроводнике www.onsemi.com	8	нет	нет	да
	243 MJE243/253	Дополнительный кремниевый силовой пластиковый транзистор Motorola www. motorola.com	6	нет	нет	да
	253 MJE253	См. MJE243/253
	521 MJE521	Пластиковый кремниевый NPN-транзистор средней мощности Motorola www.motorola.com	4	нет	нет	да
	521 MJE521	Кремниевый транзистор NPN SGS-Thomson Microelectronics www. st.com	4	нет	нет
	2222 2N2222	Высокоскоростной переключатель SGS-Thomson Microelectronics www.st.com	5	нет	нет
	2222 2N2222	Переключающий транзистор NPN Philips Semiconductors www.semiconductors.philips.com	8	нет	нет	да
	2222 2N2222	Усилитель общего назначения NPN Fairchild Semiconductor www. fairchildsemi.com	7	нет	нет
	2222 2N2222	Кремниевый транзистор усилителя NPN Motorola www.motorola.com	6	нет	нет
	2907 2N2907	Усилитель и переключатель общего назначения SGS-Thomson Microelectronics www.st.com	5	нет	нет
	2907 2N2907	Переключающий транзистор PNP Philips Semiconductors www. semiconductors.philips.com	8	нет	нет	да
	2907 2N2907	Усилитель общего назначения PNP Fairchild Semiconductor www.fairchildsemi.com	2	нет	нет
	2907 2N2907	Кремниевый транзистор усилителя PNP Motorola www.motorola.com	6	нет	нет
	2955 TIP2955	Дополнительный силовой кремниевый транзистор Motorola www. motorola.com	4	нет	нет	да
	3046 СА3046	Массив транзисторов NPN общего назначения Intersil www.intersil.com	6	нет	нет	да
	3055 TIP3055	См. TIP2955
	3904 2N3904	Усилитель общего назначения NPN Fairchild Semiconductor www. fairchildsemi.com	7	нет	нет	да
	3904 2N3904	Переключающий транзистор NPN Philips Semiconductors www.semiconductors.philips.com	8	нет	нет
	3904 2N3904	Малосигнальный NPN-транзистор SGS-Thomson Microelectronics www.st.com	5	нет	нет
	3904 2N3904	Малосигнальный биполярный транзистор (0,6 Вт) (NPN) ROHM www. rohm.com	4	нет	нет
	3904 2N3904	Переключающий транзистор (NPN) KEC (Korea Electronics) www.keccorp.com	4	нет	нет
Т511	3904 Q2N3904	Усилитель общего назначения NPN Fairchild Semiconductor www.fairchildsemi.com	7	нет	нет	да
	3906 2N3906	Переключающий транзистор PNP Philips Semiconductors www. semiconductors.philips.com	8	нет	нет
	3906 2N3906	Малосигнальный PNP-транзистор SGS-Thomson Microelectronics www.st.com	5	нет	нет
	3906 2N3906	Транзистор общего назначения PNP ROHM www.rohm.com	4	нет	нет
	3906 2N3906	Усилитель общего назначения PNP Fairchild Semiconductor www. fairchildsemi.com	6	нет	нет	да
	3906 2N3906	Переключающий транзистор (PNP) KEC (Korea Electronics) www.keccorp.com	4	нет	нет
Т768	3906 Q2N3906	Усилитель общего назначения PNP Fairchild Semiconductor www.fairchildsemi.com	6	№	нет	да

Чтобы прочитать некоторые из этих файлов, на вашем компьютере должна быть установлена ​​программа Adobe Reader. Ты можешь загрузите бесплатную копию этой программы с веб-сайта Adobe.

4.4: Интерпретация листа данных BJT

1. Последнее обновление

2. Сохранить как PDF

Идентификатор страницы

25407

• Джеймс М. Фиоре
• Муниципальный колледж Mohawk Valley

Спецификация обычного NPN-транзистора 2N3904 показана на рисунке \(\PageIndex{1}\). Данная модель представлена ​​несколькими производителями. Во-первых, обратите внимание на стиль корпуса. Это ТО-9{\circ}\)C), максимальный ток коллектора 200 мА и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В. Очевидно, что устройство не может выдерживать максимальный ток и напряжение одновременно.

Рисунок \(\PageIndex{1a}\): техпаспорт 2N3904. Используется с разрешения SCILLC dba ON Semiconductor.

На рисунке \(\PageIndex{1b}\) мы находим множество характеристик, включая номинальные значения для \(\beta\) (указаны здесь как \(h_{FE}\)) при различных условиях. При особенно малых или больших токах коллектора \(\beta\) имеет тенденцию к падению. Также обратите внимание на широкую дисперсию 3:1 при 10 мА. Возможно, более показательными являются графики с третьей страницы, рисунок \(\PageIndex{1c}\).

Рисунок \(\PageIndex{1b}\): техпаспорт 2N3904 (продолжение).

Самый верхний график показывает изменение \(\beta\) в зависимости от тока коллектора и температуры. Нормализованная \(\бета\) отложена по вертикальной оси. То есть это не ожидаемое значение, а коэффициент, используемый для сравнения \(\бета\) при различных условиях.

Рисунок \(\PageIndex{1c}\): техпаспорт 2N3904 (продолжение).

Например, при комнатной температуре и 10 мА нормализованное значение равно 1,0. На второй странице указан диапазон от 100 до 300 для 2Н39.{\circ}\) C равно 0,7. Следовательно, \(\beta\) в этих условиях будет 0,7/1,0 \(\cdot\) 200 или 140. График также показывает, что, вообще говоря, \(\beta\) имеет тенденцию к увеличению с повышением температуры.

На среднем графике показано напряжение насыщения коллектор-эмиттер, или \(V_{CE(sat)}\), для различных условий тока. Это важный параметр при работе с транзисторными схемами включения. Мы еще вернемся к этому графику чуть позже в этой главе.

---

Эта страница под названием 4.4: Интерпретация таблицы данных BJT распространяется в соответствии с лицензией CC BY-NC-SA 4.0 и была создана, изменена и/или курирована Джеймсом М. Фиоре посредством исходного содержимого, которое было отредактировано в соответствии со стилем и стандартами платформа LibreTexts; подробная история редактирования доступна по запросу.

1. Наверх

• Была ли эта статья полезной?

1. Тип изделия

   Раздел или Страница

   Автор

   Джеймс М.