Цифровые микросхемы транзисторы.

Поиск по сайту

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t_{зд,р,ср.}= 13 нс. и среднее значение тока потребления I_пот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U¹_вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия		Параметр			Нагрузка
Российские	Зарубежные	Pпот. мВт.	tзд.р. нс	Эпот. пДж.	Cн. пФ.	Rн. кОм.
К155 КМ155	74	10	9	90	15	0,4
К134	74L	1	33	33	50	4
К131	74H	22	6	132	25	0,28
К555	74LS	2	9,5	19	15	2
К531	74S	19	3	57	15	0,28
К1533	74ALS	1,2	4	4,8	15	2
К1531	74F	4	3	12	15	0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый выход	Число входов-нагрузок из серий
	К555 (74LS)	К155 (74)	К531 (74S)
К155, КM155, (74)	40	10	8
К155, КM155, (74), буферная	60	30	24
К555 (74LS)	20	5	4
К555 (74LS), буферная	60	15	12
К531 (74S)	50	12	10
К531 (74S), буферная	150	37	30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I

o_вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр	Условия измерения	К155			К555			К531			К1531
		Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Тип.	Макс.	Мин.	Макс.
U1вх, В схема	U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах	2			2			2			2
U0вх, В схема				0,8			0,8			0,8
U0вых, В схема	Uи.п.= 4,5 В			0,4		0,35	0,5			0,5		0,5
		I0вых= 16 мА			I0вых= 8 мА			I0вых= 20 мА
U1вых, В схема	Uи. п.= 4,5 В	2,4	3,5		2,7	3,4		2,7	3,4			2,7
		I1вых= -0,8 мА			I1вых= -0,4 мА			I1вых= -1 мА
I1 вых, мкА с ОК схема	U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В			250			100			250
I1вых, мкА Состояние Z схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В			40			20			50
I0вых, мкА Состояние Z схема	U1и. п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В			-40			-20			-50
I1вх, мкА схема	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В			40			20			50		20
I1вх, max, мА	U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В			1			0,1			1		0,1
I0вх, мА схема	U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В			-1,6			-0,4			-2,0		-0,6
Iк. з., мА	U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В	-18		-55			-100			-100	-60	-150

Транзисторы BD 331 — BD 390 основные характеристики, аналоги, цоколевка

• Home ➦ Справочник радиолюбителя ➦ BD 331 — BD 390 страница 5

Справочник радиолюбителя

Type	Device	Short description	Fig.	Comparison type
BD 331	Si-N-Darl+Di	NF-L, 60V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 645, BD 897, BDW 23A, BDW 63A)
BD 332	Si-P-Darl+Di	NF-L, 60V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 646, BD 898, BDW 24A, BDW 64A)
BD 333	Si-N-Darl+Di	NF-L, 80V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 647, BD 899, BDW 23B, BDW 63B)
BD 334	Si-P-Darl+Di	NF-L, 80V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 648, BD 900, BDW 24B, BDW 64B)
BD 335	Si-N-Darl+Di	NF-L, 100V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 649, BD 901, BDW 23C, BDW 63C)
BD 336	Si-P-Darl+Di	NF-L, 100V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 650, BD 902, BDW 24C, BDW 64C)
BD 337	Si-N-Darl+Di	NF-L, 120V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 651, BDT 21, BDW 63D, BDW 74D)
BD 338	Si-P-Darl+Di	NF-L, 120V, 6A, 60W, >10MHz, B>750	(14j)	(BD 652, BDT 20, BDW 64D, BDW 74D)
BD 342	Si-N	NF-L, -MOV, 12A, 100W, 1,5MHz	23a	BD 249, BD 315, BDW 51 A, 2N5881
BD 343	Si-P	NF-L, -MOV, 12A, 100W, 1,5MHz	23a	BD 250, BD 316, BDW 52A, 2N5879
BD 344	Si-P	NF-L, 60V, 1A, 20W, >50MHz	14h	BD 138, BD 229, BD378, BD 786
BD 345	Si-N	NF-L, 60V, 1A, 20W, >50MHz	14h	BD 137, BD 228, BD 377, BD 785
BD 346	Si-P	NF-L, 60V, 8A, 60W, >4MHz	17j	BD 544A, BD 708, BD 798, BD 808
BD 347	Si-N	NF-L, 60V, 8A, 60W, >4MHz	17j	BD 543A, BD 707, BD 797, BD 807
BD 348	Si-P	NF-L, 80V, 1A, 20W, >50MHz	14h	BD 140, BD 231, BD 380, BD 792
BD 349	Si-N	NF-L, 80V, 1A, 20W, >50MHz	14h	BD 139, BD 230, BD 379, BD 791
BD 350	Si-P	NF-L, -/80V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 316, BD 318, 2N6029. ..6031
BD 350 A	Si-P	NF-L, -/70V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 316, BD 318, 2N6029…6031
BD 350 ย	Si-P	NF-L, -/60V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 316, BD 318, 2N6029…6031
BD 351	Si-N	NF-L, -/80V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 315, BD 317, 2N5629…5631
BD 351 A	Si-N	NF-L, -/70V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 315, BD 317, 2N5629…5631
BD 351 B	Si-N	NF-L, -/60V, 15A, 160W, >4MHz	23a	BD 315, BD 317, 2N5629…5631
BD 354 (A,B,C)	Si-N	NF-L, -MOV, 3A, 12,5W(Tc=45ฐ), >30MHz	22a	MJE 15028, 2SC3252…3253
BD 355 (A,B,C)	Si-P	NF-L, -MOV, 3A, 12,5W(Tc=45ฐ), >30MHz	22a	MJE 15029, 2SA1288. .. 1289
BD 356	Si-P	NF-L, 20V, 5A, 20W, >50MHz	14h	MJE 210
BD 357	Si-N	NF-L, 50V, 5A, 20W, >50MHz	14h	MJE 200, 2SC2270, 2SD826
BD 358	Si-P	NF-L, 20V, 5A, 8,3W, >50MHz	13h	(MJE 210)
BD 359	Si-N	NF-L, 50V, 5A, 8,3W, >50MHz	13h	(MJE 200, 2SC2270, 2SD826)
BD 361 (A)	Si-N	NF-L, 32V, 3A, 15W	14h	BD 175, BD 185, BD 435, 2N5190
BD 362 (A)	Si-P	NF-L, 32V, 3A, 15W	14h	BD 176, BD 186, BD 436, 2N5193
BD 363 (A,B)	Si-N	NF-L, 60V, 6A, 75W	17j	BD 243A, BD 543A, BD 797, BD 807
BD 364	Si-N	NF-L, 50V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 802, 2N5885

Type	Device	Short description	Fig.	Comparison type
BD 365	Si-P	NF-L, 50V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 4502, 2N5883
BD 366	Si-N	NF-L, 60V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 802, 2N5885
BD 367	Si-P	NF-L, 60V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 4502, 2N5883
BD 368	Si-N	NF-L, 80V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 802, 2N5886
BD 369	Si-P	NF-L, 80V, 25A, 200W, >4MHz	23a	MJ 4502, 2N5884
BD 370 A	Si-P	NF-Tr/E, 45V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 362, BD 518, BD 526, BD 840)
BD 370 B	Si-P	NF-Tr/E, 60V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 363, BD 518, BD 526, BD 842)
BD 370 C	Si-P	NF-Tr/E, 80V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 364, BD 520, BD 528, BD 844)
BD 370 D	Si-P	NF-Tr/E, 100V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BD 530, BD 844)
BD 371 A	Si-N	NF-Tr/E, 45V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 365, BD 517, BD 525, BD 839)
BD 371 B	Si-N	NF-Tr/E, 60V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 366, BD 517, BD 525, BD 841 )
BD 371 C	Si-N	NF-Tr/E, 80V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BC 367, BD 519, BD 527, BD 843)
BD 371 D	Si-N	NF-Tr/E, 100V, 1,5A, 2,5W, >50MHz	30e	(BD 529, BD 843)
BD 372(A. ..D)	Si-P	=BD 370A…D:	30c	—>>BD370A…D
BD 373(A…D)	Si-N	=BD 371 A…D:	30c	—>>BD 371A…D
BD 375	Si-N	NF/S-L, 50V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 177, BD 235, BD 785, 2SD1177… 1178
BD 376	Si-P	NF/S-L, 50V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 178, BD 236, BD 786, 2SB874…875
BD 377	Si-N	NF/S-L, 75V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 179, BD 237, BD 787, 2SD1177… 1178
BD 378	Si-P	NF/S-L, 75V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 180, BD 238, BD 788, 2SB874…875
BD 379	Si-N	NF/S-L, 100V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 237, BD 791, 2SD1177. ..1178
BD 380	Si-P	NF/S-L, 100V, 2A, 25W, >50MHz	14h	BD 238, BD 792, 2SB874…875
BD 385	Si-N	NF-L, 60V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 827, BD 841
BD 386	Si-P	NF-L, 60V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 828, BD 842
BD 387	Si-N	NF-L, 80V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 829, BD 843
BD 388	Si-P	NF-L, 80V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 830, BD 844
BD 389	Si-N	NF-L, 100V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 829, BD 843
BD 390	Si-P	NF-L, 100V, 1A, 10W, >250MHz	13h	BD 830, BD 844

Словарь сокращений и терминов используемых в справочнике смотрите здесь — http://www. xn--b1agveejs.su/radiotehnika/186-terminy-v-spravochnikah-rashifrovka.html

Советские транзисторы и их зарубежные аналоги

y%20331%20описание транзистора и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

org/Product»>

Часть	Модель ECAD	Производитель	Описание	Техническое описание Скачать	Купить часть
0643203318		Молекс	Прямоугольный разъем питания, 48 контактов, розетка, обжимной контакт, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS
0380020331		Молекс	ОТВЕРСТИЕ JTERM NI -1831
0643203319		Молекс	Прямоугольный разъем питания, 48 контактов, розетка, обжимной контакт, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS
64320-3311		Молекс	Форк Терминал,
0643203311		Молекс	Прямоугольный разъем питания, 48 контактов, розетка, обжимной контакт, розетка, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS
XAL5020-331MEB		Койлкрафт Инк	Катушка индуктивности общего назначения, 0,33 мкГн, 20%, 2221,

y%20331%20транзистор Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
2009 — 2SA1491P.Y Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 МТА-100 2SA1491P.Y
2009 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-100
2005 — HC49SSDLF Резюме: sn-3.0ag-0.5cu F5101 F1602T F1145 F3415 FOX801BE FSMLF F1100E F1100ER Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	F1100E F1100ER F1144E F1144ER F1145E F1145ER F1148E F1523BA F1523BAM F1602T HC49SSDLF сн-3.0аг-0.5ку F5101 F1602T F1145 F3415 FOX801BE ФСМЛФ F1100E F1100ER
1998 — ic w53 Резюме: SLQ34 y623 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
108-1051 Резюме: 82056 KPH 141 CST-100 LR7189 MTA-156 MTA 170 85 03 6414 трубка EP 1408 amp аппликатор Tyco Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-156 UL94В-0, 108-1051 82056 141 км/ч LR7189 МТА 170 85 03 6414 трубка ЕР 1408 аппликатор amp tyco
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МТА-15 МТА-156 УЛ94В-0
2008 — Н/С877Т Резюме: N/A7W18 N/M2N6660 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-156 N/S877T N/A7W18 Н/М2Н6660
1998 — гхж, Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
108-1051 Аннотация: МТА-156 LR7189 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	МТА-156 108-1051 LR7189
мф 31-55 Резюме: EN 3155 MF31-55 радиолокационная трубка 15кв300 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МФ31-55 мф 31-55 ЕН 3155 МФ31-55 радиолокационная трубка 15кв300
2014 — SN74AUP1GXX Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DFN0808 SN74AUP1GXX
2011 — ренесас v850 Резюме: uPD70F3745gj upd70f3805 UPD70F3793GC-UEU-AX UPD70F3742GC upd70f38 uPD70F3804K8-5B4-AX QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3744GJ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	32-битный V850ES 0411/4K/CPRN/BCD/СП R01PF0037EU0100 ренесас v850 uPD70F3745gj upd70f3805 UPD70F3793GC-UEU-AX UPD70F3742GC upd70f38 uPD70F3804K8-5B4-AX QB-V850ES uPD70F3740 UPD70F3744GJ
ампер мта 100 Реферат: 3-641213-2 408-8040 3-640440-4 4-647630-0 640637-3 641126-2 AMP 641994-1 idc закрытый коллектор CST-100 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 МТА-100 усилитель мта 100 3-641213-2 408-8040 3-640440-4 4-647630-0 640637-3 641126-2 АМП 641994-1 скрытый заголовок idc
2009 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-50 E28476 E53793 Sys354
RA3CSH9 Резюме: RA3esh9 RA3CSH9R RA3FSH9R RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	50 мА/24 В постоянного тока AQCXX-24 AQCXX-25 AQCXX-26 AQCXX-27 1B09ХХХХХ 1D09XXX 1F096XXX 1ZB09XDXXX Кнопка1ZB09 RA3CSH9 РА3еш9 RA3CSH9R РА3ФШ9Р RA3ATL6 RA3ctl9 RA3FTL6-2SL ra3ftl6 RA3ETL9 RA3CTH9
2012 — 62087 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	47 дюймов Th57LFT30W 47 дюймов 08. 02.2012 г. 62087
ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M Резюме: 67551 Thyratron Ignitron PL6755 Scans-00180016 тиратронная трубка rs tube scans-0018001 redresseur Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PL6755 ЗАЖИГАТЕЛЬ Z 400 M 67551 Тиратрон Игнитрон PL6755 Сканы-00180016 тиратронная трубка рс трубка сканы-0018001 воздаятель
2009 — ГПМЦ Резюме: ARM Cortex A8 Neon SIMD PBGA 423 cus PowerVR проводное соединение камера ноутбука 12X12 POP PACKAGE cpu 1wire e-MMC AM3517 Процессор ARM с шагом 0,4 мм Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	OMAP35x АМ35х АМ3505/17 OMAP35x ОМАП35 ГПМЦ ARM Cortex A8 Неон SIMD PBGA 423 кус PowerVR проводное соединение камера ноутбука ПАКЕТ ПОП 12X12 процессор 1wire электронная MMC АМ3517 Процессор ARM с шагом 0,4 мм
108-1050 Реферат: разъем idc 10 pin mta 156 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	КСТ-100 СЛ-156 МТА-100 УЛ94В-0, 108-1050 разъем idc 10-контактный mta 156
2012 — em231 Аннотация: предохранитель эм-231 ф 3,15а 250в Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Май 2012D 5×20мм МЭК-127-2 63 В постоянного тока. ОВОС-296-F эм231 эм-231 предохранитель ф 3.15а 250в
Стн 800×600 моно Abstract: 1280X1024 256KX16 640X480 800X600 Y 60 256KX16-60 tft lcd 8″ панель 1024×768 Stn 640×480 моно 68554 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СТ82/3-97 640×480 800×600 1024×768 1280X1024 256Кх16-40 55 МГц СТ82/3-97 стн 800×600 моно 1280X1024 256КХ16 640×480 800×600 Y 60 256КХ16-60 tft LCD 8″ панель 1024×768 Стн 640×480 моно 68554
113 г Резюме: HA 1329 QN-08 1329 y-448 AO2222 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	147нс, 00866пФ) АО211 АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 АО221 113 лет ГА 1329QN-08 1329 у-448 АО2222
ГСК 164 Резюме: Samsung 649 ao21 OA21D Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	204нс, 00486пФ, 048пФ, 048пФ АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 ГСК 164 самсунг 649 АО21 ОА21D
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
АО222 Реферат: ND3B FD2D2 FD3D2 STD150 FD2Q OA221 Samsung 546 NID4 FD4D2 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	112нс, 00305пФ) АО211 АО2111 АО2111d2 ао211д2 ао211d4 ао21д2 ао21d4 АО221 АО222 ND3B ФД2Д2 ФД3Д2 СТД150 FD2Q ОА221 Самсунг 546 NID4 FD4D2

Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Следующие

S8050 Распиновка транзистора, характеристики, эквивалент, схема и техническое описание

1 мая 2018 — 0 комментариев

Транзистор S8050
Схема контактов транзистора S8050

S8050 Описание контакта

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер
2	База	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	Ток проходит через коллектор

 

Характеристики и характеристики

• Низковольтный сильноточный транзистор NPN
• Малый сигнальный транзистор
• Максимальная мощность: 2 Вт
• Максимальное усиление постоянного тока (hFE) равно 400
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
• Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 5 В
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 20 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 30 В
• High Используется в двухтактной конфигурации усилителей класса B doe
• Доступен в пакете To-92

 

Примечание. Полные технические характеристики можно найти в техническом описании S8050 , приведенном в конце этой страницы.

 

Complementary PNP Transistors

S8550

 

Alternative NPN Transistors

S9014, MPSA42, SS8050, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906

 

S8050 Equivalent Transistors

2N5830 , S9013

 

Краткое описание S8050

S8050 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле и будет замкнут. смещен) при подаче сигнала на базовый контакт. Он имеет максимальное значение усиления 400; это значение определяет усилительную способность транзистора в обычном режиме С8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления. Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение коэффициента усиления будет равно 110. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.

 

S8050 в двухтактной конфигурации

Как указано в особенности транзистора S8050 обычно используются в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.