404 Cтраница не найдена

• Сведения об образовательной организации
  • Основные сведения
  • Структура и органы управления образовательной организацией
  • Документы
  • Образование
  • Образовательные стандарты
  • Руководство. Педагогический (научно-педагогический состав)
  • Материально-техническое обеспечение и оснащенность образовательного процесса
  • Стипендии и иные виды материальной поддержки
  • Платные образовательные услуги
  • Финансово-хозяйственная деятельность
  • Вакантные места для приёма (перевода)
  • Энергосбережение и повышение энергетической эффективности
  • Доступная среда
• Наш техникум
  • Теоретическое и производственное обучение
  • Воспитательная работа
  • Доступная среда
  • Противодействие коррупции
• Абитуриенту
  • Приёмная комиссия
  • Профессии
  • Фото-экскурсия
  • Видеогалерея
• Студенту
  • Полезные ссылки
  • Расписание
  • Библиотека
  • ЕГЭ
  • ГИА
  • Центр содействия трудоустройству выпускников
  • Учебно-методические материалы
• Контакты
• WorldSkills Russia
  • О нас
  • Чемпионат
• Обращения граждан
• Новости
• Наши профессии
• Преподавателю
• Moodle
• Организация питания в образовательной организации
  • Меню (в том числе информация о наличии диетического меню в образовательной организации)
  • Организация питания, документы и иная информация
  • Родительский контроль
  • Обратная связь для родителей (законных представителей), обучающихся
• Международное сотрудничество

Vcc и Vdd, Vss и Vee на схемах

 V_CC, V_EE, V_DD, V_SS — откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают

V_C, V_E и V_B. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим R_C, R_E и R_B. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают V_CC, V_EE и V_BB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, V_CC соответствуют плюсу, а V_EE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений

V_DD и V_SS (D — drain, сток; S — source, исток): V_{DD —} плюс, V_{SS —} минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: V_P (plate, anode), V_K (cathode, именно K, не C), V_G (grid, сетка).

 

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (V_CC

— плюс, V_EE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (V_DD — плюс, V_{SS —} минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием V_CC и V_DD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а V_EE

 и V_SS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Обозначение	Описание	Заметки
GND	Земля (минус питания)	Ground
AGND	Аналоговая земля (минус питания)	Analog ground
Vcc, Vdd, V+,VS+	Плюс питания (наибольшее положительное напряжение)
Vee, Vss, V-, VS−	Земля, минус питания (самое отрицательное напряжение)
Vref	Опорное напряжение (для АЦП, ЦАП, компараторов и др.)	Reference (эталон, образец)
Vpp	Напряжение программирования/стирания	(возможно pp = programming power)
VCORE, VINT	Напряжение питания ядра (например, в ПЛИС)	Core (ядро)
V IO, VCCIO	Напряжение питания периферийных схем (например, в ПЛИС)	Input/Output (ввод/вывод)

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).

Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно,

Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют V_CC вместе с V_SS или V_DD вместе с V_EE, но смысл, обычно, сохраняется — V_CC > V_SS, V_DD > V

EE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др. , обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.

Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

​Источник radiokot.ru​​​

Поделиться:

Транзистор — полевой транзистор и транзистор с биполярным переходом

Об этом курсе

10 610 недавних просмотров

Этот курс также может быть принят для академического кредита как ECEA 5632, часть степени магистра наук в области электротехники CU Boulder.

Этот курс представляет собой углубленное обсуждение и анализ полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) и транзисторов с биполярным переходом (БЮТ), включая равновесные характеристики, режимы работы, характеристики переключения и усиления тока. В конце этого курса учащиеся смогут: 1. Понять и проанализировать устройство металл-оксид-полупроводник (МОП) 2. Понять и проанализировать полевой МОП-транзистор (МОП-транзистор). 3. Понять и проанализировать биполярный переходной транзистор (BJT)

Гибкие сроки

Гибкие сроки

Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.

Общий сертификат

Общий сертификат

Получите сертификат по завершении

100% онлайн

100% онлайн

Начните сразу и учитесь по собственному графику.

Специализация

Курс 3 из 3 в специализации

«Полупроводниковые устройства»

Продвинутый уровень

Продвинутый уровень

Часов для прохождения

Прибл. 12 часов, чтобы закончить

Доступные языки

Английский

Субтитры: Французский, Португальский (Европейский), Русский, Английский, Испанский

Гибкие сроки

Гибкие сроки

Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.

Общий сертификат

Общий сертификат

Получите сертификат по завершении

100% онлайн

100% онлайн

Начните сразу и учитесь по собственному графику.

Специализация

Курс 3 из 3 в рамках специализации 9

«Полупроводниковые устройства»0005 Продвинутый уровень

Продвинутый уровень

Часов на прохождение

Прибл. 12 часов до завершения

доступных языков

Английский

Субтитры: французский, португальский (европейский), русский, английский, испанский

Инструктор

Wounjhang Park

Профессор

Электриация, компьютер и энергетическое проектирование

35,112

. Учащиеся

6 Курсы

Предлагает

Университет Колорадо в Боулдере

CU-Boulder — динамичное сообщество ученых и учащихся в одном из самых живописных университетских городков страны. Являясь одним из 34 государственных учебных заведений США, входящих в престижную Ассоциацию американских университетов (AAU), мы славимся традицией академического превосходства: пять нобелевских лауреатов и более 50 членов престижных академических академий.

Выпускной колпачок

Начните работать над получением степени магистра

Этот курс является частью 100% онлайн-курса магистра наук в области электротехники Университета Колорадо в Боулдере. Если вы допущены к полной программе, ваши курсы засчитываются для получения степени.

Узнать больше

О специализации «Полупроводниковые устройства»

Курсы по этой специализации также можно пройти для получения академического кредита как ECEA 5630-5632, часть степени магистра наук CU Boulder в области электротехники. Зарегистрируйтесь здесь.

Эта специализация по полупроводниковым устройствам предназначена для глубокого погружения в основы электронных устройств, которые составляют основу нашей современной технологии интегральных схем. Вы получите ценный опыт в области физики полупроводников, pn-переходов, контактов металл-полупроводник, транзисторов с биполярным переходом, устройств металл-оксид-полупроводник (МОП) и полевых МОП-транзисторов. Результаты обучения по специализации: * Изучите основные механизмы электропроводности в полупроводниках. * Понимать принципы работы основных электронных устройств, включая p-n-переход, контакт металл-полупроводник, транзисторы с биполярным переходом и полевые транзисторы. * Анализировать и оценивать производительность основных электронных устройств *Подготовка к дальнейшему анализу электронных и фотонных устройств на основе полупроводников

Часто задаваемые вопросы

• Когда я получу доступ к лекциям и заданиям?

• Что я получу, подписавшись на эту специализацию?

• Доступна ли финансовая помощь?

Есть вопросы? Посетите Справочный центр для учащихся.

Исследователи NIST возрождают и улучшают метод обнаружения дефектов транзисторов

Традиционный метод получает новую жизнь и может стать новым стандартом измерения электрического тока.

03 февраля 2022 г.

Исследователи из Национального института стандартов и технологий (NIST) возродили и улучшили некогда надежный метод выявления и подсчета дефектов в транзисторах, строительных блоках современных электронных устройств, таких как смартфоны. и компьютеры. За последнее десятилетие компоненты транзисторов в высокопроизводительных компьютерных чипах стали настолько малы, что популярный метод, известный как накачка заряда, больше не мог точно подсчитывать дефекты. Новый и усовершенствованный метод NIST достаточно чувствителен для самых современных крошечных технологий и может обеспечить точную оценку дефектов, которые в противном случае могли бы ухудшить работу транзисторов и ограничить надежность микросхем, в которых они находятся.

Новый модифицированный метод накачки заряда позволяет обнаруживать одиночные дефекты размером с атом водорода (одна десятая миллиардной метра) и указывать, где они расположены в транзисторе. Исследователи также могут использовать новую возможность для обнаружения и управления свойством каждого электрона, известным как квантовый спин. Возможность манипулировать отдельными спинами находит применение как в фундаментальных исследованиях, так и в квантовой инженерии и вычислениях.

Транзисторы действуют как электрические переключатели. В положении «включено», которое представляет «1» двоичной цифровой информации, определенное количество тока течет с одной стороны полупроводника на другую. В выключенном положении, представляющем «0» двоичной логики, ток перестает течь.

Дефекты в транзисторе могут помешать надежному протеканию тока и значительно ухудшить работу транзистора. Эти дефекты могли быть нарушены химическими связями в материале транзистора. Или они могут быть атомарными примесями, которые захватывают электроны в материале. Ученые разработали несколько способов классификации дефектов и минимизации их влияния в зависимости от структуры исследуемого транзистора.

В традиционной конструкции, известной как полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET), металлический электрод, называемый затвором, расположен поверх тонкого изолирующего слоя диоксида кремния. Ниже изолирующего слоя находится область интерфейса, которая разделяет изолирующий слой и основную часть полупроводника. В типичном транзисторе ток проходит по узкому каналу толщиной всего в одну миллиардную метра, который простирается от истока, расположенного по одну сторону затвора, до «стока» по другую сторону. Затвор управляет величиной тока в канале.

Накачка заряда — это двухэтапный процесс, в котором исследователь поочередно подает на затвор импульсы положительного тестового напряжения, затем отрицательного. (Транзистор не действует как выключатель в этом режиме тестирования.) В традиционной накачке заряда импульсы переменного напряжения подаются с одной заданной частотой.

На первом этапе испытания положительное напряжение притягивает или перекачивает отрицательно заряженные электроны к границе или границе между изолирующим слоем затвора и корпусом транзистора. Некоторые из накачанных электронов захватываются дефектами на границе раздела, но остается много электронов. На втором этапе прикладывается отрицательное напряжение, чтобы избавить интерфейс от лишних электронов, оставив только захваченные. Отрицательное напряжение также притягивает носители положительного заряда, известные как «дырки», в область, где они соединяются с электронами, захваченными в дефектах. Эта активность генерирует ток, пропорциональный количеству дефектов. Чем больше выходной ток, тем больше количество дефектов.

В недавнем прошлом ток действительно был надежным мерилом дефектов. Однако изолирующий оксидный слой в современных транзисторах теперь настолько тонкий — всего от 10 до 20 атомов водорода в ширину — что в игру вступает эффект из области квантовой механики, искажающий измерения с использованием традиционного метода накачки заряда.

Согласно квантовой теории, электроны и другие субатомные частицы никогда не могут быть по-настоящему захвачены; всегда есть некоторая вероятность того, что они вырвутся или «туннелируют» из ограждения или пограничного слоя. Чем тоньше материал, тем выше вероятность того, что электроны вырвутся наружу, создав туннельный ток. Поскольку размеры транзистора уменьшились, туннельный ток, просачивающийся через изолирующий оксидный слой, сделал почти невозможным обнаружение дефектов с помощью обычной накачки заряда. Ученые почти отказались от этой техники.

Исследователи Национального института стандартов и технологий США Джеймс Эштон, Марк Андерс и Джейсон Райан нашли способ спасти эту технику, чтобы она не только работала для ультратонких транзисторных компонентов, но и была более чувствительной, позволяя ученым регистрировать сигналы от одного дефекта. Решение возникло, когда ученые пришли к ключевому выводу: ток, возникающий в результате квантового туннелирования, остается практически одним и тем же, независимо от частоты, с которой накачка заряда создает импульсы положительного и отрицательного напряжения.

Вооружившись этими знаниями, команда пересмотрела метод накачки заряда, поочередно применяя положительное и отрицательное напряжения на двух разных частотах, а не на одной частоте, которая использовалась в традиционном методе. Применение напряжения на двух разных частотах дало исследователям два разных выходных тока. Вычитая один выходной ток из другого, постоянный сигнал из квантового туннельного тока выпадал. Устранив вмешивающийся туннельный ток, исследователи смогли обнаружить дефекты в транзисторах со сверхмалыми характеристиками. Исследователи сообщили о своей разработке метода частотно-модулированной накачки заряда в Интернете 29 февраля.0149 Письма по прикладной физике .

«Мы взяли на себя обязательство возродить новую жизнь», — сказал Эштон.

«Метод модулированной частоты теперь полезен для наблюдения за одиночными дефектами интерфейса, что позволяет инженерам контролировать заряды отдельных электронов в очень чувствительной схеме измерения», — добавил он.

Поскольку задействован только один электрон, выходной ток равен кратному заряду электрона, фундаментальной физической константе, рассчитанной NIST и другими учреждениями.

Поскольку этот метод может обнаруживать отдельные электроны, он может служить чувствительным зондом квантового спина электрона.