1 | Номинальное напряжение питания | 15 В |
2 |
Ток потребления при Uп = 15 В типовое значение |
40 мА 35 мА |
3 |
Коэффициент усиления входного напряжения при типовое значение |
17 Дб 20 Дб |
4 |
Коэффициент ослабления входного напряжения при Uп = 15 В, Uвых = 1 В, f = 1 кГц, Rн = 5,6 кОм типовое значение |
70 Дб 80 Дб |
5 | Входное сопротивление регулятора при Uп = 15 В, f = 1 кГц | 3 мОм |
6 | Входной ток по выводам |
2 мкА |
7 |
Входное напряжение при Uп = 15 В, f = 1кГц,
Кг 0,2 % : типовое значение |
1,0 В |
8 |
Коэффициент гармоник при Uп = 15 В,
Uвых = 1 В, f = 1 кГц типовое значение |
0,2 % 0,1 % |
9 |
Ток управления при Uп = 15 В: через вывод 13, U13 = 6,9 В типовое значение через вывод 12, U12 = 5,9 В типовое значение |
50 мА 15 мА 25 мА 8 мА |
10 |
Диапазон регулировки уровня громкости с выключенной тонкоррекцией при Uп = 15 В, Uвх = 100 мВ, f = 1 кГц типовое значение |
70 Дб (-60…+17 Дб) 90 Дб (-70…+20 Дб) |
11 |
Диапазон регулировки баланса с выключенной тонкоррекцией при типовое значение |
± 6 Дб ± 10 Дб |
12 |
Диапазон рабочих частот по уровню -1Дб с выключенной тонкоррекцией при Uп = 15 В, Ку = 0 |
20 Гц … 20 кГц |
13 |
Переходное затухание между каналами при Uп = 15 В, Uвых = 1 В : при f = 250 Гц … 12,5 кГц типовое значение при f = 20 Гц … 20 кГц типовое значение |
56 Дб 60 Дб 46 Дб 50 Дб |
14 |
Рассогласование коэффициента передачи между каналами: при Uп = 15 В, Uвых/Uвх = 0 … -50 Дб не более типовое значение при Uп = 15 В, Uвых/Uвх = -50 … -70 Дб не более типовое значение |
2,0 Дб 1,0 Дб 4,0 Дб 2,0 Дб |
15 |
Отношение сигнал-шум с выключенной тонкоррекцией типовое значение |
52 Дб 57 Дб |
Основные параметры м/с К174УН12:
|
Назначение выводов м/с К174УН12:
|
═ 1 ═ | ═ Номинальное напряжение питания | ═ 15 В |
═ 2 ═ ═ |
═ Ток потребления при Uп = 15 В ═ типовое значение |
═ 40 мА ═ 35 мА |
═ 3 ═ ═ ═ |
═ Коэффициент усиления входного напряжения при ═ Uп = 15 В, Uвых = 1 В, ═ f = 1 кГц, Rн = 5,6 кОм |
═ ═ 17 Дб ═ 20 Дб |
═ 4 ═ ═ ═ |
═ Коэффициент ослабления входного напряжения при ═ Uп = 15 В, Uвых = 1 В, f = 1 кГц, Rн = 5,6 кОм ═ типовое значение |
═ ═ 70 Дб ═ 80 Дб |
═ 5 ═ | ═ Входное сопротивление регулятора при Uп = 15 В, f = 1 кГц | ═ 3 мОм |
═ 6 ═ | ═ Входной ток по выводам 11 и 14 при Uп = 15 В | ═ 2 мкА |
═ 7 ═ ═ |
═ Входное напряжение при Uп = 15 В, f = 1кГц, Кг 0,2 % : ═ типовое значение |
═ 1,0 В |
═ |
═ Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, Uвых = 1 В, f = 1 кГц ═ типовое значение |
═ 0,2 % ═ 0,1 % |
═ 9 ═ ═ ═ ═ ═ |
═ Ток управления при Uп = 15 В: ═ через вывод 13, U13 = 6,9 В ═ типовое значение ═ через вывод 12, U12 = 5,9 В ═ типовое значение |
═ ═ 50 мА ═ 15 мА ═ 25 мА ═ 8 мА |
═ 10 ═ ═ |
═ Диапазон регулировки уровня громкости с выключенной ═ тонкоррекцией при Uп = 15 В, Uвх = 100 мВ, f = 1 кГц ═ типовое значение |
═ ═ 70 Дб (-60┘+17 Дб) ═ 90 Дб (-70┘+20 Дб) |
═ 11 ═ ═ ═ |
═ Диапазон регулировки баланса с выключенной тонкоррекцией ═ при Uп = 15 В, Uвх = 100 мВ, f = 1 кГц, Rн = 5,6 кОм ═ типовое значение |
═ ═ ± 6 Дб ═ ± 10 Дб |
═ 12 ═ ═ |
═ Диапазон рабочих частот по уровню -1Дб с выключенной ═ тонкоррекцией при Uп = 15 В, Ку = 0 |
═ ═ 20 Гц ┘ 20 кГц |
═ 13 ═ ═ ═ ═ ═ |
═ Переходное затухание между каналами при Uп = 15 В, Uвых = 1 В : ═ при f = 250 Гц ┘ 12,5 кГц ═ типовое значение ═ при f = 20 Гц ┘ 20 кГц ═ типовое значение |
═ ═ 56 Дб ═ 60 Дб ═ 46 Дб ═ 50 Дб |
═ 14 ═ ═ ═ ═ ═ |
═ Рассогласование коэффициента передачи между каналами: ═ при Uп = 15 В, Uвых/Uвх = 0 ┘ -50 Дб не более ═ типовое значение ═ при Uп = 15 В, Uвых/Uвх = -50 ┘ -70 Дб не более ═ типовое значение |
═ ═ 2,0 Дб ═ 1,0 Дб ═ 4,0 Дб ═ 2,0 Дб |
═ 15 ═ ═ ═ |
═ Отношение сигнал-шум с выключенной тонкоррекцией ═ при Uп = 15 В, Uвх = 100 мВ, Uвых = 50 мВ не менее ═ типовое значение |
═ ═ 52 Дб ═ 57 Дб |
К174УН5 — Справочник по микросхемам
Назначение, параметры, схема включения
Категория
Микросхемы отечественные
Микросхема К174УН5 представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом и предназначена для работы в звуковых трактах аппаратуры.
Содержит 42 интегральных элемента.
Микросхема конструктивно оформлена в двух видах корпусов, эскизы которых показаны на рисунках, масса не более 2 гр.
Назначение выводов
1,12 — общий
2 — выход
4 — напряжение питания
5,8 — фильтр
6 — вход 2
7 — вход 1
9,11 — коррекция
Второй вариант корпуса:
Назначение выводов
33,37 — общий
29 — выход
25 — напряжение питания
2,810 — фильтр
12 — вход 2
14 — вход 1
6,22 — коррекция
Структурная (внутренняя) схема
Схема включения
Электрические параметры
═ 1 ═ | ═ Номинальное напряжение питания | ═ 12 В ╠ 10 % |
═ 2 ═ | ═ Ток потребления при Uп = 12 В | ═ 30 мА |
═ 3 ═ | ═ Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц | ═ 80 … 120 |
═ 4 ═ |
═ Нестабильность коэффициента усиления напряжения ═ ═ при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц не более |
═ ═ ╠ 20 % |
═ 5 ═ |
═ Коэффициент нелинейных искажений при ═ Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт |
═ ═ 1,0 % |
═ 6 ═ | ═ Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц | ═ 10 кОм |
═ 7 ═ |
═ Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку ═ Rн = 4 Ома при Uп = 12 В |
═ ═ 2,0 Вт |
═ 8 ═ | ═ Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ | ═ 30 … 20 000 Гц ═ |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
═ 1 ═ | ═ Напряжение питания | ═ 13,2 В |
═ 2 ═ | ═ Максимальное напряжение синфазных сигналов | ═ 5,5 В |
═ 3 ═ | ═ Максимальная амплитуда выходного напряжения | ═ 1,5 В |
═ 4 ═ | ═ Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала | ═ 1,45 А |
═ 5 ═ |
═ Максимальная длительность выходного импульса при скважности 3 |
═ 30 мС ═ |
═ 6 ═ | ═ Активное сопротивление нагрузки | ═ 3,2 Ом |
═ 7 ═ | ═ Температура кристалла | ═ +125 °С |
═ 8 ═ ═ |
═ Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда |
═ ═ 20 °С/Вт ═ 100 °С/Вт |
═ 9 ═ | ═ Температура окружающей среды | ═ -25 … +55 °С |
Общие рекомендации по применению
* Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.
* При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.
* При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов — 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.
* При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
Параметры интегральных микросхем К174УН4
Корпус ИМС К174УН4
Принципиальная схема ИМС К174УН4
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература
Микросхемы служат в качестве усилителя мощности низкой частоты с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку 4 Ом. Предназначена для применения в переносных телевизорах и радиоприемниках. Аналог микросхемы TAA300 (функциональный аналог). Содержат 32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 1,5 гр.
Корпус ИМС К174УН4
1 — коррекция Icc выходных транзисторов
2 — обратная связь
3 — теплоотвод
4 — вход
5 — фильтр
6 — вольтодобавка
7 — питание +Uи.п.
8 — выход
9 — общий — Uи.п.
Принципиальная схема ИМС К174УН4
Типовая схема включения ИМС К174УН4
Электрические параметры
1 | Номинальное напряжение питания | 9 В ± 10% | |
2 | Ток потребления при Uп = 9 В, Uвх = 0 В | 10 мА | |
3 | Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В | 4…40 | |
4 |
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т=+25…+55°С |
20 % | |
5 |
Коэффициент гармоник при Uп = 9 В,
fвх = 1 кГц: К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт, Uвых = 2,0 В К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт, Uвых = 1,7 В |
2 % 2 % |
|
6 | Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | 10 кОм | |
7 |
Выходная мощность при Uп = 9 В,
Rн = 4 Ома, Кг
2 % : К174УН4А К174УН4Б |
1,0 Вт 0,7 Вт |
|
8 | Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В | 30…20 000 Гц | |
9 |
Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В,
Rн = 4 Ома: К174УН4А при Pвых = 1,0 Вт К174УН4Б при Pвых = 0,7 Вт |
50 % 35 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
1 |
Напряжение питания: в предельном режиме: |
8,1…9,9 В 5,4…10 В | |
2 |
Выходное напряжение: К174УН4А в предельном режиме К174УН4Б в предельном режиме |
2,0 В 2,25 В 1,7 В 1,87 В |
|
4 |
Амплитуда тока в нагрузке: К174УН4А в предельном режиме К174УН4Б в предельном режиме |
840 мА 900 мА 710 мА 750 мА |
|
5 |
Тепловое сопротивление: кристалл-корпус кристалл-среда |
60°С/Вт 135°С/Вт |
|
6 | Температура кристалла | +125 °С | |
7 | Температура окружающей среды | -25…+55°С |
Общие рекомендации по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5°С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20кГц — не более 3 дб. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом…2,7 кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995г. — 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996г. — 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993г. — 382с.
Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. — Москва: Издательство МЭИ, 1991г. 240 с., ил.