Стабистор Д223 — DataSheet

Стабисторы кремниевые, микросплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации постоянного и импульсного напряжения
и ограничения импульсов напряжения. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабистора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса стабистора не более 0,5 г.

• U_ст — Напряжение стабилизации.
• α_Uст — Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
• δ_Uст — Временная нестабильность напряжения стабилизации.
• U_пр — Постоянное прямое напряжение.
• I_пр — Постоянный прямой ток.
• r_ст — Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
• I_ст — Ток стабилизации.
• P_пp — Прямая рассеиваемая мощность.
• T — Температура окружающей среды.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Обозначение: Пример: КС182А

ВАХ стабилитрона:

I_ПР

U_ОБР U_{СТ НОМ} 0 1В U_ПР

I_{СТ НОМ}

I_ОБР

Одним из характерных параметров стабилитрона является температурный коэффициент напряжения стабилизации:

— напряжение стабилизации при температуре ;

— напряжение стабилизации при температуре ;

— разность температур.

показывает относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на 1К.

бывают больше и меньше нуля.Обычно используют стабилитроны с , работающие на лавинном пробое.

Иногда в качестве рабочего участка стабилитрона используется прямая ветвь ВАХ, имеющая — такие стабилитроны называются стабисторами.

Для компенсации температурных изменений последовательно со стабилитроном включают 1 или несколько стабисторов:

— стабилитрон ( )

— стабистор ( )

Созданные по данному принципу стабилитроны называются

Вместо стабистора можно использовать обычный выпрямительный диод, у которого прямая ветвь ВАХ также имеет .

Применение стабилитронов:

· Стабилизаторы напряжений.

· Источники опорного напряжения в цифровых схемах.

Фотодиод

Фотодиоды – это полупроводниковые диоды, преобразующие световую энергию в энергию электрическую.

Обозначение:

Изготавливают фотодиоды из германия и кремния. Работает фотодиод при обратном включении.

Устройство:

P-n переход помещается в металлический корпус со стеклянным окном.

Принцип работы:

Принцип работы фотодиода основан на внутреннем и внешнем фотоэффекте. Когда диод не освещен, в цепи протекает обратный темновой ток небольшой величины . При освещении фотодиода происходит фотогенерация пар НЗ (т.е. возникает внутренний фотоэффект – валентные электроны, получив световую энергию фотонов, переходят из ВЗ в ЗП). Проводимость диода при этом возрастает, следовательно, возрастает обратный ток фотодиода до значения . Разность между световым и темновым токами называется

Фотодиод может включаться в схему как с внешним источником питания (фотодиодный режим), так и без него (ве́нтильный режим).

(Используется при слабых световых (Используется при мощных

потоках) световых потоках, например,

солнечное излучение)

p n

ННЗ Ө

Е_ВН ННЗ

Е_ВНЕШН

а) Пусть имеется поток фотонов с энергией . Образовавшиеся за счет фотогенерации НЗ диффундируют к переходу. Суммарное поле перехода ( ) является ускоряющим для ННЗ, поэтому ННЗ перебрасываются полем в соседние области, образуя световой ток .

б) Пусть освещение перехода отсутствует. В этом случае фотогенерация также будет отсутствовать, поэтому через переход суммарным полем будут перебрасываться в небольшом количестве ННЗ, образованные за счет генерации, и через диод будет протекать темновой ток

Рассмотрим ве́нтильный режим:

В этом режиме будут происходить те же самые процессы, что и в фотодиодном режиме, только переброс ННЗ через переход будет осуществляться исключительно за счет внутреннего поля .

Применение фотодиодов:

· В вычислительной технике фотодиоды используют в устройствах ввода-вывода информации, т.к. фотодиоды обладают хорошей развязкой между входом и выходом (отсутствует электрическая связь между входом и выходом).

· В кино-, фото-аппаратуре.

· В оптронах в качестве фотоприёмников.

· Вентили – в качестве солнечных батарей.

Светодиод

Светодиоды – это полупроводниковые диоды, преобразующие электрическую энергию в световую.

Обозначение:Пример: АЛ102Б, АЛ307А

Светодиоды работают при прямом включении.

Принцип работы:

Под действием прямого напряжения ОНЗ диффундируют в соседние области, где они рекомбинируют с зарядами противоположного знака. Рекомбинация сопровождается переходом электронов из ЗП в ВЗ. При этом выделяется энергия в виде квантов излучения .

W(эВ)

Ө

W_П

hv

W_В

Для получения видимого излучения, необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны находилась в пределах: .

Отсюда видно, что германий и кремний для изготовления светодиодов непригодны, т.к. они имеют ширину запрещенной зоны меньшую, чем необходимо для видимого излучения ( ).

Для изготовления светодиодов применяется фосфид галлия (GaP), карбид кремния (SiC), тройные соединения, называемые твердыми растворами и состоящими из галлия, алюминия и мышьяка (Ga, Al, As) или галлия, мышьяка, фосфора (Ga, As, P).

Внесение в полупроводник некоторых примесей позволяет получить свечение различного цвета.

Кроме светодиодов, дающих видимое свечение, используются светодиоды инфракрасного излучения на основе арсенида галлия (GaAs), у которого . Они применяются в фотореле, различных датчиках, пультах, входят в состав некоторых оптронов.

Конструктивно светодиоды выполняются:

· В непрозрачных корпусах с линзой, обеспечивающей направленное излучение.

· В прозрачном пластмассовом корпусе, создающем рассеянное излучение.

· В бескорпусном варианте.

Применение:

Индикация, реле, датчики, пульты.

Транзисторы

Узнать еще:

Стабилитроны. Назначение. Условное графическое обозначение. Принцип действия. Характеристики и параметры. Примеры типовых значений параметров

Стабилитроном называется кремниевый полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя и предназначенный для стабилизации выходного напряжения. Прямая ветвь ВАХ стабилитрона не отличается от характеристики кремниевого диода. Рабочим является участок электрического пробоя на обратной ветви ВАХ. Основные параметры стабилитрона: напряжение стабилизации Uст при протекании заданного номинального тока стабилитрона Iст; максимальный Iст.max и минимальный Iст.min – предельно допустимые значения тока стабилитрона; дифференциальное сопротивление стабилитрона rст, которое определяется как отношение приращения напряжения ∆Uст к вызвавшему его приращению тока ∆Iст на участке пробоя: , которое должно быть возможно меньше. Этот параметр характеризует качество стабилитрона, то есть способность стабилизировать выходное напряжение при изменении проходящего тока; чем меньше дифференциальное сопротивление, тем выше качество стабилитрона; температурный коэффициент напряжения стабилизации a_ст:

Промышленностью выпускаются стабилитроны с параметрами: от 1,5 до 180 В, токи стабилизации от 0,5 мА до 1,4 А; от 0,05 до 0,15 %/К; от долей и единиц ома (у мощных стабилитронов) до сотен и даже тысяч ом (у высоковольтных маломощных стабилитро­нов). Особую группу составляют прецизионные стабилитроны, име­ющие до 0,0005 %/К, т.е. в сотни раз ниже, чем обычные. Их ис­пользуют в качестве источников опорного напряжения.

ХАРАКТЕРИСТИКИ СТАБИЛИТРОНА:

а – вольт-амперная характеристика, б – обозначение стабилитрона

Стабилизаторомнапряжения называют устройство, поддерживающее с определенной точностью неизменным напряжение на нагрузке. Изменение напряжения на нагрузке может быть вызвано рядом причин: колебаниями напряжения первичного источника питания (сети переменного напряжения, аккумулятора, гальванического элемента), изменением тока нагрузки.

Параметрический стабилизатор напряжения. Схема. Назначение и принцип действия. Параметры стабилизаторов. Эквивалентная схема параметрического стабилизатора напряжения. Принципы расчета

Параметрические стабилизаторы осуществляют стабилизацию напряжения за счет особых свойств (параметров) вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов: стабилитронов, стабисторов, транзисторов и др.

Параметрические стабилизаторы напряжениявыполняют на специальных полупроводниковых диодах: стабилитронах и стабисторах. Для стабилизации напряжения при помощи стабилитрона используют обратную ветвь ВАХ полупроводникового диода, а при помощи стабистора – его прямую ветвь. В стабилитронах используется явление электрического пробоя. При этом в широком диапазоне изменения тока через диод напряжение на нем меняется очень незначительно. Для ограничения тока через стабилитрон последовательно с ним включают балластный резистор R_Б. Основным параметром стабилизатора является коэффициент стабилизации по напряжению

,

где kп вх, kп вых – коэффициенты пульсации на входе и выходе стабилизатора.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации зависит от напряжения стабилизации и тока через стабилитрон. При низком напряжении стабилизации (менее 5 В) ТКН имеет отрицательный знак и при токе около 10 мА составляет примерно –2,1 мВ/°С. При напряжении выше 6 В ТКН имеет положительный знак и при Uст = 10 В достигает значения 6 мВ/°С. Выбирая ток стабилитрона, можно добиться почти нулевого значения ТКН.

Работа стабилизатора происходит следующим образом. Входной ток I1 = (U1 – U2)/RБ. Часть этого тока потребляет нагрузка (I2), а ток стабилитрона Iст = I1 – I2. Минимальный ток стабилитрона будет при минимальном входном напряжении и максимальном токе нагрузки, а максимальный ток стабилитрона – при максимальном входном напряжении и минимальном токе нагрузки:

Значения Iст.мин и Iст.макс должны находиться в допустимых пределах: Iст.мин ≥ Iст.min; Iст.макс ≤ Iст.max. Поскольку напряжение на стабилитроне при изменении его тока меняется незначительно, то и

напряжение на нагрузке остается стабильным.

Коэффициент стабилизации

Выходное сопротивление:

Так как обычно R _Б>> r _ст, то

Недостатком параметрического стабилизатора является низкий КПД.

Более высокие значения коэффициента стабилизации и КПД можно получить, применяя вместо резистора R_Бисточник тока J_ИТ. Он обладает большим внутренним сопротивлением R_ИТи работает при небольшом падении напряжения. В формуле для Kст следует вместо R_Б подставить R_ИТ. Параметрические стабилизаторы применяются для питания маломощных устройств и в качестве источников опорного напряжения в стабилизаторах компенсационного типа.

Рисунок 12.7 – Эквивалентная схема параметрического стабилизатора

©2015 arhivinfo.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.

Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Стабистор

Cтраница 4

Ток стабилизации / ст — ток через стабилитрон, стабистор, ( Не путать с током, который идет от стабилизатора в нагрузку.  [46]

Датчиками опорного напряжения здесь являются два последовательно соединенных селеновых стабистора. Вьш транзисторного стабилизатора используется для питания всех цепей упомянутых каскадов приемника, за исключением цепей без транзисторов, работающих в преобразователе частоты диапазонов KB, CB и ДВ, и второго каскада усилителя ПЧ. Базы этих транзисторов получают напряжения смещения ивыю непосредственно со стабисторов.  [47]

Резистор R2 и стабилитрон 1 / 5, включенный стабистором, образуют вспомогательный источник образцового напряжения 0 8 В. Второй стабилизатор обеспечивает значительно больший ток — около 500 мА — и выполняет функции балластного резистора, включаемого последовательно с нагрузкой.  [48]

В схему приемника введен стабилизатор напряжения, выполненный на стабисторе Д2 ( 7ГЕ2А — С), имеющем опорное напряжение-1 5 В. Этим достигается повышение температурной стабильности этих каскадов, а также сохранение максимальной чувствительности, малого коэффициента гармоник, исключение искажений типа ступенька при снижении напряжения питания. Стабилизация рабочей точки транзисторов выходного каскада УНЧ обеспечивается тем, что напряжение смещения на базы транзисторов Т6 и Т7 создастся током эмиттера транзистора То, стабилизированного по напряжению литания.  [49]

Параметрические стабилизаторы напряжения выполняют на специальных полупроводниковых диодах: стабилитронах и стабисторах. Для стабилизации напряжения при помощи стабилитрона используют обратную ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, а при помощи стабистора — его прямую ветвь.  [51]

Из-за малого удельного сопротивления исходного кремния толщина / 7-п-перехода и пробивное напряжение стабисторов оказываются очень малыми, но стабисторы предназначены для работы при прямом включении. Обратное напряжение на них может оказаться только во время переходных процессов в той или иной схеме. Максимально допустимое обратное напряжение при переходных процессах обычно не превышает для стабисторов нескольких вольт.  [52]

Диоды, специально предназначенные для работы в таком режиме, получили название стабисторов.  [54]

Стабилитроны работают в режиме неразрушающего электрического пробоя — туннельного или лавинного, а стабисторы — прямого напряжения на р — / г-переходе. Поэтому в качестве стабисторов используют кремниевые диоды, включенные в прямом направлении.  [55]

В табл. 83 приведены обозначения третьего, четвертого и пятого элементов стабилитронов и стабисторов.  [56]

В схеме двухтактного эмиттерного повторителя на комплементарных транзисторах КТ 860, КТ 861 использованы стабисторы 2С107 А, имеющие напряжение стабилизации С7СТ 0, 7 В; минимальный ток стабилизации / ст, т п 1 мА, максимальный / СТ.  [57]

Страницы:      1    2    3    4

Что такое диод, стабилитрон, варикап, тиристор, светодиод

Полупроводниковые приборы применялись в радиотехнике еще до изобретения электронных ламп. Изобретатель радио А. С. Попов использовал для обнаружения электромагнитных волн вначале когерер (стеклянную трубку с металличеокими опилками), а затем контакт стальной иглы с угольным электродом.

Это был первый полупроводниковый диод — детектор. Позже были созданы детекторы с использованием естественных и искусственных кристаллических полупроводников (галена, цинкита, халькопирита и т. д.).

Такой детектор состоял из кристалла полупроводника, впаянного в чашечку-держатель, и стальной или вольфрамовой пружинки с заостренным концом (рис. 1). Положение острия на кристалле находили опытным путем, добиваясь наибольшей громкости передачи-радиостанции.

 Рис. 1. Полупроводниковый диод — детектор.

В 1922 г. сотрудник Нижегородской радиолаборатории О. В. Лосев обнаружил замечательное явление: кристаллический детектор, оказывается, может генерировать и усиливать электрические колебания.

Это было настоящей сенсацией, но недостаточность научных познаний, отсутствие нужного экспериментального оборудования не позволили в то время глубоко исследовать суть процессов, происходящих в полупроводнике, и создать полупроводниковые приборы, способные конкурировать с электронной лампой.

Полупроводниковый диод

Полупроводниковые диоды обозначают символом, сохранившимся в общих чертах со времен первых радиоприемников (рис. 2,6).

Рис. 2. Обозначение и структура полупроводникового диода.

Вершина треугольника в этом символе указывает направление наибольшей проводимости (треугольник символизирует анод диода, а короткая черточка, перпендикулярная линиям-выводам,— его катод).

Этим же символом обозначают полупроводниковые выпрямители, состоящие, например, из нескольких последовательно, параллельно или смешанно соединенных диодов (выпрямительные столбы и т. п.).

Диодные мосты

Для питания радиоаппаратуры часто используют мостовые выпрямители. Начертание тажой схемы соединения диодов (квадрат, стороны которого образованы символами диодов) давно уже стало общепринятым, поэтому для обозначения таких выпрямителей стали иополикшать упрощенный символ — квадрат с  символом одного диода внутри (рис. 3).

Рис. 3. Обозначение диодного моста.

В зависимости от значения выпрямленного напряжения каждое плечо моста может состоять из одного, двух и более диодов. Полярность выпрямленного напряжения на схемах не указивают так как ее однозначно определяет аимвол диода внутри квадрата.

Мосты конструктивно  объединенные в одном корпусе, изображают отдельно показивая принадлежность к одному изделию в позиционном обозначены. Рядом с позиционным обозначением диодов, как и всех других полупроводниковых приборов, как правило, указывают их тип.

На основе символа диода построены условные обозначения полупроводниковых диодов с особыми свойствами. Для получения нужного символа используют специальные знаки, изВбражаемые либо на самом базовом символе, либо в непосредственной близости от него, а чтобы акцентировать внимание на некоторых из них, базовый символ помещают в круг — условное обозначение корпуса полупроводникового прибора.

Туннельные диоды

Знаком, напоминающим прямую скобку, обозначают катод туннельных диодов, (рис. 4,а). Их изготовляют из полупроводниковых материалов с очень большим содержанием примеси, в результате чего полупроводник превращается в полуметалл. Благодаря необычной форме вольт-амперной характеристики (на ней имеется участок отрицательного сопротивления) туннельные диоды используют для усиления и генерирования электрических сигналов и в переключающих устройствах. Важным достоинством этих диодов является то, что они могут работать на очень высоких частотах.

 Рис. 4. Тунельный диод и его обозначение.

Разновидность туннельных диодов — обращенные диоды, у которых при малом напряжении на р-п переходе проводимость в обратном направлении больше, чем в прямом.

Используют такие диоды в обратном включении. В условном обозначении обращенного диода черточку-катод изображают с двумя штрихами, касающимися ее своей’серединой (рис. 4,6).

Стабилитроны

Прочное место в источниках питания, особенно низковольтных, завоевали полупроводниковые стабилитроны, работающие также на обратной ветви вольт-амперной характеристики.

Это плоскостные кремниевые диоды, изготовленные по особой технологии. При включении их в обратном направлении и определенном напряжении -на переходе последний «пробивается», и в дальнейшем, несмотря на увеличение тока через- переход напряжение на нем остался почти неизменным.

Рис. 5. Стабилитрон и его обозначение на схемах.

Благодари этому свойству стабилитроны широко применяют в качестве самостоятельных стабилизирующих элементов, а также источников образцовых напряжений в стабилизаторах на транзисторах.

Для получения малых образцовых напряжений стабилитроны включают в прямом направлении, при этом напряжение стабилизации одного стабилитрона равно 0,7… 0,8 В. Такие же результаты получаются при включении в прямом направлении обычных кремниевых диодов.

Для стабилизации низких напряжений разработаны и широко применяются специальные полупроводниковые диоды — стабисторы. Отличие их от стабилитронов в том, что они работают на прямой ветви вольт-амперной характеристики, т. е. при включении в прямом (проводящем) направлении.

Чтобы показать на схеме стабилитрон, черточку-катод базового символа дополняют коротким штрихом, направленным в сторону символа анода (рис. 5,а). Следует отметить, что расположение штриха относительно символа анода должно быть неизменным независимо от положения условного обозначения стабилитрона на схеме.

Это в полной мере относится и к символу двух-анодного (двустороннего) стабилитрона (рис. 5,6), который можно включать в электрическую цепь в любом направлении (по сути, это два встречно включенных одинаковых стабилитрона).

Варикапы

Электронно-дырочный переход, к которому приложено обратное напряжение, обладает свойствами конденсатора. При этом роль диэлектрика играет сам р-п переход, в котором свободных носителей зарядов мало, а роль обкладок — прилежащие слои полупроводника с электрическими зарядами разного -знака — электронами и дырками. Изменяя напряжение, приложенное к р-п переходу, можно изменять его толщину, а следовательно, и емкость между слоями полупроводника.

Рис. 6. Варикапы и их обозначение на принципиальных схемах.

Это явление использовано в специальных полупроводниковых приборах — варикапах [от английских слов vari(able) — переменный и cap(acitor) — конденсатор]. Варикапы широко применяют для настройки колебательных контуров, в устройствах автоматической подстройки частоты, а также в качестве частотных модуляторов в различных генераторах.

Условное графическое обозначение варикапа (см. рис. 6,а), наглядно отражает их суть: дне параллельные черточки воспринимаются как символ конденсаторе. Кик и конденсаторы переменной емкости, варикапы часто изготовляют и виде блоков (их называют матрицами) с общим катодом и раздельными анодами. Для примера на рис. 6,6 показано обозначение матрицы из двух варикапов, а на рис. 6,в — из трех.

Тиристоры

На основе базового символа диода построены и условные обозначения тиристоров (от греческого thyra — дверь и английского (resi)stor — резистор). Это диоды, представляющие собой чередующиеся слои кремния с электропроводностью типов р и п. Таких слоев в тиристоре четыре, т. е. он имеет три р-п перехода (структура р-п-р-п).  

Тиристоры нашли широкое применение в различных регуляторах переменного напряжения, в релаксационных генераторах, коммутирующих устройствах и т. д.

Рис. 7. Тиристор и его обозначение на принципиальных схемах.

Тиристоры с выводами только от крайних слоев структуры называют динисторимн и обозначают символом диода, перечеркнутым отрезком линии, паралельной черточке-катоду (рис 7,а). Такой же прием использован и при построении обозначения симметричного динистора (рис.  7, б), проводящего ток (после включения) в обоих направлениях.

Тиристоры с дополнительным (третьим) выводом (от одного из внутрених слоен структуры) называют тринисторами. Управление по катоду в обозначении этих приборов показывают ломаной линией, присоединенной к символу катода (рис. 7,в), по аноду — линией, продолжающей одну из сторон треугольника, символизирующего анод (рис. 7,г).

Условное обозначение симметричного (двунаправленного) трииистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода (рис. 7,(5).

Фотодиоды

Основной частью фотодиода является переход, работающий при обратном смещении. В его корпусе имеется окошко, через которое освещается кристалл полупроводника. В отсутствие света ток через р-п переход очень мал — не превышает обратного тока обычного диода.

Рис. 8. Фотодиоды и их изображение на схемах.

При освещении кристалла обратное сопротивление перехода резко падает, ток через него растет. Чтобы показать такой полупроводниковый диод на схеме, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним (слева сверху, независимо от положения символа) изображают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа (рис. 8,а).

Подобным образом нетрудно построить и условнбе обозначение любого другого полупроводникового прибора, изменяющего свои свойства под действием оптического излучения. В качестве примера на рис. 8,6 показано обозначение фотодинистора.

Светодиоды и светодиодные индикаторы

Полупроводниковые диоды, излучающие свет при прохождении тока через р-n переход, называют светодио-дами. Включают такие диоды в прямом направлении. Условное графическое обозначение светодиода похоже на символ фотодиода и отличается от него тем, что стрелки, обозначающие оптическое излучение, помещены справа от кружка и направлены в противоположную сторону (рис. 9).

 Рис. 9. Светодиоды и их изображение на схемах.

Для отображения цифр, букв и других знаков в низковольтной аппаратуре часто применяют светодиодные знаковые индикаторы, представляющие собой наборы светоизлучающих кристаллов, расположенных определенным образом и залитых прозрачной пластмассой.

Условных обозначений для подобных изделий стандарты ЕСКД не предусматривают, но на практике часто используют символы, подобные показанному на рис. 10 (символ семисегментного индикатора для отображения цифр и запятой).

Рис. 10. Обозначение светодиодных сегментных индикаторов.

Как видно, такое графическое обозначение наглядно отражает реальное расположение светоизлучающих ‘элементов (сегментов) в индикаторе, хотя и не лишено недостатка: оно не несет информации о полярности включения выводов индикатора в электрическую цепь (индикаторы выпускают как с общим для всех сегментов выводом анода, так и с общим выводом катода).

Однако особых затруднений это обычно не вызывает, поскольку подключение общего вывода индикатора (как, впрочем, и микросхем) оговаривают на схеме.

Оптроны

Светоизлучающие кристаллы широко используют в оптронах — специальных приборах, применяемых для связи отдельных частей электронных устройств в тех случаях, когда необходима их гальваническая развязка. На схемах оптроны изображают, как показано на рис. 11.

Оптическую связь излучателя света (светодиода) с фотоприемником показывают двумя параллельными стрелками, перпендикулярными линиям-выводам оптрона. Фотоприемником    в оптроне могут быть не только фотодиод (рис. 11,а), но и фоторезистор (рис. 11,6), фотодинистор (рис. 11,в) и т. д. Взаимная ориентация символов излучателя и фотоприемника не регламентируется.

Рис. 11. Обозначение оптопар (оптронов).

При необходимости составные части оптрона допускается изображать раздельно, но в этом случае знак оптической связи следует заменить знаками оптического излучения и фотоэффекта, а принадлежность частей к оптрону показать в позиционном обозначении (рис. 11,г).

Литература: В.В. Фролов, Язык радиосхем, Москва, 1998.

12. Стабистор

Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации[1], которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый набор с последовательным соединением отдельных элементов.

Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.

Основная часть стабисторов — кремниевые диоды. Кроме кремниевых стабисторов промышленность выпускает и селеновые поликристаллические стабисторы, которые отличаются простотой изготовления, а значит, меньшей стоимостью. Однако селеновые стабисторы имеют меньший гарантированный срок службы (1000 ч) и узкий диапазон рабочих температур.

13. Светодиод

Светодио́д или светоизлучающий диод (СД, СИД, LED англ. Light-emitting diode) — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом или контактом металл-полупроводник, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра, его спектральные характеристики зависят в том числе от химического состава использованных в нём полупроводников. Считается[кем?], что первый светодиод, излучающий свет в видимом диапазоне спектра, был изготовлен в 1962 году в Университете Иллинойса группой, которой руководил Ник Холоньяк. В 1923 году, экспериментируя с детектирующим контактом на основе пары «карборунд — стальная проволока», Олег Лосев обнаружил на стыке двух разнородных материалов слабое свечение — электролюминесценцию полупроводникового перехода. Обозначение светодиода в электрических схемах

При пропускании электрического тока через p-n переход в прямом направлении, носители заряда — электроны и дырки — рекомбинируют с излучением фотонов (из-за перехода электронов с одного энергетического уровня на другой).

Не все полупроводниковые материалы эффективно испускают свет при рекомбинации. Лучшие излучатели относятся к прямозонным полупроводникам (то есть таким, в которых разрешены прямые оптические переходы зона-зона), типа AIIIBV (например, GaAs или InP) и AIIBVI (например, ZnSe или CdTe). Варьируя состав полупроводников, можно создавать светодиоды для всевозможных длин волн от ультрафиолета (GaN) до среднего инфракрасного диапазона (PbS).

Диоды, сделанные из непрямозонных полупроводников (например, кремния, германия или карбида кремния), свет практически не излучают. Впрочем, в связи с развитием кремниевой технологии, активно ведутся работы по созданию светодиодов на основе кремния. В последнее время большие надежды связываются с технологией квантовых точек и фотонных кристаллов.

Преимущества:

-По сравнению с другими электрическими источниками света (преобразователями электроэнергии в электромагнитное излучение видимого диапазона), светодиоды имеют следующие отличия:

-Высокая световая отдача. Современные светодиоды сравнялись по этому параметру с [Натриевыми газоразрядными лампами] и металлогалогенными лампами, достигнув 150 Люмен на Ватт.

-Высокая механическая прочность, вибростойкость (отсутствие нити накаливания и иных чувствительных составляющих).

-Длительный срок службы — от 30000 до 100000 часов ( при работе 8 часов в день — 34 года). Но и он не бесконечен — при длительной работе и/или плохом охлаждении происходит «отравление» кристалла и постепенное падение яркости.

-Спектр современных светодиодов бывает различным — от тёплого белого = 2700 К до холодного белого = 6500 К.

-Малая инерционность — включаются сразу на полную яркость, в то время как у ртутно-форфорных (люминесцентных-экономичных) ламп время включения от 1 сек до 1 мин, а яркость увеличивается от 30% до 100% за 3-10 минут, в зависимости от температуры окружающей среды.

-Количество циклов включения-выключения не оказывают существенного влияния на срок службы светодиодов (в отличие от традиционных источников света — ламп накаливания, газоразрядных ламп).

-Различный угол излучения — от 15 до 180 градусов.

-Низкая стоимость индикаторных светодиодов, но относительно высокая стоимость при использовании в освещении, которая снизится при увеличении производства и продаж.

-Безопасность — не требуются высокие напряжения, низкая температура светодиода или арматуры, обычно не выше 60 градусов Цельсия.

-Нечувствительность к низким и очень низким температурам. Однако, высокие температуры противопоказаны светодиоду, как и любым полупроводникам.

-Экологичность — отсутствие ртути, фосфора и ультрафиолетового излучения в отличие от люминесцентных ламп.

Литература:

И.В.Савельев «Курс общей физики, том 2. Электричество»

«Элементарный учебник физики, том 2. Электричество и магнетизм»

Интернет-источник: http://ru.wikipedia.org/wiki/Полупроводниковый_диод

Стабилитроны, стабисторы, импульсные ограничительные TVS-диоды

ElectronicDevices4U — Компоненты ES | Франчайзинговый дистрибьютор и производитель

AC
Переменный ток

AC Coupling
Цепь, которая передает сигнал переменного тока, блокируя постоянное напряжение

AC / DC
Оборудование, которое будет работать от переменного или постоянного тока источник

ОБЛАСТЬ АКТИВНОЙ ЦЕПИ
Все области от внешнего края контактных площадок внутрь, за исключением тех мест, где в устройстве есть активная линия, расположенная за внешним краем контактных площадок.

Генератор переменного тока
Устройство, преобразующее механическую энергию в электрическую мощность переменного тока

Линия нагрузки переменного тока
График, представляющий все возможные комбинации выходного напряжения переменного тока и тока для усилителя

Источник питания переменного тока
Источник питания, который подает переменное напряжение

Активный компонент
Компонент, который изменяет амплитуду сигнала между выходом и входом.
Подробнее…

Активный фильтр
Фильтр, который использует усилитель, а также реактивные компоненты для пропускания или подавления выбранных частот

Активная область

Область работы BJT (биполярного переходного транзистора) между насыщением и отсечкой используется для линейного усиления

AC TEST
Измерение динамических или переключаемых электрических параметров

AC Voltage
Напряжение переменного тока

ВОЗДУШНЫЙ (СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ) МОСТ
Рельефный слой металлизации, используемый для соединения, который является изолированы от поверхности матрицы только воздухом.

АЛГОРИТМ
В математике и электронике алгоритм — это автономный пошаговый набор операций. Цифровые сигнальные процессоры (DSP) часто используются в электронных схемах для анализа или преобразования электронного сигнала с использованием алгоритма.

Щелочной элемент
Также известный как «щелочно-марганцевый элемент», первичный элемент, который выдает больше тока, чем углеродно-цинковый элемент.

ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК (AC)
Либо напряжение, либо ток, плавно изменяющийся от нуля до максимального значения в одном направлении или полярности и возвращающийся к нулю.Затем он меняет свое направление (полярность) и достигает максимального значения в противоположном направлении, а затем возвращается к нулю для завершения цикла. Этот цикл повторяется непрерывно. Количество циклов в секунду — это его частота, измеряемая в герцах (Гц). Смотрите SINE WAVE.

Амперметр
Измеритель, используемый для измерения тока

АНАЛОГОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ (ЛИНЕЙНЫЙ)
Схема, выходная форма которой является усиленной версией ее входной формы волны. Также называется ЛИНЕЙНЫМ УСИЛИТЕЛЕМ.

АНАЛОГОВЫЙ СИГНАЛ
Электрический сигнал, который имеет постоянно изменяющиеся напряжения, частоты или фазы.

АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ
Переключатель с цифровым управлением, который обеспечивает токопроводящий путь для линейного или аналогового напряжения во включенном состоянии

AMPERE
Единица измерения электрического тока, названная в честь Андре Ампера, француза XIX века. физик. Один ампер — это величина тока, которая будет поддерживаться в цепи с электродвижущей силой в один вольт и сопротивлением в один ом.18 электронов в секунду. См. ТЕКУЩИЙ.

УСИЛЕНИЕ
Процесс увеличения напряжения, тока или мощности электрического или электронного сигнала.

УСИЛИТЕЛЬ
Электронная схема, которая получает питание от напряжения питания или источника напряжения для создания на своем выходе улучшенного воспроизведения сигнала, существующего на его входе. Усиливающим компонентом может быть транзистор, электронная лампа или подходящее магнитное устройство.

ANODE
Одна из двух клемм диода (материал положительного типа) или выходная клемма (также материал положительного типа) кремниевого управляемого выпрямителя (SCR)

Аналоговый
Информация, представленная как непрерывно изменяющееся напряжение или тока, а не дискретными уровнями, в отличие от цифровых данных, изменяющихся между двумя дискретными уровнями

АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
Плавно изменяющееся напряжение.-10 метров). Он назван в честь Андерса Ангстрёма, шведского физика 19 века.

Анод
Положительно заряженный электрод, например, электролитический элемент, аккумуляторная батарея или электронная трубка

АРМАТУРА
Движущаяся часть магнитного устройства, состоящая из одной или нескольких катушек, которые электрически соединены для создания вращающейся секция генератора. См. Раздел «АРМАТУРА» в «Глоссарии переключателей, клавиатур и электромеханических реле».

AOI
Автоматизированный оптический контроль

Ag
Серебро

Al
Алюминий

Au
Gold

Ширина полосы
Числовая разность между верхней и нижней частотами электромагнитного излучения .Аббревиатура = BW

BARE DIE
II Отдельные неупакованные кремниевые интегральные схемы.

ШАРИКОВАЯ СЕТКА (BGA)
Технология упаковки, аналогичная решетчатой ​​матрице контактных площадок, в которой внешние соединения устройства расположены в виде массива проводящих контактных площадок на основании корпуса. Однако в случае решетки из шариков к проводящим контактным площадкам прикрепляются маленькие шарики припоя.

BALL BONDING
Техника термокомпрессионного соединения.Конец проволоки расплавляется, образуя шарик, который обеспечивает большую площадь контакта, чем это было возможно в противном случае.

ШАРОВАЯ РЕШЕТКА (BGA)
Технология упаковки, аналогичная решетчатой ​​матрице с контактными площадками. в котором внешние соединения устройства расположены в виде массива токопроводящих площадок на основании корпуса. Однако в случае решетки из шариков к проводящим контактным площадкам прикрепляются маленькие шарики припоя.

BASE
Электрическое устройство, состоящее из одной или нескольких ячеек, которое преобразует химическую или солнечную энергию в электрическую.Батарея обеспечивает источник постоянного постоянного напряжения.

Аккумулятор
Источник постоянного напряжения, содержащий две или более ячеек, которые преобразуют химическую энергию в электрическую.

BETA
Греческая буква, обозначающая коэффициент усиления по току биполярного транзистора. Это отношение выходного тока транзистора (IC) к его входному току (IB).

НАПРЯЖЕНИЕ СМЕЩЕНИЯ
Напряжение постоянного тока, приложенное к клеммам PN перехода, независимо от того, является ли устройство диодом, биполярным транзистором или полевым транзистором.PN-переход смещен в прямом направлении, когда положительное напряжение приложено к P-области относительно N-области, и смещается в обратном направлении, когда полярность напряжения меняется на противоположную.

Биполярный транзистор
(BJT), устройство с тремя выводами, в котором ток между эмиттером и коллектором управляется током базы.

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Трехконтактный полупроводниковый компонент с трехслойной структурой из альтернативных материалов отрицательного и положительного типов (NPN или PNP).Он обеспечивает усиление тока и напряжения в цепи.

ВРЕМЯ РАЗРЫВА
Максимальное время, необходимое для срабатывания предохранителя после воздействия на него превышения номинального тока устройства. По времени срабатывания предохранители классифицируются как медленные, нормальные или быстрые.

BONDING, DIE
Присоединение полупроводникового кристалла к корпусу или подложке. Также называется насадкой для штампа.

СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ ПРОВОД
Тонкий провод, используемый для электрического соединения между различными контактными площадками и клеммами устройства.

МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬ
Четыре полупроводниковых диода, сконфигурированные как мост, который преобразует переменный ток в двухполупериодный пульсирующий D

Буфер
Усилитель, используемый для изоляции нагрузки от источника

BULK METAL0004 FOIL слой фольги из резистивного сплава, прикрепленный к керамической подложке, обеспечивающий метод компенсации для получения очень низкого TCR, и изолированный корпусом, полученным литьевым формованием.

КАБЕЛЬ
Тип среды линейной передачи.Некоторые из распространенных типов кабелей включают в себя: соединительный провод, коаксиальные (экранированные) кабели, сетевой кабель лампы и сетевого кабеля, кабель восьмерки (застежка-молния) и оптоволоконный кабель

Калибровка
Для корректировки правильного значения считывания путем сравнения по стандарту

КОНДЕНСАТОР
Пара параллельных «пластин», разделенных изолятором (диэлектриком). Накапливает электрический заряд и имеет тенденцию передавать более высокие частоты с большей готовностью, чем низкие частоты. Не пропускает постоянный ток и действует как изолятор.-9F)

Углеродно-пленочный резистор
Устройство, изготовленное путем нанесения тонкой углеродной пленки на керамическую форму

Углеродный резистор
Резистор фиксированного номинала, изготовленный путем смешивания гранул углерода со связующим, которое формуют и затем обжигают

CATHODE
Один из двух выводов диода (материал отрицательного типа) или вывод (также материал отрицательного типа), который является общим для обеих секций входа и выхода SCR

CELL
Единый блок аккумулятор, который генерирует постоянное напряжение путем преобразования химической или солнечной энергии в электрическую.

Центральный ответвитель
Промежуточное соединение между двумя концами обмотки

Выпрямитель с центральным ответвлением
Схема, в которой используется центральный ответвительный трансформатор и два диода для обеспечения двухполупериодного выпрямления

Центральный ответвительный трансформатор
Трансформатор с подключением к электрическому центру обмотки

Керамический конденсатор
Конденсатор с керамическим диэлектриком

ЧИСТАЯ ПОМЕЩЕНИЕ
Помещение с высокой степенью фильтрации воздуха для защиты от примесей.На заводах по производству чипов используются чистые помещения, где воздух полностью обменивается до семи раз в минуту. Рабочие проходят сложную процедуру, чтобы облачиться в «костюмы кроликов», которые необходимы, чтобы уберечь их от загрязнения атмосферы. Чистые помещения также используются при производстве жестких дисков. В биотехнологической промышленности чистые помещения защищают окружающую среду от инфекционных бактерий и вирусов.

CHIPS
Неупакованные диоды, биполярные транзисторы, тиристоры, симисторы и полевые транзисторы (FET) — также называемые DICE

CIRCUIT
Отдельный компонент или группа взаимосвязанных компонентов, питаемых от источника напряжения и настроенных согласно указанным правилам.Схема выполняет конкретную или заранее определенную общую задачу.

ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ
Автоматическое, магнитное или биметаллическое устройство, которое размыкает токоведущую цепь, что приводит к ее неработоспособности. Это устройство используется для предотвращения повреждения цепи в случае перегрузки по току. В отличие от предохранителя, который плавится при превышении его номинала, автоматический выключатель можно сбросить автоматически или вручную после устранения проблемы в цепи.

CMOS (ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ МОП-транзистор
Комбинация N-канального и P-канального МОП-транзистора в одной схеме переключения.Эта схема имеет очень низкое рассеивание мощности и эффективное устранение внешнего нагрузочного резистора. Устройство реагирует на цифровой импульс на своем входе, включая одну секцию устройства, а другую выключая, заставляя выключенную секцию действовать как его высокоомная нагрузка. Когда входной импульс возвращается к нулю, состояние двух секций устройства меняется на противоположное.

ПРОВОЛОКА С ПОКРЫТИЕМ
Резистивный сплав в форме проволоки, намотанной на каркас и изолированной конформным покрытием из эпоксидной смолы, силиконовой эмали или стекловидной эмали.

КОАКСИАЛЬНЫЙ КАБЕЛЬ
Металлический кабель, сконструированный таким образом, что внутренний проводник экранирован от ЭМИ (электромагнитного излучения) внешнего проводника. Коаксиальный кабель менее подвержен большему ухудшению передачи, чем кабель витой пары, и имеет гораздо большую полосу пропускания; таким образом, коаксиальный кабель используется в большинстве аналоговых и цифровых систем для передачи сигналов низкого уровня.

COIL
Длина изолированного провода, намотанного на многослойный железный или стальной сердечник, ферритовый сердечник или сердечник из порошкового железа или цветной металл. материал, такой как керамический алюминий или пластик.Цветной сердечник называется «воздушным сердечником», поскольку он немагнитен по своей природе.

КОЛЛЕКТОР
Выходной контакт биполярного транзистора

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Конфигурация биполярных транзисторов NPN и PNP, в которой полярность напряжения питания, подаваемого на одно устройство, противоположна другому. Два транзистора обычно имеют идентичные электрические характеристики и используются как согласованная пара.

КОМПОНЕНТ
Отдельная часть или элемент электрической или электронной схемы, которая выполняет назначенную функцию в этой цепи.Он может состоять из одной детали, комбинации деталей или узлов.

ПРОВОДНИК
Металлический материал, который пропускает электрический ток и имеет практически нулевое сопротивление.

ПРОВОДЯЩИЙ КЛЕЙ
Клейкий материал (обычно эпоксидная смола) с добавлением металлического порошка (обычно серебра) для увеличения электропроводности

КОНФОКАЛЬНАЯ АКУСТИЧЕСКАЯ МИКРОКОПИЯ (CSAM)
Сканирующая акустическая микроскопия (SAM) — это быстрая, не -техника разрушающего анализа.SAM использует ультразвуковые волны для обнаружения изменений акустического импеданса в интегральных схемах (ИС) и других подобных материалах. Импульсы различной частоты используются для проникновения в различные материалы для исследования внутренних частей образца на предмет пустот или расслоения. Mu-Analysis выполняет SAM в режиме C (или C-SAM) с возможностью отражения и сквозного сканирования. Для оценки надежности пакета часто требуется способность изучать внутреннее содержимое пакета, не разрушая его. Сканирующая акустическая микроскопия позволяет пользователю исследовать различные интерфейсы и определять механическую целостность сборки неразрушающими методами.18 = миллиард миллиардов)

DECAY TIME
Время, необходимое для снижения напряжения до заданного процента от пикового напряжения.

ВРЕМЯ ЗАДЕРЖКИ
Время, необходимое для распространения электрического сигнала по заданному пути.

DIAC
Двухконтактный двунаправленный переключатель переменного тока на полупроводниковом диоде, используемый для запуска TRIAC.

DIE
Отдельный квадратный или прямоугольный кусок полупроводникового материала, в который встроена определенная электрическая цепь.

DIE ATTACH
Приклеивание матрицы к подложке или корпусу.

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ИЗОЛЯЦИЯ
Электрическая изоляция одного или нескольких элементов интегральной схемы путем окружения элементов изолирующим барьером, таким как оксид полупроводника.

DIE PRODUCTS
Включает ИС-устройства, которые продаются на открытом рынке в форматах корпусов без кристаллов, флип-чипов или полупроводниковых кристаллов.

ИСПЫТАНИЕ НА СДВИГ
Испытание для определения прочности на сдвиг связи между штампом и основанием, к которому он прикреплен.

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ИЗОЛЯЦИЯ
Электрическая изоляция одного или нескольких элементов интегральной схемы путем окружения элементов изолирующим барьером, таким как оксид полупроводника.

ДИФФУЗИЯ
Один из этапов изготовления полупроводника. На этом этапе в подложку вводится небольшое количество химического элемента, называемого примесью или легирующим веществом. Эти шаги создадут области N-типа или P-типа, чтобы создать функцию желаемого компонента на микросхеме.Проводимость полупроводников можно легко изменить, введя примеси в их кристаллическую решетку. Процесс добавления контролируемых примесей в полупроводник известен как легирование.

ЦИФРОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ
Схема переключения, которая включается и выключается в ответ на цифровой или ступенчатый импульс

DIODE
Двухконтактное полупроводниковое устройство, которое позволяет току течь через него только в одном направлении. При правильной полярности напряжения на устройстве оно будет действовать как проводник.При изменении полярности напряжения устройство будет действовать как непроводник, не позволяя току течь.

ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
Прерывистый или ступенчатый электрический импульс, характеризующийся мгновенным изменением от нуля до некоторого конечного уровня в положительном или отрицательном направлении относительно опорного сигнала.

DIRECT CHIP ATTACH (DCA)
Имя, применяемое к любому из соединений микросхемы с подложкой, используемому для исключения первого уровня упаковки: см. Также Chip-on-Board.

ПРЯМОЙ ТОК — DC
Электрический ток или напряжение с постоянным направлением (полярностью) относительно фиксированного задания. DC может быть как положительным, так и отрицательным.

ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
(диоды, транзисторы, оптоэлектронные компоненты) обычно выполняют единственную функцию в электронных схемах, целью которых является переключение, усиление или выпрямление и передача электрических сигналов. Полупроводники называют «активными» компонентами, потому что для их работы требуется питание.

DOWN BONDING
Операция соединения проводов, выполняемая с более высокого уровня или плоскости на более низкий.

DRAIN
Выходная клемма JFET или MOSFET

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР
Узел, состоящий из магнита, установленного на раме, и проволочной катушки (якоря), которая может вращаться в магнитном поле. Функция генератора заключается в преобразовании механической энергии в электрическую. См. ТУРБИНА.

ЭЛЕКТРОДЫ
Проводящие металлические полоски, обычно вставляемые в электролит, для обеспечения химического воздействия, необходимого для преобразования химической энергии в электрическую.

ЭЛЕКТРОЛИТ
Раствор определенных химических веществ в батарее, которые преобразуют химическую энергию в электрическую.

ЭЛЕКТРОМОБИЛЬНАЯ СИЛА (ЭДС)
Электрическая сила, возникающая на клеммах электрического генератора или батареи. При подключении к нагрузке в замкнутой цепи эта сила создает напряжение на нагрузке и заставляет ток течь в этой цепи. ЭДС измеряется в вольтах и ​​обозначается буквой E (напряжение питания) или V (напряжение нагрузки).

ELECTRON
Считается наименьшей единицей электрического заряда.

ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ЗАРЯД
Накопление электронов на поверхности непроводящего материала при трении другим непроводящим материалом.

ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ РАЗРЯД (ESD)
Передача электростатического заряда между материалом с избытком электронов и материалом с недостатком электронов.

ЭМИТТЕР
Один из выводов биполярного транзистора, который обычно используется как общий вывод для входных и выходных секций устройства

ENCAPSULATE
Герметизация или покрытие микросхемы для обеспечения механической защиты и защиты окружающей среды .

ЗАКРЫТЫЙ ПРОВОЛОК
Резистивный сплав в форме проволоки, намотанной на каркас и заключенный в формованный корпус из эпоксидной смолы (или другого подходящего материала).

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ (EPI)
Необязательный этап в процессе производства полупроводников, на котором пустая кремниевая пластина подготавливается к изготовлению. Кремний осаждается в газообразной форме и растет на поверхности кремниевой пластины.

FARAD
Базовая единица емкости — равна емкости конденсатора, имеющего равный и противоположный заряд в 1 кулон на каждой пластине и разность потенциалов 1 вольт между пластинами (сокращение — F).-3 Фарада)

FET (транзистор с полевым эффектом) либо полевой транзистор с переходом (JFET), либо полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET).
Это трехконтактный полупроводник, который действует как усилитель или цифровой переключатель. Одной из основных характеристик полевого транзистора является то, что он имеет чрезвычайно высокое входное сопротивление и, следовательно, не имеет нагрузки на предыдущую схему.

ФИЛЬТР
Цепь, зависящая от частоты. «Полоса пропускания» — это диапазон разрешенных частот, а «стоп-полоса» — это диапазон частот, которые запрещены.

ФИЛЬТРАЦИЯ
Процесс, используемый для удаления или выделения определенных частот или частотных диапазонов сигнала

FLIP-CHIP
Интегральная схема, которая предназначена для электрического и механического соединения посредством соответствующего количества выступов и является предназначен для установки лицевой стороной вниз.

ИНОСТРАННЫЙ МАТЕРИАЛ
Любой материал, посторонний для микросхемы или корпуса, или любой не посторонний материал, который смещается из своего исходного или предполагаемого положения в корпусе микросхемы.

ВРЕМЯ ПЕРЕДНЕГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ
Продолжительность времени, необходимого для восстановления диода в состоянии обратного смещения (ВЫКЛ) до стабилизированного состояния ВКЛ после подачи цифрового напряжения прямого смещения. Если это время составляет 50 наносекунд или меньше, диод применим для использования в компьютерах и / или высокоскоростных логических схемах.

ЧАСТОТА
(f) Число циклов волны переменного тока в секунду, измеренное в герцах (Гц).

ВЫПРЯМИТЕЛЬ ПОЛНОЙ ВОЛНЫ
Конфигурация из двух или четырех диодов, которые изменяют переменный ток на двухполупериодный постоянный ток. Конфигурация с двумя диодами используется в сочетании с вторичной обмоткой трансформатора с отводом от средней точки.Конфигурация с четырьмя диодами используется, когда на вторичной обмотке трансформатора отсутствует центральный отвод, и называется МОСТОВЫМ ВЫПРЯМИТЕЛЕМ.

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЦЕПИ
Диоды, транзисторы, конденсаторы и резисторы

ФУНДАМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТОТА
Самая низкая частота сложной формы волны переменного тока, представленной одной синусоидальной волной
.

ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ
Короткая металлическая полоска с очень низким сопротивлением, работающая как защитное устройство в цепи.При превышении номинального тока предохранитель плавится, размыкая цепь.

АРСЕНИД ГАЛИЯ (GaAs) Материал пластины для микроэлектроники, обычно используемый для проектирования высокоскоростных схем.

GATE
Входной или управляющий терминал SCR, TRIAC или FET

GLASSIVATION
Верх слой прозрачного изоляционного материала, покрывающий активную область, за исключением контактных площадок.

ЗАЗЕМЛЕНИЕ
Часть цепи или системы, которая является эталоном для напряжений, существующих в этой цепи или системе.Заземление состоит из такого материала, как медь, сталь, алюминий или любого другого проводящего материала.

HALF-WAVE RECTIFIER
Одиночный диод, который преобразует переменный ток в полуволновой пульсирующий постоянный ток

HARMONICS
Кратные синусоидальные волны (основная частота). Четные гармоники — это 2-я, 4-я, 6-я и т. Д., А нечетные — 3-я, 5-я, 7-я и т. Д. Все гармоники кратны своей основной частоте.

ТЕПЛОВОЙ ПРИЕМНИК
Металлическое основание или пластина, на которой установлен один или несколько компонентов для поглощения, отвода или излучения тепла, выделяемого компонентом (ами).Перегрев может привести к неисправности или разрушению частей, выделяющих тепло, или может вызвать повреждение других частей схемы.

HENRY
Основная единица индуктивности, в которой индуцированная электродвижущая сила в один вольт создается при изменении тока со скоростью один ампер в секунду (сокращение: H)

HERMETIC SEAL
A газонепроницаемое тюлень.

ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ФОЛЬГА
Подобна объемной металлической фольге, но с эпоксидным корпусом, замененным на герметичный.

HERTZ (HZ)
Единица измерения частоты синусоидальной или прямоугольной волны, названная в честь Генриха Герца, немецкого физика 19 века. Термин герц обозначает количество циклов в секунду, проявляемых этими волнами.

HIGH-PASS
Фильтр, который пропускает высокие частоты, блокируя низкие частоты

HORSEPOWER (HP)
Единица измерения механической мощности. Он указывает на способность устройства или механизма выполнять определенный объем работы в течение определенного периода времени.Механическая мощность равна 550 фут-фунтам в секунду или 746 Вт электрической мощности.

HYBRID CIRCUIT
Компонент, содержащий один или несколько неизолированных кристаллов и как минимум два элемента схемы.

ИНФРАКРАСНАЯ ПЕРЕДАЧА ДАННЫХ
Оптоэлектронные компоненты, обеспечивающие двустороннюю беспроводную передачу данных на очень высоких скоростях. Инфракрасный приемопередатчик включает в себя ИК-излучающее устройство, детектирующее устройство и интегрированную управляющую ИС, которые являются частью специальной конструкции корпуса с двумя интегрированными оптическими линзами.IRDC используются в КПК, сотовых телефонах, компьютерах, цифровых камерах
и других продуктах.

ИМПЕДАНС
Нагрузка, приложенная к усилителю (или другому источнику), не является чистым сопротивлением. Это означает, что его нагрузочные характеристики зависят от частоты. Импеданс состоит из некоторого значения сопротивления в сочетании с емкостью и / или индуктивностью. Эквивалентные схемы могут варьироваться от двух до сотен компонентов.

ПРИМЕСЬ
Элемент, добавляемый к материалу полупроводниковой подложки (германий, кремний или арсенид галлия) в процессе производства для создания области P-типа или N-типа.Для германия примеси — мышьяк и висмут. Для кремния примесями являются бор, фосфор и алюминий. а также галлий, мышьяк и фосфор.

IN-PHASE
Состояние формы двух волн, когда они пересекают опорную линию в одно и то же время и в одном направлении.

INDUCTOR
Катушка с проводом, которая проявляет сопротивление любому изменению амплитуды или направления тока, протекающего через себя. Индуктивность присуща любому проводнику, но она «сосредоточена». путем намотки в катушку.-3) и для высокочастотных микрогенри (uH) являются обычными

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАВОДОМ (IGBT)
IGBT сочетает в себе простые характеристики управления затвором полевых МОП-транзисторов с возможностью высокого тока и низкого напряжения насыщения биполярные транзисторы. БТИЗ объединяет полевой транзистор с изолированным затвором для управляющего входа и биполярный силовой транзистор в качестве переключателя в одном устройстве. IGBT используется в приложениях средней и большой мощности, таких как импульсные источники питания, управление тяговыми двигателями и индукционный нагрев.

ИЗОЛЯТОР
Материал, препятствующий прохождению электричества, тепла или звука. Пластиковое покрытие проводов является изолятором, предотвращающим электрический контакт проводов друг с другом. Изоляторы широко используются в электронике. Большинство хороших электрических изоляторов также являются хорошими термоизоляторами.

ИНТЕГРИРОВАННАЯ ЦЕПЬ (IC)
Набор активных и пассивных устройств (например, транзисторов и резисторов), установленных на одном слое кремния и собранных как единый компонент.Примеры включают операционные усилители, центральные процессоры (ЦП), оперативную память (ОЗУ) и т. Д.

СВЯЗЬ
Проводящий путь, необходимый для электрического соединения элемента схемы с остальной частью схемы.

ИНТЕРМОДУЛЯЦИОННОЕ ИСКАЖЕНИЕ (IMD)
Перемешивание двух частот. Это часто вызвано нелинейными искажениями в усилителе или громкоговорителе.

JFET (ПЕРЕХОДНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ)
Трехконтактное полупроводниковое устройство, построенное с PN-переходом на входе и проводящим каналом в качестве выходной секции.PN-переход входной секции имеет обратное смещение, что обеспечивает чрезвычайно высокое входное сопротивление. Обычно он используется в схеме линейного усилителя с высоким входным сопротивлением.

KERF
Та часть области компонента, из которой материал был удален или изменен путем обрезки или нарезки кубиками.

KNOWN GOOD DIE
Аттестация или процесс, указывающий на то, что полупроводниковый кристалл был испытан на указанный или определенный уровень качества или «качества».

LASER
Усиление света вынужденным излучением. Первоначально лазеры были либо газовыми, либо драгоценными камнями (например, рубином), но теперь они производятся с использованием полупроводников. Лазерный свет является когерентным, что означает, что излучаемые световые волны находятся в фазе, что придает свету странный вид, поскольку наши глаза никогда не были предназначены для наблюдения когерентного света

LAT (Приемочные испытания партии)
Характеристики каждой полупроводниковой матрицы равны уникальны, хотя два кристалла могут происходить из одного семейства, одной фабрики или даже одной пластины, их электрические характеристики никогда не будут идентичными на 100% из-за естественных различий в атомном составе.Чтобы быть уверенным в согласованности продуктов, может быть проведена оценка элементов / LAT. Обычно это необходимо, когда заказчику требуется дополнительная уверенность в том, что его продукт будет соответствовать указанным критериям электрических испытаний. Часто детали должны работать в экстремальных условиях, например, когда продукт будет использоваться в военных целях. Тестирование может охватывать как механическую, так и электрическую надежность продукта, а LAT определит, способна ли конкретная партия (диффузионная партия) полупроводникового кристалла соответствовать заранее определенным рабочим ограничениям.

РАМА ДЛЯ ВЫВОДОВ
Металлический каркас, содержащий выводы и основание, к которому прикреплена неупакованная интегральная схема. После инкапсуляции внешняя часть рамы вырезается, а выводы сгибаются до необходимой формы.

ГЛАВНЫЙ РАЗРЯД
Защитное устройство, которое обеспечивает путь с очень низким сопротивлением к любому напряжению, превышающему его номинальное значение.

ЛИНЕЙНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
См. АНАЛОГОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ (ЛИНЕЙНЫЙ)

РАЗДЕЛЕНИЕ
Видимое расстояние или пространство между двумя элементами, которые нельзя касаться при использовании увеличения.

НАПРЯЖЕНИЕ ЛИНИИ
Источник переменного напряжения, который является основным источником электроэнергии для офисного, лабораторного, производственного и домашнего электрического и электронного оборудования. На всей территории Северной, Центральной и Южной Америки линейное напряжение номинально указано как 120 вольт переменного тока при частоте 60 герц. В Европе номинальное напряжение сети составляет 240 вольт переменного тока при частоте 50 Гц. Линейное напряжение может генерироваться либо частным, либо публичным.

НАГРУЗКА
Устройство, компонент, прибор, система или машина, к которым приложена электрическая сила (напряжение).Сопротивление присуще структуре нагрузки и является неотъемлемой частью электрической или электронной схемы.

МАГНЕТИКА
Пассивные компоненты, включая индукторы и трансформаторы, которые используют внутреннее магнитное поле для изменения фазы электрического тока. Магнитные устройства используются для изменения уровней напряжения и для изоляции участков системы с разными уровнями заземления. Индукторы используются для управления переменным током и напряжением и отфильтровывают нежелательные электронные сигналы.

ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 1 И ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2
Выходные клеммы симистора, попеременно выступающего в качестве анода или катода, поскольку его напряжение питания переменного тока изменяется от положительного до отрицательного.

МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
Резистивное устройство, защищающее от скачков напряжения в цепи. Он называется металлооксидным варистором (MOV). Ниже номинального напряжения его чрезвычайно высокое сопротивление не влияет на цепь. При превышении номинального напряжения он резко переключается на резистор с очень низким номиналом.

МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
Один или несколько слоев металлических проводников микросхем

MIL
Одна тысячная доли дюйма (x 10 -3 дюйма). Равно 25,4 мкм.

МОП-транзистор (МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК ПОЛЕВОЙ ЭФФЕКТИВНЫЙ ТРАНЗИСТОР)
Трехконтактный полупроводниковый компонент со встроенным конденсатором на входе и проводящим каналом на выходе. Он имеет чрезвычайно высокое входное сопротивление и относится либо к типу улучшения, либо к типу улучшения / истощения.Полевой МОП-транзистор расширенного типа работает как цифровой выключатель или как аналоговый выключатель. Тип усиления / истощения работает как линейный усилитель с чрезвычайно высоким входным сопротивлением.

MICROBOND
Соединение небольшого провода с проводником или микросхемой.

MICROCIRCUIT
Часть полупроводниковой пластины со схемой и компонентами, выгравированными наверху; Также называется матрицей или чипом.

MICRON
(мкм) Единица длины, равная одной миллионной метра.

МОДУЛЬ MULTICHIP (MCM)
Гибрид, содержащий как минимум два голых кристалла.

МНОГОУРОВНЕВАЯ МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
Два или более уровня металла или любого другого материала, используемого для межсоединений, которые изолированы друг от друга изоляционным материалом.

ШЕЯ
Сужение выводов или проволоки.

НЕПРОВОДНИК (ИЗОЛЯТОР)
Материал с практически бесконечным сопротивлением. Он защищает цепь, изолируя компоненты и проводники друг от друга, чтобы они не соприкасались друг с другом, тем самым предотвращая возможность короткого замыкания.

ОМ
Единица измерения сопротивления, обозначаемая греческой буквой омега (Вт). Он назван в честь Георгия Ома, немецкого физика 19 века. Один Ом — это значение сопротивления, через которое электродвижущая сила в один вольт будет поддерживать ток в один ампер. См. СОПРОТИВЛЕНИЕ.

ЗАКОН ОМА
Связь, которая существует между электрическими параметрами напряжения (электрического давления), сопротивления (противодействие напряжению) и тока (поток электронов в цепи).Закон Ома гласит, что величина тока, протекающего в цепи, равна приложенному напряжению, деленному на сопротивление цепи.

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Испускать или обнаруживать свет в электронных схемах. Типы включают инфракрасные устройства передачи данных
(IRDC) для беспроводной двусторонней передачи данных; оптопары для развязки цепей; ИК-излучатели для одностороннего дистанционного управления; оптические датчики для обнаружения; и светодиоды для источников света.

ОРИГИНАЛЬНАЯ ШИРИНА
Размеры ширины или расстояния, предусмотренные конструкцией.

ОСЦИЛЛОСКОП
Электронный измерительный прибор, позволяющий просматривать форму сигнала. Вертикальная ось показывает амплитуду, а горизонтальная ось показывает время.

ОКСИДНЫЙ СЛОЙ
Слой интегральной схемы, созданный для обеспечения изоляции между проводящими слоями.

ПАКЕТ
Корпус для одиночного элемента, интегральной схемы или гибридной схемы. Он обеспечивает герметичную или негерметичную защиту, определяет форм-фактор и служит внешним соединением первого уровня для устройства посредством корпусных клемм.Упаковка обычно состоит из нижней части, называемой корпусом или заголовком, и верхней части, называемой крышкой или крышкой. Они запечатаны в один блок.

PACKAGE POST
Общий термин, используемый для описания места соединения на внутренней стороне упаковки.

ПАССИВАЦИЯ
Изолирующий слой непосредственно над схемой или элементом схемы для защиты поверхности от загрязнений, влаги или частиц.

ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности не требуют источника питания для обработки проходящих через них сигналов.Пассивные компоненты используются для накопления электрических зарядов, ограничения или противодействия электрическому току, а также для фильтрации, подавления скачков напряжения, измерения, синхронизации и настройки.

PEG BONDING
Техника термокомпрессионного соединения. Конец провода прижимается к контактной площадке или области проводника

ПЕРИОД
Время, необходимое для завершения одного цикла переменного тока, рассчитывается как величина, обратная частоте (1 / f). Он измеряется в секундах и обозначается буквой T.

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
Генерация электрического тока в цепи, содержащей светочувствительное устройство, когда устройство освещается видимым или невидимым светом.

НАПРЯЖЕНИЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ
Это значение напряжения обратного смещения, приложенного к входу линейного усилителя J-FET для отключения его канала и уменьшения его выходного тока до нуля.

PN РАЗЪЕМ
Простейшая полупроводниковая структура. Как дискретное устройство он называется диодом.Он состоит из положительной или P-области (содержащей положительные ионы) в соединении с отрицательной или N-областью (содержащей отрицательные электроны).

POWER
Скорость выполнения работы, измеряемая в ваттах (Вт). В электрических и электронных схемах мощность (P) = напряжение питания (E) x ток питания (I) или напряжение нагрузки (VL) x ток нагрузки (IL). См. WATT.

ЗАЩИТНАЯ ЗОНА
Зона, оснащенная соответствующими материалами и оборудованием для защиты от электростатического разряда.Он обеспечивает место, где напряжение электростатического разряда ограничено ниже уровня чувствительности электростатического разряда компонента или оборудования, с которыми работают или производятся.

ИМПУЛЬСНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА
Выпрямленное переменное напряжение, положительное или отрицательное, относительно опорного напряжения. Полуволновое пульсирующее напряжение постоянного тока использует только половину доступного переменного напряжения. Двухполупериодное напряжение постоянного тока использует обе половины формы волны переменного напряжения.

Q-FACTOR
Добротность индуктора.Идеальный индуктор не имел бы сопротивления или потерь энергии. Однако настоящие катушки индуктивности имеют сопротивление обмотки из металлической проволоки, образующей катушки. Поскольку сопротивление обмотки появляется как сопротивление, включенное последовательно с индуктором, его часто называют последовательным сопротивлением. Последовательное сопротивление индуктора преобразует электрический ток, проходящий через катушки, в тепло, что приводит к потере качества индукции. Добротность (или Q) индуктора — это отношение его индуктивного реактивного сопротивления к его сопротивлению на данной частоте и является мерой его эффективности.Чем выше добротность катушки индуктивности, тем ближе она к поведению идеальной катушки индуктивности без потерь. Индукторы с высокой добротностью используются с конденсаторами для создания резонансных цепей в радиопередатчиках и приемниках. Чем выше добротность, тем уже полоса пропускания резонансного контура.

RECTIFIER
Полупроводниковый диод или группа диодов, которые изменяют переменный ток на пульсирующий постоянный ток.

RETICLE
Равномерный рисунок кристалла на одной пластине.

ССЫЛКА
Произвольно выбранная точка или участок цепи или системы, к которой относятся полярности и значения напряжений цепи. См. ЗЕМЛЯ.

НАДЕЖНОСТЬ
Гарантия того, что компонент будет работать определенным образом в течение определенного времени в наборе определенных условий, включая электрические, механические, термические нагрузки и воздействия окружающей среды. Концепция надежности включает в себя элементы как качества, так и долговечности.См. СТАБИЛЬНОСТЬ.

СОПРОТИВЛЕНИЕ
Электрическая характеристика компонента, материала, цепи или системы, которые ограничивают ток в цепи. Оно измеряется в омах (Вт) и обозначается буквой R. Сопротивление зависит от молекулярной структуры и размеров компонента или устройства, а также от конфигурации цепи или системы. Смотрите ОМ.

SCR (КРЕМНИЙНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ)
Кремниевое устройство с четырьмя слоями (PNPN), имеющее клемму управления входом (затвор), выходную клемму (анод) и клемму, общую для входа и выхода (катод).Обычно он работает как выключатель переменного тока для управления освещением и обогревом.

SCRIBE STREE
Линии, которые отделяют кристалл друг от друга на пластине, где происходит нарезание кубиками.

УПЛОТНЕНИЕ
Присоединение верхней части или подложки коробки упаковки к крышке или крышке.

ПРОВОД ДЛЯ САМОПОДДЕРЖКИ
Изолированный или неизолированный провод из резистивного сплава, предназначенный для изготовления резистивного элемента со встроенными или сварными выводами для сквозных отверстий.

КРЕМНИЙ КАРБИД
Карбид кремния — это полупроводник, который может быть легирован азотом или фосфором n-типа и алюминием, бором, галлием или бериллием p-типа. Металлическая проводимость была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминием или азотом. Его преимущества заключаются в том, что это материал с широкой запрещенной зоной, который позволяет ему изолировать большие электрические поля, он может надежно работать при очень высоких температурах и имеет отличные свойства теплопроводности.

КРЕМНИЙ ЧИП
Хотя доступно множество полупроводниковых материалов, наиболее часто используется кремний, а интегральные схемы широко известны как кремниевые чипы или просто микросхемы.

SINE WAVE
Плавная, непрерывно движущаяся форма волны без изломов. Он имеет положительные и отрицательные полупериоды, которые обычно симметричны относительно эталона. Циклическое повторение этих волн создает форму волны, которая имеет заданную частоту в герцах (количество циклов в секунду) и заданную амплитуду.

Артикул
Единица складского учета. Общий термин для уникального числового идентификатора, который чаще всего используется в онлайн-бизнесе для обозначения определенного продукта на складе или в каталоге.

SLURRY
Густая смесь воды и мелких частиц пластины, образующаяся в процессе распиловки пластины. Если пластина не очищена должным образом, суспензия может рассматриваться как осаждение очень мелких частиц на поверхности отдельной матрицы, иногда образующих узоры из разбрызгиваемой смеси.

КВАДРАТНАЯ ВОЛНА
Периодическая волна прямоугольной формы (ступенчатая) с положительным и отрицательным полупериодом равной продолжительности времени или длительности. Прямоугольная волна состоит из основной частоты синусоидальной волны в сочетании с нечетными гармониками (кратными) ее основной частоты.

СТАБИЛЬНОСТЬ
Способность компонента, цепи или системы поддерживать фиксированный уровень работы в пределах заданных допусков при изменяющихся внешних условиях.К изменяющимся условиям относятся напряжение, частота, температура и срок службы. См. НАДЕЖНОСТЬ.

УСТОЙЧИВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА
Фиксированная полярность положительного или отрицательного напряжения относительно опорного напряжения. Эта форма напряжения используется в качестве источника питания для электронных схем.

СУБСТРАТ
Основной материал, на который добавляются элементы пассивирования, металлизации и схемы для создания устройства.

МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСА ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ
Полоса из изолированного резистивного сплава с выводами для поверхностного монтажа.Изоляция может быть либо эпоксидным формованным корпусом, либо конформным покрытием.

ХВОСТ, ПРОВОД
Свободный конец проволоки, выходящий за пределы отпечатка соединения.

КОЭФФИЦИЕНТ ТЕМПЕРАТУРЫ (TC)
Изменение характеристики компонента, которое происходит из-за изменения температуры. TC может быть задан либо как количество частей на миллион (ppm) изменения при изменении температуры на ° C, либо как процентное изменение значения при изменении температуры на ° C.

МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОЛОСА ДЛЯ ПРОХОДНЫХ ОТВЕРСТИЙ
Полоса из изолированного резистивного сплава со сквозными отверстиями. Изоляция может быть либо эпоксидным формованным корпусом, либо конформным покрытием.

TRANSCONDUCTANCE
Transconductance — это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Формально для биполярного устройства крутизна определяется как отношение изменения тока коллектора к изменению базового напряжения в течение определенного произвольно малого интервала на кривой зависимости тока коллектора от напряжения базы. Для полевого транзистора крутизна — это отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвора в течение определенного произвольно малого интервала на кривой зависимости тока стока от напряжения затвора. Символ крутизны — Gm. Единица измерения — сименс, та же единица, которая используется для измерения проводимости постоянного тока (DC).

Обозначение крутизны — gm. Единица измерения — сименс, та же единица, которая используется для измерения проводимости постоянного тока (DC). Если dI представляет собой изменение тока коллектора или стока, вызванное небольшим изменением напряжения базы или затвора E, то крутизна составляет приблизительно:

gm = dI / dE

Поскольку размер интервала приближается к нулю, то есть изменение напряжения базы или затвора становится все меньше и меньше — значение dI / dE приближается к наклону линии, касательной к кривой в определенной точке.Наклон этой линии представляет теоретическую крутизну биполярного транзистора для заданного напряжения базы и тока коллектора или теоретическую крутизну полевого транзистора для заданного напряжения затвора и тока стока.

Электропроводность — это выражение легкости, с которой электрический ток протекает через вещество. В уравнениях проводимость обозначается заглавной буквой G. Стандартной единицей проводимости является сименс (сокращенно S), ранее известный как mho. Когда ток в один ампер (1 А) проходит через компонент, на котором присутствует напряжение в один вольт (1 В), то проводимость этого компонента составляет 1 С.Фактически, сименс эквивалентен одному ампер на вольт. Если G — проводимость компонента (в сименсах), I — ток через компонент (в амперах), а E — напряжение на компоненте (в вольтах), то:

G = I / E

In Обычно, когда приложенное напряжение поддерживается постоянным, ток в цепи постоянного тока прямо пропорционален проводимости. Если удвоить проводимость, удвоится и ток; если проводимость уменьшена до 1/10 от первоначального значения, ток также станет 1/10 от этого значения.Это правило также справедливо для большинства низкочастотных систем переменного тока (переменного тока), таких как бытовые электрические сети. В некоторых цепях переменного тока, особенно на высоких частотах, ситуация более сложная, потому что некоторые компоненты в этих системах накапливают и выделяют энергию, а также рассеивают или преобразуют ее.

Проводимость обратно пропорциональна сопротивлению. Если R — сопротивление компонента или устройства (в омах), то проводимость G (в сименсах) определяется по формуле:

G = 1 / R

TRAYING PICK & PLACE
Тщательное обращение с матрицей имеет первостепенное значение для поддержания общее качество и хорошие выходы штампа после распиловки пластины.Из-за хрупкого характера продукта (особенно на активной стороне штампа) использование станка Pick and Place позволяет нам прикладывать абсолютно минимальные контактные и относительные усилия, необходимые для удаления штампа с рамки кольца фольги после пиления. Хотя бывают обстоятельства, когда требуется определенная степень удаления вручную, всегда предпочтительнее выбрать автоматизированный процесс с использованием Pick & amp; Разместите машину, поскольку возможность механического повреждения матрицы значительно снижается. Автоматизация Pick Place также необходима для работы с большими объемами и позволяет нам предлагать быструю смену производительности, которая в противном случае просто невозможна.Хорошим примером для использования может быть небольшой транзистор, даже самый ловкий и опытный сотрудник, работающий в чистой комнате, не может надеяться вручную удалить 1750 кристаллов за час! Наконец, использование автоматической машины для захвата и размещения также позволяет нам гарантировать 100% ориентацию штампа, что обеспечивает полную совместимость с оборудованием конечного потребителя, где снова требуется высокоскоростное производство.

Pick & Place —
Распиленная пластина остается на кольцевой раме и закрепляется на пластине в центре машины Pick Place.Фольга, поддерживающая распиленную пластину, теперь растягивается, чтобы увеличить пространство между каждым штампом. Оператор вручную регулирует X & amp; Координата Y позволяет центрировать матрицу при просмотре ее на увеличенном экране. Фактическая матрица удаляется из фольги с помощью одного или нескольких выталкивающих штифтов, которые выталкиваются из-под фольги и освобождают матрицу, оказывая давление на заднюю сторону. Чтобы собрать поднятую матрицу, механический рычаг с вакуумным приводом перемещается по ней, поднимает матрицу и выпускает ее в соответствующий держатель.Хотя Pick & amp; Установка для установки требует квалифицированной калибровки, как только это будет сделано, оператор может систематически извлекать матрицу одну за другой из фольги и очень быстро помещать их в выбранный выходной носитель.

TRIAC (TRIODE AC SWITCH)
Трехконтактное кремниевое устройство, которое функционирует как два SCR, сконфигурированных в обратном параллельном расположении, обеспечивая средство обеспечения тока нагрузки в течение обеих половин напряжения питания переменного тока. TRIAC обычно используется для управления скоростью двигателя.Поскольку ток нагрузки (ток якоря) протекает в течение обеих половин приложенного переменного напряжения, двигатель вращается плавно на всех скоростях вращения.

ТРИБОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
Явление переноса электронов от одного непроводящего материала к другому, когда между ними возникает трение. См. ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ЗАРЯД.

ТУРБИНА
Механическая конструкция с вращающимися лопастями, установленными на ее сборке и механически соединенной с электрическим генератором.Когда турбина находится на пути потока воды, пара или движущегося воздуха, движение воды, пара или воздуха через лопасти заставляет их вращаться. Якорь генератора вращается в магнитном поле, которое вырабатывает электрическую энергию на выводах генератора. См. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР.

UP-BONDING
Операция соединения проводов, выполняемая от матрицы до стойки упаковки.

ВАРАКТОР
Полупроводниковый диод, который действует как переменный конденсатор, величина которого изменяется обратно пропорционально напряжению обратного смещения.

ПЕРЕМЕННЫЙ РЕЗИСТОР
Резистор, сопротивление которого можно изменить поворотом вала. См. Также «потенциометр и реостат.

VARISTOR
Устройство защиты от перенапряжения из оксида металла (цинка). См. ОКСИД МЕТАЛЛА ЭЛЕМЕНТ.

VIA
Небольшое отверстие, сформированное через пластину или печатную плату и металлизированное, в результате чего электрическое соединение будет выполнено спереди (сторона, на которой сформирована схема) с обратной стороной пластины, подложки или печатной платы. Печатная плата.

ВИДИМАЯ ЛИНИЯ РАЗДЕЛЕНИЯ
Подразумевается разделение между двумя элементами, которое хорошо видно при 100-кратном увеличении.

VOID
Любая область, где видны неизолированные полупроводниковые материалы или пассивация в пределах проектных областей металлизации

VOLT
Единица измерения электродвижущей силы, необходимая для создания одного ампера тока в цепи, имеющей полное сопротивление одного Ом.Вольт назван в честь Алессандро Вольта, итальянского физика 18 века.

НАПРЯЖЕНИЕ
Электродвижущая сила, действующая на источник напряжения (напряжение питания) или нагрузку в цепи. Единица измерения — вольт. См. ЭЛЕКТРОМОБИЛЬНАЯ СИЛА.

РАЗРЯДНИК НАПРЯЖЕНИЯ
Быстродействующее устройство защиты от перенапряжения, которое может поглощать или закорачивать напряжение на землю, когда напряжение превышает номинальное значение устройства.

WAFER
Диск из полупроводникового материала, служащий основой для создания ряда интегральных схем.Типичный диаметр 4, 6, 8 или 12 дюймов и толщина от 0,010 до 0,030

WATT
Единица измерения электроэнергии, названная в честь Джеймса Ватта, шотландского инженера 18 века. Один ватт мощности рассеивается, когда напряжение в один вольт подается на нагрузку в один Ом, в результате чего в цепи возникает ток в один ампер. См. СИЛА.

ДЛИНА ВОЛНЫ
Физическое расстояние между началом и концом цикла в периодической волне (синусоидальной или прямоугольной), когда она распространяется в пространстве или через проводник.Длина волны измеряется в метрах (или в единицах Ангстрема) и обозначается греческой буквой лямбда (l).

WIRE BOND
Использование крошечных проводов, которые припаяны к голому кристаллу на одном конце и к металлическим выводам корпуса микросхемы на другом. До появления флип-чипов и паяльных шариков традиционным методом соединения с чипом и от него было соединение проводов.

ZENER
Полупроводниковый диод с уникальной характеристикой обеспечения предсказуемого значения пробоя напряжения (называемого напряжением стабилитрона) в режиме обратного смещения.В режиме пробоя он показывает очень резкий переход из непроводящего состояния в состояние пробоя, поддерживая постоянное значение обратного напряжения на нем. Стабилитрон работает как регулятор напряжения, источник опорного напряжения и устройство защиты цепи от перенапряжения.

Вернуться к каталогу электроники

[email protected] | Проблема с диодом VD1121 5L15 …

 -
Ганс Хильберинк 

 -
Ганс Хильберинк 

 -
Ганс Хильберинк 

Скачать бесплатно Bogen NDB250 Инструкция по эксплуатации

Стр.9

НЕЗАВИСИМЫЕ УЗЛЫ

Узел платы электронных компонентов и узел выходного каскада
можно легко снять с шасси
для облегчения обслуживания, как показано на рисунке 6.
Компонентная плата снимается путем удаления пяти винтов
с крестообразным шлицем, которые крепят ее к монтажной пластине
, и отсоединения вставных клемм. Выходной каскад
, состоящий из выходных трансформаторов, установленных на прессованном алюминиевом радиаторе. Отсоединяется
от шасси, открутив четыре винта
с крестообразной головкой на радиаторе, а затем отсоединив блок
.

ВНИМАНИЕ
В модели: Chris-
sis нет деталей, обслуживаемых пользователем.и никаких попыток замены или RT-PNIR SHR-ULD BN
, кроме квалифицированного специалиста Sun-ire
.

ЗАМЕНА ПРЕДОХРАНИТЕЛЯ

В дополнение к 10-амперному выключателю для
линии питания переменного тока, на верхнем шасси расположен патронный предохранитель на 40 ампер
для защиты линий постоянного тока (см. Рисунок 1).
Этот предохранитель следует заменять только на 40-амперный предохранитель AGU
или SAG.

Выходные линии также защищены двумя предохранителями 20-
unpere, расположенными на задней панели и показанными на
рис. 1.Эти предохранители следует заменить на 20-амперные

. Только предохранители AGU или SAG. Отвинтите крышку предохранителя
и выньте предохранитель из держателя.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЛИБНИ ‘

В индикаторе включения на передней панели
используется долговечная лампа, которая редко требует повторной установки
. Однако если он перегорит, его можно легко заменить. Отвинтите линзу на передней панели
(см. Рисунок 6) и снимите лампу. Замените на
миниатюрную лампу 6,3 В, 0,050 А, (3.15. 1302.

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы практически не ухудшаются с возрастом
, и в настоящее время их надежность значительно выше
, чем у лучших электронных ламп. Поэтому некоторые транзисторы
впаяны в такое оборудование, как резисторы
или конденсаторы. Если набор не работает, обычно
можно с уверенностью предположить, что эти транзисторы не вышли из строя
и что проблема в другом месте оборудования.

Однако, если предыдущие тесты показывают, что транзистор
может быть неисправен, его необходимо удалить из схемы
для проверки.Вставные транзисторы в выходном состоянии
можно легко заменить после отсоединения узла выходного каскада
, как описано выше. После удаления неисправного транзистора
. нанесите силиконовой консистентной смазкой, например,
Dow Corning No. 340, радиатор и транзистор.
Убедитесь, что на теплоотводе
или транзисторе не осталось посторонних предметов. Для обеспечения надлежащего контакта плотно закрутите вставные транзисторы
.

ЧАСТИ RIPLACIMINT

Компоненты, используемые в оборудовании Bogen.За исключением позиций
, перечисленных ниже, это стандартные детали
, которые можно приобрести у большинства поставщиков запчастей. Однако несколько

детали следует заменять только оригинальными деталями Bogen.

Эти детали перечислены здесь и доступны через дистрибьюторов Bogen
, сервисные агентства или непосредственно на заводе
.

Ref. № Деталь № Описание
C101 79-108- (Конденсатор DZ, 32000 мкФ. 30 В.
105C
CR101, 102 96-5246-01 Диод. Кремниевый выпрямитель
CR103 96-5118-02 Диод.15 PIV. 30 мА
CR104 965109-02 Диод, 150 PIV, 100 предохранитель
F101 94-0006-06. 40 А. 32 В
F102, 103 94-0006-04 Предохранитель. 20 А. 32 В
1101 94-0222-01 Лампа, индикатор питания
R101 77-001-605 Регулятор громкости, 100 К 9
R123 76-121-002 Резистор. 2,5 Ом, 10 Вт
T101 83-740-000 Трансформатор, питание
T102 83-372-010 Трансформатор, выход
T103 83-372-020 Трансформатор. Выход
85-0147-02 Штекер, удаленный режим ожидания и объем

85-0109-01 Штекер, поляризованный, 120 В
Выход

70-9166-01 Перемычка, выходная клеммная колодка
УЗЕЛ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ ПЛАТЫ
Номер детали.45-96844)!
79-504 ~ 040 Танталовый конденсатор 4,7 мкФ.
20 В

C6, 7

При заказе детали укажите номер детали и описание детали, как указано ниже. Укажите модель
и дайте обозначение серии, которое представляет собой букву серии
, за которой следуют числа, проштампованные или нанесенные на заднюю часть
шасси. Также дайте сборке компонентной платы номер
(45-) для всех деталей, установленных на печатных платах.
Условные обозначения см. На принципиальной схеме,
рис. 6.

Ref. № Номер порта Описание

C10 79-504-048 Конденсатор, тантал, 10 мкФ,
10 В

C14 79-508-002 Конденсатор, тантал, 100 мкФ,
3 В

C15, 17 79-106-003 Конденсатор, электролитический,
2000 нФ, 25 В

CR1-4. 6, 7 96-5242-01 Диод, стабистор. Кремний

CR5 96-5124-02 Диод, Xener, 6,8 В

CR8 96-5138-02 Диод, стабилитрон, 12 В

CR9 96-5109-02 Диод кремний 150 PIV

01. 7, 8, 9 95.522901 Транзистор.BC149C

02A, 28,4, 5 96-5213-01 Транзистор, 2N5089
03. 6, 10, 11 966244-01 Транзистор, 2N5183
012, Транзистор I3 96-5245-01, 2N5497
R42 76-121-001 Resrstor. 1509. 10 Вт

ВЫХОДНАЯ СТУПЕНЬ В СБОРЕ, ДЕТАЛЬ № 454689-01

0101-116 96-5247-01 Транзистор
или
96-5285-0l
R101-116 76-113-098 Резистор. 0,22 (I. 5 Вт

-9-

22802332 Передатчик для телевещания. Руководство пользователя TRh2KE_3.PDF Acrodyne Industries,.

TRh2KE_3.doc3.28-Jul-99 15

Дифференциальная фазовая коррекция, потенциометры

должны быть установлены против часовой стрелки.

Усиление видео регулируется потенциометром R21.

Усиление видео должно быть отрегулировано так, чтобы на коммутируемом выходе

была полная размах амплитуды 1,0 В

, который должен иметь оконечную нагрузку 75 Ом.

Амплитуда синхронизации регулируется потенциометром

R40. Этот элемент управления должен быть установлен на

максимум против часовой стрелки, когда дополнительная амплитуда синхронизации составляет

не требуется на выходе передатчика.

Цепь разделителя синхроимпульсов содержит два подстроечных конденсатора

, C2 и C6. Подстроечный конденсатор C2 серии

с индуктором L1 образуют ловушку цветности.

Подстроечный резистор C2 следует отрегулировать для устранения цветности

в видеосигнале, как это видно на эмиттере

Q2. Подстроечный конденсатор C6, подключенный параллельно катушке индуктивности

L2, формирует сеть с высоким сопротивлением на частоте импульса

, чтобы предотвратить искажение пакета импульсом ограничения пакета от

.Подстроечный резистор C6 должен быть отрегулирован

так, чтобы не повлиять на пакетный сигнал при наблюдении за выходным сигналом

устройства. При выполнении этой регулировки

следует проявлять осторожность, чтобы гарантировать, что нарастание импульса ограничения и время спада

не вызывают всплесков до и после пакета

. Переключатель S1 на плате корректора

управляет функцией байпаса.

Регулировка слухового корректора

См. 21712091.

Обратите внимание, что здесь настраиваются только потенциометры и переключатели

.(Подстроечные конденсаторы

отрегулированы при выравнивании платы).

Настройки на этой плате независимы;

они не должны влиять на другие настройки преобразователя

. Однако следует отметить, что часть

, которую исправляет эта плата, вызвана IF

Corrector. Кроме того, неправильно настроенная плата Aural Corrector

может вызвать нежелательную FM, кросс-модульную AM или неправильное соотношение уровней несущей

.

Настройки сделаны для минимизации компонентов амплитудной модуляции

на звуковой несущей

, как показано на анализаторе спектра. Анализатор

должен быть настроен следующим образом: полоса разрешения

ширина 3 кГц, сканирование 200 кГц. Отрегулируйте корректор

, чтобы минимизировать пиковую модуляцию при выключенном звуке всей программы

. Также можно посмотреть аудиовыход демодулятора

в частотной области, используя анализатор спектра с низкой частотой

.Перекрестная модуляция

будет отображаться как составляющая 15,7 кГц и ее кратные гармоники

. Все они опустятся как

, выполняется коррекция. Самый низкий компонент,

на 15,7 кГц, является критическим и должен быть минимизирован.

Настройте элементы управления AMPLITUDE 1, SHAPE 1 и

PHASE 1 как одну группу, а элементы управления AMPLITUDE 2,

SHAPE 2 и PHASE 2 как вторую группу.

Если переключатель POLARITY находится в центральном положении

, коррекция не производится.В общем, переключение ПОЛЯРНОСТИ

на одну сторону уменьшит кросс-мод

, а переключение на другую сторону ухудшит его.

В этом случае отрегулируйте ФАЗУ для самого низкого кросс-мода и

, затем выполните точную настройку АМПЛИТУДЫ. Если кажется, что

не меняется от центра к обеим сторонам,

AMPLITUDE необходимо увеличить. Если обе стороны

ПОЛЯРНОСТИ делают кросс-мод хуже, чем

в центре, даже если попытаться установить другую ФАЗУ

, АМПЛИТУДУ, возможно, придется уменьшить.

Обычно требуется итеративный процесс, работающий между элементами управления

одной группы и затем

элементов управления другой. Уменьшая перекрестную модуляцию

, о чем свидетельствует амплитудная модуляция на

, звуковая несущая обращает внимание на синхроимпульс, а

— на любой звон на переднем или заднем фронте. Правильно настроенный Aural Corrector

минимизирует перекрестную модуляцию

, а также звонки синхронизации.

Регулировка корректора IM

См. Рисунок 22310680.

Потенциометры и переключатели — это все системы контроля уровня

. С другой стороны, подстроечные конденсаторы

регулируются, когда плата выровнена, и к

нельзя прикасаться в системе. На чертеже

22310680 показано положение и метки элементов управления системного уровня

. Регуляторы включения / выключения, амплитуды, фазы

и полярности сгруппированы в категории

Static, APL и Master (влияющие как на статические компоненты, так и на компоненты

APL).Термины STatic, PHase, Right,

Left сокращены до ST, PH, R, L для экономии места в некоторых случаях

.

Как правило, каждый переключатель полярности (R, L, R ST, L

ST) имеет регулятор PHase (R PH, L PH, R ST PH, L

ST PH) и регулятор амплитуды (R, L , R ST, L ST)

, связанный с ним. Когда главные переключатели полярности

(R, L) находятся в центральном положении, работа корректора IM

отключена. Когда переключатели статической полярности

(R ST, L ST) находятся в центральном положении, компонент Static

отключен.Во время настройки системы сначала необходимо выполнить проверку полярности

. Когда пробуются два положения «включено»

переключателя полярности, есть три возможных результата

:

1. В IM в

любое из трех положений переключателя полярности мало или не наблюдается никаких изменений.

2. Оба положения «включено» делают IM хуже, чем

— положение «выключено».

3. Одно «включено» делает IM лучше, чем «выключено»

(другое «включено» — хуже).

В случае 1, описанном выше, соответствующий регулятор амплитуды

(потенциометры R, L, R ST, L ST) должен быть повернут вверх

(по часовой стрелке), и проверка полярности должна быть повторена.

В случае 2, описанном выше, необходимо отключить соответствующий контроль амплитуды

и повторить проверку полярности.

Основы полупроводников (Часть 2) — Подвал схем

Диоды в деталях

В Части 1 Джордж исследовал основные структуры, которые заставляют полупроводники работать.Но нужно сказать гораздо больше о диодах, которые являются ключевым элементом полупроводников. Во второй части Джордж погружается глубже, на этот раз рассматривая ток, истощающий слой и физику электронов, которые участвуют в работе диодов. Он описывает различные типы диодов и детали их работы.

В прошлом месяце мы посмотрели, что происходит, когда мы соединяем материалы P и N, создавая соединение P-N. Чтобы освежить вашу память, свободные электроны из N-атомов мигрируют через соединение и объединяются с дырками в P-атомах, производя отрицательные ионы.В результате в N-материале остаются положительные донорные ионы, к которым стремятся мигрировать дырки из P-материала. (См. Рисунок , который также был показан в части 1.) В результате тонкий слой P-материала, прилегающий к переходу, содержит отрицательно заряженные акцепторные ионы, в то время как слой материала N на противоположной стороне стык содержит положительные. Эта диффузия электронов и дырок продолжается до тех пор, пока не будет достигнуто равновесие. Вокруг перехода создается потенциальный барьер, а области по обе стороны от перехода, называемые «обедненным слоем», не содержат свободных носителей.

Если мы приложим положительное напряжение к P-стороне перехода и отрицательное напряжение к N-стороне, свободным электронам и дыркам будет предоставлена ​​дополнительная энергия для преодоления потенциального барьера, а электрические ток будет течь. При изменении полярности слой обеднения увеличивается в ширину из-за отсутствия электронов и дырок. Его импеданс тоже увеличивается, почти превращаясь в изолятор, не позволяя току течь через переход.Таким образом, соединение P-N проводит электрический ток с одной полярностью и блокирует его с противоположной полярностью. Это основа работы твердотельного диода.

ОСНОВЫ ДИОДОВ
Диоды содержат только один P-N переход. В настоящее время кремний — самый распространенный материал. В прошлом использовались германий и селен. Также можно найти диоды из арсенида галлия. Рисунок 2 — это диаграмма I-V (ток в зависимости от напряжения), иллюстрирующая принцип работы диода.Эта характеристика математически описывается уравнением диода Шокли:

, где I — ток диода, V _D — напряжение на диоде, V _T — тепловое напряжение, а n — идеальность, также известная как добротность. или коэффициент выбросов. Коэффициент n обычно составляет от 1 до 2 в зависимости от типа диода и процесса его изготовления. Тепловое напряжение V _T составляет приблизительно 25,85 мВ при 300 ° K (26,85 ° C = 80,334 ° F). Он определяется как:

, где k — постоянная Больцмана (1.380649 × 10 ^-23 Дж / К (джоулей на Кельвин)), T — абсолютная температура, а q — величина заряда электрона (1,602176634 × 10 ^-19 кулонов) [1].

Возвращаясь снова к Рисунку 2, небольшое прямое напряжение приводит к небольшому прямому току до тех пор, пока не будет достигнуто напряжение излома — обычно 0,7 В для кремниевых диодов. После этого ток будет быстро расти в зависимости от внутреннего сопротивления диода, которое в большинстве случаев очень мало.При приложении обратного напряжения протекает обратный ток (утечка), который зависит от устройства и зависит от температуры. Утечка по сравнению с прямым током должна быть незначительной. На каком-то уровне обратное напряжение вызовет пробой. Превышение напряжения обратного пробоя может привести к повреждению многих устройств, в то время как некоторые, например стабилитроны, используют это преимущество. Стабилитроны используют этот эффект для ограничения или стабилизации напряжения. В идеале внутреннее сопротивление стабилитрона в лавинообразной зоне должно быть равно нулю.Но поскольку это не так, стабилизированное напряжение будет немного изменяться в зависимости от тока.

Существует множество типов диодов, предназначенных для определенной функции. Наиболее распространены обычные сигнальные и выпрямительные диоды, которые проводят ток только в одном направлении. Недостатком кремниевых диодов является их прямое напряжение около 0,7 В в зависимости от устройства и силы тока. Он влияет на цепи сигналов низкого уровня и выпрямители мощности, где вызывает повышенное рассеивание тепла.

Эта проблема решается диодами Шоттки с прямым падением напряжения около 0.От 15 В до 0,45 В. Диоды Шоттки построены на основе контакта металл-полупроводник, что обеспечивает более быстрое восстановление обратного тока. Их емкость меньше, чем у аналогов P-N. По этой причине их можно найти в импульсных источниках питания, а также в высокоскоростных и радиочастотных (RF) схемах. С отрицательной стороны их обратное напряжение ограничено примерно 50 В, а утечка выше, чем у кремниевых диодов.

ДРУГИЕ ТИПЫ ДИОДОВ
Давайте посмотрим на другие типы диодов.Я уже упоминал стабилитроны. Лавинные диоды похожи — их часто ошибочно считают стабилитронами, — но их механизм пробоя обратного напряжения немного отличается. Однако их температурный коэффициент имеет противоположную полярность по сравнению с диодами Зенера, поэтому их можно успешно использовать в сочетании с стабилитронами для температурной компенсации стабилизаторов напряжения.

По своему принципу схожи с диодами TransZorbs производства Vishay Semiconductor, также называемыми TVS (подавителями переходных напряжений).Они используются для защиты цепи от перенапряжения. TVS-диоды бывают униполярными — аналогично одиночному стабилитрону — и биполярными, которые могут быть смоделированы двумя последовательно противоположными стабилитронами. Они значительно быстрее, чем стабилитроны, и могут поглощать много энергии импульсов (см. Мою статью «Защита от перенапряжения» в Circuit Cellar 330, январь 2018 г.) Диаки — обычно используемые для запуска по напряжению — и их гораздо более быстрые собратья, Перун. диоды относятся к той же категории и могут быть смоделированы двумя последовательно расположенными стабилитронами.

Термин «диод постоянного тока» неправильно употреблен. Это вообще не диод, а скорее JFET (переходный полевой транзистор) с закороченными электродами затвора и истока. В сочетании с стабилитроном он обеспечивает очень стабильный источник напряжения. Туннельные диоды, также называемые диодами Эсаки, демонстрируют область отрицательного сопротивления на их ВАХ, что связано с квантовым туннелированием. Эти диоды очень быстрые и работают как генераторы, усилители малых сигналов или простые бистабильные схемы на высоких частотах.Диоды Ганна похожи и имеют схожее применение, но работают быстрее, что позволяет создавать микроволновые генераторы. На рисунке 3 показана типичная ВАХ туннельного диода.

Светоизлучающие диоды (СИД) содержат полупроводник с прямой запрещенной зоной, обычно арсенид галлия (GaAs). Носители заряда, пересекая переход, где они рекомбинируют с основными носителями на другой стороне перехода, испускают фотоны. В зависимости от используемого материала могут генерироваться разные цвета света, от инфракрасного до почти ультрафиолетового.Различные цвета, включая белый, могут быть получены путем смешивания нескольких основных цветов и сцинтилляционного покрытия.

Светодиоды чувствительны к свету и могут использоваться в качестве дешевых фотодетекторов. В сочетании с фотодетекторами — например, фотодиодами, фототранзисторами, фото- тиристорами и т. Д. — они составляют основу оптоизоляторов. Сегодня эффективные и мощные светодиоды заменяют традиционные лампы накаливания. Помещая специально разработанный светодиод в резонатор, мы получаем лазер. Лазеры используются для высокоскоростной связи через оптоволокно, а также для оптических запоминающих устройств, таких как CD, DVD и Blue-ray.

Все диоды PN имеют прямое напряжение, линейно зависящее от температуры:

, где T _J — температура перехода в ºC, m — характерный для устройства наклон в ºC / V, V _F — прямое падение напряжения и T ₀ — температура отсечки для конкретного устройства в ºC. Как видно из уравнения, температурная зависимость зависит от устройства, но обычно составляет -2,3 мВ / ºC. Многие ИС содержат встроенный термодиод для контроля внутренней температуры или измерения внешней температуры.Термодиоды также являются строительным блоком термоэлектрических модулей Пельтье (см. Мою двухчастную статью «Термоэлектрическое охлаждение» в Circuit Cellar 336 и 337, июль и август 2018 г.)

Полупроводники также чувствительны к свету, что не всегда желаемая характеристика. Вот почему полупроводники упакованы в материалы, блокирующие свет, если только они не являются фотодиодами, используемыми для обнаружения света. Светочувствительные полупроводники находят множество применений, от вышеупомянутых оптоизоляторов и волоконно-оптической связи до световых датчиков, солнечных элементов и прочего.

PIN-диоды используют так называемую «инжекцию высокого уровня», формируя внутреннюю I-область между материалами P и N, которая насыщена носителями заряда. Собственный слой представляет собой нелегированный полупроводник. PIN-диоды находят свое применение в радиочастотных схемах, в качестве детекторов ионизирующего излучения и фотодетекторов. Поскольку центральный слой I может выдерживать высокие напряжения, структура контактов используется в IGBT, силовых полевых МОП-транзисторах и тиристорах.

Супербарьерные диоды — это выпрямители на основе диодной структуры Шоттки.По сравнению с обычными выпрямителями P-N, они отличаются более низким прямым падением напряжения, высокой устойчивостью к перенапряжениям и низким током обратной утечки. Диоды, легированные золотом (Au) или платиной (Pt), обладают повышенной скоростью рекомбинации неосновных носителей. Они могут работать на ВЧ-частотах и ​​быстрее, чем обычные диоды P-N (хотя и не так быстро, как Шоттки), но их прямое падение напряжения выше, чем у обычных диодов P-N. Их обратная утечка напряжения ниже, чем у диодов Шоттки. Их типичный представитель — вездесущий 1N914.

Ступенчатый восстанавливающий диод (SRD) может генерировать очень короткие импульсы и находит свое применение в микроволновой электронике. В той же категории мы находим варисторы, также называемые варикапами или варакторами, в которых используется зависящая от напряжения емкость между электродами P и N. Они используются в качестве конденсаторов с регулируемым напряжением во всех видах радиочастотных цепей. Фактически, классический настроечный конденсатор найти уже практически невозможно. Наконец, следует упомянуть стабисторы, которые представляют собой кремниевые диоды с очень стабильным прямым падением напряжения.Они используются в качестве источников опорного низкого напряжения с чрезвычайно низкой зависимостью от рабочего тока и температуры.

В этой статье мы вкратце рассмотрели все диоды. В следующем месяце, в части 3 этой серии статей, мы более подробно рассмотрим устройства с более чем двумя переходами P-N.

Подробные ссылки на статьи и дополнительные ресурсы можно найти по адресу:
www.circuitcellar.com/article-materials
Ссылка [1], отмеченная в статье, находится там.

РЕСУРСЫ
Vishay Semiconductor | www.vishay.com

Перейдите сюда, чтобы прочитать Часть 3

Перейдите сюда, чтобы начать с Части 1

ОПУБЛИКОВАНО В ЖУРНАЛЕ CIRCUIT CELLAR • ОКТЯБРЬ 2019 № 351- Получить PDF-файл с номером

Джордж Новачек был бывшим президентом аэрокосмической отрасли Компания. Он был профессиональным инженером со степенью в области автоматизации и кибернетики. Диссертационный проект Джорджа представлял собой дизайн портативного ЭКГ (электрокардиографа) с беспроводным интерфейсом. Джордж публикует статьи для Circuit Cellar с 1999 года, написав за эти годы более 120 статей.Джордж скончался в январе 2019 года. Но мы благодарны за возможность поделиться с вами несколькими статьями, которые он оставил нам для публикации.

% PDF-1.5 % 1671 0 объект> эндобдж xref 1671 446 0000000016 00000 н. 0000010202 00000 п. 0000010340 00000 п. 0000009411 00000 н. 0000010520 00000 п. 0000010615 00000 п. 0000010815 00000 п. 0000010861 00000 п. 0000010975 00000 п. 0000011103 00000 п. 0000011392 00000 п. 0000011425 00000 п. 0000011750 00000 п. 0000011853 00000 п. 0000012605 00000 п. 0000012703 00000 п. 0000012776 00000 п. 0000012861 00000 п. 0000012965 00000 п. 0000013056 00000 п. 0000013148 00000 п. 0000013270 00000 п. 0000013353 00000 п. 0000013434 00000 п. 0000013553 00000 п. 0000013645 00000 п. 0000013738 00000 п. 0000013858 00000 п. 0000013952 00000 п. 0000014035 00000 п. 0000014155 00000 п. 0000014273 00000 п. 0000014368 00000 п. 0000014460 00000 п. 0000014548 00000 п. 0000014595 00000 п. 0000014683 00000 п. 0000014732 00000 п. 0000014781 00000 п. 0000014915 00000 п. 0000014994 00000 п. 0000015073 00000 п. 0000015207 00000 п. 0000015257 00000 п. 0000015336 00000 п. 0000015417 00000 п. 0000015551 00000 п. 0000015600 00000 п. 0000015680 00000 п. 0000015761 00000 п. 0000015896 00000 п. 0000015945 00000 п. 0000016024 00000 п. 0000016104 00000 п. 0000016251 00000 п. 0000016300 00000 п. 0000016391 00000 п. 0000016471 00000 п. 0000016615 00000 п. 0000016694 00000 п. 0000016787 00000 п. 0000016881 00000 п. 0000016974 00000 п. 0000017023 00000 п. 0000017117 00000 п. 0000017166 00000 п. 0000017215 00000 п. 0000017264 00000 п. 0000017358 00000 п. 0000017407 00000 п. 0000017502 00000 п. 0000017551 00000 п. 0000017645 00000 п. 0000017694 00000 п. 0000017788 00000 п. 0000017837 00000 п. 0000017931 00000 п. 0000017980 00000 п. 0000018074 00000 п. 0000018123 00000 п. 0000018218 00000 п. 0000018267 00000 п. 0000018361 00000 п. 0000018410 00000 п. 0000018504 00000 п. 0000018553 00000 п. 0000018647 00000 п. 0000018696 00000 п. 0000018790 00000 п. 0000018839 00000 п. 0000018933 00000 п. 0000018982 00000 п. 0000019087 00000 п. 0000019136 00000 п. 0000019241 00000 п. 0000019346 00000 п. 0000019451 00000 п. 0000019556 00000 п. 0000019650 00000 п. 0000019699 00000 п. 0000019793 00000 п. 0000019842 00000 п. 0000019936 00000 п. 0000019985 00000 п. 0000020079 00000 п. 0000020128 00000 н. 0000020222 00000 п. 0000020271 00000 п. 0000020365 00000 н. 0000020414 00000 п. 0000020508 00000 п. 0000020557 00000 п. 0000020651 00000 п. 0000020700 00000 п. 0000020794 00000 п. 0000020843 00000 п. 0000020937 00000 п. 0000020986 00000 п. 0000021080 00000 п. 0000021129 00000 п. 0000021223 00000 п. 0000021272 00000 п. 0000021366 00000 п. 0000021415 00000 п. 0000021509 00000 п. 0000021558 00000 п. 0000021652 00000 п. 0000021701 00000 п. 0000021795 00000 п. 0000021844 00000 п. 0000021939 00000 п. 0000021988 00000 п. 0000022082 00000 п. 0000022131 00000 п. 0000022224 00000 п. 0000022273 00000 п. 0000022366 00000 п. 0000022415 00000 п. 0000022508 00000 п. 0000022557 00000 п. 0000022650 00000 п. 0000022699 00000 н. 0000022792 00000 п. 0000022841 00000 п. 0000022890 00000 н. 0000022939 00000 п. 0000023033 00000 п. 0000023082 00000 п. 0000023176 00000 п. 0000023225 00000 п. 0000023319 00000 п. 0000023368 00000 п. 0000023463 00000 п. 0000023512 00000 п. 0000023606 00000 п. 0000023655 00000 п. 0000023749 00000 п. 0000023798 00000 п. 0000023892 00000 п. 0000023941 00000 п. 0000024035 00000 п. 0000024084 00000 п. 0000024178 00000 п. 0000024227 00000 п. 0000024321 00000 п. 0000024370 00000 п. 0000024465 00000 п. 0000024514 00000 п. 0000024608 00000 п. 0000024657 00000 п. 0000024706 00000 п. 0000024755 00000 п. 0000024851 00000 п. 0000024901 00000 п. 0000024996 00000 н. 0000025046 00000 п. 0000025141 00000 п. 0000025191 00000 п. 0000025286 00000 п. 0000025336 00000 п. 0000025431 00000 п. 0000025481 00000 п. 0000025575 00000 п. 0000025625 00000 п. 0000025719 00000 п. 0000025769 00000 п. 0000025863 00000 п. 0000025913 00000 п. 0000026007 00000 п. 0000026057 00000 п. 0000026151 00000 п. 0000026201 00000 п. 0000026295 00000 п. 0000026345 00000 п. 0000026439 00000 п. 0000026489 00000 н. 0000026583 00000 п. 0000026633 00000 п. 0000026727 00000 н. 0000026777 00000 п. 0000026871 00000 п. 0000026921 00000 п. 0000027028 00000 п. 0000027078 00000 п. 0000027172 00000 п. 0000027267 00000 п. 0000027317 00000 п. 0000027424 00000 н. 0000027474 00000 п. 0000027581 00000 п. 0000027676 00000 н. 0000027770 00000 п. 0000027820 00000 н. 0000027914 00000 н. 0000027964 00000 н. 0000028058 00000 п. 0000028108 00000 п. 0000028202 00000 п. 0000028252 00000 п. 0000028346 00000 п. 0000028396 00000 п. 0000028490 00000 н. 0000028540 00000 п. 0000028634 00000 п. 0000028684 00000 п. 0000028778 00000 п. 0000028828 00000 п. 0000028922 00000 п. 0000028972 00000 п. 0000029066 00000 н. 0000029116 00000 п. 0000029210 00000 п. 0000029259 00000 п. 0000029365 00000 н. 0000029414 00000 п. 0000029508 00000 п. 0000029602 00000 н. 0000029651 00000 п. 0000029745 00000 п. 0000029794 00000 п. 0000029888 00000 н. 0000029937 00000 н. 0000030032 00000 п. 0000030081 00000 п. 0000030175 00000 п. 0000030224 00000 п. 0000030317 00000 п. 0000030366 00000 п. 0000030459 00000 п. 0000030508 00000 п. 0000030601 00000 п. 0000030650 00000 п. 0000030699 00000 п. 0000030748 00000 п. 0000030798 00000 п. 0000030848 00000 п. 0000030927 00000 н. 0000031006 00000 п. 0000031055 00000 п. 0000031149 00000 п. 0000031198 00000 п. 0000031291 00000 п. 0000031340 00000 п. 0000031434 00000 п. 0000031483 00000 п. 0000031576 00000 п. 0000031625 00000 п. 0000031674 00000 п. 0000031723 00000 п. 0000031820 00000 п. 0000031883 00000 п. 0000031991 00000 п. 0000032041 00000 п. 0000032136 00000 п. 0000032245 00000 п. 0000032295 00000 п. 0000032390 00000 п. 0000032499 00000 н. 0000032549 00000 п. 0000032658 00000 п. 0000032767 00000 п. 0000032862 00000 п. 0000032957 00000 п. 0000033007 00000 п. 0000033103 00000 п. 0000033153 00000 п. 0000033248 00000 п. 0000033298 00000 п. 0000033393 00000 п. 0000033442 00000 п. 0000033538 00000 п. 0000033587 00000 п. 0000033694 00000 п. 0000033743 00000 п. 0000033851 00000 п. 0000033947 00000 п. 0000034042 00000 п. 0000034091 00000 п. 0000034186 00000 п. 0000034235 00000 п. 0000034343 00000 п. 0000034392 00000 п. 0000034488 00000 п. 0000034584 00000 п. 0000034633 00000 п. 0000034728 00000 п. 0000034777 00000 п. 0000034872 00000 п. 0000034921 00000 п. 0000035017 00000 п. 0000035066 00000 п. 0000035174 00000 п. 0000035223 00000 п. 0000035319 00000 п. 0000035414 00000 п. 0000035463 00000 п. 0000035558 00000 п. 0000035607 00000 п. 0000035702 00000 п. 0000035751 00000 п. 0000035846 00000 п. 0000035895 00000 п. 0000035990 00000 н. 0000036039 00000 п. 0000036134 00000 п. 0000036183 00000 п. 0000036290 00000 н. 0000036339 00000 п. 0000036434 00000 п. 0000036529 00000 п. 0000036578 00000 п. 0000036673 00000 п. 0000036722 00000 п. 0000036817 00000 п. 0000036866 00000 п. 0000036961 00000 п. 0000037010 00000 п. 0000037105 00000 п. 0000037154 00000 п. 0000037261 00000 п. 0000037310 00000 п. 0000037404 00000 п. 0000037498 00000 п. 0000037548 00000 н. 0000037644 00000 п. 0000037694 00000 п. 0000037788 00000 п. 0000037838 00000 п. 0000037932 00000 п. 0000037982 00000 п. 0000038076 00000 п. 0000038126 00000 п. 0000038220 00000 п. 0000038270 00000 п. 0000038364 00000 п. 0000038414 00000 п. 0000038509 00000 п. 0000038559 00000 п. 0000038653 00000 п. 0000038702 00000 п. 0000038797 00000 п. 0000038846 00000 п. 0000038940 00000 п. 0000038989 00000 п. 0000039038 00000 п. 0000039133 00000 п. 0000039183 00000 п. 0000039233 00000 п. 0000039283 00000 п. 0000039376 00000 п. 0000039482 00000 п. 0000039532 00000 н. 0000039638 00000 п. 0000039744 00000 п. 0000039850 00000 п. 0000039956 00000 н. 0000040062 00000 п. 0000040168 00000 п. 0000040274 00000 п. 0000040380 00000 п. 0000040486 00000 п. 0000040592 00000 п. 0000040698 00000 п. 0000040805 00000 п. 0000040911 00000 п. 0000041018 00000 п. 0000041124 00000 п. 0000041231 00000 п. 0000041338 00000 п. 0000041432 00000 п. 0000041526 00000 п. 0000041576 00000 п. 0000041670 00000 п. 0000041720 00000 п. 0000041827 00000 п. 0000041877 00000 п. 0000041971 00000 п. 0000042065 00000 п. 0000042115 00000 п. 0000042222 00000 п. 0000042272 00000 н. 0000042366 00000 п. 0000042472 00000 п. 0000042522 00000 п. 0000042628 00000 п. 0000042721 00000 н. 0000042826 00000 п. 0000042875 00000 п. 0000042980 00000 п. 0000043085 00000 п. 0000043190 00000 п. 0000043296 00000 н. 0000043401 00000 п. 0000043506 00000 п. 0000043611 00000 п. 0000043716 00000 п. 0000043821 00000 п. 0000043926 00000 п. 0000044031 00000 п. 0000044126 00000 п. 0000044231 00000 п. 0000044280 00000 п. 0000044385 00000 п. 0000044491 00000 п. 0000044596 00000 п. 0000044689 00000 п. 0000044794 00000 п. 0000044843 00000 п. 0000044936 00000 п. 0000045042 00000 п. 0000045091 00000 п. 0000045184 00000 п. 0000045290 00000 п. 0000045339 00000 п. 0000045432 00000 п. 0000045525 00000 п. 0000045574 00000 п. 0000045679 00000 п. 0000045728 00000 п. 0000045833 00000 п. 0000045926 00000 п. 0000046019 00000 п. 0000046068 00000 п. 0000046173 00000 п. 0000046222 00000 п. 0000046327 00000 п. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 1674 0 obj> поток 9Ж) ВэП6 뺕 Ф-5И3ӻ6рнЮй * а | fWt9 [-.> ‘o +> ҁzc1Yhs Икс \ lW, C

smd% 20diode% 20sot-23% 20marking% 20code% 20y4 техническое описание и примечания по применению