УНЧ на транзисторах

УНЧ на полевых транзисторах — схема шестиканального усилителя

Здесь представлен шестиканальный УНЧ на полевых транзисторах, идеально подходящий для использования в составе домашнего кинотеатра. Предлагаемый к повторению проект модульного усилителя мощности звука был создан довольно давно, но до сих пор не уступает по качеству звучания современным усилителям звука.

Содержание

1. УНЧ на полевых транзисторах для домашнего кинотеатра
2. Основной источник питания
3. Микропроцессорный контроллер и цифровые потенциометры
4. Пять усилителей переднего, заднего и центрального каналов
5. УНЧ на полевых транзисторах для сабвуфера
6. Установка модулей в корпус
7. Впечатления от прослушивания и измерения параметров

В моей домашней аудио студии он после изготовления сразу был подключен к компьютеру, как источнику звука и с тех пор устройство работает без нареканий, управляя двумя двухполосными громкоговорителями. Сама схема довольно проста в изготовлении, единственная сложность заключалась в количестве модулей усилителя, которые нужно было компактно разместить в корпусе.

Данный УНЧ на полевых транзисторах имеет в своем составе мощный блок питания выполненный на тороидальном трансформаторе на 200ВА, 6 печатных плат усилителей, микропроцессорный контроллер с электронными потенциометрами PGA2310. Усилители мощности в оконечном своем каскаде имеют популярные и дешевые MOSFET-транзисторы. Кроме этого, есть еще хорошая конструкция вот здесь.

Основной источник питания

Это самая простая часть всего усилителя: классический трансформаторный блок питания, обеспечивающий симметричные напряжения — не стабилизированные для оконечных каскадов усилителя, и стабилизированные цепи вспомогательного питания. Трансформатор 200ВА был изготовлен на заказ, с выходными напряжениями вторичных обмоток: 2х22В 2×1.9А и 2х13В 2х5А. Выпрямительный мост, подключенный к обмоткам низкого напряжения, смонтирован на корпусе усилителя, то есть отдельно от печатной платы, что позволяет ему лучше рассеивать выделяемое им тепло.

Принципиальная схема блока питания выглядит следующим образом:

Симметричное напряжение +/-16В питает оконечные каскады 5-ти усилителей, +/-30В подается на усилитель сабвуфера, остальные напряжения, уже стабилизированные, питают цепи в 5-ти усилителях фронтального, тылового и центрального каналов.

Компоненты фильтра, в основном большие электролитические конденсаторы, были смонтированы на большом куске текстолита. Из-за большого значения силы тока, потребляемого УНЧ собранного на полевых транзисторах, силовые дорожки на печатной плате были выполнены предельно широкими:

Подробности реализации этого модуля можно увидеть на фотографиях далее в этом посте.

Микропроцессорный контроллер и цифровые потенциометры

В данном усилителе нет типичного предусилителя с регулировкой тембра или баланса, но отказываться от регулировки громкости я не хотел. Об использовании механических потенциометров на шесть каналов не могло быть и речи, поэтому я решил использовать электронное регулирование.

Пробовал разные схемы, пока не наткнулся на высокопроизводительную микросхему регулятора громкости PGA2310. К тому же, на форумах любителей аудио, есть много положительных отзывов об этом цифровом регуляторе. Микросхема управляются через последовательную шину SPI, что потребовало использования микроконтроллера.

В моем варианте я остановился на довольно дешевом на тот момент AT90S2310. В основном он выполняет две функции — преобразует движение ручки регулятора на данные, которые он отправляет на PGA2310 и включает/выключает основное питание через реле.

Принципиальная схема:

Использование двух отдельных блоков питания может показаться немного странным — поясняю. В первом варианте потенциометры питались от основного блока питания усилителей, к сожалению, при включении усилителя в динамиках появлялся громкий щелчок, похожий на выстрел. Также не удалось компенсировать это с помощью аппаратного выключения звука (специальный вывод отключения звука в микросхеме PGA2310).

Решение было такое, что сначала надо включать потенциометры, потом усилители мощности. На момент сборки УНЧ на полевых транзисторах, самым оптимальным вариантом для меня было быстро сделать дополнительный симметричный блок питания на небольшом трансформаторе 2ВА.

Из-за нехватки места в корпусе аппарата, микросхемы PGA2310 были собраны на отдельных платах, которые вставляются вертикально в разъемы J4-J6. Схема такого модуля показана ниже:

Контроллер был изготовлен всего на четырех односторонних печатных платах — одна плата идет как основная и три идентичные с PGA2310:

При проектировании печатной платы нельзя было обойтись без нескольких перемычек, отмеченных красным.

На плате контроллера установлен энкодер (импульсный), микропереключатель и два светодиода, подсвечивающих кнопку включения в зависимости от питания (работа/ожидание):

Микропереключатель и светодиоды смонтированы на небольшом кусочке стеклотекстолита, который прикручен к передней панели корпуса:

Что касается светодиодов, то я использовал приборы диаметром 3мм, белый цвет горит, когда усилитель находится в дежурном режиме, питая только драйвер и потенциометры, синяя подсветка выключателя сигнализирует о работе усилителя.

В связи с нехваткой времени управляющая программа была написана на Bascom Basic и скомпилирована с дизассемблированной версией Bascom-AVR. В коде всего десяток строчек — включение/выключение, поддержка микроконтроллеров, отправка данных на PGA2310 (одинаковые значения на 3 микросхем) и сохранение настроек в EEPROM при переходе в режим ожидания. Дальше, в этом посте, есть ссылка на архив с бинарным файлом.

Пять усилителей переднего, заднего и центрального каналов

Для питания левой и правой фронтальных и тыловых колонок, а также центрального канала я использовал слегка модифицированную схему усилителя, опубликованную в журнале «Электроника для всех». В оригинале все это питалось от трансформатора с одной обмоткой, обеспечивающего 12 В, а требуемое напряжение получалось, в частности, с помощью удвоителя напряжения. Для моей схемы у меня был подходящий трансформатор и мне не пришлось использовать эти решения. Принципиальная схема представлена ​​на рисунке ниже:

В данном УНЧ собранного на полевых транзисторах, имеется много различных напряжений — это связано с использованием оконечного каскада, работающего по схеме с общим стоком. Если на сток MOSFET подать 16В и такое же значение приложить на затвор, то на истоке будет около 11В, что существенно ограничит максимальную мощность усилителя.

По этой причине я использовал источники тока на T2 и T3, при этом предварительно поляризовал затворы MOSFET. Их выход по току определяется напряжением питания (24В), напряжением на базах (22,75В) и резисторами R9, R10, поэтому он равен 10мА. Ток покоя усилителя устанавливается потенциометром ПР1, у меня он равен 70мА.

Транзистор Т1 компенсирует изменения этого значения из-за изменения температуры оконечных транзисторов и должен быть установлен на радиаторе. Напряжение постоянного тока на выходе усилителя не превышает 10мВ ни в одном из 5-ти блоков, при замыкании входа на корпус. Коэффициент усиления системы определяется резисторами R3 и R4 — он равен 22х или 27дБ.

Все схемы были собраны на идентичных платах, расположение элементов следующее:

При использовании одностороннего стеклотекстолита пришлось задействовать несколько перемычек (отмечены красным цветом). Транзистор Т1 был установлен на отрезке теплоотвода и запрессован в отверстие радиатора, что обеспечивает лучший тепловой контакт и позволяет стабилизировать ток покоя. Ниже приведены фотографии собранных модулей, а также фактические измеренные параметры готовых усилителей.

УНЧ на полевых транзисторах для сабвуфера

Низкочастотный динамик (известный как сабвуфер), называемый LFE (Low Frequency Effect) в системе Dolby Digital, должен управляться усилителем с достаточной мощностью, чтобы гарантировать точность воспроизведения баса, ударов, взрывов и других звуков с очень низкими частотами. Я как-то нашел в журнале «Практическая электроника» схему, которая показалась идеальной для такой роли — много мощности и MOSFET в выходном каскаде.

В этой схеме УНЧ выходные полевые транзисторы работают в конфигурации с общим истоком и управляются довольно интересным образом. Выход операционного усилителя нагружен резистором R14, который заставляет амплитуду входного звукового сигнала преобразовываться в ток, потребляемый операционным усилителем. Этот ток, протекающий для положительных половин сигнала через R4 и для отрицательных половин через R5, вызывает пропорциональные падения напряжения, которые подаются на затворы MOSFET, управляя ими.

Такое решение делает питание операционного усилителя и оконечного каскада полностью независимым. Ток покоя выставляется потенциометром ПР2, в моем случае он составляет 50мА. Правда, термостабилизации здесь нет, но после достаточно сильного нагрева отклонение не превышает 7%, так что это не трагедия. Транзисторы Т3 и Т4 защищают усилитель от слишком большого выходного тока, при необходимости уменьшая амплитуду выходного сигнала.

Коэффициент усиления схемы был установлен на уровне 29 дБ (27x). Кроме того, я добавил на входе дополнительный потенциометр, позволяющий уменьшить амплитуду сигнала, если окажется, что низкие частоты слишком громкие.

Схема традиционно собиралась на одностороннем стеклотекстолите:

Дорожки были спроектированы относительно эффективно — нужна была только одна перемычка.

Установка модулей в корпус

Из-за большого количества печатных плат, мне пришлось купить большой металлический корпус. Несмотря на имеющееся большое внутреннее пространство, печатные платы усилителей пришлось монтировать «сэндвичем», один над другим.

Из-за держателя предохранителя в задней панели, мне пришлось установить трансформатор над ним, используя алюминиевую пластину в качестве основания. Все транзисторы оконечного каскада прикручены к радиатору через изолирующие прокладки. Заземляющие провода проложены из одной точки, то есть винта, расположенного между контроллером и усилителями.

Плата с микропереключателями и светодиодами была прикручена к пластиковым элементам, которые в свою очередь я приклеил с помощью особо прочного клея Poxipol к ​​металлической передней панели. Цифровой регулятор громкости, также был впаян в плату и прикручен к корпусу.

Радиаторы и тороидальный трансформатор выбраны через чур с большим запасом, поэтому, нужно было сильно постараться, чтобы нагреть все это дело до 60°C со всеми 6 динамиками.

Для большей надежности все силовые кабели привязаны к днищу корпуса кабельными стяжками, а качестве сетевых проводов 220В были применены проводники с двойной изоляцией. Сделано это было в целях безопасности, так как корпус металлический и малейшая погрешность на участке сетевого напряжения может иметь трагические последствия.

Я попытался прикрутить радиаторы под и над вентиляционными отверстиями, чтобы имелся свободный выход нагретого воздуха из корпуса.

На задней панели расположены входные RCA-гнезда и выходные лабораторные клеммы, а также гнездо предохранителя:

Назначение коннекторов:

Во всей схеме я использовал винтовые соединения или коннекторы с позолоченными штырьками для розетки, чтобы можно было быстро снять модуль без необходимости использования паяльника. Во время сборки и тестирования это решение отлично сработало.

Впечатления от прослушивания и измерения параметров

Сразу оговорюсь, что я не аудиофил :), тем не менее, я не стал использовать детали, как говорят «что попало». При сборке усилителя я знал, чего мне нужно и, что ожидать от пяти модулей на полевых транзисторах, так как ранее собирал схему из журнала «Электронику для всех».

Неизвестной была только деталь из «Практической Электроники», отвечающая за сабвуфер. Но в итоге оказалось, что все это звучит очень красиво, как на двух, так и на трехполосных динамиках. Более слабые усилители любят импеданс 4 Ом, что даже целесообразно из-за низкого напряжения питания оконечного каскада. Аналогично с сабвуфером LFE.

Первые серьезные тесты прослушивания были проведены до того, как были сделаны какие-либо измерения с помощью осциллографа. Благодаря моим друзьям я собрал шесть соответствующих комплектов колонок, спаял 3 комплекта кабелей с разъемом 3,5 мм на дорогих металлических штекерах.

Затем я сел за компьютер с установленным AC3Filter (кто его еще помнит и запустил фильм ‘Вертолет в огне’ с DVD. Несмотря на то, что я видел его раньше, звуковые эффекты окружившие меня создавали впечатление, что я смотрю этот фильм впервые. Кроме того, сабвуфер отлично справился со своей работой.

Будучи студентом, я имел возможность пользоваться профессиональными осциллографами и генераторами сигналов, которыми оснащена лаборатория Технологического университета.

Подключив эквивалент нагрузки, генератор и осциллограф, я рассчитал эффективную мощность на основе измерений:

Усилители L, R, Ls, Rs, C — синусоидальный вход 240мВ RMS, f=1кГц, на нагрузку 4Ом у меня получилось 27,5Вт, на 8Ом 13,8Вт

Усилитель LFE — синусоидальный вход 320мВ RMS, f=1кГц, на нагрузку 4Ом у меня получилось 60Вт, на 8Ом было 47,5Вт, но при сигнале 355мВ RMS на входе.

При сегодняшних маркетинговых уловках и мощностях PMPO в 200 или 500 Вт на пластиковых колонках с подключаемым блоком питания, полученные значения могут показаться смешными. Однако при соответствующем качестве колонок, расположенных в жилом помещении площадью ~40м², мощности однозначно многовато, да и соседи по подъезду тоже могут осложнить жизнь.

Не менее важным параметром является частотная характеристика. Снятые параметры для усилителей меньшей мощности выглядят следующим образом:

Условия измерения: среднеквадратичное синусоидальное напряжение 24 мВ на входе с нагрузкой 4 Ом на выходе. Падение -3дБ произошло в диапазоне 24Гц-66кГц, что весьма неплохо.

Для усилителя LFE, питающего сабвуфер:

Вход представляет собой синус 32 мВ RMS, нагрузка на выходе 4 Ом. Диапазон -3 дБ составляет 7,5 Гц-43 кГц. Я уже знал, откуда исходит сильный гул :). Несмотря на то, что это усилитель НЧ-канала, я не использовал более высокочастотный срез — как с компьютера, так и с DVD-плеера с правильно обрезанным выходным сигналом LFE.

Как это часто бывает, жизнь свелась к использованию усилителя на двух двухполосных громкоговорителях, стоящих на полу, слева и справа от стола с компьютером. Возможно, я вернусь к идее, возникшей несколько лет назад, соединить два одинаковых усилителя и добавить сабвуфер :).

Для тех, кто заинтересован в повторении этой схемы, предоставляю графические файлы позволяющие травить печатные платы для усилителей и плату для микроконтроллера: amplifier_mosfet_5_1

ulf%20500vs техническое описание и указания по применению

Каталог техническое описание	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
uln2503 Резюме: таблица данных irf250 METAL-CLAD Резисторы с проволочной обмоткой 1000 В 200 Вт Транзистор ULN400 rara irn W203 Транзистор ULN200 irf250 IRF 024 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Мо500/УЛФ500 ИРФ200 ИРФ250 IRF300 IRF400 ИРФ500 1-10 Ом uln2503 irf250 даташит METAL-CLAD Резисторы с проволочной обмоткой 1000 В 200 Вт Транзистор УЛН400 рара ирн W203 УЛН200 транзистор irf250 ИРФ 024
мини-линк Реферат: Микроволновая антенна Ericsson MINI-LINK ericsson Ericsson mini-link ericsson gsm антенна mini link ericsson Базовая станция Ericsson mini-link E BERG Electronics MINI-LINK bas Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2000-сказка мини-ссылка Микроволновая антенна Ericsson МИНИ-ЛИНК Эрикссон Мини-линк Ericsson эрикссон gsm антенна мини линк ericsson Базовая станция Эрикссон мини-ссылка E БЕРГ Электроникс База MINI-LINK
2004 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	УЛ-Ф-14
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SK30MLI066
7404 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СК20МЛИ066 7404
7404 не ворота Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SK50MLI066 7404 не ворота
транзистор С6052 Реферат: C6052 c6041 «Codi Semiconductor» Codi Semiconductor codi KENILWORTH C6052 транзистор CODI6046 «Диоды регулятора напряжения» Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	177СМ7Д С-6041 С-6052 транзистор С6052 C6052 c6041 «Коди Полупроводник» Коди Полупроводник коди КЕНИЛВОРТ Транзистор С6052 CODI6046 «Диоды регулятора напряжения»
709С Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	C3702 МГц29 C3702AYB 709С
Б22И Реферат: T2308 dth21 chm c13 WH AE 1dz 2 1EHK2 auo display auo display ufk F R21E Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	TINS-6842CEZZ Т2308-А 9P11-JWG B22Y Т2308 дт21 чм с13 WH АЭ 1дз 2 1ЭКК2 автоматический дисплей авто дисплей уфк F R21E
DX-66 Реферат: Sharp XG-NV7XM BH рн транзистор auo дисплей ufk EU2A лазер рад LJ Sharp EL дисплей AETA Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	TINS-6911CEZZ Т2334-А 9П11-JWG DX-66 Sharp XG-NV7XM Транзистор BH рн авто дисплей уфк ЕС2А лазерная рада LJ Sharp EL дисплей АЭТА
2СД424 Резюме: 2SB554 FCLA Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2СБ554 2СД424 00W—Ã Та-25 р-20 1С-10А 2СБ554 БЮП
2Б31 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
2003 — УЛФ-300Р Реферат: -12404 JASO d605 109-5000 tyco Jaso -12 D7101 KANGO-12422 ULF300R Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	18ФЕВ09 Д7101: Военный стандарт-202: КАНГО-12404, КАНГО-12422, КАНГО-12388 500 В постоянного тока Sn-40Pb УЛФ-300Р УЛФ-300Р -12404 ЯСО д605 109-5000 тыко Ясо -12 Д7101 КАНГО-12422 УЛФ300Р
ЭН1010 Резюме: EN0506 E1010RD 2s4a 1df2 E0710BL E2512GY E0510WT KST2000B KST2000A Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	1FB10 1FB11 1ФБ14 1FB18 КСТ2000А КСТ2000Б E0208VT E0308PK E0510WT E0710BL EN1010 EN0506 E1010RD 2с4а 1df2 E0710BL E2512GY E0510WT КСТ2000Б КСТ2000А
диод 30А 600В Резюме: KSF30A60B bbl51E3 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	0А/600В/трр КСФ30А6М О-247АС КСФ30А. КСФ30А60Б bbl51E3 0D0EE03 0002БДМ диод 30А 600в КСФ30А60Б
01005 модель земли Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МО-153, СОМКТ-MTD56 01005 модель земли
БТ601-5 Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	БТ601-5 УЛ94В-0. DR00075B Фара210d окт-00
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ЭКО-11-005294 07 апреля 2011 г.
МИ33Х Реферат: L11H 250нм МИ-33Н Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МИ-33Н МИ-33ХЛ л-11Н МИ-11ХЛ МИ-33ХЛ МИ-11Н 2856К МУВ-2537 900 мВ МИ33Н L11H 250нм
Разъем CR2032 Резюме: 060003FA002G 3-BC01 SUYIN РАЗЪЕМ АККУМУЛЯТОРА АККУМУЛЯТОР CR2032 pcb CR2032 pcb 723 ic 060003FA00 аккумулятор CR2032 ji 723 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	3-BC01 2002/95/ЕС 060003FA00 ДКБ-071023-10 unle55 UL94В-0 CR2032 060003П разъем CR2032 060003FA002G СОЕДИНИТЕЛЬ АККУМУЛЯТОРНОЙ БАТАРЕИ SUYIN БАТАРЕЯ CR2032 pcb CR2032 печатная плата 723 ИК батарея CR2032 дзи 723
СОЛИТРОН Реферат: Маркировка Ge NPN XW Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
ДР20-4С Реферат: T8G-12 SJ02 AEI SCR JACS-3063-1 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	КУ80ТА ДР-20-4СК-ФО) Т8Г-12 JACS-3063-1 ДР20-4С SJ02 АЭИ СКР JACS-3063-1
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	АЖ-6И78 AJ-6129 AJ-6343 4-10-3С- 00-С-530. ASTM-B-453. QG-N-290, МИЛ-П-81728, МиЛ-Г-45204, 000030J
МТЕ1050а Аннотация: MTD7030 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	57ТУ55 0GG03A3 МТЕ1050А МТД7030. 15 мВт/ср Та-25 МТЕ1050а МТД7030
ММВ5551 Реферат: mmt5551 1BT55 MMBT5550 MMBT5551 T5551 MVBT5551 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	ММБТ5550 ММБТ5551 ММБТ5550 ММГТ5551 ММБТ5С50 1BT5550 ММВ5551 ммт5551 1BT55 ММБТ5551 Т5551 МВБТ5551

Предыдущий 1 2 3 … 12 13 14 Далее

Изобретения, патенты и патентные заявки Ульфа Смита

Патенты изобретателя Ульфа Смита

Ульф Смит подал заявку на патент для защиты следующих изобретений. Этот список включает заявки на патенты, находящиеся на рассмотрении, а также патенты, которые уже были выданы Ведомством США по патентам и товарным знакам (USPTO).

• Сенсорное устройство на интегральной схеме для обнаружения заряда, представляющее собой гибрид полевого транзистора на основе оксида металла и полупроводника с боковым эффектом (MOSFET) и транзистора с вертикальным биполярным переходом (BJT)

  Номер патента: 10209215

  Abstract: Полупроводниковое интегрированное сенсорное устройство включает в себя: полевой транзистор с боковым изолированным затвором (MOSFET), соединенный последовательно с базой вертикального биполярного транзистора (BJT), в котором сток — дрейфовая область МОП-транзистора является частью базовой области биполярного транзистора на полупроводниковой подложке, что обеспечивает электрический контакт с базой биполярного транзистора и расстояние дрейфовой области стока полевого МОП-транзистора до эмиттера биполярного транзистора. превышает расстояние по вертикали между эмиттером и любым заглубленным слоем, служащим коллектором, а напряжение пробоя устройства определяется БВЭО вертикального БЮТ.

  Тип: Грант

  Подано: 17 июня 2014 г.

  Дата патента: 19 февраля 2019 г.

  Правопреемник: K.EKLUND INNOVATION

  Изобретатели: Клас-Хакан Эклунд, Шили Чжан, Ульф Смит, Ханс Эрик Норстрем

• Транзисторное устройство LDMOS, интегральная схема и способ их изготовления

  Номер патента: 7563682

  Аннотация: Транзисторное устройство LDMOS в интегральной схеме содержит полупроводниковую подложку (10), область затвора (1), включая область слоя полупроводника затвора (2; 2?; 151) на верхняя часть области слоя изоляции затвора (3; 141), области истока (4) и стока (5, 7) и канал (6; 12), расположенный под областью затвора LDMOS, канал, соединяющий области истока и стока LDMOS и имеющий латерально градуированную концентрацию легирования. Чтобы получить более низкую паразитную емкостную связь от области полупроводникового затвора, область слоя полупроводникового затвора снабжена латерально градиентной чистой концентрацией легирования (P+N+; N+N?). Далее раскрывается способ изготовления предлагаемого в изобретении LDMOS-транзисторного устройства.

  Тип: Грант

  Подано: 13 мая 2008 г.

  Дата патента: 21 июля 2009 г.

  Правопреемник: Infineon Technologies AG

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Гибридные пластины

  Номер публикации: 200939

  Abstract: Гибридная пластина состоит из монокристаллического слоя SixGe1-x (15), где 0?x?1, слоя с высокой теплопроводностью (10) и между кристаллический слой SixGe1-x (15) и слой (10) с высокой теплопроводностью, промежуточный слой (21), имеющий толщину от 1 нанометра до 1 микрометра и содержащий по меньшей мере один аморфный или поликристаллический слой SixGe1-x (21a), где 0?x?1.

  Тип: Заявка

  Подано: 23 апреля 2007 г.

  Дата публикации: 9 июля 2009 г.

  Изобретатели: Серен Берг, Йорген Олссон, Орьян Валлин, Ульф Смит

• Транзисторное устройство LDMOS, интегральная схема и способ их изготовления

  Номер публикации: 20080261359

  Abstract: Транзисторное устройство LDMOS в интегральной схеме содержит полупроводниковую подложку (10), область затвора (1), включая область слоя полупроводника затвора (2; 2?; 151) на верхняя часть области слоя изоляции затвора (3; 141), области истока (4) и стока (5, 7) и канал (6; 12), расположенный под областью затвора LDMOS, канал, соединяющий области истока и стока LDMOS и имеющий латерально градуированную концентрацию легирования. Чтобы получить более низкую паразитную емкостную связь от области полупроводникового затвора, область слоя полупроводникового затвора снабжена латерально градиентной чистой концентрацией легирования (P+N+; N+N?). Далее раскрывается способ изготовления предлагаемого в изобретении LDMOS-транзисторного устройства.

  Тип: Заявка

  Подано: 13 мая 2008 г.

  Дата публикации: 23 октября 2008 г.

  Заявитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Транзисторное устройство LDMOS, интегральная схема и способ их изготовления

  Номер патента: 7391084

  Аннотация: Транзисторное устройство LDMOS в интегральной схеме содержит полупроводниковую подложку (10), область затвора (1), включая область слоя полупроводника затвора (2; 2?; 151) на верхняя часть области слоя изоляции затвора (3; 141), области истока (4) и стока (5, 7) и канал (6; 12), расположенный под областью затвора LDMOS, канал, соединяющий области истока и стока LDMOS и имеющий латерально градуированную концентрацию легирования. Чтобы получить более низкую паразитную емкостную связь от области полупроводникового затвора, область слоя полупроводникового затвора снабжена латерально градиентной чистой концентрацией легирования (P+N+; N+N?). Далее раскрывается способ изготовления предлагаемого в изобретении LDMOS-транзисторного устройства.

  Тип: Грант

  Подано: 17 июня 2004 г.

  Дата патента: 24 июня 2008 г.

  Правопреемник: Infineon Technologies AG

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Транзисторное устройство LDMOS, использующее затворы с разделительной структурой

  Номер патента: 7391080

  Реферат: Интегрированный LDMOS-транзистор содержит полупроводниковую подложку (11), область затвора LDMOS (17), области истока (14) и стока (15) LDMOS и область канала ( 13), расположенный под областью затвора LDMOS, где область канала соединяет области истока и стока LDMOS. Область затвора LDMOS содержит первую (18а) и вторую (18b) области изоляционного слоя затвора, расположенную в центре область изоляции затвора (19), обеспеченные между первой и второй областями изоляционного слоя затвора и первой (20а) и второй (20b) отдельными областями слоя, проводящего затвор, каждая из которых предусмотрена поверх соответствующей одной из областей первого и второго изоляционного слоя затвора, и каждая является вытравленная внешняя область прокладки в центральной области изоляционного слоя.

  Тип: Грант

  Подано: 19 октября, 2004

  Дата патента: 24 июня 2008 г.

  Правопреемник: Infineon Technologies AG

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Применение антисмысловых олигонуклеотидов резистина и/или молекул Sirna при лечении ревматоидного артрита

  Номер публикации: 20080039411

  Реферат: Настоящее изобретение относится к применению антисмысловых олигонуклеотидов к части гена резистина и киРНК, блокирующих действие резистина, для лечения ревматоидного артрита. Настоящее изобретение также относится к определению начала ревматоидного артрита.

  Тип: Заявка

  Подано: 23 февраля 2005 г.

  Дата публикации: 14 февраля 2008 г.

  Изобретатели: Ульф Смит, Иван Нагаев, Мария Бокарева, Андрей Тарковский

• Транзисторное устройство LDMOS, интегральная схема и способ их изготовления

  Номер публикации: 20050110080

  Abstract: Интегрированный LDMOS-транзистор содержит полупроводниковую подложку (11), область затвора LDMOS (17), области истока (14) и стока (15) LDMOS и область канала ( 13), расположенный под областью затвора LDMOS, где область канала соединяет области истока и стока LDMOS. Область затвора LDMOS содержит первую (18а) и вторую (18b) области изоляционного слоя затвора, расположенную в центре область изоляции затвора (19), обеспеченные между первой и второй областями изоляционного слоя затвора и первой (20а) и второй (20b) отдельными областями слоя, проводящего затвор, каждая из которых предусмотрена поверх соответствующей одной из областей первого и второго изоляционного слоя затвора, и каждая является вытравленная внешняя область прокладки в центральной области изоляционного слоя.

  Тип: Заявка

  Подано: 19 октября, 2004

  Дата публикации: 26 мая 2005 г.

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Состав и способ применения в процедурах очистки кишечника

  Номер публикации: 20050054611

  Реферат: Дефицит питательных веществ, который представляет собой серьезный побочный эффект процедур очистки кишечника, может быть смягчен или полностью устранен с помощью композиции и способа согласно настоящему изобретению, в которых вводят сложные углеводы. пациенту в форме и в таком количестве, которые вызывают реакцию уровня глюкозы в крови, подобную реакции после обычного приема пищи, и стабилизируют уровень глюкозы в крови выше 3,5 ммоль/л, предпочтительно выше примерно 4 ммоль/л, предотвращая таким образом гипогликемию. Композиция и способ подходят для всех пациентов, но особенно для ослабленных, пожилых или больных диабетом. Композиция и способ значительно улучшают самочувствие пациентов, не снижают очищающего эффекта, достигаемого обычными препаратами или процедурами для очистки кишечника, и не имеют известных побочных эффектов. Предпочтительным сложным углеводом является нативный кукурузный крахмал, и композиция может также включать простой углевод, например сахароза.

  Тип: Заявка

  Подано: 12 сентября 2003 г.

  Дата публикации: 10 марта 2005 г.

  Изобретатели: Матс Лейк, Ульф Смит, Метте Аксельсен, Ева Олауссон

• Транзисторное устройство LDMOS, интегральная схема и способ их изготовления

  Номер публикации: 20050012147

  Abstract: Транзисторное устройство LDMOS в интегральной схеме содержит полупроводниковую подложку (10), область затвора (1), включая область слоя полупроводника затвора (2; 2?; 151) на верхняя часть области слоя изоляции затвора (3; 141), области истока (4) и стока (5, 7) и канал (6; 12), расположенный под областью затвора LDMOS, канал, соединяющий области истока и стока LDMOS и имеющий латерально градуированную концентрацию легирования. Чтобы получить более низкую паразитную емкостную связь от области полупроводникового затвора, область слоя полупроводникового затвора снабжена латерально градиентной чистой концентрацией легирования (P+N+; N+N?). Далее раскрывается способ изготовления предлагаемого в изобретении LDMOS-транзисторного устройства.

  Тип: Заявка

  Подано: 17 июня 2004 г.

  Дата публикации: 20 января 2005 г.

  Изобретатели: Торкель Арнборг, Ульф Смит

• Последовательности и их использование

  Номер патента: 6835819

  Резюме: Новые некодирующие последовательности, выделенные выше гена IRS-2 человека, раскрыты в качестве маркеров для прогнозирования и/или диагностики метаболических нарушений или заболеваний, связанных с IRS-2, таких как диабет. Последовательности также функционируют в качестве маркеров в методе и анализе для оценки инсулинорегулирующих, т.е. сенсибилизирующих или ингибирующих инсулин свойств веществ-кандидатов в лекарственные средства, например, метод и анализ для высокопроизводительного скрининга. Последовательности и/или полученная из них информация также могут быть использованы для воздействия на экспрессию гена IRS-2, например, в терапии метаболических нарушений, связанных с IRS-2, таких как диабет.

  Тип: Грант

  Подано: 8 июня 2001 г.

  Дата патента: 28 декабря 2004 г.

  Правопреемник: Metcon Medicin AB

  Изобретатель: Ульф Смит

• Способ формирования проводящего покрытия на полупроводниковом приборе

  Номер патента: 6551912

  Реферат: На кристалле полупроводника проводящий слой формируется путем сначала прикрепления полупроводниковой пластины к опорной пластине, затем разрезания полупроводниковой пластины на матрицы и, наконец, осаждения проводящего слоя на полупроводниковой пластине. стороны штампов. Проводящий слой предпочтительно представляет собой металлический слой, который проходит в опорную пластину, что обеспечивает то, что при удалении опорной пластины проводящий слой полностью проходит по боковой стенке полупроводникового кристалла. Метод позволяет одновременно наносить проводящий слой на множество штампов. Проводящий слой снижает сопротивление токам радиочастотного диапазона, протекающим близко к краям кристалла, за счет скин-эффекта.

  Тип: Грант

  Подано: 26 апреля 2001 г.

  Дата патента: 22 апреля 2003 г.

  Правопреемник: Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)

  Изобретатели: Торкель Амборг, Ульф Смит

• Новые последовательности и их использование

  Номер публикации: 20020098169

  Резюме: Новые некодирующие последовательности, выделенные выше гена IRS-2 человека, раскрыты в качестве маркеров для прогнозирования и/или диагностики метаболических нарушений или заболеваний, связанных с IRS-2, таких как диабет. Последовательности также используются в качестве маркеров в методе и анализе для оценки регулирующих инсулин, т.е. повышающих чувствительность к инсулину или ингибирующих свойств веществ-кандидатов в лекарственные средства, например, метод и анализ для высокопроизводительного скрининга. Последовательности и/или полученная из них информация также могут быть использованы для воздействия на экспрессию гена IRS-2, например, в терапии метаболических нарушений, связанных с IRS-2, таких как диабет.

  Тип: Заявка

  Подано: 8 июня 2001 г.

  Дата публикации: 25 июля 2002 г.

  Изобретатель: Ульф Смит

• Поликремниевый резистор и способ его изготовления

  Номер патента: 6400252

  Резюме: Резистор имеет корпус резистора из поликристаллического кремния и электрические контактные области, расположенные на корпусе резистора и/или в нем, так что резистивная часть образована между контактными областями, что дает резистор его сопротивление. Материал корпуса резистора легирован, например, бором, чтобы определить его сопротивление. Чтобы придать резистору хорошую долговременную стабильность, часть резистора защищена одним или несколькими блокирующими слоями на основе оксида, изготовленными из переходных металлов. Эти блокирующие слои могут препятствовать подвижным типам атомов, таким как водород, достигать ненасыщенных связей в поликремнии. Такие подвижные виды атомов могут, например, существовать в пассивирующих слоях, расположенных снаружи в интегральной электронной схеме, в которую включен резистор. Блокирующие слои могут быть изготовлены из слоев, содержащих 30% титана и 70% вольфрама, которые окисляют перекисью водорода.

  Тип: Грант

  Подано: 14 февраля 2000 г.

  Дата патента: 4 июня 2002 г.

  Правопреемник: Telefonaktiebolaget LM Ericsson

  Изобретатели: Ульф Смит, Мэттс Ридберг

• Способ формирования проводящего покрытия на полупроводниковом приборе

  Номер публикации: 20020016052

  Abstract: На полупроводниковом кристалле проводящий слой формируется путем сначала прикрепления полупроводниковой пластины к опорной пластине, затем разрезания полупроводниковой пластины на матрицы и, наконец, осаждения проводящего слоя на полупроводниковую пластину. стороны штампов. Проводящий слой предпочтительно представляет собой металлический слой, который проходит в опорную пластину, что обеспечивает то, что при удалении опорной пластины проводящий слой полностью проходит по боковой стенке полупроводникового кристалла. Метод позволяет одновременно наносить проводящий слой на множество штампов. Проводящий слой снижает сопротивление токам радиочастотного диапазона, протекающим близко к краям кристалла, за счет скин-эффекта.

  Тип: Заявка

  Подано: 26 апреля 2001 г.

  Дата публикации: 7 февраля 2002 г.

  Изобретатели: Торкель Амборг, Ульф Смит

• Лечение диабета

  Номер патента: 6316427

  Реферат: Способ улучшения толерантности у человека, страдающего нарушением толерантности к глюкозе, включая как НТГ, так и сахарный диабет 2 типа, включающий прием терапевтического количества крахмала с медленным высвобождением перед сном. Предпочтительным типом крахмала для использования в этом способе является натуральный кукурузный крахмал.

  Тип: Грант

  Подано: 4 апреля 2000 г.

  Дата патента: 13 ноября 2001 г.

  Изобретатели: Метте Аксельсен, Ульф Смит

• Стабилизированный поликремниевый резистор и способ его изготовления

  Номер патента: 6313728

  Резюме: Резистор имеет корпус резистора из поликристаллического кремния и электрические выводы, расположенные на корпусе резистора и/или внутри него. Таким образом, между клеммами формируется резисторная часть, которая придает резистору его сопротивление. Материал корпуса резистора легирован, например, бором. Чтобы в достаточной степени заблокировать ненасыщенные кремниевые связи в границах зерен и тем самым придать резистору хорошую долговременную стабильность, в материал добавляют атомы фтора. Они добавляются в такой высокой концентрации, что все ненасыщенные связи связаны с атомами фтора. Кроме того, при изготовлении резистора предусмотрено, что концентрация поддерживается на исходно высоком значении. При ионном имплантировании легирующих примесей и атомов фтора это можно осуществить, проводя отжиг после имплантации легирующих примесей при высокой температуре, а затем дальнейший отжиг при низкой температуре после последующей имплантации фтора.

  Тип: Грант

  Подано: 20 сентября 2000 г.

  Дата патента: 6 ноября 2001 г.

  Правопреемник: Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)

  Изобретатели: Ульф Смит, Мэттс Ридберг

• Стабилизированный поликремниевый резистор и способ его изготовления

  Номер патента: 6140910

  Резюме: Резистор имеет корпус резистора из поликристаллического кремния и электрические выводы, расположенные на корпусе резистора и/или внутри него. Таким образом, между клеммами формируется резисторная часть, которая придает резистору его сопротивление. Материал корпуса резистора легирован, например, бором.