Составные транзисторы. Схемы включения. | HomeElectronics

Транзисторы как силовые элементы многих радиоэлектронных устройств для нормальной работы должны выполнять следующие функции:

1. Обеспечивать управление заданным током нагрузки при большом усилении по мощности.

2. Обладать достаточной (с учётом заданной выходной мощности и диапазонов изменения входного и выходного напряжений) рассеиваемой мощностью.

Для сборки радиоэлектронного устройства можно преобрески DIY KIT набор по ссылке.

3. Иметь максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер, позволяющее без опасности пробоя обеспечивать необходимое падение напряжение на переходе коллектор – эмиттер при возможных значениях входного и выходного напряжений.

В некоторых случаях имеющиеся в наличии транзисторы не позволяют выполнить одно или несколько вышеописанных условий, тогда прибегают к помощи так называемых составных транзисторов. Схем составных транзисторов существует великое множество, но основных схем существует всего три.

Тандемное включение транзисторов (схемы Дарлингтона и Шиклаи)

Довольно часто возникает ситуация, когда необходимого коэффициента усиления одного транзистора не хватает. В этом случае транзисторы соединяют тандемно (то есть выходной ток первого транзистора является входным током для второго). Существует две схемы такого включения: схема Дарлингтона и схема Шиклаи. Отличие заключается лишь в том, что в схеме Дарлингтона используются транзисторы одинакового типа проводимости, а в схеме Шиклаи – разного типа проводимости.

Схема Дарлингтона



Схема Шиклаи

Данные пары – это просто два каскада эмиттерного повторителя. Иногда данные составные схемы транзисторов называют «супер-β» пары, так как они функционируют как один транзистор с высоким коэффициентом усиления.

Общий коэффициент передачи тока будет равен:

h_21e(ОБЩ) = h_21e(VT1)*h_21e(VT2)

При использовании данных схем вполне возможна такая ситуация, когда нагрузка уменьшится до нуля (или некоторого минимального значения, близкого к нулю) или при повышении температуры базовый ток транзистора VT1 может стать равным нулю или даже переменить направление за счёт неуправляемого обратного тока коллектора. Во избежание запирания транзистора VT2 его режим следует стабилизировать с помощью резистора R1.

Величину сопротивления R1 можно определить по формуле:

R1 ≤ U_{E min}/I_CBO(VT1)

Параллельное включение транзисторов

Современные транзисторы позволяют реализовать электронные схемы расчитаные на широкие диапазоны изменений токов и напряжений, но в отдельных случаях для увеличения допустимой мощности рассеивания применяется параллельное включение транзисторов.

Схема параллельного включения транзисторов

Максимально допустимый ток протекающий через такой составной транзистор равен:

I_Kmax(общ) = I_Kmax(VT1) + I_Kmax(VT2)

При такой схеме включения транзисторов следует учитывать, что вследствие разброса параметров параллельно включённых транзисторов токи между ними распределяются неравномерно. Большая часть тока будет протекать через транзистор, имеющий больший коэффициент усиления. Рассеиваемые транзисторами мощности можно выровнять включением в их эмиттерные цепи дополнительных симметрирующих резисторов с небольшими сопротивлениями. Так как на практике трудно подбирать такие сопротивление для каждого транзистора, в практических схемах в эмиттеры всех транзисторов ставят резисторы одного сопротивления. Сопротивление симметрирующих резисторов R1 и R2 можно определить по формуле

R1 = R2 ≈ 0,5n/I_K,

где n – число параллельно соединенных транзисторов

I_K — ток проходящий через коллектор.

Такой способ связан с ухудшением усилительных свойств транзисторов, однако его достоинством является возможность получения мощного силового элемента при использовании относительно маломощных транзисторов.

Последовательное включение транзисторов

Во время работы силового транзистора на его переходе коллектор – эмиттер падает напряжение, представляющее собой разность входного и выходного напряжений. В отдельных случаях эта разность может превышать максимально допустимое напряжений коллектор – эмиттер транзистора, имеющегося в распоряжении. В этом случае необходимо использовать последовательное соединение нескольких транзисторов.

Схема последовательного включения транзисторов

Эквивалентный транзистор будет иметь следующие параметры:

U_CEmax(общ) = U_CEmax(VT1) + U_CEmax(VT2)

Для симметрирования напряжений, которые будут падать на переходе коллектор – эмиттер транзисторов вводят симметрирующие резисторы R1 и R2 сопротивление, которых можно определить по формуле

R1 = R2 < U_CEmax/2I_B,

где I_B – ток базы составного регулирующего транзистора.

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ

Составной транзистор

Составной транзистор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Пара Дарлингтона

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трёх или более) биполярных транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.

Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов, составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750.

У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.

Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами, превышающими входной на несколько порядков.

Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.

Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор».

Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.

Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β D ≈ β 1 ⋅ β 2 {displaystyle eta _{D}approx eta _{1}cdot eta _{2}} где β D {displaystyle eta _{D}} — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона; β 1 , {displaystyle eta _{1},} β 2 {displaystyle eta _{2}} — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β {displaystyle eta } , значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора R 1 {displaystyle R_{1}} (см. рисунок).

Ток эмиттера I E {displaystyle I_{E}} любого транзистора через базовый ток I B , {displaystyle I_{B},} статический коэффициент передачи тока базы β {displaystyle eta } и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I E = I B + I C = I B + I B ⋅ β = I B ⋅ ( 1 + β ) , {displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}cdot eta =I_{B}cdot (1+eta ),} где I C {displaystyle I_{C}} — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора I E 2 {displaystyle I_{E2}} , опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I E 2 = I B 1 + I C 1 + I C 2 , {displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},} где I B 1 {displaystyle I_{B1}} — базовый ток 1-го транзистора; I C 1 , {displaystyle I_{C1},} I C 2 {displaystyle I_{C2}} — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β D = β 1 + β 2 + β 1 ⋅ β 2 , {displaystyle eta _{D}=eta _{1}+eta _{2}+eta _{1}cdot eta _{2},} где β 1 , {displaystyle eta _{1},} β 2 , {displaystyle eta _{2},} — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов β >> 1 , {displaystyle eta >>1,} то β D ≈ β 1 ⋅ β 2 . {displaystyle eta _{D}approx eta _{1}cdot eta _{2}.}

Коэффициенты β 1 {displaystyle eta _{1}} и β 2 {displaystyle eta _{2}} различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера I E 2 {displaystyle I_{E2}} в 1 + β 2 {displaystyle 1+eta _{2}} раз больше тока эмиттера I E 1 {displaystyle I_{E1}} , (это вытекает из очевидного равенства I B 2 = I E 1 , {displaystyle I_{B2}=I_{E1},} а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться во много раз при разных токах.

Пара Шиклаи

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости (p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[уточнить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]

Каскодная схема

Основная статья: Каскодный усилитель

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор T1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор T2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

• Высокий коэффициент усиления по току.
• Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
• Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

• Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
• Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем у одиночного транзистора, и для кремниевых транзисторов находится в пределах 0,6 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
• Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе. [уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона, выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором, служит мощный n-p-n-транзистор Дарлингтона типа КТ827, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.

Compound Transistor — Darlington Transistor Electrical Engine…

Составной транзистор представляет собой электрическое соединение двух или более биполярных транзисторов или полевых транзисторов или их комбинации (например, IGBT, где полевые и биполярные транзисторы используются вместе) для улучшения некоторых электрических параметров по сравнению с одиночными транзисторами. Эти схемы включают в себя составной транзистор Дарлингтона, пару Шиклая, каскодную схему, токовое зеркало и т. д.

Чаще всего термин «составной транзистор» относится к составному транзистору Дарлингтона.

Схема составного транзистора Дарлингтона.

Схема Дарлингтона

рис Принципиальная схема составного транзистора Дарлингтона с базовым резистором.

Эту схему в 1953 году изобрел инженер-электрик, сотрудник Bell Laboratories Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).

Составной транзистор Дарлингтона (иногда именуемый парой Дарлингтона, схемой Дарлингтона) представляет собой каскадное соединение 2 или, реже, более двух биполярных транзисторов ^[1] соединены таким образом, что нагрузкой в ​​эмиттере предыдущего каскада является переход база-эмиттер следующего транзистора, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора подключается к база выпуска.

Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора Дарлингтона очень велик и примерно равен произведению коэффициентов усиления по току составных транзисторов, для мощных транзисторов (для схемы Дарлингтона, конструктивно выполненной в одном корпусе, например, транзистор КТ825 ≈1000) и для пар маломощных транзисторов ≈50000. Это означает, что малый входной ток составного транзистора может управлять выходными токами, на несколько порядков превышающими входной ток управления.

Увеличить коэффициент усиления по току можно также за счет уменьшения толщины базы при изготовлении транзистора, но это представляет определенные технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие рабочие напряжения коллектора, не превышающие нескольких вольт. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных цепях используется пара Дарлингтона или пара Чиклаи.

Иногда схему Дарлингтона не совсем корректно называют «транзистор супербета» ^[2] . Примерами супербетовых транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако иногда такие транзисторы объединяют в схему Дарлингтона.

Составные транзисторы Дарлингтона применяются в сильноточных цепях (например, в цепях регуляторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить высокое входное сопротивление и малые входные токи.

Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме используется резистивная эмиттерная нагрузка входного транзистора для ускорения закрытия и уменьшения влияния начального тока входного транзистора. Описываемое соединение вообще рассматривается как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме примерно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, два:

Мы показываем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β, намного больший, чем у обоих его компонентов. Задав приращение dI _b = dI _b1 , получим:

dI _e1 = (1 + β ₁ ) dI _b = dI _b2 ;

dI _к = dI _к1 + dI _к2 = β ₁ dI _b + β ₂ ((1 + β 9 0041 1 ) dI _b ).

Разделив dI _c на dI _b , находим полученный дифференциальный коэффициент усиления:

β _Σ = β ₁ + β ₂ + β ₁ β ₂

Как всегда, это можно считать:

β _Σ ≈β ₁ β ₂ .

Следует подчеркнуть, что коэффициенты и могут различаться даже в случае однотипных транзисторов, так как эмиттерный ток I _e2 равен 1 + β ₂ умноженный на ток эмиттера I _e1 (это следует из очевидного равенства I _b2 = I _e1 ) ^[3] .

Схема (пара) Шиклай

Рис Каскад Шиклея, эквивалентный npn-транзистору

Пара Дарлингтона аналогична паре транзисторов Шиклаи, названной в честь ее изобретателя Джорджа К. Шиклая, также иногда называемого комплементарным транзистором Дарлингтона

^[4] . В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклея содержит транзисторы разного типа проводимости (pnp и npn). Пара Schiclai электрически эквивалентна npn-транзистору с высоким коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером 9Транзистор 0121 Q1 , а напряжение насыщения не менее падения напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с малым сопротивлением. Эта схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов с одной проводимостью.

Схема каскода

рис Каскодный усилитель на биполярных транзисторах npn .

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, отличающийся тем, что транзистор VT1 — это , включенный по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом имеет гораздо лучшие частотные характеристики, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, т.е. меньше искажает передаваемый сигнал. Поскольку потенциал входного транзистора остается практически неизменным, это значительно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и улучшает частотные свойства.

Преимущества и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В высокочастотных схемах составные транзисторы таких преимуществ уже не имеют — предельный коэффициент усиления по частоте тока и быстродействия составных транзисторов меньше, чем аналогичные параметры каждого из транзисторов

VT1 и ВТ2 .

Преимущества композитных пар Дарлингтона и Шиклая:

• Высокий коэффициент усиления по току.
• Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь, занимаемая парой на поверхности кристалла кремния, меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
• Используется при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

• Низкая скорость, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы применяются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных цепях, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
• Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер выходного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в одиночном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как не может быть меньше чем в два раза падение напряжения на прямом p-n переходе.
• Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора, составляет около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В для обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для мощных транзисторов, так как оно не может быть меньше напряжения падение напряжения на p-n переходе с прямым смещением плюс падение напряжения на входном транзисторе с насыщением.

Использование нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Размер резистора выбирают таким, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создает падение напряжения на резисторе, недостаточное для открытия транзистора VT2 . Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором

VT2 , за счет чего уменьшается суммарный ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, использование резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора на форсирует закрытие транзистора, так как неосновные носители, накопившиеся в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только растворяются, но и протекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 равно , выбранное равным сотням Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и нескольким кОм в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона, выполненной в едином корпусе со встроенным эмиттерным резистором, может служить мощный npn-транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при токе коллектора 10 А.

Примечания

1. ↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, в составной коммутации не применяются, так как имеют большое входное сопротивление, управляются напряжением, а не током, и такая коммутация нецелесообразна.
2. ↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
3. ↑ Супербитными (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим коэффициентом усиления по току, полученным за счет очень малой толщины базы, а не за счет составного включения. В этом случае рабочий ток базы одиночного транзистора может быть снижен до десятков Па. Такие транзисторы используются в первых каскадах операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типа LM111 и LM316.
4. ↑ Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд.,перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — с. 233, 234. — 672 с.
5. ↑ Горовиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд.,перераб. и добавить. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — с. 104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
6. ↑ Это не всегда (не во всех приложениях) недостаток, но всегда особенность, которую необходимо учитывать при расчете цепи постоянного тока, и которая не заменяет напрямую один транзистор компонентом Дарлингтона.

[PDF] МЕТОДЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ CCII КОМПОЗИТНЫЙ ТРАНЗИСТОР И БОЛЬШОЙ ПРИВОД

• Идентификатор корпуса: 135

 @inproceedings{Eldbib2015LOWVC,
  title={МЕТОДЫ НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ CCII КОМПОЗИТНЫЙ ТРАНЗИСТОР И НАГРУЗКА},
  автор = {Исса Эльдбиб и Абдосллам М. Абобакер и Абдулазиз Х. Доу},
  год = {2015}
} 

• I. Eldbib, A. Abobaker, A. Daw
• Опубликовано в 2015 г.
• Engineering

получить высокие результаты производительности от CCII в низком напряжении питания. В качестве ядра конструкции мы выбрали традиционную схему операционного усилителя из литературы. Наша цель с использованием низковольтных методов — изучение частотных характеристик операционного усилителя с компенсацией Миллера на основе CCII. Оркейд 9.2 и 0,7 мкм КМОП-технологическая модель от AMIS… 

pep.ijieee.org.in

Низковольтный инвертирующий буферный усилитель на основе дифференциального напряжения с автокаскодным транзистором и его применение в качестве универсального фильтра

Richa Srivastava, Омпал Гупта, Ануп Кумар, Девеш Сингх

Инжиниринг

Микроэлектрон. J.

• 2020

Последовательно-параллельное объединение полевых транзисторов для приложений с высоким коэффициентом усиления и высокой частотой

C. Galup-Montoro, M.C. Schneider, I. Loss

Engineering

IEEE J. Solid State Circuits

• 1994

В этой статье представлен простой подход к проектированию составных полевых транзисторов с низкой выходной проводимостью. Эти транзисторы состоят из последовательно соединенных двух транзисторов с…

Самокаскодный перестраиваемый полосовой фильтр на основе CCII, управляемый током

И. Эльдбиб, В. Мусил

Машиностроение

2008 18-я Международная конференция Радиоэлектроника

• 2008

Первым шагом в разработке было улучшение рабочих характеристик CCII, и представлена ​​новая конструкция самокаскадных токовых зеркал на основе КМОП-конвейера, используемых в перестраиваемом полосовом фильтре.

Низковольтное токовое зеркало на МОП-транзисторах с объемным возбуждением для КМОП-технологии

Б. Блэлок, П. Аллен

Инженерное дело, физика

Материалы Международного симпозиума по схемам и системам ISCAS’95

• 1995

В этой статье представлены работа и модели первого порядка для полевого МОП-транзистора с объемным возбуждением, а также работа и экспериментальные результаты простого зеркала с объемным возбуждением.

Один вольт, 120-/spl mu/W, 1 МГц OTA для стандартной технологии CMOS

B. Blalock, P. Allen

Engineering

1996 Международный симпозиум IEEE по схемам и системам. Цепи и системы, соединяющие мир. ISCAS 96

• 1996

В этой статье описывается операционный усилитель крутизны (OTA) со свернутым каскодом, который работает от источника питания в один вольт и совместим со стандартной цифровой КМОП-технологией с порогом…

Токовый выходной каскад CMOS с высокой линейностью

G.