Site Loader

Содержание

Транзистор составной — Энциклопедия по машиностроению XXL

Транзистор составной — комбинация двух транзисторов, соединенных определенным образом и представляющих собой единое целое такая комбинация транзисторов позволяет резко повысить коэффициент усиления [10].  [c.159]

Усилитель мощности с выходными транзисторами составного типа  [c.93]

Р-111), выход которого выполнен в виде источника тока, к которому последовательно подключены вход формирователя импульсов Ф и вход усилителя УТ, собранного по схеме составного транзистора.  [c.86]


Схема работает следующим образом при открытом транзисторе УТ1, транзистор УТЗ открыт, так как его ток базы проходит через переход эмиттер — коллектор УТ и закрыт составной транзистор УТ4, VT5, поскольку его переход эмиттер — база зашунтирован переходом эмиттер — коллектор транзистора УТЗ. Если транзистор УТ1, закрыт, что бывает при напряжении ниже напряжения настройки регулятора (ток через стабилизатор VDI не протекает), то закрыт транзистор УТЗ и открыт составной транзистор УТ4, УТ5.
[c.97]

В схеме регулятора имеется резистор жесткой обратной связи R6. Переход составного транзистора УТ4, УТ5 в открытое состояние подключает резистор R6 параллельно резистору R4 входного делителя напряжения, что приводит к скачкообразному повышению напряжения на стабилитроне У01, его ускоренному отпиранию и соответственно, ускоренному отпиранию транзисторов УТ1, УТЗ и запиранию составного транзистора УТ4, УТЗ. Запирание этого транзистора отключает резистор R6, что способствует скачкообразному уменьшению напряжения на стабилитроне VDI и его ускоренному запиранию. Таким образом, резистор R6 повышает частоту переключения регулятора напряжения. Конденсатор С1 осуществляет фильтрацию пульсаций напряжения и исключает их влияние на работу регулятора напряжения.  

[c.97]

Запирание составного транзистора VT4, VT5 вызывает резкое понижение потенциала его коллектора. При этом в цепи переход эмиттер -база транзистора VT2. резистор R9, конденсатор С2 появляется ток. что приводит к отпиранию транзистора VT2 и обеспечивает в результате форсированное отпирание транзистора УТЗ и ускорение запирания составного транзистора VT4, VT5. При отпирании составного транзистора VT4, VTS транзистор VT2 находится в закрытом состоянии и конденсатор С2 разряжается в цепи переход эмиттер — коллектор транзистора VT2 — диод VD2 резистор RII. Разрядный ток, проходя по резистору RI1, повышает потенциал базы транзистора УТЗ, т. е. создает дополнительное отрицательное смещение его перехода эмиттер — база, чем форсирует запирание транзистора УТЗ и сокращает время отпирания составного транзистора VT4. УТ5.  

[c.98]

В аварийном режиме схема на транзисторе VT2 осуществляет защиту выходного составного транзистора VT4, УТЗ регулятора от перегрузки, В результате замыкания вывода Ш на массу понижается потенциал коллектора транзистора VT5 и, если транзистор в момент замыкания открыт, то он начинает- работать в линейном режиме. При этом конденсатор С2 заряжается, в цепи переход эмиттер — база транзистора VT2 — R9 — С2 появляется ток, транзистор VT2 открывается, следовательно, открывается транзистор УТЗ и запирается составной транзистор УТ4, VTS.

После заряда конденсатора, ток в его цепи пропадает, транзисторы VT2, УТЗ закрываются, открывается составной транзистор VT4, УТЗ. Процесс повторяется, а выходной транзистор переходит в автоколебательный режим. Средняя сила тока через транзистор невелика и не может влиять на его отказ. Диод VD3 является в схеме регулятора гасящим диодом. Диод VD4 защищает регулятор от импульсов напряжения обратной полярности. Остальные элементы схемы обеспечивают нужный режим работы полупроводниковых элементов схемы.  
[c.98]


Измерительный орган регулятора делитель на резисторах R1. R2 — соединен с его органом сравнения стабилитроном VDI. Электронное реле регулятора собрано на транзисторах VTI, VT2, УТЗ, причем силовым транзистором в выходной цепи регулятора является составной транзистор УТ2, УТЗ. Резисторы R3, R4 совместно с диодом У02 представляют собой цепь жесткой обратной связи. При закрытом транзисторе VTI одно из плеч измерительного делителя образуется параллельным включением резистора RI и цепочки резисторов R4 — R3.
При переходе УТ1 в открытое состояние он шунтирует совместно с диодом У02 резистор R4, что способствует ускорению запирания транзистора УТ1 и, следовательно, повышает частоту переключения схемы. Гибкая обратная связь через конденсаторы С1 к С2 снижает влияние электромагнитных помех, в том числе пульсаций выпрямленного напряжения генератора на работу регулятора напряжения, и предотвращает возможность самовозбуждения его схемы на высокой частоте.  [c.99]

При открытом транзисторе УТ открыт и транзистор УГЗ, так как его ток базы протекает через переход эмиттер — коллектор УТ, и закрыт составной транзистор V 7 4, УГ5, поскольку его переход эмиттер — база зашунтирован переходом эмиттер — коллектор транзистора УТЗ. Если транзистор УТ закрыт, что бывает при низком напряжении, когда ток через стабилитрон VD не протекает, то закрыт и транзистор УТЪ и открыт составной транзистор УГ4, УТЪ.  

[c.37]

Til R2 — соединен с его элементом сравнения стабилитроном VD. Электронное реле регулятора собрано на транзисторах VT, VT2 и VT3, причем силовым транзистором в выходной цепи регулятора является составной транзистор VT2, VT3. Резисторы R3 и RA совместно с диодом VD2 представляют собой цепь жесткой обратной связи. При закрытом транзисторе VTI одно из плеч измерительного делителя образуется параллельным включением резистора / 1 и цепи резисторов R3 и / 4. При переходе транзистора VT в открытое состояние он шунтирует совместно с диодом VD2 резистор RA, Это приводит к резкому уменьшению напряжения на стабилитроне VD, что способствует ускорению запирания транзистора VTI. Следовательно, в схеме этого регулятора цепь жесткой обратной связи повышает частоту переключения регулятора напряжения.  

[c.39]

Выходной 1/710 и предвыходной V79 транзисторы соединены по схеме составного транзистора, что исключило необходимость постановки мощного резистора в цепи коллектора транзистора 1/79, вследствие чего в 2 раза снизилось тепловыделение в коммутаторе.

[c.139]

При открытых транзисторах УТ9, УТк становится возможно протекание через их переходы коллектор — эмиттер тока базы транзистора УТ 0 и переход составного транзистора УТ 0 и УТИ в открытое состояние.  [c.253]

Если в цепи электромагнитного клапана Y А существует короткое замыкание (цепь, подходящая к выводу XI, замкнута на массу), то составной транзистор закроется после зарядки конденсатора С7, что предохранит его от перегрузки. Если же цепь нагрузки функционирует нормально, то открытый составной транзистор через переход эмиттер — коллектор транзистора УТ и резистор R21 подключает базу транзистора УТ9 к сети питания, чем обеспечивает самоблокировку схемы. При этом транзистор VT9 и составной транзистор УТЮ, УТ остаются во включенном состоянии, соединяя вывод XI штекерного разъема с выводом + сети. Резисторы R15, RI6 совместно с транзистором УГ5 образуют жесткую обратную связь. При открывании транзистора УТ открывается и транзистор УТ5, и параллельно резистору RIO подключается цепь резисторов i 15, / 16.

[c.253]

Кроме того, диод V38 ограничивает не только напряжение i/пил, но и отрицательное напряжение между базой и эмиттером транзистора V23 до значения прямого падения напряжения на нем. Этого напряжения достаточно для запирания транзистора V23, в связи с чем составной транзистор V21, V22 открывается и на его коллекторной нагрузке (резисторе R28] появляется напряжение прямоугольной формы 24 В, которое после дифференцирования цепочкой С9, R29, R30 поступает на управляющий электрод тиристора V24, который открывается.  

[c.108]

Резистор R26 предназначен для ограничения положительного тока смещения транзистора V23 до допустимого значения, а диод V37 срезает отрицательные импульсы на выходе цепочки, возникающие при запирании составного транзистора. Монтаж элементов выполнен печатным способом.  

[c.108]

Когда транзистор Т1 открыт, ток течет от движка потенциометра Я2 через эмиттер-коллектор транзистора Т1, резистор / 5, переходы база-эмиттер транзисторов Т2 и ТЗ, которые включены по схеме составного транзистора для увеличения коэффициентов усиления, далее через дроссель Др1 на минус вспомогательного генератора. Дроссель имеет очень малое активное сопротивление и практически не оказывает сопротивления постоянному току. Транзисторы Т2 и ТЗ имеют обратную проводимость (п-р-п) по сравнению с транзистором Т1 (типа р-п-р) и при показанном выше направлении тока в цепи база-эмиттер они открываются. При этом сопротивление транзистора ТЗ между эмиттером и коллектором близко к нулю.  

[c.192]


Усиленный транзистором Т1 сигнал подается через резистор Я5 на базу транзистора Т2, объединенного с транзистором ТЗ по схеме составного транзистора. Транзисторы Т2 и ТЗ открываются и шунтируют переход, управляющий электрод — катод тиристора Т4.  [c.193]

Минус Ын подается на базу ГУ, а плюс через диод Д39, систему контактов реле и один из резисторов Я34—ЯЗб (например, Я34) — на коллектор Г2. Транзисторы Т1 и Т2 соединены по схеме составного транзистора и могут рассматриваться как один транзистор с увеличенным коэффициентом усиления. На резисторы Я34—Я36  [c. 360]

Схема реле наибольшего напряжения вырабатывает сигнал на срабатывание электромеханического реле РМН в случае, когда повышенное сверх допустимого значение напряжения контактной сети действует достаточно длительное время. До получения сигнала от канала КОН схема (рис. 305) находится в исходном состоянии транзисторы T9—Т4 закрыты, а транзистор Т5 открыт базовым током по цепи 0 —Т5—Д38—к35 и шунтирует катушку реле РМН. Конденсатор С17 заряжен. В качестве входного сигнала используется падение напряжения на резисторе R67 (см. рис. 304), которое появляется при срабатывании канала КОН. Это напряжение открывает составной транзистор T9—Т4, что приводит к запиранию диода Д38. Конденсатор С17 начнет разряжаться по цепи С17, эмиттер — база Т5 и R59, поддерживая открытое состояние транзистора Т5. Когда напряжение конденсатора С17 сравняется с напряжением смешения, подаваемого на базу Т5 через резистор R57, транзистор Т5 закроется. На катушке РМН появится напряжение и реле сработает. Если же опасное повышение было кратковременным (отрыв токоприемника и др.) и транзисторы T9—Т4 закроются раньше, чем закроется Т5, то схема придет в исходное состояние, т. е. транзистор Т5 останется открытым, ибо на его базу будет подаваться отрицательный потенциал по цепи R55, Д38, а конденсатор С17 вновь зарядится.  [c.362]

Предположим, что напряжение на выводах О—12 В превысило 12 В. Положение движка R13 выбрано таким, чтобы по абсолютной величине Ыи было больше Uo, т. е. потенциал эмиттера оказался бы выше, чем потенциал базы. Ток коллектора транзистора Т1 начнет увеличиваться, подавая на базу составного транзистора ТЗ—Тб положительный потенциал и вызывая уменьшение его коллекторного тока,- Так как он включен последовательно с резисторами R13, R14 и потребителями напряжения 12 В, то это приведет к уменьшению выходного напряжения.  [c.381]

После пуска дизеля напряжение вспомогательного генератора растет пропорционально частоте вращения якоря, поэтому между движком потенциометра Я2 и выводом Я2 появится напряжение, пропорциональное напряжению вспомогательного генератора При этом к управляющему переходу транзистора Т1 приложена разность потенциалов между движком потенциометра Я2 и анодом стабилитрона ДЗ. Когда напряжение вспомогательного генератора достигает 75 В, открывается транзистор Т1, что приводит к открыванию тиристоров Т2 и ТЗ, включенных по схеме составного транзистора.  [c.71]

Транзисторы находят наибольшее использование в качестве составных частей бесконтактных логических элементов и различных других узлов автоматического управления триггеры, счетчики, дешифраторы и т. п.  [c.36]

Каскад с нагрузкой в эмиттере сохраняет фазу неизменной, но имеет малый коэффициент усиления. Большой коэффициент усиления можно получить за счет использования схем составных транзисторов.  [c.26]

Значение тока определяется резисторами R3, R4, R5 и состоянием транзистора Т2, который управляется по базе транзистором Т1. Транзисторы Т1 и Т2 включены по схеме составного транзистора. База транзистора Т1 застабилизирована, и его коллекторный ток изменяется нелинейно относительно приложенного напряжения U. Сопротивление коллекторно-эмиттерного перехода транзистора Т2 изменяется в зависимости оттока эмиттера транзистора Т/. В результате изменение тока оказывается существенно нелинейным относительно напряжения U.  [c.107]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы.  [c.239]

Основное назначение элементов схемы УТ1 — измерительный элемент УТ2 — транзистор защиты от замыкания вывода Ш на — УТЗ — управляющий элемент УТ4, УТЗ — регулирующий элемент, выполненный в виде составного транзистора по схеме Дарлингтон У01 — опорный элемент У02 — диод схемы защиты УОЗ — гасящий диод У04 — диод, обеспечивающий защиту транзисторов регулятора от кратковременных импульсов напряжения обратной полярности С1 — фильтрующий элемент С2 — элемент цепи обратной связи —Я4 — элементы входного делителя напряжения ЯЗ — резистор, обеспечивающий минимальный ток стабилитрона Я6 — резистор цепи отрицательной обратной связи / 7 — резистор, ограничивающий ток коллектора транзистора УТ] Я8 — резистор цепи положительной обратной связи Я9 — резистор, ограничивающий ток базы транзистора УТ2 НЮ — резистор базовой цепи транзистора УТЗ ЯП — резистор, ограничивающий ток диода У02 Я12 — коллекторная нагрузка транзисторов УТ2, УТЗ Я13 — резистор, обеспечивающий режим работы транзистора УТ2 Я14 — ограничительный резистор Я13 — резистор, обеспечивающий стабильность работы транзистора УТЗ.[c.52]


Часть схемы иа транзисторах VTI, УТЗ, УТ4, VT5 является регулирующим органом. Транзисторы УТ4, VT5 включены по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона) два транзистора рассматриваются как один с большим коэффициентом усиления.  [c.97]

Транзистор VT3 (2Т809А) является промежуточным усилителем мощности. В последних модификациях коммутатора пара транзисторов VT3 и VT4 заменена составным транзистором (2Т848А). Транзистор УТЗ (2Т630Б) является еще одной ступенью усиления на базу  [c.227]

Часть схемы на транзисторах VTI, УТЗ, УГ4 и УТБ является регулирующим элементом. Интерес представляют транзисторы УТ4 и УТ5, включенные по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона). При такой схеме включения два транзистора рассматриваются как один с большим коэффициентом усиления. Применение составного транзистора в выходной цепи регулятора напряжения позволило снизить силу его базового тока, а следовательно, исключить применение в базовой цепи резистора большого  [c. 36]

Особенностью регулятора ЯП2В является питание его входной цепи через отдельный вывод Б. Это позволило выполнить схему генераторной установки на автомобилях ВАЗ-2105 Жигули по схеме, представленной на рис. 11, б. При отсутствии напряжения на выводе Б отсутствует и базовый ток составного транзистора УГ2, УТЗ. В этом случае транзистор заперт и протекание тока в цепи обмотки возбуждения генератора невозможно.  [c.40]

Когда напряжение генератора превысит 75 В, напряжение на втором плече моста станет выше напряжения на ДЗ (Д6). При этом потенциал базы Т1 станет меньше потенциала эмиттера, и транзистор Т1 откроется. Начнет протекать ток от движка потенциометра Я2 через переход эмиттер-коллектор Т/, резистор / 5, переходы база-эмиттер транзисторов Т2 и ТЗ, дроссель Др1 и далее на минус вспомогательного генератора. Благодаря этому откроются транзисторы Т2 и ТЗ. Для увеличения коэффициента усиления они включены по схеме составного транзистора. Поскольку при закрытом состоянии транзистора сопротивление перехода эмиттер-коллектор очень велико, а при открытом близко к нулю, можно считать, что выходной транзистор ТЗ представляет собой выключатель, контакты которого при напряжении вс1юмогательного генератора меньше 75 В разомкнуты, а при напряжении больше 75 В — замкнуты.[c.153]

По принципу действия КОН (см. рис. 304) аналогичен каналу регулирования тока якоря. Он имеет выход на те же точки схемы айв. Сигнал датчика напряжения контактной сети Ывых днк сравнивается с опорным напряжением, на резисторе R33. Когда напряжение датчика превысит опорное, откроется составной транзистор ТЗ—Т8, который вызовет шунтирование точек а и б и уменьшение входного тока фазорегуляторов. С резистора R67 подается напряжение на схему реле наибольшего напряжения РМН, которое, включаясь, производит в схеме управления необходимые переключения для перехода на реостатное торможение. Назначение элементов R68 и С18 аналогично назначению R39 и СП.  [c.362]

Элемент Т302 — транзисторная задержка (см. Э13 на рис. ЗП,а). Он содержит два независимых инвертора (на схеме изображен один). Используется как составная часть схемы формирователя импульсов, состоящей из инвертора на транзисторе Т2 (ЭЮ), конденсатора С21 и Э13.  [c. 369]

Элемент Т404 — выходной усилитель (см. Э16 на рис. 311,а). Содержит один четырехкаскадный усилитель. Транзисторы Т1 н Т2 двух первых каскадов включены по схеме с общим эмиттером, а вторых ТЗ и Т4) — по схеме составного транзистора. Диод Д1 также включается встречно-параллельно индуктивной нагрузке и при необходимости усиливается (диод Д26).  [c.370]

Замена неисправного транзистора в электронном коммутаторе зажигания 36.3734 автомобилей ВАЗ-2108 Спутник , ЗАЗ-1102 Таврия предлагается встраиванием в коммутатор на место отказавшего в работе мощного транзистора КТ848А составного транзистора.  [c.277]

Регулятор напряжения 201.3702 (рис. 3.14) выпускается взамен регуляторов РР350, РР350-А. Чувствительный элемент здесь содержит делитель напряжения на резисторах Ri, R2, R3, Н4 и стабилитрон У01. Отличием регулятора 201.3702 является то, что стабилитрон ]/01 расположен не в базовой, а в эмиттерной цепи первого транзистора электронного реле УГ/, что увеличивает ток через него и повышает четкость его срабатывания. Электронное реле, кроме транзистора VII, включает в себя транзисторы УТЗ— УТ5. Транзисторы УТ4, УТ5 включены по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона), при которой эти два транзистора могут рассматриваться как один с большим коэффициентом усиления. Схема, кроме гибких обратных  [c.53]

С 1991 г. выпускается двухканальный коммутатор 64.3734-20 (рис. 4.16) на базе интегральных микросхем Ь497В. Применение микросхем позволило разместить все элементы, включая силовые транзисторы УТ2 и УТЗ, на одной плате. Коммутатор выполняет все те же функции, что и двухканальный коммутатор 42.3734, и полностью с ним взаимозаменяем. Применение в качестве силовых транзисторов УТ2 и УТЗ составных транзисторов В 9312РР1 с внутренней схемой защиты от перенапряжения позволило в значительной степени повысить надежность коммутаторов 6420.3734.  [c.85]

При включении массы ток от аккумуляторной батареи течет через входной делитель напряжения, а также через резистор / б. базоэмиттерные переходы составного транзистора V3-V2 и резистор R5. Составной транзистор открывается и пропускает незначительный ток через резистор R в обмотку возбуждения генератора (до 0,085 А). После пуска двигателя обмотку возбуждения питает генератор от дополнительного выпрямителя. Пока напряжение генератора не достигло регулируемого уровня, ток в обмотку возбуждения идет через открытый составной транзистор. Когда напряжение генератора достигает регулируемого значения, увеличивается ток в делителе напряжения и возрастает падение напряжения на резисторе / рег. При этом стабилитрон переходит в проводящее состояние и повышает потенциал базы входного транзистора VI. Последний открывается и шунтирует переходы база — эмиттер составного транзистора V3-V2, который закрывается и размыкает цепь питания обмотки возбуждения. Ток в обмотке возбуждения снижается его некоторое время поддерживает ЭДС  [c.195]


Усилитель Дарлингтона

   Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.  

   Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

— Высокий коэффициент усиления по току.

— Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

— Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

— Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.

— Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНЧ

   Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме — выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые TDA7294. Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!

   Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

   При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве. 

   Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107. 

   Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 скачайте тут.

— Материал p-n-перехода: Si

— Структура транзистора: NPN

— Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W

— Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

— Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V

— Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

— Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A

— Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C

— Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz

— Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF

— Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20

   Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.


Понравилась схема — лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

Транзистор | HamLab

1.Увеличение мощности транзистора.

Резисторы в цепях эмиттеров нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шумов уменьшается пропорционально квадратному корню из количества параллельно включённых транзисторов.

2.Защита от перегрузки по току.

Недостаток-снижение КПД из-за наличия датчика тока R.

Другой вариант-благодая введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R,и на нём будет рассеиваться меньшая мощность.

3.Составной транзистор с высоким выходным сопротивлением.

Из-за каскодного включения транзисторов значительно уменьшен эффект Миллера.

Другая схема — за счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор имеет ещё более высокие динамические характеристики (единственное условие — второй транзистор должен иметь более высокое напряжение отсечки). Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4.Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.

Более сложный вариант — схема Бейкера. При достижении напряжением на коллекторе транзистора напряжения базы «лишний» базовый ток сбрасывается через коллекторный переход, предотвращая насыщение.

5.Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы.

С датчиком тока коллектора.

6.Уменьшение времени включения/выключения транзистора путём применения форсирующей RC цепочки.

7.Составной транзистор.

Схема дарлингтона.

Схема Шиклаи.

Схемы Дарлингтона и Шиклаи с дополнительными транзисторами (нужны для увеличения входного сопротивления второго каскада по переменному току,и соответственно коэффициента передачи).

То же самое для схем Дарлингтона и Шиклаи с полевыми транзисторами на входе.

8.Широкополосный транзистор с высоким быстродействием (из-за уменьшения эффекта Миллера).

9.»Алмазный транзистор».

Особенность этого транзистора-отсутствие инверсии на коллекторе.

Возможные варианты его включения.

Схема с увеличенной вдвое нагрузочной способностью.

10.Мощный составной транзистор.

11.Использование транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме.

Включение нагрузки в цепь коллектора.

Включение нагрузки в цепь эмиттера.


definition of Составной транзистор and synonyms of Составной транзистор (Russian)

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Условное обозначение составного транзистора

Принципиальная схема составного транзистора

Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) — объединение двух или более биполярных транзисторов с целью увеличения коэффициента усиления по току.

Составной транзистор является каскадным соединением нескольких транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором. Нагрузкой предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного. Кроме того, может использоваться нагрузка в виде резистора. Такое соединение рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:

Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, иногда называемый «супербетта», у мощных транзисторов равен ~1000 и у маломощных транзисторов ~50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы составной транзистор открылся.

Достоинства составного транзистора:

  • Высокий коэффициент усиления по току.

Недостатки составного транзистора:

  • Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах.
  • Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер почти в два раза больше чем в обычном транзисторе и составляет для кремниевых транзисторов около 1. 2 — 1.4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).
  • Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0.9 В (по сравнению с 0.2 у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше, падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжение, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии.

Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2.

В отличие от биполярных, полевые транзисторы не используются в составном включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без того обладают чрезвычайно малым входным током.

Однако существуют схемы, например IGBT, где применяется как логика работы полевого транзистора, так и биполярного. В некотором смысле, их также можно считать составными транзисторами.

Транзисторы дарлингтона справочник | spravochnik.bitballoon.com

При проектировании радиоэлектронных схем часто бывают ситуации, когда желательно иметь транзисторы с параметрами лучше тех, которые предлагают производители радиоэлементов. В некоторых случаях нам может потребоваться больший коэффициент усиления по току h21, в других большее значение входного сопротивления h11, а в третьих более низкое значение выходной проводимости h22. Для решения перечисленных проблем отлично подходит вариант использования электронного компонента о котором мы поговорим ниже.

Устройство составного транзистора и обозначение на схемах

Приведенная чуть ниже схема эквивалентна одиночному n-p-n полупроводнику. В данной схеме ток эмиттера VT1 является током базы VT2. Коллекторный ток составного транзистора определяется в основном током VT2.

Это два отдельных биполярных транзистора на выполненные на одном кристалле и в одном корпусе. Там же и размещается нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого биполярного транзистора. У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у стандартного биполярного транзистора – база, коллектор и эмиттер.

Как видим из рисунка выше, стандартный составной транзистор это комбинация из нескольких транзисторов. В зависимости от уровня сложности и рассеиваемой мощности в составе транзистора Дарлингтона может быть и более двух.

Основное плюсом составного транзистора является значительно больший коэффициент усиления по току h21, который можно приблизительно вычислить по формуле как произведение параметров h21 входящих в схему транзисторов.

Так если коэффициент усиления первого равен 120, а второго 60 то общий коэффициент усиления транзистора Дарлингтона равен произведению этих величин — 7200.

Но учитывайте, что параметр h31 достаточно сильно зависит от коллекторного тока. В случае когда базовый ток транзистора VT2 достаточно низок, коллекторного VT1 может не хватить для обеспечения нужного значения коэффициента усиления по току h21. Тогда увеличением h31 и, соответственно, снижением тока базы составного транзистора можно добиться роста тока коллектора VT1. Для этого между эмиттером и базой VT2 включают дополнительное сопротивление, как показано на схеме ниже.

Вычислим элементы для схемы Дарлингтона, собранной, например на биполярных транзисторах BC846A, ток VT2 равен 1 мА. Тогда его ток базы определим из выражения:

При таком малом токе в 5 мкА коэффициент h21 резко снижается и общий коэффициент может оказаться на порядок меньше расчетного. Увеличив ток коллектора первого транзистора при помощи добавочного резистора можно значительно выиграть в значении общего параметра h21. Так как напряжение на базе является константой (для типового кремниевого трех выводного полупроводника uбэ = 0,7 В), то сопротивление можно рассчитать по закону Ома:

При этом мы можем рассчитывать на коэффициент усиления по току до 40000. Именно по такой схеме построены многие супербетта транзисторы.

Добавив дегтя упомяну, что данная схема Дарлингтона обладает таким существенным недочетом, как повышенное напряжение Uкэ. Если в обычных транзисторах напряжение составляет 0,2 В, то в составном транзисторе оно возрастает до уровня 0,9 В. Это связано с необходимостью открывать VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение уровнем до 0,7 В (если при изготовлении полупроводника использовался кремний).

В результате чтоб исключить упомянутый недостаток, в классическую схему внесли незначительные изменения и получили комплементарный транзистор Дарлингтона. Такой составной транзистор составлен из биполярных приборов, но уже разной проводимости: p-n-p и n-p-n.

Российские, да и многие зарубежные радиолюбители такое соединение называют схемой Шиклаи, хотя эта схема называлась парадоксной парой.

Типичными минусом составных транзисторов, ограничивающими их применение является невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое использование только в низкочастотных схемах. Они прекрасно работают в выходных каскадах мощных УНЧ, в схемах управления двигателями и устройствами автоматики, в схемах зажигания автомобилей.

На принципиальных схемах составной транзистор обозначается как обычный биполярный. Хотя, редко, но используется такое условно графическое изображение составного транзистора на схеме.

Одной из самых распространенных считается интегральная сборка L293D — это четыре токовых усилителя в одном корпусе. Кроме того микросборку L293 можно определить как четыре транзисторных электронных ключа.

Выходной каскад микросхемы состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи.

Кроме того уважение у радиолюбителей получили и специализированные микросборки на основе схемы Дарлингтона. Например ULN2003A. Эта интегральная схема по своей сути является матрицей из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки отлично украшают радиолюбительские схемы и делают их более функциональными.

Зарядный ток через батарею в зависимости от напряжения на ней (прикладываемого к Б-Э переходу VT1), регулируется транзистором VT1, коллекторным напряжением которого управляется индикатор заряда на светодиоде (по мере зарядки ток заряда уменьшается и светодиод постепенно гаснет) и мощный составной транзистор, содержащий VT2, VT3, VT4.

Сигнал требующий усиления через предварительный УНЧ подается на предварительный дифферециальный усилительный каскад построенный на составных транзисторах VT1 и VT2. Использование дифференциальной схемы в усилительном каскаде, снижает шумовые эффекты и обеспечивает работу отрицательной обратной связи. Напряжение ОС поступает на базу транзистора VT2 с выхода усилителя мощности. ОС по постоянному току реализуется через резистор R6.

В момент включения генератора конденсатор С1 начинает заряжаться, затем открывается стабилитрон и сработает реле К1. Конденсатор начинает разряжаться через резистор и составной транзистор. Через небольшой промежуток времени реле выключается и начинается новый цикл работы генератора.

1с запрос справочник иерархия

Составной транзистор — 31 Октября 2017

[править | править вики-текст]
Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Перейти к: навигация, поиск

Пара Дарлингтона составленная из транзисторов n-p-n типа

Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Содержание
 [скрыть] 

1 Пара Дарлингтона
2 Пара Шиклаи
3 Каскодная схема
4 Достоинства и недостатки составных транзисторов
5 Примечания

Пара Дарлингтона[править | править вики-текст]

Пара Дарлингтона с резистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1.

Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Коэффициент усиления по току пары Дарлингтона очень высок и приблизительно равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов составляющих такую пару. У мощных транзисторов включенных по схеме пары Дарлингтона, конструктивно выпускаемой в одном корпусе (например, транзистор КТ825) гарантированный коэффициент усиления по току при нормальных условиях эксплуатации) не менее 750[2].
У пар Дарлингтона, собранных на маломощных транзисторах этот коэффициент может достигать значения 50000.
Высокий коэффициент усиления по току обеспечивает управление малым током, поданным на управляющий вход составного транзистора, выходными токами превышающими входной на несколько порядков.
Достигнуть повышения коэффициента усиления по току можно также уменьшив толщину базы при изготовлении транзистора, такие транзисторы выпускаются промышленностью и называются «супербета транзистор», но процесс их изготовления представляет определённые технологические трудности и такие транзисторы имеют очень низкие коллекторные рабочие напряжения, не превышающие нескольких вольт. Примерами супербета транзисторов могут служить серии одиночных транзисторов КТ3102, КТ3107. Однако и такие транзисторы иногда объединяют в схеме Дарлингтона. Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи.
Иногда и схему Дарлингтона не совсем корректно называют «супербета транзистор»[3].
Составные транзисторы Дарлингтона используются в сильноточных схемах, например, в схемах линейных стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс и малые входные токи.
Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке.
Пару Дарлингтона электрически в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого, при работе транзисторов в линейном режиме, приблизительно равен произведению коэффициентов усиления всех транзисторов, например, двух:

β

D

β

1

β

2

{\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}}

где

β

D

{\displaystyle \beta _{D}}

 — коэффициент усиления по току пары Дарлингтона;

β

1

,

{\displaystyle \beta _{1},}

β

2

{\displaystyle \beta _{2}}

 — коэффициенты усиления по току транзисторов пары.

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент

β

{\displaystyle \beta }

, значительно больший, чем у его обоих транзисторов. Анализ проведен для схемы без эмиттерного резистора

R

1

{\displaystyle R_{1}}

(см. рисунок).
Ток эмиттера

I

E

{\displaystyle I_{E}}

любого транзистора через базовый ток

I

B

,

{\displaystyle I_{B},}

статический коэффициент передачи тока базы

β

{\displaystyle \beta }

и из 1-го правила Кирхгофа выражается формулой:

I

E

=

I

B

+

I

C

=

I

B

+

I

B


β
=

I

B


(
1
+
β
)
,

{\displaystyle I_{E}=I_{B}+I_{C}=I_{B}+I_{B}\cdot \beta =I_{B}\cdot (1+\beta ),}

где

I

C

{\displaystyle I_{C}}

 — ток коллектора.

Так как ток эмиттера второго транзистора

I

E
2

{\displaystyle I_{E2}}

, опять же из 1-го правила Кирхгофа равен:

I

E
2

=

I

B
1

+

I

C
1

+

I

C
2

,

{\displaystyle I_{E2}=I_{B1}+I_{C1}+I_{C2},}

где

I

B
1

{\displaystyle I_{B1}}

 — базовый ток 1-го транзистора;

I

C
1

,

{\displaystyle I_{C1},}

I

C
2

{\displaystyle I_{C2}}

 — коллекторные токи транзисторов.

Имеем:

β

D

=

β

1

+

β

2

+

β

1

β

2

,

{\displaystyle \beta _{D}=\beta _{1}+\beta _{2}+\beta _{1}\cdot \beta _{2},}

где

β

1

,

{\displaystyle \beta _{1},}

β

2

,

{\displaystyle \beta _{2},}

 — статические коэффициенты передачи тока базы на коллектор транзисторов 1 и 2.

Так как у транзисторов

β
>>
1
,

{\displaystyle \beta >>1,}

то

β

D

β

1

β

2

.

{\displaystyle \beta _{D}\approx \beta _{1}\cdot \beta _{2}.}

Следует отметить, что коэффициенты

β

1

{\displaystyle \beta _{1}}

и

β

2

{\displaystyle \beta _{2}}

различаются даже в случае применения пары совершенно одинаковых по всем параметрам транзисторов, поскольку ток эмиттера

I

E
2

{\displaystyle I_{E2}}

в

1
+

β

2

{\displaystyle 1+\beta _{2}}

раз больше тока эмиттера

I

E
1

{\displaystyle I_{E1}}

, (это вытекает из очевидного равенства

I

B
2

=

I

E
1

,

{\displaystyle I_{B2}=I_{E1},}

а статический коэффициент передачи тока транзистора заметно зависит от тока коллектора и может различаться в разы при разных токах[4].
Пара Шиклаи[править | править вики-текст]

Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai pair), названное так в честь его изобретателя Джорджа К. Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона[5]. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разного типа проводимости(p-n-p и n-p-n). Пара Шиклаи электрически эквивалентна n-p-n-транзистору c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[прояснить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить]
Каскодная схема[править | править вики-текст]

Каскодный усилитель на биполярных n-p-n транзисторах.

Основная статья: Каскодный усилитель
Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.
Достоинства и недостатки составных транзисторов[править | править вики-текст]
Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.
Достоинства составных пар Дарлингтона и Шиклаи:

Высокий коэффициент усиления по току.
Схема Дарлингтона изготавливается в составе интегральных схем и при одинаковом токе площадь занимаемая парой на поверхности кристалла кремния меньше, чем у одиночного биполярного транзистора.
Применяются при относительно высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора:

Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Поэтому составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, работающих в линейном режиме. На высоких частотах их частотные параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение напряжения Uбэ составного транзистора в схеме Дарлингтона почти в два раза больше[6], чем у одиночного транзистора, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В, так как равна сумме падений напряжения на прямосмещённых p-n переходах двух транзисторов.
Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности, так как не может быть меньше чем падение напряжения на прямосмещённом p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе. [уточнить]

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии (начальный ток коллектора) создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы Дарлингтона выполненной в одном корпусе со встроенным эмиттерным резистором служит мощный n-p-n транзистор Дарлингтона типа КТ825, его типовой коэффициент усиления по току около 1000 при коллекторном токе 10 А.
Примечания[править | править вики-текст]

↑ Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, не используются в составном включении, так как обладая высоким входным сопротивлением, управляются напряжением, а не током и такое включение нецелесообразно.
↑ Технический паспорт транзистора КТ825.
↑ Супербе́та (супер-β) транзисторами называют транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, полученным за счёт очень малой толщины базы, а не за счёт составного включения. При этом рабочий базовый ток одиночного транзистора можно снизить до десятков пА. Такие транзисторы применены в первом каскаде операционных усилителей со сверхмалыми входными токами, например, типов LM111 и LM316.
↑ Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — 4-е изд., перераб. и доп.. — М.: Энергия, 1977. — С. 233, 234. — 672 с.
↑ Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3-х томах: Пер. с. англ. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993. — Т. 1. — С.  104, 105. — 413 с. — 50 000 экз. — ISBN 5-03-002337-2.
↑ Это не всегда (не во всех применениях) является недостатком, но всегда — особенностью, которую надо учитывать при расчёте схемы по постоянному току, и которая не позволяет напрямую заменить одиночный транзистор на составной Дарлингтона.

[показать]
Электронные компоненты

Пассивные

Резистор
Переменный резистор
Подстроечный резистор
Варистор
Фоторезистор

Конденсатор
Переменный конденсатор
Подстроечный конденсатор

Катушка индуктивности
Кварцевый резонатор
Предохранитель
Самовосстанавливающийся предохранитель
Трансформатор
Мемристор
Бареттер

Активные
твердотельные

Диод
Светодиод
Фотодиод
Полупроводниковый лазер
Диод Шоттки
Стабилитрон
Стабистор
Варикап
Вариконд
Магнитодиод
Диодный мост
Лавинный диод
Лавинно-пролётный диод
Туннельный диод
Диод Ганна

Транзистор
Биполярный транзистор
Полевой транзистор
КМОП-транзистор
Однопереходный транзистор
Фототранзистор
Составной транзистор
Баллистический транзистор

Интегральная схема
Цифровая интегральная схема
Аналоговая интегральная схема
Аналого-цифровая интегральная схема
Гибридная интегральная схема

Тиристор
Симистор
Динистор
Фототиристор
Оптрон
Резисторная оптопара
Датчик Холла

Активные вакуумные и
газоразрядные

Электронная лампа
Электровакуумный диод
Триод
Маячковая лампа
Тетрод
Лучевой тетрод
Пентод
Гексод
Гептод
Пентагрид
Октод
Нонод
Механотрон
Клистрон
Магнетрон
Амплитрон
Платинотрон
Электронно-лучевая трубка
Лампа бегущей волны
Лампа обратной волны
Тиратрон
Кенотрон
Игнитрон

Устройства отображения

Электронно-лучевая трубка
ЖК-дисплей
Светодиод
Газоразрядный индикатор
Вакуумно-люминесцентный индикатор
Блинкерное табло
Семисегментный индикатор
Матричный индикатор
Кинескоп

Акустические

Микрофон
Громкоговоритель
Тензорезистор
Пьезокерамический излучатель

Термоэлектрические

Терморезистор
Термопара
Элемент Пельтье

[показать]
Транзисторные усилители

Биполярные транзисторы

с общим эмиттером • с общим коллектором • с общей базой

Полевые транзисторы

с общим стоком • с общим истоком • с общим затвором

Транзисторные каскады

Пара Дарлингтона («составной» транзистор) • Пара Шиклаи • Каскадный усилитель • Дифференциальный усилитель • Каскодный усилитель


Источник — «https://ru. wikipedia.org/w/index.php?title=Составной_транзистор&oldid=84440593»
Категории: Базовые электронные узлыТранзисторыСкрытые категории: Страницы, использующие волшебные ссылки ISBNСтатьи, требующие внесения ясностиСтатьи, требующие уточнения источников

Повышение полосы пропускания и усиления планарной антенны из композитного правостороннего метаматериала с использованием платы согласования импеданса без стимуляции

Принадлежности

  1. Факультет электронной инженерии, Римский университет «Тор Вергата», Via Del Politecnico 1, 00133, Рим , Италия

    Мохаммад Алибахшикенари и Эрнесто Лимитти

  2. Центр коммуникационных технологий, Лондонский университет Метрополитен, Лондон, N7 8DB, Великобритания

    Bal S.Virdee

  3. Факультет электротехники, Jouf University, Sakaka, 72388, Aljouf, Саудовская Аравия

    Ayman A. Althuwayb

  4. Школа инженерии и наук, Tecnologico de Monterrey, 0006 9007 Lererey, Monterrey, Mexico

  5. Факультет инженерии и информатики, Университет Брэдфорда, Брэдфорд, BD7 1DP, Западный Йоркшир, Великобритания

    Насер Оджаруди Парчин и Раед А. Абд-Альхамид

  6. Школа инженерии и искусственной среды Университета Нейпир, Эдинбург , 10 Colinton Rd, Эдинбург, Eh20 5DT, UK

    Чан Х.См.

  7. Факультет электроники и техники связи, Государственный университет Наварры, 31006, Памплона, Испания

    Франциско Фальконе

  8. Институт умных городов, Государственный университет Наварры, 31006, Памплона 90 90 Фальконе, Испания

    7 90

  9. Институт информационных и коммуникационных технологий, электроники и прикладной математики, Католический университет Лувена, 1348, Лувен-ла-Нев, Бельгия Монреаль, Квебек, H5A 1K6, Канада

    Тайеб А.Denidni

Вклады

Концептуализация, M.A., B.S.V., C.H.S., R.A.A.-A., F.F., I.H., T.A.D. и EL; методология, MA, B.S.V., FF, IH, TAD и EL; программное обеспечение, MA, B.S.V. и CHS; валидация, MA, B.S.V., A.A.A., L.A., N.O.P., C.H.S., R.A.A.-A., F.F., IH, T.A.D. и EL; формальный анализ, MA, B.S.V., CHS, R.A.A.-A., F.F. , IH, TAD и EL; расследование, М.А., Б.С.В., Ч.Х.С., Р.А.А.-А., Ф.Ф., И.Х., Т.А.Д. и Э.Л.; ресурсы, М.А., Б.С.В., Ч.С.С., Р.А.А.-А., Ф.Ф., И.Х., Т.А.Д. и Э.Л.; курирование данных, MA, B.S.V., A.A.A., L.A., N.O.P., CHS, R.A.A.-A., F.F., IH, T.A.D. и EL; написание — подготовка первоначального проекта, M.A.; написание — обзор и редактирование, MA, B.S.V., AAA, L.A., NOP, CHS, RAAA-A., F.F., IH, TAD и EL; визуализация, М.А., Б.С.В., Ч.С.С., Р.А.А.-А., Ф.Ф., И.Х., Т.А.Д. и Э.Л.; надзор, Э.Л.; администрирование проекта, Р.А.А.-А., Ф.Ф. и Э.Л.; приобретение финансирования, R.A.A.-A., F.F, E.Л.

Автор, ответственный за переписку

Переписка с Мохаммад Алибахшикенари.

Руководство по схемам транзисторов (1961 г.)





СОДЕРЖАНИЕ:

РАЗДЕЛ 1. ОСНОВНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА

Типы транзисторов-Композитные транзисторы-Четырехэлементные устройства Специальные диоды

РАЗДЕЛ 2 – КОММУТАЦИОННЫЕ И ЛОГИЧЕСКИЕ ЦЕПИ

SCR в качестве статического переключателя-PNPN Trigistor Pulse-Duration Switch-Staircase-Wave Генератор-туннель-диодный сдвиговый регистр-транзисторная логика-PNPN тригисторный сдвиг Регистр-PNPN-тригистор как статический переключатель-генератор импульсов 15 МГц-общая логика Схемы SCR Импульсные и свип-цепи — Статическая коммутационная цепь переменного тока — Диод И Цепь-диод ИЛИ Цепь-напряжение с ограничением Детекторы SCR-SCR как статическое напряжение переменного тока Бистабильная схема переключатель-туннель-диод.

РАЗДЕЛ 3 — СЧЕТЧИКИ

Flip-Flop Binary Counter-Four Layer Diode Ring Counter-Dyna quad Decade Counter-Unijunction Кольцо Контр-бинистор Кольцо Контр-туннель-диод Кольцо Контр-тригистор Кольцо Счетчик

РАЗДЕЛ 4 — ШЛЕПАНЦЫ

Ненасыщенные триггеры — Моностабильные мультивибраторы — Насыщенные триггеры-прямые Связанный триггер-триггер с прямой связью Транзисторная логика (нестабильный) Мультивибратор-Туннель-Диод Триггеры-SBT Насыщающие триггеры

РАЗДЕЛ 5—УПРАВЛЕНИЕ МОЩНОСТЬЮ

Шестиваттный сервоусилитель — статическое переключение мощности — регулируемое по времени управление тиристором — два ватта Переключатель сервоусилителя переменного тока для SCR

РАЗДЕЛ 6 — ТАЙМЕРЫ

Схемы таймера UJT — Генератор пилообразного сигнала — Стробоскопы — Туннельный диод Time Delay-Trigistor Delay Timer-Interval Timer с высокоуровневым выходом-UJT Задержка времени

РАЗДЕЛ 7. ПОКАЗАТЕЛИ

Light Flasher-Драйверы ламп-Драйверы неоновых ламп-Драйвер индикаторной лампы

РАЗДЕЛ 8. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Фотогальванический термометр — Фотопроводящее реле — Фотодиодные схемы-Фотопроводимость Релейные схемы-фотодиодные релейные схемы-фотодиодные усилители-релейные Непосредственно фотодиодом

РАЗДЕЛ 9 — ОРГАНЫ УПРАВЛЕНИЯ

Транзисторный датчик обнаружения — Пропорциональное управление SCR — Реле драйвера-реле Circuit-Full-Wave Reverse Drive-Magnetic-Amplifier Circuit для SCR-SCR Управление двигателем — сервопривод — полуволновая цепь SCR — управление реле — комплементарное Передача мощности мультивибратора — Индуктивное гашение дуги диодами — Цепь сигнализации с регулятором зарядного устройства Flashing Master Light

РАЗДЕЛ 10 – ТРАНЗИСТОРНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ МОЩНОСТИ

700-ваттный преобразователь импеданса инвертора на полевых транзисторах (12 В постоянного тока) до 110 В переменного тока)-6-кВ инвертор-постоянный ток в переменный инвертор-постоянный ток в постоянный преобразователь (мобильная радиосвязь Источник питания )-Инвертор 500 Вт-Преобразователь постоянного тока 85 Вт-Преобразователь постоянного тока в постоянный с регулировкой Защищенный от короткого замыкания инвертор-DC-to-DC умножитель-генератор-усилитель DC-to-DC Преобразователь-мультивибратор-управляемый инвертор-преобразователь постоянного тока в постоянный-400-Гц 3-фазный Генератор и усилитель-многоцелевой преобразователь постоянного тока в постоянный-дополнительная мощность Преобразователь

РАЗДЕЛ 11 — УСИЛИТЕЛИ ЗВУКА

Усилитель Hi-Fi мощностью 20 Вт — Недорогой усилитель Hi-Fi — Дополнительные схемы Hi-Fi — 125 Вт Двухтактный усилитель класса B-100 Вт Усилитель-10 Вт Усилитель-5 Вт класса A Усилитель-7 Вт Усилитель-Прямая связь 10-Ватт Усилитель-Основные аудио схемы-Phono Ленточный предусилитель-стерео Hi-Fi предусилитель-пять транзисторов Фоноусилитель-три транзистора Фоно-усилитель Четырехтранзисторный фоно-усилитель-2-Ватт Портативный усилитель-порт Способный Phono Amplifier-Portable Radio Power Amplifier-Mobile громкоговорящая система-бестрансформаторный Интерком-Недорогой Транзисторный Мегафон-Двухкаскадный Многоцелевой Усилитель-Мощность Мегафон-Аудио Модулятор-Мобильный Высокоуровневый Модулятор-Лодочный Гудок и Сирена

РАЗДЕЛ 12 — РЧ И ПЧ ЦЕПИ

Трехдиапазонный ВЧ-усилитель-Широкополосный УКВ-усилитель-50 МГц Усилитель-70 МГц Усилитель мощности-Автоколебательный микшер (от 6 до 26 мс)-Переходная часть FM-тюнера-455 -кГц Усилитель ПЧ и Детектор Четырехкаскадный 455 -КГц Усилитель ПЧ-43 -МГц ПЧ Усилитель-60 МГц Усилитель ПЧ-10. Усилитель ПЧ 7 МГц

РАЗДЕЛ 13 — ТРАНЗИСТОРНЫЕ И ДИОДНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ

Самовозбуждающиеся высокочастотные генераторы, туннельный диодный кварцевый генератор, четырехслойный Диодный RC-генератор-MADT Блокирующие и кварцевые генераторы-туннельные диоды, как Синусоидальные генераторы-пилообразные генераторы-туннельные-диодные прямоугольные генераторы Генераторы с самовозбуждением 70 МГц-Code-Practice Oscillator-100-KHz Crystal Генератор-250 МГц кварцевый генератор-блокирующий генератор

РАЗДЕЛ 14 – ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ И РЕГУЛЯТОРЫ

300-вольтовый регулируемый источник питания — низковольтные источники питания — контроль фазы питания постоянного тока — стабилитрон Управляемый сильноточный регулятор-стабилизированный источник питания-150-ваттный регулятор напряжения-Phase-Con trolled Переключатель-приемник переменного тока Блоки питания-Измеритель-Калибровка Источник-300-Вольт, 200 мА постоянного тока — шунтирующий стабилитрон — транзисторный регулятор напряжения — силовые транзисторы as Диодные выпрямители-Зарядное устройство для аккумуляторов — Электронный фильтр пульсаций — Фильтры пульсаций — Регулятор напряжения серии

РАЗДЕЛ 15 — РАДИО И ТЕЛЕВИЗИОННЫЕ ЦЕПИ

Видеодетекторы-ТВ-Система горизонтального отклонения-Диодные ограничители-Обратный диод Детектор-видеоусилитель с высоким входным сопротивлением-видеоусилитель-удвоитель напряжения Видеоусилитель-Драйвер ТВ Отклонение-Блошиная мощность Солнечные элементы-ТВ/FM Настроенный усилитель-диод Clippers-455-KHz Преобразователь-Citizens Band Transceiver

РАЗДЕЛ 16-РАДИОПРИЕМНИКИ AM

Автодин-Рефлекс-Супергетеродин

РАЗДЕЛ 17 – СПЕЦИАЛЬНЫЕ ЦЕПИ

Транзисторные системы зажигания — Цепь защиты счетчика — Туннельный диод FM-передатчик — Транзистор Тестеры-Схемы защиты диодов-Диммер лампы


ПРЕДИСЛОВИЕ

С быстрым развитием в области транзисторов и полупроводников, среди инженеров, техников и экспериментаторов возникла большая потребность в данные о схемотехнике и работе. Основными источниками этих данных до теперь сами производители полупроводников. Необходимость в одном источнике справочное руководство, таким образом, становится очевидным.

Поскольку новые схемы разрабатываются почти ежедневно, ни один том может охватывать их все. Таким образом, данное руководство следует практическому подход включения типовых конструкций для общего применения в промышленности, коммерческие и развлекательные устройства.

В каждой из 15 конкретных категорий цепей принципиальные схемы, включая примечания о стоимости деталей и параметрах компонентов, сопровождаемые текстовыми обсуждениями которые описывают работу схемы, типичные приложения и необходимые модификации для удовлетворения конкретных требований.Кроме того, во вводной главе приводится общие сведения о конструкции и применении полупроводниковых приборов и схемы.

Особая признательность должна быть дана следующим производителям, которые помогли сделать эту публикацию возможной, предоставив большую часть данных, из которых подготовлено содержимое: Aladdin Elect. , Amperex Elect., Bendix, Bradley, CBS, Clevite, Crystalonics, Fairchild, General Electric, Hoffman, Honeywell, International Rectifier, Magnetics Motorola, Nucleonic Prod., Радиокорп. America, Security Controls, Shockley, Solid State Prod., Sprague, Sunair Elect., Техасский институт и Transitron.

АЛЛАН ЛИТЕЛ

ноябрь 1961 г.


См. также:

Практические электронные фильтры (1991)

Использование электроники — через DIY и эксперименты (1958)

Электронное руководство экспериментатора (1959)

Использование прицелов в транзисторных схемах (1968)

Расчеты транзистора Дарлингтона

— Проекты самодельных схем

Транзистор Дарлингтона

— это хорошо известное и популярное соединение с использованием пары биполярных транзисторных переходных транзисторов (BJT), предназначенное для работы как унифицированный транзистор «супербета» .На следующей диаграмме показаны детали подключения.

Определение

Транзистор Дарлингтона можно определить как соединение между двумя биполярными транзисторами, которое позволяет им формировать один составной биполярный транзистор, получая значительный коэффициент усиления по току, который обычно может превышать тысячу.

Основное преимущество этой конфигурации заключается в том, что составной транзистор ведет себя как единое устройство, имеющее повышенный коэффициент усиления по току, эквивалентный произведению коэффициентов усиления по току каждого транзистора.

Если соединение Дарлингтона состоит из двух отдельных биполярных транзисторов с коэффициентами усиления по току β 1 и β 2 , суммарный коэффициент усиления по току можно рассчитать по формуле: ——- (12.7)

Когда согласованные транзисторы используются в схеме Дарлингтона, так что β 1 = β 2 = β , приведенная выше формула для коэффициента усиления по току упрощается:

β D = β 2 ——— (12. 8)

Транзистор Дарлингтона в корпусе

Из-за огромной популярности транзисторы Дарлингтона также производятся и доступны в готовом виде в одном корпусе, который имеет два BJT, соединенных внутри как один блок.

В следующей таблице представлено техническое описание примера пары датчиков Дарлингтона в одном корпусе.

Указанное усиление по току — это чистое усиление от двух биполярных транзисторов. Блок поставляется с 3-мя стандартными выводами снаружи, а именно: база, эмиттер, коллектор.

Этот тип упакованных транзисторов Дарлингтона имеет внешние характеристики, аналогичные обычным транзисторам, но имеет очень высокий и улучшенный выходной коэффициент усиления по току по сравнению с обычными одиночными транзисторами.

Как сместить по постоянному току схему транзистора Дарлингтона

На следующем рисунке показана обычная схема Дарлингтона, использующая транзисторы с очень высоким коэффициентом усиления по току β D .

Здесь ток базы можно рассчитать по формуле:

I B = V CC — V BE / R B + β D R E 90-200 ———200 ——- (12.9)

Хотя это может выглядеть аналогично уравнению, которое обычно применяется для любого обычного BJT, значение β D в приведенном выше уравнении будет существенно выше, а V BE будет сравнительно больше. Это также было доказано в образце таблицы данных, представленном в предыдущем абзаце.

Следовательно, ток эмиттера можно рассчитать как: —- (12.10)

Напряжение постоянного тока будет:


В E = I E R E ————— (12.11)

В B = В E + V BE ————— (12.12)

Решено Пример 1 схема.

Решение : Применяя уравнение 12.9, базовый ток определяется как:

I B = 18 В — 1.6 В / 3.3 Mω + 8000 (390 Ом) ≈ 2,56 мкА

Применение EQ.12.10, ток излучателя может быть оценен как:

I E ≈ 8000 (2,56 мкА) ≈ 20,28 мА ≈ I C

Напряжение постоянного тока эмиттера можно рассчитать, используя уравнение 12.11, как:

В E = 20,48 мА (390 Ом) ≈ 8 В,

Наконец, напряжение коллектора можно оценить, применяя уравнение 12.12, как указано ниже:

В B = 8 В + 1,6 В = 9,6 В

В этом примере напряжение питания на коллекторе Дарлингтона будет:
В C = 18 В

AC Эквивалент Дарлингтона Схема

На приведенном ниже рисунке мы видим схему эмиттерного повторителя BJT, подключенную в режиме Дарлингтона.Базовый вывод пары подключен к входному сигналу переменного тока через конденсатор C1.

Выходной сигнал переменного тока, полученный через конденсатор С2, связан с выводом эмиттера устройства.

Результат моделирования вышеуказанной конфигурации представлен на следующем рисунке. Здесь можно увидеть Дэрлингтон Транзистор заменена с эквивалентом переменного тока, имеющего входное сопротивление R I и выходной источник тока, представленный как β D I 0 B

Входное сопротивление переменного тока можно рассчитать, как объяснено ниже:

базовый ток переменного тока прохождения через R I 0 I IS:

I B = V I — V O / R я ———- (12.13)

Поскольку
V o = (I b + β D I b )R E ———- (12.14)

Если применить в уравнении 12.14 Мы получаем:

I B R I = V I — V O = V I — I B (1 + β D ) R E

Решение Выше для V I :

V I = I B [R B [R I + (1 + β D ) R E ]

V I / I B = r i + β D R E

Теперь, исследуя базу транзистора, его входное сопротивление переменному току можно оценить как:

Z i = R B ॥ r i + β D R E ———- (12.15)

Решенный пример 2

Теперь давайте решим практический пример для приведенной выше конструкции эмиттерного повторителя, эквивалентного переменному току: Применяя уравнение 12.15, мы решаем уравнение, как указано ниже:

Z i = 3,3 МОм ॥ [5 кОм + (8000)390 Ом)] = 1,6 МОм.

Резистор 100K используется на входе сигнала для уменьшения тока до нескольких миллиампер.

Обычно при таком малом токе в базе 2N3055 сам по себе никогда не сможет осветить нагрузку с большим током, такую ​​как 12-вольтовая 2-амперная лампа. Это связано с тем, что коэффициент усиления по току 2N3055 очень мал для преобразования низкого тока базы в высокий ток коллектора.

Однако, как только другой BJT, который здесь BC547, соединяется с 2N3055 в паре Дарлингтона, унифицированный коэффициент усиления по току подскакивает до очень высокого значения и позволяет лампе светиться с полной яркостью.

Средний коэффициент усиления по току (hFE) 2N3055 составляет около 40, а для BC547 — 400. Когда они объединены в пару Дарлингтона, коэффициент усиления существенно возрастает до 40 x 400 = 16000, потрясающе, не правда ли. Это та мощность, которую мы можем получить от конфигурации транзистора Дарлингтона, и обычный транзистор может быть превращен в устройство с огромным номиналом всего лишь с помощью простой модификации.

4-битный параллельный сумматор/вычитатель — вопросы и ответы по цифровым схемам

Этот набор вопросов и ответов с множественным выбором по цифровой электронике/схемам (MCQ) посвящен теме «4-битный параллельный сумматор/вычитатель — 1».

1. Управляемый инвертор также известен как ____________
a) Управляемый буфер
b) НЕ вентиль
c) Управляемый буфер и НЕ вентиль
d) Управляемый вентиль
Просмотреть ответ

Ответ: c
Объяснение: Управляемый инвертор также известен как управляемый буфер, а также ворота НЕ. Он используется между выходом и шиной, чтобы можно было контролировать, подается ли выход на шину или нет.

2. Почему вентиль XOR называется инвертором?
a) Из-за того же входа
b) Из-за того же выхода
c) Он ведет себя как логический элемент НЕ
d) Он ведет себя как логический элемент И
Просмотреть ответ

Ответ: c
) вентиль имеет истинный выход, когда два входа различны.Когда один вход истинен, выход является инверсией другого. Когда один вход ложный, выход не инвертирует другой.

3. Управляемые буферы могут быть полезны ____________
а) Для управления выходом схемы в шину
б) Для сравнения выхода компонента с его входом
в) При увеличении выхода от его низкого входа
г) Все перечисленное
Посмотреть ответ

Ответ: a
Объяснение: Управляемые буферы могут быть полезны, когда у вас есть проводник (часто называемый шиной), значение которого должно соответствовать выходному сигналу одного из нескольких компонентов.Поместив управляемый буфер между выходом каждого компонента и шиной, вы можете контролировать, подается ли выход этого компонента на шину или нет.

4. Логическая схема, которая обеспечивает ВЫСОКИЙ выходной сигнал для обоих входов ВЫСОКИЙ или обоих входов НИЗКИЙ, это ____________
a) Элемент Ex-NOR
b) Элемент ИЛИ
c) Элемент Ex-OR
d) Элемент НЕ-И
Посмотреть ответ

Ответ: a
Объяснение: логический элемент EX-OR дает 1, если оба входа различны, что означает 0 или 1, и дает 0, если оба одинаковы, и EX-NOR противоположен вентилю EX-OR, поэтому он обеспечивает ВЫСОКИЙ выход для обоих входов HIGH или оба входа имеют НИЗКИЙ уровень.Таким образом, EX-NOR выдает результат для четного числа единиц или всех нулей, а EXOR выдает результат для нечетного числа единиц.

5. Что вам понадобится в первую очередь, если вы собираетесь использовать макрофункцию?
a) Сложный дизайн-проект
b) Опытный инженер-конструктор
c) Хорошая документация
d) Опыт работы с HDL
Посмотреть ответ

Ответ: d
Объяснение: HDL означает язык описания оборудования. Чтобы использовать макрофункции, необходимо иметь опыт работы с HDL для представления структуры и поведения цифровых схем.

6. В чем основное различие между полусумматорами и полносумматорами?
a) Полные сумматоры состоят из двух полусумматоров
b) Полные сумматоры могут обрабатывать двузначные числа
c) Полные сумматоры могут обрабатывать ввод с переносом
d) Полусумматоры могут обрабатывать только однозначные числа
Посмотреть ответ

Ответ: c
Объяснение: Полусумматоры имеют только два входа A и B. Когда мы складываем два 4-битных двоичных числа, таких как 0001 и 0011, полусумматор нельзя использовать, потому что если первый бит обоих чисел равен 1, тогда сумма будет равна 0, а перенос будет равен 1.Но этот перенос не может быть добавлен вторыми битами числа. Так что полусумматоры бесполезны. Но в полных сумматорах присутствует еще один ввод переноса, так что, если присутствует перенос одного каскада, его можно добавить к следующему каскаду, как это делается при обычном сложении. Таким образом, полные сумматоры имеют возможность переноса ввода.

7. Двоичное вычитание 0 – 0 =?
a) Разница = 0, заем = 0
b) Разница = 1, заем = 0
c) Разница = 1, заем = 1
d) Разница = 0, заем = 1
Просмотреть ответ

Ответ: a
Объяснение : Двоичное вычитание 0 – 0 = 0.Таким образом, его разница равна 0, как и его заимствование.

8. Сколько основных операций двоичного вычитания возможно?
a) 1
b) 4
c) 3
d) 2
Просмотреть ответ

Ответ: b
Объяснение: 4 основные операции двоичного вычитания (0-0, 1-0, 0-1, 1-1) возможно.
0 – 0 = 0
0 – 1 = 1 (Занять 1)
1 – 0 = 1
1 – 1 = 0

9. При выполнении вычитания сложением в системе с дополнением до 2 ____________
а) уменьшаемое и вычитаемое заменяются на дополнение до 2
б) уменьшаемое заменяется на дополнение до 2, а вычитаемое остается в исходном виде form
c) Уменьшаемое остается в своей первоначальной форме, а вычитаемое заменяется на его дополнение до 2
d) Уменьшаемое и вычитаемое остаются в своей первоначальной форме
Просмотреть ответ

Ответ: c
Объяснение: При выполнении вычитания путем сложения в системе с дополнением до 2 уменьшаемое остается в своей первоначальной форме, а вычитаемое изменяется на его дополнение до 2.Затем он добавляется к minuend. Если результат имеет перенос, то он отбрасывается, и это окончательный ответ. В противном случае, если результат не имеет переноса, то результат снова преобразуется в форму дополнения до 2, и это окончательный ответ со знаком «отрицательный».

10. Какие существуют два типа основных сумматорных схем?
a) Суммирование и перенос
b) Полусумматор и полный сумматор
c) Асинхронный и синхронный
d) Дополнение до единицы и до двух -сумматор и полный сумматор.Полусумматор имеет 2 входа, а полный сумматор — 3 входа. Принимая во внимание, что оба имеют два выхода SUM и CARRY.

11. Что из следующего верно для полных сумматоров?
a) Полные сумматоры позволяют напрямую складывать десятичные числа
b) Полные сумматоры используются для полусумматоров
c) Полные сумматоры ограничены двумя входами, так как имеется только две двоичные цифры
d) В параллельном полном сумматоре первый этап может быть полусумматор
View Answer

Ответ: d
Объяснение: Используя максимум два полусумматора, мы можем сделать полный сумматор для первого этапа параллельного полного сумматора.

12. Входы селектора в арифметико-логическое устройство (ALU) определяют ____________
a) Выбор IC
b) Арифметическая или логическая функция
c) Выбор слова данных
d) Используемая тактовая частота
Посмотреть ответ

Ответ: b
Объяснение: АЛУ выполняет основные арифметические и логические операции и сохраняет их в аккумуляторе.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.