Сокращенная маркировка SMD радиодеталей (marking SMD) | hardware

Типы миниатюрных SMD-компонентов, коварно закодированные производителями трехсимвольной и двухсимвольной (а иногда кодировка состоит из одного символа!) маркировкой, без специальных справочников распознать очень непросто. У меня накопилось несколько ссылок на онлайновые справочники такого рода кодировки, и решил их для удобства выложить в виде отдельного обзора.

http://www.s-manuals.com/smd
   Довольно удобный справочник, оформленный в виде квадратной таблицы по двум первым символам кодировки. В ячейках таблицы находятся ссылки на более детальную таблицу, в которой имеется наименование и назначение радиокомпонента, его производитель и даже ссылка на даташит.

http://microsin.ru/phpscr/showsmd02.php
   Справочник из журнала Радиокомпоненты», 1..4 номера 2003 г. и 1, 2 номера 2004 г. — таблица, удобная для поиска по загруженной странице в браузере.

Указан тип компонента, изготовитель, тип корпуса, описание компонента, и даже по многим компонентам имеется картинка с цоколевкой выводов. Удобство справочника также в том, что он целиком находится на одной странице, что позволяет легко скачать его к себе на компьютер и использовать offline, как электронный документ (html или Word) — SMDcodebook.rar.

The SMD Codebook
   Справочник построен из набора таблиц, каждая таблица соответствует первому символу кодировки. Указаны наименование компонента, производитель, код картинки с цоколевкой, тип корпуса, краткое описание (или эквивалент). Есть размеры многих SMD-корпусов.

Surface Mount Device identification

   Справочник, не такой полный, как другие, но тоже достойный внимания. Указаны принципы маркировки SMD резисторов и конденсаторов.

[Ссылки]

1. Таблицы соответствия микросхем 561 и 1561 серий импортным микросхемам 4000 серии.
2.  Таблица соответствия отечественных микросхем серий TTL импортным микросхемам 74-й серии.
3. Мини-справочник по микросхемам.
4. Сокращенная кодировка компонентов Analog Devices.

PA SMD МАРКИРОВКА

код	наименование	функция	корпус	производитель
PA	74AUP1G00GW/M…S/X	2И-НЕ одновентильный: Uпит=0,8…3,6 В	tssop5/x2son5	NXP
PA	KPA101S	«цифровой» pnp: 50В/100 мА 4,7k/4,7k	sot23	KEC
PA	PMEG4005CT	2х диода Шоттки ОК: 40В/500 мА	sot23	NXP
PA	PUML1/DG	npn + «цифровой» npn(10k/10k): 50В/200 мА	sot363	NXP
PA	TPS622311DRY	понижающий dc-dc +L 1. 1В/500 мА 2 МГц	son6	TI
PAxx	CAT5273Z1-50-GT3	цифровой потенциометр на 256 поз.: 50 кОм i2c	msop10	ON Semi
PA#	Si1902DL	2x nМОП: 20 В/700 мА	sot363	Vishay
PA##	BD5240G|FVE	супервизор: 4.0 В, «open drain»	sot23-5|sot553	Rohm
pA1	BZX84-C75	стабилитрон 75 В, 250 мВт	sot23	NXP
PA1xx	DMG1013T-7	pМОП:-20В/460 мА	sot523	Diodes
PAAI	TPS2816DBV	инвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
PABI	TPS2817DBV	неинвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
PABxx	DMP2004TK-7	pМОП:-20 В/430 мА	sot523	Diodes
PACI	TPS2818DBV	инвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
PADI	TPS2819DBV	неинвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
pAM	PDTA113ZT	«цифровой» pnp: 50В/100 мА 1k/10k	sot23	NXP
pAN	PESD1CAN	2 трансила: 24В/200Вт для защиты CAN-линий	sot23	NXP
PAp	PMEG4005CT	2х диода Шоттки ОК: 40 В/500 мА	sot23	NXP
PAp	PUML1/DG	npn + «цифровой» npn(10k/10k): 50В/200 мА	sot363	NXP
PAPI	TPS3823-25DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,25 В	sot23-5	TI
PAQI	TPS3823-30DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,63 В	sot23-5	TI
PAR	TPS72011DRV	LDO-стабилизатор: 1,1 В/350 мА	son6	TI
PARI	TPS3823-33DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,93 В	sot23-5	TI
PAs	BA885	pin-диод: 2 ГГц	sot23	Infineon
PAs	BCP72M	pnp ВЧ транзистор: 10 В, 3 А	sct595	Infineon
PAs	BFP136W	npn СВЧ транзистор: 12 В, 150 мА, 5,5 ГГц	sot343	Infineon
PASI	TPS3823-50DBV	супервизор питания с WatchDog на 4,55 В	sot23-5	TI
PAt	PMEG4005CT	2х диода Шоттки ОК: 40 В/500 мА	sot23	NXP
PAt	PUML1/DG	npn + «цифровой» npn(10k/10k): 50В/200 мА	sot363	NXP
PATI	TPS3824-25DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,25 В	sot23-5	TI
PAU	LM4040B30IDCK	«шунтовой» стабилитрон 3,0В 0,2% ind	sc70	TI
PAUI	TPS3824-30DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,63 В	sot23-5	TI
PAVI	TPS3824-33DBV	супервизор питания с WatchDog на 2,93 В	sot23-5	TI
PAW	PMEG4005CT	2х диода Шоттки ОК: 40В/500 мА	sot23	NXP
PAW	PUML1/DG	npn + «цифровой» npn(10k/10k): 50 В/200 мА	sot363	NXP
PAWI	TPS3824-50DBV	супервизор питания с WatchDog на 4,56 В	sot23-5	TI
PAXI	TPS2828DBV	инвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
PAYI	TPS2829DBV	неинвертирующий драйвер МОП/IGBT: 2А 25 нс	sot23-5	TI
PAZI	TPS76301DBV	LDO adj. /150 мА	sot23-5	TI

SMD маркировка: описание и расшифровка

Маркировка SMD предназначена для определения параметров каждого чипа печатной платы и правильного подбора детали, которая подходит для замены или монтажа в конкретной цепи. SMD компоненты плат различного электротехнического оборудования имеют разные параметры, характеристики и назначение – основные сведения и показатели, как раз и отображаются в их маркировке.

Что такое SMD

SMD (Surface Mounted Device) – чипы поверхностного монтажа, которые используются при сборке печатных плат и микросхем. Применение деталей в промышленности позволяет собирать платы с помощью роботов. Машины быстро читают информацию, нанесенную на SMD-компоненты, правильно расставляют их по своим местам в цепи и затем припаивают. На выходе получаются смонтированные платы, которые широко задействуют в различной электротехнике.

Использование SMD-чипов обеспечивает ряд преимуществ:

• не нужно делать множество дырок в платах и обрезать выводы;
• компоненты более компактные, размещаются в большом количестве, в отличие от ранних моделей радиодеталей; монтаж осуществляется на обеих сторонах плат, отчего они становятся более функциональными;
• автоматическая сборка – ручной труд практически не задействуется;
• снижение количества явлений, связанных с индуктивностью – улучшаются параметры работы с высокочастотными и трудноуловимыми сигналами;
• снижается себестоимость продукции.

Корпуса SMD-компонентов

Детали изготавливаются из разных материалов. Наиболее распространенные – цилиндровые чипы из стекла и металла, а также прямоугольные модели из пластика и металла. Кроме них выпускаются компоненты с более сложной конструкцией. Все разновидности классифицируются по двум параметрам: размеру и числу выводов. Чаще всего встречаются модели с двумя выводами. В отдельных чипах их насчитывается более 8. Если в детали нет ни одного вывода, припайка осуществляется через контактные площадки и специальные шарики.

Маркировка SMD-компонентов

Существует несколько типов маркировки, параметры которых определены Международной Электротехнической Комиссии (IEC):

1. Цветовая – согласно нормам ГОСТ 175-72 и Параграфа 62 IEC, ставится в виде 2-6 цветовых колец либо точек, смещенных к выводу.
2. Цифровая – характеристики чипов отражаются на поверхности в виде набора цифр.
3. Символьная (смешанная) – ставится несколько цифр с символом (латинской буквой), размещенным на месте десятичной точки, определяющей единицу измерения.

SMD резисторы

В зависимости от компании-производителя, резисторы маркируются комбинациями цифр либо в сочетании с буквами. Если маркировка состоит из 3 или 4 цифр, последняя отражает число нулей, обозначающих сопротивление детали. Например, в коде 7502 сопротивление – 75000 Ом. В смешанной классификации буква разделяет дробную и целую часть. Например, 5R7 = 5,7 Ом.

SMD конденсаторы

Внешний вид конденсаторов, как и кодировка, отличается, исходя из материала детали. Конденсаторы из керамики внешне напоминают резисторы и имеют идентичную классификацию типоразмеров. В компонентах, сделанных из тантала, коды отличаются – указывается латинская буква от A до E, которая определяет размер чипа (Е – самый большой). Цветная линия у электролитических конденсаторов показывает на минусовый вывод, емкость и напряжение детали. Это единственная разновидность цилиндрических изделий, на корпусах которых есть информация о емкости. Для прочих моделей параметр определяется вручную с помощью мультиметра.

SMD диоды и стабилитроны

Диоды снабжаются цветными линиями – одной или двумя полосами разного оттенка. У светодиодов символ полярности зависит от производителя – параметры указываются в технической документации. Один из вариантов маркировки – в виде точки. Кодировка цилиндрических диодов аналогичная резисторным и катушечным деталям. На корпус наносится определенный цифровой код. Метки не содержат большой объем информации, поэтому ремонтники ориентируются по документам. Некоторые компании производят серии диодов в сборе, в едином корпусе. В таких компонентах может располагаться множество диодов, но чаще всего их 2-4. Серийные модели более компактные и занимают меньше места, чем при размещении каждого компонента отдельно.

SMD катушки индуктивности

У деталей, содержащих намотку, маркировка наносится в виде 4 чисел. Первые 2 указывают на длину в сотых частях дюйма, 2 последние – на ширину. Например, 0804 – 0,08х0,04 дюйма.

SMD транзисторы

Транзисторы обладают скупой маркировкой, что объясняется миниатюрными размерами изделий. На корпусах отражаются только коды без учета международных норм. Сложность в том, что идентичный код могут использовать несколько производителей для разных моделей чипов, с неодинаковыми показателями мощности и других параметров.

Маркировка SOT23

Маркировка SOT23 указывает на самое распространенное микропокрытие для транзисторов (SOD23 – для диодов и их сборок). SOT обозначает – Small Outline Transistor, т.е. транзистор с микровыводами. Корпус чипов с несколькими выводами, производится из пластмассы.

В корпуса типа SOT ставят не только транзисторы и диоды, но и резисторы, стабилизаторы напряжения и прочие компоненты. Число выводов бывает больше 3. Например, транзисторы, диодные и варикапные сборки устанавливают в 3-выводных корпусах – SOT323, SOT346, SOT416, SOT490 и 4-выводных – SOT223, SOT143, SOT343 и SOT103. Задействуют и 5-выводные покрытия – SOT551A и SOT680-1, в которых продублированы выводы эмиттера или коллектора. В 6-выводные корпуса устанавливают транзисторные сборки и диодные матрицы.

Маркировка SMD компонентов

Кодировка далеко не всегда имеет читабельный для зрения вид. Связано это с тем, что монтаж деталей выполняется роботами. Машинам способны прочитать любую маркировку, поэтому ее неразличимость не влияет на качество сборки. Но при ручном ремонте плат, мастеру или радиолюбителю необходимо пользоваться специальной литературой, чтобы определить, какая перед ним деталь.

Как определить маркировку SMD

Для определения маркировки используются специальные справочники-определители. С их помощью можно прочитать символьную или цветовую кодировку большинства пассивных и активных элементов импортного или российского производства. Поиск производится по типу корпуса детали, а далее по виду кодировки – цветовой или кодовой.

В справочниках содержится более 15 тыс. кодовых кодировок диодов, компараторов, стабилитронов, транзисторов, динисторов, усилителей, ключей, преобразователей и т.д., размещенных в корпусах SOD, SOT, MSOP, TQFN, UCSP. Расшифровка позволяет получить сведения о назначении чипов, изготовителе, основных показателях, а также о цоколевке выводов.

Сложности в расшифровке

Размер и тип корпуса – ключевые параметры маркировки, поскольку многие разновидности изделий имеют практически аналогичный внешний вид. В некоторых случаях и этих параметров недостаточно для идентификации компонента. Например, диаметр корпуса SOD-80 у компании Philips — 1,6 мм. Тогда диаметр детали с аналогичной маркировкой у других производителей – 1,4 мм. Корпус SOD-15 SGS-Thomson сильно похож на модели 7043 и SMC, но не совпадает с ними по заводским параметрам.

Нередко возникают ситуации, когда изготовители в корпусах с идентичной маркировкой выпускают разные детали. Например, Philips производит транзистор BC818W в корпусе SOT-323, маркируя его кодом 6H, а Motorola, в аналогичный компонент с идентичной кодировкой, устанавливает транзистор MUN5131T1.

Проблемы возникают и с цоколевкой поверхностей. Например, SOT-89 у Siemens, Toshiba, Rohm имеет цоколевку 1-2-3, а у Philips в SOT-89 она другая – 2-3-1 и 3-2-1. Аналогичная ситуация и с пассивными деталями. Например, обозначение 103 на чипе, определяет его как резистор, номиналом 10 кОм, конденсатор, емкостью 10 нФ или индуктивность 10 мГн.

В корпусах с идентичным цветовым кодом может производиться серия чипов с неодинаковыми параметрами. Например, Motorola в корпусе SOD-80, маркируемым единым цветным кольцом, производит стабилизаторы с напряжением – от 1. 8 до 100 Вт и током – от 0.1 до 1.7 А. Тогда как Philips под аналогичной кодировкой выпускает группу диодов.

Нужно грамотно определять и цвет маркировки. Возникают проблемы с различием некоторых схожих оттенков (бежевый – серый, желтый – оранжевый и т.д.). Кроме этого, многие компании внедряют собственную корпоративную разметку наряду с маркировкой, отраженной в публикациях IEC.

Маркировка точками микропроцессоров К1801ВМ1 — Soviet CPU Collection

На профильных форумах среди коллег неоднократно поднимался вопрос о маркировке 16-разрядных однокристальных микропроцессоров 1801ВМ1. Микросхемы маркировались точками. Производители этих процессоров — «Ангстрем» (Зеленоград), «Экситон» (г.Павловский Посад). Микросхемы с маркировкой буквой Г имели дополнительную 69 команду MUL-умножение.

Давайте расставим все точки над 1801
Маркировка 1801ВМ1

Однозначного ответа при обсуждении на форумах не получалось. Поиск на просторах интернета и в литературе — справочниках того периода — тоже больше запутывал, чем вносил ясность. Единственное место, где могла быть информация, это какие-либо официальные документы, например, ТУ. Но где взять ТУ? В свободном доступе такой информации не нашел. Во многих крупных городах во времена СССР существовали организации ЦНТИ – центры научно-технической информации. В некоторых городах они существуют до сих пор. Я решил посетить эту контору в нашем городе. Оказалось, что там масса разной интересной информации. Есть ТУ даже на совсем редкие процессоры, типа 1801ВЕ1 и 581ВЕ1. Что обнаружилось при прочтении ТУ — бК0.348.570-02ТУ-81?

ТУ было введено впервые 01.10.1981г. Срок действия ТУ с 1.12.81г. до 1.07.85г.

В первом ТУ речь шла только о микросхемах с буквами А и Б. Маркировались они следующим образом: А — одна точка, Б — две точки.

Максимальные частотные характеристики были следующие: К1801ВМ1А — 5 мГЦ, К1801ВМ1Б — 2,5 мГЦ.

Первое упоминание о микросхемах с буквой Г появилось в изменении №3 от 1.09.83г. Изменение было предписано внедрить с 1.01.84г.

В этом изменении к ТУ предписывалось маркировать микросхемы следующим образом: А — одна точка, Б — две точки, В — три точки, Г — четыре точки.

В этом же изменении появилось упоминание о 69 команде MUL- умножении.

Частотные характеристики:

Фото микросхем того времени:

Последнее из приведенных фото — с платы ЧПУ Электроника НЦ-80. Предоставлено Сергеем Устюговым.

Следующий вариант в маркировке микросхем К1801ВМ1 появился в изменении №8 от 21.04.89г.

В данном изменении предписывалось маркировать А — без точек, Б — одной точкой, Г — двумя точками. В этом изменении было предписано следующее указание о внедрении: «Срок внедрения изменений в производстве устанавливается заводом-дублером». Скорее всего изменение было внедрено с начала следующего года. То есть с 1990г. В СССР новые дела было принято начинать либо с понедельника, либо с нового года :)

Частотные характеристики:

Фото имеющихся у меня микросхем этого периода:

Еще в ТУ встречаются такие строки: “Микросхемы К1801ВМ1Г поставляются только для НИИП и НИИНЦ и для изделия ”Электроника МС 2106”. Согласно ТУ выпускался также бескорпусной вариант микросхемы с маркировкой Б1801ВМ1Г.

Обсудить можно здесь

Изменение маркировки 7-й серии, UltraScale, UltraScale+ и новых продуктов Xilinx

Компания Xilinx сообщила об изменениях маркировки для устройств седьмой серии, Zynq 7000, Zynq® UltraScale+™, UltraScale™, and UltraScale+™, а также продуктов для коммерческого/промышленного использования (маркировка «XC»), оборонной промышленности (маркировка«XQ») и автомобильных устройств  (маркировка «XA»). Изменения не касаются формы, соединительных элементов, функциональности и надежности перечисленных устройств.

В дополнение к внешней маркировке 2D штрих-кодом, компания Xilinx будет упрощать маркировку всех новых устройств, которые входят в серию продуктов Xilinx 7: Zynq-7000, Zynq UltraScale+, UltraScale, UltraScale+, коммерческих/промышленных устройств “XC”, оборонной промышленности “XQ”, а также устройств для автомобильной отрасли «XA» (подробнее см. документы XCN16014 и XCN18016). Лицевая маркировка теперь будет отсутствовать, за исключением логотипа компании (Xilinx), 2D штрих-кода, сведениях о стране-производителе и маркировке семейства (как опции). Это будет способствовать улучшению отслеживания устройств и повышению их безопасности.

Серийный номер продукта можно будет узнать с помощью специального приложения, установленного на мобильном устройстве с камерой, путем сканирования 2D штрих-кода. Данные о продукте и его упаковке теперь могут быть получены только после определения уникального серийного номера и его ввода в специальном мобильном приложении или соответствующей форме на официальном веб-сайте (подробнее см. XCN16014 и XTP424). Чтобы получить полный доступ ко всей информации о продукте нужно отсканировать код LPN, который находится на внутренней стороне упаковки и этикетке изделия.

Продукты, которых коснулись изменения

Изменения касаются всех устройств Xilinx серии 7 Zynq-7000, Zynq UltraScale+, UltraScale, UltraScale+, коммерческих, промышленных XC, автомобильных XA и для оборонной промышленности XQ независимо от комплектации, производительности и температурного класса. Изменения касаются также всех продуктов, созданных по спецификации SCD. Для получения подробной информации об обновлении см. XTP544.

Новые продукты и расширенное семейство устройств Xilinx серий 7, Zynq-7000, Zynq UltraScale+, UltraScale, а также UltraScale+ коммерческого/промышленного назначения «XC», для оборонной промышленности «XQ» и автомобильной отрасли «XA», произведенные 12 июля 2019 года и позже будут отгружаться с новой упрощенной маркировкой. Это изменение касается также инженерных образцов с маркировкой ES и SCD.

Ключевые даты и информация для заказа

Компания Xilinx начнет поставки продуктов и устройств расширенного семейства с новой упрощенной маркировкой на верхней части с 1 июля 2019 года.

Выпускаемые на данный момент продукты получат новый тип маркировки в более поздние сроки. Чтобы узнать точные даты обновления см. XTP544.

Прослеживаемость

Продукты, которых касаются описанные изменения, имеют специальную маркировку на верхней части упаковки, как это показано на Рисунке 1 и Рисунке 2. Новая упрощенная верхняя маркировка включает логотип Xilinx, логотип семейного бренда (опционально), 2D штрих-код и сведения о стране-производителе.

Компания Макро Групп является официальным партнёром и поставщиком электронных компонетов Xilinx на территории России. 

По всем вопросам, связанным с приобретением и поддержкой продукции Xilinx, включая приобретение лицензий, обращайтесь по адресу [email protected], через форму обратной связи на сайте или по телефону 8 (800) 333-06-05.

naf-st >> Маркировка и обозначение >> Обозначение интегральных схем

Маркировка и обозначение

Интегральная схема (ИС) или микросхема — микроэлектронное изделие, выполняющее определенное преобразование и обработку сигналов и имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, компонентов и кристаллов. Обозначение всех микросхем может начинаться с буковки или буковки не иметь. Эта буква обозначает вариант применения: К — общего применения Э — экспортный вариант Нет буквы — специального применения За ентой буквой следует другая буква, которая обозначает тип корпуса. Она также может отсутствовать, но сие обстоятельство не означает, что ИС без корпуса: М — металлокерамический Н — миниатюрный металлокремический Р — пластмассовый DIP А, Ф — миниатюрный пластмассовый Б — бескорпусной Е — металлополимерный DIP Далее следуют элементы: Первый элемент Обозначает конструктивно-технологическую группу ИС 1, 5, 7 — полупроводниковые ИС (цифра 7 относится к бескорпусным ИС) 2, 4, 6, 8 — гибридные ИС 3 — прочая гадость Второй элемент Обозначает порядковый номер разработки (точнее, данной серии). Может содержать 2-3 цифири. Третий элемент Функциональное назначение ИС, т. е. подгруппа и вид. Для того, чтобы вам не запутаться, обозначение всех ИС разделим на два класса — аналоговые и цифровые. Начнем с аналоговых: Первый элемент Обозначает конструктивно-технологическую группу ИС 1, 5, 7 — полупроводниковые ИС (цифра 7 относится к бескорпусным ИС) 2, 4, 6, 8 — гибридные ИС 3 — прочая гадость (пленочные) Второй элемент Обозначает порядковый номер разработки. Может содержать 2-3 цифири. Третий элемент Функциональное назначение ИС, т. е. подгруппа и вид. Для того, чтобы вам не запутаться, обозначение всех ИС разделим на два класса — аналоговые и цифровые. Начнем с аналоговых: Подгруппа Вид Обозначение типономинала Наименование Обозначение Наименование Обозначение Генераторы Г Гармонических сигналов С ГС Прямоугольных сигналов Г ГГ Линейно изменяющихся сигналов Л ГЛ Сигналов специальной формы Ф ГФ Шума М ГМ Прочие П ГП Детекторы Д Амплитудные А ДА Частотные С ДС Фазовые Ф ДФ Импульсные И ДИ Прочие П ДП Коммутаторы и ключи К Тока Т КТ Напряжения Н КН Прочие П КП Многофункциональные схемы Х Аналоговые А ХА Цифровые Л ХЛ Комбинированные К ХК Прочие П ХП Модуляторы М Амплитудные А МА Частотные С МС Фазовые Ф МФ Импульсные И МИ Прочие П МП Наборы элементов Н Диодов Д НД Транзисторов Т НТ Резисторов Р НР Конденсаторов Е НЕ Комбинированные К НК Прочие П НП Преобразователи П Частоты С ПС Фазы Ф ПФ Длительности Д ПД Напряжения Н ПН Мощности М ПМ Уровня (согласователи) У ПУ Код-аналог А ПА Аналог-код В ПВ Код-код Р ПР Прочие П ПП Схемы вторичных источников питания Е Выпрямители В ЕВ Преобразователи М ЕМ Стабилизаторы напряжения Н ЕН Стабилизаторы тока Т ЕТ Устройства управления источниками питания У ЕУ Прочие П ЕП Схемы задержки Б Пассивные М БМ Активные Р БР Прочие П БП Схемы селекции и сравнения С Амплитудные (уровня сигналов) А СА Временные В СВ Частотные С СС Фазовые Ф СФ Прочие П СП Усилители У Высокой частоты В УВ Промежуточной частоты П УП Низкой частоты Н УН Импульсных сигналов И УИ Повторители Е УЕ Считывание и воспроизведения Л УЛ Индикации М УМ Постоянного тока Т УТ Операционные и дифференциальные Д УД Прочие П УП Фильтры Ф Верхних частот В ФВ Нижних частот Н ФН Полосовые Е ФЕ Режекторные Р ФР Прочие П ФП Теперь перейдем к цифрам: Подгруппа Вид Обозначение типономинала Наименование Обозначение Наименование Обозначение Элементы логики Л Схема «И» И ЛИ Схема «ИЛИ» Л ЛЛ Схема «НЕ» Н ЛН Схема «И-НЕ» А ЛА Схема «ИЛИ-НЕ» Е ЛЕ Переключающие элементы Р ЛР Прочие П ЛП Формирователи А Специальной формы Ф АФ Триггеры Т JK-триггеры В ТВ D-триггеры М ТМ RS-триггеры Р ТР Триггеры Шмидта Л ТЛ Комбинационные логические схемы K Мультиплексоры и демультиплексоры П КП И Шифраторы В ИВ Дешифраторы Д ИД Счетчики Е ИЕ Регистры Р ИР Сумматоры М ИМ Прочие П ИП Вычислительные устройства В Контроллеры Г ВГ Микро-ЭВМ Е ВЕ Специальные вычислительные устройства Ж ВЖ Времязадающие И ВИ Прочие П ВП Запоминающие устройства Р ОЗУ У РУ Масочные ПЗУ Е РЕ (может быть и ПР) ППЗУ Т РТ Репрограммируемые ПЗУ со стиранием электрическим сигналом Р РР РПЗУ стиранием УФ излучением Ф РФ Преобразователи П Цифро-аналоговые А ПА Аналого-цифровые В ПВ Прочие П ПП Опосля пятого элемента следует цифра, которая обозначает порядковый номер разработки (не путать с серией, см. выше) Шестой элемент Может присутствовать, а может отсутствовать. Обозначает деление технологического типа на параметрические группы. Как правило буква. Например, имеем всем известную К155ЛА3. Расшифруем: микросхема общего назначения, полупроводниковая, номер разработки 55, функциональное назначение — схема «И-НЕ».

Новости:

Технические справочники

Что-то не так?

Пожалуйста, отключите Adblock.

Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.

Как добавить наш сайт в исключения AdBlock QRZ. RU > Технические справочникиclass=»small»>

 

 

 

Радиолюбительский разговорник EW1MM (WinWord)

Полупроводниковая техника

1. Справочник по полупроводниковым диодам
2. Справочник по полупроводниковым светоизлучающим приборам
3. Справочник по полевым транзисторам
4. Справочник по биполярным транзисторам
5. Маркировка диодов
6. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
7. Краткие справочные данные зарубежных транзисторов
8. Характеристики динисторов и тиристоров
9. Справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам — 8.4М

Микросхемы

---

1. Номенклатура и аналоги отечественных микросхем
2. Справочник по микросхемам ТТЛ серий
3. Справочник по низкочастотным цифровым КМОП микросхемам
4. Справочник по цифровым КМОП микросхемам
5. Справочник по полупроводниковым аналоговым коммутаторам
6. Справочник по операционным усилителям
7. Справочник по стабилизаторам напряжения
8. Справочник по микросхемам памяти
9. Замена импортных ТТЛ микросхем отечественными аналогами
10. Замена импортных КМОП микросхем отечественными аналогами
11. Замена импортных операционных усилителей отечественными аналогами
12. Замена импортных компараторов отечественными аналогами

    ---

13. Справочник по электронной технике для студентов ВУЗов
14. Справочник по аналоговым микросхемам для аудиоаппаратуры — 11. 6М
15. Справочник по микросхемам для теле- и видеоаппаратуры — 46.9М
16. Справочник по цифровым логическим микросхемам ч1 — 26.8М
17. Справочник по цифровым логическим микросхемам ч2 — 39.8М
18. Справочник по полупроводниковым приборам — 24.1М

Светоизлучающие и фоточувствительные приборы

1. Характеристики светоизлучающих диодов импортного производства
2. Характеристики светоизлучающих диодов отечественного производства :: (Вариант в XLS)
3. Характеристики светоизлучающих диодов отечественного производства —
   Каталог по светодиодам, Нижний Новгород, PDF, 27 стр.
4. Характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов АЛ164…172
5. Фотодиоды КДФ115 — фотоэлектрические параметры
6. Фототранзисторы

   ---

Маркировка электронных компонентов

1. Введение
2. Корпуса компонентов для поверхностного монтажа (SMD)
3. Сквозная нумерация наиболее популярных корпусов SMD
4. Ряды (резисторы и конденсаторы)
5. Резисторы. Цветовая маркировка
6. Резисторы. Цветовая маркировка фирмы Philips
7. Резисторы. Нестандартная цветовая маркировка
8. Резисторы. кодовая маркировка
9. Кодовая маркировка прецизионных высокостабильных резисторов фирмы Panasonic
10. Перемычки и резисторы с «нулевым» сопротивлением
11. Резисторы. Кодовая маркировка фирмы Philips
12. Резисторы. Кодовая маркировка фирмы Bourns
13. Конденсаторы. Допуски
14. Конденсаторы. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ)
15. Конденсаторы. Цветовая маркировка
16. Конденсаторы. Кодовая маркировка
17. Конденсаторы. Кодовая маркировка электролитических конденсаторов для поверхностного монтажа (SMD)
18. Индуктивности. Цветовая маркировка
19. Индуктивности. Кодовая маркировка
20. Транзисторы. Кодовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92)
21. Транзисторы. Цветовая маркировка. Корпус КТ-26 (ТО-92)
22. Транзисторы. Маркировка. Корпус КТ-27 (ТО-126)

Ламповая техника

1. Термины и определения справочников по радиолампам
2. Общие данные о лампах
3. Рекомендации по применению
4. Тренировка радиоламп
5. Отечественные радиолампы
6. Зарубежные радиолампы
7. Приёмно-усилительные и генераторные лампы (список)
8. Генераторные лампы
9. Импульсные генераторные лампы
10. Импульсные модульные лампы
11. Ультрафиолетовые лампы серии ДРТ для стирания ПЗУ
12. Импульсные лампы серии ИФК
13. NEW! Приемные электронно-лучевые трубки. Справочник, Москва «Радио и связь», Н.И. Вуколов, А.И. Гербин, Г.С. Котовщиков, 1993 г. — формат DjVU [что это такое], 289 стр (В этом справочнике представлены характеристики практически всех известных электронно-лучевых трубок)

Осциллографические трубки

Аудиотехника

1. Справочник по динамическим громкоговорителям

ВЧ техника

1. Справочник по коаксиальным кабелям
2. Справочник по высокочастотным трансформаторным устройствам (в одном файле 6 мб | разными файлами)
3. Электрические характеристики радиочастотных коаксиальных кабелей со сплошной ПЭ изоляцией
4. Пересчет dBm в вольты и ватты на нагрузке 50 ОМ
5. Катушки индуктивности — физическая природа
6. hot! Соединители радиочастотные коаксиальные (ВЧ-разъемы)

Антенны

1. hot! Радиопрозрачные канатики Мастрант
2. Компьютерное моделирование антенн на программе MMANA

Книга предоставлена автором на исключительных правах публикации только на сервере QRZ. RU ! Все копии файлов с любых других сайтов кроме сайта автора или QRZ.RU — краденые!

Эта книжка посвящена описанию работы с одной из лучших на сегодняшний день и, что особенно следует подчеркнуть, бесплат.ной компьютерной программой моделирования антенн MMANA. Краткое описание программы было опубликовано в журнале «Радио» в 2001 г. (июнь.сентябрь). В этом издании приведено пол.ное ее описание. Особое внимание уделено тонкостям работы с MMANA, которые не освещенны в журнальном варианте, кроме того разобраны типичные ошибки, приведены ответы на часто встре.чающиеся вопросы. Наличие большой библиотеки файлов готовых антенн позволяет не только подобрать подходящую антенну, но и проверить на кон.кретных примерах уровень освоения программы. Также даны, хотя и не относящиеся непосредственно к MMANA, но желательные для уверенной работы и правильного понимания полученных результатов, основы компьютерного моделирования антенн.

2. Характеристики основных типов военных антенн

Справочник по ферритам

1. Ферритовые кольца в спортивной аппаратуре
2. Ферромагнитные материалы
3. Изделия завода «Ферроприбор»

Компьютерная техника

1. Разводка контактов различных интерфейсов, разъемов, компьютерных шин и т. п.
2. Компьютерные кабели — распиновка. Как сделать кабель последовательного интерфейса и много других
3. Компьютерные адаптеры — схемы, описание, спецификации
4. Различные схемы (активные фильтры и проч.)
5. Справочные таблицы

Прочее

1. Микрофоны электретные (формат XLS)
2. Микрофоны электретные часть 2
3. Определение номинала резистора по цветовой маркировке
4. Схемы и параметры резисторных сборок М019НР1, М019НР2, М020НР1, М021НР1, М022НР1, М023НР1, М024НР1, М025НР1, М026НР1, М027НР1, М042НР1, М043НР1, М044НР1, М050НР1.
5. Коммутационные переключатели 220В
6. Изготовление сетевого предохранителя на любой ток
7. Справочные данные трансформаторов ТА, ТН, ТАН, ТПП
8. Батарейки и аккумуляторы
9. Расчет трансформаторов — формулы, таблицы. Скан страниц из книги 50 х годов Гинзбурга. (DjVU)
10. 10 лучших бесплатных онлайн симуляторов электроцепи
11. hot! Телевизионные стандарты
12. hot! Сокращения и условные обозначения

ГОСТ

2. ГОСТ 23849-87 Аппаратура радиоэлектронная бытовая. Методы измерения электрических параметров усилителей сигналов звуковой частоты.
3. ГОСТ 7845-92 — Системы вещательного телевидения. Основные параметры. Методы измерений.

Благодарим!

Информация для этого раздела предоставлена: Виктором Козак kozak (at) inp.nsk.su Дмитрием oldradio.ru webmaster (at) oldradio.al.ru Дмитрием cityradio.narod.ru cityradio (at) narod.ru Андреем Ковалевым anklab (at) pirit.sibtel.ru Сергеем Владимировичем 24cerg24 (at) mtu-net.ru Евгением evgen136 (at) online.sinor.ru DeadMazay’ем deadmazay (at) mail.ru Алексеем (РадиоСпутник) rsputnik (at) mail.ru Михаилом UA9JMJ ua9jmj (at) kogalym.ru Дмитрием RK9ABJ master (at) chebar.afps.chel.su Василием Бобылевым bobwa (at) realmail.ru

Defense Logistics Agency требует маркировки ДНК для борьбы с контрафактными деталями

FORT BELVOIR, штат Вирджиния, 31 октября 2012 г. / PRNewswire-USNewswire / — Стремясь усилить текущие меры безопасности для предотвращения попадания контрафактных деталей в цепочку поставок Управления логистики обороны, агентство ввело новые требования к аутентификационной маркировке для электронных класс поставки микросхем.

DLA требует использования дезоксирибонуклеиновой кислоты, более известной как ДНК, аутентификационной маркировки для будущих закупок предметов, подпадающих под Федеральный класс поставок 5962, электронные микросхемы.Требование распространяется только на закупки, сделанные DLA.

Поставщики были уведомлены о новых требованиях специальным уведомлением в Системе интернет-доски объявлений DLA, Центре информационных ресурсов для поставщиков и на веб-сайтах Federal Business Opportunities.

«Выполнение этого нового требования снизит риск попадания контрафактных деталей в цепочку поставок DLA», — сказал Крис Метц, руководитель отдела технической политики и политики качества логистических операций DLA.

Поставщики, которые поставляют электронные микросхемы DLA, должны будут предоставить товары, отмеченные уникальным ботаническим знаком SigNature® DNA.Используемая аутентификационная ДНК должна быть уникальной для поставщика или производителя детали.

«DLA использует ряд инструментов для защиты своих цепочек поставок», — отметил Метц. «Маркировка ДНК SigNature® теперь является одним из таких инструментов».

Первоначальное требование к маркировке ДНК применяется к подмножеству микросхем, поставляемых в рамках программы Generalized Emulation of Microcircuits.

Существуют различные способы применения аутентификационной ДНК к микросхеме. Поставщики могут нанести видимую или невидимую метку ДНК на деталь, или чернила подрядчика могут быть пропитаны материалом для маркировки ДНК и нанесены на деталь.

Это новое требование к маркировке поможет защитить микросхемы, которые имеют решающее значение для систем вооружения Министерства обороны США, которые поддерживает DLA, сказал Метц. Она добавила, что микросхемы, которыми управляет DLA, используются во многих системах оружия.

DLA изначально нацелена на микроэлектронику, но эта технология используется с другими товарами в коммерческих целях и имеет широкие последствия для других продуктов DLA и оборудования, подверженного риску подделки.

Новое требование также способствует достижению целей Конгресса по защите цепочек поставок Министерства обороны и национальной кибербезопасности, которые Конгресс обозначил в Законе о полномочиях на национальную оборону 2012 года.Это требует от Министерства обороны США, а также от промышленности, разработать меры по обнаружению и предотвращению подделки электронных товаров.

DLA требует на данный момент аутентификационной маркировки микросхем с использованием только ДНК SigNature®. Выбор ДНК SigNature® основан на проекте исследований и разработок, который проводился с ноября 2010 года по апрель 2011 года.

В ходе первоначального проекта исследований и разработок DLA успешно пометила приблизительно 20 000 микросхем ДНК SigNature® в одном из университетов США. На базе производителя. Слепые образцы различали маркированные и немаркированные микросхемы со 100-процентной точностью.

Вторая фаза проекта исследований и разработок успешно отметила около 385 000 микросхем на крупном морском предприятии в течение полномасштабного производственного цикла. Второй этап продемонстрировал техническую и функциональную жизнеспособность маркировки микросхем с помощью SigNature® DNA.

«Маркировка микросхем у дистрибьютора позволит установить происхождение с этого момента и обеспечит DLA уровень идентификации и уверенности, превосходящий то, что мы имеем сейчас», — сказал Метц.«Этот метод маркировки также обеспечивает способ гарантировать подлинность при перемещении деталей в цепочках поставок DLA».

DoD намеренно ищет многообещающие коммерческие готовые продукты и методы для решения сложных проблем, таких как подделка, и проводит исследования и разработки для изучения их применения в процессах DLA.

DoD представляет крошечную долю рынка электроники, и производители могут не думать, что стоит брать на себя расходы по маркировке своей продукции, чтобы соответствовать требованиям DLA.

«Мы надеемся, что достаточное количество поставщиков микросхем предоставит продукты с маркировкой SigNature® DNA для идентифицированных элементов», — сказала она. «DLA намеревается закупить только микросхемы с ДНК-маркировкой SigNature® на втором этапе внедрения».

DLA разработало план действий на случай непредвиденных обстоятельств, если часть с маркировкой SigNature® DNA будет недоступна.

К концу 2012 года DLA намеревается провести оценку других существующих методов маркировки.

15 октября DLA разместило запрос о предоставлении информации на веб-сайте Federal Business Opportunities с целью получения информации о существующих методах и технологиях, позволяющих маркировать предметы таким образом, чтобы аутентифицировать источник поставки предмета с помощью неизменных и необратимых средств.

«Мы открыты для других решений и инструментов, когда узнаем о них», — сказал Метц. «Усилия DLA по распространению концепции аутентификационной маркировки и поощрению более широкого признания положительно влияют на практику управления рисками и разработку решений участников цепочки поставок Министерства обороны».

Заинтересованным сторонам предлагается ответить на ЗПИ до 15 ноября.

Как агентство боевой поддержки Министерства обороны США, DLA предоставляет армии, флоту, военно-воздушным силам, корпусу морской пехоты, другим федеральным агентствам, а также объединенным и союзным силам различные логистические, закупочные и технические услуги.Агентство закупает и поставляет почти 100 процентов предметов потребления, необходимых для работы американских вооруженных сил, от продуктов питания, топлива и энергии до униформы, медицинских принадлежностей, а также строительного и заградительного оборудования. DLA также поставляет более 80 процентов запасных частей для военных.

Со штаб-квартирой в Форт-Бельвуар, штат Вирджиния, DLA насчитывает около 27 000 сотрудников по всему миру и обслуживает более 2210 систем вооружения. Для получения дополнительной информации о DLA посетите www.dla.mil , www.facebook.com / dla.mil или http://twitter.com/dlamil.

ИСТОЧНИК Агентство оборонной логистики

Прикладные науки о ДНК для создания уникальной метки ДНК для пересылки

STONY BROOK, NY — (Marketwire — 17 января 2013 г. ) — Applied DNA Sciences, Inc. (OTCBB: APDN), (Twitter: @APDN), поставщик технологий защиты от подделки на основе ДНК и решений для аутентификации продуктов, объявила сегодня, что Forward Components, Inc. (Forward Components Engineering, или FCE), базирующаяся в Футхилл-Ранч, Калифорния, запросила уникальную метку ДНК у APDN для ДНК-маркировки микросхем FSC 5962 в соответствии с мандатом, выданным U.С. Агентство оборонной логистики (DLA). Этот мандат требует использования маркировки ДНК SigNature® APDN на микросхемах определенного класса, FSC 5962.

FCE должен будет пройти внутреннюю инспекцию и обучение перед получением уникальной метки ДНК, чтобы определить, будут ли они иметь право на внутреннюю маркировку или сначала потребуется маркировка третьей стороной. Тестирование контроля качества является постоянным требованием, чтобы гарантировать, что все детали продолжают иметь правильную маркировку, пока FCE маркирует детали уникальным маркером ДНК APDN.

FCE — авторизованный дистрибьютор и сборочный / испытательный центр для военной и аэрокосмической промышленности. Компания будет применять свой знак SigNature DNA Provenance к электронным деталям, имеющим прослеживаемую документацию, а также к деталям, известным как устаревшие компоненты без следа. Последние, составляющие лишь около 5% бизнеса FCE, не имеют документации по отслеживанию, но подлежат строгим испытаниям и проверкам на предприятии FCE. Эти детали, иногда называемые «устаревшими», могут иметь жизненно важное значение для многих военных приложений из-за длительного срока службы большей части военной техники.

Владелец

FCE и президент Скотт Вилкош заявил: «Forward Components рада предложить маркировку ДНК на своих компонентах 5962 в качестве дополнительной услуги. Эта технология хорошо согласуется с нашей основной философией строгого контроля качества и передовыми решениями для наши высококвалифицированные клиенты. Помимо DLA, мы приглашаем других клиентов запрашивать у нас детали с ДНК-меткой, зная, что они, по сути, обеспечат дополнительный уровень судебной защиты для своей цепочки поставок ».

Знак Provenance, используемый FCE, является одной из двух форм знака ДНК SigNature APDN: знак SigNature Authenticity, который предназначен для аутентификации оригинальных продуктов, произведенных OCM, и знак SigNature Provenance для распространяемых продуктов, которые маркируются после производства.

Большинство материалов, распространяемых FCE, полностью отслеживаются; однако, когда клиент, такой как DLA, запрашивает устаревший устаревший компонент, который не имеет возможности отслеживания, штатная группа инженеров FCE проверяет эти детали, используя методы тестирования и проверки, изложенные в недавно утвержденном стандарте SAE AS6081. Только после того, как эти детали будут подвергнуты испытаниям и проверкам и будут продемонстрированы на соответствие критериям AS6081, FCE нанесет свой знак SigNature DNA Provenance.

Боб МакДауэлл, старший представитель по работе с клиентами APDN, прокомментировал: «Этот знак качества ДНК будет уникальным для FCE и является свидетельством их приверженности качеству и передовым практикам для бизнеса по производству высококачественных компонентов».

Д-р Джеймс А. Хейворд, президент и главный исполнительный директор компании Applied DNA Sciences, заявил: «Мы рады приветствовать FCE в качестве еще одного партнера в усилиях по защите военной цепочки поставок и повышению ценности их бизнеса. Согласно требованиям DLA Программа для маркировки ДНК и аутентификации растет и развивается, мы продолжаем расширять возможности для компаний-производителей электроники, желающих присоединиться к программе и получить ее преимущества.«

О компании Forward Components Engineering

FCE — авторизованный дистрибьютор и сборочный / испытательный центр для военной и аэрокосмической промышленности. Имея на месте инженерный персонал и техническую команду продаж, Forward может использовать первоклассные системы качества и всестороннюю продукцию, чтобы предлагать клиентам программы на основе решений, включая услуги по распределению и логистике, сборку кабелей и жгутов, сквозные отверстия. сборка платы и упаковка, соответствующая требованиям военных / RFID. FCE предлагает обширные возможности тестирования переменного, постоянного тока и функционального тестирования для широкого спектра устройств в поддержку текущих и устаревших программ. Проверки деталей соответствуют IDEA-STD-1010 и соответствующим стандартам MIL-STD-883. FCE является компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001: 2008, и успешно заключила контракты с различными подразделениями вооруженных сил и вооруженных сил США на поддержку MV22, Blue Force Tracker, F / A-18 и многих других жизненно важных программ, критически важных для успеха American Warfighter. . Для получения дополнительной информации свяжитесь с нами по адресу info @ forwardcomponents.com.

О прикладных науках о ДНК

APDN — поставщик решений безопасности и аутентификации на основе ботанической ДНК, которые могут помочь защитить продукты, бренды и интеллектуальную собственность компаний, правительств и потребителей от краж, подделок, мошенничества и утечки. SigNature® DNA и smartDNA ™, наши основные решения по борьбе с контрафактной продукцией и аутентификации продуктов, которые практически невозможно скопировать, обеспечивают судебную цепочку доказательств и могут использоваться для судебного преследования преступников.

Заявления APDN могут иметь прогнозный характер. Заявления о перспективах описывают будущие планы, прогнозы, стратегии и ожидания APDN, они основаны на предположениях и включают ряд рисков и неопределенностей, многие из которых находятся вне контроля APDN. Фактические результаты могут существенно отличаться от прогнозируемых из-за нашей короткой операционной истории, ограниченных финансовых ресурсов, ограниченного признания рынка, рыночной конкуренции и различных других факторов, которые время от времени подробно описываются в отчетах и ​​документах APDN SEC, включая наш Годовой отчет по форме 10-K. , поданная 20 декабря 2012 г., и наши последующие ежеквартальные отчеты по форме 10-Q.APDN не берет на себя никаких обязательств по публичному обновлению каких-либо прогнозных заявлений с целью отражения новой информации, событий или обстоятельств после указанной даты, чтобы отразить наступление непредвиденных событий.

КОНТАКТЫ ДЛЯ СМИ:
Митчелл Миллер
646-543-3373
факс: 631-444-8848
КОНТАКТ ИНВЕСТОРА:
Дебби Бейли
631-444-8090
факс: 631-444-8848
FCMN Контакт:

КОНТАКТ ПО ПРОГРАММЕ:
Дженис Мераглиа
631-444-6293
Веб-сайт: http: // www.adnas.com
Twitter: @APDN, @APDNInvestor

Агентство оборонной логистики США изучает маркировку ДНК как

STONY BROOK, NY — (Marketwired — 14 ноября 2013 г.) — Applied DNA Sciences (OTCQB: APDN), (Twitter: @APDN), поставщик технологий защиты от подделки на основе ДНК и решений для проверки подлинности продуктов, сегодня выпустил обновленная информация об Информационном форуме для электротехнической и электронной промышленности 2013 г., организованном Управлением оборонной логистики США (DLA) в Колумбусе, штат Огайо, 24 октября 2013 г.

Конференция включала в себя брифинг от DLA о ДНК-маркировке микросхем SigNature®. В настоящее время существует требование о маркировке ДНК SigNature всех микросхем 5962 федерального класса поставок (FSC), поставляемых DLA. Эта презентация включена в более крупный документ, опубликованный DLA на его веб-сайте, и который можно найти здесь, на слайдах с номерами 24-43.

На слайде 42 брифинга указано, что:

DLA изучает маркировку ДНК [SigNature] вместе с другими технологиями в качестве возможного решения для предотвращения подделки этих товаров с высоким уровнем риска:

FSC 3110, подшипники (авиация)
FSC 4730, фитинги, шланги и трубы (наземные и морские или L&M)
FSC 5325, крепежные детали (поддержка войск)
FSC 5935, электрические разъемы (L&M)
FSC 5961, полу- кондукторные устройства (L&M)

Хотя эти товары представляют собой предметы повышенного риска, закупаемые DLA, в целом Агентство управляет 5.1 миллион предметов отнесен к 548 различным классам снабжения. DLA закупает 93% электрических и электронных деталей, закупаемых в поддержку услуг Министерства обороны США.

Эти товары бывают разных размеров, форм и подложек и представляют собой значительный объем деталей, закупаемых DLA. «Коммерческий опыт Applied DNA в маркировке всего, от медных кабелей до пластиковых оболочек и тканей, можно передать этим FSC», — заявил д-р Джеймс А. Хейворд, президент и генеральный директор Applied DNA Sciences.

Дженис Мераглиа, вице-президент по военным и правительственным программам в Applied DNA Sciences, заявила: «Applied DNA готова поддержать DLA в ее решимости охранять любые товары, необходимые для обеспечения готовности истребителя».

О прикладных науках о ДНК

APDN — поставщик решений безопасности и аутентификации на основе ботанической ДНК, которые могут помочь защитить продукты, бренды и интеллектуальную собственность компаний, правительств и потребителей от краж, подделок, мошенничества и утечки.SigNature® DNA и DNANet, наши основные решения по борьбе с контрафактной продукцией и аутентификации продуктов, которые практически невозможно скопировать, обеспечивают цепочку судебных доказательств и могут использоваться для судебного преследования преступников.

Заявления APDN могут иметь прогнозный характер. Заявления о перспективах описывают будущие планы, прогнозы, стратегии и ожидания APDN, они основаны на предположениях и включают ряд рисков и неопределенностей, многие из которых находятся вне контроля APDN.Фактические результаты могут существенно отличаться от прогнозируемых из-за нашей короткой операционной истории, ограниченных финансовых ресурсов, ограниченного признания рынка, рыночной конкуренции и различных других факторов, которые время от времени подробно описываются в отчетах и ​​документах APDN SEC, включая наш Годовой отчет по форме 10-K. , поданная 20 декабря 2012 г., и наши последующие ежеквартальные отчеты по форме 10-Q. APDN не берет на себя никаких обязательств по публичному обновлению каких-либо прогнозных заявлений с целью отражения новой информации, событий или обстоятельств после указанной даты, чтобы отразить наступление непредвиденных событий.

Контактная информация:

КОНТАКТЫ ДЛЯ СМИ:
Митчелл Миллер
631-240-8818
факс: 631-240-8900

КОНТАКТ ИНВЕСТОРА:
Дебби Бейли
631-240-8817
факс: 631-240-8900

Веб-сайт: http: / /www. adnas.com

Twitter: @APDN, @APDNInvestor

Стандартизация деталей — Lansdale Semiconductor

Стандартизация деталей ушла в прошлое?

Переход с MIL-M38510 (QPL) на MIL-PRF-38535 (QML) создал условия, при которых компоненты, стандартизированные для военных нужд, не соответствуют «Передовой коммерческой практике» и могут даже нарушать текущие методы управления конфигурацией.Этот документ проведет вас через исторические изменения, которые привели к ослаблению требований в рамках MIL-PRF-38535, и покажет, как DLA адаптировало этот документ для создания этого условия вопреки советам как пользователей, так и производителей продуктов.

A История технических характеристик продукта:

Первоначально существовали SCD (чертежи контроля версий): эти документы определяли экологические, электрические, маркировочные, упаковочные и технологические требования для деталей.Проблема с SCD заключалась в том, что несколько NSN создавались по существу для одного и того же номера детали.

Тогда родились части Военного стандарта. Стандарт MIL-M-38510 (Общие технические условия для микросхем) определяет систему качества, обработку пластин, сборку и упаковку, квалификацию, соответствие требованиям к контролю качества для всех деталей, предназначенных для «косой черты» и «SMD». В нем также определены группы микросхем, основанные на технологии устройства. Основным преимуществом было то, что для стандартизованных деталей на каждую деталь приходился только один NSN.Детали были внесены в Список квалифицированных деталей (QPL).

M38510 / XXX и 5962-XXXXX стали стандартными номерами деталей. Спецификации отдельных устройств определяли требования к электрическим испытаниям, чтобы несколько производителей могли квалифицировать один и тот же продукт по одной спецификации (например, TI, National и Motorola 5400 TTL, хотя и произведенные несколько иначе, будут квалифицироваться под одним и тем же номером детали). Номера групп микросхем для всех частей на слэш-листе определены в разделе 3 «Требования».

Система изменилась, когда была создана MIL-PRF-38535 (Общие технические условия для производства интегральных схем) QML (Квалифицированная производственная линия). QML — это спецификация производительности, означающая, что она носит описательный, а не предписывающий характер, при этом в большинстве приложений приводятся руководящие принципы, а не истинные требования. QML дает производителю устройства гибкость, позволяющую исключить тестирование, не добавляющее ценности, на основе статистических данных. Спецификация предназначена для документирования «Лучшей коммерческой практики». Многие определения в MIL-M-38510 были изменены или исключены, многие требования были удалены, и были добавлены новые определения.Требования к электрическим испытаниям по-прежнему покрываются спецификациями M38510 / XXX и 5962 -XXXXX.

Как указано в основной части MIL-PRF38535, многие определения, ранее содержащиеся в MIL-M-38510, были либо изменены, либо удалены. Среди них следует отметить то, что произошло с определениями типа устройства и группы микросхем. Предыдущее определение типа устройства, которое требовало, чтобы детали были электрически и функционально взаимозаменяемыми на уровне кристалла или подложки, было опущено в новом определении.Определение группы микросхем, которое требовало, чтобы продукт принадлежал к той же базовой технологии, было полностью удалено. Оба этих определения в Приложении A к MIL-PRF-38535 очень похожи на старые требования MIL-M-38510, однако Приложение A к MIL-PRF-38535 не требуется для производителей QML (хотя они по-прежнему требуются для класс M, поставщики MIL-STD-883). Таблица A-VI, в которой нумеруются группы микросхем, также все еще находится в Приложении A и определяет, что стандартный TTL-вентиль находится в группе микросхем 1; в нем также указано, что вентиль BiCMOS находится в группе 125.

Итак, что эти изменения значат для пользователей и производителей? В настоящее время часть, которая производится в соответствии со стандартом MIL-STD-883, параграф 1.2.1, должна соответствовать исходным требованиям MIL-M-38510, как теперь определено в Приложении A стандарта MIL-PRF-38535. Производитель MIL-PRF-38535 QML не обязан соблюдать требования Приложения A.

Так это проблема? Один производитель QML получил от DLA / DSCC специальное разрешение на поставку детали из BiCMOS размером 1,5 микрона с тем же номером детали, что и деталь с биполярным TTL-сигналом с 7 микронами, легированными золотом, даже несмотря на то, что на слэш-листе эта деталь определяется как принадлежащая к группе микросхем 1, а не 125, и электрические испытания показывают, что детали реагируют иначе, чем оригинал, в военном температурном диапазоне.(Посетите веб-сайт Lansdale http://www.lansdale.com/gemhtml/wkparts.htm, чтобы просмотреть фактические данные испытаний для 5 разных номеров деталей.) Другим производителям это не разрешено, поскольку все изменения, которые они вносят в технологию устройства, требуется изменение номера детали.

Другие новые определения в стандарте MIL-PRF-38535 включают 6.4.24 Форма, 6.4.25 Подгонка и 6.4.26 Функция. Форма, как определено в MIL-PRF-38535, определяет только физические и визуальные параметры и не упоминает технологию устройства. Подгонка относится только к способности физического интерфейса, функция относится к действию или действиям, для выполнения которых предназначен элемент, которые были интерпретированы как строгие требования спецификации без каких-либо «недокументированных» параметров.

Действительно ли MIL-PRF-38535 является наилучшей коммерческой практикой? Документ с требованиями EIA Engineering Aerospace Qualified Electronic Component (AQEC), который станет лучшей коммерческой практикой для компонентов авионики, так не считает. В нем конкретно указано, что детали устройств с разными технологиями не должны поставляться под одним и тем же номером детали, поскольку они не имеют одинаковой формы, соответствия и функций. Это означает, что устройства QML, которые могут поставляться через программу GEM как устройства, отличные от Gem, не должны использоваться в качестве устройств AQEC.

В мае 2003 г. в DLA было направлено совместное письмо комитетов JC13.2 и G-12. В этом письме говорилось, что, хотя программа GEM, поддерживающая устаревшие интегральные схемы для материально-технического обеспечения систем вооружения, приносит пользу, они были очень обеспокоены повторным использованием существующих стандартизированных номеров деталей. Один из основных принципов управления конфигурацией гласит, что при изменении формы, соответствия или функции элемента необходимо изменить соответствующий номер элемента. В случае устройств, имитирующих GEM, форма из-за технологии устройства явно меняется, и при этом существует вероятность различий в неуказанных или непроверенных параметрах (функциональные характеристики, ESD, радиационная стойкость и т. Д.).G-12 единогласно приняла следующее предложение:

«G-12 не поддерживает продукт старой технологии, который эмулируется с помощью новой технологии, имеющей тот же номер детали, потому что он не идентичен по форме, размеру и функциям».

Комитет JC13.2 принял аналогичное предложение в поддержку позиции G-12.

Стандартизация деталей ушла в прошлое?

ВЫВОД:

MIL-PRF-38535 упустил из виду тот факт, что эти части используются в системах вооружения военного назначения, вместо этого он сосредоточился на производственных системах, используемых для их производства. Спецификация MIL-M-38510 не позволяла деталям, эмулируемым с использованием другой технологии устройства, использовать тот же номер детали, что и оригинальные устройства, однако, похоже, что MIL-PRF-38535 (QML) был написан специально для этого, хотя он нарушает «Лучшие коммерческие практики», как это определено в спецификации EIA для частей AQEC и определениях управления конфигурацией комитетов G-12 и JC13.2.

Если MIL-PRF-38535 не вернется в соответствие с «Лучшими коммерческими методами» и практиками управления конфигурацией, больше производителей прекратят его использовать.

Хотя имитация действительно недоступных для приобретения частей является хорошей вещью для материально-технической поддержки систем вооружения, эти части не должны иметь одинаковый номер детали, потому что они «просто не одинаковы».

патентов переданы FASVER — Justia Patents Search

Номер публикации: 20050230966

Реферат: Способ и устройство для защиты текста для чтения (23), расположенного по крайней мере на одной написанной стороне (22) объекта (25). Объект (25) соединен по меньшей мере с одной согласующей антенной (12), полученной путем печати на опоре (11) и имеющей по меньшей мере одну зону электромагнитной связи (14) с индивидуальной антенной меньших размеров. По крайней мере, одна защитная пленка (3), не снабженная согласующей антенной (12), но по крайней мере с одной отдельной интегрированной антенной микросхемой, называемой микротранспондером (7), применяется для покрытия текста для чтения (23), для которого может использоваться аутентификационная информация. доставляться с помощью микротранспондера (7).

Тип: Заявление

Зарегистрирован: 27 мая 2003 г.

Дата публикации: 20 октября 2005 г.

Соискателей: Inside Contactless, Fasver SA

Изобретателей: Франсуа Трантул, Дидье Серра, Эрик Жув, Пьер Пик, Жан-Ив Леруа

Микросхема

агранулярной лобной коры: проверка общности канонической микросхемы коры головного мозга

Введение

Микросхема агранулярной лобной коры неизвестна. Влиятельная каноническая кортикальная микросхема (CCM) была подробно описана на основе работы, выполненной в зрительной коре головного мозга кошек и обезьян (Gilbert, 1983; Callaway, 1998; Douglas and Martin, 2004). Отличительные особенности этой хорошо известной модели включают восходящий вход в зернистый слой IV и локальные, зависящие от слоя образцы проекций (рис. 1). Но в отличие от зрительной коры, агранулярные лобные области демонстрируют плохо определяемую ламинарную цитоархитектуру без идентифицируемого слоя IV (Fig. 2). Тем не менее, широко распространено мнение, что CCM, описанный в ранних сенсорных областях, является повсеместным признаком неокортекса.Эта гипотеза направляет влиятельные корковые иерархии (Felleman, Van Essen, 1991; Markov et al., 2011), лежит в основе интерпретации сигнала fMRI BOLD (Logothetis, 2008; Boynton, 2011) и является основой для крупномасштабной реализации корковой функции. включая амбициозный проект Blue Brain Project (Markram, 2006; Heinzle et al. , 2007; Helmstaedter et al., 2007). Если CCM не распространяется на лобную кору, большая часть этой работы может потребовать повторной оценки. Таким образом, исследователи выступают за исследования, чтобы выявить детали микросхем в агранулярных областях (Shipp, 2005).

Рисунок 1.

Основные характеристики СКК. a , Интерактивные и межслойные возбуждающие проекции, выделяющие проекции, которые, как считается, определяют время CSD в определенных пластинках. Для ясности проекции пронумерованы в порядке временного приоритета (адаптировано из Gilbert, 1983). b , Боковые, повторяющиеся возбуждающие и тормозные проекции. Красным цветом показаны ГАМКергические проекции, оказывающие тормозящее влияние. Голубым цветом изображены глутаматергические выступы, оказывающие возбуждающее действие.Пулы пирамидных нейронов поверхностного и глубокого слоев моделируются отдельно для учета различий в распределении рецепторов GABA _A и GABA _B (адаптировано из Douglas and Martin, 1991).

Рисунок 2.

Цитоархитектура агранулярной лобной коры в сравнении со зрительной корой. a , Данные взяты из Paxinos et al. (2000) с разрешения. Срезы подвергали иммуногистохимической реакции для демонстрации белка нейрофиламента SMI32.Сулькальные ориентиры и определенные области помечены, чтобы помочь в ориентации (V1, первичная зрительная кора; V2, зрительная область 2). На врезках схем показаны примерные плоскости, с которых были взяты срезы. Области, обведенные синим цветом, увеличиваются справа. V1 может быть четко очерчен пластинками и показывает отчетливый слой IV, разделяющий слои III и V. Напротив, SEF обнаруживает кластеры пирамидных клеток в слое III с менее плотными пирамидными клетками в слое V (Geyer et al., 2000). b , Сравнение ламинарного распределения ацетилхолинэстеразы (AChE), миелиновых волокон и вещества Ниссля в первичной зрительной коре (вверху) и SEF (внизу).Каждая пара представляет собой ткань, взятую у одной и той же обезьяны. Выраженная слоистая структура зрительной коры контрастирует с более однородным внешним видом SEF. Ламинарный паттерн окрашивания AChE в SEF сильно отличается от такового в первичной зрительной коре, будучи наиболее плотным в слое I и плотным также в слоях V и VI. Сходным образом ламинарный паттерн окрашивания миелиновых волокон в SEF заметно отличается от такового в первичной зрительной коре головного мозга, не имеет ламинации и наиболее плотен только до слоя II.Сечения Ниссля показывают, что SEF полностью отличается от первичной зрительной коры без четкой границы, разделяющей однородные слои II и III, которые содержат в основном маленькие пирамиды, за исключением самой нижней части III, в которой присутствуют пирамиды среднего размера. Слой VI содержит в основном веретеновидные клетки и по плотности клеток может быть разделен на поверхностные, относительно редкие и более глубокие, относительно плотные подслои (Matelli et al., 1991).

Плотность источника тока (CSD), полученная из потенциала локального поля (LFP), выявляет ламинарную последовательность нейронной активации в корковых слоях (Freeman and Nicholson, 1975; Nicholson and Freeman, 1975; Mitzdorf and Singer, 1978, 1979; Mitzdorf, 1985). ; Buzsáki et al., 1986). Используя линейные электроды для сравнения LFP на соседних участках, можно удалить потенциалы дальнего поля и ссылочные артефакты и наблюдать локальный ток (Kajikawa and Schroeder, 2011). Этот подход выявляет временную структуру активности корковых слоев по мере того, как ансамбли дендритов последовательно деполяризуются (Di et al., 1990; Schroeder et al., 1998; Lakatos et al., 2007; Lipton et al., 2010). Таким образом, CSD обеспечивает функциональное считывание кортикальных микросхем, охватывая более широкое поле зрения, чем единичный и оптогенетический подходы.В сочетании с измерениями пиковой активности CSD также может выявить ламинарное происхождение одно- и многоэлементной активности. Однако те самые свойства, которые делают агранулярную кору полезной для тестирования универсальности CCM, могут сделать записи CSD непрактичными. Подход CSD оказался эффективным в сенсорных областях именно из-за их анатомической структуры; дендриты нейронных ансамблей ветвятся вместе в четко определенные слои и деполяризуются в унисон, позволяя наблюдать суммирование тока в мезоскопическом масштабе (Freeman and Nicholson, 1975; Nicholson and Freeman, 1975; Mitzdorf, 1985; Riera et al. , 2012). При отсутствии слоя IV и отсутствии четких ламинарных границ агранулярная лобная кора не может производить интерпретируемый CSD.

Чтобы ответить на эти вопросы, мы сообщаем о первом CSD, измеренном в лобной коре. Используя LFP в сочетании с ламинарными одно- и многоэлементными записями, мы охарактеризовали функциональные параметры кортикальной микросхемы в агранулярном дополнительном поле глаза (SEF), хорошо изученной области дорсомедиальной области 6 (Schlag and Schlag-Rey, 1987; Matelli et al. , 1991; Schall, 1991).Хотя многие функции соответствовали СКК, наблюдались также ключевые различия.

Результаты

Используя линейные матрицы микроэлектродов (расстояние между контактами 150 мкм), мы зарегистрировали визуально вызванные и связанные с саккадами LFP и спайки от SEF двух макак. Мы приобрели 12 342 испытания (6448 обезьян E, 5894 обезьян X) за 17 сеансов (7 обезьян E, 10 обезьян X). Количество сеансов аналогично тому, которое использовалось в предыдущих исследованиях, в которых регистрировали CSD из полосатой коры головного мозга (Maier et al. , 2010; Maier et al., 2011; Spaak et al., 2012), хотя количество испытаний за сеанс несколько больше.

SEF был обнаружен с помощью внутрикортикальной электрической микростимуляции, чтобы вызвать движения глаз (Schlag and Schlag-Rey, 1987; Schall, 1991; Tehovnik et al., 1999; Martinez-Trujillo et al., 2004; рис. 3 a , b ). Чтобы получить CSD, мы подтвердили, что электродные решетки вошли в кору перпендикулярно поверхности коры с помощью комбинированной МР- и КТ-визуализации (рис. 3 c – j ).После того, как электродный массив осел в коре (3–4 ч), мы представили широкопольные (угол обзора 40 × 36 °) световые вспышки (34,80 кд / м ² ) блоками по 100–200 предъявлений, аналогично стимулы, которые ранее использовались для характеристики ламинарных микросхем зрительной коры (Schroeder et al., 1998; Maier et al., 2010). Перемежаясь с этими блоками зрительной стимуляции, мы регистрировали активность во время спонтанных движений глаз, производимых, когда обезьяны отдыхали в темноте в течение 5–10 минут.

Рисунок 3.

Расположение и угол проникновения записей. a , b , Карты, полученные на основе эффектов внутрикортикальной электрической микростимуляции у каждой обезьяны. Слева показано переднее расположение центра камеры. Кружками обозначены отверстия в решетке на расстоянии 1 мм друг от друга. Легенда показывает типы движения, вызванные подаваемым током 50–200 мкА. Перекрестие показывает расположение направляющих трубок на КТ-изображениях справа. c – j , Coregistered MR (зеленый), показывающий мягкие ткани, включая серое вещество и белое вещество, с CT (красный), показывающий кость, адаптеры камеры из нержавеющей стали, титановые винты, титановые подголовники, некоторое количество стоматологического акрила, используемого в имплантатах, и направляющие трубы из нержавеющей стали. c , d , Показать корональную и сагиттальную плоскости для обезьяны X. e , f , Показать корональную и сагиттальную плоскости для обезьяны E. Синие квадраты в c – f увеличены в г – дж . Голубые линии в g – j показывают пиальную поверхность и переход от серого вещества к белому веществу. Тонкие желтые линии показывают результат автоматизированного алгоритма, который минимизировал расстояние между пиальной поверхностью и серым веществом для вычисления углов, перпендикулярных серому веществу (см. Материалы и методы).Толстые желтые линии показывают траекторию электродных решеток в зависимости от ориентации направляющих трубок. Толстые и тонкие желтые линии практически параллельны в точках въезда. Эта ориентация подтверждает правильность измерения CSD.

Однократная визуально вызванная CSD

На рис. 4 показаны данные, собранные во время репрезентативного сеанса. Чтобы интерпретировать CSD, необходимо было оценить глубину массива электродов относительно серого вещества, как описано (см. Материалы и методы). Несколько физиологических показателей предоставили информацию о положении электродов.Во-первых, на поверхностном канале наблюдался артефакт, связанный с сердечным ритмом (далее именуемый артефактом пульса). Этот сигнал указывал, где электрод контактировал либо с твердой мозговой оболочкой, либо с эпидуральным физиологическим раствором в записывающей камере, который заметно пульсировал вместе с сердцебиением обезьян. Во-вторых, во время всех сеансов мы наблюдали заметное увеличение мощности в диапазоне частот γ (40–80 Гц) на нескольких контактах электродов, которое постепенно уменьшалось в более глубоких местах.Несколько недавних исследований показали повышенную мощность гамма-излучения в поверхностных и средних слоях по сравнению с глубокими слоями (Maier et al., 2010; Xing et al., 2012; Smith and Sommer, 2013), предполагая, что этот показатель является еще одним полезным маркером для оценки глубины. . Наконец, мы записали хорошо изолированные отдельные единицы одновременно с LFP и совместили их положение с маркерами, описанными выше. Этот набор различных физиологических сигналов предоставил сходные доказательства для оценки положения электрода с учетом ламинарных глубин, которые были назначены с помощью процедуры автоматического выравнивания (описанной в материалах и методах и ниже).

Рис. 4.

Необработанные и обработанные данные репрезентативного сеанса (1316 испытаний). a , Схематическая диаграмма электродной решетки в масштабе и размещена на разрезе Ниссля из SEF (адаптировано из Matelli et al., 1991 с разрешения). b , Три секунды необработанного LFP, записанного с каждого из контактов. Красная кривая (восьмая сверху) показывает артефакт пульса. c , полосовой фильтр LFP от 40 до 80 Гц. Синие кривые показывают активность γ, превышающую среднее значение. d , Нормализованная средняя мощность γ, зарегистрированная на каждом контакте электрода во время сеанса (синий), по сравнению со средней мощностью γ, записанной для всех контактов (вертикальная черная линия). Обратите внимание на выраженное увеличение мощности γ на контактах в нейропиле. e , Суммарный рисунок, показывающий глубину артефакта пульса (красная линия), повышенная мощность γ (синяя линия) и количество хорошо изолированных одиночных единиц (черные треугольники), зарегистрированных одновременно. Во время этого сеанса мы записали 29 хорошо изолированных одиночных устройств: 2 устройства на 5 каналах и 3 устройства на других 5 каналах. f , Триста миллисекунд LFP, связанного с событием, выровнены со стимулом вспышки (вертикальная черная линия). Обратите внимание на изменение полярности напряжения в канале с артефактом импульса. Выше этого канала сигнал представляет собой объемную ЭЭГ в физиологическом растворе, заполняющем камеру записи. Ниже этого канала сигналы представляют собой электрокортикограмму, записанную с пиальной поверхности, и LFP, записанные с серого вещества. g , Триста миллисекунд CSD, полученных из LFP, интерполяция между контактами с разрешением 10 мкм. Вертикальная черная линия показывает начало вспышки.

Основываясь на известной толщине отдельных слоев в SEF (Мателли и др., 1991), мы оценили ламинарные границы и отнесли визуально вызванные стоки тока к определенным слоям (см. Материалы и методы). В репрезентативном сеансе записи наибольший сток (минимум = -42 нА / мм ³ ) произошел в слое III, начиная примерно через 50 мс после предъявления стимула. Второй сток (минимум = -25 нА / мм ³ ) начался несколькими миллисекундами позже в слое V.Более позднее погружение (минимум = -23 нА / мм ³ ) произошло более поверхностно в слоях I / II, а дополнительные более слабые погружения (минимум = -20 нА / мм ³ ) были очевидны в слое VI.

Также очевидно несколько источников тока, в том числе один на уровне артефакта пульса. В соответствии с предыдущими исследованиями мы интерпретируем этот источник как пассивный ток, возвращающийся к нижним стокам, потому что он был зарегистрирован на том же уровне, что и импульсный артефакт, и, следовательно, не может иметь корковое происхождение (Mitzdorf, 1985). В общем, источники тока могут быть вызваны либо пассивным обратным током, либо дендритной гиперполяризацией, что затрудняет их интерпретацию, чем стоки тока (Nicholson and Freeman, 1975; Mitzdorf, 1985). Поэтому в оставшейся части этого исследования мы сосредоточимся на текущих стоках.

Чтобы увеличить SNR, мы усреднили вызванные паттерны CSD по сеансам записи, аналогично созданию больших средних ERP из данных ЭЭГ, как это делалось ранее (Maier et al., 2010; Riera et al., 2012). Чтобы сделать это беспристрастным, управляемым данными образом, мы разработали автоматическую процедуру выравнивания глубины, чтобы максимизировать сходство между сеансами записи с использованием всей ламинарной структуры источника и стока и времени.Это математически оптимизированное решение для выравнивания глубины основано на единственном предположении, что есть надежные сходства в CSD, измеренные во время сеансов записи (см. Материалы и методы). На рисунке 5 показаны результаты этой процедуры с данными каждого сеанса записи. Абсолютная величина CSD варьировалась день ото дня и у разных обезьян, но в каждом сеансе мы наблюдали четкое снижение в слое III через ~ 50 мс после визуального стимула (рис. 5 b ). В 15 из 17 сеансов (88%) мы также наблюдали второй сток в слое V, а в 16 из 17 сеансов (94%) мы наблюдали третий сток в слоях I / II.На нескольких сеансах записи мы размещали электродную решетку слишком поверхностно, чтобы брать образец из слоя VI, но мы наблюдали опускание в этом месте в 11 из 13 сеансов (85%). Эти согласованности подтверждают предположение, что CSD надежен для сеансов записи и обезьян. Примечательно, что метод автоматического выравнивания не учитывал физиологические сигналы, описанные выше (то есть импульсный артефакт, мощность LFP γ и местоположения отдельных единиц), потому что он полагался исключительно на данные CSD. Тем не менее, мы наблюдали тесное соответствие между его оценками глубины коры головного мозга и другими физиологическими сигналами, наблюдаемыми в необработанных данных, что еще раз подтверждает точность этого подхода (рис. 5 с ). Дополнительным доказательством точности этой процедуры автоматического выравнивания являются наши выводы о нейронных ответах, которые различаются по слоям в SEF (см. Ниже).

Рис. 5.

Результаты автоматизированной процедуры согласования записей U-зонда по сеансам. A , CSD, вызываемая визуально, записывается индивидуально для каждого сеанса. Обезьяна и место каждого проникновения указаны выше. Записи выровнены слева направо в хронологическом порядке для каждой обезьяны.Цифры вверху указывают масштабы карт CSD (нА / мм ³ ). Горизонтальные черные полосы указывают предполагаемое среднее местоположение серого вещества на основе физиологических сигналов. b , Визуально вызванные CSD, замаскированные, чтобы показать местоположения четырех усредненных визуально вызванных поглотителей, представленных на Рисунке 6. Обратите внимание на близкое соответствие в расположении этих поглотителей во время сеансов записи, демонстрирующее сходство в CSD, записанное в последующие дни, и успех нашей автоматической процедуры выравнивания. c , Физиологические сигналы, обнаруживаемые в необработанных данных по отдельным сеансам. Импульсный артефакт (красные линии), повышенная гамма-активность (синие линии) и отдельные единицы (черные треугольники) хорошо согласуются с нашей оценкой местоположения серого вещества (серая заливка).

Гранд-средний, визуально вызываемый CSD

Чтобы гарантировать, что данные от обеих обезьян вносят равный вклад в среднюю CSD, сохраняя при этом ее абсолютную величину, мы нормализовали данные так, чтобы SD средней CSD каждой обезьяны соответствовал SD средней CSD.Мы подтвердили, что такая же качественная картина результатов наблюдалась, когда данные не были нормализованы, но сообщаем результаты этого подхода, потому что он дает среднее значение, менее подверженное влиянию выбросов. Визуально вызванный сток тока наблюдался на глубине записи 2 мм (рис. 6 a ). Из-за расположения электродной решетки более глубокие каналы отбирались реже, чем поверхностные каналы ( N = 17 каналов 1–12, N = 15 каналов 13, N = 13 каналов 14–15, N = 11 канал 16). Пиковая величина -25 нА / мм ³ составляет лишь ~ 15% от величины визуально вызванного потока тока, зарегистрированного для первичной зрительной коры с использованием аналогичных параметров стимуляции и методов записи и анализа (Maier et al., 2010). Тем не менее, была очевидна четкая ламинарная последовательность стоков тока. Два начальных опускания наблюдались в большом среднем CSD, предполагая, что зрительные афференты оканчиваются двумя отдельными пластинками. Эти данные согласуются с опубликованными анатомическими данными (Matelli et al., 1991).Хотя в нем отсутствует зернистый слой, SEF содержит два слоя относительно плотных пирамидных клеток, один в глубоком слое III и второй формирующий слой V, которые оба получают зрительные афференты (Maioli et al., 1998; Shipp et al., 1998 см. Обсуждение. ).

Рисунок 6.

Гранд-среднее, визуально вызванное (слева) и связанное с саккадой (справа) CSD из SEF. Сечение Ниссля из SEF в центре указывает на ламинарную архитектуру (адаптировано из Matelli et al. , 1991 с разрешения). a , CSD, записанный, когда обезьяны пассивно наблюдали широкопольные вспышки света.Наблюдалось четыре стока тока, которые пронумерованы в порядке появления. b , запись CSD, когда обезьяны совершали спонтанные саккады в темноте. c , d , данные из a и b воспроизведены без интерполяции, с выделением периодов времени, когда каналы значительно отклоняются от базового уровня (выполняется Wilcoxon, p <0,05 для> 5 последовательных Интервалы времени 10 мс).Показаны шестнадцать глубин канала.

Мы использовали два метода для измерения начальной задержки приемников в каждом слое (см. Материалы и методы). Во-первых, мы оценили отличия от исходного уровня, используя текущий подход Вилкоксона. Этот метод довольно чувствителен, но дает только одну меру задержки между сеансами для каждого уровня. Первый сток (мин -25 нА / мм ³ ) появился в слое III через 51 мс после стимула и стал максимальным через 72 мс. Второй сток (мин -22 нА / мм ³ ) развивался в слое V на 55 мс, становясь максимальным после 105 мс.Последующие понижения произошли в слоях I / II (мин -14 нА / мм ³ ) при 147 мс (пик на 168 мс) и в слое VI (мин-10 нА / мм ³ ) при 172 мс (пик при 173 мс). РС). Мы также измерили латентность начала ламинарных поглотителей в отдельных сеансах, записав время, когда поглотитель достигал максимума 33%. Хотя этот метод несколько менее чувствителен, поскольку не может идентифицировать малозаметные начала, он дает полезную оценку вариабельности между сеансами записи. Используя этот подход, мы записали следующие средние задержки ± SEM: слой III 50 ± 3 мс, слой V 73 ± 7 мс, слои I / II 100 ± 12 мс, слой VI 159 ± 25 мс.

Для количественной оценки этих наблюдений мы разделили временной ход после визуального представления на раннюю (51–150 мс) и позднюю (151–250 мс) эпохи и провели иерархический дисперсионный анализ с повторными измерениями с использованием слоев, эпох и обезьян в качестве фиксированных факторов. и номер сеанса как случайный фактор, вложенный в фиксированный фактор обезьяны (Self et al., 2013). Мы наблюдали значительные различия в CSD по слоям ( F _(3,129) = 9,87, p = 4,73 × 10 ⁻⁵ ) и снижение CSD по слоям в позднюю эпоху ( F _{( 1,129)} = 166.28, p = 1,51 × 10 ⁻¹⁰ ). Также наблюдался значительный главный эффект между обезьянами, показывающий, что CSD имел тенденцию быть больше по величине для обезьяны E ( F _(1,129) = 21,91, p = 2,75 × 10 ⁻⁴ ). Не было отмечено значительных эффектов для вложенного случайного фактора числа проникновений ( F _(15,129) = 0,57, p = 0,86). Важно отметить, что значительное взаимодействие между слоями и периодами времени наблюдалось в CSD большого среднего ( F _(3,129) = 21.96, p = 6.55 × 10 ⁻⁹ ). В качестве дополнительного теста мы провели межсессионные тесты Вилкоксона на каналах, разделенных расстоянием между электродами (150 мкм). Все четыре стока тока значительно отличались от исходного уровня (рис. 6 c ). Таким образом, даже несмотря на то, что плотность тока была слабее, чем плотность тока, наблюдаемая в ранней сенсорной коре, картина синаптического тока в средних слоях, за которым следовали ток в поверхностных и глубоких слоях, была согласована на всех сессиях и была подобна, хотя и не идентична CSD, полученной в ранней сенсорной кора головного мозга (Mitzdorf, Singer, 1978; Schroeder et al., 1998; Lakatos et al., 2007; Lipton et al., 2010; Riera et al., 2012).

CSD, относящийся к саккаде

Чтобы определить, является ли этот паттерн текущих стоков специфичным для визуального ввода или возникает с другими событиями, во время которых модулируется SEF, мы вывели CSD, связанный с самогенерируемыми саккадическими движениями глаз в темноте. CSD, связанный с саккадами, на отдельных сессиях был очень слабым, но после выравнивания и усреднения мы наблюдали отчетливые опускания (Рис. 6 b , d ).Чтобы гарантировать, что пресаккадическая модуляция может быть обнаружена, если она присутствует, мы также проанализировали период 200 мс непосредственно перед инициированием саккады. В течение этого периода времени не было обнаружено значительного тока. Хотя нейроны SEF, как правило, имеют поля контралатерального движения (Schall, 1991), никакие каналы не показали значимых различий между ипсиверсивными и контраверсивными саккадами [сумма рангов Вилкоксона, все p s> 0,05], поэтому мы описываем результаты, не соответствующие направлению саккад. CSD, связанный с саккадой, был слабым, постаккадическим и концентрировался в верхних слоях, достигая максимума в слое III (мин -9 нА / мм ³ ) через 32 мс после начала саккады и более поверхностно (мин -10 нА / мм ³ ) через 162 мс.Отсутствие сильного пресаккадического стока в слое V согласуется с др. Доказательствами, что SEF не вносит непосредственного вклада в продукцию саккад (Stuphorn et al., 2010). Таким образом, структура стоков тока, вызванная визуальной стимуляцией, специфична для визуального ввода.

Единичные единицы, зарегистрированные с помощью линейной матрицы микроэлектродов

Мы зарегистрировали пиковую активность 295 отдельных единиц одновременно с LFP (115 обезьян E, 180 обезьян X). Немногие исследователи сообщили о единичных данных, записанных с помощью недавно разработанной электродной решетки, используемой в текущем исследовании (Hansen and Dragoi, 2011; Hansen et al., 2012). Поэтому мы включаем описание метрик всплесков, включая качество изоляции с использованием ложноположительных и ложноотрицательных оценок, и описание форм всплесков по глубине, а также меры ширины всплесков и изменчивости всплесков в зависимости от глубины записи.

На рисунке 7 показано пространство анализа главных компонентов (PCA) и связанные формы сигналов из примеров сеансов, взятых от каждой обезьяны. Эти данные показывают, что электродная решетка была способна эффективно изолировать отдельные блоки.Мы количественно оценили изоляцию, оценив количество ложноположительных и ложноотрицательных пиков, обнаруженных для каждой предполагаемой единичной единицы (Hill et al., 2011a). В целом, 88% предполагаемых единичных единиц дали ложноположительные результаты ниже 10%, а 95% дали ложноположительные результаты ниже 20%. Кроме того, 53% предполагаемых единичных единиц дали ложноотрицательные показатели ниже 10%, а 81% дали ложноотрицательные показатели ниже 20%. Эти результаты сопоставимы с показателями изоляции, полученными в других исследованиях с использованием тех же методов (Hill et al., 2011b; Jacobs et al., 2013). Тем не менее, частота ложноположительных результатов несколько ниже, что свидетельствует о том, что наши единичные данные содержат очень мало ложноположительных результатов, а частота ложноотрицательных результатов несколько выше, чем те, о которых сообщалось ранее, что позволяет предположить, что мы недооценили нейронный выброс с помощью строгих критериев сортировки. В совокупности эти меры предполагают, что мы приняли консервативный подход к назначению пиков для единичных кластеров. Низкая частота ложноположительных результатов подтверждает наше утверждение о том, что единичные записи отражают активность отдельных нейронов, но относительно высокая частота ложноотрицательных результатов говорит о том, что мы недооценили частоту срабатывания некоторых из этих нейронов.В целом, эти результаты показывают, что U-зонд способен изолировать активность отдельных нейронов с характеристиками, сопоставимыми с характеристиками традиционных вольфрамовых электродов.

Рис. 7.

Пример сигналов и прогнозируемое пространство PCA для восьми отсортированных каналов. Серые облака представляют собой многокомпонентную активность (несортированные переходы через порог). Каналы 1–4 взяты из записей с обезьяной X, а каналы 5–8 — из записей с обезьяной E.

Амплитуда пиков не может использоваться в качестве надежного показателя морфологии нейронов, поскольку на этот показатель влияет как размер нейрона, так и его близость к регистрирующему электроду, но другие показатели формы волны могут дать представление.Например, количество пиков в импульсной форме волны может указывать, какой сегмент нейрона участвовал в записи. Двухфазные волновые формы распространены и, как правило, регистрируются от тел клеток или начального сегмента аксонного холма, тогда как трехфазные волновые формы редко встречаются в нейропиле, потому что они обычно записываются с аксонов (для обзора см. Lemon, 1984). Мы отметили значительную долю трехфазных сигналов при записи с помощью U-зонда (39 из 295, 13%). Эти агрегаты обычно были временными и не изолировались надолго.Это отличительный признак записи аксонов, потому что внеклеточные потенциалы аксонов во много раз меньше, чем генерируемые сомами клеток, и поэтому электрод должен располагаться очень близко к аксону, чтобы обнаружить его активность (Lemon, 1984). Мы предполагаем, что U-зонд должен подходить для регистрации активности аксонов из-за геометрии контактов электродов. В отличие от традиционных вольфрамовых микроэлектродов с острой записывающей поверхностью, гладкие электродные контакты на стержне U-образного зонда можно разместить в непосредственной близости от аксона, не прокалывая и не повреждая его.Мы количественно оценили количество двухфазных и трехфазных одиночных нейронов, зарегистрированных в каждом слое коры и в белом веществе (см. Материалы и методы). Из 36 отдельных единиц, записанных со слоя II, ни один не отображал трехфазные формы волны. Очень небольшая часть (5 из 116, 4%) отдельных единиц, записанных в слое III, показывала трехфазные формы волны. Большие доли трехфазных сигналов были обнаружены в слоях V (11 из 90, 12%) и VI (11 из 31, 35%). В белом веществе большинство волн были трехфазными (12 из 22, 55%), что позволяет предположить, что многие из этих ответов были записаны от аксонов, а меньшее — от интерстициальных нейронов непосредственно под слоем VI (Suárez-Solá et al., 2009). Поскольку невозможно определить слой, откуда произошли эти предполагаемые аксоны, мы исключили их из дальнейшего анализа.

Ширина спайка — еще один полезный показатель формы волны, который использовался для классификации нейронов как предполагаемых пирамидных клеток или предполагаемых интернейронов (Constantinidis et al., 2002; Barthó et al., 2004; Mitchell et al., 2007; Cohen et al., 2009; но см. Vigneswaran et al., 2011). Мы измерили ширину пиков, исключая блоки с трехфазной формой волны (Mitchell et al., 2007). Общее распределение ширины шипов было похоже на то, что описано для V4 (Mitchell et al., 2007) и лобного поля глаза (FEF; Cohen et al., 2009) с использованием аналогичных критериев (рис. 8). Мы оценили изменчивость скорости стрельбы путем расчета коэффициентов вариации, измеренных на интервалах между спайками (Cohen et al., 2009). В соответствии с предполагаемой связью между узкими пиками и интернейронами, мы обнаружили, что единицы с узкими пиками демонстрируют большую изменчивость во времени пиков, чем единицы с широкими пиками [блок с широким пиком N = 203, блок с узким пиком N = 53 Сумма рангов Вилкоксона W = 23971, p = 1.06 × 10 ⁻⁵ ]. Этот результат был идентичен, когда мы ограничили наш анализ отдельными единицами с ложноположительными показателями <5% [единица с широким пиком N = 170, единица с узким пиком N = 36, сумма рангов Уилкоксона W = 16214, p = 2,15 × 10 ^-5 ]. Эти данные предоставляют новые доказательства, подтверждающие биофизическое различие между узкими и широкими шипами единиц в агранулярной коре головного мозга. В объединенной выборке единичных единиц мы обнаружили небольшую, но значимую корреляцию между шириной пика и глубиной записи ( r ₍₂₅₄₎ = 0.15 р = 0,01). Отдельный регрессионный анализ единиц с узкими и широкими пиками показал, что единицы с широкими пиками были основным источником этого эффекта. Единицы с широкими иглами увеличивались по ширине с увеличением глубины записи ( r ₍₂₀₁₎ = 0,42 p = 6,47 × 10 ⁻¹⁰ ), в то время как единицы с узкими иглами остались той же ширины по глубине ( r ₍₅₁₎ = 0,07 p = 0,60). Эти результаты были идентичны, когда мы ограничили наш анализ единицами с ложноположительными показателями <5% (единица с широкими пиками r ₍₁₆₈₎ = 0.44 p = 1,77 × 10 ⁻⁹ ; узел с узким штифтом r ₍₃₄₎ = 0,13 p = 0,46). Обнаружение увеличения ширины шипа для нейронов с широким шипом в зависимости от глубины согласуется с анатомией; большие пирамидные нейроны более распространены в более глубоких слоях. Частота появления нейронов с узкими шипами соответствовала плотности парвальбумина, но не нейронов, экспрессирующих кальретинин или кальбиндин, в SEF (рис. 9). Это открытие открывает интересную возможность того, что единицы с узкими шипами могут в первую очередь быть интернейронами, экспрессирующими парвальбумин, поскольку они обнаруживаются во всех слоях SEF и имеют тенденцию иметь более крупные клеточные тела.

Рисунок 8.

Биофизические характеристики единичных единиц. a , Все двухфазные кривые в популяции. Красный и синий обозначают узкие и широкие пики соответственно (разделенные на 250 мкс). Этот цветовой код такой же в остальных частях. b , Кумулятивные распределения вероятностей CV межспайковых интервалов, построенные отдельно для единиц с широкими и узкими иглами. Единицы с узкими пиками показали большую изменчивость по времени пиков. c , Ширина пика как функция глубины записи.Диаграмма разброса показывает регрессию ширины шипа по глубине, разделенную популяциями с широким и узким шипом. Гистограммы показывают распределение единиц с широкими и узкими пиками по каждому измерению. Ширина широких шипов увеличивалась с глубиной. Для единиц с узкими шипами такой тенденции не наблюдалось. d , Подсчет единиц с широкими и узкими иглами, зарегистрированными в каждом слое.

Рисунок 9.

Распределение ГАМКергических интернейронов в SEF. Слева: корональные срезы через SEF, иммуногистохимически прореагировавшие на указанные кальций-связывающие белки.Справа: график расположения положительных нейронов, идентифицированных с использованием процедуры полуавтоматической классификации (см. «Материалы и методы»), с соответствующими гистограммами количества клеток в зависимости от глубины. Нейроны кальретинина и кальбиндина являются наиболее плотными в слое II с уменьшающейся более глубокой плотностью, в то время как нейроны парвальбумина более равномерно распределены по слоям.

Визуально вызванная пиковая активность

Гипотеза CCM делает подробные прогнозы пиковой активности (Дуглас и Мартин, 1991; Дуглас и др., 1995). Во-первых, предполагается, что возбуждение с последующим подавлением является общей чертой CCM. Во-вторых, возбуждающие и тормозящие нейроны получают синхронизированные входные сигналы; в противном случае повторяющиеся возбуждающие связи привели бы к неограниченному возбуждению. В-третьих, при эффекте, опосредованном относительными различиями в экспрессии рецепторов GABA _A и GABA _B , внутриклеточные записи в первичной зрительной коре показывают, что пирамидные клетки в поверхностных слоях достигают максимального состояния гиперполяризации позже, чем в глубоких слоях.Эти прогнозы были проверены в SEF путем измерения скорости визуально вызванных разрядов одиночных и множественных единиц, записанных одновременно с LFP. Из зарегистрированных единичных единиц 103 (35%) показали четкую модуляцию после предъявления мигающего стимула (63 обезьяны E, 40 обезьян X). Мы также зарегистрировали пороговую активность нескольких единиц с четкими визуально вызванными ответами в 58 точках (42 обезьяны E, 16 обезьян X). Мы включили эту многокомпонентную активность в наш анализ латентности, но исключили ее в анализах, где ширина спайков использовалась для классификации типов нейронов.

Визуально чувствительные единицы были зарегистрированы во всех слоях SEF (рис. 10, таблица 1). Как сообщалось ранее (Schlag and Schlag-Rey, 1987; Schall, 1991; Chen and Wise, 1995), некоторые устройства показали усиление пиков (80, 50%), а другие — подавление пиков (81, 50%) после появления зрительного стимула. Мы выполнили 4 × 2 ANOVA, чтобы определить, различалась ли задержка этих ответов между слоями (четыре уровня) и типами ответов (два уровня, то есть усиление против подавления). Задержки были значительно короче для единиц с усиленными ответами, чем для единиц с подавленными ответами ( F _(1,149) = 16.62, p = 7,6 × 10 ⁻⁵ ). Таким образом, в совокупности пиковая активность SEF представляет собой визуально вызванную волну возбуждения, за которой следует подавление. Латентность визуально вызванных откликов единиц существенно не различалась по слою ( F ₍₃₁₄₉₎ = 1,18, p = 0,32), а также не было очевидного взаимодействия между слоем и типом ответа ( F _(3,149) = 0,53, p = 0,66). Таким образом, временная и пространственная картина возбуждения и подавления в SEF согласуется с первым предсказанием модели CCM.

Рис. 10.

Одиночные и множественные задержки визуально вызванных ответов на мигающие стимулы. a , Репрезентативные единицы, записанные из слоя II (красный), слоя III (зеленый), слоя V (синий) и слоя VI (черный), демонстрирующие либо усиленную (слева), либо подавленную скорость разряда (справа) после стимула . Заштрихованные области указывают 95% доверительные интервалы, измеренные по предъявленным стимулам. Вертикальными линиями отмечены задержки ответа. b , Кумулятивные распределения задержек отклика модулей, разделенные по уровням и типам отклика.Расширенные ответы показали более короткие задержки, чем подавленные. См. Также таблицу 1.

Таблица 1.

Сводная статистика единиц с визуальными ответами, записанными с каждого слоя

Семьдесят семь единиц с широкими пиками и 15 единиц с узкими пиками показали четко определяемое время начала (среднее ± стандартное отклонение, 107 ± 43 мс единиц с широкими пиками, 97 ± 43 мс единиц с узкими пиками). Чтобы проверить, получают ли возбуждающие и тормозящие нейроны синхронизированные входные данные, мы определили, обнаруживают ли предполагаемые пирамидные клетки и интернейроны в SEF схожие латентные периоды.В соответствии с моделью CCM, время начала не различается значительно между единицами с широкими и узкими пиками [сумма рангов Вилкоксона W = 3664, p = 0,38]. Чтобы гарантировать, что ширина шипа была надлежащим образом оценена по хорошо изолированным единичным единицам, мы повторили этот анализ после отбраковки единиц с ложноположительными показателями> 5%. Этот критерий исключил 14 предполагаемых пирамидных клеток и 4 предполагаемых интернейрона. Идентичные результаты были получены с этим подмножеством [сумма рангов Вилкоксона W = 2410, p = 0.48].

Чтобы проверить, можно ли различить поверхностный и глубокий слои на основе времени гиперполяризации, мы определили, следовало ли максимальное визуально вызванное подавление спайков более длительному временному ходу в нейронах, записанных с верхних и нижних слоев в SEF. Это аналогично внутриклеточным записям, показывающим, что время максимальной гиперполяризации в нейронах поверхностного слоя наступает позже, чем в нейронах глубокого слоя первичной зрительной коры (Douglas and Martin, 1991). Кроме того, поскольку этот результат основан на ламинарных различиях в относительной пирамидной экспрессии нейронов рецепторов GABA _A и GABA _B , мы предсказали, что этот эффект будет ограничен только единицами с широким выбросом.Внеклеточные записи в SEF подтвердили эти прогнозы (рис. 11). Мы ограничили этот анализ визуально связанными единицами, которые показали снижение пиков после начала стимула по сравнению с исходным уровнем. Время максимального подавления спайков, зарегистрированное от единиц в слоях II и III (среднее ± стандартное отклонение, 144 ± 61 мс), было значительно позже, чем время максимального подавления спайков от единиц, зарегистрированных в слоях V и VI (среднее ± стандартное отклонение, 115 ± 62 мс) [сумма рангов Вилкоксона W = 2387, p = 4,30 × 10 ⁻³ ].Мы дополнительно исследовали этот эффект, анализируя единицы с широкими и узкими пиками по отдельности. Как и предполагалось, нейроны с широкими шипами, зарегистрированные в поверхностных слоях, показали значительно более позднее максимальное подавление шипов, чем нейроны с широкими шипами, зарегистрированные в глубоких слоях [сумма рангов Вилкоксона W = 1719, p = 3,5 × 10 ⁻³ ], но этого не наблюдалось для единиц с узкими пиками [сумма рангов Вилкоксона W = 58, p = 0,80]. Мы повторили этот анализ, используя только хорошо изолированные единичные блоки, показывающие уровень ложноположительных результатов <5%.Этот критерий исключил 11 и 2 единицы с широкими шипами из поверхностных и глубоких слоев, соответственно, и 3 единицы с узкими шипами из поверхностных слоев. Идентичные результаты были получены с этим подмножеством. Единицы с широкими шипами в поверхностных слоях все же показали позднее максимальное подавление шипов [сумма рангов Вилкоксона W = 1042, p = 0,01], и этот результат остался отсутствовать для единиц с узкими шипами [сумма рангов Вилкоксона W = 28, p = 0,95]. Добавляя доказательства различий в ингибировании между слоями, общая вероятность регистрации единиц с подавленными ответами была также выше в поверхностных слоях, о чем свидетельствует значительная разница в глубине по типу ответа [сумма рангов Вилкоксона W = 6509, p = 5 .28 × 10 ^-4 ]. Таким образом, временной ход и распределение подавления визуально вызванных спайков в SEF согласуется с моделью CCM.

Рис. 11.

Латентность максимального подавления спайков, дифференцированная в зависимости от глубины нейрона и ширины спайка. Поверхностные слои (II и III) в сравнении с глубокими слоями (V и VI) и единицы с широкими шипами (синим цветом) по сравнению с элементами с узкими шипами (красным цветом). Планки погрешностей указывают на SEM. Слева: пример блока, иллюстрирующий измерение задержки до максимального подавления пиков.На вставке справа вверху показаны узкие и широкие пики, составляющие образец. Статистически значимая разница наблюдалась в задержке максимального подавления спайков между широкими единицами, зарегистрированными в поверхностных слоях, и широкими единицами, зарегистрированными в глубоких слоях. Никакие другие сравнения существенно не различались.

Пиковая активность, связанная с саккадом

Также было записано

единиц с модуляцией, связанной с саккадами, со всех слоев SEF. Мы зарегистрировали 27 отдельных единиц (9%) с активностью, связанной со спонтанными саккадами, сделанными в темноте (14 обезьян E, 13 обезьян X).Десять из этих нейронов (37%) также проявляли визуально вызванную активность. Мы дополнительно записали связанную с саккадой активность нескольких единиц в 24 местах (12 обезьян E, 12 обезьян X). Семнадцать из этих многокомпонентных записей (71%) также демонстрировали визуально вызываемую активность. Из этих 51 единиц, связанных с саккадами, 23 (45%) показали пресаккадическую модуляцию и 28 (55%) показали постаккадические ответы. Кроме того, 26 единиц (51%) показали повышенную скорость стрельбы до и во время саккад, а остальные 25 (49%) показали подавление.Ни глубина (среднее значение = 0,38 мм относительно текущего стока 1, SD = 0,67 мм, сумма рангов Вилкоксона W = 17323, p = 0,64), ни ширина пиков (среднее значение = 350 мкс, SD = 99 мкс, ранг Вилкоксона сумма W = 5224, p = 0,44), ни коэффициенты вариации в межспайковых интервалах (среднее значение CV = 1,42, SD CV = 0,49, сумма рангов Уилкоксона W = 6597, p = 0,39), различались значительно между визуально связанными и связанными с саккадами единицами. ANOVA 4 × 2 показал, что задержки не различались между слоями ( F _(3,43) = 1.12, p = 0,35), в отличие от нейронов, реагирующих на зрение, латентность усиленных и подавленных ответов существенно не различалась ( F _(1,43) = 1,09, p = 0,30), а также взаимодействие между глубина и тип отклика ( F _(3,43) = 2,04, p = 0,12). В таблице 2 представлены сводные статистические данные для этой нейронной популяции, разделенные слоями. В целом, эти результаты демонстрируют относительное отсутствие связанной с саккадой активности в SEF, когда саккады инициируются без видимых целей.

Таблица 2.

Сводная статистика единиц с саккадой, записанная с каждого слоя

Обсуждение

Мы сообщаем о CSD и ламинарной одно- и многоединичной активности, зарегистрированной в SEF обезьяны, агранулярной области в лобной доле. Многие результаты согласуются с CCM, сформулированным для объяснения гранулярных сенсорных областей. Однако некоторые аспекты данных не соответствуют данным СКК. В частности, двойные стоки тока появлялись почти одновременно в слоях III и V, а латентность визуального отклика не менялась по слоям.

CCM в SEF?

Ламинарный паттерн CSD в агранулярной SEF во многом соответствует паттерну, предсказанному моделью CCM, разработанной на основе данных, собранных в зернистой первичной зрительной коре (рис. 1 a ; Gilbert, 1983; Callaway, 1998; Douglas and Martin, 2004 г.). После появления стимула спады тока в SEF начинаются в средних слоях и распространяются на поверхностные и глубокие слои. Однако, в отличие от сенсорных областей коры, в SEF после визуальной стимуляции были видны два начальных спада, соответствующие слоям III и V.Хотя этот результат ожидался на основе исследований анатомических индикаторов (рассмотренных ниже), он является неожиданным для классической модели CCM, в которой активность в одном входном слое предшествует активности в других слоях.

Помимо активности с прямой связью, модель CCM также описывает, как локальное рекуррентное возбуждение усиливает восходящий вход, в то время как ингибирование предотвращает неконтролируемое возбуждение (рис. 1 b ). Восходящий вход возбуждает как пирамидные клетки, так и интернейроны, что приводит к характерному паттерну возбуждения с последующим подавлением (Douglas and Martin, 1991; Douglas et al., 1995; см. также Brunel and Wang, 2001; Chance et al., 2002; Haider et al., 2006). В соответствии с этим мы обнаружили повышенную скорость разряда, предшествующую подавлению, на ~ 30 мс во всех слоях SEF. Мы также обнаружили, что предполагаемые пирамидные нейроны (единицы с широкими пиками) и предполагаемые интернейроны (единицы с узкими пиками) с одинаковой вероятностью демонстрируют начальное усиление пиков после визуальной стимуляции, и что латентные периоды начала не различались между этими популяциями.

Внутриклеточные записи подчеркивают различия во времени максимальной гиперполяризации между поверхностными и глубокими пирамидными клетками, опосредованными рецепторами GABA _A и GABA _B (Douglas and Martin, 1991).В соответствии с этими результатами мы обнаружили, что единицы, зарегистрированные в поверхностных слоях, с большей вероятностью реагировали на визуальные стимулы подавлением, и мы отметили более длительный временной ход для максимального подавления скорости разряда в поверхностных слоях по сравнению с записанным в глубоких слоях. Этот эффект был ограничен предполагаемыми пирамидными клетками, предполагая, что ламинарные различия в экспрессии GABA _A по сравнению с GABA _B в одном только этом типе клеток могут объяснить результаты. Чтобы избежать путаницы, мы отмечаем, что наши меры аналогичны, но не идентичны тем, о которых сообщалось ранее.Хотя Дуглас и Мартин (1991) измерили время максимальной гиперполяризации внутриклеточных потенциалов в первичной зрительной коре анестезированных кошек после электростимуляции таламических афферентов, мы зарегистрировали подавление скорости разряда от внеклеточных потенциалов в SEF бодрствующих обезьян при представлении зрительной стимуляции. Учитывая эти различия в технике, видах и областях, сходство результатов исследований позволяет предположить, что это может быть общей особенностью неокортекса млекопитающих.

Отношение к предыдущим анатомическим исследованиям

Быстрый визуальный вход может передаваться в SEF через медиодорсальное ядро ​​(MD) таламуса (Huerta, Kaas, 1990; Shook et al., 1990), которое иннервируется верхним бугристым бугорком (Benevento and Fallon, 1975; Harting et al. ., 1980). Но проекции MD не могут объяснить начальный сток тока, который мы наблюдали в слое V, потому что афференты заканчиваются в нижнем слое III SEF (Giguere and Goldman-Rakic, 1988). Зрительные афференты к SEF также поставляются кортикальными областями, включая латеральную интрапариетальную область, область 7a, FEF, верхнюю височную полисенсорную область, визуальную область 6a (V6a) и медиальную верхнюю височную область (MST; Barbas and Pandya, 1987). ; Huerta and Kaas, 1990; Shipp et al., 1998). Такие области, как MST и V6a, вероятно, обеспечивают быстрый визуальный ввод в SEF (Schmolesky et al., 1998). В соответствии с нашими результатами, инъекции ортоградных индикаторов в MST (Maioli et al., 1998) и в V6a (Shipp et al., 1998) выявляют терминалы в слоях III и V в SEF. Кроме того, в соответствии с нашим наблюдением, что слой VI является последним слоем, который показывает визуально связанную CSD, проекции из областей спинного потока лишь редко заканчиваются в слое VI SEF (Maioli et al., 1998; Shipp et al., 1998). Таким образом, ламинарное распределение стоков тока в ответ на зрительную стимуляцию хорошо согласуется с известной анатомией.

Изучение CCM может выявить корковую иерархию в агранулярной коре, как и в зернистой коре (Felleman and Van Essen, 1991). Шипп (2005) предположил, что соотношение проекций слоя III и слоя V можно использовать для размещения агранулярных областей в ареальной иерархии. Наше открытие относительно короткой задержки, управляющей входными данными на уровни III и V SEF, согласуется с этой гипотезой. Эти опускания тока в SEF имели одинаковую задержку и величину после визуальной стимуляции, предполагая, что оба слоя получают визуальные афференты одинаковой силы.

Связь с предыдущими исследованиями внутричерепных записей

Широкопольные импульсные стимулы, такие как те, что используются здесь, использовались для сравнения профилей ламинарной активации на последовательных стадиях визуальной иерархии (Schroeder et al., 1989; Givre et al., 1994; Schroeder et al., 1998). Средняя латентность визуально вызванного CSD в SEF (51 мс) согласуется с работой Schroeder et al. (1998), которые измерили CSD по всему зрительному пути и сообщили о самых длительных латентных периодах в нижневисочной коре (49 мс).Наш показатель задержки CSD также сопоставим с таковыми для визуально вызванных LFP в SEF во время задачи визуального поиска (Purcell et al., 2012). Кроме того, наблюдаемые здесь задержки одно- и многочастичных ответов согласуются с несколькими предыдущими сообщениями (Schall, 1991; Chen and Wise, 1995; Pouget et al., 2005; Purcell et al., 2012).

В областях раннего зрения латентные периоды ответа самые короткие в слое IV и больше в супрагранулярных и инфрагранулярных слоях (Bullier and Henry, 1980; Maunsell and Gibson, 1992; Raiguel et al., 1999). При записи в первичной зрительной коре несколько групп сообщили, что латентные периоды в супрагранулярных слоях больше, чем наблюдаемые в глубоких слоях (Maunsell and Gibson, 1992; Self et al., 2013). В SEF одно- и многомодульные визуальные задержки не различались по слоям. Такой результат неожидан для модели CCM. Стимулы, которые мы использовали, могли сыграть роль в получении этого загадочного результата. Хотя использованная нами парадигма широкоугольной вспышки является необходимым шагом для сравнения CSD с опубликованными отчетами из ранних визуальных областей, она несколько менее эффективна для управления потенциалами действия в одиночных и множественных единицах в SEF (рис.10 а ). Поскольку изменения в скорости стрельбы были скромными, наши оценки задержки могли иметь повышенную изменчивость. Однако наблюдаемая нами изменчивость была сопоставима с вариабельностью, о которой сообщалось в исследовании, в котором использовались локализованные, соответствующие поведению визуальные стимулы (Pouget et al., 2005). Авторы этого исследования обнаружили разницу в латентности 37 мс в SEF. Однако гранулярный и надгранулярный слои в первичной зрительной коре обнаруживают различия в латентности только ~ 10-15 мс (Maunsell and Gibson, 1992), поэтому различия в латентности между слоями может быть труднее обнаружить при SEF.Таким образом, этот нулевой результат не следует интерпретировать как окончательный.

Подавление отклика было обычным явлением в наших нейронных записях. Несколько исследователей отметили подавление нейронной активности при SEF (Schlag and Schlag-Rey, 1987; Schall, 1991; Chen and Wise, 1995). Доля единиц, отображающих подавление, варьируется в разных исследованиях, но это может зависеть от параметров стимула и непредвиденных обстоятельств задачи. Наблюдаемое нами подавление может также возникать из-за окружения рецептивного поля. Архитектура рецептивного поля центр / окружение не была охарактеризована в SEF, но об этом сообщалось в FEF (Schall et al., 2004; Кавано и др., 2012).

Наши измерения ширины спайков и изменчивости SEF согласуются с измерениями из других визуальных областей с использованием аналогичных показателей (Mitchell et al., 2007; Cohen et al., 2009). Наше соотношение единиц с узкими и широкими пиками (79%) сравнимо с показателем, указанным в V4 (73%; Mitchell et al., 2007). Кроме того, единицы с узкими пиками в SEF обнаруживают повышенную вариабельность времени пика, обеспечивая новые доказательства того, что эти клетки представляют собой интернейроны.

Резюме и выводы

Эти данные подчеркивают богатую мультимодальную информацию, которую можно получить, поскольку достижения в технологии электродных матриц позволяют исследователям регистрировать хорошо изолированные единичные единицы с LFP через корковые слои.Мы обнаружили, что некоторые особенности визуально вызванных ламинарных ответов в агранулярных SEF соответствуют тем, которые наблюдаются в зернистых сенсорных областях. Крайне важно, что в средних слоях SEF были очевидны выраженные спады тока. Глубина этих погружений обеспечивает маркер, по которому можно измерить глубину каждого зарегистрированного нейрона in vivo . Этот прогресс, несомненно, окажется решающим в описании нейронных взаимодействий внутри целых, ведущих себя обезьян.

MIL-M-38510 datasheet — Микросхемы, цифровые, TTL, DATA Selectors / мультиплексоры,

ДЮЙМОВ MIL-M-38510 / 14E 21 марта 2005__ SUPERSEDING MIL-M-38510 / 14D 2 августа 1982 МИКРОСХЕМА ВОЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК , ЦИФРОВЫЕ, TTL, СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ / МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ Неактивен для новой конструкции после 7 сентября 1995 года.Эта спецификация одобрена для использования всеми министерствами и ведомствами Министерства обороны США. Требования к приобретению продукта здесь должны состоять из этой спецификации и MIL-PRF 38535 1. ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ 1.1 Область применения. Эта спецификация охватывает подробные требования к монолитным, кремниевым, TTL, селекторам / мультиплексорам данных, логическим микросхемам. Предусмотрены два класса гарантии качества продукции и выбор контуров корпуса и отделки выводов, которые отражены в полном номере детали. Для этого продукта требования MIL-M38510 были заменены MIL-PRF-38535 (см. 6.4). 1.2 Часть или идентификационный номер (PIN). PIN-код соответствует стандарту MIL-PRF-38535 и указанному в данном документе. 1.2.1 Типы устройств. Типы устройств следующие: Тип устройства Схема Селектор / мультиплексор данных с шестнадцатью входами, с включением Селектор данных / мультиплексор с восемью входами, с включением Двойной селектор / мультиплексор данных с четырьмя входами, с включением Двойной селектор данных с четырьмя входами / мультиплексор, без разрешения Quad, селектор / мультиплексор данных с двумя входами, с разрешением 1.2.2 Класс устройства. Класс устройства — это уровень гарантии продукта, определенный в стандарте MIL-PRF-38535.1.2.3 Краткое изложение дела. Внешний вид корпуса соответствует стандарту MIL-STD-1835 и выглядит следующим образом: Буквенное обозначение Обозначение или обозначение клемм CDFP8-F24 Тип упаковки Двойной-линейный Плоский корпус Двойной-линейный Плоский корпус Комментарии, предложения или вопросы по этому документу следует направлять по адресу: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAS, P.O. Box 3990, Columbus, 43218-3990, или по электронной почте [email protected]. Поскольку контактная информация может измениться, вы можете проверить актуальность этой адресной информации с помощью онлайн-базы данных ASSIST по адресу http: // assist.daps.dla.mil. AMSC N / A FSC 5962 1.3 Абсолютные максимальные рейтинги. Диапазон напряжения питания ……………………………………….. ……. Диапазон входного напряжения …………………………………. …………….. Диапазон температур хранения ………………………… ………….. Максимальная рассеиваемая мощность на затвор, (PD) 1 / Тип устройства 01 …………………. ……………………………. Типы устройств 02 и 06 ……….. ………………………….. Тип устройства 03 ……………………………………………….. Тип устройства 04 …………………………………………. ……. Тип устройства 05 …………………………………. ……………. Температура вывода (пайка 10 секунд) …………………. Термическое сопротивление, переход- к корпусу (JC) …………………. Температура перехода (TJ 2 / ……………. …………………….. 1.4 Рекомендуемые условия эксплуатации. Напряжение питания (VCC) ………….. ………………………………….. Минимальное входное напряжение высокого уровня (VIH)……………………… Максимальное входное напряжение низкого уровня (VIL) ……………. ………… Максимальный выходной ток низкого уровня (IIL) ………………………. Нормализованное разветвление (каждый выход) 3 / Низкий логический уровень ………………………………….. ……………. Высокий логический уровень …………………………. ……………………. Диапазон рабочих температур корпуса (TC 2.0 ПРИМЕНИМЫЙ ДОКУМЕНТ 2.1 Общие положения. Документы, перечисленные в этом разделе, указаны в разделах 5 настоящего документа. Технические характеристики.Этот раздел не включает документы, цитируемые в других разделах данной спецификации или рекомендуемые для получения дополнительной информации или в качестве примеров. Несмотря на то, что были предприняты все усилия для обеспечения полноты этого списка, пользователей документов предупреждают, что они должны соответствовать всем указанным требованиям документов, указанных в разделах 5 данной спецификации, вне зависимости от того, указаны они или нет. 2.2 Правительственные документы. 2.2.1 Технические характеристики и стандарты. Следующие ниже спецификации и стандарты являются частью данной спецификации в той степени, в которой это указано в данном документе.Если не указано иное, вопросы, указанные в этих документах, указаны в тендере или контракте. ОТДЕЛ ОБОРОНЫ MIL-PRF-38535 Производство интегральных схем (микросхем), Общие технические условия для. 4,5 В минимум 5,5 В максимум мА 10 максимум 20 максимум мВт 300C (см. MIL-STD-1835) 175C ОТДЕЛЕНИЕ СТАНДАРТОВ ОБОРОНЫ MIL-STD-883 MIL-STD-1835 Стандарт метода испытаний для микроэлектроники. Интерфейсный стандартный корпус для электронных компонентов (Копии этих документов доступны в Интернете по адресу http: // assist.daps.dla.mil/quicksearch/ или http://assist.daps.dla.mil или в стойке заказа документов по стандартизации, 700 Роббинс-авеню, здание 4D, Филадельфия, 19111-5094. к состоянию короткого замыкания (например, тест IOS). 2 / Максимальная температура перехода не должна быть превышена, за исключением случаев, когда допускается кратковременная проверка состояния при прожиге в соответствии со стандартом MIL-PRF-38535. 3 / Устройство будет разворачиваться как на высоком, так и на низком уровне на указанное количество входов того же типа, что и тестируемое.2 2.3 Порядок старшинства. В случае противоречия между текстом этой спецификации и цитируемыми здесь ссылками, текст этого документа имеет преимущественную силу. Однако ничто в этом документе не отменяет применимые законы и постановления, если не было получено конкретное исключение. 3. ТРЕБОВАНИЯ 3.1 Квалификация. Микросхемы, поставляемые в соответствии с этой спецификацией, должны быть продуктами, которые производятся производителем, уполномоченным квалифицируемой деятельностью для включения в соответствующий список квалифицированных производителей до заключения контракта (см. 4.3 и 6.3). 3.2 Требования к предметам. Требования к отдельным элементам должны соответствовать стандарту MIL-PRF-38535 и как указано в данном документе или как изменено в плане управления качеством (QM) производителя устройства. Изменения в плане управления качеством не должны влиять на форму, соответствие или функции, описанные в данном документе. 3.3 Дизайн, конструкция и физические размеры. Дизайн, конструкция и физические размеры должны соответствовать стандарту MIL-PRF-38535 и настоящему документу. 3.3.1 Логические схемы и клеммные соединения.Логические схемы и клеммные соединения должны соответствовать рисункам 1 и 2. 3.3.2 Таблицы истинности. Таблицы истинности должны соответствовать рисунку 3. 3.3.4 Принципиальная схема. Принципиальная схема должна поддерживаться производителем и предоставляться для квалифицируемых и подготовительных работ по запросу. 3.3.5 Краткое изложение дела. Описание дела должно соответствовать указанному 1.2.3. 3.4 Свинцовый материал и отделка. Свинцовый материал и отделка должны соответствовать стандарту MIL-PRF-38535 (см. 6.6).3.5 Электрические характеристики. Электрические характеристики приведены в таблице 1 и применимы во всем рекомендованном диапазоне рабочих температур корпуса, если не указано иное. 3.6 Требования к электрическим испытаниям. Требования к электрическим испытаниям для каждого класса устройств должны соответствовать подгруппам, указанным в таблице II. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника