Планарная микросхема

Корпус интегральной микросхемы ИМС — это герметичная конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями. Длина корпуса микросхем зависит от числа выводов. Давайте рассмотрим некоторые типы корпусов, которые наиболее часто применяются радиолюбителями. DIP Dual In-line Package — тип корпуса микросхем, микросборок и некоторых других электронных компонентов для монтажа в отверстия печатной платы, является самым распространенным типом корпусов. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Может быть выполнен из пластика или керамики.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Транзисторы, микросхемы
• Что за микросхема EW2036 ?
• Цифровые микросхемы. Типы логики, корпуса
• Создание первой отечественной микросхемы
• Планарная технология
• Типы корпусов микросхем
• Корпуса микросхем
• Что за микросхема EW2036 ?
• Технология литографических процессов: Учебное пособие
• Радиосвязь

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок по пайке. Пайка планарной микросхемы с помощью фена.

Транзисторы, микросхемы

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры Квадрокоптер летит токо в верх модель YH 1 ставка. Не взлетает квадрокоптер 1 ставка. Перестал работать Mi band 4 1 ставка. А разве понятие «эфир» можно всерьёз рассматривать в электронике? Задача по физике 1 ставка. Лидеры категории Антон Владимирович Искусственный Интеллект. Кислый Высший разум. Почему корпус микросхемы типа 2 часто называют ДИП-корпусом?

Ариадна Знаток , на голосовании 9 лет назад. Голосование за лучший ответ. Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам. Обычно в обозначении также указывается число выводов. В корпусе DIP могут выпускаться различные полупроводниковые или пассивные компоненты — микросхемы, сборки диодов, транзисторов, резисторов, малогабаритные переключатели.

Компоненты могут непосредственно впаиваться в печатную плату, также могут использоваться недорогие разъёмы для снижения риска повреждения компонента при пайке.

Его появление позволило увеличить плотность монтажа по сравнению с применявшимися ранее круглыми корпусами.

Корпус хорошо подходит для автоматизированной сборки. Однако, размеры корпуса оставались относительно большими по сравнению с размерами полупроводникового кристалла.

Корпуса DIP широко использовались в х и х годах. Выпуск некоторых компонентов в корпусах DIP продолжается в настоящее время, однако большинство компонентов, разработанных в х годах, не выпускаются в таких корпусах. Компоненты в DIP-корпусах удобнее применять при макетировании устройств без пайки на специальных платах-бредбордах. В настоящее время это преимущество потеряло актуальность в связи с развитием технологии внутрисхемного программирования.

Количество ножек в корпусе — 8, 14, 16, 20, 24, 28, 32, 40, 48 или Расстояние между выводами шаг — 2,5 мм отечественный стандарт или 2,54 мм у импортных. Ширина выводов около 0,5 мм. При этом, микросхема лежит брюхом на плате. Количество ножек и их нумерация — такие же как у DIP. Шаг выводов — 1,25 мм отечественный или 1,27 мм импортный.

Ширина выводов — 0, Ножки расположены по всем четырем сторонам, и имеют J -образную форму концы ножек загнуты под брюшко. Микросхемы либо запаиваются непосредственно на плату планарно , либо вставляются в панельку. Последнее — предпочтительней. Количество ножек — 20, 28, 32, 44, 52, 68, Шаг ножек — 1,27 мм. Нумерация выводов — первая ножка возле ключа, увеличение номера против часовой стрелки. Квадратный корпус толщиной около 1мм, выводы расположены по всем сторонам. Количество ножек — от 32 до Шаг — 0,8 мм.

Ширина вывода — 0, Нумерация — от скошенного угла верхний левый против часовой стрелки. Похожие вопросы. Также спрашивают.

Что за микросхема EW2036 ?

Корпус интегральной микросхемы ИМС — герметичная несущая система и часть конструкции, предназначенная для защиты кристалла интегральной схемы от внешних воздействий и для электрического соединения с внешними цепями посредством выводов. В современных импортных корпусах ИМС, предназначенных для поверхностного монтажа, применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие. Выводы корпусов ИМС могут быть круглыми, диаметром 0,3—0,5 мм или прямоугольными, в пределах описанной окружности 0,4—0,6 мм. При монтаже ИМС на поверхность печатной платы необходимо принять все меры по недопущению деформации корпуса. Кроме того, схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, зависящая от конструкции платы и компоновки на ней элементов, должна обеспечить:. Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную микросхему или микросборку возможен непосредственный монтаж на печатную плату.

QFP (Quad Flat Package) — семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам. Форма основания.

Цифровые микросхемы. Типы логики, корпуса

Форум Новые сообщения. Что нового Новые сообщения Недавняя активность. Вход Регистрация. Что нового. Новые сообщения. Для полноценно использования нашего сайта, пожалуйста, включите JavaScript в своем браузере. Автор темы dinаmik Дата начала 8 Май Регист 25 Ноя Сообщения 2. Выпаивание планарных SMD микросхем : Кто и как. До этого выпаивал при помощи паяльника и эмалированного провода можно МГТФ 0,

Создание первой отечественной микросхемы

Планарная технология — совокупность технологических операций, используемых при изготовлении планарных плоских, поверхностных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Процесс включает в себя формирование отдельных компонентов транзисторов , а также объединение их в единую структуру. Это основной процесс при создании современных интегральных схем. Технология впервые была запатентована в году. Сутью концепции было рассмотрение схемы в проекции на плоскости, что позволяло использовать элементы фотографии , такие как негативные фотоплёнки при засвечивании светочувствительных реактивов.

Регистрация Вход.

Планарная технология

Твердотельная интегральная микросхема — это законченный функциональный электронный узел, элементы которого конструктивно не разделены и изготавливаются в едином технологическом процессе, в объеме и на поверхности полупроводникового кристалла. Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов транзисторов, диодов, резисторов и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины межсоединения. Для характеристики типа применяемых в ИМС транзисторов, а также технологических методов их изготовления пользуются понятием структура ИМС. В общем случае структура ИМС определяет последовательность слоев в составе микросхемы по нормали к поверхности кристалла, различающихся материалов, толщиной и электрофизическими свойствами. Так, в практике производства ИМС используют структуры на биполярных транзисторах в частности, диффузионно-планарные, эпитаксиально-планарные и др.

Типы корпусов микросхем

Залез в шкаф, где пылиться когда-то актуальное железо, стряхнул пыль со своего бонусного кассетного плеера Walkman WM-FX , и, чуть поковырявшись в лентопротяжке, запустил этот чудо-плеер через усилок. Что удивило, так это качество звука. В остальном — никакой разницы. Может, конечно, у меня уши такие. Слово случайность заключено в кавычки потому, что на самом деле оно не уместно.

Транзисторы, микросхемы. Работа транзистора Основным методом изготовления является планарная технологи. У таких транзисторов p-n.

Корпуса микросхем

Упрочнитель поверхности бетонных полов с наполнителем из гранулированного кварца. Упрочнитель с минеральным наполнителем с высокой стойкостью к истиранию, яркие насыщенные цвета. Самонивелирующийся цементный пол высокой резистентности и быстрого набора прочности. Упрочняющий и обеспыливающий полимерный состав.

Что за микросхема EW2036 ?

Полупроводниковые транзисторы делятся на биполярные и полевые. Первые гораздо более распространены в электронике. Поэтому начнем разбираться с работой биполярного транзистора именно с него. Условно биполярный транзистор можно нарисовать в виде пластины полупроводника с меняющимися областями разной проводимости, состоящие из двух p-n переходов.

Количество ножек в корпусе — 8, 14, 16, 20, 24, 28, 32, 40, 48 или

Технология литографических процессов: Учебное пособие

В этой статье мы рассмотрим самые основные корпуса микросхем, которые очень часто используются в повседневной электронике. DIP англ. Раньше, да наверное и сейчас, корпус DIP был самым популярным корпусом для многовыводных микросхем. Выглядит он вот так:. Например, микросхема, а точнее, микроконтроллер atmega8 имеет 28 выводов:.

Радиосвязь

Geoffrey Dummer впервые выдвинул идею объединения множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника. Осуществление этих предложений в те годы не могло состояться из-за недостаточного развития технологий. В конце года и в первой половине года в полупроводниковой промышленности состоялся прорыв.

Профессиональная пайка планарных микросхем

1. Ви тут: 
2. org/ListItem»>Hi-Tech
3. Профессиональная пайка планарных микросхем

Планарная микросхема считается очень важным элементом ноутбука. Она может сломаться по разным причинам. Неисправность легко исправить, если обратиться в проверенный сервис.

Зміст матеріалу

• Особенности выхода из строя и ремонта планарной микросхемы в ноутбуке
• Пайка планарных микросхем в Харькове

На сайте https://service.elmir.ua/laptop-service/pajka-planarnoj-mikroshemy об основных особенностях ремонта данного компонента можно узнать больше, получить консультацию.

Особенности выхода из строя и ремонта планарной микросхемы в ноутбуке

Она чаще всего выходит из строя по причине перегрева компьютерной техники. Проблемы с охладительной системой провоцируют поломку. Есть несколько основных причин, по которым происходит перегрев. Среди них использование слишком сложного программного обеспечения, перегрузка системы хранения файлов, активное использование и многое другое. Возникают проблемы и по другим причинам, среди которых постепенное скопление пыли, повышенный уровень влажности, механические воздействия со стороны и т.д.

Понять, что требуется ремонт данной микросхемы, можно по некоторым признакам. Например, компьютер может не включаться с первого раза, экран долго не выключается, устройство может отключиться самопроизвольно. В некоторых случаях клавиатура перестает работать совсем или частично. Порой пропадает картинка. В любом случае надо отнести ноутбук на диагностику в проверенный сервисный центр, чтобы его там тщательно проверили. Это позволит определить точно причину поломки, спланировать восстановительные работы. Не рекомендуется игнорировать неисправности, потому что ситуация может только ухудшиться в таком случае. Пайка микросхемы становится в большинстве случаев идеальным методом решения проблемы. Она обходится гораздо дешевле чем приобретение новых деталей.

Пайка микросхемы обязательно должна проводиться в тщательно подготовленных условиях. Необходимо точно знать, что нужно делать, иметь современное оборудование. Нельзя получить качественный результат, не обладая соответствующими знаниями и мастерством.

Пайка планарных микросхем в Харькове

В таком крупном городе предлагается немало вариантов для заказа соответствующей услуги, но не все они могут оказаться достаточно качественными. Поэтому стоит обратиться в сервисный центр, у которого уже есть большой запас опыта, знаний и умений. Опытные профессионалы проведут диагностику, точно установят причину поломки, решат все проблемы с гарантией качества. После проведения паяльных работ функционирование ноутбука полностью восстанавливается. В процессе используются современные инструменты, которые обеспечивают максимально возможную точность.

• Попередня
• Наступна

Основні розділи

Найцікавіше

Как сделать рыболовную сеть?

Крапельниці для крапельного поливу

Схуднення живота: загальні рекомендації та комплекс вправ

5 ознак, що ви «проблемна» дружина»

Білий халат — гарні й затишні домашні моделі

Патент США на неплоскую структуру микросхемы и способ изготовления того же патента (Патент № 8,080,736, выдан 20 декабря 2011 г.

)

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ -планарная конфигурация и способ изготовления таких структур.

ПРЕДПОСЫЛКИ

Существует много приложений, в которых было бы выгодно использовать неплоские интегральные схемы. Например, оптическому формирователю изображения требуется большая, тяжелая и сложная оптика, если изображение с широким полем зрения (FOV) должно проецироваться на плоскую матрицу фотодетекторов. Возможность изгибать матрицу фотодетекторов в желаемую форму упростила бы требуемую оптику и существенно улучшила бы оптические характеристики формирователя изображения.

Однако непланарная электроника сложна в производстве и, как правило, имеет более низкую производительность по сравнению, например, с современной КМОП-электроникой. Органические подложки обычно используются для обеспечения гибкой электроники, но схемы на основе органических подложек обычно обеспечивают меньшую плотность активных схем и ограничены работой на более низких частотах по сравнению с CMOS.

Другой подход заключается в разделении цепи на несколько смежных сегментов, границы которых можно сложить; Одним из примеров является 3-Die μZ ™ Folded Die Stack от Tessera, Inc. Однако этот метод имеет тенденцию приспосабливаться к ограниченному количеству сегментов и требует межсоединений большого размера между сегментами.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Здесь представлены структура микросхемы и способ изготовления, которые позволяют складывать структуру в желаемую неплоскую конфигурацию.

Описанная здесь структура изначально представляет собой плоскую полупроводниковую пластину, на которой сформирована схема. Плоская пластина сегментирована на множество плиток, и между соседними парами плиток соединено множество шарнирных механизмов. Плитки и шарнирные механизмы расположены таким образом, что сегментированная пластина может быть сложена в требуемую неплоскую конфигурацию, имеющую высокий коэффициент заполнения и небольшие зазоры между плитками.

Описано несколько средств, с помощью которых могут быть обеспечены шарнирные механизмы конструкции. Например, шарнирные механизмы могут содержать органический материал, нанесенный на пластину таким образом, что он обеспечивает механическое соединение между соседними парами плиток. Металлические соединительные дорожки, обеспечивающие электрические соединения между соседними парами плиток, могут быть сформированы непосредственно над органическими шарнирными механизмами или могут быть проложены между соседними парами плиток через податливые перемычки, соединяющие соседние пары плиток.

В качестве альтернативы, металлические соединительные дорожки конструкции, которые обеспечивают электрические соединения между соседними парами плиток, могут служить частью или всем шарнирным механизмом. При желании шарнирные механизмы соединения могут быть расположены так, чтобы компенсировать угловое отклонение между соседними парами плиток шарнирного механизма. Металлические соединительные шарнирные механизмы, которые предпочтительно имеют конформное покрытие, могут также включать два или более уровней металла.

Складная микросхема может быть изготовлена ​​путем постобработки полупроводниковой пластины, такой как стандартная КМОП-схема, для формирования сегментированной пластины. Плитки, на которые сегментирована пластина, имеют форму, обеспечивающую высокий коэффициент заполнения в складчатой ​​геометрии. При таком расположении сегментированная пластина может быть сложена, например, в виде кусочно-изогнутой структуры. Такой структурой может быть, например, полусферическая структура, предназначенная для обеспечения массива фотодетекторов с широким полем зрения.

Дополнительные признаки и преимущества изобретения будут очевидны специалистам в данной области техники из следующего подробного описания вместе с прилагаемыми чертежами.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Подробное описание вариантов осуществления изобретения будет сделано со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых одинаковыми цифрами обозначены соответствующие части на фигурах.

РИС. 1 и 1 представляют собой виды в плане сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 2 a и 2 b представляют собой соответствующие виды в разрезе и сверху, соответственно, иллюстрирующие одну возможную схему металлических соединений для сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 3 a и 3 b представляют собой соответствующие виды в разрезе и сверху, соответственно, иллюстрирующие другую возможную схему металлических соединений для сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 4 a и 4 b представляют собой соответствующие виды в разрезе и сверху, соответственно, иллюстрирующие другую возможную схему металлических соединений для сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 5 a — 5 e представляют собой виды в разрезе, иллюстрирующие один из возможных способов изготовления сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 6 a — 6 c представляют собой вид в перспективе, иллюстрирующий три возможные схемы металлических соединений, которые можно использовать для сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением.

РИС. 7 представляет собой вид в перспективе, иллюстрирующий использование сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением в качестве криволинейной матрицы фотодетекторов.

РИС. 8 представляет собой схему, иллюстрирующую использование оптических элементов и сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением для формирования массива фотодетекторов с широким полем зрения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение позволяет свернуть структуру микросхемы в желаемую неплоскую конфигурацию. Два примерных варианта осуществления показаны на фиг. 1 а и 1 б. В каждом примере схема (не показана) была изготовлена ​​на полупроводниковой пластине, которая затем была сегментирована на множество плиток 10 . Для удержания сегментов вместе и обеспечения возможности складывания сегментированной конструкции используется множество шарнирных механизмов 9.0003 14 соединены между соседними парами плиток. Плитки и шарнирные механизмы расположены таким образом, что сегментированная пластина может быть сложена в требуемую неплоскую конфигурацию, имеющую высокий коэффициент заполнения и небольшие зазоры между плитками.

В одном варианте осуществления множество шарнирных механизмов микроструктуры может содержать органический материал, нанесенный на пластину таким образом, что он обеспечивает механическое соединение между соседними парами плиток. Органический материал может представлять собой, например, осажденный из паровой фазы полимерный материал, который предпочтительно является изолирующим, поскольку изолирующий материал помогает предотвратить короткие замыкания между плитками и/или дорожками межсоединений. Парилен является предпочтительным органическим материалом. При желании на нанесенный органический материал можно нанести рисунок и протравить, предпочтительно с использованием процесса сухого травления, так, чтобы он присутствовал только в промежутках между соседними краями смежных пар плиток и рядом с ними; ФИГ. 1 a и 1 b иллюстрируют эту возможность, в которой более темные участки представляют шарнирные механизмы.

Существует несколько способов, с помощью которых можно осуществлять электрические соединения между соседними парами плиток, когда шарнирные механизмы микроструктуры обеспечиваются осажденным органическим материалом. Одна возможность проиллюстрирована на соответствующих видах в разрезе и в плане, показанных на фиг. 2 a и 2 b, соответственно. Две смежные плитки 20 , 22 , на основе которых была изготовлена ​​электронная схема (не показана). Шарнирный механизм 24 состоит из органического материала, который был осажден, с нанесенным рисунком и травлением таким образом, что он механически соединяет плитки 20 и 22 вместе, и присутствует только в промежутках между и рядом с соседними краями пары плитка. Затем можно сформировать одну или несколько дорожек металлических соединений 26 непосредственно поверх узорчатого и протравленного органического материала; в показанном примере трассировка 26 проходит между контактными площадками 28 и 30 на плитках 20 и 22 соответственно через шарнирный механизм 24 .

Поскольку конструкция будет складываться, шарнирные механизмы и металлические соединительные дорожки должны находиться на одной стороне пластины, которая может быть либо верхней, либо задней стороной.

Для смежных пар плиток может быть выгодно иметь соответствующие углубленные гравировки, расположенные таким образом, чтобы улучшить сцепление шарнирного механизма из органического материала с сегментированными плитками. Пример этого показан на фиг. 2 а, с плитками 20 и 22 с углублениями 32 и 34 соответственно, которые служат для улучшения сцепления шарнирного механизма из органических материалов 24

с плиткой 90 3 40 20 .

Углубленное травление можно использовать, когда шарнирные механизмы расположены со стороны схемы пластины или со стороны, не связанной с цепью. При использовании со стороны схемы травление должно быть расположено в «запретной зоне», которая не содержит разводящего металла или схемы. В качестве альтернативы элементы крепления могут быть нанесены или нанесены на поверхность со стороны контура, что улучшит прилипание, не требуя зоны отчуждения.

Другой способ выполнения электрических соединений между соседними парами плиток для микроструктуры с использованием органических шарнирных механизмов проиллюстрирован на соответствующих видах в разрезе и в плане, показанных на ФИГ. 3 a и 3 b, соответственно. Показаны две смежные плитки 40 , 42 , на которых изготовлена ​​электронная схема (не показана). Шарнирный механизм 44 состоит из органического материала, который был осажден, с рисунком и травлением таким образом, что он соединяет плитки 40 и 42 вместе механически и присутствует только в промежутках между соседними краями пары плиток и рядом с ними. Однако здесь металлические соединительные дорожки 46 , которые обеспечивают электрические соединения между соседними плитками, проложены через шарнирный механизм 44 через податливую перемычку 48 (показана на фиг. 3 и ), которая охватывает плитки. Соответствующий мост 48 может состоять из тонкопленочных металлов, таких как алюминий или золото. Как и раньше, трасса соединения 46 может заканчиваться на контактных площадках 50 и 52 на плитках 40 и 42 соответственно, а углубленные травления 54 и 590 шарнирный механизм 390 может улучшить сцепление органического материала 44 до плитки 40 и 42 соответственно. Обратите внимание, что, хотя податливая перемычка 48 показана как образованная непосредственно над петлей 44 , некоторые или все податливые перемычки конструкции могут альтернативно располагаться рядом с петлями.

Одна или несколько металлических дорожек, соединяющих соседние плитки, могут быть расположены так, чтобы компенсировать угловой прогиб между плитками. Это достигается формированием дорожки таким образом, чтобы допускать, по меньшей мере, некоторый изгиб и/или скручивание без разрыва. Один возможный вариант осуществления показан на соответствующих видах в разрезе и в плане, показанных на фиг. 4 a и 4 b, соответственно. Показаны две смежные плитки 60 , 62 . Шарнирный механизм 64 состоит из органического материала, который был нанесен, нанесен по образцу и протравлен таким образом, что он механически соединяет плитки 60 и 62 вместе. Как и на фиг. 3 a и 3 b, эластичная перемычка 66 формируется над петлей 64 , на которую могут опираться металлические соединительные дорожки между соседними плитками. Однако здесь металлическая соединительная дорожка 68 включает в себя поперечный выступ 70 , который позволяет дорожке выдерживать некоторую степень изгиба и/или скручивания без разрушения. Как и раньше, трасса соединения 68 может заканчиваться на контактных площадках 71 и 72 на плитках 60 и 62 соответственно, а углубленные травления 74 и 79 могут служить для улучшения сцепления органического материала 30 шарнирного механизма 30 64 до плитки 60 и 62 соответственно.

Обратите внимание, что металлические соединительные дорожки, расположенные так, чтобы компенсировать угловое отклонение между плитками, также могут использоваться в варианте осуществления, показанном на РИС. 2 a и 2 b, , в которых дорожки формируются непосредственно над узорчатым и протравленным органическим материалом, составляющим шарнир.

Как отмечалось выше, электрические соединения между соседними плитками могут быть выполнены с помощью металлических соединительных дорожек. В другом возможном варианте осуществления изобретения металлические соединительные дорожки между соседними плитками могут служить полностью или частично шарнирным механизмом, соединяющим пару вместе. Металлические дорожки межсоединений между плитками могут быть частью металла межсоединений, необходимого для схем, изготовленных на пластине. Например, если схема представляет собой КМОП-схему, металлические дорожки межсоединений между ячейками могут быть сформированы непосредственно из многослойного металла маршрутизации, который является частью КМОП-схемы.

Предпочтительно, чтобы дорожки имели конформное покрытие, чтобы обеспечить дополнительную механическую связь и структурную целостность между соседними плитками, а также обеспечить защиту дорожек. Конформное покрытие предпочтительно содержит полимер, который может быть нанесен в виде слоя, который находится сверху или снизу дорожек, или, что предпочтительнее, в виде слоев как сверху, так и снизу дорожек, что служит для минимизации деформации на дорожках. металл.

РИС. 5 а — 5 е представляют собой виды в разрезе, иллюстрирующие один из возможных способов изготовления сегментированной и шарнирной структуры микросхемы в соответствии с настоящим изобретением, в котором металлические соединительные дорожки между соседними плитками служат всем или частью шарнирного механизма, соединяющего пару вместе. На фиг. 5 a, схемотехника (не показана) и металлические дорожки межсоединений 80 сформированы на планарной полупроводниковой пластине 82 обычным способом с диэлектрическими слоями 84 , 86 нанимаются по мере необходимости. Как отмечалось выше, если схема представляет собой, например, КМОП-схему, металлические дорожки 80 межсоединений могут состоять из одного или нескольких слоев металлической разводки в процессе КМОП-схемы. Канавка 88 протравлена ​​на задней стороне пластины до первого диэлектрического слоя 84 (фиг. 5 b ). Пластину предпочтительно травят с использованием процесса глубокого реактивно-ионного травления (DRIE), например, с использованием химического травления и пассивации с последовательностью во времени. Результирующие промежутки между плитками должны иметь такой размер, чтобы каждая плитка могла двигаться, в то же время сводя к минимуму мертвое пространство конструкции, образующееся, когда сегментированные плитки складываются в желаемую форму.

Диэлектрический слой в зазоре, образованном канавкой, затем вытравливается, освобождая металлическое соединение 90 (фиг. 5 c ). При желании на пластину наносят конформное покрытие 92 , тем самым обеспечивая конформные слои как на верхней, так и на нижней части соединения 90 , чтобы обеспечить механическую поддержку (фиг. 5 d ). Как показано на фиг. 5 e, микроструктура теперь гибкая и может быть деформирована в неплоскую форму. Благодаря такому использованию металлических межсоединений конструкции отпадает необходимость в последующей постобработке межсегментных электрических соединений. Этот подход также обеспечивает высокую плотность электрических соединений и позволяет тестировать схему до какой-либо постобработки.

Описанная здесь микроструктура может быть основана на различных полупроводниковых материалах и содержать различные типы схем. Например, в одном предпочтительном варианте осуществления структура представляет собой КМОП-схему с алюминиевыми межсоединениями, изготовленную на кремниевой пластине с использованием обычных технологий изготовления КМОП. В этом случае складная схема создается путем постобработки планарной КМОП-схемы для формирования сегментированной схемы. Этот подход позволяет разработчику использовать современную литейную КМОП-технологию, которая существует для проектирования и изготовления планарных КМОП-схем без ущерба для производительности. Это также позволяет изготавливать схемы с более высокой плотностью и производительностью, чем могут быть достигнуты в конструкциях, использующих гибкие органические подложки.

Ширина сегментированных плиток обычно составляет от десятков микрон до нескольких миллиметров; если плитки меньше примерно 10 микрон, зазор между соседними плитками будет доминировать в потреблении площади кристалла, в то время как плитки больше нескольких миллиметров значительно ограничат количество плиток, которые поместятся в данной плоской области матрицы, если только не очень большая матрица. размер был в наличии.

Как описано выше в отношении ФИГ. 4 a и 4 b, одна или несколько металлических направляющих, соединяющих смежные плитки, могут быть расположены так, чтобы компенсировать угловое отклонение между плитками, достигаемое путем формирования направляющей таким образом, чтобы она выдерживала, по меньшей мере, некоторый изгиб и/или скручивание без разрушения. Это проиллюстрировано для варианта осуществления, в котором соединительные дорожки служат всеми или частью шарнирных механизмов на фиг. 6 а и 6 б. На фиг. 6 a, a металлическая соединительная дорожка 100 соединяет сегментированную плитку 102 с сегментированной плиткой 104 . В этом варианте нет приспособления для углового отклонения. На фиг. 6 b, металлическая соединительная дорожка 100 изготовлена ​​таким образом, что она включает в себя боковую ступеньку 106 , которая позволяет трассе компенсировать большее угловое отклонение между плитками, чем конфигурация на фиг. 6 а. Обратите внимание, что существует множество способов изготовления дорожек межсоединений, чтобы улучшить степень, в которой они компенсируют угловое отклонение; боковой изгиб, как показано на фиг. 6 b — это всего лишь один из способов.

Другой вариант показан на фиг. 6 г. Здесь металлическая соединительная дорожка 110 между плитками 102 и 104 изготовлена ​​таким образом, что она имеет более одного уровня; двухуровневая трасса показана на фиг. 6 г. Такое многоуровневое расположение служит для увеличения жесткости конструкции.

Как отмечалось выше, важно, чтобы плитки, на которые сегментируется пластина, имели форму, обеспечивающую высокий коэффициент заполнения в складчатой ​​геометрии. Как правило, желаемая трехмерная форма может быть разложена на плоскую поверхность, а существующая инфраструктура интегральных схем может быть использована для изготовления полученной двумерной схемы. При правильном проектировании плиток можно сформировать сложные трехмерные формы.

Желаемая неплоская конфигурация может быть получена, например, путем складывания сегментированной пластины вокруг оправки. Такая оправка предпочтительно должна быть растворимой или иметь растворимый поверхностный слой для облегчения высвобождения, и следует выполнять этап или этапы последующей обработки, посредством которых оправку или разделительный слой следует растворять.

Одной из очень желательных трехмерных форм является криволинейная поверхность. Например, плитки схем, сегментированные и шарнирно закрепленные, как описано в данном документе, могут иметь такую ​​форму, что их можно сгибать для образования кусочно-изогнутой структуры, такой как сферическая или полусферическая структура. Пример показан на фиг. 7. Здесь сегментированные плитки 110 имеют такую ​​форму, что полученная конструкция может быть сложена в виде кусочно-полусферической конструкции 112 , имеющей высокий коэффициент заполнения и небольшие зазоры между плитками.

Одно из возможных применений конструкции такого типа — криволинейная матрица фотодетекторов. Как отмечалось выше, оптический формирователь изображения требует большой, тяжелой и сложной оптики, если изображение с широким полем зрения должно проецироваться на плоскую матрицу фотодетекторов. Возможность изогнуть матрицу фотодетекторов упрощает требуемую оптику и существенно улучшает оптические характеристики имидж-сканера.

Матрица фотодетекторов, выполненная в соответствии с изобретением, может обеспечить широкое поле зрения (~120°) с помощью простой оптики. Диаграмма, иллюстрирующая это, показана на фиг. 8. Предусмотрена матрица , 120 фотодетекторов, изогнутая, как описано здесь, и оптические элементы , 122 , расположенные перед матрицей, так что входящий свет фокусируется на вогнутой поверхности матрицы в широком поле зрения.

Матрица фотодетекторов, показанная на РИС. 7 и 8 могут содержать один или несколько дополнительных слоев. Например, можно использовать дополнительный слой для обеспечения схемы считывания матрицы фотодетекторов.

Существует множество возможных применений складной микросхемы, описанной здесь. Изогнутый фотодетектор или матрица фокальной плоскости (FPA), как описано выше, можно использовать для обеспечения формирования изображения с широким полем зрения; такой имидж-сканер может быть развернут, например, как часть дистанционного датчика или беспилотного летательного аппарата (БПЛА). Изогнутая структура такого рода также может быть полезной для схемы с определенным направлением, такой как акустический датчик, или для размещения схемы в ограниченном пространстве или для ее согласования с геометрией платформы хоста.

Варианты осуществления изобретения, описанные здесь, являются примерными, и можно легко представить многочисленные модификации, вариации и перестановки для достижения по существу эквивалентных результатов, все из которых предназначены для охвата духа и объема изобретения, как определено в прилагаемой формуле изобретения. .

US 5,008,213 A — Интеграция микросхем гибридной пластины

Коды классов CPC

Х01Л 2224/24137 тела раскладываются п…

Х01Л 2224/24227 межсоединение HDI не ко…

Х01Л 2224/2919 с основным учредительным…

Х01Л 2224/73267 Разъемы Layer и HDI

Х01Л 2224/83192 при этом соединитель слоя…

Х01Л 2224/8385 с помощью полимерного клея, например,

Х01Л 2224/92244 второй соединительный процесс…

Х01Л 23/13 характеризуется формой

Х01Л 23/147 Полупроводниковая изоляционная оболочка…

Х01Л 23/293 Органический, например. пластик

Х01Л 23/49894 Материалы изоляционные…

Х01Л 24/19 Способы изготовления высоко…

Х01Л 24/24 индивидуальной высокой плотности…

Х01Л 24/29 соединения отдельного слоя…

Х01Л 24/32 соединения отдельного слоя…

Х01Л 24/82 за счет формирования наростов…

Х01Л 24/83 с помощью многослойного соединителя

Х01Л 2924/00 Схема индексации для аранжировки…

Х01Л 2924/01005 Бор [B]

Х01Л 2924/01006 Углерод [С]

H01L 2924/01013: Алюминий [Al]

H01L 2924/01014: Кремний [Si]

H01L 2924/01015: Фосфор [P]

H01L 2924/01019: Калий [K]

H01L 2924/01024: Хром [Cr]

H01L 2924/01025 : Марганец [Mn]

H01L 2924/01027 : Кобальт [Co]

H01L 2924/01033: Мышьяк [As]

H01L 2924/01039 : Иттрий [Y]

H01L 2924/01042: Молибден [Mo]

H01L 2924/01072 : Гафний [Hf]

H01L 2924/01074 : Вольфрам [Вт]

H01L 2924/014 : Припои

H01L 2924/04953: TaN

H01L 2924/0665: Эпоксидная смола

H01L 2924/07802 : не является омическим электрическим.