ЭЦПТ-5 Снятие вольтамперных характеристик нелинейных элементов на постоянном токе

Навигация:Главная›Для ВУЗов, техникумов и ПУ›Электроника и микроэлектроника›Электрические цепи постоянного тока›ЭЦПТ-5 Снятие вольтамперных характеристик нелинейных элементов на постоянном токе

В избранномВ избранное Артикул: ТП-61 Цена: предоставляется по запросу Задать вопрос по оборудованию

Лабораторный модуль представляет из себя набор элементов для исследования их вольт-амперных характеристик в цепи постоянного тока (диод, туннельный диод, стабилитрон — зенеровский и лавинный пробой). Конструктивно установка состоит из блока питания с регулируемым значением выходного напряжения, исследуемых образцов и цифрового измерительного прибора (вольтметр-амперметр). Все измеренные электрические величины выводятся на ЖКД дисплей. Выбор режима работы установки производиться при помощи клавиш управления либо интерактивного меню. Питание установки ~220 В±10 В. Потребляемая мощность не более 30 Вт. ← Назад

Обработка пищевых продуктов. ИТАЛИЯ

Химические технологии. EDIBON

Пищевые технологии. EDIBON

Окружающая среда. EDIBON

3D Физика. EDIBON.

Энергия. EDIBON

Механика и материалы. EDIBON

Гидромеханика и аэродинамика. EDIBON

Термодинамика и термотехника. EDIBON.

Оборудование PHYWE (Германия)

Гидромеханика

Обучающие тренажеры по системам самолетов и кораблей

Конструкции. Архитектура

Испытания материалов

Аэродинамика

Строительные учебные 3D принтеры

Лаборатории National Instruments

Автоматика. Автоматизация и управление производством

Автомобили и автомобильное хозяйство

Альтернативные и возобновляемые источники энергии

Аэрокосмическая техника

Безопасность жизнедеятельности. Защита в чрезвычайных ситуациях

Военная техника.

Вычислительная и микропроцессорная техника. Схемотехника

Газовая динамика. Пневмоприводы и пневмоавтоматика.

Газовое хозяйство

Гидропневмоавтоматика и приводы

Детали машин

Информатика

Источники напряжения, тока и сигналов. Измерительные приборы

Легкая промышленность. Оборудование и технологии общественного питания.

Медицина. Биоинженерия

Метрология. Технические и электрические измерения

Механика жидкости и газа

Микроскопы

Научное и лабораторное исследовательское оборудование

Начертательная геометрия

Нефть, газ.

Оборудование для мастерских электромонтажа и наладки, производственных практик и технического творчества

Прикладная механика

Радиотехника. Телекоммуникации. Сети ЭВМ

Радиоэлектронная аппаратура и бытовая техника

Робототехника и мехатроника

Сельскохозяйственная техника. Контроль качества сельхозпродуктов

Силовая электроника. Преобразовательная техника

Сопротивление материалов

Симуляторы печатных машин

Станки и прессы с компьютерными системами ЧПУ. CAD/CAM-технологии

Теоретическая механика

Строительство. Строительные машины и технологии

Теория механизмов и машин

Теплотехника. Термодинамика

Технология машиностроения. Обработка материалов

Учебные наглядные пособия

Физика

Химия

Экология

Электрические машины. Электропривод

Электромеханика

Электромонтаж

Электроника и микроэлектроника

• Промышленная элетроника. EDIBON
• Лаборатории
• Учебно-лабораторный комплект «Электронная техника» КЭТ
• Электрические цепи постоянного тока
• Электрические цепи синусоидального тока
• Магнитные цепи
• Основы электроники
• Источники питания
• Цифровые устройства
• Лабораторные стенды

Электротехника и основы электроники

Электроэнергетика. Релейная защита. Электроснабжение

Энерго- и ресурсосберегающие технологии

Энергоаудит

Производство

Учебное оборудование от Edibon

радиодетали полупроводниковые, диоды, диодные сборки, транзисторы, тиристоры

Артикул 100801

нет отзывов

Комплектация:

• BZX55C3V3

• BZX55C4V7

• BZX55C5V1

• BZX55C6V2

• BZX55C6V8

• BZX55C7V5

• BZX55C8V8

• BZX55C9V1

• BZX55C10V0

• BZX55C12V0

• BZX55C15V0

• BZX55C18V0

• BZX55C24V0

• BZX55C30V0

стабилитрон в ассортименте, все номиналы

3 р. / шт.

сопутствующие товары

Заказать

Нет в наличии

В избранное Сравнить

В наличии на 1 складе

• О товаре
• Отзывы 0
• Наличие

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете.

Его «Теория электрического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложенный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм​

В СССР стабилитроны классифицировались по рассеиваемой мощности на четыре группы: 0—0,3 Вт, 0,3—5 Вт, 5—10 Вт и свыше 10 Вт.​

Название «зенеровский диод» (калька с английского zener diode, по имени первооткрывателя туннельного пробоя Кларенса Зенера), согласно ГОСТ 15133—77 «Приборы полупроводниковые. Термины и определения», в технической литературе не допустимо​

В англоязычной литературе словом stabilitron или stabilotron называют стабилотрон — не получивший широкого распространения тип вакуумной генераторной лампы СВЧ-диапазона​

В англоязычной литературе понятие zener или zener diode («зенеровский диод») применяется к стабилитронам всех типов независимо от того, какой механизм пробоя (зенеровский или лавинный) преобладает в конкретном приборе. Английское avalanche diode («лавинный диод») применяется к любым диодам лавинного пробоя, тогда как в русскоязычной литературе лавинный диод, или «ограничительный диод» по ГОСТ 15133—77 — узко определённый подкласс стабилитрона с лавинным механизмом пробоя, предназначенный для защиты электроаппаратуры от перенапряжений. Ограничительные диоды рассчитаны не на непрерывное пропускание относительно малых токов, а на краткосрочное пропускание импульсов тока силой в десятки и сотни А. Так называемые «низковольтные лавинные диоды» (англ. low voltage avalanche, LVA), напротив, предназначены для работы в непрерывном режиме. Это маломощные стабилитроны с необычно низким дифференциальным сопротивлением; в промышленной практике различие между ними и «обычными» стабилитронами стёрлось

Некоторые «прецизионные стабилитроны» несут обозначения, характерные для дискретных приборов, но в действительности являются сложными интегральными схемами. Внутренними источниками опорного напряжения таких микросхем могут служить и стабилитроны, и бандгапы.

Не являются стабилитронами лавинно-пролётные диоды, туннельные диоды и стабисторы. Стабисторы — это маломощные диоды, предназначенные для работы на прямом токе в стабилизаторах напряжения и как датчики температуры. Характеристики стабисторов в обратном включении не нормировались, а подача на стабистор обратного смещения допускалась только «при переходных процессах включения и выключения аппаратуры». Обращённые диоды в различных источниках определяются и как подкласс стабилитронов, и как подкласс туннельных диодов. Концентрация легирующих примесей в этих диодах настолько велика, что туннельный пробой возникает при нулевом обратном напряжении. Из-за особых физических свойств и узкой области применения они обычно рассматриваются отдельно от стабилитронов и обозначаются на схемах особым, отличным от стабилитронов, символом

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7В

стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей oма до сотен oм. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов​

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400В​ Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики

Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона.

В русскоязычной литературе понятие «стабилитрон» без уточняющего «полупроводниковый» применяется именно к полупроводниковым стабилитронам. Уточнение необходимо, если нужно противопоставить стабилитроны полупроводниковые — устаревшим газонаполненным стабилитронам тлеющего и коронного разряда. Катодом стабилитрона обозначается вывод, в который втекает обратный ток (n-область обратно-смещённого p-n-перехода), анодом — вывод, из которого ток пробоя вытекает (p-область p-n-перехода). Двуханодные (двусторонние) стабилитроны состоят из двух стабилитронов, включенных последовательно во встречных направлениях, «катод к катоду» или «анод к аноду», что с точки зрения пользователя равнозначно.​

Полупроводниковые стабилитроны вошли в промышленную практику во второй половине 1950-х годов. В прошлом в номенклатуре стабилитронов выделялись функциональные группы, впоследствии потерявшие своё значение, а современные полупроводниковые стабилитроны классифицируются по функциональному назначению на Дискретные стабилитроны общего назначения — силовые и малой мощности. ​

Адрес магазина

Режим работы

Наличие

село Калинино

Нет в наличии

с 9:00 до 18:00

Подробнее о складе

Недавно просмотренные

нет отзывов

BZX55C 1/2 Вт

Заказать

Нет в наличии

Что такое стабилитрон и лавинный пробой? — Идеальный и фактический стабилитрон

Лавинный пробой и Пробой Зенера — это два разных механизма, с помощью которых происходит разрыв PN-перехода. Пробой Зенера и лавинный пробой происходят в диоде при обратном смещении.

Лавинный пробой происходит из-за ионизации пар электронов и дырок, тогда как пробой Зинера происходит из-за сильного легирования. Они подробно объясняются ниже.

Лавинный пробой

Механизм лавинного пробоя возникает из-за обратного тока насыщения. Материал P-типа и N-типа вместе образуют PN-переход. Область истощения развивается на стыке, где соприкасаются материалы P- и N-типа.

Материалы P- и N-типа PN-перехода не идеальны, и в них есть некоторые примеси, т. е. в материале p-типа есть электроны, а в материале N-типа есть дырки. Ширина области истощения варьируется. Их ширина зависит от смещения, приложенного к терминалу P- и N-области.

Обратное смещение увеличивает электрическое поле в обедненной области. Когда сильное электрическое поле существует поперек области обеднения, скорость неосновных носителей заряда, пересекающих область обеднения, увеличивается. Эти носители сталкиваются с атомами кристалла. Из-за сильного столкновения носитель заряда вырывает электроны из атома.

Столкновение увеличивает электронно-дырочную пару. Поскольку электрон-дырка индуцируется в сильном электрическом поле, они быстро разделяются и сталкиваются с другими атомами кристаллов. Процесс непрерывный, и электрическое поле становится настолько большим, что в PN-переходе начинает течь обратный ток. Процесс известен как Сход лавины . После пробоя переход не может вернуться в исходное положение, так как диод полностью сгорел.

Пробой Зенера

PN-переход образован комбинацией полупроводниковых материалов p-типа и n-типа. Комбинация областей P-типа и N-типа создает область истощения.

Ширина области обеднения зависит от легирования полупроводникового материала P- и N-типа. Если материал сильно легирован, ширина обедненной области становится очень тонкой.

Явление зенеровского пробоя происходит в очень тонкой области обеднения. В тонкой обедненной области больше свободных электронов. Обратное смещение применяется к PN-переходу, создавая напряженность электрического поля в обедненной области. Сила напряженности электрического поля становится очень высокой.

Интенсивность электрического поля увеличивает кинетическую энергию свободных носителей заряда. Тем самым носители начинают прыгать из одного региона в другой. Эти энергетические носители заряда сталкиваются с атомами материала p-типа и n-типа и производят электронно-дырочные пары.

В переходе начинает течь обратный ток, из-за чего область обеднения полностью исчезает. Этот процесс известен как пробой Зенера.

При пробое Зенера переход повреждается не полностью. Область обеднения восстанавливает свое исходное положение после снятия обратного напряжения.

Эквивалентная схема идеального стабилитрона и реального стабилитрона

Идеальный стабилитрон

Область пробоя идеального стабилитрона на кривой VI считается вертикальной. График показывает, что напряжение остается постоянным даже после изменения тока.

Таким образом, сопротивлением стабилитрона можно пренебречь. Зенеровский диод в области пробоя идеально ведет себя как батарейка.

Эквивалентная электрическая схема показана ниже:

В схеме идеальный стабилитрон может быть заменен источником напряжения V _z , когда стабилитрон работает в области пробоя.

Фактический стабилитрон

График области пробоя реального стабилитрона не точно вертикальный. На графике видно, что стабилитрон имеет некоторое сопротивление.

На рисунке ниже видно, что стабилитрон имеет некоторое сопротивление R _z , соединенное последовательно с батареей напряжением V _z .

Напряжение на стабилитроне будет:

Это все про пробой Зенера и Лавинный пробой.

Почему стабилитроны имеют более низкое напряжение пробоя, чем обычно?

спросил 1 год, 2 месяца назад

Изменено 1 год, 2 месяца назад

Просмотрено 450 раз

\$\начало группы\$

Вот я немного не понимаю физику.

Таким образом, для обычного диода у нас есть ширина зоны обеднения, скажем, Wn , а для стабилитрона у нас есть Wz .

Тогда мы знаем, что Wn > Wz . С помощью обратного смещения мы делаем зону обеднения шире, пока Epn не станет слишком большим, и в конце концов все сломается, и ток начнет течь.

Но если Wz < Wn , то чем должно быть больше Vbd ?

Я предполагаю, что ответ в разности потенциалов между PN. Хотя Wz < Wn , у нас есть Ez >> En на PN переходе из-за более высокого легирования, поэтому требуется намного меньше Vbd для запуска потока в Zener.

Правильно?

• диоды
• стабилитрон
• лавинный пробой

\$\конечная группа\$

10

\$\начало группы\$

Пробой стабилитрона в стабилитронах происходит из-за квантового туннелирования. Легирование стабилитрона очень велико -> электрическое поле очень велико -> ширина обедненной области очень мала и

0003 не меняется при подаче обратного напряжения .

Теперь вернемся к квантовому туннелированию:

Как показано на рисунке, классическая частица не может пройти от первого подножия холма ко второму подножию холма, не дав частице некоторую энергию для преодоления потенциальной энергии, необходимой для достижения вершины. холма, затем скатиться вниз.

Однако квантовые частицы (электроны или дырки) могут туннелировать через холм, если холм очень мал по ширине и имеет конечный потенциал на вершине холма.

В нашем случае при напряжении пробоя стабилитрона энергия электронов проводимости в области n-типа становится равной энергии валентных дырок в области p-типа, а поскольку барьер очень мал по ширине и электрическое поле обеднения область имеет конечную величину, электроны из зоны проводимости области n-типа могут туннелировать в валентную зону области p-типа.