От чего зависит ёмкость конденсатора

Сегодня попытаюсь рассказать от чего же завит зависит ёмкость конденсатора, не утверждаю что это будет самое лучшее объяснение но думаю понятней других. Данная статья предназначена для того чтобы понять смысл, без глубокого проникновения в детали. И так, поехали.

Конденсатор состоит из 2 обкладок, сделанных из металла, которые отделены друг от друга слоем диэлектрика. При этом его толщина намного меньше площади пластин.

Для зарядки он подключается к источнику постоянного тока. При этом на пластинах начинают быстро собираться противоположные по полярности, но идентичные по величине электрически заряженные частицы. Заряд (q, Кл) конденсатора, равен заряду, накопленному на одной из его обкладок.

В то же время, чем больше величина q, тем выше напряжение поля между его обкладками (U = ϕ₂ – ϕ_1, В). Таким образом отношение q / (ϕ₂ – ϕ₁) зависит исключительно от характеристик конкретного конденсатора.

Исход из этого, ёмкостью конденсатора является называется значение величины отношения q / U, которая показывает его возможность накапливать заряд.

Ёмкость конденсатора:

Чтобы найти, от чего завит ёмкость устройства, выразим разность  потенциалов через действующую между обкладками напряжённость. Как известно, для обычного конденсатора, она будет равна:

Диэлектрическая проницаемость – это характеристика среды, характеризующая, во сколько раз уменьшается напряжённость электрического поля в веществе, по сравнению с вакуумом.

Исходя из этого:

Подставляя полученное значение в формулу, по которой определяется ёмкость конкретного конденсатора, получим:

 

Из полученной формулы видно, что ёмкость обычного конденсатора зависит от его геометрических размеров (расстояние между обкладками и площадью) и материалом, находящимся между пластинами.

Таким образом, чем меньше зазор между обкладками, тем больше ёмкость. Это происходит потому, что на небольшом расстоянии заряды сильнее взаимодействуют друг с другом. И положительные частицы на одной обкладке сильнее притягивают отрицательны частицы с другой пластины. При этом количество отрицательных частиц увеличивается, а значит увеличивается заряд. То же самое происходит и с положительными частицами на другой обкладке. При этом разность потенциалов остаётся той же, так дополнительной работы по перемещению заряженных частиц не выполняется.

При увеличении площади пластин ёмкость возрастает, так как заряженные частицы распределяются на большей площади. Значит на каждой из обкладок теперь можно накопить больше заряда, при этом разность потенциалов остаётся постоянной.

При использовании материала с большей диэлектрической проницаемостью напряжённость поля уменьшается, как это видно из определения. Так как напряжённость прямо пропорциональна разности потенциалов, то напряжение тоже становиться меньше. При этом заряд остаётся постоянным. Значит ёмкость конденсатора уменьшается.

Зависимость емкости конденсатора от напряжения

На рис. После включения цепи вольтметр, включенный в цепь, покажет полное напряжение генератора. Стрелка амперметра установится на нуле — ток через изоляцию конденсатора протекать не может. Но проследим внимательно за стрелкой амперметра при включении незаряженного конденсатора.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• В помощь изучающему электронику
• Конденсатор в цепи переменного тока. Емкостное сопротивление конденсатора.
• Керамические конденсаторы MLCC: особенности применения
• Глава 20. Конденсаторы
• Электролитический конденсатор
• Конденсатор в цепи переменного тока
• Конденсаторы, свойства конденсатора, обозначение конденсаторов на схемах, основные параметры

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: ЧТО ТАКОЕ ESR КОНДЕНСАТОРА И КАК ИЗМЕРИТЬ ESR

В помощь изучающему электронику

Под емкостным сопротивлением понимается особый характер противодействия переменному току, наблюдаемый в цепях с электрической ёмкостью. При этом емкостное сопротивление конденсатора зависит не только от включённых в цепь элементов, но и от параметров протекающего в ней тока смотрите рисунок ниже. Отметим также, что конденсатор относится к категории реактивных элементов, потери энергии на которых в цепи переменного тока не происходит. Для того чтобы определиться с ёмкостным сопротивлением в той или иной схеме, потребуется выявить следующие параметры:.

После того, как учтены все перечисленные выше факторы, можно будет определить ёмкостное сопротивление конденсатора по следующей формуле:. Эта формула указывает на обратно пропорциональную зависимость сопротивления от величины ёмкости и частоты питающего напряжения. Благодаря такому характеру его изменения, конденсаторы могут работать в следующих частотно-зависимых схемах:. Добавим к этому возможность использования конденсаторов в качестве демпферных элементов в цепи переменного тока, нагруженной на мощные силовые агрегаты.

Для получения более чёткого представления о том, что такое ёмкостное сопротивление, можно воспользоваться векторным представлением протекающих в конденсаторе процессов.

После изучения диаграммы можно заметить, что ток в цепи конденсатора меняет фазу с опережением напряжения на 90 градусов. Из характера взаимодействия основных электрических величин делается вывод о том, что конденсатор оказывает сопротивление изменению напряжения на нём.

Чем больше ёмкость, тем медленнее происходит её перезарядка до полного напряжения и тем меньше ёмкостное сопротивление данного элемента. Этот вывод полностью совпадает с приведённой ранее формулой. Дополнительная информация. При исследовании включенных в цепи переменного тока индуктивностей обнаруживается обратная закономерность, когда ток, наоборот, отстаёт по фазе от изменений напряжения. Отметим, что в обоих случаях наблюдаемые различия в фазных параметрах указывают на реактивный характер сопротивления этих элементов.

Конденсатор, как обладатель электрической ёмкости, напоминает по своим показателям автомобильный аккумулятор. Но, в отличие от АКБ, ёмкостной заряд на нём держится совсем недолго, что объясняется наличием утечек в диэлектрике и частичной разрядкой через окружающую среду.

При этом ёмкость как и у аккумулятора определяет накопительные свойства конденсатора или его способность удерживать энергию между обкладками. Обратите внимание! В системе СИ этот показатель измеряется в Фарадах, которые представляют собой очень крупную единицу измерения. На практике чаще всего пользуются более мелкими единицами измерения емкости, а именно :.

Иногда конденсаторы устанавливаются в цепочках гашения напряжения с целью получения меньших его значений вместо понижающих трансформаторов. Этот способ получения нужных напряжений считается не только очень простым, но и самым опасным, поскольку индуктивной развязки от высокого потенциала здесь не существует.

Но если аккуратно обращаться с таким преобразователем, вполне можно будет собрать его своими руками. При расчёте требуемой ёмкости обычно исходят из следующих соображений:. Для улучшения переходных характеристик делительной цепочки иногда параллельно конденсатору включается ещё один из резисторов, называемый разрядным.

После этого можно вычислить омическое сопротивление конденсатора, достаточное для того, чтобы на нём было Вольт:.

При параллельном включении нескольких конденсаторов их ёмкости складываются между собой. При этом общее ёмкостное сопротивление согласно рассмотренным выше формулам уменьшается. Если же все конденсаторные элементы соединены в последовательную цепочку, их суммарная ёмкость вычисляется как обратные значения каждой из составляющей. Ёмкостное сопротивление последовательно включенных элементов в этом случае, наоборот, увеличивается. В заключение отметим, что такой характер изменения ёмкости и импеданса объясняется свойствами конденсатора, способного накапливать заряд на своих обкладках.

RU — интернет-энциклопедия про всё, что связано с домашней электрикой: выключатели, розетки, лампочки, люстры, проводка. Советы, инструкции и наглядные примеры.

Конденсатор в цепи переменного тока. Емкостное сопротивление конденсатора.

Установление постоянства порога напряжения, прекращающего фибрилляцию, вызвало естественный вопрос о зависимости этого порога от емкости конденсатора, т. Изучение этой зависимости показало, что величина напряжения, необходимого для прекращения фибрилляции, находится в строго закономерной зависимости от величины емкости конденсатора: чем больше емкость, тем меньше напряжение, которым прекращается фибрилляция. Однако уменьшение порога напряжения при увеличении емкости имеет свою определенную границу, за пределами которой дальнейшее увеличение емкости более не снижает порога напряжения. Такой предел при наших условиях опыта достигался обычно при увеличении емкости до 25—30 мкФ. Таблица 4 Величина порога напряжения дефибрилляции при различной емкости конденсатора Для иллюстрации описанной закономерности приводим данные 4 из 7 опытов, в которых измерялась величина порога напряжения, прекращающего фибрилляцию, при различной емкости конденсатора табл. Данные 7 опытов представлены для наглядности в одной таблице табл.

Емкость, конденсатор. Формулы, вычисления, зависимости. Точно так же при разряде конденсатора напряжение убывает до нуля не сразу.

Керамические конденсаторы MLCC: особенности применения

Многослойные керамические чип-конденсаторы MLCC представляют собой наиболее быстро растущий рынок, по сравнению с остальными типами конденсаторов. MLCC используются во всех областях электроники: потребительской, автомобильной, военной, медицинской, промышленной и др. Каждое приложение предъявляет свои требования к компонентам. Только зная все особенности применения, хранения и монтажа можно сделать правильный и обоснованный выбор конденсатора. Многослойные керамические чип-конденсаторы Multilayer Ceramic Capacitors, MLCC играют решающую роль в технологии поверхностного монтажа с момента их появления. Они имеют ценные особенности, которые обеспечивают их широкое распространение [1]. Среди таких особенностей можно отметить: высокую удельную емкость, широкий диапазон номинальных емкостей, широкий диапазон рабочих напряжений, стандартный набор типоразмеров таблица 1 , позволяющий легко использовать аналоги различных фирм производителей.

Глава 20. Конденсаторы

В первом случае он используется как элемент блокировки и ёмкостной нагрузки, а во втором — в качестве фильтрующего звена выпрямительных цепочек с пульсирующим током. Конденсатор в цепи переменного тока выглядит так, как это изображено на рисунке ниже. В отличие от другого распространённого радиокомпонента, называемого резистором, конденсатор в цепи переменного тока вносит в неё реактивную составляющую, что приводит к образованию сдвига фаз между приложенной ЭДС и вызванным ею током. Ознакомимся с тем, что такое реактивная составляющая и ёмкостное сопротивление, более подробно.

Давайте-ка я вам напомню. При кратковременной подаче на конденсатор постоянного напряжения, он заряжается и сохраняет в себе этот заряд.

Электролитический конденсатор

Под емкостным сопротивлением понимается особый характер противодействия переменному току, наблюдаемый в цепях с электрической ёмкостью. При этом емкостное сопротивление конденсатора зависит не только от включённых в цепь элементов, но и от параметров протекающего в ней тока смотрите рисунок ниже. Отметим также, что конденсатор относится к категории реактивных элементов, потери энергии на которых в цепи переменного тока не происходит. Для того чтобы определиться с ёмкостным сопротивлением в той или иной схеме, потребуется выявить следующие параметры:. После того, как учтены все перечисленные выше факторы, можно будет определить ёмкостное сопротивление конденсатора по следующей формуле:.

Конденсатор в цепи переменного тока

Мы знаем, что конденсатор не пропускает через себя постоянного тока. Поэтому в электрической цепи, в которой последовательно с источником тока включен конденсатор, постоянный ток протекать не может. Рисунок 1. Сравнение конденсатора в цепи переменного тока с пружиной, на которую воздействует внешняя сила. В течение первой четверти периода, когда переменная ЭДС нарастает, конденсатор заряжается, и поэтому по цепи проходит зарядный электрический ток i , сила которого будет наибольшей вначале, когда конденсатор не заряжен. По мере приближения заряда к концу сила зарядного тока будет уменьшаться.

Емкость, конденсатор. Формулы, вычисления, зависимости. Точно так же при разряде конденсатора напряжение убывает до нуля не сразу.

Конденсаторы, свойства конденсатора, обозначение конденсаторов на схемах, основные параметры

Основными параметрами, характеризующими конденсаторы, являются их электрическая ёмкость и угол потерь. В электронных устройствах применяются конденсаторы многих типов и различных назначений. Возможные значения их ёмкостей лежат примерно в пределах от 1 пФ до мкФ. В области высоких и сверхвысоких частот объектами измерений могут также явиться весьма малые межэлектродные ёмкости электронных приборов и паразитные ёмкости между различными элементами схемы ёмкости монтажа.

Для накопления разноименных электрических зарядов служит устройство, которое называется конденсатором. Конденсатор — система двух изолированных друг от друга проводников которые часто называют обкладками конденсатора , один из которых заряжен положительным, второй — таким же по величине, но отрицательным зарядом. Если эти проводники представляют собой плоские параллельные пластинки, расположенные на небольшом рас-стоянии друг от друга, то конденсатор называется плоским. Для характеристики способности конденсатора накапливать заряд вводится понятие электроемкости часто говорят просто емкости. Емкостью конденсатора называется отношение заряда конденсатора к той разности потенциалов , которая возникает между обкладками при их заряжении зарядами и эту разность потенциалов проводников часто называют электрическим напряжением между обкладками и обозначают буквой :.

Заряд конденсатора.

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Войти Регистрация. Изменение ёмкости керамических конденсаторов от температуры и напряжения, или как ваш конденсатор на 4,7мкФ превращается в 0,33мкФ Автор оригинала: Mark Fortunato. Вступление: я был озадачен. Несколько лет назад, после более чем 25 лет работы с этими вещами, я узнал кое-что новое о керамических конденсаторах. Работая над драйвером светодиодной лампы я обнаружил, что постоянная времени RC-цепочки в моей схеме не сильно смахивает на расчётную.

Отказы конденсаторов могут быть вызваны дефектами в самих конденсаторах, ошибками проектирования и эксплуатации аппаратуры, приводящими к нарушению контактов, паек, механической прочности и герметичности конденсаторов. Одной из возможных причин отказов конденсаторов является превышение допустимых по технической документации на конденсаторы значений параметров. Следует учитывать не только эти воздействия в установившихся режимах работы, но и возможные перегрузки при прогреве аппаратуры, переходных процессах в цепях, резком снятии нагрузки, транспортировке аппаратуры, которые снижают надежность конденсатора.

Простая схема для измерения емкости в зависимости от напряжения

Существует множество методов измерения емкости. Для некоторых из этих методов требуется функциональный генератор для обеспечения источника синусоидального или ступенчатого напряжения. Представленная здесь конструктивная идея имеет то преимущество, что не требует специального источника возбуждения. Вместо этого он опирается на простую тестовую схему, а также на возможности однократного захвата и измерения, присущие цифровым осциллографам (DSO).

Схема может точно измерять очень маленькие емкости, а также способна точно измерять емкости, которые изменяются в зависимости от приложенного напряжения. Примером устройств с емкостью, зависящей от напряжения, является p-n переход с обратным смещением, такой как переход коллектор-база биполярного транзистора. Другим примером является устройство TVS (диод для подавления переходных напряжений).

Тестовая схема состоит из одного npn-транзистора (Q1), подключенного к схеме с общей базой (рис. 1). U1 — источник постоянного тока (LM334) в эмиттерной ветви транзистора. Транзистор имеет очень низкую емкость коллектор-база (C _CB = 0,32 пФ). Эта спецификация имеет решающее значение для конструкции, поскольку фактическое колебание напряжения на ИУ будет происходить между коллектором транзистора и землей. База транзистора смещена постоянным постоянным напряжением, равным 1/2 напряжения питания (−V _ЕЕ ). Максимальное напряжение V _CE для транзистора, используемого в этой схеме, составляет 12 В, поэтому -V _EE должно быть ограничено примерно до -22 В максимум.

Схема работает следующим образом. Источник постоянного тока LM334 (U1) запрограммирован на ток катода 10 мкА выбором R1 (67 мВ/R1 = I _CATHODE ). Измеряемая емкость подключается между землей цепи и коллектором транзистора Q1. Переключатель с малой емкостью используется для замыкания коллектора Q1 на землю. Обратите внимание: я использовал острый край простого зажима для ручного контакта с заземляющим узлом, создавая соединение с очень низкой емкостью.

Осциллограф с очень малой емкостью (тип FET) подключен к цепи, как показано на рис. 1. Цифровой осциллограф используется в режиме однократного захвата для захвата заднего фронта сигнала напряжения, который появляется на ИУ после короткометражка выпущена. Неизвестная емкость заряжается от источника постоянного тока через Q1. При правильном запуске можно захватить всю форму волны напряжения.

Запрограммированный ток источника постоянного тока может быть изменен в зависимости от диапазона измеряемой емкости и не является критическим. Выбранное значение зарядного тока определяет наклон отображаемой кривой. Отклик по напряжению (наклон) можно сделать произвольно медленным, чтобы индуктивность, присущая цепи, не влияла на измерение.

Отображаемые результаты можно проанализировать следующим образом. Поскольку ИУ заряжается постоянным током, емкость устройства просто равна:

C = I/(dV/dT)

Можно измерить параметры времени и напряжения (наклон захваченной кривой напряжения). непосредственно из отображаемой формы сигнала. Устройства с фиксированной емкостью будут отображать характеристику с линейным наклоном (до напряжения насыщения Q1). Устройства с емкостью, зависящей от напряжения, будут иметь характеристику переменного наклона. Емкость может быть измерена напрямую при любом напряжении смещения для устройств с емкостью, зависящей от напряжения.

Некоторые особенности типичных современных DSO делают этот тип измерений особенно удобным. Осциллографы LeCroy имеют функцию измерения, называемую «дельта-время между уровнями», которая позволяет напрямую измерять и считывать дельта-время между двумя выбранными курсором значениями напряжения на любом отображаемом сигнале (рис. 2, 3 и 4).

Форма волны, показанная на рис. 2, получена только с помощью измерительной схемы, без ИУ. Следовательно, это базовое измерение емкости тестовой цепи. Он состоит из емкости (C _CB ) Q1, осциллографа и паразитных емкостей физической тестовой цепи. Измеренное значение (3,3 пФ) будет вычтено из последующих измерений.

На рис. 3 показана форма волны, полученная, когда тестируемое устройство является устройством TVS. Такое устройство называется ТВС «малоемкостного типа». Производитель добивается низкой емкости, вставляя быстродействующий выпрямитель (с малой емкостью) последовательно с диодом TVS. Из отображаемого результата видно, что емкость устройства действительно очень мала (3,4 пФ), когда устройство смещено до 0,5 Вольт. Однако выше этого напряжения смещения внутренний выпрямительный диод проводит, и теперь преобладает емкость устройства TVS.

На рис. 4 показаны два сигнала. Кривая 2 представляет собой полную захваченную форму волны, показывающую характеристики TVS от 0 В до напряжения пробоя при токе смещения 10 мА (это устройство TVS на 3 В). Расширенная кривая (A) представляет собой расширение области от 0 В до примерно -0,5 В (область низкой емкости). Измерение на этой расширенной кривой дает значение емкости 3,4 пФ.

Это удобный метод, использующий простую, маленькую и портативную схему для измерения емкостных характеристик, зависящих от напряжения. Эта схема также использовалась для измерения паразитных емкостей на входных разъемах и других участках печатных плат, которые не могли легко управляться источниками синусоидального напряжения или подключаться к контрольно-измерительным приборам для прямого измерения.

Зависимость емкости конденсаторов high-k HfO/sub 2/ MIM от напряжения и температуры: единое понимание и прогнозирование

• title={Зависимость емкости конденсаторов high-k HfO/sub 2/MIM от напряжения и температуры: единое понимание и прогноз}, author={Чуньсян Чжу, Ханг Ху, Сюнфэй Юй и С. Дж. Ким и Альберт Чин и М-Ф. Ли и Бён Джин Чо и Дим Ли Квонг}, journal={Международная встреча IEEE по электронным устройствам, 2003 г.}, год = {2003}, страницы = {36.5.1-36.5.4} }
  • Chunxiang Zhu, Hang Hu, D. Kwong
  • Опубликовано 1 декабря 2003 г.
  • Physics
  • IEEE International Electron Devices Meeting 2003

  Конденсаторы High-k MIM, такие как Si/sub 2 аналоговые, представляют большой интерес для аналоговых HfO/sub 2 и RF приложений в последнее время. Эта работа предназначена для объяснения зависимостей VCC от толщины диэлектрика и частоты, а также температурной зависимости емкости конденсаторов HfO/sub 2/MIM. На основе модели инжекции свободных носителей впервые достигается единое понимание: (1) зависимости VCC (/spl alpha/) от толщины (t), которая демонстрирует зависимость /spl alpha//spl prop/t /sup -n/, это… 

  Просмотр на IEEE

  doi.org

  Улучшение линейности напряжения в конденсаторах с высоким/spl каппа/MIM с использованием HfO/sub 2/-SiO/sub 2/ многослойного диэлектрика

  • Sun Jung Kim, Byung Jin Cho, Dim-Lee Kwong

  • Physics, Engineering

    IEEE Electron Device Letters

  • 2004

  Продемонстрировано, что коэффициенты емкости по напряжению (VCC) в высоковольтных / spl каппа / металл-изолятор-металл (MIM) конденсаторы могут быть активно спроектированы, а линейность напряжения может быть значительно…

  Характеристики ВЧ, постоянного тока и надежности многослойных MIM-конденсаторов ALD HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ для Si RF IC

  • S. Ding, Hang Hu, D. Kwong

  • Physics, Engineering

    IEEE Transactions on Electron Devices

  • 2004

  Высокопроизводительные конденсаторы металл-изолятор-металл с атомно-слоевым осаждением HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ламинат изготовлены и охарактеризованы для применения в радиочастотных и смешанных сигналах. В…

  Сравнительное исследование конденсаторов MIM высокой плотности с ALD HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ многослойными, многослойными и многослойными диэлектриками

  • S. Ding, H. Hu, D. Kwong

  • Физика

    Труды. 7-я Международная конференция по технологиям твердотельных и интегральных схем, 2004 г.

  • 2004

  Многослойный MIM-конденсатор HfO/sub 2/-Al/sub 2/O демонстрирует превосходные характеристики по сравнению с многослойными и многослойными аналогами, включая самые маленькие линейный коэффициент емкости по напряжению (/spl beta/)…

  Характеристика и моделирование конденсаторов Al/sub 2/O/sub 3/MIM: влияние температуры и электрического поля

  • S. Bécu, S. Crémer, O. Noblanc, J. Autran, D. P.

  • Physics

    Proceedings of 35th European Solid-State Research Conference, 2005. ESSDERC 2005.

  • 2005

  . /sub 3/ в качестве диэлектрика. Электрические характеристики от 100 К до 450 К имеют…

  Структурные и электрические характеристики $ \hbox{Lu}_{2}\hbox{O}_{3}$ диэлектрических встроенных конденсаторов MIM для аналоговых приложений ИС

  В этом исследовании мы разрабатываем высокоэффективный металлический изолятор -металлический (MIM) конденсатор с использованием аморфной пленки Lu2O3 с высоким значением k для радиочастотных и смешанных приложений. Конденсатор Ni/Lu2O3/TaN…

  Исследование нелинейного изменения емкости в межуровневой медной структуре и структуре межсоединений Low-k

  Электрические токи и емкости материалов Cu/low-k всесторонне исследованы с помощью межуровневого пальца -образные конструкции. Механизм прыжковой проводимости при низких…

  Высокопроизводительные конденсаторы металл-изолятор-металл, использующие оксид европия в качестве диэлектрика

  Мы сообщаем о первой демонстрации конденсаторов металл-изолятор-металл (MIM) с диэлектриком Eu2O3 для аналоговых приложений и приложений DRAM. Влияние различных условий отжига на электрические…

  Температурная зависимость согласующих характеристик конденсатора MIM

  • Jae-Hyung Jang, H. Kwon, H. Lee

  • Engineering

  • 2013

  В этой статье была подробно проанализирована температурная зависимость согласующих характеристик конденсатора MIM. Характеристики согласования ухудшаются с повышением температуры. То есть…

  Конденсаторы High-/spl каппа/Ir/TiTaO/TaN, подходящие для аналоговых ИС

  • K. Chiang, C.C. Huang, C. Chi

  • Physics, Engineering

    IEEE Electron Device Letters

  • 2005

  /spl mu/m/sup 2/), малый ток утечки при 2 В (1,2/spl раз/10/sup -8/ A/см/sup 2/),…

  Использование никелевого электрода с высокой рабочей функцией для повышения устойчивости к внешним воздействиям аналоговых конденсаторов $\hbox{SrTiO}_{3}$ металл–изолятор–металл

  • К. Чианг, К. Ченг, Х. Хванг

  • Physics, Engineering

    IEEE Electron Device Letters

  • 2007

  Мы изучили стресс-надежность конденсаторов с малой шириной запрещенной зоны и большой металл-изолятор-металл при нагрузке постоянным напряжением. Используя никелевый электрод с высокой работой выхода (5,1 эВ), мы уменьшили…

  ПОКАЗАНЫ 1-8 ИЗ 8 ССЫЛОК

  Исследование и моделирование электрических свойств структур металл-оксид-металл, сформированных из пленок Ta2O5, осажденных из газовой фазы

  • S. Blonkowski, M. Regache, A. Halimaoui

  • Материалы Science

  • 2001

  Пленки аморфного Ta2O5 были осаждены методами химического осаждения из газовой фазы при низком давлении (LPCVD) и химического осаждения из газовой фазы с усилением плазмы (PECVD) при температурах ниже 450 °C. Эти пленки использовались для…

  Усовершенствованные диэлектрики для оксидных затворов, конденсаторов DRAM и RF

  Представлен новый класс материалов с высокой диэлектрической проницаемостью на основе бинарных и тройных аморфных оксидов металлов. Эти пленки совместимы с низкотемпературной обработкой и могут использоваться с…

  Высоконадежный металлический конденсатор с металлическим изолятором для медной технологии 0,18 /spl mu/m

  • M. Armacost, A. Augustin, K. Stein

  • Engineering , Physics

    International Electronic Devices Meeting 2000. Технический сборник. ИЭДМ (Кат. № 00Ч47138)

  • 2000

  Обсуждается высоконадежный конденсатор металл-изолятор-металл, встроенный в КМОП-технологию 0,18 /spl mu/m с использованием медных межсоединений. Интеграционные решения, специфичные для меди…

  Зависимость подвижности носителей от мощности дозы

  • B. Брутто

  • Физика

  • 1974

  Интеграция тонкопленочных конденсаторов и резисторов MIM-CMOS-CMOS на основе меди и RF-CMOS-металлизации на основе меди и Bi-CMOS технологии

  Высокоточные конденсаторы металл-изолятор-металл с плотностью емкости 1,6 фФ/мкм/суп 2/ и металлические тонкопленочные резисторы 50 Ом/кв. поверхностное сопротивление и отрицательный температурный коэффициент…

  MIM-конденсаторы HfO2 и HfO2, легированные лантанидами, для высокочастотных/смешанных ИС

  • Sun Jung Kim, B.