Многоточечные измерения в анализаторах компонентов серии АММ-30х8 | Публикации

Для решения различных научных и практических задач в области радиоэлектроники и полупроводниковой техники постоянно возникает необходимость измерений и качественной оценки состояния различных электронных компонентов как пассивных: измерение резистивности (сопротивления), емкости конденсаторов и индуктивности различных катушек или обмоток, так и полупроводниковых структур. Подобные измерения необходимы не только для оценки качества (некоторые элементы, например бумажные или электролитические конденсаторы, значительно изменяют свои характеристики с течением времени), но и в ряде работ, где требуется точная подгонка и настройка компонентов (например, для установки частоты резонанса контуров и фильтров), при определении характеристик (например, температурных зависимостей), отбраковке «годен-негоден» при допусковом контроле на производстве или в научно-исследовательской деятельности.

Немного теории

Не будем углубляться в ТОЭ (теоретические основы электротехники), но всё же напомним, что сопротивление таких элементов, как индуктивности и конденсаторы в цепи переменного тока, сильно зависит от частоты протекающего тока и характеризуется комплексным сопротивлением или, по-другому, импедансом. Для измерения комплексных параметров цепей или импеданса на различных частотах используются, так называемые, измерители импеданса. В большинстве случаев современные приборы позволяют также измерять и комплексную проводимость — амитанс, и тогда прибор называется измерителем иммитанса (анализатором компонентов или измерителем RLC).

Рис. 1. Представление участка цепи в сети переменного тока

Комплексное сопротивление (обычно обозначается буквой Z) выражается суммой активной R и реактивной Х-составляющих — частотнозависимых индуктивной X_L и емкостной X_C, т. е. Z= R+j(X_L — X_C), а полное сопротивление участка цепи есть модуль комплексного сопротивления Z=ÖR2+(xL—xC)2.

Каждый конденсатор имеет свое внутреннее конечное сопротивление диэлектрика между пластинами, которое приводит к возникновению внутренних утечек. Это сопротивление зависит от частоты и чем оно меньше, тем лучше емкость. Аналогичные потери присущи и индуктивностям: активное сопротивление провода, магнитное поле рассеивания, вихревые токи и другие параметры снижают качество компонента. Для оценки внутренних потерь в емкостях и индуктивностях ввели понятия добротности D и тангенса угла диэлектрических потерь Q, при этом величины связаны зависимостью D=1/Q. Обычно, потери в емкости оценивают по тангенсу угла диэлектрических потерь, а потери в индуктивности — по добротности D.

Для корректного проведения измерений необходимо выбрать и правильную эквивалентную схему — последовательную (обозначена подстрочным индексом «s») или параллельную (индекс «р»). Выбор эквивалентной схемы зависит от частоты сигнала и учитывает, какое реактивное сопротивление имеет большее влияние на этой частоте. Как правило, при больших значениях индуктивности и емкости выбирают параллельную схему, а при малых — последовательную.

Метод измерения и расчета результатов измерения, используемый в приборах, позволяет определять сразу пару параметров, например емкость и тангенс угла диэлектрических потерь Q или емкость и добротность D (рис. 2).

Рис. 2. Экран прибора АММ-3038 в режиме измерения емкости при параллельной схеме замещения Cp и добротности D

Для определения характеристик радиоэлектронных приборов и материалов используются специализированные приборы — источники-измерители, выполняющие функции источника напряжения с измерением тока и источника тока с измерением напряжения, что позволяет построить вольт-амперную характеристику исследуемого прибора.

Однако, при исследовании полупроводниковых структур и специфики проводимости полупроводников этого бывает недостаточно и требуются дополнительные исследования, в частности, построение вольт-фарадных характеристик. Для таких измерений используются более сложные приборы — параметрические анализаторы или характериографы, позволяющие исследовать изменение характеристик тестируемых элементов в зависимости от изменений частоты и амплитуды тестового сигнала и отображающие результат измерения на экране в виде кривой (или семейства кривых).

Как правило, это дорогие специализированные приборы используемые для точного измерения одной-двух задач (например CV-метрии — построении ВФХ), но в большинстве случаев для проведения измерений можно использовать более универсальные и доступные приборы- анализаторы компонентов (измерители иммитанса), которые способны проводить значительно более широкие измерения, включая измерения емкости и индуктивности компонентов на разных частотах и при разных напряжениях и токах смещения.

В ряду контрольно-измерительных приборов торговой марки «АКТАКОМ» есть разнообразные анализаторы компонентов, как переносные, в ручном исполнении, так и настольные приборы. Конечно, настольные приборы обладают значительно более широкими возможностями, в первую очередь, в разнообразии возможных установок тестового сигнала: можно изменить амплитуду, частоту, значение постоянного смещения по напряжению или по току и некоторые другие параметры. В стационарных моделях доступен режим свипирования с постоянным или произвольно устанавливаемым шагом, который позволяет проводить автоматические измерения не только в заданном диапазоне, но и детализировать измерения в отдельных областях диапазона, а с учетом встроенного функции компаратора прибор может использоваться в составе автоматизированных линий.

Изменение амплитуды тестового сигнала (например, с шагом 0,1 мВ в диапазоне 5…999 мВ или 10 мВ в диапазоне 1…10 В для АММ-3068 АКТАКОМ) позволяют построить практически непрерывную сетку уровней в широком диапазоне амплитуд. Такой режим необходим для измерения значений компонентов, реактивные значения которых зависят от уровня сигнала.

Частота тестового сигнала в большинстве измерений компонентов играет определяющую роль, т. к. именно точный подбор частоты тестового сигнала позволит определить уровень потерь, вносимых компонентом на рабочей частоте при дальнейшем использовании.

Применение постоянного напряжения смещения существенно при тестировании различного вида емкостей конденсаторов или исследований в полупроводниковой области, например, при тестировании полярных электролитических конденсаторов, варикапов или трансформаторов, параметры которых зависят от степени намагничивания постоянным током и насыщения сердечника.

Режим автоматического многоточечного изменения параметров тестового сигнала или режим свипирования позволяет провести измерение по заранее созданной последовательности значений (списку, LIST SWEEP) или в заданном диапазоне (TRACE SWEEP). Шаг устанавливаемых значений может быть как произвольным, так и автоматически установленным в указанных границах, распределение значений может линейным или логарифмическим. Подобные тесты позволяют комплексно оценить зависимость исследуемого параметра от изменения тестового сигнала во все рабочем диапазоне.

Измерители иммитанса АКТАКОМ серии АММ-30×8 — представители «умных» измерителей импеданса, работающих с использование АС-метода по схеме моста с автобалансировкой и измеряющих импеданс в широком диапазоне частот 20 Гц…1 МГц. В серии выделяются две группы приборов, отличающихся только частотой и амплитудой тестового сигнала.

Все приборы в серии имеют встроенный генератор напряжения смещения (0. ..±5 В или 0…±10 В у АММ-3088), а также генератор тока смещения в диапазоне от 0 до ±100 мА, что, например, может быть востребовано при тестировании транзисторных структур.

В режиме работы по списку LIST SWEEP возможно динамическое изменение параметров тестового сигнала — уровня и частоты тестового сигнала, а также величины смещения постоянного тока. В старших приборах серии — АММ-3068 и АММ-3088 есть также режим TRACE SWEEP, но о нем чуть позже.

Какие возможности открываются при использовании режима LIST SWEEP?

Как видно из рисунка (рис. 6), прибор позволяет создать список, включающий до 200 значений изменения характеристики тестового сигнала — частоты, уровня или смещения. При установке уровня сигнала или смещения можно выбрать как установку значения напряжения, так и тока. Но, что более важно, при установке постоянного смещения можно использовать отрицательные значения от −5 до +5 В (или от −10 до +10 В для прибора АММ-3088), что позволяет оценивать полупроводниковые структуры и компоненты путем снятия вольт-фарадных характеристик, т.  е. изменение емкости полупроводниковой структуры в зависимости от приложенного напряжения.

Меню установки параметров режима свипирования в приборах АММ-3038/3048/3058

Ввод значений может осуществляться как пошагово, когда в каждой строке прописывается необходимое значение параметра, так и с автоматическим заполнением, указав начальное и конечное значения и используя кнопки FILL LINEAR и FILL LOG, можно заполнить все промежуточные значения по линейному или логарифмическому законам. Это особенно удобно в тестах, содержащих большое количество шагов и требующих равномерного или логарифмического распределения значений в указанном диапазоне. Дополнительно можно установить и параметры сканирования — пошаговый или последовательный режим сканирования и задержку перед переходом к следующему шагу. В случае, если выбран пошаговый режим свипирования STEP и установлен ручной запуск, переход к следующему шагу будет осуществляться только после нажатия клавиши запуска TRIGGER, а в случае установки последовательного режима SEQ, тест будет продолжаться постоянно. Так же, можно установить задержку после выполнения каждого шага, это поможет исключить влияние переходных процессов, улучшить наглядность результатов теста и т. д.

В комплекте поставки приборов имеется специализированная оснастка для подключения различных объектов, как отдельных компонентов, так и установленных на печатных платах (рис. 7).

Рис. 7. Оснастка анализаторов компонентов. Вверху — 4-проводные щупы Кельвина для измерений установленных компонентов и крупногабаритных элементов, внизу — 4-проводный зажим для тестирования выводных компонентов

Протестируем полупроводниковый диод в режиме LIST SWEEP прибором АММ-3038. Для этого выбираем пару измеряемых параметров — емкость в режиме параллельного подключения Ср и проводимость G и устанавливаем параметры тестового сигнала — свипирование по напряжению смещения от −2 до +2 В с частотой 100 кГц. После нажатия FILL LINEAR прибор автоматически пошагово установил значения напряжения смещения от 1 до 10 шага (рис.  8) и после включения смещения клавишей DC BIAS измерил и заполнил таблицу значений. Отметим, что при необходимости построения более подробного графика можно задать до 200 шагов нажимая клавишу NEXT PAGE и переходя на следующие страницы.

Рис. 8. Измерение емкости перехода полупроводникового диода при изменении смещения от −2 В до +2 В

Аналогично, для проведения других измерений можно использовать и свипирование по другим параметрам, например, исследуя зависимость емкости конденсатора от частоты, можно изменять частоту тестового сигнала (рис. 9).

Рис. 9. Измерение емкости конденсатора при изменении частоты тестового сигнала от 100 Гц до 100 кГц

В старших приборах серии — АММ-3068 и АММ-3088 — дополнительно к описанному выше режиму LIST SWEEP доступен режим TRACE SWEEP (рис. 10). Приборы оснащены функцией анализа АЧХ и в режиме TRACE SWEEP прибор производит автоматические измерения с заданными параметрами, и строит график с числом точек кривой 101, 201, 401 и 801 с выбором линейной или логарифмической шкалы. Для свипирования доступны такие же функции как и в режиме LIST SWEEP — частота и уровень тестового сигнала, а также величина постоянного смещения.

Рис. 10. Кнопка включения режима TRACE SWEEP на экране меню измерений прибора АММ-3088

Посмотрим, как работает режим TRACE SWEEP на таком же примере, как и для режима LIST SWEEP прибора АММ-3038. Для этого возьмем аналогичный диод и установим такие же параметры — строим зависимость емкости перехода в параллельном режиме включения Ср и проводимость G, и изменяем напряжение смещения при частоте сигнала 100 кГц. В отличие от предыдущего теста, для лучшей визуализации графика, незначительно изменили диапазон смещения, установили от −1 до +3 В. Количество снимаемых точек установлено по умолчанию — 201. При увеличении числа измерений увеличивается время теста. Результат — график зависимости Cp и G представлен на рис. 11.

Рис. 11. Примерный график зависимости емкости перехода полупроводникового диода от изменения постоянного смещения в режиме TRACE SWEEP прибора АММ-3088

Режим TRACE SWEEP, как и другие измерительные режимы прибора, имеет много дополнительных функций, повышающих точность и удобство измерений: изменяемая скорость свипирования, возможность установки задержки между точками измерения для исключения влияния переходных процессов, курсор, при движении которого по графику отображаются значения всех переменных в этой точке и другие функции.

Результаты измерений можно сохранить. В младших приборах серии сохраняется файл состояния *.sta, который может быть позднее загружен в прибор и отображен на экране. В приборах АММ-3068 и АММ-3088, помимо файла состояния, результат тестирования можно сохранить в файлах типа *.csv (на внешнем запоминающем устройстве), чтобы в дальнейшем обрабатывать программными средствами, например Microsoft Excel (рис. 12).

Рис. 12. Вид фрагмента сохраненного в *.csv файле результата измерения, приведенного на рис. 11

Подводя итог, можно сказать, что анализаторы компонентов, благодаря широким возможностям по изменению параметров тестового сигнала, встроенного генератора напряжения и тока смещения, встроенного компаратора, режиму многоточечных измерений (работы по списку), а старшие модели серии дополнительно функции сканирования и графического анализа, возможностям по документированию и сохранению результатов измерений, являются одними из самых функциональных и точных приборов в современной радиолаборатории.

Измерение частоты, индуктивности и ёмкости в электрических цепях

Измерение частоты, индуктивности и ёмкости в электрических цепях.

Измерение индуктивности и ёмкости.

Обычно измерение параметров линейных компонентов (ин­дуктивности и емкости) производят на высокой частоте резо­нансным методом. Он основан на том, что зависимость резо­нансной частоты колебательного контура от его параметров оп­ределяется формулой fo = 1/(2πx LC).

Определив резонансную частоту контура и зная значение эта­лонного компонента (конденсатора или индуктивности), можно определить значение другого.

Рис. 9.10. Измерение фазовых сдвигов:

А — двухканальным осциллографом; б — методом эллипса; в — компенса­ционным методом

Приборы для таких измерений получили название куметров, так как они позволяют определять добротность колебательного контура Q, которая равна отношению напряжения на конденса­торе к напряжению на входе контура.

Куметр включает генера­тор высокой частоты, образ­цовый градуированный в зна­чениях емкости конденсатор и клеммы подключения изме­ряемой катушки индуктивности

или конденсатора. Для измерения индуктивности ка­тушки Lx ее подключают к выводам кат и настройкой генератора высокой частоты добиваются явления последовательного резо­нанса. Его находят по показанию электронного вольтметра, под­ключенного к эталонному конденсатору. Фор­мула LX = 1 / (4π2 · F · C0) где F — частота, C0 — ёмкость образцового конденсатора, позволяет по известным значениям емкости эталонного конденсатора и резонансной частоте определить величину индук­тивности катушки. Напряжение высокочастотного сигнала гене­ратора обычно фиксировано, что позволяет шкалу измерительно­го электронного вольтметра отградуировать непосредственно в значениях добротности Q.

Для измерения емкости конденсатор подключают к выводам схемы конденсатора, а к выводам кат эталонную катушку индуктивности. При вычислении емкости конденсатора необходимо учесть, что параллельно ему подключен эталонный конденсатор, величину емкости которого необходимо вычесть из полученного значения суммарной емкости. Указанные методы измерения значений емкости и индуктивности применимы толь­ко для малых величин, но именно такие методы используются в высокочастотных цепях различной аппаратуры.

Приборы непосредственной оценки и сравнения

К измерительным приборам непосредственной оценки значения измеряемой емкости относятся микрофарадметры, действие которых базируется на зависимости тока или напряжения в цепи переменного тока от значения включенной в нее измеряемой емкости. Значение емкости определяют по шкале стрелочного измерителя.

Более широко для измерения параметров конденсаторов и индуктивностей применяют уравновешенные мосты переменного тока, позволяющие получить малую погрешность измерения (до 1 %). Питание моста осуществляется от генераторов, работающих на фиксированной частоте 400—1000 Гц. В качестве индикаторов применяют выпрямительные или электронные милливольтметры, а также осциллографические индикаторы.

Измерение производят балансированием моста в результате попеременной подстройки двух его плеч. Отсчет показаний берется по лимбам рукояток тех плеч, которыми сбалансирован мост.

В качестве примера рассмотрим измерительные мосты, являющиеся основой измерителя индуктивности ЕЗ-3 (рис. 1) и измерителя емкости Е8-3 (рис. 2).

Рис. 1. Схема моста для измерения индуктивности

Рис. 2. Схема моста для измерения емкости с малыми (а) и большими (б) потерями

При балансе моста (рис. 1) индуктивность катушки и ее добротность определяют по формулам Lx = R1R2C2; Qx = wR1C1.

При балансе мостов (рис. 2) измеряемая емкость и сопротивление потерь определяют по формулам

Измерение емкости и индуктивности методом амперметра-вольметра

Для измерения малых емкостей (не более 0,01 — 0,05 мкФ) и высокочастотных катушек индуктивности в диапазоне их рабочих частот широко используют резонансные методы Резонансная схема обычно включает в себя генератор высокой частоты, индуктивно или через емкость связанный с измерительным LС-контуром. В качестве индикаторов резонанса применяют чувствительные высокочастотные приборы, реагирующие на ток или напряжение.

Методом амперметра-вольтметра измеряют сравнительно большие емкости и индуктивности при питании измерительной схемы от источника низкой частоты 50 — 1000 Гц. Для измерения можно воспользоваться схемами рис. 3.

Рисунок 3. Схемы измерения больших (а) и малых (б) сопротивлений переменному току

По показаниям приборов полное сопротивление

где

из этих выражений можно определить

Когда можно пренебречь активными потерями в конденсаторе или катушке индуктивности, используют схему рис. 4. В этом случае

Рис. 4. Схемы измерения больших (а) и малых (б) сопротивлений методом амперметра — вольтметра

Измерение взаимной индуктивности двух катушек

Измерение взаимной индуктивности двух катушек можно произвести по методу амперметра-вольтметра (рис. 5) и методу последовательно соединенных катушек.

Рис. 5. Измерение взаимной индуктивности по методу амперметра-вольтметра

Значение взаимной индуктивности при измерении по методу амперметра-вольтметра

При измерении по второму методу замеряют индуктивности двух последовательно соединенных катушек при согласном LI и встречном LII включении катушек. Взаимоиндуктивность вычисляется по формуле

 

Измерение индуктивности может быть произведено одним из описанных ранее методов.

Измерение частоты переменного тока

Частоту переменного тока измеряют частотомерами. Обычно применяют резонансные электромагнитные или ферродинамические приборы.

Электромагнитный резонансный частотомер имеет электромагнит 2 (рис. 344, а), в поле которого расположены стальной якорь 1 и соединенный с ним стальной брусок 5. Этот брусок укреплен на упругих пружинах 4 и на нем размещен ряд гибких стальных пластинок 3, площадь поперечного сечения которых подобрана таким образом, что каждая следующая пластинка имеет частоту собственных колебаний на 0,5 Гц больше, чем предыдущая.

Рис. 344. Устройство электромагнитного резонансного частотомера

Рис. 345. Принципиальная схема ферродинамического частотомера .

Свободные концы пластинок введены в прорезь, имеющуюся на шкале прибора. Катушка электромагнита присоединена к сети переменного тока так же, как и катушка вольтметра.

При прохождении по катушке переменного тока электромагнит создает магнитное поле, пульсирующее с частотой изменения тока. Находящийся в этом поле якорь 1 также начнет совершать колебательные движения и вызывать колебания связанных с ним пластинок 3.

Колебания пластинок обычно бывают настолько незначительными, что они не могут быть замечены глазом.

Однако, если частота собственных колебаний какой-либо пластинки совпадает с частотой изменения переменного тока, т. е. с частотой колебаний якоря, то наступит явление механического резонанса, при котором эта пластинка начнет колебаться с большой амплитудой. Белый квадратик на ее конце превращается при этом в белую полоску (рис. 344,б), против которой по шкале можно отсчитывать измеряемую частоту. Значительно слабее колеблются две пластинки, колебания же всех остальных пластинок обычно совершенно незаметны для глаза.

Ферродинамический частотомер (рис. 345) представляет собой логометр ферродинамической системы. Катушки логометра соединяются в две параллельные цепи, которые подключаются к двум точкам а и б, между которыми действует напряжение переменного тока U (так же, как и вольтметры). Последовательно с неподвижной 3 и одной из подвижных 1 катушек включены катушка индуктивности L и конденсатор С, а последовательно с другой подвижной катушкой 2 — резистор с сопротивлением R (могут быть и другие комбинации R, L и С). Поэтому ток I1 в первой параллельной ветви зависит от частоты f, а ток I2 во второй цепи не зависит от f.

В результате при изменении частоты f будут изменяться ток I1 и положение подвижной части логометра до тех пор, пока не наступит равновесие моментов М1 и М2, создаваемых его катушками. Показания такого прибора будут зависеть от частоты f.

Непосредственное измерение частоты производят частотомерами, в основу которых положены различные методы измерения в зависимости от диапазона измеряемых частот и требуемой точности измерения. Наиболее распространенными методами измерения частоты являются:

Метод перезаряда конденсатора за каждый период измеряемой частоты. Среднее значение тока перезаряда пропорционально частоте и измеряется магнитоэлектрическим амперметром, шкала которого проградуирована в единицах частоты. Выпускают конденсаторные частотомеры с пределом измерения 10 Гц — 1 МГц и погрешностью измерения +2%.

Резонансный метод, основанный на явлении электрического резонанса в контуре с подстраиваемыми элементами в резонанс с измеряемой частотой. Измеряемая частота определяется по шкале механизма подстройки. Метод применяется на частотах более 50 кГц. Погрешность измерения можно уменьшить до сотых долей процента.

Метод сравнения измеряемой частоты с эталонной. Электрические колебания неизвестной и образцовой частот смешиваются таким образом, чтобы возникли биения некоторой частоты. При частоте биений, равной нулю, измеряемая частота равна образцовой. Смешение частот осуществляют гетеродинным способом (способ нулевых биений) или осциллографическим.

При последнем способе применяют осциллограф с отключенным генератором внутренней развертки. Напряжение образцовой частоты подают на вход усилителя горизонтальной развертки, а напряжение неизвестной частоты — на вход усилителя вертикального отклонения.

Изменяя образцовую частоту, получают неподвижную или медленно меняющуюся фигуру Лиссажу. Форма фигуры зависит от соотношения частот, амплитуд и фазового сдвига между напряжениями, подаваемыми на отклоняющие пластины осциллографа.

Если мысленно пересечь фигуру по вертикали и горизонтали, то отношение числа пересечений по вертикали m к числу пересечений по горизонтали n равно при неподвижной фигуре отношению измеряемой fх и образцовой fобр частот.

При равенстве частот фигура представляет собой наклонную прямую, эллипс или окружность.

Частота вращения фигуры будет точно соответствовать разности df между частотами fx’ и fx, где fx’ = fобр (m / n) и, следовательно, fx = fобр (m / n) + df. Точность способа определяется в основном погрешностью задания образцовой частоты и определения величины df.

Другой способ измерения частоты методом сравнения — с использованием осциллографа, имеющего калиброванное значение длительности развертки либо встроенный генератор калиброванных меток.

Зная длительность развертки осциллографа, и подсчитав, сколько периодов измеряемой частоты укладывается на выбранной длине центрального участка экрана осциллографа, имеющего наиболее линейную развертку, можно легко определить частоту. Если в осциллографе имеются калибрационные метки, то, зная временной интервал между метками и подсчитав их число на один или несколько периодов измеряемой частоты, определяют длительность периода.

Другим способом является подсчет периодов сигнала измеряемой частоты за фиксированное время, например, за 1 секунду.

Практическая работа № 10
DOC / 30.5 Кб

Как относительная диэлектрическая проницаемость уменьшается с частотой, а емкость — нет?

спросил 3 года 3 месяца назад

Изменено 3 года, 3 месяца назад

Просмотрено 199 раз

\$\начало группы\$

Насколько я понимаю, емкость равна $$\frac{\varepsilon A}{d}$$, где ε — абсолютная диэлектрическая проницаемость. Если размеры конденсатора остаются постоянными, то изменение ε с частотой должно означать изменение емкости (?). Так почему же они говорят, что частота не влияет на емкость (а скорее на емкостное сопротивление)?

• частота
• емкость

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

Вот пример измеренного изменения емкости в зависимости от частоты (10 мкФ MLCC с диэлектриком X5R):-

Обратите внимание, что измерение емкости происходит только до резонансной частоты конденсатора, потому что выше резонанса он становится индуктивным.

Теперь изменение импеданса в зависимости от частоты. Этот график является логарифмическим по оси Y, поэтому фактическое изменение больше, чем кажется.

В диапазоне 3 декад от 1 кГц до 1 МГц емкостное реактивное сопротивление изменяется в соотношении 1000:1, в то время как емкость почти постоянна.

На низких частотах диэлектрическая проницаемость многих диэлектриков практически постоянна, поэтому можно сказать, что частота не влияет на емкость, а на емкостное реактивное сопротивление.

Однако на более высоких частотах (намного выше рабочего диапазона частот этого конденсатора) диэлектрическая проницаемость большинства диэлектриков падает по мере того, как их отклик меняется с ионной/диполярной на атомную, а затем на электронную шкалу. Кривая зависит от атомной структуры конкретного материала, и формула для ее расчета не проста.

Диэлектрическая проницаемость

\$\конечная группа\$

2

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

rf — собственная резонансная частота в зависимости от размера упаковки для конденсатора

Задавать вопрос

спросил

4 года 9 месяцев назад

Изменено 4 года, 4 месяца назад

Просмотрено 424 раза

\$\начало группы\$

По общему мнению, конденсаторы меньшего размера имеют лучшие характеристики (более емкостное поведение) на высоких частотах, чем большие конденсаторы.

Наоборот, в одном из моих радиочастотных проектов (8,5 ГГц — 9,5 ГГц) при проверке наличия разного размера корпуса в качестве обходного конденсатора между каждым из моих микроволновых блоков (микшер, коммутатор и т.

д.) я подозреваю, что выше эмпирическое правило

После некоторой проверки На S-Param конденсаторов Kemet RF я заметил, что для того же номинала конденсатора SRF (саморезонансная частота) становится на выше по мере увеличения размера упаковки. Таким образом, пакет 805 имеет более высокий SRF, чем 603, и одно и то же правило для 603 и 402 (SRF_603 > SRF_402).

Тот же результат я вижу в симуляторе KSIM от Kemet. Вот суммарный результат

10 пФ C0603 C0G 10 В постоянного тока-8 C0603C100K8GAC: SRF = 2,089 ГГц

10 пФ

C0805 C0G 10 В постоянного тока-8 C0805C100K8GAC: SRF = 2,399 ГГц

Как видно в симуляторе (и проверено VNA в лаборатории), SRF не уменьшается с размером, а увеличивается SRF даже при частоте более 300 МГц. Почему это так?

• примечание: Скоро добавлю график спарама.
• note2: Я вижу тот же результат в ответе № 11 и других ответах на этой странице.