Site Loader

HPI Savage FAQ — MOSFET (Полевые транзисторы)

Транзисторы применяемые в различных регуляторах (ESC)

Данная информация размещена по причине того, что, не все производители указывают действительные параметры производимых регуляторов ESC

Mamba Monster / Mamba Monster 2 / Blur / ELC-6S / Остальные аналоги…

HobbyWing Ezrun Pro

HobbyWing Xerun 150

NTMFS4934N Id (Tc)~147А

ShenZhen Flier Electronic Cor.,Ltd.

IRFS3004 FS3004 Id (Tc) ~340A ! (Wire Bond Limited 195A)

Какой параметр нас интересует, и что искать в «Datasheet»? и одна из причин почему горят транзисторы ESC.

Простым языком, MOSFET это электронный выключатель позволяющий управлять большими токами, а в частности Электромотором.

Соответственно нас интересуют характеристики канала транзистора, а именно Id (Tc)

Средний ток потребления б/к электромотора масштаба 1:8 составляет 120А-150А

В основном Транзисторы горят при превышении нагрузок по току канала, а именно при резком торможении (мотор работает в генераторном режиме), увеличенной нагрузке на ходовую, и.т.п.

См. ниже.

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, через который протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком.

  • исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
  • сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
  • затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Общие параметры полевых транзисторов

  1. Максимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток.
    • Напряжение пробоя затвор-исток.
    • Vgs, тут все уже не так славно, как со стоком-истоком… Дело в том, что изолирован затвор слоем оксида, и если он пробьется- это уже навсегда, ничего там не восстановится. После этого MOSFET придет в негодность. Типичное значение напряга между затвором и истоком — 20В, иногда 30В. Лучше постараться не превышать этот предел, а еще лучше поставить супрессор между ножками G-S на 18В, дабы в случае всплеска тот травил иголки на землю.
  1. Максимальное напряжение сток-исток, после которого уже наступает пробой
    • Напряжение пробоя сток-исток.
    • В даташите обозначается Vds, очевидно, это Voltage между drain и source, до которого MOSFET может нормально функционировать, если его превысить, между ножками D и S образуется КЗ, транзистор будет пробит. Что интересно, большая часть полевиков пробиться может без каких-либо для них последствий, главное, чтобы ток при этом не превысил предельного значения Id. После спадения напряжение он продолжит функционировать, как будто бы ничего и не случалось. В даташите эта фича описана строкой Fully Avalanche Rated. Напряжения между D-S у полевиков обычно лежат в пределах 40-600В.
  1. Внутреннее (выходное) сопротивление. Оно представляет собой сопротивление канала для переменного тока (напряжение затвор-исток — константа).
  2. Крутизна стоко-затворной характеристики. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе.
  3. Входное сопротивление. Оно определяется сопротивлением обратно смещенного p-n перехода и обычно достигает единиц и десятков МОм (что выгодно отличает полевые транзисторы от биполярных «родственников»). А среди самих полевых транзисторов пальма первенства принадлежит устройствам с изолированным затвором.
  4. Коэффициент усиления — отношение изменения напряжения исток-сток к изменению напряжения затвор-исток при постоянном токе стока.

транзистор, полевой

транзистор, полевой (англ. field-effect transistor сокр., FET; JFET; MESFET; MOSFET; HEMT; MODFET; FREDFET; ISFET; DNAFET; ChemFET; HFET) — полупроводниковый прибор, в котором управление протекающим через него током осуществляется электрическим полем, перпендикулярным направлению тока входного сигнала.

Описание

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы называются униполярными (в отличие от биполярных).

По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на две группы. Первую образуют транзисторы с управляющим p–n-переходом или переходом металл–полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), так называемые транзисторы МДП (метал–диэлектрик–полупроводник) или МОП (металл–оксид–полупроводник). Принцип работы полевого транзистора поясняется на рис.

По областям применения все полевые транзисторы (ПТ) можно условно разбить на 4 основных группы: ПТ для цифровых устройств и интегральных схем, ПТ общего применения, сверхвысокочастотные ПТ и ПТ высокой мощности.

ПТ, предназначенные для работы в цифровых устройствах и интегральных схемах, должны обладать малыми габаритами, высокой скоростью переключения и минимальной энергией переключения. Транзисторы данного типа изготавливаются как из кремния, так и на основе GaAs. Лучшие результаты получены с ипользованием ПТ на основе гетероструктур с селективным легированием — ГСЛ (MODFET). В ГСЛ-транзисторах, называемых также транзисторами с высокой подвижностью электронов — ВПЭТ (HEMT, HFET), используются свойства двумерного электронного газа, образующегося в некоторых гетероструктурах на границе узкозонного и широкозонного слоев гетеропары.

Основное требование к СВЧ-ПТ состоит в достижении максимальной мощности или коэффициента усиления на предельно высокой частоте. Продвижение в область высоких частот требует уменьшения длины затвора и максимального использования баллистических эффектов для достижения высокой скорости носителей.

Мощные ПТ имеют большую общую длину электродов, поскольку мощность на единицу рабочей площади структуры принципиально ограничена необходимостью отводить тепло.

Иллюстрации

а — Тонкая пластинка полупроводника (канал) снабжена двумя омическими электродами (истоком и стоком). Между истоком и стоком расположен третий электрод — затвор. б — Напряжение, приложенное между затвором и любым из двух других электродов (истоком или стоком), приводит к появлению в подзатворной области канала электрического поля. Влияние этого поля приводит к изменению количества носителей заряда в канале вблизи затвора и, как следствие, изменяет сопротивление канала.


Автор
  • Наймушина Дарья Анатольевна
Источники
  1. field-effect transistor // Wikipedia, the free Encyclopedia.
    — http://en.wikipedia.org/wiki/Field-effect_transistor (дата обращения: 31.07.2010).
  2. Полевой транзистор // Большая Советская энциклопедия, 1969–1978.
  3. Полевой транзистор // Физическая энциклопедия. Т. 4 / Гл. ред. А.М. Прохоров. — М.: Большая Российская энциклопедия, 1994. С. 7–10.

Напишите нам

  • А
  • Б
  • В
  • Г
  • Д
  • Ж
  • З
  • И
  • К
  • Л
  • М
  • Н
  • О
  • П
  • Р
  • С
  • Т
  • У
  • Ф
  • Х
  • Ц
  • Ч
  • Ш
  • Э
  • Я
  • A
  • B
  • C
  • D
  • E
  • F
  • G
  • H
  • I
  • J
  • K
  • L
  • M
  • N
  • O
  • P
  • Q
  • R
  • S
  • T
  • U
  • V
  • W
  • X
  • Z

Конструкция сливной трубки с подвижной заслонкой в ​​бытовых холодильниках.

Поделиться

  • LinkedIn