Тиристор Т141-63
%PDF-1.6 % 2 0 obj > endobj 5 0 obj > stream 2005-01-18T13:57:04Z2020-11-25T17:03:45+02:00Writer2020-11-25T17:06:58+02:00АС ЭНЕРГИЯтиристор Т141-63; thyristor t141-63; phase control Thyristors; Т141-63-1; Т141-63-2; Т141-63-3; Т141-63-4; Т141-63-5; Т141-63-6; Т141-63-7; Т141-63-8; Т141-63-9; Т141-63-10; Т141-63-12; Т141-63-14; Т141-63-16; силовой низкочастотный тиристор Т141-63; t141-63-1; t141-63-2; t141-63-3; t141-63-4; t141-63-5; t141-63-6; t141-63-7; t141-63-8; t141-63-9; t141-63-10; t141-63-12; t141-63-14; t141-63-16; High Power Thyristor; Т 141-63-1; Т 141-63-2; Т 141-63-3; Т 141-63-4; Т 141-63-5; Т 141-63-6; Т 141-63-7; Т 141-63-8; Т 141-63-9; Т 141-63-10; Т 141-63-12; Т 141-63-14; Т 141-63-16; low frequency Thyristor; t 141-63-1; t 141-63-2; t 141-63-3; t 141-63-4; t 141-63-5; t 141-63-6; t 141-63-7; t 141-63-8; t 141-63-9; t 141-63-10; t 141-63-12; t 141-63-14; t 141-63-16;application/pdf
Тиристор быстродействующий ТБ453-800
- VDRM/VRRM = 600 — 1400 В
- IT(AV) = 810 А (TC = 85 °C)
- ITSM = 15 кA (Tj = 125 °C)
- внутреннее усиление сигнала управления
- низкие времена выключения
- высокая стойкость к dv/dt
- пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Qrr)
| МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ | |||||
| Наименование параметра |
Условное обозначение |
Зн |
Единица измерения |
||
мин. |
тип. | макс. | |||
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Повторяющееся импульсное обратное напряжение, |
VDRM / VRRM |
600 |
— |
1400 |
В |
| Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Неповторяющееся импульсное обратное напряжение, Tj = — 60 °C …+ 125 °C |
VDSM / VRSM |
700 | — |
1500 |
|
| Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии / Повторяющийся импульсный обратный ток, Tj = 125 °C, VD / VR = VDRM / VRRM | IDRM / IRRM |
— |
— |
100 |
мА |
| Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, f = 50Гц, двустороннее охлаждение ТС = 85 °C |
IT(AV) |
— |
— | 810 |
А |
| Действующий прямой ток | ITRMS | — | — | 1270 | |
| Ударный ток в открытом состоянии, VR = 0, Tj = 125 °C, tp = 10 мс | ITSM |
— |
— |
15 |
кА |
| Защитный показатель | I2t | — | — | 1125 | кА2c |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, f = 50 Гц, Tj = 125 °C |
(diT/dt)crit |
— |
— |
630 |
A/мкс |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, VD = 0,67VDRM, Tj = 125 °C |
(dVD/dt)crit |
1000 |
— |
1600 |
В/мкс |
| Максимальная мощность управления, постоянный ток | PGM |
— |
— |
4 |
Вт |
| Температура перехода | Tj | — 60 | — | + 125 | °C |
| Температура хранения | Tstg | — 60 | — | + 50 | |
| ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ | |||||
| Импульсное напряжение в открытом состоянии, IT = 2500 A, Tj = 25 °C | VTM |
— |
— |
2,30 |
В |
| Пороговое напряжение, Tj = 125 °C, IT = 1200 — 3800 A |
V(TO) |
— |
— |
1,35 |
|
| Динамическое сопротивление, Tj = 125 °C, IT = 1200 — 3800 A | rT |
— |
— |
0,55 |
мОм |
| Время задержки включения, V = 0,5VDRM , Iт = 800 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, Tj = 25 °C |
td |
— |
— |
2,0 |
мкс |
| Время включения, V = 0,5VDRM , Iт = 800 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, Tj = 25 °C |
tgt |
— |
— |
4,0 |
|
| Время выключения, IT = 800 A, diT/dt = — 10 A/мкс, VR ? 100 В, VD = 0,67VDRM, (dVD/dt) = 50 В/мкс, Tj = 125 °C |
tq |
— |
— |
20;25 32;40 50;63 |
|
| Заряд обратного восстановления, diT/dt = — 10 A/мкс, Tj = 125 °C, IT = 800 А, VR ? 100 В |
Qrr |
— |
— |
450 |
мкКл |
| Ток удержания, VD =12 В, Tj = 25 °C |
IH |
— |
— |
300 |
мА |
| Отпирающее постоянное напряжение управления, VD = 12 В, Tj = — 60 °C Tj = 25 °C Tj = 125 °C |
VGT |
— |
— |
5,0 3,5 2,5 |
В |
| Отпирающий постоянный ток управления, VD = 12 В, Tj = — 60 °C Tj = 25 °C Tj = 125 °C |
IGT |
— |
— |
600 400 300 |
мА |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления, VD = 0,67VDRM, Tj = 125 °C | VGD |
0,25 |
— |
— |
В |
| ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
| Тепловое сопротивление переход — корпус, двустороннее охлаждение охлаждение со стороны анода охлаждение со стороны катода |
Rthjc Rthjc-A Rthjc-K |
— |
— |
0,0185 0,0370 0,0370 |
°С/Вт |
| Тепловое сопротивление корпус — охладитель, двустороннее охлаждение одностороннее охлаждение |
Rthch |
— |
— |
0,005 0,010 |
|
| МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
| Масса | w | — | 0,5 | — | кг |
| Усилие сжатия | F | 22 | — | 26 | кН |
| Максимально допустимое постоянное ускорение (в сжатом состоянии) | а |
— |
— |
100 |
м/с2 |
| Расстояние по поверхности изолятора от управляющего электрода до анода | Ds |
— |
23,7 |
— |
мм |
| Кратчайшее расстояние от управляющего электрода до анода | Da |
— |
16,8 |
— |
|
| ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
| Климатическое исполнение по ГОСТ 15150 | УХЛ2, Т2 | ||||
Характеристики обратного восстановления мощных тиристоров в вентиле преобразователя постоянного тока высокого напряжения
- title={Характеристики обратного восстановления мощных тиристоров в вентиле преобразователя постоянного тока},
автор = {Ке Юэ, и Лэй Пан, и Хаоян Ю, и Шаобинь Ли, и Дэчжи Конг, и Юань Ли, и Цяоген Чжан, и Лунчэнь Лю},
journal={Транзакции IEEE по диэлектрикам и электроизоляции},
год = {2017},
объем = {24},
страницы={2132-2140}
}
- K.
Yue, L. Pang, Longchen Liu - Опубликовано 13 сентября 2017 г.
- Physics
- IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
Надежные характеристики обратного восстановления мощного тиристора имеют важное значение для физических свойств устройства. работа тиристорного клапана HVDC. В этой статье характеристики обратного восстановления мощного тиристора исследуются с точки зрения как внешней схемы, так и внутренней физики устройства. На основе анализа истощения носителей при обратном восстановлении тиристоров предложен метод определения времени жизни неосновных носителей для построения связи…
Посмотреть на IEEE
doi.org
Новая модель тиристора в процессе обратного восстановления для испытания прерывания тока автоматических выключателей постоянного тока высокого напряжения
Экспериментальные результаты показывают, что предложенная модель CE может точно прогнозировать перенапряжение с относительной ошибкой чем 8% при различных скоростях тока, и для проверки модели разработана тестовая платформа HVDC CB.
Новый подход к моделированию процесса обратного восстановления тиристора для испытаний выключателя постоянного тока высокого напряжения
Предложена новая тригонометрическая экспоненциальная (TE) модель напряжения и тока тиристора с аналитическими уравнениями, которая может точно предсказать перенапряжение с относительной ошибкой 7,51%.
Метод виртуального измерения тока тиристорного клапана в режиме реального времени на основе тока клеммы преобразователя
Безопасность преобразователей является ключом к стабильной работе гибридных электросетей переменного/постоянного тока после сбоев переменного тока. Ток тиристорного вентиля является прямым проявлением наблюдаемости преобразователя, но нет…
Тепловое поведение тиристоров в повторяющихся импульсных мощных приложениях
- Bingyang Feng, Jun Liu, Yuanssheng Li, Yingjie Fu, Mengbing He
Физика, инженер
IEEE Transaction тесно связан с рабочим состоянием тиристоров в повторяющихся импульсных приложениях питания.
Для изучения теплового поведения тиристора при высоком запирающем напряжении и…Коммутационные выбросы на основе новой модели последовательных тиристоров в процессе выключения
- Инцзе Тан, Чжэн Сюй, Хуанцин Сяо, Б. Юэ, Сюань Ли Анализ показывает, что хотя усредненная модель может быть использована для оценки напряжения на вентиле, это может привести к большим ошибкам в определении напряжения на тиристоре и выборе распределения 1:n − 1 в качестве режима распределения заряда обратного восстановления в последовательных тиристорах. приведет к очень консервативным результатам.
Анализ и расчет параметров схемы демпфирования для клапанов LCC на основе широкополосной модели
- Инцзе Тан, Чжэнь Чжан, Чжэн Сюй
Инженерное дело
- 2020
- 2020
Новый метод оптимизации схемы, предложен новый параметр для демпфирования сочетает в себе расчет электромагнитных переходных процессов (ЭМП) и численную оптимизацию и выполняется на основе практического проекта сверхвысокого напряжения постоянного тока ±1100 кВ, что доказывает надежность и гибкость предложенного метода.
Исследование влияния непоследовательных параметров клапана на коммутацию и операцию LCC-HVDC
- Yanyong Yang, Pinjia Zhang
Engineering
IEEE Access
- 2019
. инверторный клапан может быть рассчитан и управляться более точно, а потребность в реактивной мощности может быть оптимизирована, а сбой коммутации может быть уменьшен.
Высокоэффективная структура SiC MOSFET на 3,3 кВ со встроенным МОП-канальным диодом
- Jaeyeop Na, Minju Kim, Kwang-Hyun Kim
Engineering
Energies
- 2022
Встроенный диод со свободным ходом, обеспечивающий высокую эффективность и надежность полевых транзисторов типа металл-оксид-полупроводник при высоких напряжениях имеют решающее значение для интеграции микросхем. В этом исследовании…
Двухканальный полевой МОП-транзистор 4H-SiC с разделенным гетеропереходом для улучшения характеристик переключения
- Jaeyeop Na, Jinhee Cheon, Kwangsoo Kim
Разработка
Материалы
- 2021
Новый полевой транзистор 4H-SiC с разделенным гетеропереходом и двойным траншейным металл-оксид-полупроводниковым затвором (SHG-DTMOS) предназначен для улучшения скорости переключения и потерь и имеет два отдельных Экранирующие области P+ под затвором для использования разделенного поликремниевого затвора P+ в качестве диода тела гетероперехода и предотвращения обратного тока утечки.
ПОКАЗАНЫ 1-10 ИЗ 25 ССЫЛОК
СОРТИРОВАТЬ ПОРелевантностьНаиболее влиятельные статьиНовости
Экспериментальное исследование характеристик обратного восстановления мощных тиристоров в вентиле преобразователя постоянного тока высокого напряжения
Тиристор большой мощности является основным элементом вентиля преобразователя постоянного тока высокого напряжения, и его переходные характеристики оказывают огромное влияние на надежность, стабильность всей энергосистемы и конструкции…
Определение параметров тока обратного восстановления тиристоров
- Chang Woo Lee, Song-Bai Park
Машиностроение
- 1988
В статье описан метод определения параметров тока обратного восстановления модели выключения тиристора, а именно пикового тока обратного восстановления и постоянной времени его спада.
Определение кривой восстановления рампы времени жизни носителя
- B. Tien, C. Hu
Engineering
- 1988
Для получения выражения, относящегося к сроку службы носителя, был использован анализ управления зарядом. реалистичная кривая восстановления рампы p-i-n диода произвольной мягкости. Метод был показан…
Динамика обратного восстановления мощных P-i-N диодов
- S. Pendharkar, M. Trivedi, K. Shenai
Химия
- 1996
(ступенчатое восстановление) и индуктивное (линейное восстановление) условия переключения. Показано, что при резистивном включении обратный…
Характеристики восстановленного заряда мощных тиристоров
Характеристики восстановления мощных тиристоров и диодов становятся все более важными для разработчиков схем по мере того, как устройства становятся больше и быстрее. В данной работе рассматриваются различные виды…
Проектирование тиристорной снабберной цепи с учетом процесса обратного восстановления с учетом обратного процесса восстановления тиристора.
Модель выключения тиристора, параметры которой…Анализ влияния обратного восстановления диода на увеличение диапазона плавного переключения в двунаправленных преобразователях с нулевым переходом
Задачи, связанные с диапазоном мягкого переключения и обратным восстановлением выпрямительного диода, решаются одновременно, а условие мягкого переключения для обоих режимов работы двунаправленного преобразователя достигается без дополнительных вспомогательных компонентов и сложного управления.
Новый метод уменьшения заряда обратного восстановления силового диода
Силовые диоды должны иметь короткое время обратного восстановления, мягкое восстановление, высокое напряжение пробоя и низкое падение прямого напряжения при номинальном прямом токе. Производители внедряют рекомбинацию…
Точное аналитическое моделирование обратного восстановления энергии переключения PiN-диодов
Здесь показано, что существует оптимальная скорость переключения для минимизации энергии переключения, и модель способна правильно предсказать скорость переключения и температурную зависимость энергии переключения PiN-диода для разных устройств.
Характеристики генерации электромагнитных помех SiC и Si-диодов: влияние характеристик обратного восстановления
Карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки с нулевым током обратного восстановления (RRC) воспринимаются как лучшие из-за их уменьшенных коммутационных потерь. Отсутствие обратного восстановления в этих…
Спецификация CM1800HCB-34N — Технические характеристики: Полярность: N-канальная; Тип упаковки:
Детали, спецификация, цитата по номеру детали: CM1800HCB-34N
Деталь CM1800HCB-34N Категория Дискретные => Транзисторы => Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Наименование 1800 А, 1700 В, N-КАНАЛЬНЫЙ БТИЗ Описание Компания Mitsubishi (приобретен Renesas) Техническое описание Загрузить CM1800HCB-34N Техническое описание Цитата Где купить
Specifications Polarity N-Channel Package Type MODULE-9 Количество блоков в IC 3 Особенности, применение МОЩНЫЕ КОММУТАЦИОННЫЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ Модули 4-й версии HVIGBT (высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором) ИЗОЛИРОВАННЫЙ ТИП
ИС .
ПРИМЕНЕНИЕ Тяговые приводы, высоконадежные преобразователи/инверторы, прерыватели постоянного тока ……………………………………………………… …………… 1800 А ВКЭС ………………………….. …………………. 1700 В изолированного типа в упаковке Базовая плата AISiC Trench Gate IGBT: диод с мягким обратным восстановлением CSTBTTM
Модули HVIGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором)Модули HVIGBT 4-й версии (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором) МОЩНАЯ КОММУТАЦИЯ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ ИЗОЛЯЦИОННОГО ТИПА
Обозначение VCES VGES IC ICM IE IEM Pc Viso Tj Top Tstg tpsc Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение затвор-эмиттер Ток коллектора Ток эмиттера (Примечание 2) Условия VGE = 25C VCE = 25C DC, = 90C Импульс DC Импульс = 25C, часть IGBT Среднеквадратичное значение, синусоидальное, = 1 мин. Рейтинги Единица C s
(Примечание 1) Максимальная рассеиваемая мощность (Примечание 3) Напряжение изоляции Температура перехода Рабочая температура Температура хранения Максимальная длительность импульса короткого замыкания VCC = 1000 В, VCE VCES, VGE = 125C
Обозначение ICES VGE(th) IGES Cies Coes Cres Qg VCE(sat) td(on) tr Eon(10%) td(off) tf Eoff(10%) VEC trr Qrr Erec(10%) Пункт Ток отсечки коллектора Gate- пороговое напряжение эмиттера Ток утечки затвора Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость Полный заряд затвора Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время задержки включения Время нарастания включения Энергия переключения включения (Примечание 5) Время задержки выключения Время спада выключения Энергия переключения при выключении (Примечание 5) Напряжение эмиттер-коллектор (Примечание 2) Время обратного восстановления (Примечание 2) Заряд обратного восстановления (Примечание 2) Энергия обратного восстановления (Примечание 2), (Примечание 5) VCE = VCES, VGE = 0 В VCE = 180 мА, = 25C VGE = VGES, VCE = 25C VCE 10 В, VGE = 100 кГц, = 25C VCC 1800 A, VGE 1800 A (Примечание = 25C VGE = 125C VCC 1800 A, VGE 15 В RG(on) 80 нГн Индуктивная нагрузка VCC 1800 А, VGE 15 В RG(выкл.
) 80 нГн Индуктивная нагрузка 1800 А VGE 0 В (Примечание = 125C Условия = 125C Мин. 5,5 VCC 1800 А, VGE 15 В RG(вкл.) 80 нГн Индуктивная нагрузка Ограничения Тип Макс. единица измерения V s J/P s J/P s C J/PОбозначение Rth(j-c)Q Rth(j-c)R Rth(c-f) Параметр Тепловое сопротивление Термическое сопротивление Контактное тепловое сопротивление Условия Соединение с корпусом, часть IGBT Соединение с корпусом, часть FWDi Корпус с оребрением, смазка = 1 Вт/мК, D(c-f ) 100 м Мин. пределы Тип 7,0 Макс. 9,0 13,0 Единица измерения К/кВт
Обозначение Mt m CTI LP CE RCC’+EE’ Поз. Условия M8: Винт основных клемм M6: Крепежный винт M4: Винт вспомогательных клемм Мин. пределы Тип 10 0,18 Макс. 6,0 2,0 Единица Нм nH м
Момент затяжки Масса Сравнительный индекс отслеживания Зазор Путь утечки Паразитная паразитная индуктивность Внутреннее сопротивление провода
Примечание 1. Ширина импульса и частота повторения должны быть такими, чтобы температура перехода (Tj) не превышала рейтинг Topmax (125°C).
- Инцзе Тан, Чжэн Сюй, Хуанцин Сяо, Б. Юэ, Сюань Ли Анализ показывает, что хотя усредненная модель может быть использована для оценки напряжения на вентиле, это может привести к большим ошибкам в определении напряжения на тиристоре и выборе распределения 1:n − 1 в качестве режима распределения заряда обратного восстановления в последовательных тиристорах. приведет к очень консервативным результатам.
- K.
Yue, L. Pang, Longchen Liu
Для изучения теплового поведения тиристора при высоком запирающем напряжении и…
Tien, C. Hu
Модель выключения тиристора, параметры которой…
……………………………………………………… …………… 1800 А ВКЭС ………………………….. …………………. 1700 В изолированного типа в упаковке Базовая плата AISiC Trench Gate IGBT: диод с мягким обратным восстановлением CSTBTTM
) 80 нГн Индуктивная нагрузка 1800 А VGE 0 В (Примечание = 125C Условия = 125C Мин. 5,5 VCC 1800 А, VGE 15 В RG(вкл.) 80 нГн Индуктивная нагрузка Ограничения Тип Макс. единица измерения V s J/P s J/P s C J/P
