Чем заменить кт315

Первый отечественный транзистор, приспособленный для массового производства. Благодаря своей распространенности, мем в радиолюбительской среде. Выгодно отличаясь ничтожными размерами и фантастическими характеристиками, мог быть использован юными кулибиными в самых разных устройствах: от простейшего переключателя до радиожучков. В наши дни обрёл корпус КТ известный буржуям как TO и к вящей радости радиофилов продолжает производиться на просторах Синеокой. Имеет n-p-n проводимость, выпускается в пластмассовом корпусе.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Транзистор КТ315. Чем заменить? Есть ли зарубежные (импортные) аналоги?
• Навигация по записям
• аналог КТ315
• Рекомендации по возможной замене элементов
• Транзистор КТ315: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р
• Аналоги для кт315
• Наши любимые транзисторы КТ315 и КТ361
• Чем заменить транзистор КТ315, если в схеме не используется его база

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КТ315 самый популярный советский транзистор

Транзистор КТ315.

Чем заменить? Есть ли зарубежные (импортные) аналоги?

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники.

Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге? Светодиод — это диод который излучает свет. Чипинфо Параметры биполярных транзисторов серии КТ Отечественные, серии:. Полезная информация. В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs? Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер» Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы.

Читать chipinforu. Конвертер СТВ. Журнал Радио 2 номер год. Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона : Светодиод — это диод который излучает свет. Транзистор биполярный отечественный : Подскажите 2та-2 гарантийный срок. Владимир II пишет Мне нравится. Классика я обожаю электрика! Мастер из ид пишет Мороз, ты ли это? Да тут наши люди Марсо пишет Автюхов Максим Владимирович пишет Павел пишет Больные на голову. Да уж и культура у кацапов Коричнквык скрепы так и лезут изо рта ушей.

Параметры биполярных транзисторов серии КТ :.

Навигация по записям

Транзистор КТ — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ Если расположить КТ маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база. Цоколевка КТ в этом копусе такая же как и в КТ КТ это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ c p-n-p структурой. Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.

Часто возникает вопрос каким транзистором можно заменить не Если к базе транзистора n-p-n (таких как КТ и КТ, КТ

аналог КТ315

Просмотр полной версии : Замены для советских транзисторов. Странно, зачем так далеко искать? То же и с диодами. А год назад никто не сказал Правда, у меня есть еще одна «задача» — отказаться от советской элементной базы в своих разработках, не уверен прав ли я, но вот Ведь прекрасно понимаете тех, кто насмотревшись журналов х годов идут в магазин и встречаются с импортными компонентами. Даже простейшие вещи не понять!

Рекомендации по возможной замене элементов

Что нового? Если это ваш первый визит, рекомендуем почитать справку по сайту. Для того, чтобы начать писать сообщения, Вам необходимо зарегистрироваться. Для просмотра сообщений регистрация не требуется. Забыли пароль?

Собственно выбило пару K в блоке управления ЭУР.

Транзистор КТ315: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р

Да, коэффициент усиления h31э у КТ почти на порядок выше, как вы верно заметили. Следовательно, для КТ потербуется увеличить ток базы, иначе он может не полностью открываться. Исходя из этого и выбирайте резистор. Округляйте номинал в сторону уменьшения. Если поставить на выходе составной транзистор с большим h31э типа КТ или КТ то можно смело вешать нагрузку 10А.

Аналоги для кт315

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий. Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге? Светодиод — это диод который излучает свет. Чипинфо Параметры биполярных транзисторов серии КТ

Полезная информация. Где купить · Кто и что производит · Система обозначенией Pro Electron · Сокращения в электронике · Аналоги и замены.

Наши любимые транзисторы КТ315 и КТ361

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Всем здарова!

Чем заменить транзистор КТ315, если в схеме не используется его база

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Замена германия на кремний

Полная версия: Хвастаюсь германиевым усилком. Вы просматриваете yпpощеннyю веpсию форума. Пеpейти к полной веpсии. И в фононокоректоре тоже е.

Есть ли зарубежные транзисторы, похожие по характеристикам. Чем можно заменить КТ и как происходит замена?

Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ и КТ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ изготавливается в корпусе КТ Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

Крестик олицетворяет христианскую веру. Но можно ли дарить крестик на день рождения или по. Ребята, подойдет ли на замену ктА транзистор ктГ?

аналоги в мире :: SYL.ru

Слой 5-10 см: как правильно мульчировать посаженные осенью деревья

Главное — ваша улыбка: несколько идей, как провести первое свидание осенью

Рубашка и блейзер: как обновить осенний гардероб без больших вложений

Французские тыквенные тосты — отличная осенняя закуска к ужину

Омолаживающие образы с кроссовками на осень: секреты кэжуал-шика для дам за 50

Тыквенное блюдо, которое можно подавать по-разному: соус для макарон или суп

Вместо пиццы новая закуска: как приготовить оригинальное блюдо

Растения и спокойная музыка: домашний «буддийский храм» для дзен-медитации

«Виной всему гормоны»: как супруга Федука справляется с состоянием после родов

Пикси-боб — стрижка не только для молодежи: 10 идей для женщин 50+

Автор Человек

December 2, 2015

Один из самых известных транзисторов — КТ315, аналог которого нескоро появился на просторах Советского Союза, и который был первым массовым советским транзистором. Он настолько универсален, что его продолжают использовать до сих пор (хоть и довольно ограниченно и по большей части радиолюбители). Предпосылкой к этому стала их универсальность, длительное время эксплуатации и наличие огромного опыта создания чего-то с их помощью (с которым можно ознакомиться в специальных источниках).

Разработка

Идеей массового выпуска советские инженеры загорелись ещё в 1966 году. Разработан транзистор был в 1967 году Фрязинским полупроводниковым заводом в его исследовательско-конструкторском бюро. А в 1968-м сошли первые единицы.

Чем он выделяется среди других транзисторов

В первую очередь обращали внимание на его внешний вид и характеристики. Планка частотности составляла 250 МГц, что по состоянию на 1967 год было очень и очень много. Также легкость производства обусловила выпуск огромного количества транзисторов. Было в нём и кое-что уникальное (на то время) и в вопросах заземления минусового полюса питания.

Технология, которая положена в основу транзистора

Для производства применялась планарная технология (было предусмотрено, что все структуры создаются на одном боку, проводимость материала — как в коллекторах, поэтому сначала при использовании формируется базовая область, а потом в ней — эмиттерная). Параметры, которые были получены им, сделали его самым лучшим в мире (на момент создания). Он позволил заменить много других деталей в электронике, при этом был дешевым. Доходило до того, что в Советском Союзе в магазинах для радиолюбителей его продавали на вес.

КТ315 – аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

1. Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
2. Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
3. Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
4. Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Где они применяются

КТ315, аналоги (зарубежные и отечественные) использовались и сейчас используются радиолюбителями при создании усилителей высоких, средних и низких частот. Также они могут быть применены в генераторах, преобразователях сигналов и логических схемах. Если напрячь мозги, можно найти и другое применение, но это основное предназначение для КТ315. Параметры аналог (любой) имеет немного иные. Но главное, что это биполярные транзисторы, и их мощность важна исключительно для мощностей схем, которые будут собраны.

Заключение

В статье был рассмотрен прототип (КТ315) и его аналоги с описанием возможностей их использования. Остаётся надеяться, что предоставленная здесь информация будет вам полезна. Также необходимо напомнить, что транзисторы являются довольно хрупкими элементами, которые к тому же часто перегорают. Поэтому при работе с ними, да и с другими деталями электротехники, соблюдайте технику безопасности.

Похожие статьи

• Транзисторные ключи: схема, принцип работы и особенности
• Операционный усилитель LM358: схема включения, аналог, datasheet
• Чем является транзистор КТ315?
• Усилитель на транзисторах: виды, схемы, простые и сложные
• Кварцевый резонатор как проверить? Проверка кварцевых резонаторов
• Коммутатор — это. .. Схема коммутатора. Как проверить коммутатор зажигания
• Поймем вместе принципы работы транзистора

Также читайте

Аналог динистора на транзисторах кт315 кт361

11.04.2020

Схема аналога тиристора (диодного и триодного) на транзисторах. Расчет параметров он-лайн. (10+)

Транзисторный аналог тиристора

В маломощных пороговых и нестандартных схемах транзисторные аналоги диодного (динистора) и триодного (тринистора) тиристоров применяются даже чаще, чем элементы, выполненные в одном кристалле. Причина в том, у серийных тиристоров высокий разброс параметров, а некоторые из очень важных для перечисленных схем параметров вообще не нормируются. А аналог можно изготовить со строго заданными параметрами.

Важнейшими параметрами тиристоров в пороговых и нестандартных схемах являются: ток отпирания (Io), напряжение отпирания или отпирающее напряжение (Uo), ток удержания (Ih), напряжение запирания или напряжение насыщения при токе удержания (Uc). Смотри вольт-амперную характеристику тиристора.

В силовых схемах аналоги не применяются потому, что сила тока базы каждого транзистора в тиристорном аналоге равна половине всего тока через схему. А у транзисторов, как правило, сила тока базы ограничена довольно небольшой величиной.

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Принципиальная схема

Вывод (A) соответствует аноду, (K) — катоду, (C) — управляющему электроду. Вольт-амперная характеристика схемы соответствует приведенной выше, так что ее (схему) можно считать аналогом триодного тиристора (тринистора). Если управляющий электрод не подключать, то получится аналог диодного тиристора (динистора).

В схеме применяются комплиментарные пары транзисторов. У них одинаковые напряжения насыщения база — эмиттер и коллектор — эмиттер. Мы чаще всего используем КТ502, КТ503. Резисторы R2 и R3 равны между собой.

Расчет

Конечно, приведенные формулы дают приблизительный результат, так как параметры транзисторов имеют конструктивный разброс и зависят от температуры. Но эти расчеты позволяют получить начальную точку, с которой осуществляется тонкий подбор.

[Ток отпирания, мА] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

Для аналога динистора ток управляющего электрода принимаем равным нулю.

[Отпирающее напряжение, В] = ([Ток отпирания, мА] + [Ток управляющего электрода, мА]) * [Сопротивление R2, кОм] + [Ток отпирания, мА] * ([Сопротивление R1, кОм] + [Сопротивление R3, кОм])

[Ток удержания, мА] = 2 * [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] / [Сопротивление R2, кОм] — [Ток управляющего электрода, мА]

[Напряжение запирания, В] = [Напряжение насыщения база — эмиттер транзистора, В] + [Напряжение насыщения коллектор — эмиттер транзистора, В]

Применение

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Как не спутать плюс и минус? Защита от переполярности. Описание.
Схема защиты от неправильной полярности подключения (переполюсовки) зарядных уст.

Зарядное устройство. Импульсный автомобильный зарядник. Зарядка аккуму.
Схема импульсного зарядного устройства. Расчет на разные напряжения и токи.

Резонансный инвертор, преобразователь напряжения повышающий. Принцип р.
Сборка и наладка повышающего преобразователя напряжения. Описание принципа работ.

Аналоги динистора в устройствах автоматики

Диодные тиристоры — динисторы находят широкое применение в различных устройствах автоматики. Однако такое использование динисторов имеет ряд недостатков, главный из которых заключается в следующем.

Напряжение включения самого низковольтного отечественного динистора КН102А составляет 20 В, а падение напряжения на нем в открытом состоянии — менее 2 В. Таким образом, к управляющему переходу тиристора после включения динистора прикладывается напряжение около 18 В. В то же время максимально допустимое напряжение на этом переходе для распространенных тиристоров серии К У 201, К У 202 равно всего лишь 10 В. А если еще учесть, что напряжение включения динисторов даже одного типа имеет разброс, достигающий 200%, то станет ясно, что управляющий переход тиристора испытывает чрезмерно большие перегрузки. Это и ограничивает применение динисторов для управления триодными тиристорами.

В подобных случаях можно использовать двухполюсники — аналоги динисторов, отличающиеся тем, что их напряжения включения могут быть гораздо меньше напряжения включения самого низковольтного динистора.

Схема одного из аналогов — транзисторного динистора показана на рис. 1. Он состоит из транзисторов разной структуры, включенных так, что ток базы одного из них является током коллектора другого и наоборот. Дру гими словами, это устройство, охваченное глубокой положительной обратной связью.

При подключении питания через эмиттерный переход транзистора Т1 течет ток базы, в результате чего транзистор открывается, а это вызывает появление тока базы транзистора Т2.

Открывание этого транзистора приводит к росту тока базы транзистора Т1 , и, следовательно, дальнейшему его открыванию. Процесс протекает лавинообразно, поэтому очень скоро оба транзистора оказываются в насыщенном состоянии.

Напряжение включения такого устройства при использовании, например, транзисторов МП116 и МП113 равно всего лишь нескольким долям вольта, то есть практически не отличается от напряжения насыщения этой пары транзисторов. Это не позволяет использовать такой двухполюсник в качестве переключающего прибора. Если же эмиттерные переходы транзисторов Т1 и Т2 шунтировать резисторами, как показано на рис. 2, то напряжение включения устройства значительно возрастет.

Причина этого явления — в уменьшении глубины положительной обратной связи, так как в базу каждого транзистора теперь ответвляется только часть коллекторного тока другого. В результате лавинообразный процесс открывания транзисторов протекает при более высоком напряжении. Напряжение включения можно изменять с помощью резисторов R1 и R2 .

Так, при их сопротивлениях, равных 5,1 кОм, напряжение включения составляет 9 В, при 3 кОм— 12 В. Результаты получены при плавном повышении напряжения на двухполюснике. Если же напряжение имеет импульсный характер, то включение может произойти и при меньших его величинах. Дело в том, что транзисторный аналог, как и обычный динистор чувствителен не только к величине приложенного к нему напряжения, но и к скорости его нарастания. Исключить возможность включения при напряжениях, меньших напряжения включения, можно, если шунтировать двухполюсник конденсатором С1 (см. рис. 2).

Как и у динистора, напряжение включения транзисторного аналога уменьшается при повышении температуры. Этот недостаток легко устраним заменой резисторов R1 и R2 терморезисторами.

Схема другого аналога динистора показана на рис. 3. Напряжение включения такого двухполюсника определяется цепочкой, образованной стабилитроном Д1 и управляющим переходом тиристора Д2 , между которыми распределяется напряжение, приложенное к выводам двухполюсника. Когда это напряжение становится равным напряжению включения, стабилитрон пробивается, и через управляющий переход тиристора течет ток. Тиристор открывается, шунтируя стабилитрон и напряжение на выводах двухполюсника резко уменьшается. Напряжение включения устройства, показанного на рис. 3, равно 8 В.

На рис. 4 приведена схема регулятора напряжения на триодном тиристоре Д5, в цепи управления которым применен последний из рассмотренных двухполюсников (стабилитрон Д6 и тиристор Д7). При закрытом тиристоре Д5 конденсатор С1 заряжается через нагрузку и резистор R2 током, выпрямленным диодами Д1—Д4.

Когда напряжение на конденсаторе становится равным напряжению включения двухполюсника, стабилитрон Д6 пробивается и открывает тиристор Д7. Конденсатор С1 разряжается через управ ляющий переход тиристора Д5 , в результате чего он также открывается и подключает нагрузку к выпрямителю на время, оставшееся до конца полупериода сетевого напряжения. В конце его тиристор закрывается, так как ток через него уменьшается до нуля, после чего цикл повторяется.

С помощью переменного резистора R2 можно изменять ток заряда конденсатора С2, а следовательно, и момент открывания тиристора Д5, то есть регулировать среднюю величину напряжения на нагрузке.

В современных радиоэлектронных устройствах используется весьма широкий ассортимент самых разнообразных электронных приборов. Порой отсутствие одного или нескольких таких элементов может затормозить или даже прервать выполнение работы по монтажу или макетированию схемы.

Очень часто встречаются ситуации, когда необходимо один элемент заменить другим. Если речь идет о простой замене одного номинала резистора или конденсатора на другой, то решение задачи замены или подбора заменяющего номинала очевидно. Менее очевидны замены радиоэлементов, имеющих специфические, только им присущие свойства.

Ниже будут рассмотрены вопросы замены некоторых специальных полупроводниковых приборов их эквивалентами, выполненными из более доступных элементов.

В импульсной технике широко используют управляемые и неуправляемые коммутирующие элементы, имеющие вольт-амперную характеристику с N- или S-образным участком. Это лавинные транзисторы, газовые разрядники, динисторы, тиристоры, симисторы, однопереходные транзисторы, лямбда-диоды, туннельные диоды, инжекционно-полевые транзисторы и другие элементы.

В релаксационных генераторах импульсов, различных преобразователях электрических и неэлектрических величин в частоту широко используют биполярные лавинные транзисторы. Следует отметить, что специально такие транзисторы почти не выпускают. На практике в этих целях используют обычные транзисторы в необычном включении или режиме эксплуатации.

Эквивалент лавинного транзистора и динистора

Лавинный транзистор — полупроводниковый прибор, работающий в режиме лавинного пробоя. Такой пробой обычно возникает при напряжении, превышающем предельно допустимое значение.

Не допустить теплового пробоя (необратимого повреждения) транзистора можно при ограничении тока через транзистор (подключением высокоомной нагрузкой).

Лавинный пробой транзистора может наступать в «прямом» и «инверсном» включении транзистора. Напряжение лавинного пробоя при инверсном включении (полярность подключения полупроводникового прибора противоположна общепринятой, рекомендованной) обычно ниже, чем для «прямого» включения.

Вывод базы транзистора часто не используется (не подключается к другим элементам схемы). В ряде случаев базовый вывод соединяют с эмиттером через высокоом-ный резистор (сотни кОм — ед. МОм). Это позволяет в некоторых пределах регулировать величину напряжения лавинного пробоя.

На рис. 1 приведена схема равноценной замены «лавинного» транзистора интегрального прерывателя К101КТ1 ее дискретными аналогами. Интересно отметить, что при ближайшем рассмотрении эта схема тождественна эквивалентной схеме динистора (рис. 1), тиристора (рис. 2) и однопереходного транзистора (рис. 4).

Отметим попутно, что и вид вольт-амперных характеристик всех этих полупроводниковых приборов имеет общие характерные особенности. На их вольт-амперных характеристиках имеется S-образный участок, участок с так называемым «отрицательным» динамическим сопротивлением. Благодаря такой особенности вольт-амперной характеристики перечисленные приборы могут использоваться для генерации электрических колебаний.

Рис. 1. Аналог лавинного транзистора и динистора.

Эквивалент тиристора

Тиристоры, динисторы и им подобные элементы способны при весьма незначительных внутренних потерях управлять большими мощностями, подводимыми к нагрузке.

Тиристоры — приборы, обладающие двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (проводимость отсутствует, прибор заперт) и состоянием высокой проводимости (проводимость близка к нулю, прибор открыт). Представители класса тиристоров [Вишневский А.И]:

• диодные тиристоры (динисторы, диаки), имеющие два вывода (анод и катод), управляемые путем подачи на электроды напряжения с высокой скоростью его нарастания или повышения приложенного напряжения до величины, близкой к критической;
• триодные тиристоры (тринисторы, триаки), трехэлектродные элементы, управляющий электрод которых служит для перевода тиристора из закрытого состояния в открытое;
• тетродные тиристоры, имеющие два управляющих электрода;
• симметричные тиристоры — симисторы, имеющие пятислой-ную структуру. Иногда этот полупроводниковый прибор называют семистором.

Диодные тиристоры (динисторы), ассортимент которых не столь велик, различаются, главным образом, максимально допустимым постоянным прямым напряжением в закрытом состоянии.

Так, для динисторов типов КН102А, Б, В, Г, Д, Е, Ж, И (2Н102А — И) значения этих напряжений составляют, соответственно, 5, 7, 10, 14, 20, 30, 40, 50 В при обратном токе не более 0,5 мА. Максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии для этих полупроводниковых приборов равен 0,2 А при остаточном напряжении в открытом состоянии 1,5 В.

На рис. 1 приведена эквивалентная схема низковольтного динистора. Если принять R1=R3=100 Ом, можно получить динистор с управляемым (с помощью резистора R2) напряжением переключения от 1 до 25 В [Войцеховский Я., Р 11/73-40, Р 12/76-29]. При отсутствии этого резистора и при условии R1=R3=5,1 кОм напряжение переключения составит 9 Б, а при R1=R3=3 кОм —12 В.

Аналог тиристора р-п-р-п-структуры, описанный в книге Я. Войцеховского, показан на рис. 2. Буквой А обозначен анод; К — катод; УЭ — управляющий электрод. В схемах (рис. 1, 2) могут быть использованы транзисторы типов КТ315 и КТ361.

Необходимо лишь, чтобы подводимое к полупроводниковому прибору или его аналогу напряжение не превышало предельных паспортных значений. В таблице (рис. 2) показано, какими величинами R1 и R2 следует руководствоваться при создании аналога тиристора на основе германиевых или кремниевых транзисторов.

Рис. 2. Аналог тиристора.

В разрывы электрической цепи, показанные на схеме (рис. 2) крестиками, можно включить диоды, позволяющие влиять на вид вольт-амперной характеристики аналога. В отличие от обычного тиристора, его аналогом (рис. 2) можно управлять, используя дополнительный вывод — управляющий электрод УЭдоп, подключенный к базе транзистора VT2 (верхний рисунок) или VT1 (нижний рисунок).

Обычно тиристор включают кратковременной подачей напряжения на управляющий электрод УЭ. При подаче напряжения на электрод УЭдоп тиристор, напротив, можно перевести из включенного состояния в выключенное.

Аналог управляемого динистора

Аналог управляемого динистора может быть создан с использованием тиристора (рис. 3) [Р 3/86-41]. При указанных на схеме типах элементов и изменении сопротивления резистора R1 от 1 до 6 кОм напряжение переключения динистора в проводящее состояние изменяется от 15 до 27 В.

Рис. 3. Аналог управляемого динистора.

Эквивалент однопереходного транзистора

Рис. 4. Аналог однопереходного транзистора.

Эквивалентная схема используемого в генераторных устройствах полупроводникового прибора — однопереходного транзистора — показана на рис. 4. Б1 и Б2 — первая и вторая базы транзистора.

Эквивалент инжекционно-полевого транзистора

Инжекционно-полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с S-образной ВАХ. Подобные приборы широко используют в импульсной технике — в релаксационных генераторах импульсов, преобразователях напряжение-частота, ждущих и управляемых генераторах и т. д.

Такой транзистор может быть составлен объединением полевого и обычного биполярного транзисторов (рис. 5, 6). На основе дискретных элементов может быть смоделирована не только полупроводниковая структура.

Рис. 5. Аналог инжекционно-полевого транзистора п-структуры.

Рис. 6. Аналог инжекционно-полевого транзистора р-структуры.

Эквивалент низковольтного газового разрядника

На рис. 7 показана схема устройства, эквивалентного низковольтному газовому разряднику [ПТЭ 4/83-127]. Этот прибор представляет собой газонаполненный баллон с двумя электродами, в котором возникает электрический межэлектродный пробой при превышении некоторого критического значения напряжения.

Напряжение «пробоя» для аналога газового разрядника (рис. 7) составляет 20 В. Таким же образом, может быть создан аналог, например, неоновой лампы.

Рис. 7. Аналог газового разрядника — схема эквивалентной замены.

Эквивалентная замена лямбда-диодов

Совершенно особым видом ВАХ обладают полупроводниковые приборы типа лямбда-диодов, туннельных диодов. На вольт-амперных характеристиках этих приборов имеется N-об-разный участок.

Лямбда-диоды и туннельные диоды могут быть использованы для генерации и усиления электрических сигналов. На рис. 8 и рис. 9 показаны схемы, имитирующие лямбда-ди-од [РТЕ 9/87-35].

Практически в генераторах чаще используют схему, представленную на рис. 9 [ПТЭ 5/77-96]. Если между стоками полевых транзисторов включить управляемый резистор (потенциометр) либо транзистор (полевой или биполярный), то видом вольт-амперной характеристики такого «лямбда-диода» можно управлять в широких пределах: регулировать частоту генерации, модулировать колебания высокой частоты и т.д.

Рис. 8. Аналог лямбда-диода.

Рис. 9. Аналог лямбда-диода.

Эквивалентная замена туннельных диодов

Рис. 10. Аналог туннельного диода.

Туннельные диоды также используют для генерации и усиления высокочастотных сигналов. Отдельные представители этого класса полупроводниковых приборов способны работать до мало достижимых в обычных условиях частот — порядка единиц ГГц. Устройство, позволяющее имитировать вольт-амперную характеристику туннельного диода, показано на рис. 10 [Р 4/77-30].

Схема эквивалента варикапа

Варикапы — это полупроводниковые приборы с изменяемой емкостью. Принцип их работы основан на изменении барьерной емкости полупроводникового перехода при изменении приложенного напряжения.

Чаще на варикап подают обратное смещение, реже — прямое. Такие элементы обычно применяют в узлах настройки радио- и телеприемников. В качестве варикапов могут быть использованы обычные диоды и стабилитроны (рис. 11), а также их полупроводниковые аналоги (рис. 12 [F 9/73-434], рис. 13 [ПТЭ 2/81-151]).

Рис. 12. Схема аналога варикапа.

Рис. 13. Схема аналога варикапа на основе полевого транзистора.

Литература: Шустов М.А. Практическая схемотехника (Книга 1).

• PCBWay — всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН
• Сборка печатных плат от $88 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет
• Онлайн просмотрщик Gerber-файлов от PCBWay!

ВНИМАНИЕ! В оригинале в книге на рисунках 1 и 2 была обнаружена ошибка: к Аноду включен N-P-N транзистор, вместо PNP. В текущей статье, на рисунках, ошибки исправлены!
Нашел ошибки и оповестил нас о них — Иван Иванович.

Динистор лучше заменить на тиристор и стабилитрон или цепочка стабилитронов с анода на управляющий, проверено — работает надежно, искать транзисторы PNP на 250-300v проблемотично.

НИколай,можно раскурочить парочку сгоревших зарубежных телеков,покопаться в строчной развертке,взять оттуда выходные транзисторы(насколько помню,они там прямой проводимости).Если же нет,можно сделать аналог npn транзистора из нескольких pnp транзисторов.Раскрою принцип действия заменяющей цепочки.При подаче на базу транзистора прямой проводимости pnp структуры отрицательного импульса он открывается.Транзистор обратной проводимости npn структуры закрывается.Так,закрывая один транзистор можно открывать другой,имитируя работу транзистора прямой проводимости.При этом,правда,увеличивается емкость коллектора,но ее можно компенсировать,введя обратную связь.При этом правда,уменьшается коэффициент усиления,но это можно исправить увеличением числа каскадов.

Так же можно присмотреться и к ключу в блоке питания.

Поделиться с друзьями:

Твитнуть

Поделиться

Поделиться

Отправить

Класснуть

Adblock detector

Пластины из карбида ISO — Пластины с винтовым креплением

Сплавы

• Состав: Усовершенствованное PVD-покрытие AlTiN на основе из нелегированного карбида, обладающей высокой устойчивостью к деформации. Новое улучшенное покрытие позволяет увеличить скорость на 50–100 %.
  Применение: Сплав KC5010 идеально подходит для чистовой и общей обработки большинства материалов заготовок на более высоких скоростях. Отлично подходит для обработки большинства сталей, нержавеющих сталей, чугунов, цветных металлов и суперсплавов в стабильных условиях. Он также хорошо справляется с обработкой закаленных материалов и материалов с короткой стружкой.

  Р Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав

  : Недавно разработанный усовершенствованный обогащенный кобальтом карбид марки
  с толстым покрытием из оксида алюминия. Применение
  : Универсальный инструмент для обработки широкого диапазона заготовок 9Материалы 0007 (сталь, нержавеющая сталь и чугун) для черновой обработки и
  чистовых операций. Этот сплав с высокой износостойкостью может работать с охлаждающей жидкостью
  или без нее на высоких скоростях и обладает исключительной прочностью кромки
  для прерывистого резания. Кромка пластины с микрообработкой препятствует образованию наростов на заготовке
  и микросколам, а также обеспечивает превосходное качество поверхности.
  Для обработки стали и чугуна в первую очередь следует выбирать геометрии -RN и
  -MN. Для получистовой обработки и чистовой обработки
  , предлагаются геометрии -MP и -FP с положительным передним углом.
  

• MT-CVD-TiN-TiCN-Al2O3-TiN градиентный карбид
  Для непрерывного и слегка прерывистого резания
  Для универсального использования при растачивании нержавеющих сталей
  Меньший нарост на кромке благодаря микрополированной поверхности
  

• Твердый сплав с покрытием CVD-TiN-TiON-AL2O3-TiN
  Чрезвычайно износостойкий для обработки материалов из чугуна
  Особенно эффективен в верхнем диапазоне скоростей резания
  

• Новый многослойный твердый сплав с покрытием AlTiN + AlCrN, нанесенным методом PVD, с превосходным сочетанием износостойкости и прочности покрытия. Сплав KCK20 специально разработан для обеспечения максимальной адгезии покрытия и прочности кромок, что делает этот сплав идеальным для мокрой прерывистой резки серого и высокопрочного чугуна, а также может использоваться в сухих условиях. Его можно использовать в самых разных областях, от чистовой до черновой обработки, чтобы максимизировать производительность там, где необходимы прочность и надежность.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Многослойное покрытие с толстыми слоями MTCVD TiCN-Al2O3-TiOCN, нанесенными на карбидную подложку, специально разработанную для чугунов.
  Применение: Обеспечивает стабильную производительность при высокоскоростной обработке серого и высокопрочного чугуна. Конструкция подложки позволяет пластине долгое время оставаться в пропиле на высоких скоростях с минимальной деформацией. Толстое покрытие CVD и последующая обработка обеспечивают превосходную износостойкость, обеспечивая долгий и стабильный срок службы инструмента. Можно наносить как прямым, так и слегка прерывистым резом.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Многослойный твердый сплав с покрытием MTCVD-TiCN-Al2O3.

  Применение: Превосходный сплав для чистовой и получистовой обработки аустенитных нержавеющих сталей на высоких скоростях, подходит для широкого спектра операций по стали в диапазоне P20-25. Сплав KCM15 в сочетании с уникальной геометрией был разработан, чтобы противостоять глубине резания и свести к минимуму образование заусенцев. Обработка после нанесения покрытия снижает напряжения в покрытии, улучшает адгезию покрытия, сводит к минимуму образование микросколов и наростов на кромках, а также улучшает качество обработки заготовки.

  Р Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав: прочный обогащенный кобальтом карбид с недавно разработанным многослойным покрытием MTCVD-TiCN-Al2O3 с превосходной межслойной адгезией.
  Применение: Лучший универсальный сплав для токарной обработки большинства сталей, а также ферритных и мартенситных нержавеющих сталей. Конструкция подложки обеспечивает достаточную устойчивость к деформации с превосходной прочностью кромки вставки. Слои покрытия обеспечивают хорошую износостойкость в широком диапазоне условий обработки, а обработка после покрытия сводит к минимуму образование микросколов и улучшает адгезию покрытия к подложке, что увеличивает срок службы инструмента и улучшает качество обработки деталей.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Усовершенствованное многослойное PVD-покрытие на основе из нелегированного карбида с очень высокой устойчивостью к деформации. Новое и улучшенное покрытие улучшает стабильность режущей кромки благодаря широкому диапазону скоростей и возможностей подачи.

  Применение: Сплав KCU10™ идеально подходит для чистовой и общей обработки большинства материалов заготовок в широком диапазоне скоростей и подач. Отлично подходит для обработки большинства сталей, нержавеющих сталей, чугуна, цветных металлов и суперсплавов с улучшенной ударной вязкостью кромки и более высокой скоростью резания/подачей.

  Р Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав: Многослойный керметный сплав с покрытием PVD-TiN/TiCN/TiN для токарной обработки.
  Применение: Идеально подходит для высокоскоростной чистовой и получистовой обработки большинства углеродистых и легированных сталей, а также нержавеющих сталей. Также очень хорошо работает с литым и ковким чугуном. Обеспечивает длительный и стабильный срок службы инструмента и обеспечивает превосходное качество обработки обрабатываемой детали.

  Р Сталь

  К Чугун

  М Нержавеющая сталь

Пластины из карбида ISO – пластины с резьбой

Сплавы

• Состав: Усовершенствованное PVD-покрытие AlTiN на основе из нелегированного карбида, обладающей высокой устойчивостью к деформации. Новое улучшенное покрытие позволяет увеличить скорость на 50–100 %.
  Применение: Сплав KC5010 идеально подходит для чистовой и общей обработки большинства материалов заготовок на более высоких скоростях. Отлично подходит для обработки большинства сталей, нержавеющих сталей, чугунов, цветных металлов и суперсплавов в стабильных условиях. Он также хорошо справляется с обработкой закаленных материалов и материалов с короткой стружкой.

  П Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав

  : Недавно разработанный усовершенствованный обогащенный кобальтом карбид марки
  с толстым покрытием из оксида алюминия. Применение
  : универсальное средство для обработки широкого спектра материалов
  (сталь, нержавеющая сталь и чугун) для черновой и чистовой обработки
  . Этот высокоизносостойкий сплав может работать с
  или без СОЖ на высоких скоростях, и имеет исключительную прочность кромки
  для прерывистого резания. Кромка пластины с микрообработкой препятствует образованию наростов на заготовке
  и микросколам, а также обеспечивает превосходное качество поверхности.
  Для обработки стали и чугуна в первую очередь следует выбирать геометрии -RN и
  -MN. Для получистовой обработки и чистовой обработки
  предлагаются геометрии -MP и -FP с положительным передним углом.
  

• MT-CVD-TiN-TiCN-Al2O3-TiN градиентный карбид
  Для непрерывного и слегка прерывистого резания
  Для универсального использования при растачивании нержавеющих сталей
  Меньший нарост на кромке благодаря микрополированной поверхности
  

• Твердый сплав с покрытием CVD-TiN-TiON-AL2O3-TiN
  Чрезвычайно износостойкий для обработки материалов из чугуна
  Особенно эффективен в верхнем диапазоне скоростей резания
  

• Новый многослойный твердый сплав с покрытием AlTiN + AlCrN, нанесенным методом PVD, с превосходным сочетанием износостойкости и прочности покрытия. Сплав KCK20 специально разработан для обеспечения максимальной адгезии покрытия и прочности кромок, что делает этот сплав идеальным для мокрой прерывистой резки серого и высокопрочного чугуна, а также может использоваться в сухих условиях. Его можно использовать в самых разных областях, от чистовой до черновой обработки, чтобы максимизировать производительность там, где необходимы прочность и надежность.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Многослойное покрытие с толстыми слоями MTCVD TiCN-Al2O3-TiOCN, нанесенными на карбидную подложку, специально разработанную для чугунов.
  Применение: Обеспечивает стабильную производительность при высокоскоростной обработке серого и высокопрочного чугуна. Конструкция подложки позволяет пластине долгое время оставаться в пропиле на высоких скоростях с минимальной деформацией. Толстое покрытие CVD и последующая обработка обеспечивают превосходную износостойкость, обеспечивая долгий и стабильный срок службы инструмента. Можно наносить как прямым, так и слегка прерывистым резом.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Многослойный твердый сплав с покрытием MTCVD-TiCN-Al2O3.

  Применение: Превосходный сплав для чистовой и получистовой обработки аустенитных нержавеющих сталей на высоких скоростях, подходит для широкого спектра операций по стали в диапазоне P20-25. Сплав KCM15 в сочетании с уникальной геометрией был разработан, чтобы противостоять глубине резания и свести к минимуму образование заусенцев. Обработка после нанесения покрытия снижает напряжения в покрытии, улучшает адгезию покрытия, сводит к минимуму образование микросколов и наростов на кромках, а также улучшает качество обработки заготовки.

  Р Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав: прочный обогащенный кобальтом карбид с недавно разработанным многослойным покрытием MTCVD-TiCN-Al2O3 с превосходной межслойной адгезией.
  Применение: Лучший универсальный сплав для токарной обработки большинства сталей, а также ферритных и мартенситных нержавеющих сталей. Конструкция подложки обеспечивает достаточную устойчивость к деформации с превосходной прочностью кромки вставки. Слои покрытия обеспечивают хорошую износостойкость в широком диапазоне условий обработки, а обработка после покрытия сводит к минимуму образование микросколов и улучшает адгезию покрытия к подложке, что увеличивает срок службы инструмента и улучшает качество обработки деталей.

  Р Сталь

  К Чугун

• Состав: Усовершенствованное многослойное PVD-покрытие на основе из нелегированного карбида с очень высокой устойчивостью к деформации. Новое и улучшенное покрытие улучшает стабильность режущей кромки благодаря широкому диапазону скоростей и возможностей подачи.

  Применение: Сплав KCU10™ идеально подходит для чистовой и общей обработки большинства материалов заготовок в широком диапазоне скоростей и подач. Отлично подходит для обработки большинства сталей, нержавеющих сталей, чугуна, цветных металлов и суперсплавов с улучшенной ударной вязкостью кромки и более высокой скоростью резания/подачей.

  Р Сталь

  С Жаропрочные сплавы

  M Нержавеющая сталь

• Состав: Многослойный керметный сплав с покрытием PVD-TiN/TiCN/TiN для токарной обработки.