КР198НТ1 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов — DataSheet

 

Корпус типа 201.14-1

Схема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

Электрические параметры
Параметры	Условия	КР198НТ1А	КР198НТ1Б	Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 1	не более 1	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 0,7	не более 0,7	В
Обратный ток коллектора	при UКБ = 6 В, Т = +25 °С	не более 0,04	не более 0,04	мкА
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С	20…125	60…250	—
Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ1А, КР198НТ1Б	—	не более 15	не более 15	%
Разброс прямых напряжений база—эмиттер дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ1А, КР198НТ2А	—	не более 4	не более 4	мВ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	КР198НТ1А	КР198НТ1Б	Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база	—	15	15	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер	—	15	15	В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер	—	15	15	В
Обратное напряжение база— эмиттер	—	4	4	В
Постоянный ток коллектор	—	10	10	мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения	—	30	30	мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды	Т = -45…+85 °С одним транзистором	20	20	мВт
	Т = -45…+85 °С матрицей	100	100
Температура окружающей среды	—	-45…+85	-45…+85	°С

 

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость	Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА	Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер	Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем
Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость	Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды	Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

МИНИАТЮРНЫЙ ПРИЕМНИК НА МИКРОСХЕМЕ 198НТ1Б

September 12, 2012 by admin Комментировать »

   Сравнительно простой, достаточно чувствительный и малогабаритный приемник прямого усиления можно собрать всего на одной микросхеме К198НТ1Б, представляющей собой сборку из пяти транзисторов структуры п-р-п. Такой приемник удобно брать, например, на рыбалку или пользоваться им в туристских походах. Работает он в диапазоне средних и частично длинных волн (1605…330 кГц), потребляемый от источника питания напряжением 4…9 В ток не превышает 7 мА. Выделенный колебательным контуром L1C1 магнитной антенны W1 сигнал радиостанции поступает через катушку связи L2 на усилитель ВЧ, собранный на транзисторах V1 и V2 по дифференциальной схеме. Выбор такого каскада обусловлен тем, что эти транзисторы микросхемы согласованы по параметрам (разброс их коэффициента передачи тока не превышает 15%) и рассчитаны на работу в дифференциальном усилителе. К выходу усилителя ВЧ подключен триодный детектор, выполненный на транзисторе V3. Нагрузкой детектора является резистор R5, а фильтрует продетектированный сигнал конденсатор СЗ. Снимаемый с резистора нагрузки сигнал звуковой частоты подается через конденсатор С4 на однокаскадный усилитель НЧ, собранный на транзисторе V4. В цепи его коллектора стоит нагрузка – головной телефон В1 Конденсатором С5 задается нужный тембр звучания. Режим работы транзисторов V1 и V2 определяет резистор R1, транзистора V3 – резистор R3, транзистора V4 – резистор R7. Питают базовые цепи транзисторов (кроме V3) от стабилизатора напряжения (резистор R8 и диоды V5. V6). Для изготовления магнитной антенны понадобится стержень диаметром 8 и длиной 40…70 мм из феррита 400НН или 600НН. Его вставляют в бумажный каркас такой же длины и наматывают на каркас сначала катушку L1 – 120 витков провода ЛЭШО 10х0,05 или ПЭЛ 0,2…0,3. Намотка виток к витку. Поверх нее наматывают (так же виток к витку) катушку L2 – 20 витков провода ПЭЛ 0,2 с отводом от середины.

   

   Конденсатор переменной емкости – от радиоприемника “Селга-404”, или другой малогабаритный конденсатор с указанными на схеме или несколько большими пределами изменения емкости. Источник питания – батарея “Крона”, последовательно соединенные аккумуляторы Д-0,06 или другой источник с указанным на схеме напряжением. Работоспособность приемника сохраняется при падении напряжения питания до 2,5 В. Максимальные чувствительность и громкость приемника будут, конечно, при напряжении источника питания 9 В. Головной телефон – ТМ-2м или ТМ-4. Вместо указанной микросхемы можно применить К198НТ1А, К198НТ5Б (в этом случае нужно изменить на обратную полярность включения источника питания, диодов, электролитических конденсаторов) или маломощные низкочастотные кремниевые транзисторы структуры п-р-п с коэффициентом передачи тока 60…100 (подойдут, например, транзисторы серии KT315). Полное описание приемника и рисунок печатной платы приводится в [30].

   

Литература:
Николаев А.П., Малкина М.В.
Н82 500 схем для радиолюбителей. Уфа.: SASHKIN SOFT, 1998, 155 с., с ил,- Библиогр. По главам.

КР198НТ5 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов — DataSheet

 

Корпус типа 201.14-1

Схема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Микросхемы КР198НТ5А, КР198НТ5Б содержат 5 транзисторов n-p-n. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

Электрические параметры
Параметры	Условия	КР198НТ5А	КР198НТ5Б	Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 1	не более 1	В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер	при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С	не более 0,5	не более 0,75	В
Обратный ток коллектора	при UКБ = 6 В	не более 0,3	не более 0,3	мкА
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером	при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С	20…125	60…300	—
Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ5А, КР198НТ5Б	—	не более 15	не более 15	%
Разброс прямых напряжений база—эмиттер дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ5А, КР198НТ6А	—	не более 5	не более 5	мВ

Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Условия	КР198НТ5А	КР198НТ5Б	Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база	—	15	30	В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер	—	15	30	В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер	—	15	15	В
Обратное напряжение база— эмиттер	—	4	4	В
Постоянный ток коллектор	—	10	10	мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения	—	30	30	мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды	Т = -45…+85 °С одним транзистором	30	30	мВт
	Т = -45…+85 °С матрицей	120	120
Температура окружающей среды	—	-45…+85	-45…+85	°С

 

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Новое. Микросхемы на интернет-аукционе Au.ru

Микросхемы представляют собой набор из 5-и n-p-n-транзисторов выполненных на общей подложке. Содержат 5

интегральных элементов. Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г и типа 201 14-1. масса не более 1 г.

Электрическая схема К198НТ1

Назначение выводов

1 эмиттер транзистора VT3

2 база транзистора VT3

3 коллектор транзистора VT3

4 эмиттер VT5

5 база VT5

6 коллектор VT5

7 эмиттер VT4

8 база VT4

9 коллектор VT4

10 коллектор VT2

11 база VT2

12 эмиттер транзисторов VT1 и VT2

13 база VT1

14 коллектор VT1

Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер…………………………………………………………………………………………………………….. ≤1 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер………………………………………………………………………………………………….. ≤0,7 В

Напряжение смещения нуля дифференциальной пары……………………………………………………………………………………≤4 мВ

Обратный ток коллектора………………………………………………………………………………………………………………………. ≤0,04 мкА

Статический коэффициент передачи тока:

К198НТ1А, КР198НТ1А ………………………………………………………………………………………………………………… 20…125

К198НТ1Б, КР198НТ1Б ………………………………………………………………………………………………………………… 60…250

Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары………………………………………………………………………≤15%

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение коллектор-база…………………………………………………………………………………………………………………………….20 В

Напряжение эмиттер-база…………………………………………………………………………………………………………………………………5 В

Ток коллектора……………………………………………………………………………………………………………………………………………. 10 мА

Рассеиваемая мощность одним транзистором……………………………………………………………………………………………….20 мВт

Температура окружающей среды………………………………………………………………………………………………………….. –45…+85°С

Назначение выводов интегральных микросхем отечественного производства

К174АФ1А	К174ГЛ3	К174УК1
1 – питание “ + ” (UCC) 2 – выход строчных импульсов 3 — вход формирователя 4 – выход фазового детектора 5 – вход импульса обратного хода 6 – вход частотного детектора 7 – выход селектора 8 – вход видеосигнала 9 – вход импульса помехи 10, 13, 14, 15 – вывод 11 – выход переключателя 12 – выход частотного детектора 16 – питание “ — ” (UCC)	1 – делитель 2 – обратная связь 3 – вывод 4, 5 – нет 6, 8 – выход 7 – вольтдобавка 9 – питание (20В) (UCC) 10 – вход синхроимпульса 11, 12 – нет 13 – теплоотвод 14 – задающая емкость 15 – регулировка 16 – питание (12В) (UCC)	1 – выход Y 2 – импульс привязки 3 – импульс гашения 4 – земля 5 – регулировка контрастности 6 – регулировка насыщенности 7 – выход B – Y 8 – вход B – Y 9 – вход R – Y 10 — выход R — Y 11 – вход G – Y 12 – выход G – Y 13 – питание “+”(UCC) 14 – регулировка яркости 15 – накопительный конденсатор 16 – вход Y
К174УН20	К174УР5	К174ХА2
1 – питание “ – ” (UCC) 1 канала 2 – неинвертирующий вход 1 канала 3 – инвертирующий вход 1 канала 4, 5, 11, 12, 13 – нет 6 – питание “ – ” (UCC)1 канала 7 – выход 1 канала 8 – питание (UCC ) 1 и 2 канала 9 – выход 2 канала 10 – питание “ – ” (UCC) 2 канала 14 – инвертирующий вход 2 канала 15 – неинвертирующий вход 2 канала 16 – питание “ – ” (UCC) 2 канала	1, 16 – вход 2, 15 – обратная связь 3 – подстройка уровня срабатывания АРУ 4 – выход АРУ 5 – выход АПЧ 6 – выключение АПЧ 7, 10 – фазосдвигающий контур 8, 9 – контур 11 – питание “ + ” (UCC) 12 – видеовыход 13 – питание “ – ” (UCC) 14 – выключение АРУ	1, 2 – вход УВЧ 3 – вход УПЧ 4, 5, 6 – вывод 7 – выход УПЧ 8 – питание “ — ” (UCC) 9 – вход УПТ 10 – выход индикации 11 – вход УПЧ 12 – выход УПЧ 13 – вывод 14 – питание “ + ” (UCC) 15, 16 – выход смесителя
К174ХА10	К174ХА11	К174ХА19
1 – вход 1 УПЧ 2 – вход 2 УПЧ 3, 11 – корпус 4 – выход смесителя 5 – вывод контура гетеродина 6 – вход 1 тракта АМ 7 – вход 2 тракта АМ 8 – выход демодулятора 9 – вход УНЧ 10 – блокировка 12 – выход УНЧ 13 – питание (UCC) 14 – вход демодулятора 15 – выход УПЧ 16 – выход АПЧ, блокировка АРУ	1, 2 – питание “ + ” (UCC) 3 – выход строчного импульса 4 – вход переключателя длительности строчного импульса 5 – выход фазового детектора 6 – вход импульса обратного хода 7 – выход стробирующего импульса 8 – выход кадрового синхроимпульса 9 – вход видеосигнала 10 – вход импульса помехи 11 – вход коммутатора 12 – выход коммутатора 13 – выход фазового детектора АПЧ 14 – выход задающего генератора 15 – регулировка частоты 16 – питание “ — ” (UCC)	1 – подстройка Utun min 2 – термокомпенсация 3 – питание “ – ” (UCC) 4 – вход буферного каскада 5 – выход Utun 6 – питание “ + ” (UCC) 7 – эмиттер 8 – база 9 – коллектор 10 – вход Usc 11, 12 – вход АПЧ 13 – выход Utun max 14, 15 – подстройка Utun max 16 – выход Utun min
К174ХА34	К174ХА36А, Б	КР1021УР1
1, 2 – фильтр нижних частот 3 — общий 4 – питание (UCC) 5 – контур гетеродина 6, 13, 16 – блокировка 7, 8, 10, 11 – фильтр промежуточной частоты 9 – уровень напряжения поля 12 – вход высокой частоты 14 – вход звуковой частоты 15 – вход обратной связи	1 – контур гетеродина 2 – общий вывод 3 – вход усилителя радиочастоты 1 4 — вход усилителя радиочастоты 2 5 – индикатор настройки 6 – вход предварительного УЗЧ инвертирующий 7 – вход предварительного УЗЧ неинвертирующий 8 – выход предварительного УЗЧ 9 – общий вывод предварительного УЗЧ 10 – питание “ + ” (UCC) 11 – выход детектора 12 – фильтрующий конденсатор АРУ 13 – преддетекторный LC-контур 14 – вход УПЧ 15 – блокировочный конденсатор УПЧ 16 – выход смесителя	1, 16 – вход РЧ 2, 15 – развязывающий конденсатор 3 – подстройка АРУ 4 – выход АРУ 5 – выход АПЧ 6 – блокировка АПЧ 7, 10 – фазосдвигающий контур 8, 9 – опорный контур 11 – питание “ + ” (UCC) 12 – выход видеосигнала 13 – общий 14 – блокировка
КР1051УР1	КР1051УР4	КР1055ХП4
1, 16 – вход ПЧ 2 – переключатель системы входного сигнала 3, 15 – земля (питание “ – ” (UCC) 4 – фильтр АРУ 5 – выход АРУ на СК 6 – регулировка задержки АРУ 7 – вход стробимпульса 8, 9 – опорный LC-контур 10 – фильтр АРУ 11, 12 – нет 13 – питание “ + ” (UCC) 14 – выход видеосигнала	1, 16 – вход ПЧ 2, 15 – обратная связь 3 – подстройка уровня срабатывания АРУ 4 – выход АРУ на СК 5 – выход АПЧ 6 – блокировка АПЧ 7, 10 – фазосдвигающий контур 8, 9 – опорный контур 11 – питание “ + ” (UCC) 12 – выход видеосигнала 13 – земля 14 – фильтр АРУ и выключатель УПЧ	1 – общий 2 – общий (сигнал) 3 – напряжение питания 4 – нет 5 – вход сигнала 6 – выход на тахометр 7 – защита 8 – время восстановления 9 – максимальное время проводимости 10 – выход схемы контроля времени проводимости 11 – вывод схемы контроля времени проводимости 12 – ток смещения 13 – контроль тока нагрузки 14 – выход драйвера 15 – ограничитель перенапряжения 16 – вход драйвера
К174УР2Б	К174УР8	КР1086СС1
1, 16 – вход 2, 15 – обратная связь 3 – питание “ – ” (UCC) 4 – регулировка АРУ 5 – выход АРУ на селектор 6 – нет 7 – вход строчных импульсов 8, 9 – опорный контур 10 – регулировка усиления 11, 12 – выход 13 – питание “ + ” (UCC) 14 – питание УПЧ	1, 16 – вход 2, 15 – обратная связь 3 – фильтр АСУ 4, 5, 6, 7, 10, 14 – регулировка АРУ 8, 9 – опорный контур 11 – питание “ + ” (UCC) 12 — выход 13 – питание “ — ” (UCC)	1 – выход 2 – вход 3 – вход блока защиты 4 – общий вывод 5 – вход настройки защиты 6, 7 – кварц генератора 8 – вход принудительного включения выхода 9, 11, 13 – входы кодирования частоты включения 10, 12, 14 – входы кодирования частоты отключения 15 – выход внутреннего стабилизатора напряжения 16 – напряжение питания (UCC)