Site Loader

КР198НТ1 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов — DataSheet

 

Корпус типа 201.14-1Корпус типа 201.14-1

Схема включенияСхема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

 
Электрические параметры 
Параметры Условия КР198НТ1А КР198НТ1Б Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 1  не более 1 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 0,7   не более 0,7 В
Обратный ток коллектора при UКБ = 6 В, Т = +25 °С   не более 0,04   не более 0,04 мкА
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С 20…125 60…250  —
 Разброс значений статического коэффициента
передачи тока дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ1Б
не более 15  не более 15  %
Разброс прямых напряжений база—эмиттер
дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ2А
не более 4  не более 4 мВ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР198НТ1А КР198НТ1Б Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база 15 15 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер 15 15 В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер 15 15 В
Обратное напряжение база— эмиттер 4 4 В
Постоянный ток коллектор 10 10 мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 30 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Т = -45…+85 °С одним транзистором 20 20 мВт
Т = -45…+85 °С матрицей 100 100
Температура окружающей среды -45…+85  -45…+85 °С

 

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды.Зависимости обратного тока
коллектора транзисторов, входящих
в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Зависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения коллектор—-эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базыЗависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав
микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА

Зависимости напряжения насыще- Зависимости тока базы тран- ния коллектор—эмиттер транзис- зисторов, входящих в состав торов, входящих в состав микро- микросхем, от напряжения схем, от тока коллектора

Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттерЗависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем

Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей средыЗависимость разности прямых напряжений база—эмиттер
транзисторов, входящих в состав
микросхем (дифференциальной
пары), от температуры окружающей
среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера

Зависимости коэффициента передачи
тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей средыЗависимости разности статических
коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих
в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Зависимость статического- коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в
состав микросхем, от температуры
окружающей среды

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

МИНИАТЮРНЫЙ ПРИЕМНИК НА МИКРОСХЕМЕ 198НТ1Б

September 12, 2012 by admin Комментировать »

   Сравнительно простой, достаточно чувствительный и малогабаритный приемник прямого усиления можно собрать всего на одной микросхеме К198НТ1Б, представляющей собой сборку из пяти транзисторов структуры п-р-п. Такой приемник удобно брать, например, на рыбалку или пользоваться им в туристских походах. Работает он в диапазоне средних и частично длинных волн (1605…330 кГц), потребляемый от источника питания напряжением 4…9 В ток не превышает 7 мА. Выделенный колебательным контуром L1C1 магнитной антенны W1 сигнал радиостанции поступает через катушку связи L2 на усилитель ВЧ, собранный на транзисторах V1 и V2 по дифференциальной схеме. Выбор такого каскада обусловлен тем, что эти транзисторы микросхемы согласованы по параметрам (разброс их коэффициента передачи тока не превышает 15%) и рассчитаны на работу в дифференциальном усилителе. К выходу усилителя ВЧ подключен триодный детектор, выполненный на транзисторе V3. Нагрузкой детектора является резистор R5, а фильтрует продетектированный сигнал конденсатор СЗ. Снимаемый с резистора нагрузки сигнал звуковой частоты подается через конденсатор С4 на однокаскадный усилитель НЧ, собранный на транзисторе V4. В цепи его коллектора стоит нагрузка – головной телефон В1 Конденсатором С5 задается нужный тембр звучания. Режим работы транзисторов V1 и V2 определяет резистор R1, транзистора V3 – резистор R3, транзистора V4 – резистор R7. Питают базовые цепи транзисторов (кроме V3) от стабилизатора напряжения (резистор R8 и диоды V5. V6). Для изготовления магнитной антенны понадобится стержень диаметром 8 и длиной 40…70 мм из феррита 400НН или 600НН. Его вставляют в бумажный каркас такой же длины и наматывают на каркас сначала катушку L1 – 120 витков провода ЛЭШО 10х0,05 или ПЭЛ 0,2…0,3. Намотка виток к витку. Поверх нее наматывают (так же виток к витку) катушку L2 – 20 витков провода ПЭЛ 0,2 с отводом от середины.

   

   Конденсатор переменной емкости – от радиоприемника “Селга-404”, или другой малогабаритный конденсатор с указанными на схеме или несколько большими пределами изменения емкости. Источник питания – батарея “Крона”, последовательно соединенные аккумуляторы Д-0,06 или другой источник с указанным на схеме напряжением. Работоспособность приемника сохраняется при падении напряжения питания до 2,5 В. Максимальные чувствительность и громкость приемника будут, конечно, при напряжении источника питания 9 В. Головной телефон – ТМ-2м или ТМ-4. Вместо указанной микросхемы можно применить К198НТ1А, К198НТ5Б (в этом случае нужно изменить на обратную полярность включения источника питания, диодов, электролитических конденсаторов) или маломощные низкочастотные кремниевые транзисторы структуры п-р-п с коэффициентом передачи тока 60…100 (подойдут, например, транзисторы серии KT315). Полное описание приемника и рисунок печатной платы приводится в [30].

   

Литература:
Николаев А.П., Малкина М.В.
Н82 500 схем для радиолюбителей. Уфа.: SASHKIN SOFT, 1998, 155 с., с ил,- Библиогр. По главам.

КР198НТ5 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов — DataSheet

 

Корпус типа 201.14-1Корпус типа 201.14-1

Схема включенияСхема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Микросхемы КР198НТ5А, КР198НТ5Б содержат 5 транзисторов n-p-n. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

 
Электрические параметры 
Параметры
Условия
КР198НТ5А КР198НТ5Б Ед. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 1  не более 1 В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер при Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С  не более 0,5   не более 0,75 В
Обратный ток коллектора при UКБ = 6 В   не более 0,3   не более 0,3 мкА
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С 20…125 60…300  —
 Разброс значений статического коэффициента
передачи тока дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ5А, КР198НТ5Б
не более 15  не более 15  %
Разброс прямых напряжений база—эмиттер
дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ5А, КР198НТ6А
не более 5  не более 5 мВ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры Условия КР198НТ5А КР198НТ5Б Ед.изм.
Постоянное напряжение коллектор—база 15 30 В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер 15 30 В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер 15 15 В
Обратное напряжение база— эмиттер 4 4 В
Постоянный ток коллектор 10 10 мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения 30 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Т = -45…+85 °С одним транзистором 30 30 мВт
Т = -45…+85 °С матрицей 120 120
Температура окружающей среды -45…+85  -45…+85 °С

 

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды.Зависимости обратного тока
коллектора транзисторов, входящих
в состав микросхем, от
температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса
значений параметра для
95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Новое. Микросхемы на интернет-аукционе Au.ru

Микросхемы представляют собой набор из 5-и n-p-n-транзисторов выполненных на общей подложке. Содержат 5

интегральных элементов. Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г и типа 201 14-1. масса не более 1 г.

Электрическая схема К198НТ1

Назначение выводов

1 эмиттер транзистора VT3

2 база транзистора VT3

3 коллектор транзистора VT3

4 эмиттер VT5

5 база VT5

6 коллектор VT5

7 эмиттер VT4

8 база VT4

9 коллектор VT4

10 коллектор VT2

11 база VT2

12 эмиттер транзисторов VT1 и VT2

13 база VT1

14 коллектор VT1

Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер…………………………………………………………………………………………………………….. ≤1 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер………………………………………………………………………………………………….. ≤0,7 В

Напряжение смещения нуля дифференциальной пары……………………………………………………………………………………≤4 мВ

Обратный ток коллектора………………………………………………………………………………………………………………………. ≤0,04 мкА

Статический коэффициент передачи тока:

К198НТ1А, КР198НТ1А ………………………………………………………………………………………………………………… 20…125

К198НТ1Б, КР198НТ1Б ………………………………………………………………………………………………………………… 60…250

Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары………………………………………………………………………≤15%

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение коллектор-база…………………………………………………………………………………………………………………………….20 В

Напряжение эмиттер-база…………………………………………………………………………………………………………………………………5 В

Ток коллектора……………………………………………………………………………………………………………………………………………. 10 мА

Рассеиваемая мощность одним транзистором……………………………………………………………………………………………….20 мВт

Температура окружающей среды………………………………………………………………………………………………………….. –45…+85°С

Назначение выводов интегральных микросхем отечественного производства

К174АФ1А

К174ГЛ3

К174УК1

  • 1 – питание “ + ” (UCC)
  • 2 – выход строчных импульсов
  • 3 — вход формирователя
  • 4 – выход фазового детектора
  • 5 – вход импульса обратного хода
  • 6 – вход частотного детектора
  • 7 – выход селектора
  • 8 – вход видеосигнала
  • 9 – вход импульса помехи
  • 10, 13, 14, 15 – вывод
  • 11 – выход переключателя
  • 12 – выход частотного детектора
  • 16 – питание “ — ” (UCC)
  • 1 – делитель
  • 2 – обратная связь
  • 3 – вывод
  • 4, 5 – нет
  • 6, 8 – выход
  • 7 – вольтдобавка
  • 9 – питание (20В) (UCC)
  • 10 – вход синхроимпульса
  • 11, 12 – нет
  • 13 – теплоотвод
  • 14 – задающая емкость
  • 15 – регулировка
  • 16 – питание (12В) (UCC)
  • 1 – выход Y
  • 2 – импульс привязки
  • 3 – импульс гашения
  • 4 – земля
  • 5 – регулировка контрастности
  • 6 – регулировка насыщенности
  • 7 – выход B – Y
  • 8 – вход B – Y
  • 9 – вход R – Y
  • 10 — выход R — Y
  • 11 – вход G – Y
  • 12 – выход G – Y
  • 13 – питание “+”(UCC)
  • 14 – регулировка яркости
  • 15 – накопительный конденсатор
  • 16 – вход Y
  • К174УН20

    К174УР5

    К174ХА2

  • 1 – питание “ – ” (UCC) 1 канала
  • 2 – неинвертирующий вход 1 канала
  • 3 – инвертирующий вход 1 канала
  • 4, 5, 11, 12, 13 – нет
  • 6 – питание “ – ” (UCC)1 канала
  • 7 – выход 1 канала
  • 8 – питание (UCC ) 1 и 2 канала
  • 9 – выход 2 канала
  • 10 – питание “ – ” (UCC) 2 канала
  • 14 – инвертирующий вход 2 канала
  • 15 – неинвертирующий вход 2 канала
  • 16 – питание “ – ” (UCC) 2 канала
  • 1, 16 – вход
  • 2, 15 – обратная связь
  • 3 – подстройка уровня срабатывания АРУ
  • 4 – выход АРУ
  • 5 – выход АПЧ
  • 6 – выключение АПЧ
  • 7, 10 – фазосдвигающий контур
  • 8, 9 – контур
  • 11 – питание “ + ” (UCC)
  • 12 – видеовыход
  • 13 – питание “ – ” (UCC)
  • 14 – выключение АРУ
  • 1, 2 – вход УВЧ
  • 3 – вход УПЧ
  • 4, 5, 6 – вывод
  • 7 – выход УПЧ
  • 8 – питание “ — ” (UCC)
  • 9 – вход УПТ
  • 10 – выход индикации
  • 11 – вход УПЧ
  • 12 – выход УПЧ
  • 13 – вывод
  • 14 – питание “ + ” (UCC)
  • 15, 16 – выход смесителя
  • К174ХА10

    К174ХА11

    К174ХА19

  • 1 – вход 1 УПЧ
  • 2 – вход 2 УПЧ
  • 3, 11 – корпус
  • 4 – выход смесителя
  • 5 – вывод контура гетеродина
  • 6 – вход 1 тракта АМ
  • 7 – вход 2 тракта АМ
  • 8 – выход демодулятора
  • 9 – вход УНЧ
  • 10 – блокировка
  • 12 – выход УНЧ
  • 13 – питание (UCC)
  • 14 – вход демодулятора
  • 15 – выход УПЧ
  • 16 – выход АПЧ, блокировка АРУ
  • 1, 2 – питание “ + ” (UCC)
  • 3 – выход строчного импульса
  • 4 – вход переключателя длительности строчного импульса
  • 5 – выход фазового детектора
  • 6 – вход импульса обратного хода
  • 7 – выход стробирующего импульса
  • 8 – выход кадрового синхроимпульса
  • 9 – вход видеосигнала
  • 10 – вход импульса помехи
  • 11 – вход коммутатора
  • 12 – выход коммутатора
  • 13 – выход фазового детектора АПЧ
  • 14 – выход задающего генератора
  • 15 – регулировка частоты
  • 16 – питание “ — ” (UCC)
  • 1 – подстройка Utun min
  • 2 – термокомпенсация
  • 3 – питание “ – ” (UCC)
  • 4 – вход буферного каскада
  • 5 – выход Utun
  • 6 – питание “ + ” (UCC)
  • 7 – эмиттер
  • 8 – база
  • 9 – коллектор
  • 10 – вход Usc
  • 11, 12 – вход АПЧ
  • 13 – выход Utun max
  • 14, 15 – подстройка Utun max
  • 16 – выход Utun min
  • К174ХА34

    К174ХА36А, Б

    КР1021УР1

  • 1, 2 – фильтр нижних частот
  • 3 — общий
  • 4 – питание (UCC)
  • 5 – контур гетеродина
  • 6, 13, 16 – блокировка
  • 7, 8, 10, 11 – фильтр промежуточной частоты
  • 9 – уровень напряжения поля
  • 12 – вход высокой частоты
  • 14 – вход звуковой частоты
  • 15 – вход обратной связи
  • 1 – контур гетеродина
  • 2 – общий вывод
  • 3 – вход усилителя радиочастоты 1
  • 4 — вход усилителя радиочастоты 2
  • 5 – индикатор настройки
  • 6 – вход предварительного УЗЧ инвертирующий
  • 7 – вход предварительного УЗЧ неинвертирующий
  • 8 – выход предварительного УЗЧ
  • 9 – общий вывод предварительного УЗЧ
  • 10 – питание “ + ” (UCC)
  • 11 – выход детектора
  • 12 – фильтрующий конденсатор АРУ
  • 13 – преддетекторный LC-контур
  • 14 – вход УПЧ
  • 15 – блокировочный конденсатор УПЧ
  • 16 – выход смесителя
  • 1, 16 – вход РЧ
  • 2, 15 – развязывающий конденсатор
  • 3 – подстройка АРУ
  • 4 – выход АРУ
  • 5 – выход АПЧ
  • 6 – блокировка АПЧ
  • 7, 10 – фазосдвигающий контур
  • 8, 9 – опорный контур
  • 11 – питание “ + ” (UCC)
  • 12 – выход видеосигнала
  • 13 – общий
  • 14 – блокировка
  • КР1051УР1

    КР1051УР4

    КР1055ХП4

  • 1, 16 – вход ПЧ
  • 2 – переключатель системы входного сигнала
  • 3, 15 – земля (питание “ – ” (UCC)
  • 4 – фильтр АРУ
  • 5 – выход АРУ на СК
  • 6 – регулировка задержки АРУ
  • 7 – вход стробимпульса
  • 8, 9 – опорный LC-контур
  • 10 – фильтр АРУ
  • 11, 12 – нет
  • 13 – питание “ + ” (UCC)
  • 14 – выход видеосигнала
  • 1, 16 – вход ПЧ
  • 2, 15 – обратная связь
  • 3 – подстройка уровня срабатывания АРУ
  • 4 – выход АРУ на СК
  • 5 – выход АПЧ
  • 6 – блокировка АПЧ
  • 7, 10 – фазосдвигающий контур
  • 8, 9 – опорный контур
  • 11 – питание “ + ” (UCC)
  • 12 – выход видеосигнала
  • 13 – земля
  • 14 – фильтр АРУ и выключатель УПЧ
  • 1 – общий
  • 2 – общий (сигнал)
  • 3 – напряжение питания
  • 4 – нет
  • 5 – вход сигнала
  • 6 – выход на тахометр
  • 7 – защита
  • 8 – время восстановления
  • 9 – максимальное время проводимости
  • 10 – выход схемы контроля времени проводимости
  • 11 – вывод схемы контроля времени проводимости
  • 12 – ток смещения
  • 13 – контроль тока нагрузки
  • 14 – выход драйвера
  • 15 – ограничитель перенапряжения
  • 16 – вход драйвера
  • К174УР2Б

    К174УР8

    КР1086СС1

  • 1, 16 – вход
  • 2, 15 – обратная связь
  • 3 – питание “ – ” (UCC)
  • 4 – регулировка АРУ
  • 5 – выход АРУ на селектор
  • 6 – нет
  • 7 – вход строчных импульсов
  • 8, 9 – опорный контур
  • 10 – регулировка усиления
  • 11, 12 – выход
  • 13 – питание “ + ” (UCC)
  • 14 – питание УПЧ
  • 1, 16 – вход
  • 2, 15 – обратная связь
  • 3 – фильтр АСУ
  • 4, 5, 6, 7, 10, 14 – регулировка АРУ
  • 8, 9 – опорный контур
  • 11 – питание “ + ” (UCC)
  • 12 — выход
  • 13 – питание “ — ” (UCC)
  • 1 – выход
  • 2 – вход
  • 3 – вход блока защиты
  • 4 – общий вывод
  • 5 – вход настройки защиты
  • 6, 7 – кварц генератора
  • 8 – вход принудительного включения выхода
  • 9, 11, 13 – входы кодирования частоты включения
  • 10, 12, 14 – входы кодирования частоты отключения
  • 15 – выход внутреннего стабилизатора напряжения
  • 16 – напряжение питания (UCC)
  • alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *