Когда приложенное обратное напряжение превышает определенное значение, обратный ток внезапно увеличивается. Это явление называется электрическим пробоем. Пороговое напряжение, которое вызывает это, называется напряжением обратного пробоя диода. Кроме того, диод теряет однонаправленную проводимость при электрическом пробое. Если диод не перегревается из-за электрического пробоя, однонаправленная проводимость не может быть навсегда нарушена. После нормального восстановления напряжения диод может нормально работать, иначе диод выйдет из строя.Поэтому обратное напряжение, подаваемое на диод, не должно превышать номинальное значение, указанное в таблице технических параметров.

1） Лавина

По мере увеличения обратного напряжения PN-перехода электрическое поле в области пространственного заряда усиливается. То есть через электроны и дырки в области пространственного заряда энергия, полученная электрическим полем, увеличивается, и электроны и дырки, движущиеся в кристалле, будут непрерывно сталкиваться с атомами кристалла.Когда энергия электронов и дырок достаточно велика, при таком столкновении электроны в ковалентной связи могут быть возбуждены с образованием свободной пары электрон-дырка. Это явление называется ударной ионизацией. Вновь сгенерированные электроны и дырки движутся в противоположном направлении под действием электрического поля, восстанавливают энергию и могут снова генерировать новые электронно-дырочные пары путем столкновения. Это эффект умножения текущей несущей. Когда обратное напряжение увеличивается до определенного значения, умножение носителей похоже на лавину на крутом снежном склоне.Носители увеличиваются намного быстрее и быстрее, в результате чего обратный ток резко увеличивается, поэтому в конце происходит лавинный пробой.

Лавинный пробой происходит в основном в диодах с низкой концентрацией примесей, и требуется относительно высокое напряжение, кроме того, напряжение пробоя обратно пропорционально концентрации.

2） Стабилитрон

Когда применяется обратное напряжение на выше , в области пространственного заряда PN-перехода возникает сильное электрическое поле, которое может разрушить ковалентную связь, чтобы отделить захваченные электроны, и заставит электронно-дырочные пары образовать большой обратный ток. .Напряженность электрического поля, необходимая для пробоя стабилитрона, составляет около 2 * 105 В / см, что может быть достигнуто только в PN-переходе с особенно большой концентрацией примесей. Из-за большой концентрации примесей плотность заряда (т.е. примесных ионов) в области объемного заряда также велика. Следовательно, область пространственного заряда становится узкой, а напряженность электрического поля может быть высокой. Так что пробой стабилитрона чаще всего происходит в диодах с более высокими концентрациями примесей. Если концентрация легирования мала, а область барьера широкая, пробой стабилитрона будет происходить редко.

Направленность тока большинства диодов часто называют «выпрямляющими». В диоде ток может проходить только в одном направлении (так называемое прямое смещение) и отключаться в обратном направлении (так называемое обратное смещение). Диод можно рассматривать как электронный обратный клапан. В действительности, однако, диоды демонстрируют не такую ​​идеальную направленность включения-выключения, а довольно сложные нелинейные электронные характеристики, которые определяются конкретным типом диодов.

Напряжение и ток диода нелинейны, поэтому резисторы следует подключать, когда разные диоды включены параллельно.

Из-за наличия емкости перехода, когда частота в некоторой степени высока, емкостное реактивное сопротивление настолько мало, что вызывает короткое замыкание PN перехода. В этом случае диод потеряет однонаправленную проводимость и не сможет работать. Кроме того, чем больше площадь PN перехода, тем больше емкость перехода и тем больше невозможно работать на высокой частоте.

1) Переднее рабочее пространство

Диод имеет прямую проводимость, и ток проводимости определяется внешним током, и максимальный ток не превышает максимального прямого рабочего тока диода, и прямое падение напряжения постепенно увеличивается с током, но изменение не большой.

2) Зона нечувствительности

Диод находится в состоянии положительного смещения, и его напряжение прямого смещения меньше, чем его напряжение включения, поэтому диод не может быть включен, и прямой ток равен нулю.

3) Обратное рабочее пространство

Когда диод находится в обратном рабочем состоянии, его обратный ток мал. Обычно силиконовая трубка имеет сопротивление от нескольких мкА до десятков мкА, а диод не проводящий. Вместе с передним рабочим пространством это рабочее пространство отражает однонаправленную проводимость диода, которая может использоваться для выпрямления и в других случаях.

4) Зона обратного пробоя

Диод тоже в обратном рабочем состоянии, но обратное напряжение большое. Хотя обратный рабочий ток диода быстро увеличивается, обратное рабочее напряжение остается практически неизменным. Эта характеристика может быть использована для стабилитрона.

Металлический проводник, когда температура существенно не изменяется, его сопротивление постоянно, поэтому его характеристика вольт-ампер представляет собой прямую линию, проходящую через начало координат.Электрический компонент, имеющий такие вольт-амперные характеристики, называется линейным элементом, потому что их температура может определять значения сопротивления.

Закон Ома — экспериментальный закон с металлическими проводниками. Применим ли этот вывод к другим проводникам, все еще требует экспериментальной проверки. Эксперименты показали, что, кроме металлов, закон Ома также применим к растворам электролитов, но не к газовым проводникам (таким как люминесцентные лампы, газы в неоновых трубках) и полупроводниковым компонентам.То есть в этих случаях ток не пропорционален напряжению, и такие электрические компоненты называются нелинейными компонентами.

Связь между напряжением, приложенным к PN-переходу, и током, протекающим через диод, называется вольт-амперной характеристической кривой, как показано на рисунке:

Примечание: Падение напряжения на лампе диода: кремниевый диод (без подсветки) имеет прямое падение напряжения 0.7 В, а неоновая трубка — 0,3 В. Падение напряжения на передней трубке светодиодов зависит от цвета свечения. Существуют три контрольных значения основных цветов: падение напряжения красного светодиода составляет 2,0-2,2 В, желтого светодиода 1,8-2,0 В и зеленого светодиода 3,0-3,2 В. Номинальный ток при излучении света составляет примерно 20 мА.

Когда обратное напряжение превышает определенное значение U (BR), обратный ток резко увеличивается, что называется обратным пробоем.

Конденсатор, эквивалентный изменению ширины обедненного слоя, называется барьерной емкостью Cb.

Когда на PN переход подается обратное напряжение, Cb значительно изменяется с изменением u. В соответствии с этим могут изготавливаться различные варакторные диоды.

Меньшая часть PN-перехода в стабильном состоянии называется неосновной несущей.

Когда PN-переход находится в прямом смещении, дырки, которые диффундируют из области P в область N, и свободные электроны, которые диффундируют из области N в область P, называются неравновесными неосновными носителями.

Процесс накопления и высвобождения заряда в диффузионной области такой же, как процесс зарядки и разрядки конденсатора.Этот эффект называется диффузионной емкостью.

Часто задаваемые вопросы о характеристиках диода и его кривой V-I

1. Какие характеристики диода?
Основными статическими характеристиками диодов являются прямое напряжение VF и прямой ток IF, а также обратное напряжение и ток VR и IR. Область, обведенная оранжевой пунктирной линией на диаграмме справа, указывает полезную площадь выпрямительных диодов.

2.Какие характеристики идеального диода? Характеристики идеального диода

Пороговое напряжение: Идеальные диоды не имеют порогового напряжения.
Прямой ток: Идеальные диоды включают неограниченный прямой ток, когда любое прямое напряжение приложено к их клеммам.
Напряжение пробоя: Идеальные диоды не имеют напряжения пробоя.
Обратный (утечка) Ток

3. Каковы характеристики диода с pn переходом?
Область PN-перехода переходного диода имеет следующие важные характеристики:
Полупроводники содержат два типа мобильных носителей заряда: «дырки» и «электроны».
Дырки заряжены положительно, а электроны — отрицательно.

4. Каковы параметры диода?
Пиковое обратное напряжение, PIV: Характеристики диода представляют собой максимальное напряжение, которое диод может выдерживать в обратном направлении. … Максимальный прямой ток: Для конструкции электронной схемы, которая пропускает любые уровни тока, необходимо обеспечить, чтобы максимальные уровни тока для диода не превышались.

5. Какова основная функция диода PN?
Диод с p-n переходом — это базовое полупроводниковое устройство, которое контролирует поток электрического тока в цепи.Он имеет положительную (p) сторону и отрицательную (n) сторону, создаваемую добавлением примесей с каждой стороны кремниевого полупроводника.

6. Является ли характеристика диода линейной?
Компонент схемы имеет нелинейную характеристику, если сопротивление не является постоянным на всем протяжении и является некоторой функцией напряжения или тока. Например, диод имеет разное сопротивление для разных значений напряжения. Однако он имеет линейную характеристику для узкой рабочей области.

7.Как температура влияет на кривую ВАХ диода?
Влияние повышенной температуры на характеристическую кривую диода с PN переходом показано на рисунке выше. Можно отметить, что прямая характеристика смещается вверх с повышением температуры. С другой стороны, обратная характеристика смещается вниз с повышением температуры.

8. Диоды переменного или постоянного тока?
Один или четыре диода преобразуют бытовую мощность 110 В в постоянный ток, образуя половинный (один диод) или двухполупериодный (четыре диода) выпрямитель.Диод пропускает через себя только половину сигнала переменного тока.

9. Каковы VI характеристики диода?
VI характеристики диода с PN переходом при прямом смещении нелинейны, то есть не являются прямой линией. Эта нелинейная характеристика показывает, что во время работы N-перехода сопротивление не является постоянным. Наклон диода с PN-переходом при прямом смещении показывает, что сопротивление очень низкое.

10. Увеличивают ли диоды напряжение?
Прямое напряжение
Чтобы «включиться» и проводить ток в прямом направлении, диод требует приложения к нему определенного количества положительного напряжения…. Однако, когда напряжение приближается к номинальному прямому напряжению, большое увеличение тока по-прежнему должно означать только очень небольшое увеличение напряжения.

Вам также может понравиться

Характеристики диода Шоттки и его применение

: каков принцип работы стабилитронов?

Учебное пособие по основам работы со светодиодами

ВАХ или вольт-амперные характеристики

ВАХ , сокращенно от ВАХ или просто ВАХ электрического устройства или компонента, представляют собой набор графических кривых, которые используются для определения его работы в электрической цепи.Как следует из названия, кривые ВАХ показывают взаимосвязь между током, протекающим через электронное устройство, и приложенным напряжением на его выводах.

Кривые ВАХ обычно используются в качестве инструмента для определения и понимания основных параметров компонента или устройства, а также могут использоваться для математического моделирования его поведения в электронной схеме. Но, как и в случае с большинством электронных устройств, существует бесконечное количество кривых ВАХ, представляющих различные входные данные или параметры, и поэтому мы можем отобразить семейство или группу кривых на одном графике для представления различных значений.

Например, «вольт-амперные характеристики» биполярного транзистора могут быть показаны с различной величиной возбуждения базы или кривыми ВАХ диода, работающего как в прямой, так и в обратной областях.

Но статические вольт-амперные характеристики компонента или устройства не обязательно должны быть прямой линией. Возьмем, например, характеристики резистора с фиксированным значением, мы ожидаем, что они будут достаточно прямыми и постоянными в определенных диапазонах тока, напряжения и мощности, поскольку это линейное или омическое устройство.

Однако существуют и другие резистивные элементы, такие как LDR, термисторы, варисторы и даже лампочки, кривые ВАХ которых не являются прямыми или линейными линиями, а вместо этого имеют изогнутую форму или форму и поэтому называются нелинейными устройствами, поскольку их сопротивление нелинейные сопротивления.

Если электрическое напряжение питания V, приложенное к клеммам резистивного элемента R выше, было изменено, и полученный ток, который я измерил, этот ток был бы охарактеризован как: I = V / R, что является одним из уравнений закона Ома.

Мы знаем из закона Ома, что по мере того, как напряжение на резисторе увеличивается, увеличивается и ток, протекающий через него, можно было бы построить график, показывающий взаимосвязь между напряжением и током, как показано на графике, представляющем напряжение амперные характеристики (его вольт-амперные характеристики) резистивного элемента. Рассмотрим схему ниже.

ВАХ идеального резистора

Приведенные выше кривые i-v характеристики определяют резистивный элемент в том смысле, что если мы приложим какое-либо значение напряжения к резистивному элементу, результирующий ток будет напрямую получен из ВАХ.В результате мощность, рассеиваемая (или генерируемая) резистивным элементом, также может быть определена по кривой ВАХ.

Если напряжение и ток по своей природе положительны, тогда кривые ВАХ будут положительными в квадранте Ι, если напряжение и, следовательно, ток имеют отрицательный характер, тогда кривая будет отображаться в квадранте, как показано.

В чистом сопротивлении соотношение между напряжением и током является линейным и постоянным при постоянной температуре, так что ток (i) пропорционален разности потенциалов V, умноженной на константу пропорциональности 1 / R, что дает i = (1 / R) х В.Тогда ток через резистор является функцией приложенного напряжения, и мы можем продемонстрировать это визуально, используя кривую ВАХ.

В этом простом примере ток i относительно разности потенциалов V представляет собой прямую линию с постоянным наклоном 1 / R, поскольку соотношение является линейным и омическим. Однако практические резисторы могут демонстрировать нелинейное поведение в определенных условиях, например, при воздействии высоких температур.

Есть много электронных компонентов и устройств с нелинейными характеристиками, то есть их отношение V / I непостоянно.Полупроводниковые диоды характеризуются нелинейными вольт-амперными характеристиками, поскольку ток, протекающий через общий кремниевый диод с прямым смещением, ограничен омическим сопротивлением PN-перехода.

ВАХ полупроводников

Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и тиристоры, все построены с использованием полупроводниковых PN-переходов, соединенных вместе, и поэтому их кривые ВАХ будут отражать работу этих PN-переходов.Тогда эти устройства будут иметь нелинейные ВАХ, в отличие от резисторов, которые имеют линейную зависимость между током и напряжением.

Так, например, основная функция полупроводникового диода — выпрямление переменного тока в постоянный. Когда диод смещен в прямом направлении (более высокий потенциал подключен к его аноду), он пропускает ток. Когда диод смещен в обратном направлении (более высокий потенциал подключен к его катоду), ток блокируется. Затем PN-переход требует напряжения смещения определенной полярности и амплитуды для протекания тока.Это напряжение смещения также управляет сопротивлением перехода и, следовательно, протеканием тока через него. Рассмотрим схему диода ниже.

ВАХ диода

Когда диод смещен в прямом направлении, анод положительный по отношению к катоду, прямой или положительный ток проходит через диод и действует в верхнем правом квадранте его кривых ВАХ, как показано. Начиная с нулевого пересечения, кривая постепенно увеличивается в прямом квадранте, но прямой ток и напряжение чрезвычайно малы.

Когда прямое напряжение превышает напряжение внутреннего барьера P-N переходов диодов, которое для кремния составляет около 0,7 вольт, происходит лавино, и прямой ток быстро увеличивается при очень небольшом увеличении напряжения, образуя нелинейную кривую. Точка «колена» на кривой вперед.

Аналогичным образом, когда диод смещен в обратном направлении, катод положительный по отношению к аноду, диод блокирует ток, за исключением чрезвычайно малого тока утечки, и работает в нижнем левом квадранте своих кривых ВАХ.Диод продолжает блокировать ток, протекающий через него, пока обратное напряжение на диоде не станет больше, чем его точка напряжения пробоя, что приведет к внезапному увеличению обратного тока, образуя довольно прямую нисходящую кривую при контроле потерь напряжения. Эта точка обратного напряжения пробоя хорошо работает с стабилитронами.

Затем мы можем видеть, что ВАХ для кремниевого диода нелинейны и сильно отличаются от линейных ВАХ предыдущих резисторов, поскольку их электрические характеристики отличаются.Кривые вольт-амперных характеристик можно использовать для построения графика работы любого электрического или электронного компонента, от резисторов до усилителей, полупроводников и солнечных элементов.

Вольт-амперные характеристики электронного компонента многое говорят нам о его работе и могут быть очень полезным инструментом при определении рабочих характеристик конкретного устройства или компонента, показывая его возможные комбинации тока и напряжения, а также в качестве графической помощи. помочь визуально лучше понять, что происходит в цепи.

Интерпретация вольт-амперных характеристик диода

Вольт-амперная характеристика — это соотношение между напряжением u, приложенным к обоим концам диода, и током, протекающим через диод =, т. Е. I = f (u). Вольт для 2CP12 (обычный кремний = диод) и 2AP9 (обычный германиевый диод).

(1) положительные характеристики

Первый квадрант кривой вольт-ложной характеристики диода называется прямой характеристикой.В начальной части прямой характеристики, поскольку прямое напряжение мало, внешнего электрического поля недостаточно для преодоления блокирующего эффекта внутреннего электрического поля на большинстве носителей, и прямой ток почти равен нулю. Эта область называется вольт-амперной характеристикой прямого диода

Мертвая зона, соответствующее напряжение называется напряжением мертвой зоны. Напряжение мертвой зоны кремниевой трубки составляет около 0,5 В, а германиевой трубки — около 0.2 В.

Когда прямое напряжение превышает определенное значение, внутреннее электрическое поле значительно ослабевает, прямой ток быстро увеличивается, диодная проводимость, эта область называется положительной направляющей зоной. Диод является положительной направляющей, пока есть небольшое изменение прямого напряжения, прямой ток сильно изменится, прямая характеристическая кривая диода очень крутая, поэтому, когда диод проходит через положительную направляющую, прямое падение давления на трубке не происходит. большой, а изменение прямого падения давления небольшое.Как правило, силиконовая трубка составляет около 0 °. 7 В, а германиевая трубка составляет около 0,3 В. Следовательно, при использовании диода, если приложенное напряжение велико, обычно в цепи подключается сопротивление, ограничивающее ток, чтобы не производить слишком большой ток, чтобы сжечь диод.

(2) обратные характеристики

Третий квадрант характеристической кривой напряжения диодов называется обратной характеристикой. В определенном диапазоне обратного напряжения обратный ток очень мал и не сильно изменяется, что называется обратным срезом. — вне региона.Это связано с тем, что обратный ток формируется дрейфовым движением нескольких носителей; при определенной температуре количество мелких частиц в основном не изменяется, поэтому обратный ток в основном постоянен, а величина обратного напряжения не имеет никакого отношения с ним, поэтому его обычно называют обратным током насыщения.

(3) Характеристики обратного пробоя

Когда обратное напряжение продолжает увеличиваться до определенного значения, обратный ток в диоде внезапно увеличивается, и мы говорим, что диод имеет обратный пробой.Характеристики этого раздела показаны в разделе D раздела 1.2.6. Возникает обратный пробой. P-n переход имеет большой обратный ток, серьезный, когда он приведет к повреждению p-n перехода, поэтому обычный диод должен избегать пробоя, но я должен сделать Трубка стабилитрона в состоянии пробоя, из-за более значительных изменений площади пробоя, в то время как ток и напряжение могут в основном оставаться неизменными, используйте эту функцию, трубка регулятора напряжения может иметь эффект регулирования напряжения.

V-I PN переходного диода

Характеристики V-I PN-переходного диода

Вольт-амперная характеристика pn-перехода или полупроводникового диода — это кривая между напряжением на переходе и током в цепи.

Обычно напряжение снимается по оси x, а ток — по оси y.

Схема подключения для определения ВАХ pn перехода показана на рисунке ниже.

Рис.1: Схема подключения для ВАХ pn перехода

Характеристики можно объяснить в трех случаях, например:

1. Нулевое смещение
2. Прямое смещение
3. Обратное смещение

Случай-1: нулевое смещение

В состоянии нулевого смещения на pn переход i не подается внешнее напряжение.e цепь разомкнута на K.

Следовательно, потенциальный барьер (см. Руководство по pn переходу для лучшего понимания) в переходе не пропускает ток.

Следовательно, ток цепи равен нулю при V = 0 В, как показано точкой O на рисунке ниже.

Рис.2: Характеристики V-I pn-перехода

Случай-2: прямое смещение

В состоянии прямого смещения p-тип pn перехода подключен к положительной клемме, а n-тип — к отрицательной клемме внешнего напряжения.

Это приводит к уменьшению потенциального барьера.

При некотором прямом напряжении, например 0,7 В для Si и 0,3 В для Ge, потенциальный барьер почти устраняется, и в цепи начинает течь ток.

С этого момента ток увеличивается с увеличением прямого напряжения. Следовательно. кривая OB получается с прямым смещением, как показано на рисунке выше.

Из прямых характеристик можно отметить, что сначала, то есть в области OA, ток увеличивается очень медленно и кривая является нелинейной.Это связано с тем, что в этой области внешнее напряжение, приложенное к pn переходу, используется для преодоления потенциального барьера.

Однако, как только внешнее напряжение превышает напряжение потенциального барьера, потенциальный барьер устраняется, и pn переход ведет себя как обычный проводник. Следовательно, кривая AB очень резко поднимается с увеличением внешнего напряжения, и кривая становится почти линейной.

Случай-3: обратное смещение

В состоянии обратного смещения p-тип pn перехода подключен к отрицательной клемме, а n-тип подключен к положительной клемме внешнего напряжения.

Это приводит к увеличению потенциального барьера на стыке.

Следовательно, сопротивление перехода становится очень большим, и в результате ток в цепи практически не протекает.

Однако на практике через цепь протекает очень небольшой ток порядка мкА. Это известно как обратный ток насыщения (I _S ), и это связано с неосновными носителями в переходе.

Как мы уже знаем, в материале p-типа мало свободных электронов, а в материале n-типа мало дырок.Эти свободные электроны p-типа и дырки n-типа называются неосновными носителями.

Обратное смещение, приложенное к pn переходу, действует как прямое смещение к неосновным носителям, и, следовательно, небольшой ток течет в обратном направлении.

Если приложенное обратное напряжение постоянно увеличивается, кинетическая энергия неосновных носителей может стать достаточно высокой, чтобы выбить электроны из атома полупроводника.

На этом этапе может произойти обрыв соединения.Это характеризуется резким увеличением обратного тока и резким падением сопротивления барьерной области. Это может навсегда разрушить соединение.

Сасмита

Привет! Я Сасмита. В ElectronicsPost.com я преследую свою любовь к преподаванию. Я магистр электроники и телекоммуникаций. И, если вы действительно хотите узнать обо мне больше, посетите мою страницу «О нас». Узнать больше

Характеристики тиристора вольт-ампер

при открытом затворе

Тиристор в этом состоянии можно рассматривать как три последовательно включенных диода с такими направлениями, которые предотвращают проводимость в любом направлении.

Вперед Характеристики

Когда устройство смещено в прямом направлении, т. Е. Положительный анод и отрицательный катод, тогда переходы J1 и J2 смещены вперед, а переход J2 смещен в обратном направлении. Никакой ток не течет, кроме тока утечки, пока не будет превышено напряжение отключения перехода J2. Следует отметить, что прямое и обратное напряжение переключения схожи по величине из-за того, что в состоянии обратной блокировки почти все напряжение появляется на анодном PN-переходе.

Как только происходит размыкание в прямом направлении, центральный P-слой нейтрализуется электронами с катода, и устройство действует как проводящий диод с двумя переходами, дающими прямое падение затвора примерно вдвое больше, чем у диода.

Чтобы тиристор перешел в состояние ВКЛ, анодный ток должен достичь уровня фиксации. Для сохранения включенного состояния анодный ток не должен опускаться ниже тока удержания. Ток фиксации обычно в два раза превышает ток удержания, но оба они низкие, намного меньше 1 процента от номинального значения полной нагрузки.

Обратные характеристики

Обратные характеристики, т.е. с отрицательным анодом и положительным катодом, такие же, как у обычного диода с PN переходом.

Ток удержания

Минимальное значение прямого анодного тока, которое будет удерживать тиристор во включенном состоянии, называется удерживающим током.

Ток фиксации

Для того, чтобы тиристор достиг и удерживал состояние ВКЛ, анодный ток должен достигнуть уровня фиксации.Этот уровень тока называется током фиксации.

или

Это минимальный анодный ток, необходимый для поддержания тиристора во включенном состоянии сразу после включения тиристора.

Примечание: — Между I _H и I _L есть переход из ВКЛ в ВЫКЛ и ВЫКЛ в ВКЛ.

Приложение напряжения затвора

Тиристор, при прямом смещении, может быть включен путем подачи тока на вывод затвора относительно отрицательного катода, как показано ниже.

Действие тока затвора заключается во введении дырок во внутренний P-срез, которые вместе с электронами из катодного слоя N пробиваются через центральный управляющий переход, переводя тиристор во включенное состояние.

Если I _G увеличить от нуля, точка перехода будет достигнута раньше, но характеристическая кривая будет иметь ту же форму. При дальнейшем увеличении I _G напряжение отключения будет достигнуто раньше.как только анодный ток превысит уровень фиксации, ток затвора может прекратиться, тиристор останется во включенном состоянии, независимо от условий в цепи затвора.

Влияние I

Из кривой ВАХ видно, что прямое напряжение переключения уменьшается с увеличением тока затвора.