Цветовая мнемоническая маркировка варикапов

Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.

Как добавить наш сайт в исключения AdBlock

QRZ.RU > Каталог схем и документации > Схемы наших читателей > Дайджест радиосхем > Цветовая мнемоническая маркировка варикапов

class=»small»>

Цветовая мнемоническая маркировка варикапов Тип Маркировка Рисунок Примечание КВ102 Белая точка 1   КВ104 Орананжевая точка 2   КВ109А Белая точка 3 1 КВ109Б Красная точка 3   КВ109В Зеленая точка 3   КВ109Г Без окраски 3 2 КВС111А Белая точка 4 3 КВС111Б Орананжевая точка 4   КВ113А Желтая точка 5   КВ113Б Зеленая точка 5   КВС120А1 Цветная точка 6   КВ121А Синяя точка 3 1 КВ121Б Желтая точка 3   КВ121В Желтая полоса 3   КВ122А Орананжевая точка 3   КВ122Б Фиолетовая точка 3   КВ122В Коричневая точка 3   КВ123 Белая полоса 3   КВ124А Зеленая точка — анод   5 КВ124Б Зеленая точка — катод   5 КВ124В Белая точка   5 КВ127А Белая поверхность со стороны выпуклости 3   КВ127Б Красная поверхность со стороны выпуклости 3   КВ127В Желтая поверхность со стороны выпуклости 3   КВ127Г Зеленая поверхность со стороны выпуклости 3   КВ128 Красная точка 7   КВ129 Черная точка 7   КВ130 Красная точка 3   КВ131 Красная точка 8   КВ132 Белая точка 3   КВ134 Желтая точка 3   КВ135 Белая точка 8   КВ138А Две белые точки 3   КВ138Б Две красные точки 3   Примечания: 1. У приборов этой серии старого выпуска допускалась маркировка полосой соответствующего цвета на корпусе. 2. Ранее выпускали варикапы КВ109Е, маркированные белой полосой через выпуклость, а КВ109Ж — белой полосой через выпуклость и зеленой на корпусе. 3. Приборы КВС111В раннего выпуска маркировали белой точкой , а КВС111Г — зеленой. 4. Корпусы КВ128 и КВ129 — стеклянные, у остальных — пластмассовые. Маркировку КВ102А — КВ102Д и КВ104А — КВ104Е наносят на индивидуальную и (или) групповую тару. Маркировку КВ109А, КВ109Б, КВ121Б допускается наносить на боковую поверхность корпуса. 5. Информация взята из “Цветовые и кодовые обозначения радиоэлементов”, остальное из Радио N8,1988г, стр60. Украина, Киев Источник: shems.h2.ru

что это какое, применение, маркировка (обозначение )и способы проверки

Содержание:

Варикап – это одна из разновидностей полупроводниковых диодов. Главным его свойством является барьерная емкость при приложении к ней так называемой обратного напряжения. Минусовой полюс подключается в этом случае к плюсовому выходу самого варикапа. Когда подается управляющее напряжение, допусти низкочастотный сигнал, он приводит изменение в величине того самого обратного тока на обоих электродах варикапа.

Используются эти радиодетали при построении схем модуляторов в роли переменной емкости, которая управляется электрическим путем, а не механическим. В статье будут описаны все тонкости устройства варикапов, где они используются и для чего. Также по данной теме содержится видеоролик и подробная статья.

Варикап: вид сверху и снизу.

Что представляет собой варикап

Представленный компонент является полупроводниковым диодом. Его работа основана на применении зависимости между емкостью и обратным напряжением. Важными показателями варикапа считаются добротность, рассеиваемая мощность, общая емкость и коэффициент перекрытия по ней, постоянный обратный ток и напряжение.

При помощи таких элементов производится электронная настройка контуров колебательного типа в радиоприемных устройствах и средствах связи. Для использования их опций в схему обязательно включается обратное напряжение. При его подаче на диод происходит изменение величины емкости барьера. Она может варьироваться в широких пределах, что отличает варикап от компонентов со схожими функциями.

Обозначение варикапа на схеме

Преимущества применения варикапов

Эти элементы используются там, где нужно изменять емкость. Чаще всего они встречаются в схемах приборов, принимающих радиосигналы. Сюда относятся телевизионные тюнеры и традиционные радиоприемники. Наиболее ярким примером действия варикапа является опция «автопоиск каналов», давно ставшая обязательной в современных телевизорах. Разрабатываются варикапы на основании диодов, но по сути они являются конденсаторами. Их основными положительными качествами выступают:

• низкий уровень потерь электроэнергии;
• незначительный коэффициент температурной емкости;
• небольшая стоимость;
• надежность и продолжительный срок службы.

На практике весьма успешно диоды КВ используются на предельно высоких частотах, в условиях, где емкость конденсатора достигает долей пикофарад. Благодаря им удается избежать изменений частоты колебательного контура, что недопустимо для оборудования. Существует несколько видов варикапов. Таблица с полной справочной информацией по ним представлена ниже:

Таблица основных параметров варикапов.

Помимо обычных компонентов, выпускаются сдвоенные, а также строенные аналоги, которые соединены одним катодом. Найти можно и классические сборки. Это корпуса с несколькими варикапами, отличающиеся отсутствием электрической связи.

Варикап.

Номинальная емкость

Номинальная емкость варикапа представляет его барьерную емкость при заданном напряжении смещения. На основании зависимости барьерной емкости от приложенного к выводам варикапа обратного напряжения строится так называемая вольт-фарадная характеристика варикапа, имеющая участок, форма которого близка к линейной. Для того чтобы варикап работал именно на этом участке характеристики, на его электроды следует подать исходное напряжение смещения, величина которого определяет положение рабочей точки варикапа, то есть его номинальную барьерную емкость.

[stextbox id=’info’]Под коэффициентом перекрытия по емкости в рабочем интервале напряжений понимается отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения. Обычно определение данного коэффициента производится для емкостей в рабочем интервале напряжений, то есть коэффициент перекрытия по емкости представляет собой отношение максимальной и минимальной емкостей варикапа.[/stextbox]

Значение максимальной рабочей частоты определяет граничную частоту, при превышении которой основные параметры варикапа перестают соответствовать паспортным данным. Добротность конденсатора, роль которого выполняет варикап, рассчитывается как отношение реактивного сопротивления на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости варикапа или обратном напряжении.

Особого внимания заслуживает температурный коэффициент варикапа, который характеризует зависимость величины его емкости от температуры окружающей среды. Помимо указанных параметров при выборе варикапа для каскада модуляции миниатюрного радиопередатчика следует обратить внимание на такие параметры, как максимальная рассеиваемая мощность, максимально допустимое обратное постоянное напряжение, а также постоянный обратный ток при этом напряжении.

Материал по теме: Что такое реле контроля.

Основные схемы включения варикапа

Одним из основных способов осуществления модуляции в транзисторных микропередатчиках является воздействие модулирующего НЧ-сигнала на параметры селективного элемента ВЧ-генератора. Селективный элемент обычно представляет собой резонансный контур, образованный параллельно включенными катушкой индуктивности и конденсатором.

Изменение параметров входящей в состав контура катушки индуктивности в миниатюрных радиопередатчиках довольно затруднительно, поскольку соответствующие схемотехнические решения весьма сложны, а их реализация трудоемка. В то же время применение варикапа, доступного и дешевого полупроводникового элемента, емкость которого можно изменять, непосредственно подавая на его выводы модулирующее напряжение, значительно упрощает решение задачи. Поэтому схемотехнические решения модуляторов на варикапах, обеспечивающие частотную модуляцию ЧМ-сигнала с весьма приемлемыми параметрами, пользуются особой популярностью.

В транзисторных LC-генераторах варикап в качестве элемента с емкостным характером комплексного сопротивления может быть подключен к резонансному контуру как параллельно, так и последовательно. Упрощенные принципиальные схемы включения варикапа параллельно резонансному контуру (без цепей формирования напряжения смещения варикапа) приведены на рис. 4.1. Отличительной особенностью схемотехнического решения, изображенного на рис. 4.1б, является включение варикапа вместо конденсатора параллельного резонансного контура.

При разработке модулятора на варикапе не следует забывать о том, что для функционирования этого полупроводникового прибора в штатном режиме на его выводы следует подавать напряжение смещения определенной величины. Поэтому в состав модулирующего каскада необходимо включить соответствующую цепь формирования напряжения смещения варикапа. Такая цепь в миниатюрных транзисторных передатчиках обычно выполняется на резисторах.

Параллельный колебательный контур образован катушкой индуктивности L1 и емкостью варикапа VD1. Резонансная частота контура может изменяться при изменении величины обратного напряжения на варикапе, которое зависит от положения движка потенциометра R2. Для того чтобы уменьшить шунтирующее влияние потенциометра R2 на добротность контура, в цепь включен резистор R1, имеющий сравнительно большое сопротивление. Также в состав цепи включен разделительный конденсатор С1, без которого варикап VD1 оказался бы замкнут накоротко через катушку L1.

Схема строения варикапа.

Аналогичные схемы включения варикапа используются и в транзисторных трехточечных LC-генераторах. Широкое распространение получили схемотехнические решения, в которых варикап подключается параллельно катушке индуктивности (в индуктивных трехточках), а также параллельно одному из конденсаторов емкостного делителя ВЧ-генератора (в емкостных трехточках). Весьма разнообразны схемотехнические решения модуляторов с применением варикапа, предназначенные для модуляции сигнала генераторов с кварцевой стабилизацией частоты.

При создании таких конструкций приходится, с одной стороны, добиваться высокой стабильности частоты генератора с помощью кварцевого резонатора, а с другой – обеспечивать возможность изменения этой частоты по закону модулирующего сигнала. Обычно при разработке транзисторных микропередатчиков для ВЧ-генератора с кварцевой стабилизацией частоты выбираются осцилляторные схемы, в которых кварцевый резонатор используется в качестве элемента с индуктивным характером комплексного сопротивления в резонансном контуре. В этом случае варикап, как элемент с изменяемой по закону модуляции емкостью, может быть подключен как последовательно, так и параллельно кварцевому резонатору.

Варикап на схеме.

Расчет характеристик

Управляемые напряжением полупроводниковые конденсаторы переменной емкости – варикапы – приборы с сильно выраженной нелинейностью. По этой причине в цепях, где к варикапу приложено переменное напряжение относительно большой амплитуды, он способен преподнести сюрприз. По сути, варикап – это обратносмещенный полупроводниковый диод. Прямая ветвь его вольт-амперной характеристики, принципиальная для основного назначения диода (выпрямление, детектирование), для варикапа несущественна. В общем случае в качестве варикапа можно использовать (и на практике это нередко реализуют) диод и даже коллекторный или змиттерный переход биполярного транзистора.

В отличие от полупроводниковых диодов, у варикапов нормируют (и, разумеется, обеспечивают при производстве) емкость р-n перехода при определенном напряжении смещения на нем и добротность. Заметим, что добиться добротности варикапа, заметно превышающей добротность контурной катушки, непросто. Это объясняется тем, что в варикапе, как и в любом диоде, последовательно с р-n переходом всегда включено сопротивление базовой области полупроводника, а параллельно – эквивалентное сопротивление, обусловленное обратным током через переход. Относительно низкая добротность варикапа подразумевает, в частности, необходимость учитывать ее при расчете добротности колебательного контура

Варикап.

Зависимость емкости р-n перехода от приложенного к нему обратного напряжения имеет степенной характер вида С-U-n, где значение параметра n может находиться в пределах от 0,33 до 0,5 (определяется технологией изготовления перехода). На рис. 1 показана типовая вольт-фарадная характеристика варикапа Д902, построенная в линейных координатах. Подобные характеристики можно найти в справочной литературе. Они позволяют определить емкость варикапа при различных значениях напряжения смещения.

Материал в тему: Что такое кондесатор

Однако предпочтительнее иметь дело с вольт-фарадной характеристикой варикапа, построенной в “двойном” (т. е. по обеим осям) логарифмическом масштабе. Известно, что степенная функция выглядит в таком масштабе как прямая линия, причем тангенс угла ее наклона к оси ординат численно равен показателю степени функции. На рис. 2 показан этот график для варикапа Д902. Измерив обычной линейкой стороны прямоугольного треугольника ABC, получаем для модуля показателя степени значение 0,5 (АВ/ВС). Падающий характер характеристики говорит о том, что этот показатель имеет минусовой знак. Таким образом, зависимость емкости варикапа Д902 от приложенного напряжения имеет вид С = U-0.5.

Сказанное выше относится к “классическим” варикапам. Для увеличения эффективности управления современными варикапами при их изготовлении принимают специальные технологические меры, поэтому и вольт-фарадные характеристики могут иметь уже не столь простой вид. Поскольку вольт-фарадная характеристика варикапа нелинейна, его использование в аппаратуре неизбежно приводит к появлению искажений. Немецкий радиолюбитель Ульрих Граф (DK4SX) провел измерения интермодуляционных искажений второго и третьего порядков в различных полосовых фильтрах, содержащих полупроводниковые диоды (Ulrich Graf. Intermodulation an passiven Schaltungsteilen. – CQ DL, 1996, № 3, s. 200-205). Он подавал на вход фильтра (входное сопротивление 50 Ом) два сигнала с уровнем +3 дБ (10 мВ на сопротивлении 50 Ом) и анализировал спектр выходного сигнала. Значения частоты входных сигналов Граф выбирал так, чтобы продукты интермодуляции попадали в полосу пропускания фильтра.

В одном из экспериментов в двуконтурном входном полосовом фильтре постоянные конденсаторы, входящие в колебательные контуры, были заменены варикапами. Интермодуляционные составляющие второго порядка на выходе фильтра при этом возросли по уровню на 10 дБ, а третьего – почти на 50 дБ! Иными словами, варикапы во входных цепях приемников способны ухудшить их реальную избирательность, хотя, скорее всего, они так “сработают” лишь в аппаратуре относительно высокого класса (связная техника). Впрочем, и в приемнике среднего класса интермодуляция на входном варикапе может стать существенной, если приемник эксплуатируют вблизи передающих устройств.

Есть, однако, узлы, в которых к варикапу принципиально должно быть подведено относительно большое переменное напряжение – речь идет о генераторах. Как же определить границу зоны нормальной работы варикапа в генераторе? Можно, например, измерять переменное напряжение на варикапе и сравнивать его с управляющим.

Интересно почитать: маркировка различных диодов.

Для этого необходим ВЧ вольтметр с высоким входным сопротивлением и малой входной емкостью (чтобы его подключение не изменяло режима работы генератора). Минимально допустимое управляющее напряжение на варикапе можно определить, не нарушая режима работы генератора, и с помощью частотомера. Его подключают к выходу генератора и снимают зависимость крутизны управления генератором от управляющего напряжения.

График напряжения варикапа.

Крутизна управления – зто отношение изменения частоты генератора к вызвавшему его заданному изменению управляющего напряжения – ΔF/ΔU. При полном включении варикапа в контур крутизна может, например, быть описана степенной функцией (по крайней мере, для Д902), показатель которой зависит от вида вольт-фарадной характеристики варикапа. Вспомним (см. выше), что такая функция, если ее построить в “двойном” логарифмическом масштабе, представляет собой прямую линию.

[stextbox id=’info’]Если варикап начнет выходить из нормального режима работы, характер зависимости крутизны от управляющего напряжения изменится. Это справедливо и в более общем случае, когда варикап включен в контур не полностью или его вольт-фарадная характеристика – не степенная функция.[/stextbox]

Поскольку вольт-фарадная характеристика нелинейна, измерения следует вести в определенной последовательности. Установив некоторое управляющее напряжение Uynp, определяют частоту генератора Fr. Затем сначала уменьшают зто напряжение до Uyпр – ΔUynp, а потом увеличивают до Uynp + ΔUynp и считывают по табло частотомера соответствующие значения частоты Fr1 и Fr2.

График напряжения варикапа.

Крутизну управления при управляющем напряжении Uyпр рассчитывают по формуле ΔF/ΔU = (Fr2-Fr1)/2ΔUynp. Абсолютное значение изменения напряжения ΔUyпp должно быть минимальным, но таким, при котором можно надежно фиксировать изменение частоты генератора. Затем устанавливают другое значение управляющего напряжения Uупр и повторяют измерения. Такая методика уменьшает влияние нелинейности вольт-фарадной характеристики варикапа на точность измерения крутизны управления. Результаты измерений крутизны управления частотой генератора с полным включением варикапа в контур (см. рис. 3) представлены на рис. 5. Видно, что при управляющем напряжении на варикапе ниже 3,5 В он выходит из нормального режима. Иначе говоря, для указанного генератора это напряжение и будет критическим.

При дальнейшем уменьшении управляющего напряжения наклон кривой может вообще изменить свой знак! Происходит это из-за уже упоминавшегося выпрямления высокочастотного напряжения, приложенного к варикапу. Выпрямленное напряжение вычитается из управляющего и начинает преобладать над ним. Если описанная ситуация произойдет, например, с гетеродином вашего приемника, будет чему удивляться. Представьте себе – при вращении в одну и ту же сторону ручки переменного резистора “Настройка” частота приема сначала изменяется в одном направлении, затем практически перестает изменяться, а потом может пойти обратно.

Различные варикапы.

Сфера использования

В настоящее время в транзисторных микропередатчиках и радиомикрофонах широкое распространение получили схемотехнические решения модуляторов, в которых в процессе модуляции в соответствии с мгновенным значением уровня модулирующего сигнала изменяются параметры и режимы работы активного элемента ВЧ-генератора, то есть биполярного или полевого транзистора.

Отдельную группу составляют схемы модуляторов с использованием варикапов, изменение емкости которых по закону модулирующего сигнала приводит к соответствующему изменению параметров селективного элемента, то есть резонансного контура. В связи с ограниченным объемом данной книги в следующих разделах будут рассмотрены лишь некоторые из наиболее популярных схемотехнических решений модуляторов ВЧ-сигнала LC-генераторов, применяемые при разработке миниатюрных транзисторных радиопередающих устройств.

Заключение

В данной статье описаны все особенности строения и использования варикапа. Более подробно об этом можно узнать в статье Что такое варикап. В нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессиональных электронщиков. Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vk.com/electroinfonet. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.diagram.com.ua

www.arsenal-info.ru

www.nvkurs.ru

www.know-house.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое эффект Ганна и при чем здесь диоды

Следующая

ПолупроводникиЧто такое Диод Зенера

varicap%20bb112 техническое описание и примечания по применению

org/Product»>

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог техническое описание	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
2005 — 2SK163-L Реферат: BFG480W BFG135 усилитель BB143 Varicap BB141 BB145 2SK163 3SK290 BFP180 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2005 — 2SK163 специи модель Реферат: Модель специй BF256B Модель специй BF245B ТРАНЗИСТОР SMD wb BGY88 Модель специй bf1202 Микроволновый каталог GaAs FET 2sk163 Модель специй BSS83 BAW 62 SOT23 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2005 — BFQ93A Реферат: Philips Varicap BFG18 MPF102 модели Philips CatV 860 усилитель ic BFG480W j175 fet 2SK163 2SK43 транзистор baw 92 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
1996 — CGD923 Реферат: 2SK163 BFG480W 3SK290 BF1009SW bf998 BFG591 усилитель 1T404A 2N5116 2N5653 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	решения/мультимаркет/транзисторы/25 CGD923 2СК163 БФГ480В 3SK290 BF1009SW бф998 усилитель BFG591 1Т404А 2Н5116 2N5653
2006 — RF8109 Аннотация: 2SK43 модуль усилителя УКВ 2450 МГц BFG480W BB200 варикап диод PMBFJ174 2SK163 3SK290 BB145 bga2714 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2006 — уаф4000 Реферат: toshiba smd маркировка код транзистор smd код маркировка wl sot23 RF LNB C диапазон чипсет M74 маркировка BFG480W SMD транзистор n36 модуль усилителя УКВ 2450Mhz TOSHIBA DIODE CATALOG DIODE RF DETECTOR Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	20 ГГц уаф4000 toshiba smd маркировка код транзистора smd кодовая маркировка wl sot23 Чипсет RF LNB C-диапазона Маркировка М74 БФГ480В SMD-транзистор n36 Модуль усилителя УКВ 2450 МГц КАТАЛОГ ДИОДОВ TOSHIBA ДИОД РЧ ДЕТЕКТОР
Philips RF руководство Резюме: jedec JESD625-a Philips varicap tef6860 TEF6860HL philips catv 860 усилитель IC малосигнальный транзистор philips manual rf push pull mosfet усилитель мощности TEA5767 TEF6901ч Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
Аудиоусилитель мощности MOSFET TOSHIBA Реферат: МОП-транзисторы с истощением канала РЧ СХЕМА СХЕМЫ dect gaas fet vhf uhf varicap диод Лазерный диод для DVD 500 мВт 2SK508 J113 эквивалент BGY88/04 MOTOROLA N CHANNEL POWER MOS FET ТРАНЗИСТОРЫ Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2007 — Моторола транзистор smd маркировка коды Реферат: транзистор smd маркировка CODE Wb BFG591 Замечания по применению toshiba smd маркировка код транзистор диод варикап BB 112 sot323 маркировка транзистора MOTOROLA рация схема 113 маркировка код транзистора ROHM smd маркировка транзистора A3 sot23 3pin BFG135 усилитель Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2007 — варикап диодный BB 112 Реферат: МАРКИРОВКА SMD ТРАНЗИСТОРА 02N toshiba маркировка smd код транзистор SOT23-6 МАРКИРОВКА 02n smd код маркировка NEC rf транзистор транзистор smd маркировка CODE Wb smd транзистор m29 sot343 UXA23465 RF LNB диапазон C чипсет smd транзистор M26 sot23 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	BFU725F диодный варикап BB 112 МАРКИРОВКА SMD ТРАНЗИСТОРА 02N toshiba smd маркировка код транзистора СОТ23-6 МАРКИРОВКА 02н smd кодовая маркировка NEC rf транзистор транзистор smd маркировка КОД Wb смд транзистор м29сот343 UXA23465 Чипсет RF LNB C-диапазона смд транзистор м26 сот23
2006 — Моторола транзистор smd маркировка коды Реферат: МАРКИРОВКА V14 SOT23-5 Motorola 622 J112 smd код маркировка wl sot23 smd код маркировка rf ft sot23 диод SMD WL sot23 СВЧ GaAs FET каталог BFG135 усилитель catv схема РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОЙ СЕТИ BF256B модель spice Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ноябрь 2006 г. 2006NXPB Коды маркировки smd транзисторов Motorola МАРКИРОВКА В14 СОТ23-5 Моторола 622 J112 smd кодовая маркировка wl sot23 смд кодовая маркировка рф фт сот23 диод SMD WL sot23 Каталог СВЧ GaAs FET усилитель BFG135 схема РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОЙ СЕТИ catv Модель специй BF256B
2006 — Моторола транзистор smd маркировка коды Реферат: схема трансивера рации BFM505 BF256B spice model 2SK163 UAF3000 BGO807C FET код маркировки 365 код маркировки M2 SOT23 SOT56 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
варикап диод Реферат: варикап диод ТВ тюнер варикап диоды диод варикап блок ТВ тюнера варикап ТВ варикап варикап диоды техпаспорт ТВ тюнер RKV650KL Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РКВ650КП РКВ650КН РКВ650КЛ. РКВ650КП) РКВ650КП РКВ650КН РКВ650КЛ варикап диод ТВ-тюнер с варикапом варикапные диоды диодный варикап ТВ-тюнер варикап тв Варикап технические характеристики варикапных диодов ТВ-тюнер РКВ650КЛ
БЛОК-СХЕМА СЕНСОРНОЙ ПЛАСТИНЫ Реферат: Конденсатор варикап плесси ML237b плесси Neon ML237B ML237 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	7220S13 МЛ237Б БЛОК-СХЕМА СЕНСОРНОЙ ПЛАСТИНЫ Варикап плесси ML237b конденсатор плесси Неон МЛ237
2008 — Моторола транзистор smd маркировка коды Аннотация: параметр модели специй UAF3000 BAR64 Модель специй PMBFJ620 Модель специй bf1107 RF LNB Чипсет диапазона C PIN-диод Модель SPICE BAP50 Модель специй BSS83 Модель специй MPF102 Модель специй 2SK163 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МЛ236Б L236B
варикап Реферат: Неон ML239B 322j Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МЛ239Б МЛ239Б варикап Неон 322j
2009 — усилитель BFG591 Резюме: 5,8 ГГц Аналоговый радиочастотный микрофон MRF6Vp3450 Стандартная маркировка nxp BLF6G21-10G FET 2N5459 RF LNB Чипсет диапазона C Радар 77 ГГц sige 82 sot363-6 Dect антенна smd кодовая маркировка ft sot23 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТФФ1007ХН ТФФ11070ХН ТФФ11073ХН ТФФ11077ХН ТФФ11080ХН ТФФ11084ХН ТФФ11088ХН ТФФ11092ХН ТФФ11096HN ТФФ11101ХН усилитель BFG591 Аналоговый радиочастотный микрофон 5,8 ГГц МРФ6Вп3450 Стандартная маркировка nxp BLF6G21-10G полевой транзистор 2N5459 Чипсет RF LNB C-диапазона радар 77 ghz sige 82 сот363-6 антенна Dect smd кодовая маркировка ft sot23
2009 — blf578 Реферат: MRF6V2300N ic tea 2025 NXP SMD ТРАНЗИСТОР МАРКИРОВКА КОД s1 TEA 2025 эквивалент blf278 ВЧ усилитель радарный усилитель s-диапазона 2SK163 GaN ADS HSMP3814 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТФФ1007ХН ТФФ11070ХН ТФФ11073ХН ТФФ11077ХН ТФФ11080ХН ТФФ11084ХН ТФФ11088ХН ТФФ11092ХН ТФФ11096ХН ТФФ11101ХН blf578 МРФ6В2300Н ледяной чай 2025 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА NXP s1 Эквивалент TEA 2025 blf278 ВЧ усилитель радиолокационный усилитель s-диапазона 2СК163 GaN ADS HSMP3814
очень простая электрическая схема рации Аннотация: blf278 модели рации принципиальная схема простая принципиальная схема рации SiGe HBT БЛОК УСИЛЕНИЯ MMIC УСИЛИТЕЛЬ N6 BF245c spice модель smd ТРАНЗИСТОР кодовая маркировка 8K MOBILE jammer GSM 1800 MHZ BSS83 spice модель smd ТРАНЗИСТОР кодовая маркировка 7k sot23 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	ТФФ1007ХН ТФФ11070ХН ТФФ11073ХН ТФФ11077ХН ТФФ11080ХН ТФФ11084ХН ТФФ11088ХН ТФФ11092ХН ТФФ11096ХН ТФФ11101ХН очень простая схема рации модели blf278 принципиальная схема рации схема простой рации SiGe HBT БЛОК УСИЛЕНИЯ MMIC УСИЛИТЕЛЬ N6 Модель специй BF245c smd код ТРАНЗИСТОРА маркировка 8K МОБИЛЬНЫЙ глушитель GSM 1800 MHZ Модель специй BSS83 смд ТРАНЗИСТОР код маркировка 7к сот23
МЛ231 Реферат: варикап ML231B 0v Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МЛ231Б МЛ231Б ВСС-10 МЛ231 варикап 0v
Варикап Реферат: Неон ML237B ML237 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МЛ237Б МЛ237Б ВСС-29 Варикап Неон МЛ237
Варикап Аннотация: ML239B Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	МЛ239Б МЛ239Б Варикап
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	L237B МЛ237Б
Л239Б Резюме: L239 ML239B Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	L239B МЛ239Б МЛ239Б L239B L239

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Варакторный диод | Конструкция, работа, характеристики, применение

Краткое описание

Введение

Диод представляет собой электронный компонент с двумя выводами, пропускающий ток только в одном направлении. Из двух выводов один вывод подключен к полупроводниковому материалу p-типа, а другой вывод — к полупроводнику n-типа.

[адсенс1]

В зависимости от физической структуры и типа полупроводниковых материалов, используемых в конструкции диода, возможно множество различных вариантов диода. Они варьируются от диодов с оптическими свойствами, таких как фотодиоды, светодиоды, лазерные диоды и т. д., до таких, как выпрямительные, стабилитроны и туннельные диоды.

В этой статье мы рассмотрим один из таких вариантов диода — варакторный диод.

Подробную информацию о различных типах диодов см. на этой странице: Различные типы диодов

Что такое варакторный диод?

Варакторный диод (также известный под названиями варикап-диод, варакторный диод, подстроечный диод) представляет собой диод с p-n переходом, который действует как переменный конденсатор при изменении напряжения обратного смещения на его клеммах.

Другими словами, это специально разработанный полупроводниковый диод, емкость которого на полупроводниковом переходе p-n изменяется при изменении напряжения, приложенного к его выводам. И поскольку это диод, который может вести себя как переменный конденсатор, его коротко называют варакторным диодом.

 

В основном используется для замены переменных конденсаторов, которые необходимо механически использовать для изменения значения емкости. Одним из преимуществ является то, что емкость варакторного диода можно изменить, просто изменив напряжение на его выводах. Мы узнаем больше о его работе в следующих разделах.

Символическое представление

Ряд схематических символов используется для представления варакторного диода на принципиальных схемах. Из них три самых популярных представления показаны ниже:

Среди этих трех символов варакторного диода чаще используется второй символ. Это комбинация символов диода с p-n переходом и конденсатора. В символе треугольник указывает на наличие диодного компонента, а две линии на вершине треугольника указывают на параллельные пластины конденсатора.

Конструкция

Варакторный диод состоит из полупроводниковых слоев p-типа и n-типа, соединенных вместе, причем слой n-типа прикреплен к меза-структуре (столообразной). Позолоченный молибденовый стержень соединен со слоем n-типа через меза-структуру и действует как вывод катода.

Слой p-типа соединен с другим позолоченным молибденовым стержнем (который действует как анод) с помощью золотой проволоки. За исключением части молибденовых шпилек, вся конструкция заключена в керамический слой.

 

Слои p-типа и n-типа варакторного диода состоят из кремния или арсенида галлия в зависимости от типа применения, для которого он используется. Для низкочастотных применений используется кремний, а для высокочастотных — арсенид галлия.

Для обычных диодов полупроводниковые слои p-типа и n-типа равномерно легированы примесями для улучшения проводимости. Но в случае варакторных диодов концентрация примесей вблизи pn-перехода очень мала и постепенно увеличивается по мере продвижения к другой поверхности слоя.

[адсенс2]

Работа

Чтобы узнать, как работает варакторный диод, необходимо сначала понять принцип работы переменного конденсатора:

Конденсатор состоит из двух проводящих поверхностей, разделенных непроводящей диэлектрической средой (см. рисунок ниже). Когда одна из поверхностей подключена к положительному напряжению, а другая к отрицательному напряжению, из-за притяжения между положительными и отрицательными носителями на одной поверхности накапливается положительный заряд, а на другой отрицательный.

Количество накопленного заряда называется емкостью. Если мы уменьшим зазор между двумя поверхностями, сила притяжения между положительными и отрицательными носителями заряда увеличится, и поэтому на поверхности будет накапливаться больше заряда, т. е. увеличится емкость.

При удалении поверхностей друг от друга происходит обратное, т.е. емкость уменьшается. Переменный конденсатор имеет механическое устройство, позволяющее изменять зазор между поверхностями, что эффективно изменяет емкость.

Теперь вернемся к работе диода с p-n переходом. Слой p-типа диода заполнен положительными носителями заряда, а слой n-типа — отрицательными. Вблизи поверхности контакта между двумя слоями положительные и отрицательные заряды диффундируют и нейтрализуют друг друга. Эта область известна как область истощения.

Дальнейшая диффузия носителей заряда через обедненный слой невозможна, если не приложено внешнее напряжение. Таким образом, обедненный слой действует как изолятор.

 

Ширина обедненного слоя зависит от напряжения, приложенного к слоям p- и n-типа. Если приложено прямое напряжение смещения, т.е. к слою p-типа приложено положительное напряжение, а к слою n-типа отрицательное напряжение, то ширина обеднения уменьшается, а выше определенного напряжения оно полностью исчезает.

Если приложено обратное смещение, то есть положительное напряжение к слою n-типа и отрицательное напряжение к слою p-типа, ширина обедненного слоя увеличивается. На приведенной ниже диаграмме показаны два сценария:

 

Проще говоря, ширину области обеднения можно изменить до нужного значения, просто регулируя напряжение на полупроводниковых слоях p&n-типа. Итак, вы, должно быть, заметили сходство между конденсатором и диодом при обратном смещении. Обедненный слой в диоде похож на диэлектрическую среду в конденсаторе, которая действует как изолятор и препятствует перетеканию носителей заряда с одной стороны на другую.

Таким образом, когда на диод подается обратное напряжение смещения, соответствующие носители заряда накапливаются по обе стороны от обедненного слоя. Это заставляет диод приобретать некоторую емкость, и это называется емкостью перехода.

Варакторный диод специально разработан для улучшения этой способности накапливать носители заряда при подаче обратного смещения, что позволяет ему действовать как конденсатор.

Емкость перехода обратно пропорциональна ширине обедненного слоя, т.е. чем меньше ширина обедненного слоя, тем больше емкость, и наоборот. Поэтому, если нам нужно увеличить емкость варакторного диода, нужно уменьшить обратное напряжение смещения. Это приводит к уменьшению ширины обедненного слоя, что приводит к увеличению емкости. Точно так же увеличение напряжения обратного смещения должно уменьшить емкость.

Способность получать различные значения емкостей путем простого изменения приложенного напряжения является самым большим преимуществом варакторного диода по сравнению с обычным переменным конденсатором.

Характеристики

На приведенном ниже графике показана связь между величиной напряжения обратного смещения слоев p-типа и n-типа варакторного диода и величиной емкости перехода.

Вы можете заметить, что емкость перехода варикапа обратно пропорциональна напряжению обратного смещения. Также из-за различий в способах добавления примесей в слои p-типа и n-типа емкость варактора всегда выше, чем у обычного диода.

Точная величина емкости перехода варакторного диода рассчитывается относительно емкости в условиях нулевого смещения (C _J ), напряжения прямого смещения (напряжение, необходимое для полного удаления обедненного слоя, V _B ) и фактическое напряжение обратного смещения (V _R ), приложенное к переходу. Он определяется по формуле:

C _J = C ₀ (1 + V _R /V _B ) ^-n

и слои n-типа легированы. Его значение находится в пределах (0,5 – 0,33). Значение напряжения обратного смещения (В _R ) должно быть ниже напряжения пробоя, выше которого значение емкости C _J равно нулю из-за пробоя обедненной области и свободного потока дырок и электронов.