Pho.rs: Греем диод

$\textbf{Введение}$

На рис. 1 представлена типичная вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода. При прямом включении сила тока $I$ через диод быстро увеличивается с ростом напряжения $U$, а при обратном – ток практически отсутствует. С повышением температуры диода ветвь ВАХ его прямого включения смещается влево (рис. 2).

рис. 1

рис. 2

Температурным коэффициентом напряжения (ТКН) диода называют отношение $\eta = \dfrac{\Delta U}{\Delta T}$,  где $\Delta U$ $–$ изменение напряжения на диоде, вызванное изменением его температуры $\Delta T$ при фиксированном значении силы тока.

$\textbf{Задание}$

Определите ТКН выданного вам полупроводникового диода. Для этого:

1  ^15.

\circ С$ (для каждой ВАХ достаточно получить 5 точек в интервале токов от $5 мА$ до $15 мА$).

2  ^3.50 По результатам измерений постройте график (формат А5) зависимости напряжения на диоде $U_x$ от температуры $T$ при силе тока $I_x = 10 мА$.

3  ^1.

50 По графику зависимости $U_x(T)$ определите ТКН диода.

$\textbf{Примечания}$

1) Во время эксперимента диод должен оставаться $\textbf{СУХИМ}$, для этого помещайте его и термометр в пробирку, а горячую воду наливайте в стакан термостата.

2) Для снятия ВАХ используйте провод с зажимами типа «крокодил» и магазин сопротивлений с источником напряжения, схема которого представлена на рис. 3.

рис. 3

3) Использовать мультиметр в режиме амперметра $\textbf{ЗАПРЕЩЕНО}$! Рассчитывайте силу тока, текущего через диод, измеряя напряжение на одном из резисторов магазина.

4) Сила тока через диод не должна превышать $50 мА$. Подключайте диод к магазину сопротивлений только во время измерений.
5) Расчет погрешностей в работе не требуется.

$\textbf{Оборудование}$

Диод, магазин сопротивлений с источником, провод с зажимами типа «крокодил», мультиметр с щупами, термометр, термостат (состоящий из внешнего пенопластового стакана, пластикового стакана, разделительного кольца, крышки и пробирки), горячая вода по требованию, лист миллиметровой бумаги формата А4 для построения графиков, салфетка для поддержания чистоты на рабочем месте.

Лабораторная работа «Построение вольт — амперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа

Раздел 3 Электродинамика

Тема 3.2 Электрический ток в полупроводниках

Название практической работы: Построение вольтамперной характеристики полупроводникового диода

Учебная цель: исследовать зависимость прямого тока от величины прямого напряжения, приложенного к диоду. Выяснить зависимость обратного тока от величины обратного напряжения

Учебные задачи: устройство и принцип действия полупроводникового диода, строить по числовым данным вольт-амперную кривую – характеристику диода.

Правила безопасности: правила проведения в кабинете во время выполнения практического занятия

Норма времени: 2 часа

Образовательные результаты, заявленные во ФГОС третьего поколения:

Студент должен

уметь: пользоваться измерительными приборами, собирать по схеме установку для снятия вольт-амперной характеристики диода

знать: устройство и принцип действия полупроводникового диода, параметры, характеризующие полупроводниковый диод, промышленное применение

Обеспеченность занятия (средства обучения):

— методические указания по выполнению практического занятия

— тетрадь для лабораторно-практических работ, карандаш, линейка, ластик.

Полупроводниковый диод смонтированный на панели, источник питания, миллиамперметр, вольтметр, реостат 50-70 вольт, провода с наконечниками

Порядок проведения занятия:

Для выполнения практической работы учебная группа выполняет один вариант
Теоретическое обоснование основная деталь плоского полупроводникового диода Д7Ж монокристаллическая пластинка германия. Выводы диода подведены на панели к двум зажимам «+», «-»

Из набора

а — пластинка германия

б – капля индия

в – олово

г -основание металлического корпуса

д – контактный вывод

е – второй контактный вывод

(проходит в металлической трубочке)

ж – стеклянный изолятор

Рисунок 1

Принцип действия диода

В германии с электронной проводимостью, кроме электронов имеются неосновные носители электрического тока – дырки. В германии с дырочной проводимостью, кроме основных носителей – дырок, имеются неосновные – электроны. При отсутствии внешнего электрического поля через границу двух полупроводников диода взаимно диффундируют основные и неосновные носители тока; электроны и дырки из n –германия диффундируют в p- германий, а дырки и электроны переходят из p- германия в n –германий. В результате на границе двух полупроводников возникает двойной слой электрических зарядов и электрическое поле Е, которое препятствует дальнейшей диффузии основных носителей тока.

Двойной электронно –дырочный переход

Рисунок 2

Одновременно образуется запирающий слой – главная часть сопротивления диода, обеднённая носителями тока. По обе стороны от границы полупроводников происходит рекомбинация электронов и дырок

Внешнее электрическое поле отсутствует

Рисунок 3

Рисунок 4

При действии на диод внешнего электрического поля, направленного от дырочного полупроводника к электронному, основные носители тока в каждом полупроводнике движутся к границе раздела полупроводников, рисунок 3. Толщина слоя уменьшается, а сопротивление резко снижается.

Ток называется прямым током диода. Это ток образованный основными носителями электронами направлен от дырочного полупроводника к электронному. С изменением полярности, изменяется положение основных носителей, рисунок 4.Толщина запирающего слоя увеличивается, а сопротивление резко возрастает. Небольшой ток течёт через диод; он создаёт движение неосновных носителей. Этот ток направлен от электронного полупроводника к дырочному и называется обратным током диода. В зависимости от направления тока в диоде. Напряжение и сопротивление в диоде называют прямым и обратным.

Параметры полупроводникового диода Д7Ж для температуры окружающей среды 20℃

Вопросы для закрепления теоретического материала к практическому занятию:

1. Какие вещества называют полупроводниками?

2. Что такое «дырки»?

3. Какие носители тока обеспечивают собственную проводимость полупроводника?

4. Что такое электронно-дырочный переход?

5. Что такое запирающий слой?

6. Что такое полупроводниковый диод?

7. Что такое вольт-амперная характеристика, какие параметры необходимо снимать для её построения?

8. Что такое прямой ток диода, прямое напряжение на диоде?

9. Что такое обратный ток диода, обратное напряжение диода?

10. Примеры применения полупроводниковых приборов

Содержание и Последовательность выполнения практической работы:

1. Произвести измерения для выяснения зависимости прямого тока от величины прямого напряжения, приложенного к диоду.

2. Произвести измерения для выяснения зависимости обратного тока от величины обратного напряжения.

3. По числовым данным первой и второй таблиц построить кривую, представляющую собой вольт-амперную характеристику диода.

4. По оси ординат отложить ток в мА. По оси абсцисс – напряжение в вольтах.

5. Прямой ток и прямое напряжение считают положительными, обратный ток и обратное напряжение – отрицательными.

Задачи практической работы:

Задание 1

Составить электрическую цепь по схеме, рисунок 5. Прямое напряжение создаётся реостатом R, (как потенциометр). Прямой ток диода измеряем миллиамперметром. Вольтметр включаем в цепь со шкалой 3 вольта.

Замкнув цепь, снимаем показания

меняя реостатом напряжение, записываем в таблицу 1.

Схема для снятия

ВАХ диода обратного тока

Рисунок 6

Схема для снятия

ВАХ диода прямого тока

Рисунок 5

№ п /п	Обратный ток диода, ма	Обратное напряжение на диоде в
1	0,01	1
2	0,013	2
3	0,015	3
4	0,02	4
5	0,021	5
6	0,03	6
7	0,031	7

№ п /п	Прямой ток диода, ма	Прямое напряжение на диоде в
1	1	0,1
2	1,5	0,13
3	2	0,15
4	3	0,18
5	5	0,20
6	7	0,22
7	10	0,23
8	15	0,25
9	20	0,26
10	30	0,28

Таблица №1

Таблица № 2

Задание 2 Для изучения зависимости обратного тока от величины обратного напряжения, приборы включаем в цепь по схеме, рисунок 6. Напряжение на диод подаём потенциометром R . Напряжение измеряем вольтметром по шкале 15 в. Величину тока миллиамперметром со шкалой 1,5ма. Результат измерений записать в таблицу №2. По числовым данным первой и второй таблиц построить вольт – амперную характеристику диода, рисунок 7.

Вольт – амперная характеристика полупроводникового диода Д7Ж

Рисунок 7

Вывод

Полученная кривая имеет нелинейный характер: она показывает резкое возрастание прямого тока, начиная с напряжения 0,2 в. Поэтому номинальное значение прямого тока для изучаемого диода достигается уже при напряжении около 0,3 в.

Величина обратного тока составляет лишь сотые доли миллиампера и мало зависит от величины обратного напряжения. Это указывает на то, что диод в обратном (не пропускаемом) направлении имеет очень большое сопротивление, которое увеличивается с возрастанием обратного напряжения. Благодаря односторонней проводимости диод широко применяется для выпрямления переменного тока

По окончанию практической работы студент должен представить:— Выполненную в лабораторно – практической тетради работу в соответствии с вышеуказанными требованиями.
Список литературы: 

1. Физика для профессий и специальностей технического профиля В. Ф. Дмитриева М.: ИД Академия – 2015

2. Лабораторные работы по физике с вопросами и заданиями Тарасов О.М М.: ФОРУМ-ИНФА-М, 2015

Основы полупроводниковых диодов

| Полупроводники P-типа и N-типа, легирование

В этом уроке мы узнаем о полупроводниках, поскольку они являются неотъемлемой частью электроники. Прежде чем разбираться в некоторых устройствах, таких как полупроводниковые диоды, транзисторы и т. д., важно немного узнать об электропроводности, энергетической запрещенной зоне и основных типах полупроводников.

В этой части руководства изложены основные принципы легкого изучения PN Junction, следующего в очереди.

Краткое описание

Введение

В электронных и электрических схемах есть два типа полупроводниковых компонентов. Это активные и пассивные компоненты.

Диоды являются основными активными компонентами, а резисторы — основными пассивными компонентами электронных схем. Диоды по существу являются однонаправленными устройствами, имеющими экспоненциальную зависимость ВАХ, изготавливаются из полупроводниковых материалов.

[адсенс1]

В электронике используются три необходимых материала: изоляторы, полупроводники и проводники. Эти материалы классифицируются с точки зрения электрического явления. Удельное электрическое сопротивление, также известное как электрическое сопротивление, является мерой того, насколько эффективно материал сопротивляется прохождению через него электрического тока.

Единицей измерения удельного электрического сопротивления является омметр [Ом·м]. Материал с низким удельным электрическим сопротивлением указывает на эффективное перемещение электрического заряда по всему полупроводнику.

Полупроводники — это материалы, значения удельного сопротивления которых находятся между изоляторами и проводниками. Эти материалы не являются ни умными изоляторами, ни умными проводниками. У них есть только несколько свободных электронов, потому что их атомы тесно связаны в чрезвычайно кристаллической форме, называемой «кристаллической решеткой». Образцами полупроводников являются кремний и германий.

Полупроводники имеют большое значение в производстве электронных схем и интегральных устройств. Проводимость полупроводников можно легко изменить, изменяя температуру и концентрацию легирования в процессе изготовления. Способность проводить электричество в полупроводниковых материалах значительно увеличивается за счет добавления определенного количества примесей в кристаллическую решетку, производящих больше свободных электронов, чем дырок.

Свойства полупроводниковых материалов значительно изменяются при добавлении к ним небольшого количества примесей. Процесс смещения баланса между электронами и дырками за счет внедрения атомов примеси в кристаллическую решетку кремния называется легированием.

Эти примесные атомы известны как легирующие примеси. В зависимости от типа включенного легирующего материала полупроводниковые кристаллы подразделяются на два типа, в частности полупроводники n-типа и полупроводники p-типа.

Элементы группы –V, такие как фосфор, сурьма и мышьяк, обычно классифицируются как примеси N-типа. Эти элементы имеют пять валентных электронов. Когда примеси N-типа вводятся в кристалл кремния, четыре из пяти валентных электронов образуют четыре прочные ковалентные связи с соседними атомами кристалла, оставляя один свободный электрон.

Аналогично, каждый атом примеси N-типа производит свободный электрон в зоне проводимости, который будет дрейфовать, проводя электрический ток, если к материалу приложен потенциал. Полупроводники N-типа также можно отнести к донорам.

[адсенс2]

Элементы группы III, такие как бор, алюминий, галлий и индий, обычно классифицируются как примеси P-типа. Эти элементы имеют три валентных электрона. Когда примеси P-типа легируют в кристалл кремния, все три валентных электрона образуют три прочные ковалентные связи с соседними атомами кристалла.

Существует дефицит электронов для образования четвертой ковалентной связи, и этот дефицит называется дырками. Точно так же каждый атом примеси P-типа создает дырку в валентной зоне, которая будет дрейфовать, проводя электрический ток, если к материалу приложен потенциал. Полупроводники P-типа также могут называться акцепторами.

НАВЕРХ

Удельное сопротивление

Характерное свойство каждого материала, которое полезно при сравнении различных материалов на основе их способности проводить электрический ток, известно как удельное электрическое сопротивление. Удельное сопротивление можно аппроксимировать, умножив сопротивление R электрического провода на площадь поперечного сечения A, деленную на длину провода L.

Проводимость, обратная удельному электрическому сопротивлению, совместно характеризует материалы, насколько хорошо они пропускают через себя электрический ток. Чувствительные проводники имеют самое низкое электрическое сопротивление и высокую проводимость. Удельное электрическое сопротивление сильно зависит от наличия в материале примесных атомов и от температуры материала, т. е. при комнатной температуре (20ºC).

Для различных проводников, полупроводников и изоляторов значения удельного сопротивления изменяются линейно при изменении температуры. Изменение электрического сопротивления на градус Цельсия при изменении температуры называется температурным коэффициентом сопротивления. Этот фактор обозначается буквой «альфа» (α).

Положительный температурный коэффициент для материала означает, что его сопротивление увеличивается с повышением температуры. Чистые проводники обычно имеют положительный температурный коэффициент сопротивления. Отрицательный коэффициент для материала означает, что его сопротивление уменьшается с повышением температуры.

Полупроводниковые материалы (углерод, кремний и германий) обычно имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления. Различные материалы с их значениями удельного сопротивления и температурными коэффициентами приведены в таблице ниже.

НАВЕРХ

Проводники

Проводники изготавливаются из материалов с низким сопротивлением, имеющих значения удельного сопротивления порядка микроомов на метр (мкОм/м). Металлы с ужасно низким электрическим сопротивлением порядка 1 х омметров называются проводниками. Эти металлы имеют большое количество свободных электронов.

Эти свободные электроны покидают валентный слой своего родительского атома и образуют дрейф электронов, известный как электрический ток. Следовательно, металлы являются превосходными проводниками электричества.

Металлы, такие как медь, алюминий, золото и серебро, и другие неметаллы, такие как углерод, являются древними проводящими материалами. Большинство металлических проводников являются хорошими проводниками электричества, имея меньшие значения сопротивления и высокие значения проводимости.

В процессе проведения тепло проходит по всему телу. При теплопроводности этот тепловой поток можно рассматривать как потерю энергии, и потери увеличиваются с повышением температуры после того, как она достигает комнатной температуры, т. е. 25°C.

НАВЕРХ

Изоляторы

В отличие от проводников, изоляторы состоят из неметаллов со значениями удельного сопротивления порядка 1 х Ом-метров. У неметаллов есть только несколько свободных электронов, протекающих через них или внутри родительской атомной структуры, или они отсутствуют, поскольку самые внешние электроны тесно связаны ковалентными связями между парой атомов. Поскольку электроны заряжены отрицательно, свободные электроны внутри валентного слоя легко притягиваются положительно заряженными частицами внутри ядра.

Поскольку свободных электронов нет, при приложении положительного потенциала электрический ток не будет течь через материал, придающий изолирующие свойства. Поэтому изоляторы (неметаллы) являются очень плохими проводниками электричества.

Неметаллы, такие как стекло, пластик, резина, дерево, песок, кварц и тефлон, являются разумными примерами изоляторов. Стеклянные изоляторы используются для передачи электроэнергии основного напряжения. Изоляторы используются в качестве защитников тепла, звука и электричества.

НАВЕРХ

Полупроводники

Полупроводники обладают промежуточными электрическими свойствами между изоляторами и проводниками. Умными примерами идеальных полупроводников являются кремний (Si), германий (Ge) и арсенид галлия (GaAs). Эти элементы имеют только несколько электронов в родительской атомной структуре, которые образуют кристаллическую решетку.

Кремний, основной полупроводниковый материал, содержит четыре валентных электрона во внешней оболочке, образующих четыре прочные ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния, так что каждый атом делит электрон с соседним атомом, создавая сильную ковалентную связь. Атомы кремния организованы в виде решетки, создавая кристаллическую структуру.

Проведение электрического тока возможно с кремниевым полупроводниковым кристаллом путем подачи внешнего потенциала на полупроводник и включения примесных примесей в полупроводниковый кристалл, тем самым создавая положительно и отрицательно заряженные дырки.

НАВЕРХ

Структура чистого атома кремния

Атом кремния имеет 14 электронов; однако орбитальное расположение имеет только 4 валентных электрона, которые должны быть разделены альтернативными атомами. Эти валентные электроны играют решающую роль в фотогальваническом эффекте. Большое количество атомов кремния связываются вместе, образуя кристаллическую структуру.

В этой структуре каждый атом кремния делит один из своих четырех валентных электронов с соседними атомами кремния. Твердый кристалл кремния состоит из регулярного ряда единиц из пяти атомов кремния. Это регулярное и фиксированное расположение атомов кремния составляет единицу и называется кристаллической решеткой.

НАВЕРХ

Полупроводник N-типа

Примеси, такие как фосфор, мышьяк и сурьма, добавляются в кристаллическую структуру кремния, чтобы преобразовать собственный полупроводник во внешний полупроводник. Эти примесные атомы известны как пятивалентные примеси из-за того, что пять валентных электронов в самой внешней оболочке делят свободные электроны с соседними атомами.

Пятивалентные атомы примеси также известны как доноры, потому что пять валентных электронов в атоме примеси связываются с четырьмя валентными электронами кремния, образуя четыре ковалентные связи, оставляя один свободный электрон. Каждый примесный атом производит свободный электрон в зоне проводимости. Как только к полупроводнику N-типа прикладывается положительный потенциал, оставшиеся свободные электроны образуют дрейф, создавая электрический ток.

Полупроводник N-типа является лучшим проводником, чем собственный полупроводниковый материал. Основными носителями заряда в полупроводниках N-типа являются электроны, а неосновными носителями заряда являются дырки. Полупроводники N-типа не заряжены отрицательно, поскольку отрицательный заряд атомов донорной примеси уравновешивается положительным зарядом внутри ядра.

Основной вклад в поток электрического тока вносят отрицательно заряженные электроны, хотя некоторый вклад вносят и положительно заряженные дырки из-за электронно-дырочной пары.

НАВЕРХ

Легирование полупроводников N-типа

Если элемент группы 5, такой как примесь сурьмы, добавляется в кристалл кремния, атом сурьмы образует четыре ковалентные связи с четырьмя атомами кремния, связывая валентные электроны сурьмы с валентными электронами внутри самой внешней оболочки кремния, оставляя один свободный электрон. Следовательно, примесный атом отдал свободный электрон структуре, поэтому эти примеси называются донорными атомами.

НАВЕРХ

Полупроводник P-типа

Элементы группы 3, такие как бор, алюминий и индий, являются дополнительными к кристаллической структуре кремния, имеющей только три электрона во внешней оболочке, образуя три закрытых ковалентных связи, оставляя дыру в структуре ковалентной связи и, следовательно, дыру в валентной зоне диаграммы энергетических уровней.

Это действие оставляет обильное количество положительно заряженных носителей, называемых дырками, в кристаллической структуре при дефиците электронов. Эти элементы группы 3 называются трехвалентными примесными атомами.

Наличие обильных дырок привлекает соседние электроны, чтобы занять их. Пока электрон заполняет дырки в кристалле кремния, за ним будут появляться новые дырки по мере его удаления от него. Вновь созданные дырки успешно притягивают электроны, создание других новых дырок приводит к движению дырок, создавая стандартный электрический ток в полупроводнике.

Движение дырок в кристалле кремния кажется кристаллу кремния положительным полюсом. Пока примесные атомы неизменно генерируют дырки, элементы группы 3 называются акцепторами, поскольку примесные атомы постоянно принимают свободные электроны.

Легирование элементов группы 3 в кристалле кремния приводит к полупроводнику P-типа. В этом полупроводнике P-типа дырки являются основными носителями заряда, а электроны — неосновными носителями заряда.

НАВЕРХ

Легирование полупроводников P-типа

Если элементы группы 3, такие как бор, галлий и индий, добавляются в кристалл полупроводника, атомы примеси, имеющие три валентных электрона, образуют три сильных электрона. ковалентные связи с валентными электронами кристалла кремния оставляют одну вакансию. Эта вакансия называется дыркой и схематически изображается маленьким кружком или знаком плюс из-за отсутствия отрицательного заряда.

НАВЕРХ

Краткий обзор основ полупроводников

Материалы N-типа представляют собой материалы, образованные путем добавления элементов группы 5 (пятивалентных примесных атомов) в полупроводниковые кристаллы и проводящие электрический ток за счет движения электронов. .

В полупроводниках N-типа

• Примесные атомы представляют собой пятивалентные элементы.
• Примесные элементы с твердым кристаллом дают большое количество свободных электронов.
• Пятивалентные примеси также называют донорами.
• Легирование дает меньшее количество дырок по отношению к количеству свободных электронов.
•  Легирование элементами группы 5 приводит к положительно заряженным донорам и отрицательно заряженным свободным электронам.

Материалы P-типа представляют собой материалы, образующиеся при добавлении к твердому кристаллу элементов группы 3 (трехвалентных атомов примесей). В этих полупроводниках ток течет в основном за счет дырок.

В полупроводниках P-типа

1. Атомы примеси представляют собой трехвалентные элементы.
2. Трехвалентные элементы приводят к избыточному количеству дырок, которые всегда принимают электроны. Поэтому трехвалентные примеси называются акцепторами.
3. Легирование дает меньшее количество свободных электронов по отношению к количеству дырок.
4. Легирование приводит к отрицательно заряженным акцепторам и положительно заряженным дыркам

Как p-тип, так и N-тип являются электрически нейронными сами по себе, потому что вклад электронов и дырок, необходимых для проведения электрического тока, одинаков из-за электронно-дырочной пары. И бор (B), и сурьма (Sb) называются металлоидами, потому что они являются наиболее часто используемыми легирующими агентами для собственного полупроводника для улучшения свойств проводимости.

НАВЕРХ

ДАЛЕЕ – PN JUNCTION TUTORIAL

База данных кодов маркировки компонентов SMD

Из-за малых размеров большинства SMD-компонентов производители не имеют возможности писать полный номер детали на корпусе. Вместо этого они обычно используют код маркировки. состоит из комбинации 2 или 3 букв или цифр. При ремонте неизвестного электронной доске, становится так трудно узнать, какой точный тип данного составная часть. Эта база данных позволяет быстро найти артикул компонента SMD. когда у вас есть только код маркировки.

VA

2SC2776-A

Renessas
SOT-23

NPN транзистор
VHF Mix, Osc&запятая; 30 В&запятая; 30 мА&запятая; 100 мВт&запятая; B=35.. 70&запятая 320 МГц

VA

74LVC1G00GF

NXP Semiconductors
SOT891

CMOS LOGIC IC
2-й nAND GATE

VA

74LVC1G00GMAN

NXP

74LVC1G00GMAN

VA

74LVC1G00GM

VA

74LVC1G00GM

VA

74LVC1G00GM

.0003

VA

74LVC1G00GW

NXP Semiconductors
SOT-353-1

CMOS logic IC
2-input NAND gate

VA

AP7365-ADJSN

Diodes
DFN2020-6

Linear voltage regulator IC
LDO&comma ; Регулируемый&запятая; 0,8,3,9 В&запятая; 600 мА&запятая; +CE

VA

AP7365-ADJW

Диоды
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; Регулируемый&запятая; 0,8,3,9 В&запятая; 600 мА&запятая; +CE

VA

APX803S00-46SA

Диоды
SOT-23

Детектор напряжения IC
4.63V±1.5%&запятая; -Сброс ODO&запятая; 1,7 мс Rt задержка

VA

BAV16BPT

Chenmko Enterprise
SOD-123

Диод
Sw, 75 В&запятая; 150 мА&запятая; Vf<<1,25 В(150 мА)&запятая 4нс

VA

BD46485G

Rohm
SSOP-5

Детектор напряжения IC
4,8 В ± 1%&запятая; -MR&запятая; -Сброс PPO&запятая; 500 мс

ВА

DZ23C14

PanJIT Semiconductor
SOT-23

Стабилитрон
Dual, 13,30,14,70 В&запятая; Zzt=25&запятая; Изт=5мА&запятая; 410 мВт

ВА

FES2DB

Fagor Electronica
DO-214AA

Диод
U-быстрое восстановление. выпрямить&запятая; 200 В&запятая; 2A&запятая; <25ns

VA

IXD5127C16KNR

IXYS
SSOT-24

Детектор напряжения IC
1,6 В±0,8%&запятая+Сброс PPO&запятая; -MR&запятая; 800 мс Rt задержка

ВА

MC74VHC1G14DF

ON Semiconductor
SC-70-5

КМОП-логика ИС
Инвертирующий триггер Шмитта

VA

MC74VHC1G14DT

ON Semiconductor
SOT-23-5

CMOS logic IC
Inverting Schmitt-trigger

VA

PZU10BA

Philips
SOD-323

Zener diode
10V±5%, Если=200 мА&запятая; 320 мВт

ВА

PZU10BAA

NXP Semiconductors
SOD-323

Стабилитрон
9,45,10,55 В&запятая; Zzt=10(Iz=5 мА)&запятая; 320 мВт

VA

R1114Q401D

Ricoh
SC-82AB

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; Низкий уровень шума&запятая; 4,0 В±2%&запятая; 150 мА&запятая; +CE&запятая; CL

VA

RP130K121D

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; LN&запятая; +CE&запятая; CL&запятая; 1,2 В±1%&запятая; 150 мА

ВА

RP152L025C

Ricoh
DFN1212-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; Двойной выход&запятая; Vout1/Vout2=3,0 В/3,0 В±1%@запятая; 150 мА&запятая; +CE&запятая; CL

VA

SMAJ140C

Socay Electronics
DO-214AC

Подавитель переходного напряжения
Vrwm=140. 0V, Vbr=155,6,190,4 В&запятая Ipp=1,60A&запятая; 400 Вт(1 мс)@запятая; Двунаправленный

VA

TV04A141KB-G

Comchip Technology
DO-214AC

Подавитель переходного напряжения
Vrwm=140V, Vbr=155,68,190,40 В&запятая; Ipp=1,60A&запятая; 400 Вт(1 мс)@запятая; Двунаправленный

VA

XC6127C16KNR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
1,6 В ± 0,8%, запятая++сброс PPO&запятая; -MR&запятая; 800 мс Rt задержка

ВА

XC6223F20BNR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,05 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; CL&запятая; Защита от пускового тока

ВА

XC6501D121NR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,2 В±1%&запятая; 200 мА&запятая; +CE&запятая; CL&запятая; ПДР

VA-

BZB84-B2V7

Philips
SOT-23

Стабилитрон
Dual, 2,4 В±2%&запятая; Если=200 мА&запятая; 300 мВт

VA2

S-1135C34-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,4 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VA2

S-1135C34-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,4 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VA2

S-1135C34-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VA3

S-1135C35-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 3,5 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VA3

S-1135C35-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 3,5 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VA3

S-1135C35-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 3,5 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VA9

XC9227A0M6M

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 600 кГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; +CE

VA9

XC9227B0M6M

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 600 кГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; -CE

VA9

XC9227C0M6M

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 600 кГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VA9

XC9227D0M6M

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 600 кГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; -CE&запятая; PUR

VAA

BC858A

AUK Semiconductor
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=110. .220@запятая; 150 МГц

ВАА

BC858FA

AUK Semiconductor
SOT-23F

Транзистор PNP
GP, 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=110..220@запятая; 150 МГц

VAA

S-1135C10-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,0 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAA

S-1135C10-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,0 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAA

S-1135C10-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,0 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAB

BC858B

AUK Semiconductor
SOT-23

Транзистор PNP
GP, 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=200..450@запятая; 150 МГц

VAB

BC858FB

AUK Semiconductor
SOT-23F

Транзистор PNP
GP, 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=200. .450@запятая; 150 МГц

VAB

S-1135C11-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,1 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAB

S-1135C11-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,1 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAB

S-1135C11-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,1 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE

В переменного тока

BC858C

AUK Semiconductor
SOT-23

Транзистор PNP
ГП&запятая; 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=420.800@запятая; 150 МГц

В переменного тока

BC858FC

AUK Semiconductor
SOT-23F

Транзистор PNP
GP, 30 В&запятая; 100 мА&запятая; 200 мВт&запятая; B=420.800@запятая; 150 МГц

В переменного тока

S-1135C12-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,2 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

В переменного тока

S-1135C12-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,2 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

В переменного тока

S-1135C12-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,2 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +СЕ

VAD

S-1135C13-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,3 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAD

S-1135C13-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,3 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

ВАД

S-1135C13-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,3 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAE

S-1135C14-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,4 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAE

S-1135C14-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,4 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAE

S-1135C14-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,4 В±15 мВ&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAF

S-1135C15-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,5 В±1,0%&запятая 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

VAF

S-1135C15-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,5 В±1,0%&запятая 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAF

S-1135C15-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,5 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAG

S-1135C16-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,6 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAG

S-1135C16-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,6 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

ВАГ

S-1135C16-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,6 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAH

S-1135C17-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,7 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

ВАХ

S-1135C17-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,7 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAH

S-1135C17-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,7 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAI

S-1135C18-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,8 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAI

S-1135C18-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,8 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAI

S-1135C18-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,8 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAJ

S-1135C1J-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,85 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAJ

S-1135C1J-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 1,85 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAJ

S-1135C1J-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,85 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAK

S-1135C19-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,9V±1,0%&запятая 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAK

S-1135C19-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,9 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAK

S-1135C19-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 1,9V±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAL

S-1135C20-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,0 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAL

S-1135C20-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,0 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

VAL

S-1135C20-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,0 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAM

S-1135C21-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,1 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

ВАМ

S-1135C21-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,1 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAM

S-1135C21-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,1 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAM

XC9227A0MCM

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 1,2 МГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; +CE

VAM

XC9227B0MCM

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 1,2 МГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; -СЕ

VAM

XC9227C0MCM

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 1,2 МГц&запятая; 0,95 В±1%&запятая; 600 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAM

XC9227D0MCM

Torex Semiconductor
SOT-25

DC/DC преобразователь напряжения IC
PWM-PWM/PFM st-dwn, 1,2 МГц&запятая; 0,95V±1%&запятая; 600 мА&запятая; -CE&запятая; PUR

VAN

S-1135C22-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,2 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAN

S-1135C22-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,2 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

VAN

S-1135C22-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,2 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAO

S-1135C23-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,3 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

ВАО

S-1135C23-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,3 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAO

S-1135C23-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,3 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAp

BZB84-B2V7

Philips
SOT-23

Стабилитрон
Dual, 2,4 В±2%&запятая; Если=200 мА&запятая; 300 мВт

VAP

S-1135C24-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,4 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAP

S-1135C24-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,4 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAP

S-1135C24-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,4 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAQ

S-1135C25-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,5 В±1,0%&запятая 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAQ

S-1135C25-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,5 В±1,0%&запятая 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAQ

S-1135C25-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,5 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAR

S-1135C26-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,6 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAR

S-1135C26-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,6 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

VAR

S-1135C26-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,6 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAS

S-1135C27-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,7 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; ПДР

ВАС

S-1135C27-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,7 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAS

S-1135C27-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,7 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

НДС

BZB84-B2V7

Philips
SOT-23

Стабилитрон
Dual, 2,4 В±2%&запятая; Если=200 мА&запятая; 300 мВт

НДС

S-1135C28-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,8 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

НДС

S-1135C28-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,8 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

НДС

S-1135C28-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,8 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAU

S-1135C2J-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,85 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAU

S-1135C2J-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,85 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAU

S-1135C2J-U5T1G

Seiko Instruments
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO&запятая; 2,85 В±1%&запятая; 300 мА&запятая; +CE

VAV

S-1135C29-A6T1S

Seiko Instruments
HSNT-6A

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2,9 В±1,0%&запятая; 300 мА&запятая; +CE&запятая; PDR

VAV

S-1135C29-M5T1S

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO, 2.