Усилитель на 300 ватт своими руками
Блог new. Технические обзоры. Опубликовано: , Перейти в магазин.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Транзисторные УНЧ
- Усилители НЧ D-класса
- Усилитель 300 Вт на lm4780
- На сайте радиочипи представлены принципиальные схемы сабвуферов, собранные своими руками
- 500 Ватт импульсный блок питания для аудиоусилителей
- Высококачественный автомобильный усилитель делаем сами
Усилитель мощности 1кВт
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Самодельный усилитель звука 2 х 100 Вт (м/с TDA7498): ОБЗОР, СБОРКА и ТЕСТ
youtube.com/embed/RkTALeYOc28″ frameborder=»0″ allowfullscreen=»»/>Транзисторные УНЧ
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно. Даташиты бесплатно. Прошивки бесплатно. Русские инструкции бесплатно. Стол заказов:. Бесплатная техническая библиотека, Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники. Комментарии к статье. Усилители низкой частоты большой мощности нельзя отнести к обычным конструкциям, так как они по своей сути всегда достаточно сложны в изготовлении.
Малейшая ошибка в процессе сборки приводит к тому, что все приходится начинать сначала, и это становится очень дорогим удовольствием. Описываемый усилитель — достаточно серьезная конструкция, несмотря на его очевидную простоту и небольшие размеры. Усилитель может быть собран опытным радиолюбителем за несколько часов. Рекомендуется при сборке этого усилителя использовать печатную плату.
Не пытайтесь собрать этот усилитель, если это Ваша первая серьезная конструкция. Напряжение постоянного тока в схеме достигает величины В, что может привести к серьезным поражениям электрическим током. Рассеиваемая выходными транзисторами мощность достигает очень больших значений, поэтому при их установке необходимо тщательно соблюдать меры по обеспечению хорошего теплового контакта их с радиатором.
Усилитель предназначен для кратковременного режима работы на нагрузку сопротивлением 4 Ома, как обычно принято в сабвуферах. В случае длительной работы усилителя в режиме номинальной мощности необходимо нагружать усилитель на АС сопротивлением не менее 8 Ом.
При этом усилитель может качественно работать длительное время и отдавать мощность около Вт. Для работы в непрерывном режиме при номинальной мощности на нагрузку сопротивлением 4 Ома необходима дополнительная установка еще 4 выходных транзисторов по 2 в каждое плечо усилителя. В усилителе нет защиты выходных транзисторов от короткого замыкания выхода. Короткое замыкание выхода мгновенно выведет из строя выходные транзисторы. Усилитель выполнен по схеме, ставшей традиционной для большинства современных усилителей НЧ: с двухполярным питанием и дифференциальным каскадом на входе.
Цепочка R1, С2 служит для фильтрации радиочастотных помех. Сигнал подается на вход через неполярный конденсатор С1 емкостью 4,7 мкФ. Полное комплексное сопротивление этой емкости обеспечивает малый завал частотной характеристики на очень низких частотах. Если применить конденсатор с полистирольным или фторопластовым диэлектриком емкостью 1 мкФ, то при номинальном входном сопротивлении 22 кОм, завал на частоте 7,2 Гц будет около -3 дБ.
Дифференциальный каскад выполнен на транзисторах VT2 и VT3. Транзистор VT1 выполняет функцию источника тока. База транзистора VT3 соединена с выходом усилителя через резистор R Как только на выходе усилителя появится отличное от нуля постоянное напряжение, усиленный дифференциальным каскадом сигнал рассогласования поступит на последующие каскады и изменит их режим так, чтобы постоянное напряжение на выходе стало равно нулю.
В случае идентичности параметров транзисторов VT2 и VT3 через нагрузку не протекает постоянный ток и, следовательно, разделительный конденсатор в цепи нагрузки можно не применять. Низкочастотный сигнал, усиленный транзистором VT2, снимается с нагрузочного резистора R5 и подается на базу транзистора VT4. Далее усиленный низкочастотный сигнал подается на двухтактный усилитель на транзисторах VT Диоды VD2 и VD3 обеспечивают начальное смещение транзисторов выходного каскада и также размещаются на радиаторе.
Они должны быть в хорошем тепловом контакте с радиатором усилителя. Нарушение этого правила приведет к тому, что температурный режим выходных транзисторов выйдет из под контроля и, как следствие, выход оконечных транзисторов из строя от температурного перегрева.
В выходном каскаде применены транзисторы 2SC и 2SA В качестве светодиода VD1 рис. R21 проволочные мощностью не менее 5 Вт, остальные пленочные — 0,25 Вт.
Поскольку выходной каскад работает в режиме класса В, усилитель имеет повышенные искажения в области высоких частот.
VT16 и низкоомные резисторы R Несмотря на широкую полосу пропускания усилителя, искажения на частотах выше 10 кГц значительны. При измерении пиковой мощности напряжение источника питания «проваливалось» с 56 В до 50,7 В при нагрузке 8 Ом и до Индикатор перегрузки предназначен для слежения за режимом работы усилителя.
Входы а и б индикатора подключены к базовым цепям дифференциального каскада усилителя. При линейном режиме работы усилителя напряжения в точках а и б равны.
В случае перегрузки усилителя искаженный сигнал обратной связи поступающий на базу транзистора VT3 дифференциального каскада, будет отличаться от входного сигнала и на выводе 1 микросхемы DA1.
Индикатором перегрузки является светодиод VD3 — красного цвета, включенный в коллекторную цепь транзисторного ключа VT1. Время свечения светодиода в случае появления даже кратковременного сигнала ошибки определяется постоянной времени цепочки C3R Регулировка индикатора заключается в установке движков потенциометров R5 и R9 в положение, при котором свечение светодиода VD3 наступает при наличии нелинейных искажений выходного сигнала. Схема блока питания приведена на рис.
Трансформатор необходимо использовать с мощностью не менее Вт и выходным напряжением 2 х 40 В. Конденсатор С1 должен быть рассчитан на напряжение не менее В, мостовые выпрямители — на ток 35 А, конденсаторы фильтра — на рабочее напряжение не менее 63 В, емкость конденсатора фильтров — Смотрите другие статьи раздела Усилители мощности транзисторные.
Читайте и пишите полезные комментарии к этой статье. Рекомендуем скачать в нашей Бесплатной технической библиотеке :. Павленко В. Пресман А. Типовая инструкция по охране труда.
Усилители НЧ D-класса
Ламповый усилитель Помогите со сборкой лампового усилителя на вт, если у кого нибудь есть идеи или схемы, Едва успел тут зарегиться и уже с вопросом. Решил я собрать ламповый усилок с выходной Хорошо паяю, собираю, дружу с деревом и Ламповый усилитель Я начинающий радиолюбитель.
Усилитель для авто собственными руками схема с невозможно высокой выходной мощностью (2 х ватт) не вспоминая.
Усилитель 300 Вт на lm4780
Обе схемы выполнены полностью на транзистрах и без использования операционных усилителей ОУ. Входное сопротивление 6,8 кОм, чувствительность 1,55 В. Настройка сводится к установке триммером R5 нуля на выходе. Второй УМЗЧ рис. Его схемотехника полностью симметрична:. Т22 и Т23 образуют схему защиты от перегрузок. Нет ничего невозможного.
На сайте радиочипи представлены принципиальные схемы сабвуферов, собранные своими руками
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно. Параметры радиодеталей бесплатно. Даташиты бесплатно.
Всем привет, сегодня я хочу рассказать о том, как за небольшие деньги можно самому собрать стереоусилитель для своих любимых АС. Сначала проектировка схемы и сборка печатной платы.
500 Ватт импульсный блок питания для аудиоусилителей
Войти на сайт Логин:. Сделать стартовой Добавить в закладки. Мы рады приветствовать Вас на нашем сайте! Мы уверены, что у нас Вы найдете много полезной информации для себя, читайте, скачивайте, все абсолютно бесплатно и без паролей. Периодически материал сайта пополняется, поэтому добавьте Komitart в закладки или подпишитесь на новостную рассылку RSS, так будет проще узнавать о публикуемых новинках.
Высококачественный автомобильный усилитель делаем сами
Мы неоднократно приводили схемы мощных усилителей мощности низкой частоты для самостоятельной сборки, и сегодня речь пойдет о конструкции довольно простого, но высококачественного и до боли мощного усилителя по схеме ланзара. Ланзар реализован на и транзисторах, схема полностью симметрична. Выходной каскад усилителя работает в классе АВ, минимальный коэффициент нелинейных искажений позволяет отнести усилитель к разряду хай-фай Hi-Fi. Такой усилитель отлично подходит и для мощных широкополосных акустических систем, но из-за сравнительно простой схематической развязки и большой выходной мощности, усилитель часто повторяют именно для питания довольно мощных сабвуферных головок. Пиковая выходная мощность этого усилителя составляет ватт на нагрузку 4 Ом, но усилитель прекрасно работает и под низкоомные нагрузки вплоть до 2-х Ом. В архиве есть полностью рабочая печатная плата для этого усилителя. Сборка начинается с травления печатной платы. Для травления я использую раствор перекиси водорода 3-х процентный раствор, который продают в аптеках, бутылки по мг , лимонной кислоты и поваренной соли.
Принципиальные схемы усилителей мощности на биполярных и Ватт;; большой мощности — 25 Ватт, 50 Ватт, Ватт, Ватт, Ватт и более.
Усилитель мощности 1кВт
Представляем вашему вниманию схему усилителя мощности торговой марки ApeX, недавно попавшуюся под руки. Модель называется B Нетрудно догадаться, что в название маркировки производитель вложил основной характеризующий признак усилителя мощности.
Прежде, чем начну свою статью, хочу сказать, если у вас крепкие нервы, куча свободного времени, определенных навыков в электронике, любите слушать в машине очень громкую музыку, мощный бас и готовы потратить на такой проект немало денег, то эта статья именно для вас! Идея о создании усилителя повышенной мощности была давно, но из-за отсутствия времени и финансов, проект откладывался. И вот лето Было решено воплотить идею в реальность и для этого было потрачено ровно 3 месяца, поскольку были большие проблемы с деталями но, не смотря на это, усилительный комплекс был с успехом собран и испытан. Для начала хочу пояснить смысл выражения «усилительный комплекс».
Решил тут собрать погремушку. Не столько для соседей, сколько для получения эстетического удовольствия от проделанного.
Некачественный звук автомагнитолы парой надоедает и хочется чего-нибудь большего. Но как право, качественный автомобильный усилитель стоит достаточно дорого, исходя из этого и многим не по карману, а в данной статье мы разглядим вариант схемы достаточно замечательного автомобильного усилителя, главная черта которого — уровень качества звучания. Усилитель для авто собственными руками схема Отличный звук не единственное преимущество отечественной схемы, конструкция несложна, а сборка обойдется всего в пара долларов. За базу мы забрали микросхему LM Это одна из самых качественных микросхем усилителей НЧ для того чтобы рода, звук намного качественней подобных микросхем серии TDA. Мощность отдаваемая микросхемой мала — 20 Ватт, а большая мощность 25 ватт, но это чистая мощность, которая намного качественней и замечательнее 40 а также 50 ватт мощности, которая отдает штатная магнитола.
Колин Вонфор, занимающийся проектированием ламповых одно-тактных УНЧ с начала х, отмечая высокое качество звучания, все же пришел к выводу, что они не вполне соответствуют идеалу меломана. Наращивание мощности упирается в огромные даже по сравнению с трансформаторами аналогичной мощности, но двухтактных ламповых УНЧ габариты и массу выходного трансформатора, а также довольно короткий ресурс ламп, загнанных для получения сколь-. Пятнадцатилетние эксперименты позволили ему создать транзисторный биполярно-полевой УНЧ класса А рис. Без изменения схемы 5 вариантов выходного каскада позволяют создавать ряд УНЧ мощностью от 20 до Вт.
Данные наборы предназначены для сборки активных стационарных колонок, либо стационарного усилителя по принципу «двойное моно» и включает в себя широкополосный усилитель мощности ЗЧ мощностью до 300 Вт, сетевой импульсный блок питания с защитой от перегрузки и защиту акустической системы от постоянного напряжения.
Усилителем мощности выбран усилитель ЛАНЗАР, как самый простой, хорошо звучащий и хорошо себя зарекомендовавший. От оригинальной схемы отличается использованием полевых транзисторов в качестве предпоследнего каскада, ток покоя этого каскада немного увеличен, вместо фильтрующих резисторов питания усилителя напряжения используются диоды. Все эти небольшие изменения положительно отразились на качестве звука.
Площадь охлаждения порекомендовать не можем, поскольку сами пользуемся только принудителным охлаждением, например для этого блока было вполне достаточно алюминиевого листа размером 250 х 190 mm, толщиной 6 mm, напротив оконечных транзисторов было установлено два компьютерных радиатора от P-IV с 80-ти мм вентилятором в точке касания радиаторов друг с другом. Питания вентилятора составляло 13 В, номинальный потребляемый ток 0,12 А. Внешний вид используемого копьютерного радиатора показан на рисунке 5. Однако более правильный вывод необходимого теплоотвода поможет сделать эта страница.
Поскольку выходная мощность уже достаточно высокая, то это устройство будет использоваться для озвучивания уже не бытовых помещений, а небольших спортзалов, кафе, актовых залов. Ни для кого не секрет, что при хорошем звуке в пустом помещении и той же системе, но уже при наличии людей звуковая картина меняется координально — поглощаемая одеждой людей НЧ составляющая звукового сигнала вызывает ощущение не хватки бассов. Поэтому мы рекомендуем использовать для создания активной акустической системы следующее описание. Габариты системы довольно большие, тем не менее нехватки низов уже не будет, поскольку система использует рупорный фазоинвертор и в помещении именно НЧ становиться реально многовато, что собственно потребовало введения в колонку переключателя режимов работы «УЛИЦА-КОМНАТА», которым при «комнатной» эксплуатации происходит ограничение подаваемой на НЧ динамическую головку мощносности. |
Хотите собрать 300-ваттный стереоусилитель мощности
#2
- #2
Если вы достаточно изучили свою первую сборку, вы должны понимать ограничения по напряжению и току микросхемы, которую вы предлагаете использовать.
Примените эти ограничения по напряжению и току к своей идее проектирования мощностью 150 Вт, чтобы управлять реактивной нагрузкой динамика, и поймете, почему это нелегко сделать.
#3
- #3
АудиоМайк сказал:
Привет, ребята,
После того, как я успешно построил усилитель мощностью 2×30 Вт, я теперь заинтересован в создании стереоусилителя мощностью 300 Вт. Я хотел бы построить 2 схемы по 150 Вт (приблизительно) в корпусе 19-дюймовой стойки.
Можно ли это сделать, скажем, с двумя микросхемами LM3886 на каждой схеме? Если да, то есть ли у кого-нибудь или кто-нибудь может порекомендовать какие-либо схемы или ПХД
Заранее спасибо.
Нажмите, чтобы развернуть…
Во-первых, почему 300 Вт? Как вы определили, что вам нужно столько энергии? Может быть, нет. Есть веские причины, по которым нужен большой усилитель. Мне он тоже нужен, но убедитесь, что у вас есть одна из этих причин, иначе вы просто потратите деньги впустую. В моем случае у меня есть пара очень неэффективных и больших винтажных динамиков Infinity 1970-х годов. Я работаю над трубчатой конструкцией около 100 WPC.
При мощности 300 Вт вы в значительной степени выходите за пределы диапазона «чипового усилителя». Но если вы хотите что-то очень похожее на чип-усилитель, в котором все, что вам нужно сделать, это добавить мощность, шасси и подключить его, тогда посмотрите на это
PM224 Модуль усилителя мощности MOSFET, высоковольтный усилитель мощности
Последнее редактирование:
#4
- #4
ChrisA сказал:
Во-первых, почему 300 Вт? Как вы определили, что вам нужно столько энергии? Может быть, нет. Есть веские причины, по которым нужен большой усилитель. Мне он тоже нужен, но убедитесь, что у вас есть одна из этих причин, иначе вы просто потратите деньги впустую. В моем случае у меня есть пара чрезвычайно неэффективных и больших 19Винтажные колонки Infinity 70-х годов. Я работаю над трубчатой конструкцией около 100 WPC.
При мощности 300 Вт вы в значительной степени выходите за пределы диапазона «чипового усилителя». Но если вы хотите что-то очень похожее на чип-усилитель, в котором все, что вам нужно сделать, это добавить мощность, шасси и подключить его, тогда посмотрите на этот модуль усилителя мощности MOSFET
PM224, усилитель мощности высокого напряжения.Нажмите, чтобы развернуть…
Есть способы получить больше мощности с помощью чип-усилителей… вам просто нужно знать, как это сделать. Смотри:
http://www.national.com/an/AN/AN-1192.pdf
Скотт
#5
- #5
Привет,
попробуйте усилитель Lynx от Jan Dupont. Если ни по какой другой причине, его инструкции по сборке с его веб-сайта превосходны. На самом деле это лучшая инструкция, которую я когда-либо встречал) Это очень мощный усилитель, и в данный момент идет групповая покупка печатных плат.
Это не чип-усилитель, но посмотрите характеристики и решите сами.
#6
- #6
Возможно?
LM4780 дает около 65 Вт на 8 Ом.
Не могли бы вы соединить пару вместе с каждой стороны, получив
130 Вт/канал на 8 Ом? Это было бы близко!
Дэвид В. Уэббер
#7
- #7
аудиомикрофон,
Добившись успеха с маломощными усилителями на микросхемах, вы можете попробовать собрать усилитель на микросхемах lme498xx. у них очень высокое номинальное напряжение, и у участника этого форума pansonaudio.com есть несколько очень хороших комплектов.
Вы впервые попробуете полудискретную настройку и получите очень хороший усилитель, когда закончите. Национальные государства утверждают, что эти чипы могут быть построены до мощности более 500 Вт. Это должно поставить вас на территорию власти, которую вы хотите.
Просто отметим, что чип-усилитель Jeff Rowland, работающий на 6 устройствах lm3886, подключенных параллельно мосту, был рассчитан на мощность 300 Вт при нагрузке 4 Ом. Я собрал этот усилитель и могу сказать вам, что он звучит очень хорошо, но сильно нагревается при работе с проблемными динамиками. Вы можете найти печатные платы для этого клона Джеффа Роуленда здесь, в diy audio. Если вы зайдете на сайт Shine7.com, вы сможете прочитать все об этом клоне.
Тад
#8
- #8
СпикерСкотт сказал:
Есть способы получить больше мощности с помощью чип-усилителей… вам просто нужно знать, как это сделать. Взгляните:
http://www.national.com/an/AN/AN-1192.pdf
Скотт
Нажмите, чтобы развернуть…
Да, я знаю, что ему подойдет последовательная/параллельная установка. Но для стереоусилителя мощностью 300 Вт ему понадобилось бы в общей сложности целых десять усилителей на микросхемах. Также можно использовать мосфеты. Но мы не знаем, что ему нужно, может быть, он как нагрузка 8 Ом или, может быть, 4 Ом, может быть, 100WPC в порядке?
#9
- #9
ChrisA сказал:
Да, я знаю, что для него подойдет последовательная/параллельная установка. Но для стереоусилителя мощностью 300 Вт ему понадобилось бы в общей сложности целых десять усилителей на микросхемах. Также можно использовать мосфеты. Но мы не знаем, что ему нужно, может быть, он как нагрузка 8 Ом или, может быть, 4 Ом, может быть, 100WPC в порядке?
Нажмите, чтобы развернуть…
Он сказал 300Вт стерео, но потом сказал 2×150… так что я подумал, что усилитель BPA ему подойдет.
— Скотт
#10
- #10
ChrisA сказал:
При мощности 300 Вт вы в значительной степени выходите за пределы диапазона «чип-усилителя».
Нажмите, чтобы развернуть…
TI производит до 600 Вт на чип. Решение для цифрового усилителя
— усилитель класса D с аналоговым входом — TAS5630 — TI.com
#11
- #11
#12
- #12
DIY BPA300 6x LM3886 Аудиоусилитель мощностью 300 Вт
Вам потребуется около 6 lm3886, чтобы получить 300 Вт на 4 Ом.
3 параллельных соединения с 3 параллельными соединениями. с трансформатором не менее 500 ВА и около 40000 мкФ на шину напряжения.
Самодельный BPA300 6x LM3886 Аудиоусилитель мощностью 300 Вт
Таким образом, для стереосистемы мощностью 300 Вт вам потребуется 12 x lm3886 и 1kv 25 0 25 тороидальных и большое количество фильтрующих колпачков для всего тока.
Я построил свой для сверхмощного монофонического сабвуфера (80 Гц и ниже). Не думаю, что мне когда-нибудь в жизни понадобится стереосистема мощностью 300 Вт, если только я не стану оратором, а этого не будет, потому что я не выступаю с речами.
№13
- №13
DaveSail сказал:
LM4780 дает около 65 Вт на 8 Ом.
Не могли бы вы соединить пару вместе с каждой стороны, получив
130 Вт/канал на 8 Ом?Нажмите, чтобы развернуть. ..
нет нельзя. Посмотрите, как я уже говорил ранее, на ограничения по току и напряжению, установленные выбранным усилителем.
№14
- №14
Проблема, с которой вы столкнетесь при использовании мощного чип-усилителя, заключается в отводе тепла. У транзисторов National просто недостаточно площади поверхности для передачи тепла на радиатор. Вы также теряете большую часть своей долгосрочной надежности.
Микросхемы LM3886 склонны к гудению при воздействии многочисленных дорожек печатной платы и внешних проводов. Их понадобится немало, стоят они недешево, что усложняет разводку трасс и разводку.
Вы твердо намерены использовать интегрированные чипы? Если нет, то тут на форуме есть несколько ПРОВЕРЕННЫХ и отлаженных макетов. Квази, например, имеет несколько хороших конструкций MOSFET и BJT, которые можно масштабировать практически до любого разумного уровня мощности. Вы также можете собрать очень хороший усилитель Leach. Эти прослужат долго.
Тад
Последнее редактирование: 08.2010 11:38
№15
- №15
tryonziess сказал:
У транзисторов National просто недостаточно площади поверхности для передачи тепла на радиатор.
Нажмите, чтобы развернуть…
Я с этим не согласен. или, по крайней мере, я хотел бы изменить ваше предложение тоже
«Если вы выйдете за максимальные границы таблицы данных lm3886, на транзисторах National просто недостаточно площади поверхности для передачи тепла на радиатор».
если вы остаетесь в пределах максимальных условий напряжения и нагрузки, установленных производителем, все работает нормально в течение многих лет.
максимум
a)
1 x lm3886 при +-35 В пост. тока может подавать среднеквадратичную мощность 50 Вт на нагрузку 8 Ом, не нагружайте его 6 Ом или 4 Ом или ниже при +-35 В пост. радиатор должен быть
b)
1 x lm3886 при +-28 В постоянного тока может выдавать среднеквадратичную мощность 68 Вт при сопротивлении 4 Ом, не нагружайте 3 Ом или ниже. посмотрите на таблицу данных, чтобы увидеть, насколько большим должен быть ваш радиатор.
c)
2 x lm3886 в параллельном соединении при +-35 В пост. тока на 4 Ом могут давать 100 Вт (каждый lm3886 «видит» 8 Ом)
радиатор должен быть в два раза больше, чем в ситуации a.
d)
2 x lm3886 в мостовом режиме при +-28 В пост. тока могут подавать 100 Вт на нагрузку 8 Ом (каждый lm3886 «видит» нагрузку 4 Ом)
вам потребуется вдвое больший размер радиатора, чем в случае b.
, если вам нужен усилитель большей мощности и вы придерживаетесь правил проектирования для каждого чипа, у вас не должно возникнуть проблем.
Просто посчитайте стоимость. на определенном этапе становится дешевле использовать полупроводниковые.
Мне больше нравится шунтировать два микросхемы на 8 Ом, чтобы получить 100 Вт с тороидальными конденсаторами 22 В 0 22 В и выпрямительными конденсаторами 50 В, чем играть с конденсаторами 44 0 44 AC и 80 В.
№16
- №16
тангмонстр сказал:
Мне гораздо больше нравится шунтировать два микросхемы на 8 Ом для получения 100 Вт с тороидальными конденсаторами 22 В 0 22 В и выпрямительными конденсаторами 50 В, чем играть с конденсаторами 44 0 44 переменного тока и 80 В.
Нажмите, чтобы развернуть…
Я предпочитаю трансформатор 35+35 В переменного тока со сглаживающими конденсаторами на 63 В постоянного тока, чтобы обеспечить мощность от 110 до 120 Вт в усилителе 8r0. Вам не нужны конденсаторы на 80 В и 44 + 44 В переменного тока для 100 Вт.
Я бы ожидал> 200 Вт в 8r0 от 44 + 44 В переменного тока.
# 17
- # 17
да, я думаю, что моя математика немного отстой
# 18
- # 18
tryonziess сказал:
Проблема, с которой вы столкнетесь при использовании усилителя высокой мощности, заключается в том, чтобы избавиться от тепла. У транзисторов National просто недостаточно площади поверхности для передачи тепла на радиатор.
Нажмите, чтобы развернуть…
Чип TI, к которому я подключился, довольно мал, но легко справляется с большой мощностью. Все дело в правильном использовании ваших транзисторов.
По понятным причинам дискретные полевые МОП-транзисторы легко превзойдут любое интегрированное решение в отношении мощности. А дискретные IGBT превосходят полевые МОП-транзисторы. (БТИЗ используются в электроприводах для электромобилей, некоторые рассчитаны на мощность более половины мегаватта!)
# 19
- # 19
Проблема, с которой вы столкнетесь при использовании усилителя высокой мощности, заключается в том, чтобы избавиться от тепла. У транзисторов National просто недостаточно площади поверхности для передачи тепла на радиатор. Вы также теряете большую часть своей долгосрочной надежности.
Нажмите, чтобы развернуть…
Это не может быть правдой. Каждый раз, когда вы добавляете еще один чип в усилитель, эти чипы поставляются в своем собственном корпусе, который имеет свою собственную площадь поверхности. Отлично масштабируется.
Т
Микросхемы LM3886склонны к гудению при воздействии на многочисленные дорожки печатной платы и внешние провода. Их понадобится немало, стоят они недешево, что усложняет разводку трасс и разводку.
Нажмите, чтобы развернуть…
Да, большая часть преимуществ чип-усилителя теряется, когда вам нужно поместить 10 таких усилителей в одно шасси. Теперь у вас есть длинные провода и проводка уже не простая. Вот почему я указал, что печатная плата MOSFET находится в верхней части этой темы. Вероятно, что-то вроде этого — лучший способ пойти.
Но на самом деле, прежде чем бежать и что-то строить, подумайте о звуке, который вы хотите. У всех усилителей свой звук. Сначала определитесь с этим, а затем создайте дизайн, который звучит так, как вам нравится. Сейчас я работаю над большим ламповым усилителем просто потому, что я этого хочу, а не потому, что он простой или дешевый. Вся цель любого усилителя в том, чтобы вы могли слушать музыку с его помощью. Так что пусть желаемый звук выбирает дизайн.
#20
- #20
tryonziess сказал:
Микросхемы LM3886 склонны к гудению при воздействии на многочисленные дорожки печатной платы и внешние провода. Их понадобится немало, стоят они недешево, что усложняет разводку трасс и разводку.
Тэд
Нажмите, чтобы развернуть…
Я не совсем согласен здесь. Напротив. LM3886 имеет (как и хороший операционный усилитель) очень хороший CMNR. Тем не менее, я заархивировал бесшумный результат со многими LM3886 в одном шасси, но все проводные соединения были сбалансированы дифференциальной проводкой для каждого чипа. В этой конфигурации LM3886 еще проще подключить к печатной плате с очень хорошими результатами, чем дискретные схемы.
В общем, любой дизайн требует хорошей компоновки для хорошего результата, будь то чипы, лампы или транзисторы.
С уважением,
Бас
Показать скрытый контент низкого качества
- Статус
- Эта старая тема закрыта. Если вы хотите повторно открыть эту тему, свяжитесь с модератором, нажав кнопку «Пожаловаться».
Делиться:
Фейсбук Твиттер Реддит Пинтерест Тамблер WhatsApp Электронная почта Делиться Связь
Верх Низ
Схема усилителя мощности 60 Вт, 120 Вт, 170 Вт, 300 Вт
В посте представлено подробное обсуждение деталей конструкции универсального усилителя высокой мощности, который можно модифицировать или настроить для любого диапазона в пределах 60 Вт, 120 Вт, 170 Вт. или даже выходная мощность 300 Вт (RMS).
Принципиальная схема на рис. 2 говорит о самой мощной форме усилителя, которая предлагает 300 Вт на 4 Ом. Настройки для уменьшения выходной мощности, несомненно, будут обсуждаться позже в посте.
Схема основана на паре последовательно соединенных полевых МОП-транзисторов T15 и T16, которые фактически питаются в противофазе от дифференциального усилителя. Учитывая, что входное сопротивление MOSFET находится на уровне 10 Ом, электрическая мощность привода действительно должна быть просто скромной. В результате МОП-транзисторы работают от напряжения.
Драйвер состоит преимущественно из T1 и T3, а также T12 и T13. Отрицательный постоянный ток обратная связь через выходной каскад обеспечивается резистором R22 и отрицательным напряжением переменного тока. обратная связь от R23—-C3.
усиление по напряжению составляет примерно около 30 дБ. Нижняя частота среза определяется значениями C1 и C3. Рабочее назначение первого дифференциального усилителя Т1, Т2 определяется током, протекающим через Т3.
Ток коллектора T5 определяет опорный ток для токового зеркала T3-T4. Чтобы обеспечить постоянство опорного тока, базовое напряжение T5 хорошо контролируется диодами D4-D5.
Выход T1-T2 управляет другим дифференциальным усилителем, T12-T13, токи коллектора которого определяют потенциал затвора для выходных транзисторов. Мера этого потенциала будет зависеть от рабочего положения T12-T13.
Токовые зеркала T9 и T10 вместе с диодами D2-D5 выполняют ту же функцию, что и T3-T4 и D4-D5 в первом дифференциальном усилителе.
Значимость реферального тока характеризуется коллекторным током Тм, который часто запланирован Р2 в эмиттерной цепи Т11. Эта конкретная комбинация моделирует ток покоя (смещения) без присутствия (входного сигнала).0683
Стабилизация тока покоя
Полевые МОП-транзисторы обладают положительным температурным коэффициентом каждый раз, когда их ток стока становится номинальным, гарантируя, что ток покоя (смещения) просто поддерживается постоянным за счет применимой компенсации.
Часто изготавливается из R17 сверхтокового зеркала T9-T10, которое включает отрицательный температурный коэффициент. Как только этот резистор прогревается, он начинает потреблять относительно более значительный процент опорного тока через T9..
Это приводит к уменьшению тока коллектора T10, что, в свою очередь, приводит к уменьшению напряжения затвор-исток полевых МОП-транзисторов, что эффективно компенсирует увеличение, вызванное PTC полевых МОП-транзисторов.
Постоянная теплового периода, на которую может влиять тепловое сопротивление радиаторов, определяет время, необходимое для выполнения стабилизации. Ток покоя (смещения) фиксируется P; согласуется в пределах +/-30%.
Защита от перегрева
МОП-транзисторы защищены от перегрева термистором R12 в базовой цепи T6. Каждый раз, когда достигается выбранная температура, потенциал на термисторе приводит к активации T7. Всякий раз, когда это происходит, T8 получает более значительную часть опорного тока с помощью T9-T11, которые успешно ограничивают выходную мощность MOSFET.
Термическая устойчивость определяется Pl, которая равна температуре радиатора защиты от короткого замыкания. В случае короткого замыкания выхода при появлении входного сигнала снижение напряжения на резисторах R33 и R34 приводит к T14 быть включенным.
Это вызывает падение тока через Т9/Т10 и, соответственно, токов коллектора Т12 и Т13. Эффективный диапазон полевых МОП-транзисторов впоследствии значительно ограничивается, обеспечивая минимальное рассеивание мощности.
Поскольку фактический ток стока зависит от напряжения сток-исток, для правильной настройки управления током важно иметь больше деталей.
Об этом свидетельствует падение напряжения на резисторах R26 и R27 (положительный и отрицательный выходные сигналы соответственно). Когда нагрузка меньше 4 Ом, напряжение база-эмиттер Tu уменьшается до уровня, который способствует действительному ограничению тока короткого замыкания до 3,3 А.
Детали конструкции
Конструкция усилителя MOSFET идеально построена на печатной плате, представленной на рис. 3. Тем не менее, до начала сборки необходимо определить, какой вариант предпочтительнее.
Рис. 2, а также список компонентов на Рис. 3 относятся к варианту мощностью 160 Вт. Настройки для вариантов 60 Вт, 80 Вт и 120 Вт представлены в таблице 2. Как показано на рис. 4, МОП-транзисторы и NTC устанавливаются под прямым углом.
Соединение штырьков показано на рис. 5. NTC ввинчиваются прямо в размер M3, нарезаются (нарезное сверло = 2,5 мм), отверстия: используйте много пасты для радиатора. Резистор Rza и Rai припаян непосредственно к затворам полевых МОП-транзисторов на медной стороне печатной платы. Катушка индуктивности L1 намотана на
R36: провод должен быть хорошо изолирован, с предварительно залуженными концами, припаянными к отверстиям рядом с отверстиями для R36. Конденсатор С1 может быть электролитического типа, но предпочтительнее вариант МКТ. Поверхности T1 и T2 должны быть склеены друг с другом с целью сохранения одинаковой теплоты их тел.
Помните проволочные мосты. Блок питания для модели мощностью 160 Вт показан в
Рис. 6: настройки для дополнительных моделей показаны в Таблице 2. Художественная концепция его проектирования представлена в
Рис. 7. Как только блок питания будет построен, можно будет проверить рабочие напряжения холостого хода.
Постоянный ток напряжения должны быть не выше +/- 55 В, иначе есть риск, что МОП-транзисторы откажутся от гоблина при первом включении.
В случае получения соответствующих нагрузок будет, конечно, предпочтительно, чтобы источник был проверен при ограничениях по нагрузке. После того, как источник питания понял, что он в норме, алюминиевый полевой МОП-транзистор привинчивается непосредственно к соответствующему радиатору.
На рис. 8 довольно хорошо представлены высота и ширина радиаторов, а также окончательный ассортимент стереомодели усилителя.
Для простоты в основном показано положение частей источника питания. Места стыковки радиатора и алюминиевой полевой МОП-транзисторы (и, возможно, тыльной панели корпуса усилителя) следует покрыть эффективным покрытием теплопроводной пастой. Каждая из двух сборок должна быть прикручена к встроенному радиатору не менее чем 6 калибровочными винтами M4 (4 мм).
Электропроводка должна точно соответствовать направляющим линиям на рис. 8.
Рекомендуется начать с проводов питания (толстый провод). Затем установите соединения заземления (в форме звезды) от заземления силового устройства к печатным платам и выходному заземлению.
После этого выполните кабельные соединения между платами и клеммами громкоговорителей, а также между входными разъемами и платами. Входное заземление всегда должно подключаться исключительно к заземляющему проводу на печатной плате — вот и все!
Калибровка и тестирование
Вместо предохранителей F1 и F2 установите резисторы 10 Ом, 0,25 Вт в их местах на печатной плате. Предустановка P2 должна быть зафиксирована полностью против часовой стрелки, хотя P1 запланирован к центру своего вращения.
Клеммы громкоговорителя остаются разомкнутыми, а вход должен быть закорочен. Включите сеть. В случае короткого замыкания в усилителе 10-омные резисторы начнут дымить!
В этом случае немедленно выключите, определите проблему, замените резисторы и снова включите питание.
Как только все будет выглядеть нормально, подключите вольтметр (диапазон 3 В или 6 В постоянного тока) к одному из 10-омных резисторов. На нем должно быть нулевое напряжение.
Если вы обнаружите, что P1 не перевернут полностью против часовой стрелки. Напряжение должно расти, пока P2 постоянно изменяется по часовой стрелке. Установите P1 на напряжение 2 В: ток в этом случае может быть 200 мА, то есть: 100 мА на MOSFET. Отсоедините и замените резистор 10 Ом рядом с предохранителями.
Вновь включите питание и проверьте напряжение между землей и выходом усилителя: оно точно будет не выше +/-20 мВ. После этого усилитель подготавливается к работе по назначению.
Заключение. Как объяснялось ранее, норматив переключения контура защиты от перегрева должен быть рассчитан примерно на 72,5 °C.