Ультрабыстрые диоды: Ультрабыстрые диоды (диоды Шоттки) | Техника и Программы — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Ультрабыстрые диоды (диоды Шоттки) | Техника и Программы

Идеально подходят для силовых схем так называемые диоды Шоттки. Отличие диодов Шоттки от других диодов состоит в том, что они производятся по оригинальной технологии, и в их структуре практически отсутствуют неосновные носители заряда, которые как раз и влияют на величину времени обратного восстановления. На сегодняшний день в номенклатуре фирм можно встретить диоды Шоттки, допускающие прямой ток через себя порядка 240 А, например, 249NQ150 производства фирмы «International Rectifier». Другое преимущество диодов Шоттки — более низкое падение напряжения в открытом состоянии, что делает их незаменимыми в низковольтных схемах.

К сожалению, диоды Шоттки имеют существенный недостаток: максимальное обратное напряжение у самых лучших представителей этого класса силовых приборов не превышает величину 150 В. Более того, в подавляющем большинстве случаев вы едва ли встретите диоды Шоттки встроенными в корпуса мощных силовых модулей.

Что предпринять в таком случае? К счастью, разработана технология производства специальных ультрабыстрых диодов, называемых гексагональными эпитаксильными диодами со сверхбыстрым временем обратного восстановления. Например, диоды серии Hexfred, производимые фирмой «International Rectifier», имеют величинудопустимого напряжения в закрытом состоянии до 1200 В, а по своим свойствам обратного восстановления могут легко соперничать с диодами Шоттки.

Познакомимся с характеристиками ультрабыстрых диодов поподробнее. На рис. 2.7.25 показана типовая кривая обратного восстановления ультрабыстрого диода. В момент открывания ключевого транзистора VT начинается спадание тока диода, затем ток достигает нулевого значения, меняет знак и далее достигает значение i

rrm, называемого в технической документации пиковым током обратного восстановления (peak reverse recovery current). Процесс нарастания тока обратного восстановления занимает время /_fl, называемое временем роста обратного тока восстановления. После этого ток спадает до

Конечно, в технической документации обычно приводятся данные по суммарному времени обратного восстановления, пиковому току обратного восстановления, и по этим данным теоретически можно рассчитать тепловые потери, возникающие в процессе обратного восстановления диода. Однако на практике пользоваться этими данными для расчета тепловых потерь неудобно, так как величина пикового тока обратного восстановления и время восстановления зависят от величины приложенного обратного напряжения. Производители диодов рекомендуют для определения тепловых потерь обратного восстановления пользоваться величиной заряда обратного восстановления (reverse recovery charge), обозначаемого символом Q

rr Величину заряда обратного восстановления можно получить непосредственно из технической документации на конкретный диод или рассчитать по приближенной формуле

нулевого значения за время t_b₉ называемое временем спада обратного тока восстановления. Полное время t_rr обратного восстановления диода (reverse recovery time) определяется по формуле

Тепловые потери обратного диода в полумостовых силовых схемах складываются из статических потерь проводимости и потерь обратного восстановления. Статические потери вычислить несложно: они будут определяться величиной прямого падения напряжения U_f на открытом диоде, средним током проводимости и длительностью протекания тока в открытом состоянии, отнормированному к периоду коммутации.

С потерями обратного восстановления сложнее. Поскольку к диоду прикладывается большое обратное напряжение в то время, когда через него течет прямой ток, диоду нужно рассеивать большую мощность. Функция изменения тока во времени носит сложный характер (рис. 2.7.25), поэтому нам придется вычислять мгновенную мощность на очень коротких промежутках времени, а потом получившиеся результаты просуммировать.

Итак, энергия тепловых потерь определяется суммой произведений тока через диод на напряжение, приложенное к нему, на протяжении времени протекания тока. будет определяться по формуле

Если мы внимательнее присмотримся к формуле (2.7.9), то обнаружим, что интеграл здесь есть заряд обратного восстановления диода, который может быть вычислен по формуле (2.7.8) или взят из справочных данных. С учетом приведенных выражений, можно вычислить мощность потерь обратного восстановления:

где / — частота коммутации.

Полные тепловые потери, как обычно, определяются суммой статических и динамических потерь по формуле

В табл. 2.7.2 приведены основные параметры некоторых ультрабыстрых диодов.

Таблица 2.7.2, Параметры некоторых ультрабыстрых диодов фирмы «International Rectifier»

Мировые производители силовой элементной базы выпускают столь большую номенклатуру ультрабыстрых диодов, что рассматривать их в рамках данной книги просто не имеет смысла, а читатели без труда найдут для своих разработок подходящие диоды без дополнительных авторских «наводок». Расскажем лишь о перспективах отечественного производства этих важных для силовой электроники компонентов. К примеру, ОАО «ВЗПП-Сборка» [18] выпускает значительное количество ультрабыстрых диодов, аналоги которых производятся «International Rectifier». Диапазон токов этих диодов ограничивается значениями 20…25 А, поэтому в случае необходимости использования более мощных диодов имеет смысл обратить внимание на продукцию ОАО «Электровыпрямитель» [21]. Эта уже знакомая нам фирма поставляет на рынок диодные быстровосстанавливающиеся модули типа SFRD в полумостовом включении (анод первого дио

да подключен к катоду второго) и в одиночном включении. Полумостовые диодные сборки маркируются как М2ДЧ, а одиночные — как МДЧ. Время обратного восстановления диодов и диодных сборок не превышает 0,2…0,3 мкс при номинальных рабочих токах до 300 А.

Кратко упомянем такие всем известные элементы, как стандартные диодные мосты. Оказывается, при разработке силовых схем статических преобразователей эти элементы играют чрезвычайно важную роль: диодный мост — это одно из важнейших звеньев силовой преобразовательной схемы, и при выходе его из строя неработоспособным становится весь преобразователь. Кроме того, до настоящего времени разработчику приходилось закладывать в свои разработки выпрямительные диоды в одиночном исполнении, соединяя их, например, по трехфазной схеме выпрямления Ларионова. Понятно, что при таком подходе разработчик сильно проигрывает в габаритах этого узла.

Специально для применения в силовой преобразовательной технике разработаны компактные диодные мосты, включающие в себя четыре диода (однофазная схема) и шесть диодов (трехфазная схема). На рис. 2.7.26 показан внешний вид трехфазного диодного моста типа 160MT120KB, выпускаемого фирмой «International Rectifier». Диодный мост выдерживает значение продолжительного номинального тока до 160 А, а также значение пикового пускового тока до 1500 А. Диоды моста рассчитаны на значение обратного напряжения до 1200 В.

Интерес для разработчика силовой преобразовательной техники могут также представлять диодные мосты, производимые ЗАО «Электрум АВ» [22]. Номенклатура их достаточно широка: выпускаются

мосты как для монтажа на печатную плату (в том числе и в трехфазном варианте), так и для объемного монтажа. К примеру, мосты типоразмера M6 (рис. 2.7.27) производятся на номинальные токи 63 А, 100 А, 160 А, 200 А, 250 А с рабочим напряжением до 1200 В (исполнение 12) и до 1600 В (исполнение 16). Диоды выдерживают пятикратную токовую перегрузку.

Источник: Семенов Б. Ю. Силовая электроника: профессиональные решения. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2011. — 416 c.: ил.

Vsp-mikron

ЗАО «ВЗПП-Микрон» разрабатывает и производит кристаллы ультрабыстрых диодов (УБД), предназначенные для использования в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей от переполюсовки и др. Кристаллы УБД изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии.

Обозначения и сокращения

— V_B (U_обр) — пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;

— V_F(U_пр) — постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;

— I_R (I_обр) — ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;

— I_F₍_AV) (I_пр) — cредний прямой ток диода;

— t_rr (t_{вос.обр}) — время обратного восстановления диода.

Основные характеристики ультрабыстрых диодов

— Широкий диапазон рабочих токов и напряжений : I_F(_AV)= 1÷25A; V_RRM= 400÷1200В;

— Низкое прямое напряжение – V_F;

— Малые значения обратных токов – I_R;

— Низкая рассеиваемая мощность;

— Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (Т

А=25ºС) по основным параметрам: V_B,_{I_R, I_RRM, а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру V_F при номинальном значении прямого тока I_F₍_AV).
Значение обратного тока при повы�?енной температуре тестируется на выборках кристаллов на 100% пластин.
Соответствие остальных параметровтребованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.
После тестирования электрических параметров проводится контроль вне�?него вида с выбраковкой потенциально ненадежных кристаллов на 100% пластин.
ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы ультрабыстрых диодов. Металлизация катода -Ti-Ni-Ag позволяет проводить монтаж кристалла на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев.
Потребителю также предоставляется возможность выбора подходящего ему размера кристалла, исходя из оптимального соотно�?ения цены и качества.
Возможна разработка УБД по требованиям заказчика с параметрами необходимыми для конкретного применения.

Новые ультрабыстрые диоды от VISHAY
20 марта 2013
Компания Vishay выпустила ряд новых ультрабыстрых диодов и диодов с мягким восстановлением соответствующих автомобильному стандарту качества и характеристик (AEC-Q101). Все диоды сочетают очень быстрое и мягкое восстановление характеристик с низким прямым падением напряжения и низким током утечки. Использование этих «Hyperfast» и «Ultrafast» диодов позволяет уменьшить динамические потери и электромагнитные наводки в мощных высокочастотных импульсных преобразователях.
Диоды, изготовленные по технологии FRED Pt, имеют планарную структуру и легируются платиной, чтобы гарантировать высокую производительность, прочность и надежность характеристик. Максимальная рабочая температура перехода, предусмотренная технологией, составляет +175°C. Используя самые последние разработки в области эпитаксиальной структуры и передовые технологии обработки, HEXFRED-диоды позволяют разработчикам значительно упростить демпфирующие цепочки, уменьшить количество компонентов схемы и размер радиатора охлаждения.
Основные преимущества:
Широкий выбор корпусов: DPAK, TO-220, D2PAK, TO-262, TO-247 и модифицированный TO-247;
Прямой ток от 4 А до 60 А;
Обратное напряжение от 200 В до 1200 В;
Быстрое время восстановления;
Низкое прямое падение напряжения;
Низкий ток утечки;
Высокая рабочая температура;
Диоды в корпусах DPAK, D2PAK, TO-262 имеют уровень MSL1;
RoHS-совместимы и без галогенов.
Область применения: AC/DC, DC/DC источники питания, вспомогательные и тяговые преобразователи, HID освещение и другие инверторы мощностью до 20 кВт.
Технические характеристики новых диодов представлены в таблице:
Образцы новых диодов доступны со склада Компэл.
•••
Наши информационные каналы
О компании Vishay
VISHAY
Компания Vishay Intertechnology Inc. (Vishay) основана в 1962 году в США выходцем из Литвы, инженером Феликсом Зандманом, переехавшим в Америку из Европы в 1952 году, и его родственником и компаньоном Альфредом Сланером. На момент основания Vishay Зандман работал в компании Budd, где развивал собственную методику измерения деформаций – метод фотостресса, а также пробовал разрабатывать прецизионный фольговый резистор на стеклянной (а не керамической) основе. Последний не заинтересовал ру …читать далее
Поиск по параметрам
Выпрямительные диодыДИОДЫ БЫСТРЫЕ/УЛЬТРАБЫСТРЫЕ
В ДАННЫЙ МОМЕНТ НА САЙТЕ ВЕДУТСЯ ТЕХНИЧЕСКИЕ РАБОТЫ ПО ОБНОВЛЕНИЮ НОМЕНКЛАТУРЫ И ЦЕН.
ЦЕНА ТОВАРА МОЖЕТ МЕНЯТСЯ И НЕСЕТ ОЗНАКОМИТЕЛЬНЫЙ ХАРАКТЕР (ВРЕМЕННО).
ООО «АТЛАНТА 2016» предоставляет услуги по производству изделий со стали, латуни и нержавейки по индивидуальным заказам. Возможны варианты покрытия изделий цинком, никелем, кадмием.
Стоимость каждого изделия просчитывается отдельно по запросу.
Изделия изготавливаются исключительно по чертежам заказчика.
Срок производства от 1 до 4 недель в зависимости от количества, сложности, гальваники и загруженности производства.

Компания является поставщиком комплектующих для электронного оборудования та крепежных систем DIN, ISO, ГОСТ, ОСТ:
МИКРОСХЕМЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, СБОРКИ ТРАНЗИСТОРОВ, ДИОДЫ, ДИОДНЫЕ МОСТЫ, СТАБИЛИТРОНЫ, СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ, ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ, ОПТОСИМИСТОРЫ, КОНДЕНСАТОРЫ, ИОНИСТОРЫ, РЕЗИСТОРЫ, СБОРКИ РЕЗИСТОРОВ, ПОТЕНЦИОМЕТРЫ, РЕЗОНАТОРЫ, ГЕНЕРАТОРЫ, ФИЛЬТРЫ, ТРАНСФОРМАТОРЫ, ДРОССЕЛИ, ФЕРРИТЫ, ЭНКОДЕРЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ЛЕНТЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ЛАМПЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ПРОЖЕКТОРЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МОДУЛИ, КОНТРОЛЛЕРЫ, АЛЮМИНИЕВЫЙ ПРОФИЛЬ ДЛЯ ЛЕНТ, СВЕТОДИОДНЫЕ ПАНЕЛИ, НАСТОЛЬНЫЕ СВЕТОДИОДНЫЕ ЛАМПЫ, СВЕТОДИОДЫ, ДЕРЖАТЕЛИ ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ, LCD ИНДИКАТОРЫ, БЛОКИ ПИТАНИЯ, DC/DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, DC/AC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, ИСТОЧНИКИ БЕСПЕРЕБОЙНОГО ПИТАНИЯ 12V, НАСТОЛЬНЫЕ СЕТЕВЫЕ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ, СЕТЕВЫЕ АДАПТЕРЫ, ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ В КОРПУСЕ/КОЖУХЕ, ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫЕ С КРЕПЛЕНИЕМ НА DIN-РЕЙКУ, ГЕРМЕТИЧНЫЕ ИП, ИСТОЧНИКИ ТОКА, ЛАБОРАТОРНЫЕ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ, ОПТОПАРЫ, ОПТРОНЫ ИМПОРТНЫЕ, ФОТОДИОДЫ, ФОТОТРАНЗИСТОРЫ, ФОТОРЕЗИСТОРЫ, ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИК И УФ ДИАПАЗОНА, РЕЛЕ, КОЛОДКИ ПОД РЕЛЕ, МИКРОФОНЫ, ИЗЛУЧАТЕЛИ ЗВУКА, ДАТЧИКИ, ГЕРКОНЫ, ПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ГАЗОВЫЕ РАЗРЯДНИКИ, ВАРИСТОРЫ, ТЕРМОПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ТЕРМОСТАТЫ, ДЕРЖАТЕЛИ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ, ТЕРМИСТОРЫ NTC, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ, КНОПКИ, ТУМБЛЕРЫ, РАЗЪЕМЫ, КЛЕММЫ, НАКОНЕЧНИКИ, КЛЕММНИКИ, КРОКОДИЛЫ, БАНАНЫ, ПАНЕЛЬКИ, СОЕДИНИТЕЛЬНЫЕ ШНУРЫ, КАБЕЛИ, ВИТЫЕ ПАРЫ (STP, UTP), ШНУРЫ ПИТАНИЯ, РАЗЪЕМЫ ПИТАНИЯ DC С ПРОВОДАМИ, ПРОВОДА, ВЕНТИЛЯТОРЫ, РЕШЕТКИ ДЛЯ ВЕНТИЛЯТОРОВ, РАДИАТОРЫ, ТЕПЛОПРОВОДЯЩИЕ ПОДЛОЖКИ, БАТАРЕЙНЫЕ ОТСЕКИ, РУЧКИ ДЛЯ ПЕРЕМЕННЫХ РЕЗИСТОРОВ, КАБЕЛЬНЫЕ ВВОДЫ, ВТУЛКИ ПРОХОДНЫЕ, КРЕПЕЖ ДЛЯ КАБЕЛЯ, СТОЙКИ ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ, КОРПУСА РЭА, КАССЕТНИЦЫ, НОЖКИ, РУЧКИ ДЛЯ КОРПУСОВ, ВОЛЬТМЕТРЫ, АМПЕРМЕТРЫ, ТАХОМЕТРЫ, ТЕРМОМЕТРЫ, МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ, ПАЯЛЬНЫЕ СТАНЦИИ, ПАЯЛЬНИКИ, МУЛЬТИМЕТРЫ, ОСЦИЛЛОГРАФЫ, ИНСТРУМЕНТ, СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ, ПРИПОЙ, ФЛЮСЫ, ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА, ИЗОЛЕНТА, ХИМИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ, СВЕТОДИОДНЫЕ ФОНАРИ, БАТАРЕЙКИ, АККУМУЛЯТОРЫ, ЗАРЯДНЫЕ УСТРОЙСТВА, ВТУЛКИ РЕЗЬБОВЫЕ РОЗВАЛЬЦОВЫВАЕМЫЕ, СТОЙКИ УСТАНОВОЧНЫЕ, ШАЙБЫ, ВИНТЫ, БОЛТЫ, ГАЙКИ.

Новые ультрабыстрые диоды от VISHAY
Новые ультрабыстрые диоды от VISHAY VS Компания Vishay выпустила ряд новых ультрабыстрых диодов и диодов с мягким восстановлением соответствующих автомобильному стандарту качества и характеристик (AEC-Q101). Все диоды сочетают очень быстрое и мягкое восстановление характеристик с низким прямым падением напряжения и низким током утечки. Использование этих «Hyperfast» и «Ultrafast» диодов позволяет уменьшить динамические потери и электромагнитные наводки в мощных высокочастотных импульсных преобразователях. Диоды, изготовленные по технологии FRED Pt, имеют планарную структуру и легируются платиной, чтобы гарантировать высокую производительность, прочность и надежность характеристик. Максимальная рабочая температура перехода, предусмотренная технологией, составляет +175°C. Используя самые последние разработки в области эпитаксиальной структуры и передовые технологии обработки, HEXFRED-диоды позволяют разработчикам значительно упростить демпфирующие цепочки, уменьшить количество компонентов схемы и размер радиатора охлаждения. Основные преимущества: Широкий выбор корпусов: DPAK, TO-220, D2PAK, TO-262, TO-247 и модифицированный TO-247; Прямой ток от 4 А до 60 А; Обратное напряжение от 200 В до 1200 В; Быстрое время восстановления; Низкое прямое падение напряжения; Низкий ток утечки; Высокая рабочая температура; Диоды в корпусах DPAK, D2PAK, TO-262 имеют уровень MSL1; RoHS-совместимы и без галогенов. Область применения: AC/DC, DC/DC источники питания, вспомогательные и тяговые преобразователи, HID освещение и другие инверторы мощностью до 20 кВт. Технические характеристики новых диодов представлены в таблице: Наименование Корпус Серия Тип If (A) VRRM (В) VF (В) trr (нс) VS-6CWH02FNHM3 DPAK FRED Pt Ultrafast rectifier 2 x 3 200 1 19 VS-MURD620CTHM3 DPAK FRED Pt Ultrafast rectifier 2 x 3 200 1 19 VS-8CWH02FNHM3 DPAK FRED Pt Hyperfast rectifier 2 x 4 200 0.95 23 VS-6EWH06FNHM3 DPAK FRED Pt Ultrafast rectifier 6 600 2.1 18 VS-6EWX06FNHM3 DPAK FRED Pt Hyperfast rectifier 6 600 3.1 14 VS-8EWH06FNHM3 DPAK FRED Pt Hyperfast rectifier 8 600 2.4 18 VS-HFA04SD60SHM3 DPAK HEXFRED Ultrafast diode 4 600 1.8 17 VS-ETh2506SHM3 D2PAK FRED Pt Hyperfast rectifier 15 600 2.45 21 VS-ETU3006SHM3 D2PAK FRED Pt Ultrafast rectifier 30 600 2 30 VS-ETh4006SHM3 D2PAK FRED Pt Hyperfast rectifier 30 600 2.65 27 VS-ETh2506-1HM3 TO-262 FRED Pt Hyperfast rectifier 15 600 2.45 21 VS-ETU3006-1HM3 TO-262 FRED Pt Ultrafast rectifier 30 600 2 30 VS-ETh4006-1HM3 TO-262 FRED Pt Hyperfast rectifier 30 600 2.65 27 VS-HFA25TB60HN3 TO-220 HEXFRED Ultrafast diode 25 600 1.7 23 VS-HFA30TA60CHN3 TO-220 HEXFRED Ultrafast diode 2 x 15 600 1.7 19 VS-60APU06HN3 TO-247 FRED Pt Ultrafast diode 60 600 1.68 34 VS-60EPU06HN3 TO-247 m FRED Pt Ultrafast diode 60 600 1.68 34 VS-HFA30PB120HN3 TO-247 m HEXFRED Ultrafast diode 30 1200 4.1 47 VS-30EPH06HN3 TO-247 m FRED Pt Hyperfast rectifier 30 1200 2.6 28
Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 — Изделия с приемкой ВП АО «ФЗМТ»
Изделия / Приемка ВП / 2Д684
Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 с приемкой ВП
Область применения
Кремниевые эпитаксиально — планарные мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684, диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом,
по схеме удвоения (далее по тексту — «диоды и диодные сборки»), в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими
плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.
Категория качества диодов и диодных сборок — «ВП».
Классификация, основные параметры и размеры
Диоды изготавливают одного типа четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02,
четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02,
четырех типономиналов в корпусах ПБВК.432123.004.
Диодные сборки изготавливаются трех типов двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02,
двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02
и двенадцати типономиналов в корпусах ПБВК.432123.004.
Диодные сборки с общим катодом относятся к первому типу, диодные сборки с общим анодом относятся ко второму типу,
диодные сборки по схеме удвоения относятся к третьему типу.
Основные и классификационные характеристики диодов и диодных сборок приведены в таблице ниже.
Схемы разводки диодов и диодов в составе диодных сборок в корпусе, нумерация выводов корпуса приведены на рисунках ниже.
Диоды и диодные сборки изготавливаются в исполнении, предназначенные для ручной сборки (монтажа) аппаратуры.
Условное обозначение диодов и диодных сборок при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
Диод 2Д684В АЕЯР.432120.557ТУ.
Диодная сборка 2Д684ВС1 АЕЯР.432120.557ТУ.
Диод 2Д684В1 АЕЯР.432120.557ТУ.
Диодная сборка 2Д684ВС11 АЕЯР.432120.557ТУ.
Диод 2Д684В2 АЕЯР.432120.557ТУ.
Диодная сборка 2Д684ВС12 АЕЯР.432120.557ТУ.
Основные и классификационные параметры диодов и диодных сборок.
Условное обозначение Код ОКП Основные и классификационные параметры в нормальных климатических условиях¹, буквенное обозначение, единица измерения, (режим измерения) Условное обозначение корпуса по ГОСТ 18472 Обозначение габаритного чертежа Обозначение схемы соединения² Обозначение комплекта конструкторской документации
U_{обр max}, В U_пр, В I_пр, А I_обр, мА
Диоды
2Д684В 6341316855 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧ Д ПБВК.432123.001-02
2Д684Г 6341316865 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.001-03
2Д684Д 6341316875 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.001-04
2Д684Е 6341316885 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.001-05
2Д684В1 6341316895 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧ ПБВК.432123.002-02
2Д684Г1 6341316905 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.002-03
2Д684Д1 6341316915 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.002-04
2Д684Е1 6341316925 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.002-05
2Д684В2 6341316755 400 1,5 8 0,1 — ПБВК.432123.004ГЧ ПБВК.432123.004-02
2Д684Г2 6341316765 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.004-03
2Д684Д2 6341316775 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.004-04
2Д684Е2 6341316785 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.004-05
Сборки с общим катодом
2Д684ВС1 6341316955 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧ ОК ПБВК.432123.001-12
2Д684ГС1 6341316965 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.001-13
2Д684ДС1 6341316975 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.001-14
2Д684ЕС1 6341316985 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.001-15
2Д684ВС11 6341316995 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧ ПБВК.432123.002-12
2Д684ГС11 6341317005 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.002-13
2Д684ДС11 6341317015 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.002-14
2Д684ЕС11 6341317025 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.002-15
2Д684ВС12 6341316795 400 1,5 8 0,1 — ПБВК.432123.004ГЧ ПБВК.432123.004-12
2Д684ГС12 6341316805 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.004-13
2Д684ДС12 6341316815 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.004-14
2Д684ЕС12 6341316825 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.004-15
Сборки с общим анодом
2Д684ВС2 6341317055 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧ ОА ПБВК.432123.001-22
2Д684ГС2 6341317065 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.001-23
2Д684ДС2 6341317075 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.001-24
2Д684ЕС2 6341317085 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.001-25
2Д684ВС21 6341317095 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧ ПБВК.432123.002-22
2Д684ГС21 6341317105 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.002-23
2Д684ДС21 6341317115 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.002-24
2Д684ЕС21 6341317125 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.002-25
2Д684ВС22 6341321805 400 1,5 8 0,1 — ПБВК.432123.004ГЧ ПБВК.432123.004-22
2Д684ГС22 6341321815 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.004-23
2Д684ДС22 6341321825 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.004-24
2Д684ЕС22 6341321835 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.004-25
Сборки по схеме удвоения
2Д684ВС3 6341317035 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧ СУ ПБВК.432123.001-32
2Д684ГС3 6341317045 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.001-33
2Д684ДС3 6341317135 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.001-34
2Д684ЕС3 6341317145 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.001-35
2Д684ВС31 6341317155 400 1,5 8 0,1 КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧ ПБВК.432123.002-32
2Д684ГС31 6341317165 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.002-33
2Д684ДС31 6341316835 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.002-34
2Д684ЕС31 6341316845 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.002-35
2Д684ВС32 6341321845 400 1,5 8 0,1 — ПБВК.432123.004ГЧ ПБВК.432123.004-32
2Д684ГС32 6341321855 400 1,5 15 0,1 ПБВК.432123.004-33
2Д684ДС32 6341321865 600 1,6 8 0,1 ПБВК.432123.004-34
2Д684ЕС32 6341321875 600 1,6 15 0,1 ПБВК.432123.004-35
Однофазные мосты
2Д684Д4 6341317175 600 1,6 8 0,1 — ПБВК.435711.005ГЧ ОМ ПБВК.435711.005
2Д684Е4 6341317185 600 1,6 15 0,1 ПБВК.435711.005-01
2Д684Д41 6341317195 600 1,6 8 0,1 ПБВК.435711.006ГЧ ПБВК.435711.006
2Д684Е41 6341317205 600 1,6 15 0,1 ПБВК.435711.006-01
2Д684Д42 6341317215 600 1,6 8 0,1 — ПБВК.435711.007ГЧ ОМ ПБВК.435711.007
2Д684Е42 6341317225 600 1,6 15 0,1 ПБВК.435711.007-01
Примечания:
Параметры диодов В1—Е1, В2—Е2, диодов в составе диодных сборок
ВС1—ЕС1, ВС11—ЕС11, ВС12—ЕС12, ВС2—ЕС2, ВС21—ЕС21, ВС22—ЕС22, ВС3—ЕС3, ВС31—ЕС31, ВС32—ЕС32
и однофазных мостов Д4, Е4, Д41, Е41, Д42, Е42
соответствуют параметрам одиночных диодов с индексами В—Е.
Обозначение схемы соединения:
Д — диод.
ОК — диодная сборка из двух диодов с общим катодом.
ОА — диодная сборка из двух диодов с общим анодом.
СУ — диодная сборка из двух последовательно соединенных диодов — схема удвоения.
ОМ — диодная сборка из четырех диодов по схеме однофазного моста.
Справочные данные диодов и диодных сборок.
Диод шоттки применение схемы — Яхт клуб Ост-Вест
Сегодня тема нашего обзора – диод Шоттки. Тема познавательная и напечатана специально для начинающих радиолюбителей. В современных радиосхемах очень часто встречается термин – Диод «Шоттки», так давайте узнаем, что же он из себя представляет. Диод шоттки – это полупроводниковый диод выполненный на основе контакта металл-полупроводник. Назван в честь Вальтера Шоттки. Схематическое изображение диода шоттки похоже на обычный диод с некоторыми незначительными отличиями.
Вместо п-н перехода, в диодах шоттки в качестве барьера используют металл – полупроводник, в области этого перехода возникает потенциальный барьер – барьер шоттки, изменение высоты которого приводит к изменению протекания тока через прибор. Самая главная особенность диодов Шоттки – это низкий уровень падения прямого напряжения после перехода, отсутствие заряда обратного восстановления. На основе барьера Шоттки изготавливают в частности быстродействующие и ультрабыстрые диоды, они служат главным образом как СВЧ диоды различного назначения.
Структура диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт.
Такой диод позволяет получать нужную высоту потенциального барьера, посредством выбора нужного металла, очень низкий уровень высокочастотных шумов, что дает возможность применить диод Шоттки в импульсных блоках питания и в цифровых аппаратурах. Диоды Шоттки применяют также как приемники излучения, модулятор света, нашли широкое применение в солнечных батареях. Среди недостатков данных типов диода стоит отметить чувствительность к обратным значениям тока и напряжения, из – за чего диод может перегреться и выйти из строя.
Работает в температурном диапазоне от – 65 до плюс 160 градусов по цельсию, допустимое обратное напряжение промышленных диодов Шоттки ограничено 250 вольт. Такая деталь сегодня стала незаменимым полупроводниковым прибором. Диоды Шоттки также выпускаются в SMD корпусах. Чаще всего они встречаются в стеклянном, пластмассовом и металлическом корпусе. Автор – АКА.
Многие неисправности в системных блоках питания возникают из-за неполадок вторичных цепей, работающих совместно с источниками питания. Если ранее очень часто выходили из строя силовые транзисторные ключи, то в настоящее время основной проблемой становятся поломки вторичных выпрямителей, основой которых являются диод Шоттки. В нем используется принцип перехода от металла к полупроводнику. Как правило, большая часть таких диодов используется в цепях с низким напряжением.
Положительные качества диода Шоттки
Если в обычных диодах значение прямого падения напряжения составляет примерно от 0,6 до 0,7 вольта, то применение диодов Шоттки позволяет снизить этот показатель от 0,2 до 0,4 вольта. При этом, максимальное обратное напряжение может составлять до нескольких десятков вольт. Этот показатель дает ограничение в применении диодов Шоттки и предполагает их использование только в низковольтных цепях.
При небольшой электрической емкости перехода, становится возможным произвести значительное увеличение рабочей частоты. Благодаря этому свойству, диод нашел довольно широкое применение для интегральных микросхем. В силовых электрических приборах переходы с малой емкостью имеют короткий восстановительный период, что позволяет выпрямителям работать на высоких частотах.
Улучшенные характеристики по сравнению с обычными выпрямителями позволяют эффективно использовать их для импульсных блоков питания и цифровой аппаратуры.
Недостатки
В том случае, когда максимальное обратное напряжение на короткое время превышает допустимый уровень, диод Шоттки полностью выходит из строя. Это необратимый процесс, после которого становится невозможным восстановление первоначальных свойств.
Кроме того наблюдаются повышенные обратные токи, которые возрастают при росте температуры самого кристалла. В случае некачественного тепло-отведения, действие положительной тепловой обратной связи может привести к аварийному перегреванию диода.
В блоках питания диод Шоттки эффективно применяются при выпрямлении токов в каналах. С учетом высокого значения выходного тока, возникает необходимость в быстром действии выпрямителей, для того, чтобы уменьшить их энергетические потери. Этот фактор приводит к значительному увеличению коэффициента полезного действия источников питания. Кроме того, обеспечивается надежная работа силовых транзисторов, установленных в первой части блоков питания.
Таким образом, диоды Шоттки применяются в тех случаях, когда необходимо уменьшить коммутационные динамические потери, а также при устранении коротких замыканий во время переключения. Это устройство является эффективным выпрямительным элементом.
Диод полупроводниковый, применяющий в принципе своей работы барьерный эффект, носит имя немецкого учёного, его описавшего, – Вальтера Шоттки.
Важно! Барьерный эффект – серьёзное влияние общего объемного заряда на развитие разряда в промежутке с резко неравномерным полем.
Дополнительная информация. Что такое диод – электронный элемент, обладающий неодинаковой возможностью проводить электрический ток, в зависимости от его направления.
Диод Шоттки: принцип работы
От классического вида вентиль Шоттки отличается тем, что основу его работы составляет пара полупроводник-металл. Зачастую эта пара упоминается как барьер Шоттки. Этот барьер, кроме схожей с p-n переходом способности проводить электричество в одну сторону, обладает несколькими полезными особенностями.
Арсенид галлия и кремний – основные поставщики материала для производства электронного элемента в промышленных условиях. В более редких случаях используют драгоценные химические элементы: платина, палладий и им подобные.
Его графическое условное выражение на электрических схемах не совпадает с классическими диодами. Маркировка электронных элементов похожа. Также встречаются двойные диоды в виде сборки.
Важно! Двойной диод – это пара диодов, совмещенных в общем объеме.
Сдвоенный диод с барьером Шоттки
У сдвоенных вентилей выходы катодов или анодов совмещены. Отсюда следует, что такое изделие обладает тремя концами. Сборки с общим катодом, например, работают там, где требуются импульсные блоки питания. Диоды Шоттки с общим анодом используются существенно реже.
Выпрямительные диоды с быстрым и сверхбыстрым восстановлением
ES1D + 04AC0269 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 1 А, одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
MULTICOMP PRO Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 1А Одинокий 950 мВ 35 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный — —
УС1М-13-Ф 65W8768 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
MULTICOMP PRO Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный — —
MURD620CTG 98H0860 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 6 А, двойной общий катод, 1.13 В, 35 нс, 50 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 6А Двойной общий катод 1.13В 35 нс 50А 175 ° С ТО-252 (ДПАК) 3-контактный MURD6 серии —
BYG20J-E3 / TR 76K2915 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 1.5 А, одиночный, 1,4 В, 75 нс, 30 А
ВИШАЙ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 1.5А Одинокий 1,4 В 75 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный BYG20 серии —
MUR1540 17T4221 Быстрый / сверхбыстрый диод, 400 В, 15 А, одиночный, 1.3 В, 50 нс, 225 А
MULTICOMP PRO Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 400 В 15А Одинокий 1.3В 50 нс 225A 150 ° С К-220AC 2-контактный Серия MURx —
3060 руб. 58K2153 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 30 А, одиночный, 1.5 В, 55 нс, 325 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 30А Одинокий 1.5В 55 нс 325A 175 ° С К-220AC 2-контактный Серия RURP3 —
1560 MUR 17T4222 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 15 А, одиночный, 1.5 В, 50 нс, 225 А
MULTICOMP PRO Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 15А Одинокий 1.5В 50 нс 225A 150 ° С К-220AC 2-контактный Серия MURx —
UF4007 38C8678 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 150 ° С ДО-204АЛ 2-контактный — —
MUR1520 17T4220 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 15 А, одиночный, 1 В, 35 нс, 250 А
MULTICOMP PRO Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 15А Одинокий 1В 35 нс 250А 150 ° С К-220AC 2-контактный Серия MURx —
UF4007-E3 / 54 05R5924 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
ВИШАЙ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 150 ° С ДО-204АЛ 2-контактный — —
SF4007-TR 92K8719 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
ВИШАЙ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 175 ° С СОД-57 2-контактный — —
MUR860 17T4230 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 8 А, одиночный, 1.7 В, 50 нс, 100 А
MULTICOMP PRO Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 8A Одинокий 1.7В 50 нс 100А 175 ° С К-220AC 2-контактный MUR86 серии —
МУРС110Т3Г 26K4701 Быстрый / сверхбыстрый диод, 100 В, 2 А, одиночный, 875 мВ, 35 нс, 40 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 100 В 2А Одинокий 875 мВ 35 нс 40А 175 ° С DO-214AA (SMB) 2-контактный Серия МУРС1 AEC-Q101
RHRP3060 58K2133 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 30 А, одиночный, 2.1 В, 40 нс, 325 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 30А Одинокий 2.1В 40 нс 325A 175 ° С К-247 2-контактный Серия RHRP3 —
1N5811 10P5287 Быстрый / сверхбыстрый диод, 150 В, 6 А, одиночный, 875 мВ, 15 нс, 125 А
ТВЕРДОЕ СОСТОЯНИЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 150 В 6А Одинокий 875 мВ 15 нс 125A 175 ° С Осевые выводы 2-контактный — —
1N5806 10P5282 Быстрый / сверхбыстрый диод, 150 В, 2.5 А, одиночный, 875 мВ, 25 нс, 35 А
ТВЕРДОЕ СОСТОЯНИЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 150 В 2.5А Одинокий 875 мВ 25 нс 35A 175 ° С DO-204AP 2-контактный — —
МУРС160-13-Ф 23T7972 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 1 А, одиночный, 1.25 В, 50 нс, 35 А
ДИОДЫ ИНК. Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии. Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 600 В 1А Одинокий 1.25В 50 нс 35A 150 ° С SMD 2-контактный — —
U30D20A 59M3401 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 15 А, двойной общий анод, 975 мВ, 35 нс, 300 А
MOSPEC Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 15А Двойной общий анод 975 мВ 35 нс 300А 150 ° С К-247 3-контактный — —
VS-HFA25PB60-N3 06AC6542 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 25 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 225 А
ВИШАЙ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 25А Одинокий 1.7В 75 нс 225A 150 ° С К-247AC 2-контактный Серия HEXFRED —
ES1J 93T1519 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 1 А, одиночный, 1.7 В, 35 нс, 30 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 1А Одинокий 1.7В 35 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный ES1J серии —
SF5408-TR 33C1044 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 3 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 150 А
ВИШАЙ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 3А Одинокий 1.7В 75 нс 150A 175 ° С СОД-64 2-контактный Серия SFx —
VS-HFA04TB60-M3 68AC5549 ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, 4А, 600В, К-220AC
ВИШАЙ Каждый
Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии. Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 4А Одинокий 1.8В 42 нс 25А 150 ° С К-220AC 2-контактный Серия HEXFRED —
US1MFA 46AC2057 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии. Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 150 ° С СОД-123ФА 2-контактный — —
MUR3060WT 17T4226 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 15 А, двойной общий катод, 975 мВ, 35 нс, 300 А
MULTICOMP PRO Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 15А Двойной общий катод 975 мВ 35 нс 300А 150 ° С К-247 3-контактный Серия MURx —
MUR3060 04AC8885 ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, 30А, 600В, TO-247AC
MULTICOMP PRO Каждый
Доставка в течение 2-4 рабочих дней с нашего склада в Великобритании для товаров, имеющихся в наличии. Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 30А Одинокий 1.7В 50 нс 300А 150 ° С К-247AC 2-контактный — —
Быстрый, сверхбыстрый, стандартный, мягкий, Шоттки: какой выпрямитель подходит для вашей схемы питания?
Эта статья поможет вам понять выпрямители: чем их статическое поведение отличается от их динамического поведения, и как «скорость» используется в качестве определяющей характеристики.
Введение
Идея идеального диода может обмануть проектировщика и заставить его упустить из виду важность определения правильного выпрямителя мощности, отвечающего требованиям к характеристикам его / ее схемотехники. Реальные выпрямители — это не просто «односторонние клапаны для тока», они представляют собой набор характеристических параметров, влияющих на схему.
В этой серии из двух частей мы исследуем, как эти параметры определяют типы выпрямителей и стимулируют развитие выпрямительной технологии, и по ходу дела мы получим понимание, необходимое для разумного выбора для наших дизайнерских проектов.
Здесь, в этой первой статье, мы исследуем ключевые статические параметры, применимые к любому выпрямителю, и представляем динамическое поведение, связанное с первыми тремя типами выпрямителей.
Так много вариантов выпрямителей! Но что лучше?
На первый взгляд выпрямитель представляет собой простой диод, рассчитанный на большие токи и напряжения, чем сигнальный диод. В идеале это двухконтактное устройство, которое позволяет обычному току течь через него в одном направлении (анод-катод) и блокирует протекание тока через него в другом направлении (катод-анод).
Но эта упрощенная концепция идеального диода может обмануть проектировщика, заставив его упустить из виду важность определения правильного выпрямителя мощности, отвечающего требованиям к характеристикам его / ее схемотехники.
Физика полупроводников и реалии производства препятствуют созданию «идеальных диодов», а создание диодных выпрямителей, способных управлять мощностью, является актом балансирования компромиссов в параметрах. Реальные выпрямители — это не просто «односторонние клапаны для тока», они производятся нескольких разных типов с разными рабочими параметрами для различных применений.
Типы выпрямителей включают стандартные, быстрые и сверхбыстрые кремниевые выпрямители с PN переходом, а также выпрямители с барьером Шоттки. И каждый из этих типов имеет свой набор характеристик, влияющих на схему. Чтобы понять эти различия, мы исследуем как статические, так и динамические аспекты функции выпрямителя.
Кривые I-V рассказывают часть истории
Итак, первый шаг в понимании этих различных типов выпрямителей — это посмотреть на типичный реальный график зависимости тока от напряжения их работы.Здесь показан типичный статический (неизменный во времени или установившийся) график зависимости тока от приложенного напряжения. (Мы предположим, что этот график предназначен для выпрямителя, имеющего желаемый средний выпрямленный прямой ток номинала (I _O), который вам нужен.)
Типичный график ВАХ для современного выпрямителя мощности
Диоды, включая силовые диоды, работают в первом и третьем квадрантах ВАХ. Первый квадрант показывает рабочую область с прямым смещением; третий квадрант показывает рабочую область с обратным смещением.(Обратите внимание, что шкала напряжения в обратном направлении намного больше, чем шкала в прямом направлении.)
В первом квадранте вы можете увидеть, как выпрямитель начинает проводить большие токи задолго до того, как прямое смещение достигает одного вольт. По мере увеличения прямого смещения до точки, где ток начинает экспоненциально расти, мы установили параметр, известный как прямое падение напряжения выпрямителя или V _F.
В третьем квадранте мы видим, что выпрямитель блокирует прохождение тока (за исключением небольшого значения утечки), даже когда обратное смещение увеличивается на многие десятки вольт.Небольшая величина тока утечки называется обратным током , или I _R и является ключевым параметром производительности (чем меньше, тем лучше).
Однако обратите внимание, что по мере того, как мы продолжаем увеличивать обратное смещение, мы в конечном итоге достигнем точки, где блокирующее действие начинает давать сбой и возникает большой обратный пробой токов. Если мы отметим на горизонтальной оси ВАХ абсолютное значение обратного смещения, которое непосредственно предшествует большим токам пробоя, мы установили блокирующее напряжение постоянного тока выпрямителя или _R В.
Другой очень важный параметр — по сути, первый, который инженер обычно определяет для своего выпрямителя — это средний выпрямленный прямой ток, или I _O. Этот параметр в первую очередь определяется размером кристалла и корпусом (корпусом) выпрямителя. Они созданы в большом количестве физических форм-факторов, в том числе:
голая матрица
Литой осевой
кнопка
на язычке
накладной
на болтах
И это еще не все.На этой фотографии представлен лишь небольшой образец из широкого спектра корпусов, в которых производятся выпрямители.
Некоторые блоки выпрямителей, от 1A до 600A Таким образом, с помощью графика I-V в установившемся режиме мы установили три основных проектных параметра таблицы данных: V _F, V _R и I _R.
График I-V, однако, обычно не очень полезен при сравнении различных типов выпрямителей. Это связано с тем, что на графике, подобном этому, мы не увидим большой разницы между сверхбыстрыми, быстрыми, стандартными или даже кремниевыми выпрямителями с PN переходом с одинаковым напряжением (V _R) и током (I _О) рейтинг.
Даже выпрямитель Шоттки выглядел бы так же. Основные отличия заключаются в том, что прямое падение напряжения будет примерно вдвое меньше, чем у устройства, эквивалентного кремниевому PN-переходу, а ток утечки будет, возможно, в пять раз хуже (большая величина) или даже в 50 раз, в зависимости от рабочих температур.
Но если ваша силовая схема работает с частотой 60 Гц или ниже, или ваш ток никогда не меняет направление быстрее, чем несколько сотен миллиампер в миллисекунду, вам, вероятно, не нужно рассматривать что-либо, кроме графика статической ВАХ и связанных параметров выпрямителя, полученных из этот график, например, прямое напряжение (V _F), обратное напряжение блокировки (V _R) и обратный ток утечки (I _R).
Но если ваш dI / dt находится в диапазоне от ампер до десятков ампер на микросекунду, вам нужно обратить внимание на характеристики recovery ваших потенциальных диодов и посмотреть на диод в динамическом (время -вариант) график текущего. В этом динамическом режиме восстановления мы можем четко различать эти разные типы выпрямителей.
Что такое «восстановление» и почему оно важно?
Графически «восстановление» — это динамическое (зависящее от времени) поведение диода при возврате (т.е.е., восстановление) до прогнозируемой рабочей точки графика ВАХ сразу после воздействия сильных возмущений dI / dt.
Существует два типа восстановления, достаточно важных, чтобы их можно было охарактеризовать в таблицах данных и которые охватываются стандартами JEDEC: прямое восстановление и обратное восстановление.
Скорость восстановления диода важна, потому что, если она слишком медленная (т.е. восстановление занимает слишком много времени), диод может не обеспечивать желаемую функцию выпрямления в схемах, работающих на высоких частотах.В частности, для импульсных цепей питания, используемых в преобразователях постоянного / постоянного тока, схемах коррекции коэффициента мощности, управлении двигателем и других приложениях с ШИМ с высокой скоростью переключения, часто требуются диоды, которые могут быстро восстанавливаться до рабочей точки в пределах 10-25% от их прогнозируемого установившегося состояния. — точка построения кривой IV.
Как и следовало ожидать, термины «быстрый» и «сверхбыстрый» относятся к стандартным выпрямителям, разработанным для низкочастотных приложений, таких как выпрямление синусоидального тока, подаваемого от сети переменного тока.«Быстрый» выпрямитель обычно восстанавливается в десять раз быстрее, чем стандартный выпрямитель, а обозначение «сверхбыстрый» обычно применяется к выпрямителям, разработанным так, чтобы превзойти восстановление стандартного выпрямителя, будучи более чем в пятьдесят раз быстрее.
Важно отметить, однако, что когда выпрямители классифицируются или набираются как «сверхбыстрые», «быстрые» или «мягкие», это относится к их характеристикам восстановления обратного . «Быстрые» и «сверхбыстрые» выпрямители называются так потому, что они прекращают проводить ток в обратном направлении намного быстрее, чем стандартные выпрямители.«Мягкий» — это термин, применяемый к подмножеству сверхбыстрых выпрямителей, которые быстро переходят в непроводящее состояние, но не скачкообразно.
Обратное восстановление
Сейчас вы можете подумать: «Подожди, ведешь в обратном направлении? Выпрямители не должны проводить ток в обратном направлении! » И вы были бы правы, за исключением того факта, что мы имеем дело с реальными диодами, а не с теоретически «идеальными» диодами.
Теоретически идеальный диод перестанет проводить ток в тот самый момент, когда катод станет положительным по отношению к аноду.Реальные диоды, особенно силовые выпрямители с кремниевым PN переходом, отличаются от идеальных диодов тем, что в течение короткого времени они будут продолжать проводить большой ток в обратном направлении, пока носители заряда в переходе не будут устранены и зона обеднения не будет восстановлена. -учредил.
Определение частей формы волны обратного восстановления (изображение, взятое из стандарта JEDEC № JESD282B.01, рисунок 6.1)
Стандарт JEDEC No.JESD282B.01 помогает нам понять это динамическое поведение, определяя части формы волны обратного восстановления выпрямителя. На изображенной выше форме волны мы изображаем нарастание и спад тока через выпрямитель в зависимости от времени. На выпрямитель подается синусоидальный импульс тока, который падает до значения dI / dt, определяемого схемой.
После того, как уменьшающийся ток пересекает ось x (т.е. достигает нуля ампер), он продолжается в том же направлении, так что теперь ток течет в обратном направлении через выпрямитель.Обратный ток, протекающий с момента перехода через нуль до точки, в которой достигается максимальное (абсолютное значение) обратного тока (I _rm), определяет параметр t _rrr. Это в первую очередь поддерживается (вызвано) введенными неосновными носителями, оставшимися в области перехода во время смещенной вперед части падающего dI / dt. Соответствующий заряд (в кулонах) этих носителей обозначается Q _r и определяется площадью под кривой до момента I _rm.
Из этой точки выброса пика ток теперь меняет наклон и возвращается к нулю; этот период обозначается t _rrf. Носители, поддерживающие t _rrf, поставляются по мере восстановления зоны истощения, и именно в течение этого периода времени переход развивает свое обратное запирающее напряжение. Аналогичным образом, соответствующий заряд обозначается Q _f. Интервал времени всего для этого обратного восстановления составляет, соответственно, t _rr.
Выводы из статического в динамический
Мы узнали, что параметры, связанные со статическим графиком ВАХ, предоставляют большую часть информации, необходимой нам для прогнозирования того, как выпрямитель будет работать в цепи, пока частота или скорость переключения схемы низкая. Мы также узнали, что для схем, в которых выпрямитель подвергается быстрому переключению или циклическому переключению между условиями работы с прямым и обратным смещением, нам потребуется понимание параметров динамических характеристик выпрямителя, в частности, его времени восстановления в обратном направлении (t _рр).
Это параметр t _rr, который используется для определения или классификации выпрямителя как «быстрый» или «сверхбыстрый». «Fast» обычно означает t _rr не более 200 нс, а «сверхбыстрый» — t _rr менее 150 нс. Для высокочастотных схем или схем с быстрым переключением рекомендуется использовать выпрямители с кратчайшим временем t _rr, чтобы выпрямитель мог большую часть своего времени проводить либо прямой ток, либо блокировать обратный ток, а не просто восстанавливать от первого или второго.
Но знайте: форма сигнала обратного восстановления также важна, так как она может иметь значительное влияние на схему, в которой находится выпрямитель. Соответственно, нам нужно будет обсудить вопрос, почему характеристики обратного восстановления описываются как «мягкие» или «резкие». Это то, что мы рассмотрим во второй статье этой серии, наряду с прямым восстановлением и динамическим поведением выпрямителей Шоттки.
Следующая статья в серии: Fast, Ultrafast, Soft, Standard, Schottky: Выбор правильного выпрямителя
Выпрямительные диоды с быстрым и сверхбыстрым восстановлением
UF5402-E3 / 54. 2395852 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 3 А, одиночный, 1 В, 50 нс, 150 А
ВИШАЙ Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 3А Одинокий 1В 50 нс 150A 150 ° С DO-201AD 2-контактный Серия UF540 —
MUR120G 2101821 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 1 А, одиночный, 875 мВ, 35 нс, 35 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 200 В 1А Одинокий 875 мВ 35 нс 35A 175 ° С ДО-41 (ДО-204АЛ) 2-контактный Серия MUR12 —
RHRP15120 1470968 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1.2 кВ, 15 А, одиночный, 3,2 В, 75 нс, 200 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1.2кВ 15А Одинокий 3,2 В 75 нс 200А 175 ° С К-220AC 2-контактный Серия RHRP1 —
STTh3R02U 1295256 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 2 А, одиночный, 1 В, 17 нс, 180 А
СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 200 В 2А Одинокий 1В 17 нс 180A 175 ° С DO-214AA (SMB) 2-контактный STTh3 серии —
RHRP8120 1467498 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1.2 кВ, 8 А, одиночный, 3,2 В, 70 нс, 100 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1.2кВ 8A Одинокий 3,2 В 70 нс 100А 175 ° С К-220AC 2-контактный Серия RHRP8 —
STTH6010W 1295286 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 60 А, одиночный, 1.3 В, 49 нс, 400 А
СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 60А Одинокий 1.3В 49 нс 400А 175 ° С DO-247 2-контактный STTH6 серии —
ES3D 1651044 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 3 А, одиночный, 950 мВ, 20 нс, 100 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 200 В 3А Одинокий 950 мВ 20 нс 100А 150 ° С DO-214AB (SMC) 2-контактный ES3D серии —
VS-60CPH03-N3 26 Быстрый / сверхбыстрый диод, 300 В, 60 А, двойной общий катод, 1.25 В, 39 нс, 300 А
ВИШАЙ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 300 В 60А Двойной общий катод 1.25В 39 нс 300А 175 ° С К-247AC 3-контактный — —
RURG3020CC 9843906 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 30 А, двойной общий катод, 1 В, 45 нс, 325 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 30А Двойной общий катод 1В 45 нс 325A 175 ° С К-247 3-контактный Серия RURG3 —
BA159-E3 / 73 1336517 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.3 В, 500 нс, 20 А
ВИШАЙ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 1кВ 1А Одинокий 1.3В 500 нс 20А 125 ° С ДО-41 (ДО-204АЛ) 2-контактный BA159 серии —
ES2B 1467490 Быстрый / сверхбыстрый диод, 100 В, 2 А, одиночный, 900 мВ, 20 нс, 50 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 100 В 2А Одинокий 900 мВ 20 нс 50А 150 ° С DO-214AA (SMB) 2-контактный ES2B серии —
ВС-60АПУ02-Н3 26 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 60 А, одиночный, 1.08 В, 28 нс, 800 А
ВИШАЙ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 60А Одинокий 1.08V 28 нс 800A 175 ° С К-247AC 3-контактный — —
BYV27-100-TAP 1469371 Быстрый / сверхбыстрый диод, 100 В, 2 А, одиночный, 1.07 В, 25 нс, 50 А
ВИШАЙ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 100 В 2А Одинокий 1.07V 25 нс 50А 175 ° С СОД-57 2-контактный BYV27 серии AEC-Q101
RHRP3060 9843922 Быстрый / сверхбыстрый диод, мягкий, 600 В, 30 А, одиночный, 2.1 В, 40 нс, 325 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 30А Одинокий 2.1В 40 нс 325A 175 ° С К-220AC 2-контактный Серия RHRP3 —
BYV26E-TAP 1075760 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 2.5 В, 75 нс, 30 А
ВИШАЙ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 1кВ 1А Одинокий 2.5В 75 нс 30А 175 ° С СОД-57 2-контактный BYV26 серии AEC-Q101
MSE1PB-M3 / 89A 1864881 Быстрый / сверхбыстрый диод, 100 В, 1 А, одиночный, 1.1 В, 780 нс, 20 А
ВИШАЙ Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 100 В 1А Одинокий 1.1В 780 нс 20А 175 ° С MicroSMP 2-контактный Серия MSE1P —
ES3D 1651044RL Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 3 А, одиночный, 950 мВ, 20 нс, 100 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки 3 фунта стерлингов.Для этого продукта будет добавлено 50 перемоток. Запрещенный товар Минимальный заказ 150 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 150
Mult:
1 200 В 3А Одинокий 950 мВ 20 нс 100А 150 ° С DO-214AB (SMC) 2-контактный ES3D серии —
STTh210 2550751 Быстрый / сверхбыстрый диод, сверхбыстрый, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.42 В, 20 А
СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 1А Одинокий 1.42В — 20А 175 ° С ДО-204АЛ 2-контактный — —
RURG5060 1651155 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 50 А, одиночный, 1.6 В, 75 нс, 500 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 600 В 50А Одинокий 1.6В 75 нс 500А 175 ° С К-247 2-контактный Серия RURG5 —
STTh2210DI 1295232 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 12 А, одиночный, 1.6 В, 48 нс, 80 А
СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 1кВ 12А Одинокий 1.6В 48 нс 80А 175 ° С К-220 2-контактный Серия STTh2 —
BYV28-200-TAP 1075762 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 3.5 А, одиночный, 1,1 В, 30 нс, 90 А
ВИШАЙ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 3.5А Одинокий 1,1 В 30 нс 90A 175 ° С СОД-64 2-контактный BYV28 серии AEC-Q101
MUR160G 1611205 Быстрый / сверхбыстрый диод, 600 В, 1 А, одиночный, 1.25 В, 50 нс, 35 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 600 В 1А Одинокий 1.25В 50 нс 35A 175 ° С Осевые выводы 2-контактный Серия MUR16 —
BYW80-200G 2101175 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 8 А, одиночный, 1.25 В, 35 нс, 100 А
НА ПОЛУПРОВОДНИКЕ Просмотреть дополнительные запасы Avnet Каждый Запрещенный товар Минимальный заказ от 1 шт.
Только кратное 1
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять мин: 1
Mult:
1 200 В 8A Одинокий 1.25В 35 нс 100А 175 ° С ТО-220Б 2-контактный BYW80 серии —
ES1D + 2674987 Быстрый / сверхбыстрый диод, 200 В, 1 А, одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А
MULTICOMP PRO Каждый (поставляется на отрезанной ленте)
Варианты упаковки Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 200 В 1А Одинокий 950 мВ 35 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный — —
UF1M + 2748194 Быстрый / сверхбыстрый диод, 1 кВ, 1 А, одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А
MULTICOMP PRO Каждый (поставляется на отрезанной ленте) Запрещенный товар Минимальный заказ 5 шт.
Только кратное 5
Пожалуйста, введите действительное количество
Добавлять Мин .: 5
Mult:
5 1кВ 1А Одинокий 1.7В 75 нс 30А 150 ° С DO-214AC (SMA) 2-контактный — —
Выбор сверхбыстрых восстанавливающих диодов U
Аннотация: В этой заметке по применению описывается процесс выбора диода и конструкция демпфера для высоковольтного инвертирующего обратноходового преобразователя для приложений интерфейсных карт абонентской линии (SLIC).Обсуждаются критические параметры диода, влияющие на переходные процессы переключения в цепи, конструкция демпферной цепи на выходном диоде.
Последние разработки на рынке ПК и телекоммуникаций теперь позволяют расширить диапазон частот переключения силовой электроники с линейных частот до диапазона МГц. Эта тенденция привела к соответствующему росту технологий для электронных коммутационных компонентов, таких как выпрямители и переключатели мощности. На этих частотах переключения важны сверхбыстрые характеристики выпрямителя мощности.Для этого требуется, чтобы диод имел низкий заряд восстановления с характеристиками мягкого восстановления и низкое прямое падение напряжения с быстрым включением. Целью данной заметки по применению является обсуждение параметров диодов, влияющих на схему, с целью разработки надежного источника питания. Чтобы оценить влияние параметров диода на характеристики схемы, в этом примечании по применению рассматривается пример схемы обратного хода с использованием MAX1856. В первом разделе кратко описывается схема обратного хода, используемая здесь в качестве примера.Во втором разделе обсуждаются важные параметры диода, которые влияют на переходные процессы переключения в цепи, конструкция демпфирующей цепи на выходном диоде и вклад проводимости, переключения и обратной блокировки выпрямителя в общую рассеиваемую мощность. Производители быстрых выпрямителей могут перечислить все или только некоторые из параметров, обсуждаемых во втором разделе. В третьем и последнем разделе обсуждаются характеристики четырех различных диодов в этой схеме. Это указывает на способ оценки работы различных диодов в схеме приложения.Статья завершается ожиданиями улучшения производительности в результате дальнейшего технологического развития.
MAX1856 Цепь обратного хода
MAX1856 используется здесь (, рис. 1, ) в конфигурации с обратным ходом для выработки энергии для интерфейсной карты абонентской линии (SLIC) от входа 12 В. Выход -90 В при 0,32 А предназначен для функции звонка, а выход -30 В при 0,15 А для разговорной батареи.
Рисунок 1. Схема блока питания SLIC.
ШИМ-контроллер в токовом режиме MAX1856 использует инвертирующую обратноходовую конфигурацию для генерирования относительно высоких отрицательных напряжений, необходимых для источников питания SLIC.Контроллер режима ШИМ использует режим работы с током фиксированной частоты, в котором рабочий цикл определяется отношением входного напряжения к выходному и отношением витков трансформатора. Контур обратной связи в токовом режиме регулирует пиковый ток индуктора в зависимости от выходного сигнала ошибки. В MAX1856 используется внешний измерительный резистор со стороны низкого уровня (R1 на рис. 1) для контроля пикового тока катушки индуктивности. Сразу после включения контроллер отключает цепь измерения тока на 100 нс, чтобы минимизировать чувствительность к шуму. Кроме того, фильтр (R10 и C7 на рис. 1) на токовом выводе (CS +) увеличивает помехозащищенность.Эта постоянная времени должна быть достаточно низкой, чтобы не искажать сигнал считывания тока. Как правило, максимальная постоянная времени R10-C7 должна быть меньше 1/10 ^th минимального рабочего цикла для правильной работы контура управления. Обратитесь к листу данных MAX1856 за инструкциями, детализирующими процедуру проектирования для этой схемы.
Коэффициент трансформации трансформатора составляет 1: 2,2,2 (см. Рисунок 1), со сложенными вторичными обмотками. Это дает максимальный рабочий цикл 56% при номинальном входном напряжении.Трансформатор Cooper Electronics CTX03-15220 имеет индуктивность первичной обмотки приблизительно 4 мкГн с индуктивностью рассеяния L _LP 80 нГн. Предполагая идеальную связь между первичной и вторичной обмотками, это означает, что максимальная вторичная индуктивность рассеяния L _LS составляет примерно 3 мкГн.
Пропускная способность трансформатора зависит от рабочей частоты и эффективного объема сердечника и воздушного зазора. Чтобы получить необходимые 30 Вт с использованием ядра EFD20 (трансформатор CTX03-15220), MAX1856 должен работать на максимальной частоте (500 кГц).Эта высокая частота коммутации требует наличия высокоскоростного выпрямителя во вторичной обмотке трансформатора. Он должен иметь быстрое восстановление и быстрое включение с низким падением прямого напряжения. Очень быстрое восстановление диода может вызвать значительный излучаемый и кондуктивный шум. Индуцированный выброс напряжения также может вызвать повреждение диода, если оно превышает напряжение пробоя диода. Однако очень медленное восстановление увеличивает потери мощности. Выпрямитель на выходе -90 В при 0,32 А должен иметь высокое обратное напряжение пробоя, чтобы выдерживать выходное напряжение (90 В), плюс отраженное входное напряжение (6 × 12 = 72 В), в данном случае 162 В.Средний номинальный ток диода должен превышать максимальный выходной ток. Чтобы выбрать подходящий диод, необходимо сначала перечислить важные характеристики выпрямителя.
Характеристики диода и конструкция демпфера
Этот раздел начинается с краткого обсуждения характеристик выпрямителя, за которым следуют рекомендации по конструкции демпфера, а затем заканчивается обсуждением рассеиваемой мощности в выпрямителе. Формы сигналов и характеристики диодов
В быстрых выпрямительных диодах используются некоторые вариации p-i-n структуры.Переход из состояния проводимости в состояние блокировки занимает конечное время. Это время называется обратным временем восстановления (t _rr) диода. Это может быть дополнительно разделено на время t _a, необходимое для удаления носителей (ток через диод меняет направление на короткий период времени), прежде чем он сможет заблокировать напряжение, и время t _b, в течение которого напряжение на диоде становится отрицательным со скоростью изменения dV _R / dt. Повышенная инжекция для уменьшения прямого падения напряжения подразумевает больший заряд, который необходимо удалить из внутренней области, прежде чем диод сможет блокировать напряжение.Следовательно, это отрицательно повлияет на время обратного восстановления. Производители выпрямителей с быстрым восстановлением обычно пытаются найти оптимальный компромисс для этих двух требований. На рисунке 2 ниже показаны формы сигналов и определения характеристик восстановления выпрямителя с быстрым восстановлением. Удаление накопленного заряда в собственной области происходит посредством протекания большого обратного тока в течение времени t _a. По истечении этого времени переход становится смещенным в обратном направлении.Обратный ток в этой точке определяется как пиковый ток обратного восстановления, I _RRM. Значение I _RRM пропорционально скорости изменения прямого тока при переходе через ноль dI _F / dt.
I _RRM = (dI _F / dt) × t _a
Обратный ток затем уменьшается за счет рекомбинации со скоростью dI _R / dt за время t _b. Сумма заряда обратного восстановления определяется как
Q _RR = (I _RRM × t _rr) / 2
Где t _rr = t _a + t _b
Некоторый выпрямитель В таблицах данных может быть определен коэффициент мягкости S, где
S = (t _a / t _b)
Напряжение на диоде теперь становится отрицательным со скоростью, пропорциональной dI _R / dt.Во время восстановления диода это изменение тока приведет к выбросу обратного напряжения из-за паразитной индуктивности L _LS во вторичной обмотке трансформатора. Пиковое обратное напряжение V _RRM тогда определяется как
V _RRM = L _LS × dI _R / dt

Рис. 2. Формы сигналов и определения обратного восстановления.
Если пиковое обратное напряжение слишком велико, это может вызвать повреждение переключающего выпрямителя. Кроме того, очень высокая скорость изменения приведет к значительному излучаемому и кондуктивному шуму.Однако, если скорость изменения слишком мала, время обратного восстановления увеличится, что увеличит рассеиваемую мощность в выпрямителе во время этого перехода от проводящего состояния к состоянию блокировки, как обсуждается ниже (см. Раздел Рассеяние мощности выпрямителя).
Конструкция демпфера
Собственная емкость паразитного диода C _D тогда определяется как
C _D = (I _RRM × t _rr) / (2 × V _RRM This
This паразитная емкость C _D резонирует с паразитной индуктивностью L _LS во вторичной обмотке трансформатора и вызывает проблемы с шумом в сигнале считывания тока и в прикладной цепи в целом.Для гашения этого звона можно использовать RC демпфер на катоде вторичного выпрямителя (D2) на Рисунке 1 (демпфер расположен у этого выпрямителя, так как требуемая выходная мощность максимальна на этом выходе). Значения демпфирующего компонента R5 и C10 выражаются (см. Рисунок 1)
R5 = √ (L _LS / C _D) и C10 = 3 × C _D или C10 = 4 × C _D
Рассеиваемая мощность выпрямителя
Наконец, рассеяние мощности в выпрямителе учитывается в различных режимах работы.Во время включения переключателя энергия накапливается и накапливается в трансформаторе. В этот период выпрямитель находится в состоянии блокировки. Потери в состоянии блокировки можно выразить как P _R = I _R × V _R × D
, где I _R — обратный ток утечки в диоде, V _R — обратный ток. напряжение на диоде, а D — рабочий цикл.
В конце этого периода выключатель выключается, и энергия передается на выход.Диод теперь начинает проводить, и мощность, рассеиваемая на диоде, составляет
P _F = I _F × V _F × (1-D)
Где I _F — прямой ток в диоде и V _F — прямое падение напряжения на диоде.
В конце этого цикла диод выключается и переходит в состояние блокировки. Рассеиваемая мощность при переходе из состояния проводимости в состояние блокировки определяется как
P _rec = V _RRM × I _RRM × 0.5 × f × t _b
Где I _RRM — пиковый ток обратного восстановления, V _RRM — пиковое обратное напряжение, а f — частота переключения.
Выбор диода
Обсуждение здесь сосредоточено на выборе диода для вторичного выхода -90 В при 0,32 А (D2). Предполагая, что пульсация тока во вторичной обмотке составляет 0,5 А, необходим выпрямитель, рассчитанный как минимум на 1 А прямого тока для -90 В при выходе 0,32 А. Как упоминалось ранее, диод должен выдерживать обратное напряжение не менее 162 В.Однако, исходя из приведенного выше обсуждения, способность обратного блокирующего напряжения должна быть несколько выше, чтобы предотвратить повреждение из-за выброса напряжения во время обратного восстановления. Поэтому рассматриваются только выпрямители с возможностью обратной блокировки не менее 200 В. В таблице 1 ниже перечислены рассматриваемые диоды и некоторые параметры для комнатной температуры (T _C = 25 ° C). Ток обратной утечки, I _R, этих диодов составляет 100 мкА (наихудший случай), и поэтому для обратного напряжения V _R, равного 162 В, рассеиваемая мощность составляет около 9 мВт (рабочий цикл D = 0.55) получается в выпрямителе в состоянии блокировки. Аналогичным образом, рассеиваемая мощность в прямом направлении варьируется от 115 мВт до 180 мВт для выпрямителей, рассмотренных в , таблица 1 . Таблица 1. Сверхбыстрое восстановление
Выпрямители
Продавец Деталь # В _R В I _F A V _F при I _F = 1А т _рр нс
при I _F = 1A;
dI _F / dt = 50 А / мкс;
В _R = 200 В *
Central Semiconductor CMR1U-02 200 1 1 50
Central Semiconductor CMR1U-04 400 1 1.25 50
Международный выпрямитель 8ЭТУ-04 400 8 0,8 60
Фэйрчайлд Полупроводник ISL9R1560P2 600 15 0,8 60

Примечание : * приблизительно на основании параметров, указанных в технических паспортах. Эти диоды использовались в прикладной схеме на Рисунке 1 без демпфера, чтобы лучше измерить задействованные параметры. Эффективность преобразования мощности для максимальной выходной мощности около 30 Вт во всех случаях составляла от 79% до 80%. В таблице 2 ниже приведены параметры, относящиеся к обратному восстановлению для четырех различных диодов и КПД для выходной мощности 30 Вт.
Таблица 2. Параметры обратного восстановления в прикладной цепи (без демпфера для вторичного выпрямителя)
Деталь # В _RRM В I _RRM A т _а нс т _б нс т _рр нс C _D пФ Эфф.%
CMR1U-02 320 0,9 30 40 70 98 79
CMR1U-04 400 0,85 20 60 80 85 79
8ЭТУ-04 360 0.7 30 90 120 117 80
ISL9R1560P2 350 0,8 40 80 120 137 79

Шум без демпферов привел к чрезмерному дрожанию сигнала (> 4%).Поэтому на вторичном выпрямителе D2 был введен RC-демпфер (рис. 1). Этот демпфер выбирается для гашения паразитного резонанса, а также помогает ограничить выброс напряжения во время обратного восстановления. На основе обсуждения в предыдущем разделе следующие значения (, таблица 3, ) были рассчитаны для компонентов демпфера R5 и C10 (при условии, что C10 = 3 × CD). Таблица 3. Значения демпфера RC
Деталь # C _D пФ R5 Ом К10пФ
CMR1U-02 98 175 294
CMR1U-04 85 188 255
8ЭТУ-04 117 160 351
ISL9R1560P2 137 118 411

Значения во всех случаях довольно близки друг к другу.Демпфер с R5 = 150 Ом и C10 = 330 пФ эффективно гасит колебания. Если демпферное сопротивление значительно больше, то демпфер не сможет гасить колебания паразитного резонансного контура. Если демпфирующее сопротивление значительно меньше значений, приведенных в таблице 3, то демпфирующая емкость по существу появляется на емкости выпрямителя. Схема недостаточно демпфирована и будет резонировать на частоте f _res1, задаваемой f _res1 = √ (2π × L _LS × [C _D + C10])
Джиттер был уменьшен до незначительный уровень (<2%) во всех случаях при использовании демпфера. На рис. 3 показаны формы волны напряжения на катоде (относительно заземления) выпрямительного диода D2 (CMR1U-02, см. Рис. 1) с RC-демпфером и без него.

Рисунок 3A. Напряжение на катоде выпрямителя Д2 без демпфера. (Ch2 = форма волны напряжения на EXT / вывод 8 MAX1856; Ch3 = катод выпрямителя D2).

Рисунок 3B. Напряжение на катоде выпрямителя D2 с демпфером (R5 = 150 Ом; C10 = 330 пФ). (Ch2 = форма волны напряжения на EXT / вывод 8 MAX1856; Ch3 = катод выпрямителя D2).
Значения для «зажатых» V _RRM и I _RRM, параметры переключения и значения эффективности перечислены в Таблице 4 для всех четырех случаев.
Таблица 4. Параметры обратного восстановления в прикладной цепи (с демпфером для вторичного выпрямителя)
Деталь # В _RRM В I _RRM A т _а нс т _б нс т _рр нс C _D пФ Эфф.%
CMR1U-02 260 0,55 20 40 60 63 75
CMR1U-04 290 0,95 40 40 80 130 73
8ЭТУ-04 260 0.45 30 90 120 104 74,5
ISL9R1560P2 270 0,6 40 80 120 133 73

Диод Central Semiconductor CMR1U-02 с номиналом 200 В оказался лучшим выбором для этого приложения.Это подчеркивает важность не только переходного времени восстановления, но также пикового тока обратного восстановления и пикового напряжения восстановления. Эффективность снижается из-за мощности, рассеиваемой в элементах демпфера. Однако надёжнее система с включением в цепь демпфера. В заключение, основные области для улучшения — это уменьшение индуктивности рассеяния в трансформаторе и емкости обратного восстановления выпрямителя. Использование планарных трансформаторов может улучшить индуктивность рассеяния трансформатора.Что касается разработки технологии выпрямителей, выпрямители из GaAs и SiC не демонстрируют эффектов обратного восстановления, наблюдаемых в кремниевых выпрямителях, и были бы идеальными для таких приложений. Однако стоимость таких коммерчески доступных устройств слишком высока, чтобы оправдать их использование в недорогих приложениях, таких как источник питания SLIC, рассматриваемый здесь.
Сверхбыстрая частота отсечки 27 ГГц в вертикальных диодах Шоттки WSe 2 с чрезвычайно низким контактным сопротивлением
1. Wang, Q.Х., Калантар-Заде, К., Кис, А., Коулман, Дж. Н. и Страно, М. С. Электроника и оптоэлектроника двумерных дихалькогенидов переходных металлов. Нат. Nanotechnol. 7 , 699–712 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
2. Мак К. Ф. и Шан Дж. Фотоника и оптоэлектроника двумерных полупроводниковых дихалькогенидов переходных металлов. Нат. Фотоника 10 , 216–226 (2016).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
3. Гейм А.К., Григорьева И.В. Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса. Природа 499 , 419–425 (2013).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
4. Радисавлевич Б., Раденович А., Бривио Дж., Джакометти В. и Кис А. Однослойные транзисторы MoS ₂. Нат. Nanotechnol. 6 , 147–150 (2011).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
5. Радисавлевич Б. и Кис А. Инженерия мобильности и переход металл – изолятор в монослое MoS ₂. Нат. Матер. 12 , 815–820 (2013).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
6. Fang, H. et al. Высокопроизводительные однослойные полевые транзисторы WSe ₂ p-типа с химически легированными контактами. Nano Lett. 12 , 3788–3792 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
7. Huang, J.-K. и другие. Синтез на большой площади высококристаллических монослоев WSe ₂ и применение в устройствах. ACS Nano 8 , 923–930 (2014).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
8. Ли, C.-H. и другие. Атомарно тонкие p − n-переходы с ван-дер-ваальсовыми гетероинтерфейсами. Нат. Nanotechnol. 9 , 676–681 (2014).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
9. Джаривала Д., Маркс Т. Дж. И Херсам М. С. Смешанные ван-дер-ваальсовые гетероструктуры. Нат. Матер. 16 , 170–181 (2017).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
10. Lim, J. Y. et al. Однородные 2D MoTe ₂ p-n-переходы и КМОП-инверторы, образованные легированием, индуцированным осаждением атомных слоев. Adv. Матер. 29 , 1701798 (2017).
Артикул
CAS
Google Scholar
11. Баугер Б. В., Черчилль Х. О., Янг Ю. и Ярилло-Херреро П. Оптоэлектронные устройства на основе электрически настраиваемых p – n-диодов в однослойном дихалькогениде. Нат. Nanotechnol. 9 , 262-267 (2014).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
12. Pezeshki, A., Shokouh, SHH, Nazari, T., Oh, K. & Im, S. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойного α-MoTe ₂ / MoS ₂ дихалькогенид гетеропереход. Adv. Матер. 28 , 3216–3222 (2016).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
13. Джо С., Убриг Н., Бергер Х., Кузьменко А. Б. и Морпурго А. Ф. Моно- и двухслойные WS ₂ светоизлучающих транзисторов. Nano Lett. 14 , 2019–2025 (2014).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
14. Withers, F. et al. WSe ₂ туннельные светоизлучающие транзисторы с повышенной яркостью при комнатной температуре. Nano Lett. 15 , 8223–8228 (2015).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
15. Zhang, X. et al. MoS ₂ диоды Шоттки на фазовом переходе для ВЧ электроники. В Proc. IEEE / MTT-S International Microwave Symposium, 2018 г. 1 , 345–347 (IEEE, 2018).
16. Zhang, X. et al. Двухмерная гибкая ректенна с поддержкой MoS ₂ для беспроводного сбора энергии в диапазоне Wi-Fi. Природа 566 , 368–372 (2019).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
17. Georgiou, T. et al. Вертикальный полевой транзистор на основе гетероструктур графен-WS ₂ для гибкой и прозрачной электроники. Нат. Нанотехнологии . 8 , 100-103 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
18. Бритнелл, Л.и другие. Полевой туннельный транзистор на основе вертикальных графеновых гетероструктур. Наука 335 , 947–950 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
19. Yang, H. et al. Графеновый барристор, триодное устройство с барьером Шоттки, управляемым затвором. Наука 336 , 1140–1143 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
20. Yu, W. J. et al. Вертикально уложенные мульти-гетероструктуры из слоистых материалов для логических транзисторов и дополнительных инверторов. Нат. Матер. 12 , 246–252 (2012).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
PubMed Central
Google Scholar
21. Sarkar, D. et al. Субтермионный туннельный полевой транзистор с атомарно тонким каналом. Природа 526 , 91–95 (2015).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
22. Назир Г. и др. Максимальный размер и производительность вертикальных диодов WSe _{— 2}. Нат. Commun. 9 , 5371 (2018).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
PubMed Central
Google Scholar
23. Gong, C. et al. Выравнивание зон двумерных дихалькогенидов переходных металлов: применение в туннельных полевых транзисторах. Заявл. Phys. Lett. 103 , 053513 (2014).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
24. Jin, C. et al. Сверхбыстрая динамика в гетероструктурах Ван-дер-Ваальса. Нат. Нанотехнологии . 13 , 994-1003 (2018).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
25. Аллен, А., Канг, Дж., Банерджи, К.& Кис, А. Электрические контакты к двумерным полупроводникам. Нат. Матер. 14 , 1195–1205 (2015).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
26. Инглиш, К. Д., Шайн, Г., Дорган, В. Е., Сарасват, К. С. и Поп, Э. Улучшенные контакты к транзисторам MoS ₂ путем напыления металла в сверхвысоком вакууме. Nano Lett. 16 , 3824–3830 (2016).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
27. Tosun, M. et al. Воздухоустойчивое n-легирование WSe ₂ путем образования анионных вакансий при мягкой плазменной обработке. ACS Nano 10 , 6853–6860 (2016).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
28. Liu, Y. et al. Приближение к пределу Шоттки-Мотта в переходах металл-полупроводник Ван-дер-Ваальса. Природа 557 , 696–700 (2018).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
29. Wang, Y. et al. Ван-дер-ваальсовые контакты между трехмерными металлами и двумерными полупроводниками. Природа 568 , 70–74 (2019).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
30. Zheng, X. et al. Создание рисунка металлических контактов на монослое MoS ₂ с исчезающими барьерами Шоттки с использованием термальной нанолитографии. Нат. Электрон. 2 , 17–25 (2019).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
31. Семпл, Дж., Георгиаду, Д. Г., Вятт-Мун, Г., Гелинк, Г. и Антопулос, Т. Д. Гибкие диоды для радиочастотной (РЧ) электроники: перспективы материалов. Полуконд. Sci. Technol. 32 , 123002 (2017).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
32. Джаньяни, А., Сингх, Г., Тивари, М. & д’Алессандро, А. Оптические и беспроводные технологии: продолжение OWT (Springer, 2019).
33. Ли, С., Чу, М., Юнг, С. и Хонг, В. Оптически прозрачные антенны с наноразмерной структурой: обзор и направления на будущее. Заявл. Sci. 8 , 901 (2018).
Артикул
CAS
Google Scholar
34. Del Corro, E. et al. Возбужденные экситонные состояния в 1L, 2L, 3L и объемном WSe ₂, наблюдаемые методом резонансной рамановской спектроскопии. ACS Nano 8 , 9629–9635 (2014).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
35. Kim, K. et al. Выравнивание полос в гетероструктурах WSe ₂ –графен. ACS Nano 9 , 4527–4532 (2015).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
36. Хуанг, П.-Р., Хе, Ю., Цао, К. и Лу, З.-Х.Происхождение высокой работы выхода хлорированного оксида индия и олова. NPG Asia Mater. 5 , e57 (2013).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
37. Матхай А.Дж., Патель К.Д. и Шривастава Р. Исследования In-pWSe ₂ диод Шоттки методом ток-напряжение-температура. Тонкие твердые пленки 518 , 4417–4424 (2010).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
38. Латурия А., Ван де Пут М. Л. и Ванденберге В. Г. Диэлектрические свойства гексагонального нитрида бора и дихалькогенидов переходных металлов: от монослоя к объему. NPJ 2D Mater. Прил. 2 , 6 (2018).
Артикул
CAS
Google Scholar
39. Shin, H.G. et al. Вертикальные и плоские токовые устройства с использованием NbS ₂ / n-MoS ₂ перехода Ван-дер-Ваальса-Шоттки и графенового контакта. Nano Lett. 18 , 1937–1945 (2018).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
40. Muller, R., Kamins, T. & Chan, M. Device Electronics for Integrated Circuits (John Wiley & Sons Inc., 2003).
41. Разави Б. Основы микроэлектроники (John Wiley & Sons Inc., 2008).
42. Джонсон, Х., Джонсон, Х.W. & Graham, M. Высокоскоростное распространение сигнала: Advanced Black Magic (Prentice Hall PTR, 2003).
43. Хаген, Дж. Б. Радиочастотная электроника: схемы и приложения (Cambridge University Press, 2009).
44. Zhu, W. et al. Гибкие амбиполярные транзисторы с черным фосфором, схемы и демодулятор AM. Nano Lett. 15 , 1883–1890 (2015).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
45. Саймонс Р. Н. Копланарные волноводные схемы, компоненты и системы (John Wiley & Sons Inc., 2001).
46. Позар Д. М. Микроволновая инженерия (John Wiley & Sons Inc., 2005).
47. Chasin, A. et al. UHF IGZO диод Шоттки. В Proc. Международная конференция по электронным устройствам, 2012 г. 12.4.1-12.4.4 (IEEE, 2012).
48. Chasin, A. et al. Гигагерцовый режим работы диодов Шоттки a-IGZO. IEEE Trans. Электрон. Устройства 60 , 3407–3412 (2013).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
49. Zhang, J. et al. Гибкий диод Шоттки из индия – галлия – цинка – оксида, работающий на частотах выше 2,45 ГГц. Нат. Commun. 6 , 7561 (2015).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
PubMed
Google Scholar
50. Steudel, S.и другие. Выпрямитель 50 МГц на основе органического диода. Нат. Матер. 4 , 597–600 (2005).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
51. Steudel, S. et al. Выпрямление сверхвысоких частот с использованием органических диодов. В Proc. 2008 IEEE International Electron Devices Meeting 1-4 (IEEE, 2008).
52. Kang, C. et al. Выпрямители на пентаценовых диодах с частотой 1 ГГц, обеспечиваемые контролируемым осаждением пленки на анодах из Au, обработанных SAM. Adv. Электрон. Матер. 2 , 1500282 (2016).
Артикул
CAS
Google Scholar
53. Им, Д., Мун, Х., Шин, М., Ким, Дж. И Ю, С. На пути к гигагерцовой работе: сверхбыстрые органические диоды и выпрямители с малым включением на основе C ₆₀ и оксид вольфрама. Adv. Матер. 23 , 644–648 (2011).
Артикул
CAS
PubMed
Google Scholar
54. Шредер, Д. К. Характеристики полупроводниковых материалов и устройств (John Wiley & Sons, Inc., 1998).
55. Sankaran, S. & K.O., K. Диод Шоттки с частотой отсечки 400 ГГц, изготовленный в КМОП-матрице 0,18 мкм. Электрон. Lett. 41 , 506-508 (2005).
Артикул
CAS
Google Scholar
56. Bulcha, B.T. et al. Разработка и характеристика смесителей гармоник 1,8–3,2 ТГц на основе Шоттки. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 6 , 737–746 (2016).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
Google Scholar
57. Lee, Y. T. et al. Смешанный 1D ZnO-2D WSe ₂ Гетеропереход Ван-дер-Ваальса для фотодатчиков. Adv. Funct. Матер. 27 , 1703822 (2017).
Артикул
CAS
Google Scholar
58. Ahn, J. et al. ПН-диод с гетеропереходом из дихалькогенида переходного металла для достижения максимальных преимуществ в области фотоэлектрических систем. 2D Mater. 3 , 045011 (2016).
Артикул
CAS
Google Scholar
59. Kong, D. et al. Синтез пленок MoS ₂ и MoSe ₂ с вертикально ориентированными слоями. Nano Lett. 13 , 1341–1347 (2013).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
CAS
PubMed
Google Scholar
60. Yang, S.J. et al. Одностадийный синтез сморщенных тонких пленок MoSe ₂. Curr. Прил. Phys. 19 , 273–278 (2019).
Артикул
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Google Scholar
Что такое диоды быстрого восстановления (FRD)? | Полупроводник
Что такое диоды быстрого восстановления (FRD)?
Этот диод с p-n переходом предназначен для уменьшения времени обратного восстановления (trr) и также называется высокоскоростным диодом.
По сравнению с обычными выпрямительными диодами, trr на 2–3 разряда меньше, потому что FRD разработан с импульсным источником питания для выпрямления высоких частот в десятки или сотни кГц.
Типовые характеристики
Выдерживаемое напряжение (В _RM) Высокое напряжение, такое как 600 В, 800 В и 1000 В
Прямое напряжение (В _F) Приблизительно от 1,3 до 3,6 В
Обратный ток (I _R) Чрезвычайно малая, от нескольких мкА до десятков мкА
Время обратного восстановления (trr) Примерно от десятков нСм до 100 нСм
Заявка Выпрямление цепей переключения высокого напряжения (например, PFC)
Необходимо выбрать и использовать лучший тип диода в соответствии с каждым приложением, потому что чем меньше время обратного восстановления, тем больше становится V _F.
Характеристики восстановления диода
Можно приравнять trr к «времени возвращения дырок», потому что движение дырок занимает больше времени по сравнению с движением электронов.
Зависимость между прямым током (I
_F) и временем обратного восстановления (trr) Когда прямой ток мал
Когда прямой ток большой
Как улучшить трр
Тяжелый металл рассеивается, или на диод с p-n-переходом облучается пучок электронов, чтобы создать ловушку для носителей, чтобы улавливать дырки, когда они возвращаются.TRR увеличивается на 2–3 цифры, но в результате V _F становится больше.
Диод с этой защитой называется высокоскоростным диодом и обычно называется FRD (диод быстрого восстановления).
Выбор и использование диодов быстрого восстановления
V _F -TRR компромисс для диодов, выдерживающих 600 В
Общие выпрямительные диоды
Эти p-n диоды не быстродействующие.TRR большой, но V _F маленький, около 1 В (для продуктов на 600 В). Эти диоды предназначены для промышленных частот, таких как 50/60 Гц, и не используются в цепи переключения.
FRD
FRD — диоды с быстрым восстановлением. Они обеспечивают высокоскоростную поддержку и обычно имеют время от 50 до 100 нс. При напряжении V _F примерно 1,5 В это довольно много по сравнению с обычными выпрямительными диодами.
Еще один общий термин для типа FRD — «высокоскоростной диод».”
FRD (сверхскоростной тип)
Даже среди диодов с быстрым восстановлением этот диод разработан специально для быстродействия. TRR составляет примерно 25 нс, что очень мало, но V _F довольно велик при напряжении от 3 до 3,6 В. Этот диод используется в приложениях, где особенно требуется высокая скорость. Даже если V _F больше, чем это, относительное преимущество trr невелико.
Этот тип важен не только из-за его высокой скорости, но и из-за его характеристик плавного восстановления.
Форма кривой тока для режима критической проводимости PFC
Ток диода медленно переходит в состояние ВЫКЛ, как показано на рисунке. Ток восстановления также ограничен индуктором и не становится таким большим.
В этом типе применения сверхбыстрый диод не требуется, а использование обычного FRD, когда VF не очень велик, повышает эффективность.
трр быстродействующих диодов класса 600 В
Пример сверхскоростного типа
trr = 25 нс (макс.), V _F = 3.6 В (макс.)
Пример высокоскоростного типа
trr = 100 нс (макс.), В _F = 1,5 В (макс.)
Для этого приложения подходят высокоскоростные типы.
Форма кривой тока для режима непрерывной проводимости PFC
Как показано на рисунке, когда в диоде протекает ток и внезапно прикладывается обратное напряжение, если ток отключается, в течение периода trr протекает чрезвычайно большой ток восстановления, что приводит к потерям.
При использовании в схемах этого типа необходимо использовать диод с наименьшим trr, даже если жертвовать V _F.
трр быстродействующих диодов класса 600 В
Пример сверхскоростного типа
trr = 25 нс (макс.), В _F = 3,6 В (макс.)
Пример высокоскоростного типа
trr = 100 нс (макс.), В _F = 1,5 В (макс.)
Вышеуказанные сверхвысокоскоростные типы подходят для этого приложения.
Мягкое восстановление и жесткое восстановление
Когда ток восстановления восстанавливается слишком внезапно, он производит больше шума. В результате trr должен быть не только небольшим, но и плавно или плавно восстанавливаться.
Может показаться, что номера 1 и 3 в каталоге имеют один и тот же trr, но потери и шум совершенно разные. Кроме того, цифра 2 выглядит очень хорошо при просмотре каталога, но производит большой шум.
И потери мощности, и шум небольшие
Потеря мощности мала, но шум велик
И потери мощности, и шум большие
Мостовые выпрямители с быстрым / сверхбыстрым / сверхбыстрым восстановлением | Гуд-Арк Полупроводникс
Мостовые выпрямители Fast / Ultra-Fast / Super-Fast Recovery
номер части Лист данных
Упаковка V _RRM
(В) Я _{F (AV)}
(A) I _FSM
(А) V _F
(V) I _R
(мкА) T _rr
(нс)
Применить фильтр
Очистить фильтр
Закрыть фильтр
GSEB108H E91 1200 1.0 30 1,70 5 75
10 млн юаней МБМ 1000 0,5 30 1,30 5 500
RMB10S ТО-269AA (МБС) 1000 0,5 30 1.00 5 500
RMB2M МБМ 200 0,5 30 1,30 5 150
RMB2S ТО-269AA (МБС) 200 0,5 30 1,00 5 150
RMB4M МБМ 400 0.5 30 1,30 5 150
RMB4S ТО-269AA (МБС) 400 0,5 30 1,00 5 150
RMB6M МБМ 600 0,5 30 1.
Categories Разное

alexxlab
Добавить комментарий Отменить ответ
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *
Комментарий *
Имя *
Email *
Сайт

Навигация по записям
Previous ReadingРезистор сопротивление: Калькулятор цветовой маркировки резисторов
Next ReadingВстречные катушки: Как определить встречное или согласное включение катушек — Сайт Электротехника и электроника на «пять»
Рубрики
Прост
Радио
Разное
Своими руками
Советы
Схем
Схемы
Транзист
Транзисторы
Электрон
Электроника

Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации.
2024 © Все права защищены.}

Продавец	Деталь #	В _R В	I _F A	V _F при I _F = 1А	т _рр нс при I _F = 1A; dI _F / dt = 50 А / мкс; В _R = 200 В *
Central Semiconductor	CMR1U-02	200	1	1	50
Central Semiconductor	CMR1U-04	400	1	1.25	50
Международный выпрямитель	8ЭТУ-04	400	8	0,8	60
Фэйрчайлд Полупроводник	ISL9R1560P2	600	15	0,8	60

Деталь #	В _RRM В	I _RRM A	т _а нс	т _б нс	т _рр нс	C _D пФ	Эфф.%
CMR1U-02	320	0,9	30	40	70	98	79
CMR1U-04	400	0,85	20	60	80	85	79
8ЭТУ-04	360	0.7	30	90	120	117	80
ISL9R1560P2	350	0,8	40	80	120	137	79

Деталь #	C _D пФ	R5 Ом	К10пФ
CMR1U-02	98	175	294
CMR1U-04	85	188	255
8ЭТУ-04	117	160	351
ISL9R1560P2	137	118	411

Выдерживаемое напряжение (В _RM)	Высокое напряжение, такое как 600 В, 800 В и 1000 В
Прямое напряжение (В _F)	Приблизительно от 1,3 до 3,6 В
Обратный ток (I _R)	Чрезвычайно малая, от нескольких мкА до десятков мкА
Время обратного восстановления (trr)	Примерно от десятков нСм до 100 нСм
Заявка	Выпрямление цепей переключения высокого напряжения (например, PFC)

номер части	Лист данных	Упаковка	V _RRM (В)	Я _{F (AV)} (A)	I _FSM (А)	V _F (V)	I _R (мкА)	T _rr (нс)
		Применить фильтр Очистить фильтр Закрыть фильтр

GSEB108H		E91	1200	1.0	30	1,70	5	75
10 млн юаней		МБМ	1000	0,5	30	1,30	5	500
RMB10S		ТО-269AA (МБС)	1000	0,5	30	1.00	5	500
RMB2M		МБМ	200	0,5	30	1,30	5	150
RMB2S		ТО-269AA (МБС)	200	0,5	30	1,00	5	150
RMB4M		МБМ	400	0.5	30	1,30	5	150
RMB4S		ТО-269AA (МБС)	400	0,5	30	1,00	5	150
RMB6M		МБМ	600	0,5	30	1. Categories Разное alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Навигация по записям Previous ReadingРезистор сопротивление: Калькулятор цветовой маркировки резисторов Next ReadingВстречные катушки: Как определить встречное или согласное включение катушек — Сайт Электротехника и электроника на «пять» Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений. Данный интернет-сайт носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 (2) Гражданского кодекса Российской Федерации. 2024 © Все права защищены.