Site Loader

Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ с приемкой ВП

Область применения

Кремниевые эпитаксиально — планарные мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684, диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом, по схеме удвоения (далее по тексту — «диоды и диодные сборки»), в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.

Классификация, основные параметры и размеры

Диоды изготавливают одного типа четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02

Диодные сборки изготавливаются трех типов двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02.

* Диоды и диодные сборки в корпусах типа КТ-111А-1.02 включены в Решение от 2020 г. о снятии с производства. В новых разработках не применять!

Диодные сборки с общим катодом относятся к первому типу, диодные сборки с общим анодом относятся ко второму типу, диодные сборки по схеме удвоения относятся к третьему типу.

Основные и классификационные характеристики диодов и диодных сборок приведены в таблице ниже.

Схемы разводки диодов и диодов в составе диодных сборок в корпусе, нумерация выводов корпуса приведены на рисунках ниже.

Диоды и диодные сборки изготавливаются в исполнении, предназначенные для ручной сборки (монтажа) аппаратуры.

Условное обозначение диодов и диодных сборок при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

  • Диод 2Д684В АЕЯР.432120.557ТУ.
  • Диодная сборка 2Д684ВС1 АЕЯР.432120.557ТУ.
  • Диод 2Д684В1 АЕЯР.432120.557ТУ.
  • Диодная сборка 2Д684ВС11 АЕЯР.432120.557ТУ.
  • Диод 2Д684В2 АЕЯР.432120.557ТУ.
  • Диодная сборка 2Д684ВС12 АЕЯР.432120.557ТУ.
Основные и классификационные параметры диодов и диодных сборок
Условное обозначение Основные параметры в нормальных климатических условиях 1, буквенное обозначение, единица измеренияУсловное обозначение корпусаОбозначение габаритного чертежа, схема разводки в корпусе, нумерация выводовОбо­зна­че­ни­е схемы со­е­ди­не­ния2
Uобр max, ВUпр, ВI
пр
, А
Iобр, мА
Диоды
2Д684В4001,580,1КТ-111А-1. 02 ПБВК.432123.001ГЧД
2Д684Г4001,5150,1
2Д684Д6001,680,1
2Д684Е6001,6150,1
2Д684В14001,580,1КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧД
2Д684Г14001,5150,1
2Д684Д16001,680,1
2Д684Е16001,6150,1
Сборки с общим катодом
2Д684ВС14001,580,1КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧОК
2Д684ГС14001,5150,1
2Д684ДС16001,68
0,1
2Д684ЕС16001,6150,1
2Д684ВС114001,580,1КТ-111А-2. 02 ПБВК.432123.002ГЧОК
2Д684ГС114001,5150,1
2Д684ДС116001,680,1
2Д684ЕС116001,6150,1
Сборки с общим анодом
2Д684ВС24001,580,1КТ-111А-1.02 ПБВК.432123.001ГЧОА
2Д684ГС24001,5150,1
2Д684ДС26001,680,1
2Д684ЕС26001,6150,1
2Д684ВС214001,580,1КТ-111А-2.02 ПБВК.432123.002ГЧОА
2Д684ГС214001,5150,1
2Д684ДС216001,680,1
2Д684ЕС216001,6150,1
Сборки по схеме удвоения
2Д684ВС34001,580,1КТ-111А-1. 02 ПБВК.432123.001ГЧСУ
2Д684ГС34001,5150,1
2Д684ДС36001,680,1
2Д684ЕС36001,6150,1
2Д684ВС314001,580,1
КТ-111А-2.02
ПБВК.432123.002ГЧСУ
2Д684ГС314001,5150,1
2Д684ДС316001,680,1
2Д684ЕС316001,6150,1

Примечания:

  1. Параметры диодов В1—Е1, В2—Е2, диодов в составе диодных сборок ВС1—ЕС1, ВС11—ЕС11, ВС12—ЕС12, ВС2—ЕС2, ВС21—ЕС21, ВС22—ЕС22, ВС3—ЕС3, ВС31—ЕС31, ВС32—ЕС32 соответствуют параметрам одиночных диодов с индексами В—Е.
  2. Обозначение схемы соединения:
    • Д — диод.
    • ОК — диодная сборка из двух диодов с общим катодом.
    • ОА — диодная сборка из двух диодов с общим анодом.
    • СУ — диодная сборка из двух последовательно соединенных диодов — схема удвоения.

Новые высоковольтные сильноточные диоды с плавной коммутацией

Ершов Андрей

PDF версия

Силовая электроника Статьи #Mitsubishi #StarPower

В статье очень описаны последние новинки компаний StarPower Europe и Mitsubishi Electric. Приведены основные характеристики диодов и осциллограммы процессов коммутации.

Введение

Несмотря на то, что в последнее время достигнут неплохой прогресс в улучшении параметров диодов, они в некоторых силовых топологиях до сих пор остаются ахиллесовой пятой. Особенно если речь идет о высоковольтных сильноточных каскадах, где требуются диоды с быстрым восстановлением обратного сопротивления и большим максимальным обратным напряжением. Производители силовых полупроводниковых приборов продолжают работу по созданию высоковольтных диодов с быстрым восстановлением (Fast Recovery Diodes, FRD).

Мы очень кратко, не углубляясь в детали, расскажем о двух таких разработках. Одна из них принадлежит компании StarPower Europe AG [1], а другая – компании Mitsubishi Electric [2].

 

Диоды компании StarPower Europe AG

Эта компания разработала уже 4‑е поколение диодов FRD. Особенностью нового поколения является использование объемной кремниевой пластины тонким нижним слоем n+ с лазерным отжигом. Благодаря комбинации глубоко легированного фосфора и легирования примесью, уменьшающей время жизни носителей, были получены быстрые диоды с мягким восстановлением и токовым хвостом.

Характеристики новых диодов стабильны во всем диапазоне рабочей температуры, а прямое падение напряжения на них мало зависит от температуры. Эти диоды предназначены для приложений с повышенной частотой, где крайне важно уменьшить коммуникационные потери. Номинальное обратное напряжение новых диодов составляет 600, 1200 и 1700 В. Они экономичны в изготовлении, т. к. позволяют использовать глубокую диффузию фосфора и отказаться от многократной протонной имплантации.

Рис. 1. Сечение высоковольтного диода компании StarPower Europe AG

На рисунке 1 схематично показано сечение диода. Его структура совместима с производственным процессом IGBT с нормированным напряжением 1700–4500 В. Структура получена с помощью десорбции/ионизации кремния DIOS. На рисунке 2 показана структура 1700‑В диода с мягким восстановлением. В нем используется глубокая диффузия фосфора и примесь бора в P‑области, уменьшающая время жизни носителей. Область P позволяет уменьшить ток утечки, а также предотвратить эффект сжатия (шнурования) тока при жесткой коммутации. Область N обеспечивает избыточный заряд для мягкого восстановления.

Рис. 2. Структура 1700-В диода с мягким восстановлением компании StarPower Europe AG

Положительный температурный коэффициент диода позволяет применять его с параллельно включаемыми IGBT даже при высокой температуре. Время восстановления обратного сопротивления Trr задается путем введения примесей, уменьшающих время жизни носителей. Производство диодов осуществляется методом вариативного распределения примеси (VLD). Применяется технология поверхностной пассивации полупроводниковых приборов с легированными кислородом пленками поликристаллического кремния (SIPOS). В результате достигается высокая надежность и стабильность коммутационных параметров.

Проведение тестов на стабильность при максимальных температурах показали, что при обратном напряжении, составляющем 80% от максимального, и температуре 150°C обратный ток не увеличивается и составляет 10 мкА. Испытания проводились в течение 1000 ч, показания регистрировались каждые 8 ч.

Рис. 3. Статическая вольтамперная характеристика диода компании StarPower Europe AG

На рисунке 3 показана статическая вольтамперная характеристика 900‑В диода. Как видно из рисунка, прямое падение напряжения на диоде возрастает с увеличением температуры, что позволяет применять параллельное соединение диодов. На рисунке 4 показан процесс коммутации 900‑В диода: верхняя кривая соответствует току диода, а нижняя представляет собой производную тока.

Рис. 4. Процесс коммутации диода компании StarPower Europe AG

 

Диоды компании Mitsubishi Electric

Компания выпускает новые модули RFC на базе диодов, входящих в состав IGBT-сборок. Диоды характеризуются низкими потерями мощности и высоким показателем I2t. Максимальная температура перехода достигает 150°C. Структура диода показана на рисунке 5. Области легирования P и N+ на нижней стороне диода обеспечивают плавную коммутацию, что позволяет уменьшить коммутационные электромагнитные помехи.

Рис. 5. Структура диода RFC компании Mitsubishi Electric

На рисунке 6 приведены вольтамперные характеристики диода RFC и диода прежнего поколения. Видно, что компании удалось существенно уменьшить прямое падение напряжения на диоде и, следовательно, сократить потери на проводимость. Кроме того, у диодов нового поколения увеличена способность выдерживать импульсные токи.

Если у 4500‑В/900‑А диода предыдущего поколения величина I2t составляла 170 кА2 с при максимальном всплеске тока до 6400 А, то у диода нового поколения этот показатель возрос до 390 кА2 с при максимальном пиковом значении 8800 А.

Рис. 6. Статическая вольтамперная характеристика диодов компании Mitsubishi Electric

На рисунке 7 показана осциллограмма восстановления обратных характеристик диода при напряжении шины постоянного тока 3500 В и паразитной индуктивности 150 нГн.

Рис. 7. Осциллограмма восстановления обратных характеристик диода компании Mitsubishi Electric

Литература

  1. A Low loss and Low Forward Voltage Drop SIPOS Passivated Fast Recovery Diode//www.bodospower.com.
  2. X-Series RFC Diodes for Robust and Reliable Medium-Voltage Drives//www.bodospower.com.

Сверхбыстрое восстановление | Диоды и выпрямители

, чтобы выбрать несколько значений, CTRL-щелчок или нажимать на щелчок по поводу элементов

Avalanche Rextifiers Fortement-Open Connction Rectifiersfer GPPFER Open Junctfer PlanarRfred Pt®Hexfred®Reset

5050 до 20050 по 40050 по 60055100100100100 гг. 200110150165200220300300 to 600400500600600 to 10006508001000120013001600Reset

0.511.21.51.922 x 22 x 2.02 x 32 x 42 x 52 x 5.02 x 62 x 82 x 8.02 x 102 x 152 x 162 x 252 x 302 x 4033.545681215161820253050607580150Reset

0.710.7100.740.750.760.770.80.820.830.850.880.890.8950.900.920.930.950.981 at 11.01.051.07 at 31.11.1 at 11.1 at 31.1 at 51.131.15 at 11.201.251.25 at 3.51.281.391.41.421.451.61. 71.7 at 11.7 at 32.5 at 13.03.4 at 10.660.680.690.70.710.720.730.740.750.770.780.790.80.810.820.830.840.850.870.880.890.8950.90.910.920.930.940.950.980.9911.011.051.081.11.101.111.121.131.151. 191.21.201.221.231.241.251.261.281.291.31.341.361.371.41.401.481.51.531.551.61.651.71.751.81.851.881.952.052.12.20.252.02.65.4 набор0005

1018202125303235404345505455606165707580851021101201251301401471501551601701731751801851200205210220225240250255280300310320330370395400420425450460470480500520565600615700800150075012001600Reset

1415161718192021222324252627282930323334353637384041424445464749505557596061626575110see datasheetReset

150175Reset

2L TO-220 FullPAK2L TO-220AC3L TO-220 FullPAK3L TO-220ABD2PAK (TO-263AB)D2PAK 2L (TO-263AB 2L)DFN3820ADO-15 (DO-204AC)DO- 41 (DO-204AL)DO-201ADDPAK (TO-252AA)FlatPAK 5 x 6GF1 (DO-214BA)GL34 (DO-213AA)GL41 (DO-213AB)ITO-220ABITO-220ACMicroSMP (DO-219)AD)PowerTab®SlimDPAK (TO-252AE)SlimSMA (DO-221AC)SlimSMAW (DO-221AD)SMA (DO-214AC)SMB (DO-214AA)SMC (DO-214AB)SMF (DO-219AB)SMP (DO- 220AA)SMPC (TO-277A)SMPD (TO-263AC)SOD-57SOD-64TO-3P (TO-247AD)TO-3PFTO-220 FullPAK 2LTO-220ABTO-220AB 3LTO-220ACTO-220AC 2LTO-247ACTO-247AC 2LTO-247AC 3LTO-247AC модифицированныйTO-247AC модифицированный (2 контакта)TO-247AD 2LTO-247AD 3LTO-262AATO-263AB (D2PAK)Сброс

SOD-123WSOD-128Сброс

Общий анодОбщий катодРаздельный катодОдиночныйОдиночный кристаллСброс

0002 NoYesReset

Show 102550100 entries

31GF4


Enlarge
400 3 1. 25 60 30 150 DO-201AD Single No

31GF6-E3


Enlarge
600 3 1.6 90 30 150 DO-201AD Single No

31GF6-M3


Enlarge
600 3 1.6 90 30 150 DO-201AD Single No

AU1FD


Enlarge
200 1 see datasheet 30 75 175 SMF (DO-219AB) Single Yes

AU1FG


Enlarge
400 1 see datasheet 30 75 175 SMF (DO-219AB) Single Yes

AU1FJ


Enlarge
600 1 see datasheet 30 75 175 SMF (DO-219AB) Single Yes

AU1FK


Enlarge
800 1 see datasheet 30 75 175 SMF (DO-219AB) Single Yes

AU1FM


Enlarge
1000 1 См. DataSheet 30 75 175 SMF (DO-219AB)333333.0033

AU1PD


Enlarge
200 1 1.6 30 75 175 SMP (DO-220AA) Single Yes

AU1PG


Enlarge
400 1 1.6 30 75 175 SMP (DO-220AA) Single Yes

Show 102550100 entries

Выбор диодов сверхбыстрого восстановления, используемых в обратноходовых схемах