Мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684 АЕЯР.432120.557ТУ с приемкой ВП
Область применения
Кремниевые эпитаксиально — планарные мощные высоковольтные ультрабыстрые диоды 2Д684, диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом, по схеме удвоения (далее по тексту — «диоды и диодные сборки»), в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.
Классификация, основные параметры и размеры
Диоды изготавливают одного типа четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и четырех типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02
Диодные сборки изготавливаются трех типов двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и двенадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02.
* Диоды и диодные сборки в корпусах типа КТ-111А-1.02 включены в Решение от 2020 г. о снятии с производства. В новых разработках не применять!
Диодные сборки с общим катодом относятся к первому типу, диодные сборки с общим анодом относятся ко второму типу, диодные сборки по схеме удвоения относятся к третьему типу.
Основные и классификационные характеристики диодов и диодных сборок приведены в таблице ниже.
Схемы разводки диодов и диодов в составе диодных сборок в корпусе, нумерация выводов корпуса приведены на рисунках ниже.
Диоды и диодные сборки изготавливаются в исполнении, предназначенные для ручной сборки (монтажа) аппаратуры.
Условное обозначение диодов и диодных сборок при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
- Диод 2Д684В АЕЯР.432120.557ТУ.
- Диодная сборка 2Д684ВС1 АЕЯР.432120.557ТУ.
- Диод 2Д684В1 АЕЯР.432120.557ТУ.
- Диодная сборка 2Д684ВС11 АЕЯР.432120.557ТУ.
- Диод 2Д684В2 АЕЯР.432120.557ТУ.
- Диодная сборка 2Д684ВС12 АЕЯР.432120.557ТУ.
Условное обозначение | Основные параметры в нормальных климатических условиях 1, буквенное обозначение, единица измерения | Условное обозначение корпуса | Обозначение габаритного чертежа, схема разводки в корпусе, нумерация выводов | Обозначение схемы соединения2 | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Uобр max, В | Uпр, В | I | Iобр, мА | ||||
Диоды | |||||||
2Д684В | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-1. 02 | ПБВК.432123.001ГЧ | Д |
2Д684Г | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684Д | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684Е | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
2Д684В1 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-2.02 | ПБВК.432123.002ГЧ | Д |
2Д684Г1 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684Д1 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684Е1 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
Сборки с общим катодом | |||||||
2Д684ВС1 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432123.001ГЧ | ОК |
2Д684ГС1 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС1 | 600 | 1,6 | 8 | ||||
2Д684ЕС1 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ВС11 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-2. 02 | ПБВК.432123.002ГЧ | ОК |
2Д684ГС11 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС11 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684ЕС11 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
Сборки с общим анодом | |||||||
2Д684ВС2 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432123.001ГЧ | ОА |
2Д684ГС2 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС2 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684ЕС2 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ВС21 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-2.02 | ПБВК.432123.002ГЧ | ОА |
2Д684ГС21 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС21 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684ЕС21 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
Сборки по схеме удвоения | |||||||
2Д684ВС3 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | КТ-111А-1. 02 | ПБВК.432123.001ГЧ | СУ |
2Д684ГС3 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС3 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684ЕС3 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ВС31 | 400 | 1,5 | 8 | 0,1 | ПБВК.432123.002ГЧ | СУ | |
2Д684ГС31 | 400 | 1,5 | 15 | 0,1 | |||
2Д684ДС31 | 600 | 1,6 | 8 | 0,1 | |||
2Д684ЕС31 | 600 | 1,6 | 15 | 0,1 |
Примечания:
- Параметры диодов В1—Е1, В2—Е2, диодов в составе диодных сборок ВС1—ЕС1, ВС11—ЕС11, ВС12—ЕС12, ВС2—ЕС2, ВС21—ЕС21, ВС22—ЕС22, ВС3—ЕС3, ВС31—ЕС31, ВС32—ЕС32 соответствуют параметрам одиночных диодов с индексами В—Е.
- Обозначение схемы соединения:
- Д — диод.
- ОК — диодная сборка из двух диодов с общим катодом.
- ОА — диодная сборка из двух диодов с общим анодом.
- СУ — диодная сборка из двух последовательно соединенных диодов — схема удвоения.
- Д — диод.
Новые высоковольтные сильноточные диоды с плавной коммутацией
Ершов Андрей
PDF версия
Силовая электроника Статьи #Mitsubishi #StarPower
В статье очень описаны последние новинки компаний StarPower Europe и Mitsubishi Electric. Приведены основные характеристики диодов и осциллограммы процессов коммутации.
Введение
Несмотря на то, что в последнее время достигнут неплохой прогресс в улучшении параметров диодов, они в некоторых силовых топологиях до сих пор остаются ахиллесовой пятой. Особенно если речь идет о высоковольтных сильноточных каскадах, где требуются диоды с быстрым восстановлением обратного сопротивления и большим максимальным обратным напряжением. Производители силовых полупроводниковых приборов продолжают работу по созданию высоковольтных диодов с быстрым восстановлением (Fast Recovery Diodes, FRD).
Мы очень кратко, не углубляясь в детали, расскажем о двух таких разработках. Одна из них принадлежит компании StarPower Europe AG [1], а другая – компании Mitsubishi Electric [2].
Диоды компании StarPower Europe AG
Эта компания разработала уже 4‑е поколение диодов FRD. Особенностью нового поколения является использование объемной кремниевой пластины тонким нижним слоем n+ с лазерным отжигом. Благодаря комбинации глубоко легированного фосфора и легирования примесью, уменьшающей время жизни носителей, были получены быстрые диоды с мягким восстановлением и токовым хвостом.
Характеристики новых диодов стабильны во всем диапазоне рабочей температуры, а прямое падение напряжения на них мало зависит от температуры. Эти диоды предназначены для приложений с повышенной частотой, где крайне важно уменьшить коммуникационные потери. Номинальное обратное напряжение новых диодов составляет 600, 1200 и 1700 В. Они экономичны в изготовлении, т. к. позволяют использовать глубокую диффузию фосфора и отказаться от многократной протонной имплантации.
Рис. 1. Сечение высоковольтного диода компании StarPower Europe AGНа рисунке 1 схематично показано сечение диода. Его структура совместима с производственным процессом IGBT с нормированным напряжением 1700–4500 В. Структура получена с помощью десорбции/ионизации кремния DIOS. На рисунке 2 показана структура 1700‑В диода с мягким восстановлением. В нем используется глубокая диффузия фосфора и примесь бора в P‑области, уменьшающая время жизни носителей. Область P позволяет уменьшить ток утечки, а также предотвратить эффект сжатия (шнурования) тока при жесткой коммутации. Область N обеспечивает избыточный заряд для мягкого восстановления.
Рис. 2. Структура 1700-В диода с мягким восстановлением компании StarPower Europe AGПоложительный температурный коэффициент диода позволяет применять его с параллельно включаемыми IGBT даже при высокой температуре. Время восстановления обратного сопротивления Trr задается путем введения примесей, уменьшающих время жизни носителей. Производство диодов осуществляется методом вариативного распределения примеси (VLD). Применяется технология поверхностной пассивации полупроводниковых приборов с легированными кислородом пленками поликристаллического кремния (SIPOS). В результате достигается высокая надежность и стабильность коммутационных параметров.
Проведение тестов на стабильность при максимальных температурах показали, что при обратном напряжении, составляющем 80% от максимального, и температуре 150°C обратный ток не увеличивается и составляет 10 мкА. Испытания проводились в течение 1000 ч, показания регистрировались каждые 8 ч.
Рис. 3. Статическая вольтамперная характеристика диода компании StarPower Europe AGНа рисунке 3 показана статическая вольтамперная характеристика 900‑В диода. Как видно из рисунка, прямое падение напряжения на диоде возрастает с увеличением температуры, что позволяет применять параллельное соединение диодов. На рисунке 4 показан процесс коммутации 900‑В диода: верхняя кривая соответствует току диода, а нижняя представляет собой производную тока.
Рис. 4. Процесс коммутации диода компании StarPower Europe AG
Диоды компании Mitsubishi Electric
Компания выпускает новые модули RFC на базе диодов, входящих в состав IGBT-сборок. Диоды характеризуются низкими потерями мощности и высоким показателем I2t. Максимальная температура перехода достигает 150°C. Структура диода показана на рисунке 5. Области легирования P и N+ на нижней стороне диода обеспечивают плавную коммутацию, что позволяет уменьшить коммутационные электромагнитные помехи.
Рис. 5. Структура диода RFC компании Mitsubishi ElectricНа рисунке 6 приведены вольтамперные характеристики диода RFC и диода прежнего поколения. Видно, что компании удалось существенно уменьшить прямое падение напряжения на диоде и, следовательно, сократить потери на проводимость. Кроме того, у диодов нового поколения увеличена способность выдерживать импульсные токи.
На рисунке 7 показана осциллограмма восстановления обратных характеристик диода при напряжении шины постоянного тока 3500 В и паразитной индуктивности 150 нГн.
Литература
- A Low loss and Low Forward Voltage Drop SIPOS Passivated Fast Recovery Diode//www.bodospower.com.
- X-Series RFC Diodes for Robust and Reliable Medium-Voltage Drives//www.bodospower.com.
Сверхбыстрое восстановление | Диоды и выпрямители
, чтобы выбрать несколько значений, CTRL-щелчок или нажимать на щелчок по поводу элементов
Avalanche Rextifiers Fortement-Open Connction Rectifiersfer GPPFER Open Junctfer PlanarRfred Pt®Hexfred®Reset
5050 до 20050 по 40050 по 60055100100100100 гг. 200110150165200220300300 to 600400500600600 to 10006508001000120013001600Reset
0.511.21.51.922 x 22 x 2.02 x 32 x 42 x 52 x 5.02 x 62 x 82 x 8.02 x 102 x 152 x 162 x 252 x 302 x 4033.545681215161820253050607580150Reset
0.710.7100.740.750.760.770.80.820.830.850.880.890.8950.900.920.930.950.981 at 11.01.051.07 at 31.11.1 at 11.1 at 31.1 at 51.131.15 at 11.201.251.25 at 3.51.281.391.41.421.451.61. 71.7 at 11.7 at 32.5 at 13.03.4 at 10.660.680.690.70.710.720.730.740.750.770.780.790.80.810.820.830.840.850.870.880.890.8950.90.910.920.930.940.950.980.9911.011.051.081.11.101.111.121.131.151. 191.21.201.221.231.241.251.261.281.291.31.341.361.371.41.401.481.51.531.551.61.651.71.751.81.851.881.952.052.12.20.252.02.65.4 набор0005
101820212530323540434550545560616570758085
1415161718192021222324252627282930323334353637384041424445464749505557596061626575110see datasheetReset
150175Reset
2L TO-220 FullPAK2L TO-220AC3L TO-220 FullPAK3L TO-220ABD2PAK (TO-263AB)D2PAK 2L (TO-263AB 2L)DFN3820ADO-15 (DO-204AC)DO- 41 (DO-204AL)DO-201ADDPAK (TO-252AA)FlatPAK 5 x 6GF1 (DO-214BA)GL34 (DO-213AA)GL41 (DO-213AB)ITO-220ABITO-220ACMicroSMP (DO-219)AD)PowerTab®SlimDPAK (TO-252AE)SlimSMA (DO-221AC)SlimSMAW (DO-221AD)SMA (DO-214AC)SMB (DO-214AA)SMC (DO-214AB)SMF (DO-219AB)SMP (DO- 220AA)SMPC (TO-277A)SMPD (TO-263AC)SOD-57SOD-64TO-3P (TO-247AD)TO-3PFTO-220 FullPAK 2LTO-220ABTO-220AB 3LTO-220ACTO-220AC 2LTO-247ACTO-247AC 2LTO-247AC 3LTO-247AC модифицированныйTO-247AC модифицированный (2 контакта)TO-247AD 2LTO-247AD 3LTO-262AATO-263AB (D2PAK)Сброс
SOD-123WSOD-128Сброс
Общий анодОбщий катодРаздельный катодОдиночныйОдиночный кристаллСброс
0002 NoYesResetShow 102550100 entries
31GF4 | Enlarge | 400 | 3 | 1. 25 | 60 | 30 | 150 | DO-201AD | Single | No | ||||||||||
31GF6-E3 | Enlarge | 600 | 3 | 1.6 | 90 | 30 | 150 | DO-201AD | Single | No | ||||||||||
31GF6-M3 | Enlarge | 600 | 3 | 1.6 | 90 | 30 | 150 | DO-201AD | Single | No | ||||||||||
AU1FD | Enlarge | 200 | 1 | see datasheet | 30 | 75 | 175 | SMF (DO-219AB) | Single | Yes | ||||||||||
AU1FG | Enlarge | 400 | 1 | see datasheet | 30 | 75 | 175 | SMF (DO-219AB) | Single | Yes | ||||||||||
AU1FJ | Enlarge | 600 | 1 | see datasheet | 30 | 75 | 175 | SMF (DO-219AB) | Single | Yes | ||||||||||
AU1FK | Enlarge | 800 | 1 | see datasheet | 30 | 75 | 175 | SMF (DO-219AB) | Single | Yes | ||||||||||
AU1FM | Enlarge | 1000 | 1 | См. DataSheet | 30 | 75 | 175 | SMF (DO-219AB) | 333333.0033 AU1PD | Enlarge | 200 | 1 | 1.6 | 30 | 75 | 175 | SMP (DO-220AA) | Single | Yes | |
AU1PG | Enlarge | 400 | 1 | 1.6 | 30 | 75 | 175 | SMP (DO-220AA) | Single | Yes |
Show 102550100 entries
Выбор диодов сверхбыстрого восстановления, используемых в обратноходовых схемах
Скачать PDF
Abstract
В данных рекомендациях по применению описывается процесс выбора диода и конструкция демпфера для высоковольтного инвертирующего обратноходового преобразователя для интерфейсных карт абонентской линии (SLIC).
Последние разработки на рынке ПК и телекоммуникаций привели к тому, что частоты переключения силовой электроники расширились от линейных частот до диапазона МГц. Эта тенденция привела к соответствующему развитию технологий электронных коммутационных компонентов, таких как силовые выпрямители и силовые переключатели. На этих частотах переключения важны сверхбыстрые характеристики силового выпрямителя. Диод должен иметь низкий восстанавливающий заряд с плавными характеристиками восстановления и малым падением прямого напряжения при быстром включении. Целью этих указаний по применению является обсуждение параметров диода, влияющих на схему, для разработки надежного источника питания.
Чтобы оценить влияние параметров диода на характеристики схемы, в данных рекомендациях по применению рассматривается пример обратноходовой схемы с использованием MAX1856. В первом разделе кратко описывается схема обратного хода, используемая здесь в качестве примера. Во втором разделе обсуждаются важные параметры диодов, влияющие на переходные процессы переключения в цепи, конструкция снабберной цепи на выходном диоде и влияние проводимости, переключения и обратной блокировки выпрямителя на общую рассеиваемую мощность. Производители быстрых выпрямителей могут указывать все или только некоторые из параметров, обсуждаемых во втором разделе. В третьем и последнем разделе обсуждаются характеристики четырех разных диодов в этой схеме. Это указывает на способ оценки производительности различных диодов в прикладной схеме. Статья завершается ожиданием в будущем улучшения производительности, вызванного дальнейшим технологическим развитием.
MAX1856 Цепь обратного хода
MAX1856 используется здесь (рис. 1) в обратноходовой конфигурации для выработки питания для платы интерфейса абонентской линии (SLIC) от входного напряжения 12 В. Выход -90 В при 0,32 А предназначен для функции звонка, а выход -30 В при 0,15 А для разговорной батареи.
Рисунок 1. Схема блока питания SLIC.
ШИМ-контроллер MAX1856 с токовым режимом использует инвертирующую обратноходовую конфигурацию для создания относительно высоких отрицательных напряжений, необходимых для источников питания SLIC. Контроллер режима ШИМ использует режим тока с фиксированной частотой, где рабочий цикл определяется соотношением входного и выходного напряжения и коэффициентом трансформации трансформатора. Контур обратной связи по току регулирует пиковый ток катушки индуктивности в зависимости от выходного сигнала ошибки. MAX1856 использует внешний чувствительный резистор нижнего плеча (R1 на рис. 1) для контроля пикового тока дросселя. Сразу после включения контроллер отключает схему измерения тока на 100 нс, чтобы минимизировать чувствительность к шуму. Кроме того, фильтр (R10 и C7 на рис. 1) на выводе измерения тока (CS+) повышает помехозащищенность. Эта постоянная времени должна быть достаточно низкой, чтобы не искажать сигнал текущего датчика. Как правило, максимальная постоянная времени R10-C7 должна быть меньше 1/10 th минимальный рабочий цикл для правильного функционирования контура управления. Обратитесь к техническому описанию MAX1856 за рекомендациями, подробно описывающими процедуру проектирования этой схемы.
Соотношение витков трансформатора 1:2,2,2 (см. рис. 1), со сложенными вторичными обмотками. Это дает максимальный рабочий цикл 56% при номинальном входном напряжении. Трансформатор Cooper Electronics CTX03-15220 имеет первичную индуктивность приблизительно 4 мкГн с индуктивностью рассеяния L LP 80 нГн. Предполагая идеальную связь между всеми первичными и вторичными обмотками, это соответствует максимальной индуктивности вторичного рассеяния, L LS , примерно 3 мкГн.
Пропускная способность трансформатора зависит от рабочей частоты и эффективного объема сердечника и воздушного зазора. Чтобы получить необходимые 30 Вт с использованием ядра EFD20 (трансформатор CTX03-15220), MAX1856 должен работать на максимальной частоте (500 кГц). Эта высокая частота коммутации требует наличия быстродействующего выпрямителя во вторичной обмотке трансформатора. Он должен иметь характеристики быстрого восстановления и быстрого включения с малым падением напряжения в прямом направлении. Очень быстрое восстановление диода может генерировать значительный излучаемый и кондуктивный шум. Выброс наведенного напряжения также может привести к повреждению диода, если оно превышает напряжение пробоя диода. Однако очень медленное восстановление увеличивает потери мощности. Выпрямитель на -90 В при 0,32 А на выходе должно иметь высокое обратное напряжение пробоя, чтобы выдержать выходное напряжение (90 В) плюс отраженное входное напряжение (6 × 12 = 72 В), в данном случае 162 В. Средний номинальный ток диода должен превышать максимальный выходной ток. Для выбора подходящего диода необходимо сначала перечислить важные характеристики выпрямителя.
Характеристики диода и конструкция демпфера
Этот раздел начинается с краткого обсуждения характеристик выпрямителя, за которым следуют рекомендации по конструкции снаббера, а затем заканчивается обсуждением рассеиваемой мощности в выпрямителе.
Формы сигналов и характеристики диодов
В быстродействующих выпрямительных диодахиспользуется некоторая вариация p-i-n структуры. Переход из состояния проводимости в состояние блокировки занимает конечное время. Это известно как время обратного восстановления (t rr ) диода. Далее его можно разделить на время t a , необходимое для удаления носителей (ток через диод меняется на противоположный в течение короткого периода времени), прежде чем он сможет заблокировать напряжение, и время t b , в течение которого напряжение на диоде становится отрицательным со скоростью изменения dV R /dt. Увеличенная инжекция для уменьшения прямого падения напряжения подразумевает больший заряд, который необходимо удалить из внутренней области, прежде чем диод сможет блокировать напряжение. Следовательно, это отрицательно скажется на времени обратного восстановления. Производители выпрямителей с быстрым восстановлением обычно пытаются найти оптимальный компромисс для этих двух требований.
На рис. 2 ниже приведены формы сигналов и определения характеристик восстановления выпрямителя с быстрым восстановлением. Снятие накопленного заряда в собственной области происходит за счет протекания большого обратного тока за время t и . По истечении этого времени переход становится смещенным в обратном направлении. Обратный ток в этой точке определяется как пиковый обратный ток восстановления, I RRM . Значение I RRM пропорционально скорости изменения прямого тока при пересечении нуля dI F /dt.
I RRM = (dI F /dt) × t a
Затем обратный ток уменьшается за счет рекомбинации со скоростью dI R /dt за время t б . Сумма обратного возмещения указана по номеру
.Q RR = (I RRM × t rr )/2
Где t rr = t a + t b
Некоторые спецификации выпрямителей могут определять коэффициент мягкости S, где
S = (t a /t b )
Напряжение на диоде становится отрицательным со скоростью, пропорциональной dI R /dt. Во время восстановления диода это изменение тока приведет к выбросу обратного напряжения из-за паразитной индуктивности L LS во вторичной обмотке трансформатора. Тогда пиковое обратное напряжение V RRM определяется как
.В RRM = L LS × dI R /dt
Рис. 2. Кривые обратного восстановления и их определения.
Если пиковое обратное напряжение слишком велико, это может привести к повреждению переключающего выпрямителя. Кроме того, очень высокая скорость изменения будет генерировать значительный излучаемый и кондуктивный шум. Однако, если скорость изменения слишком мала, время обратного восстановления будет увеличиваться, что приведет к увеличению рассеиваемой мощности в выпрямителе во время этого перехода из проводящего состояния в заблокированное, как обсуждается ниже (см. раздел «Рассеивание мощности выпрямителя»).
Конструкция амортизатора
Паразитная собственная емкость диода C D определяется как
C D = (I RRM × t rr )/(2 × V RRM )
Эта паразитная емкость C D резонирует с паразитной индуктивностью L LS во вторичной обмотке трансформатора и вызывает проблемы с шумом в сигнале измерения тока и в прикладной схеме в целом. Чтобы погасить этот звон, можно использовать RC-демпфер на катоде вторичного выпрямителя (D2) на рис. 1 (демпфер размещается на этом выпрямителе, так как выходная мощность, требуемая от этого выхода, наибольшая). Значения снабберной составляющей R5 и C10 определяются (см. рис. 1)
R5 = √(L LS /C D ) и C10 = 3 × C D или C10 = 4 × C D
Рассеиваемая мощность выпрямителя
Наконец, рассматривается рассеиваемая мощность выпрямителя в различных режимах работы. Во время включения выключателя энергия накапливается и накапливается в трансформаторе. В этот период выпрямитель находится в состоянии блокировки. Потери в заблокированном состоянии можно выразить как
П Р = I R × V R × D
Где I R — обратный ток утечки в диоде, V R — обратное напряжение на диоде, а D — рабочий цикл.
По истечении этого периода переключатель выключается, и энергия передается на выход. Теперь диод начинает проводить ток, и мощность, рассеиваемая на диоде, составляет
.P F = I F × V F × (1-D)
Где I F — прямой ток в диоде, а V F — прямое падение напряжения на диоде.
В конце этого цикла диод выключается и переходит в запирающее состояние. Рассеиваемая мощность при переходе из состояния проводимости в состояние блокировки определяется как
P rec = V RRM × I RRM × 0,5 × f × t b
Где I RRM — пиковый обратный ток восстановления, V RRM — пиковое обратное напряжение, а f — частота коммутации.
Выбор диода
Обсуждение здесь сосредоточено на выборе диода для вторичного выхода -90В на 0,32А (D2). Предполагая, что пульсации тока во вторичной обмотке составляют 0,5 А, необходим выпрямитель, рассчитанный как минимум на прямой ток 1 А для напряжения -90 В при выходном токе 0,32 А. Как упоминалось ранее, диод должен выдерживать обратное напряжение не менее 162В. Однако, исходя из приведенного выше обсуждения, способность обратного напряжения блокировки должна быть несколько выше, чтобы защитить от повреждения из-за выброса напряжения во время обратного восстановления. Поэтому рассматриваются только выпрямители с возможностью обратной блокировки не менее 200В. В таблице 1 ниже перечислены рассматриваемые диоды и некоторые из них для комнатной температуры (T C = 25°C). Обратный ток утечки I R, этих диодов составляет 100 мкА (наихудший случай), поэтому при обратном напряжении V R , равном 162 В, в выпрямителе в блокирующее состояние. Точно так же рассеиваемая мощность в прямом направлении варьируется от 115 мВт до 180 мВт для выпрямителей, рассмотренных в таблице 1.
Поставщик | Деталь № | В Р В | И Ф А | В Ф в Я Ф = 1А | т рр нс
у I F = 1А; dI F /dt=50 А/мкс; В Ч =200 В* |
Центральный полупроводник | CMR1U-02 | 200 | 1 | 1 | 50 |
Центральный полупроводник | CMR1U-04 | 400 | 1 | 1,25 | 50 |
Международный выпрямитель | 8ЭТУ-04 | 400 | 8 | 0,8 | 60 |
Фэирчайлд Полупроводник | ИСЛ9Р1560П2 | 600 | 15 | 0,8 | 60 |
Примечание : *оценено приблизительно по параметрам, указанным в технических паспортах. |
Эти диоды были использованы в прикладной схеме на Рисунке 1 без демпфера, чтобы лучше измерить задействованные параметры. Эффективность преобразования мощности для максимальной выходной мощности около 30 Вт составила около 79% до 80% во всех случаях. В Таблице 2 ниже приведены параметры обратного восстановления для четырех различных диодов и КПД при выходной мощности 30 Вт.
Деталь № | В РРМ В | I РРМ А | т а нс | т б нс | т рр нс | С D пФ | Эфф.% |
CMR1U-02 | 320 | 0,9 | 30 | 40 | 70 | 98 | 79 |
CMR1U-04 | 400 | 0,85 | 20 | 60 | 80 | 85 | 79 |
8ЭТУ-04 | 360 | 0,7 | 30 | 90 | 120 | 117 | 80 |
ИСЛ9Р1560П2 | 350 | 0,8 | 40 | 80 | 120 | 137 | 79 |
Шум без демпферов приводил к чрезмерному дрожанию сигнала (> 4%). Поэтому во вторичном выпрямителе D2 был введен демпфер RC (рис. 1). Этот демпфер выбран для демпфирования паразитного резонанса, а также помогает сдерживать выбросы напряжения во время обратного восстановления. На основе обсуждения в предыдущем разделе были рассчитаны следующие значения (таблица 3) для снабберных компонентов R5 и C10 (при условии, что C10 = 3 × CD).
Деталь № | С D пФ | R5 Ом | C10pF |
CMR1U-02 | 98 | 175 | 294 |
CMR1U-04 | 85 | 188 | 255 |
8ЭТУ-04 | 117 | 160 | 351 |
ИСЛ9Р1560П2 | 137 | 118 | 411 |
Значения достаточно близки друг к другу во всех случаях. Демпфер с R5 = 150 Ом и C10 = 330 пФ эффективно гасит колебания. Если сопротивление снаббера значительно больше, то снаббер не сможет гасить колебания паразитного резонансного контура. Если сопротивление снаббера значительно меньше значений, приведенных в таблице 3, то емкость снаббера по существу появляется на емкости выпрямителя. Схема недостаточно демпфирована и будет резонировать на частоте f res1 задано
f res1 = √(2π × L LS × [C D + C10])
Джиттер был снижен до незначительного уровня (< 2%) во всех случаях с помощью снаббера. На рис. 3 показаны осциллограммы напряжения на катоде (относительно GND) выпрямительного диода D2 (CMR1U-02, см. рис. 1) с RC-демпфером и без него.
Рисунок 3А. Напряжение на катоде выпрямителя Д2 без снаббера. (Ch2= форма волны напряжения на EXT/контакте 8 MAX1856; Ch3= катод выпрямителя D2).
Рисунок 3B. Напряжение на катоде выпрямителя D2 со снаббером (R5=150 Ом; C10=330 пФ). (Ch2= форма волны напряжения на EXT/контакте 8 MAX1856; Ch3= катод выпрямителя D2).
Значения для «зажатых» V RRM и I RRM , параметры переключения и коэффициенты полезного действия приведены в таблице 4 для всех четырех случаев.
Деталь № | В РРМ В | I РРМ А | т а нс | т б нс | т рр нс | С D пФ | Эфф.% |
CMR1U-02 | 260 | 0,55 | 20 | 40 | 60 | 63 | 75 |
CMR1U-04 | 290 | 0,95 | 40 | 40 | 80 | 130 | 73 |
8ЭТУ-04 | 260 | 0,45 | 30 | 90 | 120 | 104 | 74,5 |
ИСЛ9Р1560П2 | 270 | 0,6 | 40 | 80 | 120 | 133 | 73 |
Диод Central Semiconductor CMR1U-02 с номиналом 200 В оказался лучшим выбором для этого приложения.