Точечный диод — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Точечный диод в стеклянном корпусе

То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

Точечный диод был запатентован в 1906 г. Гринлифом Пиккардом как кристаллический детектор для радиосвязи. Первые точечные диоды были выполнены на природных кристаллах полупроводника и отличались нестабильными характеристиками. По мере освоения технологий и изучения физики полупроводников, стали использовать искусственно выращенные монокристаллы германия и кремния, а диоды стали выпускаться в виде компактных герметичных приборов. Значительный скачок технологий точечных диодов произошел во время Второй мировой войны, это было связано с бурным развитием радиолокации и СВЧ техники, где потребность в сверхвысокочастотных детекторных и смесительных приборах была очень высокой. Впоследствии, точечные диоды стали широко применяться в радиоприемниках и телевизорах, в импульсной и измерительной технике. С развитием микроэлектроники, в связи с низкой технологичностью и невозможностью миниатюризации, эра точечных диодов закончилась.

Первые точечные диоды стали широко применять с 1920-х годов в детекторных радиоприёмниках в качестве амплитудного детектора, они имели открытую конструкцию и оператор радиоприемника должен был при помощи специального держателя найти иглой «активную точку» на поверхности кристалла чтобы радиоприёмник заработал. В 1930-х годах было замечено уникальное свойство точечных диодов — их способность работать на очень высоких частотах, а развитие теории полупроводников позволило создать очищенные монокристаллы вещества и изготавливать диоды в герметичном корпусе с достаточно хорошей повторяемостью параметров. Подобные диоды применяют в радиолокационной технике в качестве детекторов и смесителей сигнала а также умножителей частоты. В послевоенное время был освоен массовый выпуск точечных германиевых диодов широкого применения которые устанавливались во все виды электронной техники, включая и первые ЭВМ. Типичными представителями этого класса приборов в СССР являлись диоды Д2

[1] и Д9, их можно встретить почти в каждом транзисторном радиоприемнике того периода. В СВЧ технике обычно применяются точечные диоды в металлокерамических корпусах патронного типа, например ДК-В1 или ДГ-С1^[2], которые выполняют как на кристаллах германия так и кремния. Особенностью СВЧ приборов этого класса является то, что размеры их p-n-переходов очень малы, это определяет низкие предельно допустимые параметры и сильную чувствительность к электрическим перегрузкам. Небольшой разряд статического электричества или прозвонка обычным тестером может ухудшить их параметры или полностью вывести из строя (при этом диодные свойства не всегда исчезают, а пропадает способность работать на высоких частотах или сильно возрастает уровень собственных шумов).

• В 20-х годах XX века среди радиолюбителей было широко распространено конструирование детекторных радиоприёмников. При этом точечный диод изготавливался самостоятельно. Для этого нужно было заказать по почте полупроводниковый кристалл и заострённый электрод. Перемещая электрод по поверхности кристалла необходимо было найти оптимальную точку.

• По точечной технологии производились не только диоды но и транзисторы. Первый транзистор, изобретенный 23 декабря 1947 года был точечной конструкции, однако, век таких транзисторов был недолог так как они в ещё большей степени были подвержены тем же недостаткам что и точечные диоды, при этом их частотный диапазон был гораздо ниже и уже через 10 лет транзисторы стали производить по более совершенным сплавным и диффузным технологиям.

• Простейшим точечным диодом является конструкция из острия карандаша в соприкосновении с пластиной из нержавеющей стали (лезвие безопасной бритвы).

Точечный диод — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Точечный диод в стеклянном корпусе

То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

История

Точечный диод был запатентован в 1906 г. Гринлифом Пиккардом как кристаллический детектор для радиосвязи. Первые точечные диоды были выполнены на природных кристаллах полупроводника и отличались нестабильными характеристиками. По мере освоения технологий и изучения физики полупроводников, стали использовать искусственно выращенные монокристаллы германия и кремния, а диоды стали выпускаться в виде компактных герметичных приборов. Значительный скачок технологий точечных диодов произошел во время Второй мировой войны, это было связано с бурным развитием радиолокации и СВЧ техники, где потребность в сверхвысокочастотных детекторных и смесительных приборах была очень высокой. Впоследствии, точечные диоды стали широко применяться в радиоприемниках и телевизорах, в импульсной и измерительной технике. С развитием микроэлектроники, в связи с низкой технологичностью и невозможностью миниатюризации, эра точечных диодов закончилась.

Применение

Первые точечные диоды стали широко применять с 1920-х годов в детекторных радиоприёмниках в качестве амплитудного детектора, они имели открытую конструкцию и оператор радиоприемника должен был при помощи специального держателя найти иглой «активную точку» на поверхности кристалла чтобы радиоприёмник заработал. В 1930-х годах было замечено уникальное свойство точечных диодов — их способность работать на очень высоких частотах, а развитие теории полупроводников позволило создать очищенные монокристаллы вещества и изготавливать диоды в герметичном корпусе с достаточно хорошей повторяемостью параметров. Подобные диоды применяют в радиолокационной технике в качестве детекторов и смесителей сигнала а также умножителей частоты. В послевоенное время был освоен массовый выпуск точечных германиевых диодов широкого применения которые устанавливались во все виды электронной техники, включая и первые ЭВМ. Типичными представителями этого класса приборов в СССР являлись диоды Д2

[1] и Д9, их можно встретить почти в каждом транзисторном радиоприемнике того периода. В СВЧ технике обычно применяются точечные диоды в металлокерамических корпусах патронного типа, например ДК-В1 или ДГ-С1^[2], которые выполняют как на кристаллах германия так и кремния. Особенностью СВЧ приборов этого класса является то, что размеры их p-n-переходов очень малы, это определяет низкие предельно допустимые параметры и сильную чувствительность к электрическим перегрузкам. Небольшой разряд статического электричества или прозвонка обычным тестером может ухудшить их параметры или полностью вывести из строя (при этом диодные свойства не всегда исчезают, а пропадает способность работать на высоких частотах или сильно возрастает уровень собственных шумов).

Интересные факты

• В 20-х годах XX века среди радиолюбителей было широко распространено конструирование детекторных радиоприёмников. При этом точечный диод изготавливался самостоятельно. Для этого нужно было заказать по почте полупроводниковый кристалл и заострённый электрод. Перемещая электрод по поверхности кристалла необходимо было найти оптимальную точку.

• По точечной технологии производились не только диоды но и транзисторы. Первый транзистор, изобретенный 23 декабря 1947 года был точечной конструкции, однако, век таких транзисторов был недолог так как они в ещё большей степени были подвержены тем же недостаткам что и точечные диоды, при этом их частотный диапазон был гораздо ниже и уже через 10 лет транзисторы стали производить по более совершенным сплавным и диффузным технологиям.

• Простейшим точечным диодом является конструкция из острия карандаша в соприкосновении с пластиной из нержавеющей стали (лезвие безопасной бритвы).

Примечания

Ссылки

Точечный диод — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Точечный диод в стеклянном корпусе

То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

История

Точечный диод был запатентован в 1906 г. Гринлифом Пиккардом как кристаллический детектор для радиосвязи. Первые точечные диоды были выполнены на природных кристаллах полупроводника и отличались нестабильными характеристиками. По мере освоения технологий и изучения физики полупроводников, стали использовать искусственно выращенные монокристаллы германия и кремния, а диоды стали выпускаться в виде компактных герметичных приборов. Значительный скачек технологий точечных диодов произошел во время Второй мировой войны, это было связано с бурным развитием радиолокации и СВЧ техники, где потребность в сверхвысокочастотных детекторных и смесительных приборах была очень высокой. Впоследствии, точечные диоды стали широко применяться в радиоприемниках и телевизорах, в импульсной и измерительной технике. С развитием микроэлектроники, в связи с низкой технологичностью и невозможностью миниатюризации, эра точечных диодов закончилась.

Применение

Первые точечные диоды стали широко применять с 1920-х годов в детекторных радиоприёмниках в качестве амплитудного детектора, они имели открытую конструкцию и оператор радиоприемника должен был при помощи специального держателя найти иглой «активную точку» на поверхности кристалла чтобы радиоприёмник заработал. В 1930-х годах было замечено уникальное свойство точечных диодов — их способность работать на очень высоких частотах, а развитие теории полупроводников позволило создать очищенные монокристаллы вещества и изготавливать диоды в герметичном корпусе с достаточно хорошей повторяемостью параметров. Подобные диоды применяют в радиолокационной технике в качестве детекторов и смесителей сигнала а также умножителей частоты. В послевоенное время был освоен массовый выпуск точечных германиевых диодов широкого применения которые устанавливались во все виды электронной техники, включая и первые ЭВМ. Типичными представителями этого класса приборов в СССР являлись диоды Д2^[1] и Д9, их можно встретить почти в каждом транзисторном радиоприемнике того периода. В СВЧ технике обычно применяются точечные диоды в металлокерамических корпусах патронного типа, например ДК-В1 или ДГ-С1^[2], которые выполняют как на кристаллах германия так и кремния. Особенностью СВЧ приборов этого класса является то, что размеры их p-n-переходов очень малы, это определяет низкие предельно допустимые параметры и сильную чувствительность к электрическим перегрузкам. Небольшой разряд статического электричества или прозвонка обычным тестером может ухудшить их параметры или полностью вывести из строя (при этом диодные свойства не всегда исчезают, а пропадает способность работать на высоких частотах или сильно возрастает уровень собственных шумов).

Интересные факты

• В 20-х годах XX века среди радиолюбителей было широко распространено конструирование детекторных радиоприёмников. При этом точечный диод изготавливался самостоятельно. Для этого нужно было заказать по почте полупроводниковый кристалл и заострённый электрод. Перемещая электрод по поверхности кристалла необходимо было найти оптимальную точку.

• По точечной технологии производились не только диоды но и транзисторы. Первый транзистор, изобретенный 23 декабря 1947 года был точечной конструкции, однако, век таких транзисторов был недолог так как они в ещё большей степени были подвержены тем же недостаткам что и точечные диоды, при этом их частотный диапазон был гораздо ниже и уже через 10 лет транзисторы стали производить по более совершенным сплавным и диффузным технологиям.

• Простейшим точечным диодом является конструкция из острия карандаша в соприкосновении с пластиной из нержавеющей стали (лезвие безопасной бритвы).

Примечания

Ссылки

Точечный диод — Карта знаний

• То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

  Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

  Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

Источник: Википедия

Связанные понятия

Драйвер полупроводникового излучателя — электронное устройство, предназначенное для преобразования электрических сигналов, целью которого является регулирование тока инжекции, а также, в некоторых случаях, температуры полупроводниковых излучателей. Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки. Транзи́стор (англ. transistor), полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем. На́ноанте́нна (нанте́нна) — устройство преобразования солнечной энергии в электрический ток, построенное по принципу выпрямляющей антенны, но работающее не в радиодиапазоне, а в оптическом диапазоне длин волн электромагнитного излучения. Идея использования антенн для сбора солнечной энергии была впервые предложена Робертом Бейли в 1972 году . Также эта идея была предложена Николой Тесла в патенте № 685,957 от 05.11.1901. Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от обычного биполярного транзистора тем, что полупроводниковый базовый слой прибора доступен для воздействия внешнего оптического облучения, за счёт этого ток через прибор зависит от интенсивности этого облучения.

Упоминания в литературе

Транзисторы постепенно обосновывались в радиоприемниках и телевизорах, в приборах промышленной автоматики и вычислительной техники. Однако производители вакуумной электроники сдаваться без боя не собирались. В 1959 г. RCA выпустила первую серию нувисторов – сверхминиатюрных и надежных металлокерамических приемно-усилительных радиоламп. «Великий перелом» наступил в 1961 г., когда объём производства полупроводниковых приборов в США превысил объём производства радиоламп: было изготовлено 190 млн. шт. транзисторов и 260 млн. шт. точечных диодов, по сравнению с 360 млн. шт. радиоламп.

Связанные понятия (продолжение)

Дио́д Га́нна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, в полупроводниковой структуре не имеет p-n-переходов и используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Микроволновая монолитная интегральная схема (МИС) — интегральная схема, изготовленная по твердотельной технологии и предназначенная для работы на сверхвысоких частотах (300 МГц — 300 ГГц). СВЧ МИС обычно выполняют функции смесителя, усилителя мощности, малошумящего усилителя, преобразователя сигналов, высокочастотного переключателя. Применяются в системах связи (в первую очередь сотовой и спутниковой), а также в радиолокационных системах на основе активных фазированных антенных решёток (АФАР). Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость…

Подробнее: Баллистический транзистор

Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener) — интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p-n-переходом создана скрытая область (островок) с высокой концентрацией акцепторных примесей. Благодаря тому, что ток пробоя такого стабилитрона концентрируется не в приповерхностных, а в скрытых слоях, его характеристики стабильны и предсказуемы. Прецизионные интегральные источники опорного напряжения (ИОН) на ССС — наиболее точные и стабильные из… Исто́чник, или генера́тор, опо́рного напряже́ния (ИОН) — базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных источников электропитания, шкал цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, режимов работы аналоговых и цифровых интегральных схем и систем, и как эталоны напряжения в составе измерительных приборов. Точности измерения, преобразования и стабильность… Дио́д (от др.-греч. δις — два и -од — от окончания -од термина электрод; букв. «двухэлектродный»; корень -од происходит от др.-греч. ὁδός «путь») — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Вакуумно-люминесцентный индикатор (ВЛИ), или катодолюминесцентный индикатор (КЛИ) (vacuum fluorescent display (VFD), нем. Digitron либо Fluoreszenzanzeige) — электровакуумный прибор, элемент индикации, работающий по принципу электронной лампы. Электро́нная ла́мпа, радиола́мпа — электровакуумный прибор (точнее, вакуумный электронный прибор), работающий за счёт управления интенсивностью потока электронов, движущихся в вакууме или разрежённом газе между электродами. Фотоэлемент — электронный прибор, который преобразует энергию фотонов в электрическую энергию. Подразделяются на электровакуумные и полупроводниковые фотоэлементы. Действие прибора основано на фотоэлектронной эмиссии или внутреннем фотоэффекте. Первый фотоэлемент, основанный на внешнем фотоэффекте, создал Александр Столетов в конце XIX века. Эле́ктрова́куумный трио́д, или просто трио́д, — электронная лампа, позволяющая входным сигналом управлять током в электрической цепи. Имеет три электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), анод и одну управляющую сетку.

Подробнее: Триод

Электромехани́ческий фильтр (ЭМФ) — это фильтр, обычно используемый вместо электронного фильтра радиочастот, основное назначение которого: пропускать колебания в определенной полосе частот и подавлять остальные. В фильтре используются механические колебания, аналогичные подаваемому электрическому сигналу (это один из типов аналоговых фильтров). На входе и на выходе фильтра стоят электромеханические преобразователи, которые преобразуют электрические колебания сигнала в механические колебания рабочего… Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Пьезоэле́ктрики — диэлектрики, в которых наблюдается пьезоэффект, то есть те, которые могут либо под действием деформации индуцировать электрический заряд на своей поверхности (прямой пьезоэффект), либо под влиянием внешнего электрического поля деформироваться (обратный пьезоэффект). Оба эффекта открыты братьями Жаком и Пьером Кюри в 1880—1881 гг.Пьезоэлектрики широко используются в современной технике в качестве элемента датчика давления. Существуют пьезоэлектрические детонаторы, источники звука… Видико́н (англ. Vidicon, от лат. video — вижу и др.-греч. εἰκών — изображение) — передающая телевизионная трубка с накоплением заряда, действие которой основано на внутреннем фотоэффекте. Наиболее распространённый тип передающей трубки в телевизионных передающих камерах до появления полупроводниковых матриц. Изображение в видиконе проецируется на плоскую мишень из полупроводникового материала, на котором накапливается потенциальный рельеф. Мишень сканируется электронным лучом, подключающим считываемый… И́мпульсный дио́д — диод, предназначенный для работы в высокочастотных импульсных схемах. Стержнева́я радиола́мпа — электронная лампа с электродами, выполненными в виде системы тонких сплошных стержней, расположенных параллельно катоду. Кинеско́п (от др.-греч. κινέω «двигаю» + σκοπέω «смотрю»), также электро́нно-лучева́я тру́бка (ЭЛТ) — электронно-лучевой прибор, преобразующий электрические сигналы в световые. Крайтро́н — газонаполненная лампа с холодным катодом, применяется как очень быстрый ключ (включатель). Одна из ранних разработок фирмы EG&G (англ.). Лазер с распределённой обратной связью (РОС-лазер, англ. distributed feedback laser, DFB laser) — инжекционный полупроводниковый лазер, обратная связь в котором создаётся за счёт отражения световых волн от периодической решётки, создаваемой в активной среде. Светодио́д или светоизлучающий диод (СД, СИД; англ. light-emitting diode, LED) — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. Микрокана́льные пласти́ны (МКП) — вид изделий вакуумной микроэлектроники. Предназначены для работы в вакууме в качестве многоканальных детекторов, преобразователей и вторично-электронных усилителей пространственно-организованных потоков заряженных частиц и излучений. Основное применение — преобразователь и усилитель яркости изображения индивидуальных приборов ночного видения.

Подробнее: Микроканальная пластина

Органический светодиод (англ. organic light-emitting diode, сокр. OLED) — полупроводниковый прибор, изготовленный из органических соединений, эффективно излучающих свет при прохождении через них электрического тока. Ква́рцевый резона́тор (жарг. «кварц») — электронный прибор, в котором пьезоэлектрический эффект и явление механического резонанса используются для построения высокодобротного резонансного элемента электронной схемы. Пенто́д (от др.-греч. πέντε пять, по числу электродов) — вакуумная электронная лампа с экранирующей сеткой, в которой между экранирующей сеткой и анодом размещена третья (защитная или антидинатронная) сетка, подавляющая динатронный эффект. Как правило, в лампах прямого накала третья сетка соединяется со средней точкой катода, в лампах косвенного накала — с любой точкой катода. В большинстве пентодов третья сетка и катод соединены внутри баллона, поэтому у них всего четыре сигнальных вывода. В исторической… Бе́лый светодио́д — полупроводниковый прибор, излучающий свет, вызывающий в силу особенностей психофизиологии восприятия цвета человеком (метамерия) ощущение света, близкого к белому. Тетро́д — электронная лампа, имеющая четыре электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), две сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919 году. Приёмо-усилительные тетроды применялись в радиоприёмных трактах до массового распространения пентодов. Генераторные и модуляторные тетроды применяются по сей день в силовых каскадах радиопередатчиков. Лучевые тетроды нашли применение в выходных каскадах усилителей низкой частоты (УНЧ) и до сих пор широко… Микроминиатюриза́ция — направление научно-технической деятельности, основными задачами которого являются уменьшение габаритов, массы и стоимости радиоэлектронной аппаратуры при одновременном повышении ее надёжности и экономичности за счет совершенствования схемотехнических, конструкторских и технологических методов. Тенденция микроминиатюризации представляет собой непрерывный процесс, который опирается главным образом на достижения микроэлектроники, в том числе на использование интегральной технологии… Лучево́й тетро́д — четырёхэлектродная экранированная лампа, в которой для подавления динатронного эффекта создаётся пространственный заряд высокой плотности. Благодаря особой конструкции сеток и специальных лучеобразующих электродов поток электронов в лучевом тетроде формируется в узкие пучки (лучи). Высокая плотность пространственного заряда создаёт вблизи анода лампы потенциальный барьер, препятствующий оттоку вторичных электронов с анода на экранирующую сетку. Радиационно стойкая интегральная схема — интегральная схема, к которой предъявлены повышенные требования устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. Основная область применения подобных схем — это космические аппараты, военная техника и медицинская электроника. Моноскоп (устар. — монотрубка, титоскоп, последнее происходит от аббревиатуры ТИТ — телевизионная испытательная таблица) — передающий электронно-лучевой прибор, преобразующий в электрический сигнал единственное изображение (отсюда название), выполненное на мишени за счет неоднородности её физических свойств. Моноскопы применяются, как правило, для получения изображения телевизионной испытательной таблицы. Моноскоп является разновидностью постоянного запоминающего устройства… Предусили́тель-корре́ктор, или усилитель-корректор (УК), или фо́нокорре́ктор — специализированный электронный усилитель тракта воспроизведения граммофонной записи, восстанавливающий исходный спектр записанного на пластинке звукового сигнала и усиливающий выходное напряжение головки звукоснимателя до типичного уровня линейного выхода — от 0,775 В (0 dBu) в бытовой аналоговой аппаратуре до 2 В (8 dBu) в цифровой и радиотрансляционной аппаратуре). Исторически звукозаписывающая промышленность использовала…

Подробнее: Фонокорректор

Микроэлектроника — это подраздел электроники, связанный с изучением и производством электронных компонентов с геометрическими размерами характерных элементов порядка нескольких микрометров и меньше. Металлогалоге́нная ла́мпа (МГЛ) — один из видов газоразрядных ламп (ГРЛ) высокого давления. Отличается от других ГРЛ тем, что для коррекции спектральной характеристики дугового разряда в парах ртути в горелку МГЛ дозируются специальные излучающие добавки (ИД), представляющие собой галогениды некоторых металлов. Электро́ника (от греч. Ηλεκτρόνιο «электрон») — область науки и техники, занимающаяся созданием и практическим использованием различных устройств и приборов, работа которых основана на изменении концентрации и перемещении заряженных частиц (электронов) в вакууме, газе или твердых кристаллических телах, и других физических явлениях (НБИК). Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. Инжекция горячих носителей (англ. Hot-carrier injection) — это явление в устройствах твердотельной электроники, при котором электрон, или дырка получает достаточную кинетическую энергию для преодоления потенциального барьера, что необходимо для смены состояния. Термин «горячий» указывает на эффективную температуру, используемую для моделирования плотности носителей, и не относится к температуре устройства. Так как носители заряда могут быть пойманы затвором диэлектрика МОП-транзистора, то переключение… Яче́йка Блэ́кмера (англ. Blackmer cell) — схема электронного управляемого напряжением усилителя (УНУ, амплитудный модулятор) с экспоненциальной характеристикой управления, предложенная и доведённая до серийного выпуска Дэвидом Блэкмером в 1970—1973 годы. Четырёхтранзисторное ядро схемы образовано двумя встречно включёнными токовыми зеркалами на комплементарных биполярных транзисторах. Входной транзистор каждого из зеркал логарифмирует входной ток, а выходной транзистор антилогарифмирует сумму логарифма… Магнетрон — электронный прибор, генерирующий микроволны при взаимодействии потока электронов с электрической составляющей сверхвысокочастотного поля в пространстве, где постоянное магнитное поле перпендикулярно постоянному электрическому полю. 16 декабря 1947 года физик-экспериментатор Уолтер Браттейн, работавший с теоретиком Джоном Бардином, собрал первый работоспособный точечный транзистор. Спустя полгода, но до обнародования работ Бардина и Браттейна, немецкие физики Герберт Матаре и Генрих Велькер представили разработанный во Франции точечный транзистор («транзистрон»). Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а затем полевой транзистор, родился первый несовершенный точечный биполярный транзистор…

Подробнее: Изобретение транзистора

Графеновый полевой транзистор — транзистор из графена, который использует электрическое поле, создаваемое затвором для управления проводимостью канала. На сегодняшний момент не существует промышленного способа получения графена, но предполагается, что его хорошая проводимость поможет создать транзисторы с высокой подвижностью носителей и по этому показателю превзойти подвижность в полевых транзисторах на основе кремниевой технологии. Обращённый дио́д — полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого обусловлена туннельным эффектом в области p-n-перехода. Гибридная интегральная схема (гибридная микросхема, микросборка, ГИС, ГИМС) — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, конденсаторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные, плёночную и полупроводниковую интегральные…

Точечный диод Википедия

Точечный диод в стеклянном корпусе

То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

История[ | ]

Точечный диод был запатентован в 1906 г. Гринлифом Пиккардом как кристаллический детектор для радиосвязи. Первые точечные диоды были выполнены на природных кристаллах полупроводника и отличались нестабильными характеристиками. По мере освоения технологий и изучения физики полупроводников, стали использовать искусственно выращенные монокристаллы германия и кремния, а диоды стали выпускаться в виде компактных герметичных приборов. Значительный скачок технологий точечных диодов произошел во время Второй мировой войны, это было связано с бурным развитием радиолокации и СВЧ техники, где потребность в сверхвысокочастотных детекторных и смесительных приборах была очень высокой. Впоследствии, точечные диоды стали широко применяться в радиоприемниках и телевизорах, в импульсной и измерительной технике. С развитием микроэлектроники, в связи с низкой технологичностью и невозможностью миниатюризации, эра точечных диодов закончилась.

Применение[ | ]

Первые точечные диоды стали широко применять с 1920-х годов в детекторных радиоприёмниках в качестве амплитудного детектора, они имели открытую конструкцию и оператор радиоприемника должен был при помощи специального держателя найти иглой «активную точку» на поверхности кристалла чтобы радиоприёмник заработал. В 1930-х годах было замечено уникальное свойство точечных диодов — их способность работать на очень высоких частотах, а развитие теории полупроводников позволило создать очищенные монокристаллы вещества и изготавливать диоды в герметичном корпусе с достаточно хорошей повторяемостью параметров. Подобные диоды применяют в радиолокационной технике в качестве детекторов и смесителей сигнала а также умножителей частоты. В послевоенное время был освоен массовый выпуск точечных германиевых диодов широкого применения которые устанавливались во все виды электронной техники, включая и первые ЭВМ. Типичными представителями этого класса приборов в СССР являлись диоды Д2^[1] и Д9, их можно встретить почти в каждом транзисторном радиоприемнике того периода. В СВЧ технике обычно применяются точечные диоды в металлокерамических корпусах патронного типа, например ДК-В1 или ДГ-С1^[2], которые выполняют как на кристаллах германия так и кремния. Особенностью СВЧ приборов этого класса является то, что размеры их p-n-переходов очень малы, это определяет низкие предельно допустимые параметры и сильную чувствительность к электрическим перегрузкам. Небольшой разряд статического электричества или прозвонка обычным тестером может ухудшить их параметры или полностью вывести из строя (при этом диодные свойства не всегда исчезают, а пропадает способность работать на высоких частотах или сильно возрастает уровень собственных шумов).

Интересные факты[ |

3.1. Точечные диоды

Т

Рис. 3.2. Точечные и плоскостные диоды:

1- выводы, 2, 5,7-детали корпуса, 3-кристалл полупроводника,4-электрод,6-изолятоор

акие диоды (рис.3.2.) имеют очень малую площадь электрического перехода. Линейные размеры, определяющие ее, меньше шириныp-n перехода. Точечный электрический переход можно создать в месте контакта небольшой пластинки полупроводника 3 и острия металлической проволочки – пружины 4 даже при простом их соприкосновении. Между этим слоем и пластинкой образуется p-n переход полусферической формы. Площадь p-n перехода составляет примерно 10²-10³ мкм². Точечные диоды в основном изготовляют из германия n-типа, металлическую пружинку – из тонкой проволочки (диаметром 0,05-0,1 мм), материал которой для германия n- типа должен быть акцептором (например, бериллий). Корпус точечных диодов герметичный. Он представляет собой керамический или стеклянный баллон 2, покрытый черной светонепроницаемой краской (во избежание проникновения света, так как кванты света могут вызвать генерацию носителей заряда вблизи p-n перехода, а следовательно, увеличить обратный ток диода). Благодаря малой площади p-n п ерехода емкость точечных диодов очень незначительна и составляет десятые доли пикофарада. Поэтому точечные диоды используют на высоких (порядка сотен мегагерц) и сверхвысоких частотах. Их применяют в основном для выпрямления переменного тока высокой частоты (выпрямленные диоды высокочастотные) и в импульсных схемах (импульсные диоды).

Так как площадь p-n перехода точечного диода мала, то прямой ток через переход должен быть небольшим (10-20 мА) из-за малой мощности (~ 10 мВт), рассеиваемой переходом. Поэтому точечные диоды можно использовать для выпрямления только малых переменных токов

.

3.2. Плоскостные диоды

Плоскостные диоды имеют плоский электрический переход, линейные размеры которого, определяющие площадь, значительно больше ширины перехода. Площадь может составлять сотые доли квадратных миллиметров (микроплоскостные диоды), нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды). Переход выполняют в основном методами вплавления или диффузии. Одна из конструкций плоскостного диода показана на рис.3.2. б. Пластинку кристалла полупроводника 3 припаивают к кристаллодержателю 2 так, чтобы образовался контакт. От этого контакта и электрода 4 сделаны выводы 1, причем верхний проходной изолятор 6 в корпусе 5 и коваровую трубку 7. Стеклянный изолятор покрыт светонепроницаемым лаком. Корпус служит для защиты диода от внешних воздействий.

Плоскостные диоды используются для работы на частотах до 10кГц. Ограничения по частоте связано с большой барьерной емкостью p-n перехода (до десятков пикофарад).

Плоскостные диоды бывают малой мощности (до 1 Вт), средней мощности (на токи до 1А, напряжения до 600 В) и мощные (на токи до 2000 А).

3.3. Выпрямительные диоды

В выпрямительных диодах используется свойство односторонней проводимости p-n перехода. Их применяют в качестве вентилей, которые пропускают переменный ток только в одном направлении. Вентильные свойства диода зависят от того, насколько мал обратный ток. Для уменьшения обратного тока необходимо снижать концентрацию неосновных носителей, что может быть обеспечено за счет высокой степени очистки исходного полупроводника.Для описания работы диода используют статические характеристики и параметры, а также динамические. Статические параметры – это прямой выпрямительный ток, наибольшее допустимое напряжение, обратное сопротивление, максимально допустимая мощность и др. Динамические параметры – дифференциальное сопротивление r _д = dU/dI, общая емкость диода С, емкость между выводами диода при заданных напряжении и частоте, которая включает в себя емкости С_б, С_диф и емкость корпуса диода ; граничная частота f_гр, на которой выпрямительный ток уменьшается в \/ˉ2 раз.

Точечный диод — Википедия. Что такое Точечный диод

Точечный диод в стеклянном корпусе

То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл.

Благодаря малой площади p-n перехода, и как следствие маленькой ёмкости перехода, точечный диод обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц. При использовании более острой иглы без электроформовки получают точечные диоды с предельной частотой порядка десятков гигагерц. Недостатками точечного диода являются: большой разброс параметров, невысокая механическая прочность, невысокий максимальный ток и чувствительность к перегрузкам, обусловленные малой площадью p-n перехода, конструктивная невозможность микроминиатюризации.

Точечные диоды очень широко применялись в радиотехнике до конца XX века, В современной электронике точечные диоды не применяются, либо имеют ограниченное применение, в области СВЧ техники их вытесняют более технологичные диоды Шотки и pin-диоды выполненные по плоскостным технологиям.

История

Точечный диод был запатентован в 1906 г. Гринлифом Пиккардом как кристаллический детектор для радиосвязи. Первые точечные диоды были выполнены на природных кристаллах полупроводника и отличались нестабильными характеристиками. По мере освоения технологий и изучения физики полупроводников, стали использовать искусственно выращенные монокристаллы германия и кремния, а диоды стали выпускаться в виде компактных герметичных приборов. Значительный скачек технологий точечных диодов произошел во время Второй мировой войны, это было связано с бурным развитием радиолокации и СВЧ техники, где потребность в сверхвысокочастотных детекторных и смесительных приборах была очень высокой. Впоследствии, точечные диоды стали широко применяться в радиоприемниках и телевизорах, в импульсной и измерительной технике. С развитием микроэлектроники, в связи с низкой технологичностью и невозможностью миниатюризации, эра точечных диодов закончилась.

Применение

Первые точечные диоды стали широко применять с 1920-х годов в детекторных радиоприёмниках в качестве амплитудного детектора, они имели открытую конструкцию и оператор радиоприемника должен был при помощи специального держателя найти иглой «активную точку» на поверхности кристалла чтобы радиоприёмник заработал. В 1930-х годах было замечено уникальное свойство точечных диодов — их способность работать на очень высоких частотах, а развитие теории полупроводников позволило создать очищенные монокристаллы вещества и изготавливать диоды в герметичном корпусе с достаточно хорошей повторяемостью параметров. Подобные диоды применяют в радиолокационной технике в качестве детекторов и смесителей сигнала а также умножителей частоты. В послевоенное время был освоен массовый выпуск точечных германиевых диодов широкого применения которые устанавливались во все виды электронной техники, включая и первые ЭВМ. Типичными представителями этого класса приборов в СССР являлись диоды Д2^[1] и Д9, их можно встретить почти в каждом транзисторном радиоприемнике того периода. В СВЧ технике обычно применяются точечные диоды в металлокерамических корпусах патронного типа, например ДК-В1 или ДГ-С1^[2], которые выполняют как на кристаллах германия так и кремния. Особенностью СВЧ приборов этого класса является то, что размеры их p-n-переходов очень малы, это определяет низкие предельно допустимые параметры и сильную чувствительность к электрическим перегрузкам. Небольшой разряд статического электричества или прозвонка обычным тестером может ухудшить их параметры или полностью вывести из строя (при этом диодные свойства не всегда исчезают, а пропадает способность работать на высоких частотах или сильно возрастает уровень собственных шумов).

Интересные факты

• В 20-х годах XX века среди радиолюбителей было широко распространено конструирование детекторных радиоприёмников. При этом точечный диод изготавливался самостоятельно. Для этого нужно было заказать по почте полупроводниковый кристалл и заострённый электрод. Перемещая электрод по поверхности кристалла необходимо было найти оптимальную точку.

• По точечной технологии производились не только диоды но и транзисторы. Первый транзистор, изобретенный 23 декабря 1947 года был точечной конструкции, однако, век таких транзисторов был недолог так как они в ещё большей степени были подвержены тем же недостаткам что и точечные диоды, при этом их частотный диапазон был гораздо ниже и уже через 10 лет транзисторы стали производить по более совершенным сплавным и диффузным технологиям.

• Простейшим точечным диодом является конструкция из острия карандаша в соприкосновении с пластиной из нержавеющей стали (лезвие безопасной бритвы).

Примечания

Ссылки