Site Loader

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ тиристоры для ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, производства Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½-ЭлСктротСкс» | ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, способных ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ дСсятков Π΄ΠΎ сотСн ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€, Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Π° для развития ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… источников питания ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ элСктрофизичСской Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ тиристоры ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ [1].

Π—Π°ΠΊΠ°Π·Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΊ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ тиристорам ряд спСцифичСских тСхничСских Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ [2-5], ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ сСрийный тиристор. К Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ трСбованиям, Π² частности, относятся:

  1. ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1000 А/мкс. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ трСбования β€” 2000 βˆ’10000 А/мкс.
  2. ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° высокой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹. ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ΅ ΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ срСднСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° тиристора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ числа 100 ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.
  3. Π‘ΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ тиристоров Π² составС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборки ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (di/dt) ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1000 А/мкс, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ сущСствСнныС затруднСния, связанныС с Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ тиристорного элСмСнта ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ.

ΠšΠ°Ρ€Π΄ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ являСтся использованиС тиристоров с ячСистой «многоэмиттСрной» Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ, примСняСмой для Gate Turn-Off thyristors (GTO) ΠΈ Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) [6], Ρ‚.ΠΊ. вслСдствиС ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ эмиттСрной ячСйки Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ тиристор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ практичСски ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ. Однако, для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ (50% ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для размСщСния области управлСния (gate) ΠΈ Π½Π΅ участвуСт Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сильно сниТаСт Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ являСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° РСвСрсивно Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Динистора (Π Π’Π”) [7]. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ происходит ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π½Π° сСгодняшний дСнь для ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° [8]. НСдостатком являСтся вСсьма слоТная Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°, нСобходимая для запуска Π Π’Π”, ΠΏΠΎ своСй стоимости сопоставимая со ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ основного ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»Π΅Π½ поиск конструктивно-тСхнологичСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ допустимый ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Β«Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎΒ» ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора. НиТС рассмотрСн комплСкс тСхничСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, позволивший ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ тиристор, способный ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ высокой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Π² Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΌ для практичСских ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ 100-1000 мкс.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ конструкции ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ слои.

НизколСгированная p-Π±Π°Π·Π°. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ элСмСнтС Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ низколСгированная p-Π±Π°Π·Π° (слоСвоС сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ΄ n-эмиттСром 500-1000 Ом/ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚). ΠŸΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ процСссы Π΅Π΅ формирования ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ максимальноС «встроСнноС тянущСС элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅Β» Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… этого слоя. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ врСмя ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° p-Π±Π°Π·Ρ‹ элСктронами, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ· n-эмиттСра ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ каскадном Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ (Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристор β€” основной тиристор), становится ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристор, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ di/dt β€” ΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ.

БоотвСтствСнно, имССтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ€Π΄ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ разброс Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ΅ΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ тиристоров Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборкС.

На рис. 1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° типичная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ для ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора ΠΎΡ‚ значСния исходного Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния.

Рис. 1. Випичная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния 2А/мкс, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 5000 А/мкс.

Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ своСй Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅, Π½ΠΎ, Π²Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΠΊ, ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° носитСлСй заряда Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ слои тиристора ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ исходного Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Вакая Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Β«ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅Ρ€Π³Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈΒ» разброса Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ тиристоров Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ соСдинСнии. Разброс Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… тиристоров Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборкС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСний ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ тиристорами Π½Π° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ этапС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ: Π½Π° тиристорах с мСньшими значСниями tdon Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π° Π½Π° тиристорах с большими значСниями tdon β€” увСличиваСтся.

ΠŸΡ€ΠΈ этом, значСния tdon ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборкС, Π² соотвСтствии с Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ напряТСния (см. рис. 1) Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… тиристорах. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ тиристоров Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ соСдинСнии происходит Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ суТСниС Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° разброса Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ΅ΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… тиристорах, ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… сборку.

ИсслСдования [9] ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ для ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… тиристороров Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ β€” ЭлСктротСкс» Β«Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉΒ» зависимости tdon ΠΎΡ‚ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ разброса Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ tdon ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ столбС суТаСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°.

P-эмиттСр с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ элСмСнтС Β«Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎΒ» силового тиристора ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ выдСрТиваСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ n-Π±Π°Π·Ρ‹ (Wn) ΠΈ значСния амбиполярной Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ Π² этом слоС (L) Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 3 (Wn/L>3). Π­Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ обусловлСно Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ (Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ~0.8 ΠΏΡ€ΠΈ высоком напряТСнии) коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ p-n-p транзистора Π² составС чСтырСхслойной тиристорной структуры для обСспСчСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний ΠΈ du/dt β€” стойкости. ΠŸΡ€ΠΈ этом, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии, распрСдСлСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ структуры ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ сущСствСнно Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, Π°, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π΅ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ распрСдСлСниС напряТСнности элСктричСского поля (см. рис. 2).

Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… тиристорах производства Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½-ЭлСктротСкс» для поддСрТания Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ значСния коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ p-n-p транзистора примСняСтся p-эмиттСр ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ конструкции β€” Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ эмиттСр (transparent emitter). Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ формирования вмСстС с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ формирования Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ омичСского ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° (синтСринг) ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ с высокой ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ воспроизводимости Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ разброса ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ силовой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ p-эмиттСра с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Wn/L Π΄ΠΎ 1 ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ распрСдСлСниС напряТСнности элСктричСского поля ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ структуры (см. рис. 2).

Π’.ΠΊ. объСмная ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ мощности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСнности элСктричСского поля Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ для структуры с p-эмиттСром ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ эффСктивности ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ мощности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ (ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ энСргии ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ), Ρ‡Π΅ΠΌ для структуры Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния. Для ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° процСссы тСпловыдСлСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ адиабатичСскими, это ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 20% ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ для структуры с p-эмиттСром ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ эффСктивности.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ энСргия, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого конструктивно-тСхнологичСского Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ позволяСт Π² сравнСнии с Β«Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΒ» тиристором, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ВАΠ₯ Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 20% прСимущСства ΠΏΠΎ допустимой энСргии ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с высокой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ.

Рис. 2. РаспрСдСлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ (Π°) ΠΈ напряТСнности элСктричСского поля (Π±) ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ тиристорной структуры с эмиттСром ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ эффСктивности (1) ΠΈ структурС Β«Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора» (2). ВиристорныС структуры Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии, проводят Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 2000 А/см2, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния 5.0 Π’.

Вопология

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод с высокой ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ развСтвлСния, позволяСт бСзопасно ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания ΠΈ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ быстроС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ тиристорной структуры ΠΏΠΎ всСй Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ достиТимыС ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Π’Π°Π±Π» 1. Для тиристорных элСмСнтов ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π΄Π²Π° Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ: с Β«ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΒ» ΠΈ с Β«ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΒ» Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ с ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с наибольшСй ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Π½Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода уступаСт Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρƒ ΠΏΠΎ допустимой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΡ‚Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ этих ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 200…300 мкс. Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ с Β«ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΒ» Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° максимальной Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡΡ… ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300 мкс. Π­Ρ‚Π° топология рассчитана Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания 3-8 кА/мкс разброс плотности энСргии ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры Π±Ρ‹Π» Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ.

Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° Π½Π° рис. 3 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ расчСтныС зависимости плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ для Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ тиристорной структуры, располоТСнных Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания 4,5 кА/мкс ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 250 кА. Зависимости ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ для тиристора 28 класса с Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ элСмСнта 100 ΠΌΠΌ.

Рис. 3. РасчСтныС зависимости плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ для Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ тиристорной структуры, располоТСнных Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания 4.5 кА/мкс ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 250 кА. Π’ΠΈΠΏ тиристора: Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ элСмСнта 100 ΠΌΠΌ, UDRM=URRM=2800Π’.

Из рисунка Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² процСссС распространСния Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ максимума, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ соотвСтствуСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ разности Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠΉ (Ρ…=0) ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода X5) Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 4. Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ максимальная Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ горячСй ΠΈ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 18Β°Π‘. Она достигаСтся Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с тСсСниСм Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ достиТСния Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ максимума Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (400 мкс) Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ сниТаСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 10Β°Π‘. ΠŸΡ€ΠΈ этом слСдуСт ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ максимума эквивалСнтной структуры, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π Π’Π”) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°ΠΌΠΈ горячСй ΠΈ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ тиристора.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² тиристорной структуры ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π Π’Π” Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π½Π΅ прСвысит 5-7Β°Π‘.

Рис.4. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ разности Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠΉ (Ρ…=0) ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода X5) Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ тиристорной структуры.

«РаспрСдСлСнный» Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристор. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ соврСмСнного тиристора с большой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ содСрТит Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод (Π Π£Π­) ΠΈ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ (ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ) тиристор (Π’Π’), ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ соСдинСн с Π Π£Π­, Π° Π°Π½ΠΎΠ΄ β€” ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ с основной тиристорной структурой. НазначСниС Π’Π’ β€” ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ «усилСнный» ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° управлСния, ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π½Π° Π Π£Π­, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ структура Π’Π’ формируСтся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ достаточно ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π°, ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 ΠΌΠΌ, ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ основной ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод тиристора. Для функционирования тиристора Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… этого достаточно, Ρ‚.ΠΊ. послС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ основного тиристора ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ Π Π£Π­ происходит быстрый Β«ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…Π²Π°Ρ‚Β» Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π’Π’ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π½Π΅ΠΌ сниТаСтся Π΄ΠΎ «бСзопасных» ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΎΠ².

Однако, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1000 А/мкс, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ исслСдования, сниТСниС плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π’Π’ происходит достаточно ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ, Π° Π°ΠΌΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Β«Ρ€Π°Π·Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒΒ» структуру Π’Π’, Ρ‚.Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… тиристорах Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½-ЭлСктротСкс» примСняСтся Ρ‚.Π½. распрСдСлСнный Π’Π’, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠ· сСбя Β«ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΈΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ структуру, ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,5 ΠΊΠ².см для элСмСнтов Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 56 ΠΌΠΌ ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1-2 ΠΊΠ². см. для элСмСнтов Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 80-100 ΠΌΠΌ (рис. 5). ИсслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ структуры Π’Π’ позволяСт ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² этой структуры Π΄ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, мСньшСй, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² основной структуры.

Рис.5. ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ элСмСнт ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора с «распрСдСлСнным» Π’Π’ ΠΈ Β«ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΎΠΉΒ» ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΎΠΉ.

«МСлкая» катодная ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° распрСдСлСнная катодная ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° n-эмиттСра с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ элСмСнтарного ΡˆΡƒΠ½Ρ‚Π° ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100 ΠΌΠΊΠΌ. Випичная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° амбиполярной Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ Π² n-Π±Π°Π·Π΅ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 400 ΠΌΠΊΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ, удаСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ распрСдСлСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ…-элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ Π±Π΅Π· Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Β«ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΎΠ²Β» ΠΏΠΎΠ΄ мСстами располоТСния ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ всю Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ тиристорной структуры для провСдСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π°Π½ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры с ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ диском-тСрмокомпСнсатором осущСствляСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ спСкания Π½Π° слой мСлкодиспСрсной сСрСбряной пасты (синтСринг) [10]. Π­Ρ‚Π° тСхнология прСдставляСт собой процСсс Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 250Π‘) спСкания сСрСбряной пасты практичСски Π² ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ сСрСбро. Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ тиристорам Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прСимущСства.

β€” ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ 250Π‘, Π° Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ примСняСмый для соСдинСния с ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ диском процСсс сплавлСния (Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ Π½Π° силумин) β€” ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 700Β°Π‘. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ послС синтСринга ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π² Β«ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅Β» ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ-ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшиС остаточныС Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ мСханичСскиС напряТСния. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ β€” ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ рСсурса ΠΏΠΎ циклостойкости [11-12] (Π° для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² с Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ это Π°Ρ€Ρ…ΠΈΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‚.ΠΊ. пропусканиС ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° сопровоТдаСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ТСстким Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π· для соСдинСния ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ-ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½, Ρ‚.ΠΊ. ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ разогрСваСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄ΠΎ 200Β°Π‘, Π° ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ диск Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π΅Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ слоя, ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΊ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΡŽ, остаСтся Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ.

β€” ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ процСссС сплавлСния повСрхностныС слои ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ структуры Ρ€Π°ΡΡ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ силумином. ΠŸΡ€ΠΈ этом становится Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ свойств Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ эмиттСра Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ структуры (Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² случаС, Ссли это Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ Β«ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉΒ» p-эмиттСр). Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ для Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ разброс плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ структуры. ВСхнология синтСринга этот нСдостаток ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ [13].

β€” Π’ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ процСссС сплавлСния Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ слоТно Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ остывания ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ структуры (особСнно, Ссли эта ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ большая). Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅, процСсс кристаллизации силумина Π² ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ швС начинаСтся, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ, с ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΠΈ ΠΈ, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ распростаняСтся Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° дискообразного ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ-ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ нСравномСрности Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ шва ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ, см. рис. 6.

Рис. 6. ΠΠ΅Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ «сплавного» шва ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρƒ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΈΠ·-Π·Π° Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ остывания ΠΏΡ€ΠΈ кристаллизации силумина

НаличиС Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ нСоднородности Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ шва ΠΌΠ°Π»ΠΎ влияСт Π½Π° свойства Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ΅Ρ€ΡŠΠ΅Π·Π½ΠΎ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ (ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ½ΠΎΠΉ) ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚.

Π’ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ синтСринга высокая Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ шва Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π°.

ΠŸΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. Для обСспСчСния Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° примСняСтся катодная ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° ΠΈΠ· ΠΌΠΎΠ»ΠΈΠ±Π΄Π΅Π½Π° со ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ сдСлан Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΠ°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ элСктричСскоС ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, отсутствиС Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ эксплуатации, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ большого числа (ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 100000) ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° высокой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹. РассмотрСнныС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ конструктивно-тСхнологичСскиС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ извСстны ΠΈ, ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… свойств тиристоров рядом Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ β€” ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Однако, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этих тСхничСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, примСнСнная с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ соврСмСнных тСхнологичСских возмоТностСй, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»Π° Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½-ЭлСктротСкс» ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сСрийноС производство ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… тиристоров с ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ характСристик. Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ испытаний ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборки тиристоров 28 класса с Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта 100 ΠΌΠΌ [14].

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π½Π° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… тиристоразх.

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ тиристоры, с ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ напряТСниСм 2800Π’ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ описанных Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ тСхничСских Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Виристоры ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ элСмСнт Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ 100 ΠΌΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ изготавливался Π½Π° пластинах Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния с ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 120 Ом*см, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 580 ΠΌΠΊΠΌ. Вопология ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π² Ρ‚Π°Π±Π». 1 (ΠΏ.5). Π­Ρ‚Π° топология обСспСчиваСт ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ тиристора ΠΏΠΎ всСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π΅ синусоиды, Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 300-1000 мкс. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Π½Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ области управлСния ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ всСго ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 14%, активная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ тиристорного элСмСнта составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 55 см2. Виристоры ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ Ρ‚Π°Π±Π»Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ корпуса.

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристорный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ состоял ΠΈΠ· 10 тиристоров Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборкС, рис 7., ΠΈ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сборкС ΠΈΠ· Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Рис. 7. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристорный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡.

Π˜ΡΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π² разрядном R-L-C ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, рис. 8 ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° кондСнсаторах 24 ΠΊΠ’. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ разрядС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 9. ΠŸΡ€ΠΈ испытаниях ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ устойчиво ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 250 кА ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 4.5 кА/мкс.

Рис. 9. Анодный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ напряТСниС Π½Π° тиристорном ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1

Π’ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода

β„–

Π”ΠΈΠ°ΠΌ. эл-Ρ‚Π°, ΠΌΠΌ

Π’ΠΈΠ΄ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ

Допустимая di/dt, А/мкс

Π’ΠΈΠΏ. врСмя ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, мкс

I2t, А2с

1

56

4000 (Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 10 кА)

40…60

3,0E6 (UDRM=2800 Π’)

1,8E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

2

56

6000 (Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 10 кА)

20. ..30

2,3E6 (UDRM=2800 Π’)

1,4E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

3

80

6000

(Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 20 кА)

40…60

17,0E6 (UDRM=2800 Π’)

10,0E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

4

80

10000

(Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 20 кА)

20…30

10,0E6 (UDRM=2800 Π’)

6,0E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

5

100

10000

(Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 20 кА)

40…60

37,0E6 (UDRM=2800 Π’)

24,0E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

6

100

15000

(Π’Ρ€Π°ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ΅Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100мкс ΠΏΠΎ основанию, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° 20 кА)

20. ..30

26,0E6 (UDRM=2800 Π’)

16,0E6

(UDRM=4400 Π’)

Tj=25C, 10мс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° синусоиды

Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°

[1] M.E.Savage Β«Final Results From the High-Current, High-Action Closing Switch Test Program at Sandia National LaboratoriesΒ», IEEE Transactions on Plasma Science, vol. 28, no. 5, pp. 1451-1455, Oct. 2000.
[2] H. Singh and C. R. Hummer Β«High action thyristors for pulse power applicationsΒ», in 12th IEEE Pulse Power Conference, June 1999.
[3] S. Ikeda and T. Araki, » The di/dt capability of thyristorsΒ«, Proc. IEEE, no. 8, pp. 1301-1305, 1967.
[4] S.S. Asina, A.M. Surma, Β«A new design-technology technique for optimization of high power pulse thuristor characteristicsΒ», in ELECTRIMACS Conference, Saint-Nazaire, Sept. 1996, pp. 485-490.
[5] W.H. Tobin, Β«Effect of gate configuration on thyristor plasma propertiesΒ», in IEE IAS Conference Record, IEE IAS Annual Meeting, 1978.
[6] Linder S., Klaka S. et al., Β«A New Range of Reverse Conducting Gate-Commutated Thyristors for High Voltage, Medium Power ApplicationsΒ», in EPE’97 Conference, pp. 1.117 β€” 1.124. 1997.
[7] A. V. Gorbatyuk, I. V. Grekhov, and A. V. Nalivkin, Β«Theory of quasidiode operation of reversely switched dinistorsΒ», Solid-State Electron., vol. 31 , pp. 1483-1491, 1988.
[8] S A. Belyaev, V.G. Bezuglov et al., Β«New Generation of High β€” Power Semiconductor Closing Switches for Pulsed Power ApplicationsΒ» in ICPIG Conference, Prague, July 2007.
[9] Chernikov A. A., Goncharenko V. P., Mizintsev A. V., Surma A. M., Titushkin D. A., Β«Pulse thyristors adapted for synchronous switching-on in series connection during the commutation of current with high rate of riseΒ» in EPE ECCE Conference, Warsaw, September 2017.
[10] H. Schwarzbauer, Β«Novel Large Area Joining Technique for Improved Power Device PerformanceΒ», IEEE Transactions on Industrial Applications, 27 (1), 1991, p. 93- 95.
[11] Amro R.; Lutz J. et al. Β«Power Cycling at High Temperature Swings of Modules with Low Temperature Joining TechniqueΒ», in ISPSD Conference,Naples, 2006.
[12] C. GΓΆbl, P. Beckedahl, H. Braml, Β«Low temperature sinter technology Die attachment for automotive power electronic applicationsΒ» in Automotive Power Electronics Conference, Paris, June 2006, pp. 2-5.
[13] D. Titushkin, A. Surma, Β«New ways to produce fast power thyristorsΒ», Bodo’s Power Systems 08, 2015, p. 28- 29.
[14] Chernikov A. A., Goncharenko V. P., Mizintsev A. V., Surma A. M., Titushkin D. A., Β«Thyristors for commutation of current impulse with extremely high amplitudeΒ» in APEC Conference, Tampa, March 2017.

Π§Π΅Ρ€Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² А.А., Π“ΠΎΠ½Ρ‡Π°Ρ€Π΅Π½ΠΊΠΎ Π’. П., ΠœΠΈΠ·ΠΈΠ½Ρ†Π΅Π² А. Π’., Π‘ΡƒΡ€ΠΌΠ° А. М., Π’ΠΈΡ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈΠ½ Π”. А.
АО Β«ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ β€” ЭлСктротСкс», OOO «НИИЭЀА Π­ΠΠ•Π Π“ΠžΒ»

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ тиристор с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ

Авторы ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π°:

ЕлисССв ВячСслав Π’Π°ΡΠΈΠ»ΡŒΠ΅Π²ΠΈΡ‡ (RU)

ΠœΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ Π’Π°Π»Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ½ АлСксандрович (RU)

Π§ΡƒΠΌΠ°ΠΊΠΎΠ² Π“Π΅Π½Π½Π°Π΄ΠΈΠΉ Π”ΠΌΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΅Π²ΠΈΡ‡ (RU)

Π¨ΠΎΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ²Π° Нина АлСксССвна (RU)

Π‘ΠΎΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ½ Π’Π°Π΄ΠΈΠΌ Π’Π°Π»Π΅Ρ€ΡŒΠ΅Π²ΠΈΡ‡ (RU)


H01L29/74 — ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° тиристоров с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…Π·ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ


Β 

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния: ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ для управлСния тяговыми элСктродвигатСлями элСктровозов, ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… станов ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ элСктрооборудованиС, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π² условиях высокого уровня элСктричСских ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π² цСпях управлСния тиристоров. ВСхничСским Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ являСтся ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ тСхничСских характСристик тиристоров — ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… помСхоустойчивости ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ управлСния. ВСхничСский Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ достигаСтся Π·Π° счСт создания Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ управлСния ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ структуры тиристора Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ n+-слоя ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, располоТСнного ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ n

+-эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ тиристоров ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ управлСния Π΄ΠΎ 2-Ρ… Ρ€Π°Π· Π±Π΅Π· ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ тСхничСскоС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ позволяСт ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сбои Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ элСктрооборудования, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования, эксплуатируСмого Π² условиях высокого уровня ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния тиристоров.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠ°Ρ полСзная модСль относится ΠΊ области силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использована Π² конструкции ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ тиристорного Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π’ настоящСС врСмя Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктричСской энСргии Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² условиях с высоким ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ элСктричСских ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π² цСпях управлСния тиристоров.

К Π½ΠΈΠΌ слСдуСт отнСсти: тиристорныС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ тяговых Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктровозов, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… станов ΠΈ Ρ‚.ΠΏ. Виристоры, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² этих прСобразоватСлях, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ отличатся высокой ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ элСктричСских ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…. Одним ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² тиристоров ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈΡ… помСхоустойчивости являСтся Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС управлСния UGD Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ составляСт нСсколько дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°. НСсоотвСтствиС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния UGD ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, Π½Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² цСпях управлСния тиристоров, Π° ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° U
GD
тиристоров мСньшС напряТСния Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°ΠΌΠΈ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ сбоям Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΊ Π°Π²Π°Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ситуациям систСмы Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния управлСния тиристора Π² основном опрСдСляСтся конструкциСй Π·ΠΎΠ½Ρ‹ управлСния тиристорной структуры. Π’ настоящСС врСмя Π² рядС ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ элСктричСской энСргии трСбуСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС управлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… тиристоров Π±Ρ‹Π»ΠΎ достаточно большим Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,70,8 Π’.

НаиболСС Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ тСхничСским Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ являСтся [1], согласно ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ Π² конструкции Π·ΠΎΠ½Ρ‹ управлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта силового тиристора, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° основС монокристалличСского крСмния n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ Ρ€Π΅Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ управлСния с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом (Π€ΠΈΠ³.1). ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ управлСния этого издСлия Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚:

— ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ p-n-p-n+ 1 ΠΈ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ 2 n+-p-n-p структуры, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ способом;

— Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²ΡƒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода 3, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Π°, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΌ 4 ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ являСтся ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, совмСщСнным с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта;

— n+-ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ n+p-n-p структуры 5, ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡƒΡŽ алюминиСвой ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ 6, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π° с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, совмСщСнным с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта.

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ UGD этой конструкции Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 0,5 Π’. Π’ случаС высокого уровня ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния тиристоров этого часто Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ нСдостаточно.

ЦСлью ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ являСтся ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния управлСния тиристоров Π΄ΠΎ значСния 0,7-1,0 Π’.

Указанная Ρ†Π΅Π»ΡŒ достигаСтся Π·Π° счСт Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΌ тиристорС, состоящим ΠΈΠ· монокристалличСской пластины крСмния ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ p-n-p-n + структуру с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ n+

-p-n-p структурой с ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ n+ -эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ n+-эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ располоТСн Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ n+-слой ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹.

На Π€ΠΈΠ³.2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ тиристора с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

Виристор состоит ΠΈΠ· основной p-n-p-n+ структуры 1, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° пластинС монокристалличСского крСмния n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости. Π’ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части структуры нанСсСн слой алюминия 2, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода. Π’ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода располоТСна Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ n+-p-n-p структура 3 с n

+ -эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ 4, Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ нанСсСн слой алюминия 5. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ n+-эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ создан Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ n+-слой 6 ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹.

Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ слой ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ элСктричСскоС сопротивлСниС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния тиристора, увСличивая Ρ‚Π΅ΠΌ самым Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния управлСния. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° приращСния UGD зависит ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° мСста располоТСния Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, Π΅Π³ΠΎ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹.

Π”Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ тСхничСскоС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² 1,5-2 Ρ€Π°Π·Π°.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ испытания конструкции тиристоров с использованиСм ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ тСхничСского Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΠ»ΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ увСличСния Π½Π΅ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния управлСния тиристоров Π΄ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ расчСтного значСния 0,7-1,0 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ отразится Π½Π° надСТности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования, эксплуатируСмого Π² условиях высокого уровня ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния тиристоров.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ

[1] А.Π‘Π»ΠΈΡ…Π΅Ρ€. Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° тиристоров. Π›Π΅Π½ΠΈΠ½Π³Ρ€Π°Π΄, Π­Π½Π΅Ρ€Π³ΠΎΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚, ЛСнинградскоС ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, 1981, стр.111.

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ тиристор с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, состоящий ΠΈΠ· пластины монокристалличСского крСмния, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ p-n-p-n

+ структуру с Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ n+-p-n-p структуру с ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ n+ -эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ n+-эмиттСрной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ располоТСн Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ n+-слой ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹.

Β 

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Ρ‹:

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ тиристор //Β 94382

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ тиристор с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌΒ //Β 58787

Устройство стабилизатора напряТСния систСмы однополярного ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… тиристоров Π² рСвСрсивном Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Ρ„Π°Π·Π½ΠΎΠΌ элСктроприводС //Β 132931

БистСма ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ относится ΠΊ устройствам ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π° Π² рСвСрсивных тиристорных элСктроприводах постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью ΠΏΠΎ скорости.

Устройство однополярного ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ тиристоров Π² рСвСрсивном Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Ρ„Π°Π·Π½ΠΎΠΌ тиристорном элСктроприводС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ для своСврСмСнного ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² обусловлСнных Π­Π”Π‘ самоиндукции, устраняя Ρ‚Π΅ΠΌ самым ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ выпрямлСнного напряТСния ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ тиристоров ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π°Π½ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹

Виристор с самозащитой ΠΎΡ‚ пробоя //Β 114395

Устройство ускорСнного контроля Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚Π°Π±Π»Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ конструкции //Β 121374

ПолСзная модСль относится ΠΊ области элСктротСхники, Π° ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΊ силовым ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ прСобразоватСлям ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎ ΠΊ силовыми ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ (БПП) — тиристорам ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌ Ρ‚Π°Π±Π»Π΅Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ конструкции

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ тиристора //Β 107003

ΠžΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ тиристор //Β 95901

Виристорный ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ для силового Π±Π»ΠΎΠΊΠ° управлСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ элСктричСского ΠΊΠΎΡ‚Π»Π°Β //Β 43997

Виристор //Β 118795

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ тиристор //Β 92245

Врансформаторно-Смкостный Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Β //Β 115988

Автотрансформаторный Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Β //Β 120825

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ многопСрСходная структура //Β 106443

Устройство Π°Π²Π°Ρ€ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ запуска ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° с самовозбуТдСниСм //Β 76168

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ для Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° ТидкостСй //Β 113341

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ тиристоры ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ для соврСмСнных ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ высокого напряТСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€

Π˜Π½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Π°Ρ тСхнология с мСньшими потСрями, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² энСргии увСличиваСтся ΠΈΠ· Π³ΠΎΠ΄Π° Π² Π³ΠΎΠ΄. Π”Π²ΠΈΠΆΡƒΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ рост насСлСния Π²ΠΎ всСм ΠΌΠΈΡ€Π΅ ΠΈ, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Π½Π΅ΡƒΠΊΠ»ΠΎΠ½Π½ΠΎ растущий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ всС Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ энСргии Π½Π° Ρ‡Π΅Π»ΠΎΠ²Π΅ΠΊΠ°.

ЕстСствСнно, это Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ производства энСргии. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… странах источники производства энСргии находятся Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² энСргопотрСблСния. Π­Ρ‚ΠΎ особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для производства экологичСски чистой энСргии, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ гидроэлСктростанции, вСтряныС ΠΈ солнСчныС элСктростанции.

Π’ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… расстояниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС, Π½ΠΎ установка силового соСдинСния слоТна; Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ссли трСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ кабСльноС соСдинСниС. Π’ этих случаях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° высокого напряТСния (HVDC) являСтся Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ для соСдинСния источника ΠΈ потрСбитСля.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ (LCC/CSC)Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  Β  ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния с автоматичСской ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ (SCC/VSC)

Виристор Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π‘Π’Π˜Π—

Press Pack IGBT Prime Switch


Наши прСсс-ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Ρ‹ IGBT P2000D45X168 ΠΈ P3000Z45X168 для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбС Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ микросхСм IGBT с самой Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ конструкциСй прСсс-ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠ² для Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Виристоры с элСктричСским ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (ETT)


Виристоры с элСктричСским ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (ETT)

Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ для Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ высокой ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΡ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ спСкания (LTS) ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ характСристики Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ высокого ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ тиристоры (LTT)


Виристоры

Light Triggered (LTT) доступны со встроСнными ΠΏΡ€ΠΎΡ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (BoD), dv/dt- ΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ прямого восстановлСния (FRP), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΊΡƒ соврСмСнных ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ HVDC.

Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ тиристоры


ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ ассортимСнт Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… тиристоров для ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля (MMC) Π½Π° 3,3 ΠΊΠ’, 4,5 ΠΊΠ’ ΠΈ 6,5 ΠΊΠ’. ВсС Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ тиристоры протСстированы с использованиСм Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Infineon IGBT для обСспСчСния ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹.

Π£Π»ΡŒΡ‚Ρ€Π°ΠΌΡΠ³ΠΊΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹


Π­Ρ‚ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ идСально подходят для соврСмСнных ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ IGBT, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° высокого напряТСния ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Ρ‹ срСднСго напряТСния.

Π—Π°ΠΆΠΈΠΌΠ½Ρ‹Π΅ устройства для дисков


Если достаточно одностороннСго охлаТдСния, наши тиристорныС ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ диски с корпусом Π΄ΠΎ Ø75 ΠΌΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠ½Ρ‹Ρ… приспособлСний.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ

ΠΠ°ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΌ ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ спСцификации

Π”ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹

ΠŸΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½Π°

Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ

ΠŸΠ°Ρ€Ρ‚Π½Π΅Ρ€Ρ‹

ΠžΠ±ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ

ΠŸΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚

Π”Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ тиристоров Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅

ΠŸΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ объСм ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° тиристоров достигнСт 1155,5 ΠΌΠ»Π½ Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ² БША ΠΊ 2026 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ с 9 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ² БША. 34,6 ΠΌΠ»Π½ Π² 2020 Π³. ΠΏΡ€ΠΈ срСднСгодовом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅ роста 3,6% Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ 2021–2026 Π³Π³. ВысокоскоростноС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство Виристор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ/постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ симисторы ΠΈ тиристоры (ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ управляСмыС выпрямитСли).

Виристоры ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ устройства с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ слоями Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² P- ΠΈ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Он Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΉ: Π°Π½ΠΎΠ΄ (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄), ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ (ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄) ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄). Виристор, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ слоями Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² P- ΠΈ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, дСйствуСт ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΠΈΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, проводящий, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ подаСтся Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° напряТСниС Π½Π° устройствС Π½Π΅ станСт смСщСнным Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ° напряТСниС снимаСтся.


НиТС пСрСчислСны Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ тиристоров

STMicroelectronics

STMicroelectronics Π½Π΅ извСстна своими МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ST ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ„Π΅Π»ΡŒ ΠΈ фокусируСтся Π½Π° тиристорах. ST насчитываСт 46 000 создатСлСй ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, устройств ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… тиристоры ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ внимания. ST со своСй ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚Π½Π΅Ρ€ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈ создаСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹, Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈ экосистСмы, Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ устойчивого развития ΠΈ управлСния рСсурсами.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ ST, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Vishay Intertechnology

Vishay Intertechnology извСстна ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ поставщик элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² макроэкономичСского роста, ΠΊΠ°ΠΊ связь, ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π₯отя извСстно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Vishay спСциализируСтся Π½Π° тиристорах ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ ассортимСнт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Благодаря своим исслСдованиям ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌ, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°ΠΌ качСства ΠΈ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Π°ΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠ°ΠΌ Vishay создаСт постоянный ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² тиристоров.

Для получСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Schneider Electric

Schneider Electric β€” ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· самых Π²Π»ΠΈΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ Π² области Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ. ЕвропСйская ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ компания Schneider Electric ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π² области энСргСтики ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Schneider Electric Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π² Π΄ΠΎΠΌΠ°Ρ…, зданиях, Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, инфраструктурС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, сочСтая энСргСтичСскиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ обСспСчСниС ΠΈ услуги. Компания ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ ассортимСнт тиристоров, ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ трСбованиям.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ Schneider Electric, Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ½ΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Central Semiconductor

Компания Central Semiconductor Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ ассортимСнт тиристоров. Central Semiconductor ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ услуги ΠΏΠΎ настройкС, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π½ΠΈΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°ΠΌ ΠΈ услугам. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ свою Ρ‚ΠΈΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ, Central Semiconductor удовлСтворяСт потрСбности ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… конструктивных трСбованиях. Central Semiconductor постоянно Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹ для удовлСтворСния постоянно ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ отраслСвых Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΉ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ Central Semiconductor, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

GeneSiC Semiconductor

Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½Π°Ρ компания ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния GeneSiC Semiconductor являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСм. GeneSiC Semiconductor ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ SiC, прСдлагая тиристоры. ВСхнология GeneSiC ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… систСмах высокой мощности. Π•Π³ΠΎ тСхнология тиристоров обСспСчиваСт Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ элСктронных Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ.
Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

TSMC

Вайваньская компания ΠΏΠΎ производству ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ извСстная ΠΊΠ°ΠΊ TSMC, являСтся Ρ‚Π°ΠΉΠ²Π°Π½ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ извСстной своим ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ производством ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Вайваньский ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π³ΠΈΠ³Π°Π½Ρ‚ TSMC Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ сохраняСт лидСрство Π² производствС тиристоров. TSMC стрСмится ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ комплСксноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΈΡ… Ρ€ΡƒΠΊ. TSMC являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΌ 5-Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ производствСнныС возмоТности, ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ продвигаСтся Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄, прСдлагая тиристоры ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ поколСния.

Для получСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° ссылку:

WeEn Semiconductor

WeEn Semiconductor спСциализируСтся Π½Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ„ΠΎΠ»ΠΈΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ… Π² отрасли биполярных силовых ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ΠΎΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈ тиристоры. Виристоры WeEn Semiconductor Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ Π² отрасли ΠΈ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ трСбованиям Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°. Π’ послСднСС врСмя WeEn Semiconductor Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ»Π° своС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° тиристоры ΠΈ Π»ΠΈΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π² своСм ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ„ΠΎΠ»ΠΈΠΎ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Diodes Incorporated

Компания Diodes Incorporated, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΈ поставщиком высококачСствСнной стандартной ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, являСтся извСстным экспСртом Π² области поставок ΠΈ обслуТивания тиристоров. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Ρ ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ для ΠΊΠ»ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΡΡΡŒ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ поколСния, тиристоры β€” ΠΈΡ… Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ‡ΡƒΠ΄ΠΎ Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅. ΠŸΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ Π² слоТных конструкциях Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π΅ΠΊΠ°, Diodes Incorporated ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ тиристоры.

Для получСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Sensata Technologies

Компания Sensata Technologies являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² области Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ элСмСнтов управлСния для критичСски Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡. Помогая Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ чистоту ΠΈ связь Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅, Sensata Technologies Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ свой Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ, прСдлагая тиристоры высокого класса. Π˜Ρ… тиристоры Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ Π² ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ проСктирования. Π’Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡ… 47 000 ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² для самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… областСй примСнСния β€” ΠΎΡ‚ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½Ρ‹Ρ… систСм Π΄ΠΎ систСм управлСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ самолСта.

Для получСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ здСсь

Shindengen Electric

Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ всСх Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ тиристоров Shindengen Electric Manufacturing Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ. Π’ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π»Π° ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ ΠΈ знания Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ соврСмСнных тиристоров. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Shindengen Electric извСстна своими прСдлоТСниями Π² области силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, систСм элСктроснабТСния, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроники ΠΈ солСноидов.

alexxlab

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *