T630 симистор: T630-800W / STMicroelectronics — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Симисторы

Симиcтop (симметричный триодный тиристор) — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отличие от тиристора, имеющего катод и анод, основные (силовые) выводы симистора называть катодом или анодом некорректно, так как в силу структуры симистора они являются тем и другим одновременно. Однако по способу включения относительно управляющего электрода основные выводы симистора различаются, причём имеет место их аналогия с катодом и анодом тиристора. На рисунке верхний по схеме вывод симистора называется выводом 1 или условным катодом, нижний — выводом 2 или условным анодом, вывод справа — управляющим электродом.

Название	Описание
T405-600B	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T405-600H	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T405-600T	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T405-600W	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T405-700B	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T405-700H	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T405-700T	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T405-700W	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T405-800B	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T405-800H	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T405-800T	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T405-800W	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T405Q-600B	Симистор на 4А, 600В
T405Q-600H	Симистор на 4А, 600В
T410-600B	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T410-600H	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T410-600T	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T410-600W	Симистор на 4А, 600В, логический уровень
T410-700B	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T410-700H	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T410-700T	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T410-700W	Симистор на 4А, 700В, логический уровень
T410-800B	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T410-800H	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T410-800T	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T410-800W	Симистор на 4А, 800В, логический уровень
T410H-6T	Высокотемпературный симистор на 4А, 600В
T435-600B	Симистор на 4А, 600В, бесснабберный
T435-600H	Симистор на 4А, 600В, бесснабберный
T435-600T	Симистор на 4А, 600В, бесснабберный
T435-600W	Симистор на 4А, 600В, бесснабберный
T435-700B	Симистор на 4А, 700В, бесснабберный
T435-700H	Симистор на 4А, 700В, бесснабберный
T435-700T	Симистор на 4А, 700В, бесснабберный
T435-700W	Симистор на 4А, 700В, бесснабберный
T435-800B	Симистор на 4А, 800В, бесснабберный
T435-800H	Симистор на 4А, 800В, бесснабберный
T435-800T	Симистор на 4А, 800В, бесснабберный
T435-800W	Симистор на 4А, 800В, бесснабберный
T610H-6T	Высокотемпературный симистор с рабочим током 6А
T620-600W	Бесснабберный симистор на 6А, 600В
T620-800W	Бесснабберный симистор на 6А, 800В
T630-600W	Бесснабберный симистор на 6А, 600В
T630-800W	Бесснабберный симистор на 6А, 800В
T810-600G	Симистор на 8 Ампер 600 Вольт, логический уровень
T810-600H	Симистор на 8 Ампер 600 Вольт, логический уровень
T810-800G	Симистор на 8 Ампер 800 Вольт, логический уровень
T810-800H	Симистор на 8 Ампер 800 Вольт, логический уровень
T810H-6G	Высокотемпературный симистор с рабочим током 8А
T810H-6T	Высокотемпературный симистор с рабочим током 8А
T820-600W	Бесснабберный симистор на 8А, 600В
T820-800W	Бесснабберный симистор на 8А, 800В
T830-600W	Бесснабберный симистор на 8А, 600В

Страница 5 .

Смотреть страницу 1 2 3 4 … 6

Тиристор Т630-24

Количество драгоценных металлов в тиристоре Т630-24 согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских тиристорах Т630-24.

Тиристор Тиристор количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0 грамм.
Серебро: 5,68 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: .

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:

Тиристор — это полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. По функциональности их можно соотнести к электронным ключам. Но есть в тиристоре одна особенность, он не может перейти в закрытое состояние в отличие от обычного ключа. Поэтому обычно его можно найти под названием — не полностью управляемый ключ.

На рисунке представлен обычный вид тиристора. Состоит он из четырех чередующихся типов электро-проводимости областей полупроводника и имеет три вывода: анод, катод и управляющего электрод.
Анод — это контакт с внешним p-слоем, катод — с внешним n-слоем.

Виды тиристоров

Классификация тиристоров

В зависимости от количества выводов можно вывести классификацию тиристоров. По сути все очень просто: тиристор с двумя выводами называется динисторами (соответственно имеет только анод и катод). Тиристор с тремя и четырьмя выводами, называются триодными или тетродными. Также бывают тиристоры и с большим количеством чередующихся полупроводниковых областей. Одним из самых интересных является симметричный тиристор (симистор), который включается при любой полярности напряжения.

Схема работы тиристора

Принцип работы тиристоров

Обычно тиристор представляют в виде двух транзисторов, связанных между собой, каждый из которых работает в активном режиме.

В связи с таким рисунком можно назвать крайние области — эмиттерными, а центральный переход — коллекторным.

Общие параметры тиристоров

1. Напряжение включения — это минимальное анодное напряжение, при котором тиристор переходит во включенное состояние.
2. Прямое напряжение — это прямое падение напряжения при максимальном токе анода.
3. Обратное напряжение — это максимально допустимое напряжение на тиристоре в закрытом состоянии.
4. Максимально допустимый прямой ток — это максимальный ток в открытом состоянии.
5. Обратный ток — ток при максимальной обратном напряжении.
6. Максимальный ток управления электрода
7. Время задержки включения/выключения
8. Максимально допустимая рассеиваемая мощность

Заключение

Таким образом, в тиристоре существует положительная обратная связь по току — увеличение тока через один эмиттерный переход приводит к увеличению тока через другой эмиттерный переход.
Тиристор — не полностью управляющий ключ. То есть перейдя в открытое состояние, он остается в нем даже если прекращать подавать сигнал на управляющий переход, если подается ток выше некоторой величины, то есть ток удержания.

Есть информация о тиристоре Т630-24 – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото тиристора Т630-24:

Предназначение прибора тиристора Т630-24.

Характеристики тиристора Т630-24:

Купить тиристор Т630-24 или продать Т630-24 (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне Т630-24 вы можете в комментариях ниже:

T630-600W техническое описание — Snubberless Triac

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: T630-600W

Деталь	T630-600W
Категория	Дискретные => Тиристоры => Триаки
Название	0,8А — 1А — 4А — 6А — 8А
Описание	Симистор без снаббера
Компания	ST Microelectronics, Inc.
Техническое описание	Загрузить T630-600W Техническое описание
Цитата	Где купить

Функции, приложения

ХАРАКТЕРИСТИКИ

ITRMS = 6A VDRM = VRRM = 600V ОТЛИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ИЗОЛЯЦИИ = 1500V(RMS) U.L. ПРИЗНАН: E81734

ОПИСАНИЕ В симисторах T620-600W и T630-600W используется высокопроизводительная технология пассивированного стекла, заключенная в полностью литой пластиковый корпус ISOWATT220AB. Концепция SNUBBERLESSTM предлагает подавление цепи R-C и подходит для таких приложений, как управление фазой и статическое переключение на индуктивных и резистивных нагрузках. АБСОЛЮТНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ (предельные значения) Обозначение IT(RMS) ITSM RMS Ток в открытом состоянии (угол проводимости 360) Неповторяющийся пиковый пиковый ток в открытом состоянии (Tj начальное значение 25C) Параметр Tc= мс (1 цикл, 60 Гц) мс (1/ 2 цикла, 50 Гц) I2t dI/dt Значение I2t (полупериод, 50 Гц) Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии Питание затвора 500 мА dIG /dt = 1 А/с. 10 мс Повторяющийся 50 Гц Неповторяющийся Tstg Tj Tl Диапазон температур хранения Диапазон рабочих температур перехода Максимальная температура вывода для пайки на расстоянии 4,5 мм от корпуса Значение C A2s A/s Единица измерения A

ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Обозначение Rth(j-a) Rth(j-c) Соединение с окружающей средой Соединение с корпусом для переменного тока (угол проводимости 360) Параметр Значение 50 3.4 Единица C/Вт

ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОРОТ (максимальные значения) PG (AV)= 1 Вт PGM 10 Вт (tp = 20 с) ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Обозначение IGT VGT VGD tgt IH * VTM * IDRM IRRM dV/dt * (dV/dt)c * Условия испытаний VD =12 В (постоянный ток) RL=33 ВD=12 В (постоянный ток) RL=33 VD=VDRM RL=3,3 кОм VD=VDRM = 500 мА dlG/dt= 3As IT= 100 мА Ворота открыты Tj= 25C Tj= 25C Tj= 125C Tj= 25C Tj= 25C Tj= 25C Tj= 25C Tj= 125C Линейный наклон до открытия ворот VD=67%VDRM (dI/dt)c = 3,3 A/мс примечание) (см. Tj= 125C Tj= 125C Квадрант I-II- III MAX MIN TYP MAX MIN A мА В/с T630 30 Единица В с IGM 4 A (tp = 20 с)

* Для любой полярности напряжения электрода A2 относительно электрода A1. Примечание. В обычных приложениях, где (dI/dt)c ниже 3,3 А/мс, (dV/dt)c всегда ниже 10 В/с, и, следовательно, нет необходимости использовать демпферную RC-цепь через / T630W. симисторы.

Рис.1: Максимальная рассеиваемая мощность в зависимости от среднеквадратичного значения тока в открытом состоянии. Рис.2: Корреляция между максимальной рассеиваемой мощностью и максимально допустимой температурой (Tокр и Tкорпус) для различных тепловых сопротивлений радиатор + контакт.

Рис.4: Переходное тепловое сопротивление переход-корпус и переход-окружающая среда в зависимости от длительности импульса.
Рис. 5: Относительное изменение тока запуска затвора и тока удержания в зависимости от температуры перехода.
Рис. 6: Неповторяющийся пиковый ток в открытом состоянии в зависимости от количества циклов.

Связанные продукты с тем же паспортом

Т620В

Т630В

Номер детали того же производителя ST Microelectronics, Inc.

T630-800W Бесснабберный симистор

Т630В

Шестигранный инвертор T74LS05

Т810 8А Симисторы

Высокопроизводительные симисторы T810-XXXB

T810-XXXB 8A Симисторы

Высокопроизводительные симисторы T810-XXXH

T820-400W Симистор без снаббера

Т820-600Вт

Т820-700Вт

Т820-800Вт

Т820-XXXW

Т820В

Т830-400Вт

Т830-600Вт

Т830-XXXW

Т830В

Т835 8А Симисторы

Высокопроизводительные симисторы T835-XXXB

T835-XXXB 8A Симисторы

Высокопроизводительные симисторы T835-XXXG

M27C256B-60F6TR: 256 Кбит (32 КБ X 8) УФ EPROM и OTP EPROM

ST6253BM6: 8-разрядные микроконтроллеры Otp/ePROM с аналого-цифровым преобразователем, таймером автоматической перезагрузки, EePROM и Spi

ТШ250И : Одиночный операционный усилитель с широкополосным входом и биполярным входом

M29F002BT70K3 : 2 Мбит 256 КБ x8, загрузочный блок с одним источником флэш-памяти

GB10NC60K: N-канальный 600 В — 10 А — D2pak / To-220 / To-220fp Powermesh TM IGBT 9 с номиналом короткого замыкания0053

PSD854F2V-15JI : Внутрисистемно программируемая флеш-периферия ISP для 8-битных микроконтроллеров

NAND01GW3A0BZB1T: 256/512 МБ/1 ГБ (x8/x16, 1,8/3 В, страница 528 байт) флэш-памяти NAND + 256/512 МБ (x16/x32, 1,8 В) Lpsdram, MCP

STEVAL-IFS012V8 : Средства разработки датчика температуры STLM75 TEMP SENSOR Дочерняя плата Технические характеристики: Производитель: STMicroelectronics ; Категория продукта: Средства разработки датчиков температуры; RoHS: Подробная информация ; Инструмент для оценки: STLM75; Рабочее напряжение: от 2,7 В до 5,5 В; Максимальная рабочая температура: + 125 С; Минимальная рабочая температура: — 55 C; Рабочая температура

M95640-DW6P/B: 8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 Технические характеристики: Плотность: 66 кбит; Количество слов: 8 тыс. ; Бит на слово: 8 бит; Тип автобуса: Серийный ; Статус производства: Полное производство; Скорость передачи данных: 5 МГц; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 5 В; Тип упаковки: 0,169 ДЮЙМА, БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЯ ROHS, TSSOP-8, TSSOP; Контакты: 8 ; Рабочий диапазон

T630-400W техническое описание — Технические характеристики: Thyristornbsp;Тип: Triac; Упаковка

Детали, техническое описание, цитата по номеру детали: T630-400W

Деталь	T630-400W
Категория	Дискретные => Тиристоры => Тиристоры
Наименование	400 В, 6 А, БЕЗСНАБЕРНЫЙ СИМИМИР
Описание
Компания	ST Microelectronics, Inc.
Техническое описание	Загрузить T630-400W Техническое описание
Крест.	Аналогичные детали: BTA208X-600F
Цитата	Где купить

Specifications
Thyristor Type	Triac
Package Type	PLASTIC, ISOWATT220AB, 3 PIN
Pin Count	3
VDRM	400 вольт
IT (RMS)	6 AMPS
Стандарты и сертификаты	ROHS

Связанные продукты с одинаковым DataSheet

Т630-700Вт

Т630-800Вт

Некоторые номера деталей того же производителя ST Microelectronics, Inc.

T630-700W Технические характеристики: Тип тиристора: симистор; Тип упаковки: ПЛАСТИК, ISOWATT220AB, 3-контактный; Количество выводов: 3; ВДРМ: 400 вольт; ИТ (RMS): 6 ампер; Стандарты и сертификаты: RoHS

T74LS01B1 Технические характеристики: Тип ворот: NAND; Напряжение питания: 5 В; Тип выхода: открытый коллектор; Семейство логики: TTL; Входы: 2 ; Задержка распространения: 28 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Количество выводов:

T74LS126AB1 Технические характеристики: Технология: TTL; Тип устройства: Драйвер линии/шины; Напряжение питания: 5 В; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Тип упаковки: ПОГРУЖЕНИЕ, ПЛАСТИК, ПОГРУЖЕНИЕ-14; Штифты: 14

T74LS148B1 Технические характеристики: Количество битов: 8; Напряжение питания: 5 В; Тип упаковки: ПОГРУЖЕНИЕ, ПЛАСТИК, ПОГРУЖЕНИЕ-16; Семейство логики: TTL; Количество контактов: 16; Задержка распространения: 29нс ; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F)

T74LS241B1 Технические характеристики: Технология: TTL; Тип устройства: Драйвер линии/шины; Напряжение питания: 5 В; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Тип упаковки: ПОГРУЖЕНИЕ, ПЛАСТИК, ПОГРУЖЕНИЕ-20; Штифты: 20

T74LS645M1 Технические характеристики: Технология: TTL; Тип устройства: трансивер; Напряжение питания: 5 В; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Тип упаковки: МИКРО, SO-20; Штифты: 20

T850-600G-TR Технические характеристики: Тип тиристора: симистор; Тип упаковки: Д2ПАК, Д2ПАК-3; Количество выводов: 2; ВДРМ: 600 вольт; ИТ (RMS): 8 ампер

TDA2320AD Технические характеристики: Полоса пропускания: 0,0220 МГц; Напряжение питания (VS): от 3 до 30 вольт; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F); Соответствует RoHS: RoHS; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, SO-8; Количество устройств:

TDA7265B Технические характеристики: Тип устройства: Аудиоусилители

TDA7391LV

TDA7498L

ТДА7569БЛВ

TDA7569LV Технические характеристики: Напряжение питания (VS): от 6 до 18 вольт; Выходная мощность: 75 Вт (0,1005 л.

с.); Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F); Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS, 27 PIN; Количество устройств:

TDA7576B Технические характеристики: Тип устройства: Аудиоусилители

TDA9203B Технические характеристики: Тип упаковки: DIP, SDIP-24; Количество устройств: от 1 до 3

TEA6416 Технические характеристики: Применение: Коммерческое; Напряжение питания (VS): от 8 до 11 вольт; Рабочая температура: от 0,0 до 70°C (от 32 до 158°F); Тип упаковки: ПОГРУЖЕНИЕ, ПЛАСТИК, ПОГРУЖЕНИЕ-20; Количество контактов: 20; Количество устройств:

TEA7533FP Технические характеристики: Напряжение питания (VS): от 3,5 до 6,5 В; Выходная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Рабочая температура: от -20 до 70 C (от -4 до 158 F); Тип упаковки: SO-20; Количество устройств: 1

TEB4033D Технические характеристики: Напряжение питания (VS): 15 вольт; IBIAS: 0,2000 мкА; КОСС: 70 дБ; Скорость нарастания: 1 В/мкс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Тип упаковки: МИКРО, ПЛАСТИК, SO-14; Количество контактов:

ТЭБ4033Дж

ТЭБ4033Н

TEC4033D

BTB16-400BWRG : 10A — 12A — 16A 16A Симисторы

M28LV64-300XP1: низковольтная параллельная EePROM 64k 8k X 8 с программной защитой данных

PSD4135G1-B-15MI : Периферийные устройства с флэш-памятью для 16-разрядных микроконтроллеров

ST92150R2QB: семейство 8/16-битных флэш-микроконтроллеров с одним напряжением и ОЗУ, e3 Tmemulated EePROM, CAN 2. 0b и J1850 BLPD

STW3100E2/LF: Модуль приемопередатчика в низкопрофильном корпусе с шариковой решеткой 1,4 X 7 X 7 мм, новые модули объединяют все ключевые функции, требуя только кристалла 26 МГц и модуля усилителя мощности (функции PA + антенный переключатель) для создания полного Трехдиапазонное решение от антенны

LM2931AZ33R : Регуляторы напряжения с очень малым падением напряжения и функцией блокировки

NAND04GR4B4DZL6E: 4 Гбит, страница 2112 байт, 3 В, многоуровневая флэш-память NAND

M28C256-15WNS1T: 256 Кбит (32 КБ x8) Параллельное EEPROM с программной защитой данных

LD3986J29R: ДВОЙНОЙ ВЫХОД, ФИКСИРОВАННЫЙ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ РЕГУЛЯТОР LDO, PBGA8 Технические характеристики: Тип регулятора: Малый сброс; Выходная полярность: положительная; Тип выходного напряжения: фиксированный; Тип упаковки: Другое, FLIP CHIP, 8 PIN; Этап жизненного цикла: АКТИВНЫЙ; Выходное напряжение: от 2,42 до 2,58 вольт; IВЫХОД: 0,1500 ампер; VIN: от 2,5 до 6 вольт; Падение напряжения: 0,1000 вольт

M24512-RMC3TP/K : EEPROM 5V Технические характеристики: Категория памяти: PROM, EEPROM

STM32F103RBT6 : Микроконтроллеры ARM — MCU 32BIT Cortex M3 128K FLASH 20KB RAM STMicroelectronics STM32 F1 Основные микроконтроллеры удовлетворяют потребности широкого круга приложений на промышленных, медицинских и потребительских рынках.