СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ СРЕДНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ InAs(Sb,P)

2016 , ТОМ 16, НОМЕР 1 ( январь-февраль )

ISSN 2226-1494 (print), ISSN 2500-0373 (online)

Публикации

2022

2021

2020

2019

2018

2017

2016

2015

2014

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

Главный редактор

НИКИФОРОВ
Владимир Олегович
д. т.н., профессор

Партнеры

doi: 10.17586/2226-1494-2016-16-1-76-84

УДК 53.082.56

Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х.К., Салихов Х.М., Бугров В.Е.

Читать статью полностью 

Язык статьи — русский

Ссылка для цитирования: Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2016. Т. 16. № 1. С. 76–84.

Аннотация

Предмет исследования. Рассмотрены спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона с гетероструктурами на основе твердых растворов InAs(Sb,P), излучающих при температуре T=300 К в диапазоне длин волн 3,4–4,1 мкм. Целью исследования был поиск путей увеличения эффективности светодиодов. Методы. Выращивание гетероструктур выполнено методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Спектры записывались на автоматизированной установке на основе монохроматора МДР-23 при импульсном возбуждении. Регистрация сигнала осуществлялась синхронным детектором с помощью охлаждаемого фотодиода на основе InSb.Сравнительное исследование спектров электролюминесценции светодиодов выполнено при температурах 300 К и 77 К. Проведено сопоставление полученных данных с результатами расчета зонных диаграмм гетероструктур.

Основные результаты. По итогам сравнительного исследования спектров электролюминесценции светодиодов при температурах 300 К и 77 К установлено, что повышению их эффективности препятствует значительное влияние оже-рекомбинации. В светодиодных гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP при 77 К впервые наблюдался эффект возникновения стимулированного излучения из активной области InAsSb. Для гетероструктур с квантовыми ямами InAs/(InAs/InAsSb)/InAsSbP обнаружено, что при 77 К рекомбинация происходит вне материала ям, что указывает на недостаточную локализацию носителей в активной области структур. Таким образом, показано, что основными путями повышения эффективности исследованных светодиодов являются подавление оже-рекомбинации и улучшение пространственной локализации носителей в активной области.Практическая значимость. Результаты исследования могут быть использованы при разработке гетероструктур для светодиодов среднего инфракрасного диапазона.

Ключевые слова: инфракрасный светодиод, электролюминесценция, рекомбинация

Благодарности. Работа выполнена при государственной финансовой поддержке, выделяемой на реализацию Программы повышения конкурентоспособности Университета ИТМО среди ведущих мировых научно-образовательных центров на 2013–2020 г. г.

Список литературы

1. Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6–2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 8. С. 996–1009.

2. Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics / Ed. A. Krier. Berlin: Springer, 2006. 379 p.
3. Allerman A.A., Kutrz S.R., Biefield R.M., Baucom K.C., Burkhart J.H. Development of InAsSb–based light emitting diodes for chemical sensing systems // Proceedings of SPIE. 1998. V. 3279. P. 126–133. doi: 10.1117/12.304418
4. Баженов Н.Л., Журтанов Б.Е., Мынбаев К.Д., Астахова А.П., Именков А.Н., Михайлова М.П., Смирнов В.А., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n–GaSb/n–AlGaAsSb/n–GaInAsSb, обусловленная ударной ионизацией // Письма в журнал технической физики. 2007. Т. 33. № 23. С. 1–6.
5. Петухов А.А., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. Электрические и электролюминесцентные свойства светодиодов λ=3.85–3.95 µm на основе InAsSb в интервале температур 20–200°C // Журнал технической физики. 2012. Т. 82. № 1. С. 73–76.
6. Stoyanov N.D., Salikhov Kh.M., Kalinina K.V., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V. Super low power consumption middle infrared LED–PD optopairs for chemical sensing // Proceedings of SPIE. 2014. V. 8982. Art. 89821A. doi: 10.1117/12.2036277
7. Krier A., Yin M., Smirnov V., Batty P., Carrington P.J., Solovev V., Sherstnev V. The development of room temperature LEDs and lasers for the mid–infrared spectral range // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2008. V. 205. N 1. P. 129–143. doi: 10.1002/pssa.200776833
8. Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия. Обзор // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. № 6. С. 641–657.
9. Петухов А.А., Ильинская Н.Д., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip–chip светодиодов среднего ИК–диапазона (λmax~3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. № 11. С. 1560–1563.
10. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с.
11. Adachi S. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GaInAsSb and InPAsSb: key properties for a variety of the 2-4 μm optoelectronic device applications // Journal of Applied Physics. 1987. V. 61. N 10. P. 4869–4876. doi: 10.1063/1.338352
12. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys // Journal of Applied Physics. 2001. V. 89. N 11. P. 5815–5875. doi: 10.1063/1.1368156
13. Флюгге З. Задачи по квантовой механике. M.: Мир, 1974. Т. 1. 341 с.
14. Matveev B., Zotova N., Il’inskaya N., Karandashev S., Remennyi M., Stus N. Spontaneous and stimulated emission in InAs LEDs with cavity formed by gold anode and semiconductor/air interface // Physica Status Solidi C: Conferences. 2005. V. 2. N 2. P. 927–930. doi: 10.1002/pssc.200460343
15. Шерстнев В.В., Монахов А.М., Астахова А.П., Кислякова А.Ю., Яковлев Ю.П., Аверкиев Н.С., Krier A., Hill G. Полупроводниковые WGM-лазеры среднего инфракрасного диапазона // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 9. С. 1122–1128.

16. Monakhov A.M., Krier A., Sherstnev V.V. The effect of current crowding on the electroluminescence of InAs mid-infrared light emitting diodes // Semiconductor Science and Technology. 2004. V. 19. N 3. P. 480–484. doi: 10.1088/0268-1242/19/3/034
17. Koerperick E.J., Olesberg J.T., Hicks J.L., Prineas J.P., Boggess T.F., Jr. High-power MWIR cascaded InAs–GaSb superlattice LEDs // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2009. V. 45. N 7. P. 849–853. doi: 10.1109/JQE.2009.2013176
18. Sanjeev, Chakrabarti P. Generic model of an InAsSb/InAsSbP DH-LED for midinfrared (2-5 µm) applica-tions // Optoelectronics and Advanced Materials, Rapid Communications. 2009. V. 3. N 6. P. 515–524.
19. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. СПб.: ПИЯФ РАН, 1997. 376 с.
 

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License

Пример схемы для анализа характеристик светодиодов

Общая информация

Спектрометр Ocean Optics USB4000 в сочетании с оптимальным набором оптических принадлежностей и программного обеспечения может выполнять функции высокоточного спектрорадиометра, позволяющего измерять такие характеристики светодиодов как цветовые характеристики, приведенная мощность, абсолютная спектральная интенсивность.

Спектротметр

Спектрометр USB4000 оптимизирован для измерения характеристик светодиодов и оснащен дифракционной решеткой №2, обеспечивающей спектральный диапазон 350-1000 нм, входной щелевой апертурой шириной 25 мкм и собирающей линзой детектора L4, увеличивающей световую эффективность спектрометра и снижающей количество рассеянного излучения. При такой конфигурации спектрометра USB4000, оптическое разрешение составляет ~1,33 нм (FWHM). Дополнительный фильтр OFLV-350-1000 позволяет исключить второй и третий порядки дифракции. Такая конфигурация оптического модуля позволяет максимально увеличить чувствительность системы, компенсируя световые потери, имеющие место при использовании интегрирующей сферы, часто применяющейся в большинстве светодиодных приложений.

Вы также можете регистрировать сигналы светодиода с помощью косинусного корректора CC-3-UV и оптоволоконного кабеля.

Выбор оптических компонентов

Светодиод устанавливается в источник питания LED-PS-NIST, калиброванный по эталонам NIST, который обеспечивает белый фон для светодиодов и настраиваемый ток для регулировки выходного сигнала светодиода. Интегрирующая сфера FOIS-1 располагается перед источником питания LED-PS-NIST и собирает весь выходной сигнал светодиода. Энергия светодиода, собранная интегрирующей сферой, передается в спектрометр по оптоволоконному кабелю. Мощность и цвет светодиода определяется путем сравнения с эталонным источником излучения LS-1-CAL-INT, подключаемому к входному порту интегрирующей сферы FOIS-1.

Источник питания светодиодов: обеспечивает фиксацию, питание и управление светодиодом

Блок питания LED-PS обеспечивает три полезные функции: фиксация светодиода, питание светодиода и отображение тока светодиода. С помощью регулируемого преобразователя можно увеличить или уменьшить ток светодиода в диапазоне до 50 мА. Для заказа доступны две версии источников питани: стандартная (LED-PS) и калиброванная по эталонам NIST (LED-PS-NIST).

Интегрирующая сфера: собирает излучение в поле зрения 360°

Светодиод, установленный в источник питания LED-PS, вставляется в входной порт (9,5 мм) интегрирующей сферы FOIS-1, поле зрения которой составляет 360°. Оптоволоконный кабель P400-2-VIS-NIR используется для передачи света, собранного сферой FOIS-1, в спектрометр USB4000.

Источник света: радиометрический калибровочный источник излучения

LS-1-CAL-INT — это калибровочной источник света, разработанный специально для калибровки спектральной характеристики спектрорадиометрической системы, в состав которой входит интегрирующая сфера FOIS-1, используемая в качестве устройства для сбора излучения. Калибровочный источник излучения обеспечивает известные абсолютные значения интенсивности на различных длинах волн. Источник излучения LS-1 используется в качестве эталона для измерения относительной мощности.

Спектральные и цветовые измерения

Операционное программное обеспечение SpectraSuite предоставляет все необходимые функции для управления спектрометром, а также позволяет измерять абсолютную спектральную интенсивность светодиодов, абсолютная энергетическая освещенность, L*A*B*, XYZ, xyz, u’v’w, цвет, RGB, цветность, насыщенность и многое другое.

Информация для заказа системы

1. Малогабаритный спектрометр USB4000 (дифракционная решетка №2, 350-1000 нм; входная щель 25 мкм; собирающая линза детектора L4; детектор DET4-350-1000 с фильтром высших порядков дифракции OFLV-350-1000)

2. Калибровочный источник излучения LS-1-CAL-INT

3. Источник питания светодиодов LED-PS

4. Интегрирующая сфера FOIS-1

5. Оптоволоконный кабель высшей категории QP400-2-VIS-NIR

6. Программное обеспечение SPECTRASUITE для управления спектрометром, получения и обработки данных

светодиодов для спектрального диапазона 2,7

О компании

Компания ИБСГ (Независимая Деловая Научная Группа) была основана в 1991 году группой ученых Физико-Технического Института им. Иоффе РАН Подробнее…

Конференции

Наша компания …Подробнее…

Публикации

Наши публикации.Подробнее…

Светодиоды

Компания IBSG совместно с Лабораторией инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. Иоффе разработала серию высокоэффективных светодиодов, полностью перекрывающих спектральный диапазон 1,6 — 5,0 мкм. Подробнее…

Светодиоды

• Светодиоды HP 0,7–1,74 мкм
• Светодиоды 1,8–2,7 мкм
• Светодиоды 2,7–4,7 мкм
• Светодиоды узкого спектра

Рабочие параметры

• Режим QCW
• Импульсный режим
• Темперамент. зависимость
• Шаблон поля

Конструкция микросхемы

• Конструкция микросхемы

Пакеты

• ТО-18
• ТО-5
• СМД

Фодиоды

Компания ИБСГ совместно с Лабораторией инфракрасной оптоэлектроники ФИАН разрабатывает и производит ИК фотоприемники для спектрального диапазона 2 — 5 мкм Подробнее. ..

Фотодиоды

• Быстродействующие фотодетекторы 0,8–2,4 мкм
• PD 0,8–2,4 мкм
• PD 0,8–2,5 мкм
• PD 1,5–3,8 мкм
• PD 1,0–4,9 мкм

Фоторезистор

• Фоторезистор

Конструкция микросхемы

• Конструкция микросхемы

Пакеты

• ТО-18 и ТО-46
• ТО-5 и ТО-39
• ТО-8
• СМА

Лазеры

Электроника

Лазеры

Пакеты

Светодиодные драйверы

Фотодиоды.0018

Наборы для анализа газов и жидкостей

Главная > Продукция > Светодиоды > Светодиоды для спектрального диапазона 2,7–4,7 мкм

Светодиоды для спектрального диапазона 2,7–4,7 мкм датчики.

Характерные полосы поглощения ряда углеводородных соединений, природных газов лежат в диапазоне длин волн 2,7 — 4,7 мкм. Гетероструктуры InAsSb/InAsSbP используются для изготовления светодиодов, излучающих в этом спектральном диапазоне.

Светодиоды 2,9–4,7 мкм		Длина волны (мкм)			ПШПМ (нм)		Оптическая мощность (мкВт)				Прямое напряжение (В)*	Время переключения (нс)	I макс		Рабочая температура (°С)
							Быстрая непрерывная работа (200 мА)*		Импульс (1 А)**
Серия	Модель***	Мин.	Тип	Макс	Мин.	Макс	Мин.	Макс	Мин.	Макс			QCW	Импульс
LED30	LED29 LED29-PR LED29-PRW LED29-TEC LED29-TEC-PRW	2,8	2,84	2,9	300	500	6	40	30	180	0,7 ~ 1,2	30-50	220	2000	-30…+50
	LED32 LED32-PR LED32-PRW LED32-TEC PRW 9 LED32-TEC0226	3,2	3,24	3,3	400	700	10	35	45	160	0,3 ~ 0,5
	LED34 LED34-PR LED34-PRW LED34-TEC LED34-TEC-PRW	3,32	3,4	3,46	400	600	25	45	115	200	0,3 ~ 0,5
	LED34HP LED34HP-PR LED34HP-PRW LED34HP-TEC LED34HP-TEC 92540924 HED34HP-TEC 2540244HP34HP-TEC 2540924 HED34HP-TEC 2540254. PLEC 40254.PLEC 409254.9024.9024.	3,32	3,4	3,46	300	500	45	80	200	360	0,3 ~ 0,5
	LED36 LED36-PR LED36-PRW LED36-TEC LED36-TEC-PRW	3,5	3,58	3,7	400	600	20	40	90	180	0,2 ~ 0,4
	LED38 LED38-PR LED38-PRW LED38-TEC LED38-TEC-PRW	3,7	3,75	3,85	500	700	20	40	90	180	0,5 ~ 0,8
	LED39 LED39-PR LED39-PRW LED39-TEC LED39-TEC-PRW. -PRW 922292292292292292292292292292292292292292292292922929229229226922н 9222922922922922922922929229229229226 .	3,85	3,92	3,95	550	750	15	30	70	135	0,5 ~ 0,8
LED40	LED41 LED41-PR LED41-PRW LED41-TEC LED41-TEC-PRW	3,95	4,05	4.1	700	750	15	35	70	160	0,2 ~ 0,4
	LED43 LED43-PR LED43-PRW LED43-TEC LED43-TEC-PRW 43-TEC LED43-TEC-PRW 9259229229229229229229229229229229229229229229229229226 .	4.1	4,15	4,3	700	1000	8	26	35	120	0,2 ~ 0,8
	LED46 LED46-PR LED46-PRW LED46-TEC LED46-TEC-PRW	4,4	4,6	4,66	800	1100	4	12	20	55	0,3 ~ 0,8

Вернуться к началу

* — частота повторения 0,5 кГц, длительность импульса 1 мс, коэффициент заполнения 50%, ток 200 мА **- частота повторения 0,5 кГц, длительность импульса 2 мкс, коэффициент заполнения 0,1%, ток 1 А ***- LEDXX — модель LED в корпусе ТО-18 с цоколем LEDXX-PR — светодиодная модель в корпусе TO-18 с параболическим рефлектором PR LEDXX-PRW — светодиодная модель в корпусе TO-18 с параболическим рефлектором PR и окном W LEDXX-TEC — светодиодная модель в корпусе ТО-5 с термокулером ТЭЦ и цоколем LEDXX-TEC-PRW — светодиодная модель в корпусе TO-5 с термокулером TEC, параболическим рефлектором PR и окном W LEDXX-SMD — модель светодиода в SMD3528 (по требованию заказчика)

Страница не найдена — Optronic Laboratories

К сожалению, запрошенная вами страница недоступна

Ищи: Перейти на домашнюю страницу

Решения для измерений совместимости с NVIS Скачать презентацию

• Имя*

  Первый Последний

• Электронная почта*
• Телефон*
• Адрес*

  Street AddressAddress Line 2CityState / Province / RegionZIP / Postal CodeCountryAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBonaire, Sint Eustatius and SabaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCabo VerdeCambodiaCameroonCanadaCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos IslandsColombiaComorosCongoCongo, Democratic Republic of theCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzechiaCôte d’IvoireDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEswatiniEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench ПолинезияФранцузские южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГернсиГвинеяГу inea-BissauGuyanaHaitiHeard Island and McDonald IslandsHoly SeeHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle of ManIsraelItalyJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Democratic People’s Republic ofKorea, Republic ofKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth MacedoniaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestine, State ofPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRomaniaRussian FederationRwandaRéunionSaint BarthélemySaint Helena, Ascension and Tristan da CunhaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint MartinSaint Pierre и МикелонСент-Винсент и ГренадиныСамоаСа n MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia and the South Sandwich IslandsSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard and Jan MayenSwedenSwitzerlandSyria Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, the United Republic ofThailandTimor-LesteTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluTürkiyeUS Minor Outlying IslandsUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaViet NamVirgin Islands, BritishVirgin Islands, U. S.Wallis и ФутунаЗападная СахараЙеменЗамбияЗимбабвеАландские острова

• Телефон

  Это поле предназначено для проверки и должно быть оставлено без изменений.

Решения для измерений совместимости с NVIS Скачать презентацию

• Имя*

  Первый Последний

• Электронная почта*
• Телефон*
• Адрес*

  Street AddressAddress Line 2CityState / Province / RegionZIP / Postal CodeCountryAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBonaire, Sint Eustatius and SabaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCabo VerdeCambodiaCameroonCanadaCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos IslandsColombiaComorosCongoCongo, Democratic Republic of theCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzechiaCôte d’IvoireDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEswatiniEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench ПолинезияФранцузские южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГернсиГвинеяГуи nea-BissauGuyanaHaitiHeard Island and McDonald IslandsHoly SeeHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle of ManIsraelItalyJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Democratic People’s Republic ofKorea, Republic ofKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth MacedoniaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestine, State ofPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRomaniaRussian FederationRwandaRéunionSaint BarthélemySaint Helena, Ascension and Tristan da CunhaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint MartinSaint Pierre и МикелонСент-Винсент и ГренадиныСамоаСан MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia and the South Sandwich IslandsSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard and Jan MayenSwedenSwitzerlandSyria Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, the United Republic ofThailandTimor-LesteTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluTürkiyeUS Minor Outlying IslandsUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaViet NamVirgin Islands, BritishVirgin Islands, U. S.Wallis and ФутунаЗападная СахараЙеменЗамбияЗимбабвеАландские острова

• Телефон

  Это поле предназначено для проверки и должно быть оставлено без изменений.

Калибровочные источники света NIST Технический документ

Чтобы получить доступ к нашему техническому описанию источников непрерывной и дискретной калибровки в формате PDF, заполните форму ниже.

• Название компании*
• Электронная почта*
• Имя*

  Имя Последний

• Адрес*

  Street AddressAddress Line 2CityState / Province / RegionZIP / Postal CodeCountryAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBonaire, Sint Eustatius and SabaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCabo VerdeCambodiaCameroonCanadaCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos IslandsColombiaComorosCongoCongo, Democratic Republic of theCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzechiaCôte d’IvoireDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEswatiniEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench ПолинезияФранцузские южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГернсиГвинеяГу inea-BissauGuyanaHaitiHeard Island and McDonald IslandsHoly SeeHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle of ManIsraelItalyJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Democratic People’s Republic ofKorea, Republic ofKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth MacedoniaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestine, State ofPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRomaniaRussian FederationRwandaRéunionSaint BarthélemySaint Helena, Ascension and Tristan da CunhaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint MartinSaint Pierre и МикелонСент-Винсент и ГренадиныСамоаСа n MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia and the South Sandwich IslandsSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard and Jan MayenSwedenSwitzerlandSyria Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, the United Republic ofThailandTimor-LesteTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluTürkiyeUS Minor Outlying IslandsUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaViet NamVirgin Islands, BritishVirgin Islands, U.