%d0%b7%d0%b0%d1%82%d0%b2%d0%be%d1%80-%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%be%d0%ba — со всех языков на все языки
Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАканАлтайскийАрагонскийАрабскийАстурийскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБагобоБелорусскийБолгарскийТибетскийБурятскийКаталанскийЧеченскийШорскийЧерокиШайенскогоКриЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийВаллийскийДатскийНемецкийДолганскийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГэльскийГуараниКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийВерхнелужицкийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнупиакИнгушскийИсландскийИтальянскийЯпонскийГрузинскийКарачаевскийЧеркесскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийКомиКиргизскийЛатинскийЛюксембургскийСефардскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМаньчжурскийМикенскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийКомиМонгольскийМалайскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийНауатльОрокскийНогайскийОсетинскийОсманскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийАрумынскийРусскийСанскритСеверносаамскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиШумерскийСилезскийТофаларскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийТувинскийТвиУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВьетнамскийВепсскийВарайскийЮпийскийИдишЙорубаКитайский
Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАлтайскийАрабскийАварскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийКаталанскийЧеченскийЧаморроШорскийЧерокиЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийДатскийНемецкийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГалисийскийКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнгушскийИсландскийИтальянскийИжорскийЯпонскийЛожбанГрузинскийКарачаевскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийЛатинскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийМонгольскийМалайскийМальтийскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПуштуПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийРусскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиТамильскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВодскийВьетнамскийВепсскийИдишЙорубаКитайский
%d1%81%d1%82%d0%be%d0%ba%20%d0%bf%d0%be%d0%bb%d0%b5%d0%b2%d0%be%d0%b3%d0%be%20%d1%82%d1%80%d0%b0%d0%bd%d0%b7%d0%b8%d1%81%d1%82%d0%be%d1%80%d0%b0 — со всех языков на все языки
Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАканАлтайскийАрагонскийАрабскийАстурийскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБагобоБелорусскийБолгарскийТибетскийБурятскийКаталанскийЧеченскийШорскийЧерокиШайенскогоКриЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийВаллийскийДатскийНемецкийДолганскийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГэльскийГуараниКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийВерхнелужицкийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнупиакИнгушскийИсландскийИтальянскийЯпонскийГрузинскийКарачаевскийЧеркесскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийКомиКиргизскийЛатинскийЛюксембургскийСефардскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМаньчжурскийМикенскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийКомиМонгольскийМалайскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийНауатльОрокскийНогайскийОсетинскийОсманскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийАрумынскийРусскийСанскритСеверносаамскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиШумерскийСилезскийТофаларскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийТувинскийТвиУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВьетнамскийВепсскийВарайскийЮпийскийИдишЙорубаКитайский
Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАлтайскийАрабскийАварскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийКаталанскийЧеченскийЧаморроШорскийЧерокиЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийДатскийНемецкийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГалисийскийКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнгушскийИсландскийИтальянскийИжорскийЯпонскийЛожбанГрузинскийКарачаевскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийЛатинскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийМонгольскийМалайскийМальтийскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПуштуПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийРусскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиТамильскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВодскийВьетнамскийВепсскийИдишЙорубаКитайский
| In this application, the drain and source of a MOSFET exchange places depending on the relative voltages of the source/drain electrodes. | В этом приложении сток и источник МОП-транзистора обмениваются местами в зависимости от относительных напряжений электродов источника/стока. |
| The voltage limits for this switch are the gate–source, gate–drain and source–drain voltage limits for both FETs. | Пределы напряжения для этого переключателя затвор–исток, затвор–сток и сток–исток ограничивает напряжение для транзисторов. |
| Другие результаты | |
| But it is not the source of the power drain. | Но она не является источником поглощения энергии. |
| Many of these are concerned with reducing the effect of the transistor drain-source voltage. | Многие из них связаны с уменьшением влияния транзисторного напряжения Сток-источник. |
| Point sources have one identifiable cause of the pollution, such as a storm drain, wastewater treatment plant or stream. | Точечные источники имеют одну идентифицируемую причину загрязнения, такую как ливневая канализация, станция очистки сточных вод или ручей. |
| Push-pull output does not need a pull up resistor and can also source current, unlike an open drain output. | Двухтактный выход не нуждается в подтягивающем резисторе и может также служить источником тока, в отличие от выхода с открытым стоком. |
| The physical limits to transistor scaling have been reached due to source-to-drain leakage, limited gate metals and limited options for channel material. | Физические пределы масштабирования транзисторов были достигнуты из-за утечки из источника в Сток, ограниченных металлов затвора и ограниченных вариантов материала канала. |
| Because liquid alkaline drain cleaners are essentially a base dissolved in water, this is denser than water and can sink to the source of the clog. | Поскольку жидкие щелочные дренажные очистители по существу являются основой, растворенной в воде, она плотнее воды и может опускаться к источнику засора. |
| The eastern Beskids are also the source of some streams that drain through the Dniester to the Black Sea. | Восточные Бескиды также являются источником некоторых потоков, которые стекают через Днестр в Черное море. |
| The diode-wired MOSFET version of the Dickson multiplier does not work very well at very low voltages because of the large drain-source volt drops of the MOSFETs. | Диодно-проводная версия МОП-транзисторов умножителя Диксона не очень хорошо работает при очень низких напряжениях из-за больших перепадов напряжения стока-источника МОП-транзисторов. |
| Disadvantages of hydro-mechanical drain cleaners included limited reach into drain plumbing, and the necessity of a water source to act as the motive agent. | К недостаткам гидромеханических очистителей стока относятся ограниченный доступ в дренажную канализацию и необходимость использования источника воды в качестве движущего агента. |
| The major sources of water are the Juri, Sonai Bardhal and Kushiyara rivers, which traverse the wetland and drain through a single outlet, the Kushiyara River. | Основными источниками воды являются реки Джури, Сонай Бардхал и Кушияра, которые пересекают водно-болотные угодья и стекают через единственный выход-реку Кушияра. |
| This, in turn, changes the drain-source current that flows through the transistor for a given gate voltage, which is ultimately used to encode a binary value. | Это, в свою очередь, изменяет ток стока-источника, протекающий через транзистор, на заданное напряжение затвора, которое в конечном счете используется для кодирования двоичного значения. |
| A string is a series of connected NAND cells in which the source of one cell is connected to the drain of the next one. | Строка — это ряд связанных ячеек NAND, в которых Источник одной ячейки соединен со Стоком следующей. |
| Examples of sources in this category include discharges from a sewage treatment plant, a factory, or a city storm drain. | Примеры источников в этой категории включают сбросы с очистных сооружений, фабрик или городских ливневых канализаций. |
| This runoff becomes a point source because it is typically channeled into storm drain systems and discharged through pipes to local surface waters. | Этот сток становится точечным источником, поскольку он обычно направляется в ливневые канализационные системы и сбрасывается по трубам в местные поверхностные воды. |
| Radiation hardening is often accomplished by increasing the size of transistors who share a drain/source region at the node. | Радиационное упрочнение часто достигается за счет увеличения размера транзисторов, которые имеют общую область стока/источника в узле. |
| This approximation is acceptable because the MOSFET is in the linear state, with a relatively constant drain-source resistance. | Это приближение приемлемо, поскольку МОП-транзистор находится в линейном состоянии с относительно постоянным сопротивлением стока-источника. |
| It is among the largest sources of acid mine drainage into Catawissa Creek. | Это один из крупнейших источников кислотных шахтных дренажей в Катависский ручей. |
| Bonanza Creek he found staked from mouth to source, while every little draw and pup and gulch that drained into it was like-wise staked. | На ручье Бонанза не оказалось ни одного свободного клочка, его уже застолбили от устья до истоков, разобрали и все участки по Впадающим в него ручейкам и овражкам. |
| Of late it had been easy enough for me to look sad: a cankering evil sat at my heart and drained my happiness at its source-the evil of suspense. | С некоторых пор у меня были причины для грусти; душу томила жестокая боль, отравлявшая радость жизни в самом ее истоке: это были муки неизвестности. |
| Waste water from washing nappies, used by a baby who had contracted cholera from another source, drained into this cesspit. | Сточные воды от стирки подгузников, которыми пользовался младенец, заразившийся холерой из другого источника, стекали в эту выгребную яму. |
| Treatment includes removal or draining of the source of infection—often a tampon—and draining of abscesses. | Лечение включает удаление или дренирование источника инфекции-часто тампоном-и дренирование абсцессов. |
| Some sources advocate draining of any stagnant water or pools, to reduce the local breeding potential of the insects. | Некоторые источники выступают за осушение любой стоячей воды или бассейнов, чтобы уменьшить местный потенциал размножения насекомых. |
| Stormwater runoff from industrial sources, municipal storm drains, and other sources were not specifically addressed in the 1972 law. | Сток ливневых вод из промышленных источников, муниципальных ливневых стоков и других источников не был конкретно рассмотрен в законе 1972 года. |
Транзистор полевой
В современной цифровой электронике, транзисторы работают, как правило — в ключевом (импульсном) режиме: открыт-закрыт. Для таких режимов оптимально подходят – полевые транзисторы. Название «полевой» происходит от «электрическое поле». Это значит, что они управляются полем, которое образует напряжение, приложенное к управляющему электроду. Другое их название – униполярный транзистор. Так подчеркивается, что используются только одного типа носители заряда (электроны или дырки), в отличии от классического биполярного транзистора. «Полевики» по типу проводимости канала и типу носителей бывают двух видов: n-канальный – носители электроны и p-канальный – носители дырки. Транзистор имеет три вывода:
исток (source) — электрод, из которого в канал входят (истекают) носители заряда, источник носителей. В традиционной схеме включения, цепь истока n-канального транзистора подключается к минусу питания, p-канального — к плюсу питания.
сток (drain) — электрод, через который из канала выходят (стекают) носители заряда. В традиционной схеме включения, цепь стока n-канального транзистора подключается к плюсу питания, p-канального — к минусу питания.
затвор (gate) — управляющий электрод, регулирует поперечное сечения канала и соответственно ток протекающий через канал. Управление происходит напряжением между затвором и истоком – Vgs.
Полевые транзисторы бывают двух основных видов: с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором. С изолированным затвором делятся на: с встроенным и индуцированным каналом. На рис.1 изображены типы полевых транзисторов и их обозначения на схемах.
Транзистор полевой
Транзистор полевойРис.1. Типы полевых транзисторов и их схематическое обозначение.
«Полевик» с изолированным затвором и индуцированным каналом
Нас интересуют транзисторы Q5 и Q6. Именно они используются в цифровой и силовой электронике. Это полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Их называют
Индуцированный канал — означает, что проводимость в нем появляется, канал индуцируется носителями (открывается транзистор) только при подаче напряжения на затвор. В отличии от транзисторов Q3 и Q4 которые тоже МОП транзисторы, но со встроеным каналом, канал всегда открыт, даже при нулевом напряжении на затворе. Схематически, разница между этими двумя типами транзисторов на схемах обозначается сплошной (встроенный) или пунктирной (индуцированный) линией канала. Другое название индуцированного канала – обогащенный, встроенного – обеднённый.
Обратный диод
Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам. См. рис.2. Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора, поэтому технологической перемычкой замыкают вывод истока с подложкой (замыкают переход: база-эмиттер, паразитного транзистора), а оставшийся переход: коллектор-база, образует диод, включенный параллельно стоку-истоку, в направлении обратном протеканию тока (в классической схеме включения). Параметры этого диода производители уже могут контролировать, поэтому он не оказывает существенного влияния на работу транзистора. И даже наоборот, его наличие специально используется в некоторых схематических решениях.
Именно этот диод (стабилитрон) обозначается на схематическом изображении МОП транзистора, а технологическая перемычка показана стрелкой соединенной с истоком. Существуют и транзисторы без технологической перемычки, на их условном обозначения нет стрелкой.
В зависимости от модели транзистора, диод может быть, как и штатный – паразитный, низкочастотный, так и специально добавленный, с заданными характеристиками (высокочастотный или стабилитрон). Это указывается в документации к транзистору.
Рис.2. Паразитные элементы в составе полевого транзистора.
Основные преимущества MOSFET
- меньшее потребление, высокий КПД. Транзисторы управляются напряжением, и в статике не потребляют ток управления.
- простая схема управления. Схемы управления напряжением более просты, чем схемы управления током.
- высокая скорость переключения. Отсутствуют неосновные носители. Следовательно не тратится время на их рассасывание. Частота работы сотни и тысячи килогерц
- повышеная теплоустойчивость. С ростом температуры растет сопротивление канала, следовательно понижается ток, а это приводит к понижению температуры. Происходит саморегуляция.
Основные характеристики MOSFET
- Vds(max) – максимальное напряжение сток-исток в закрытом состоянии транзистора
- Rds(on) – активное сопротивление канала в открытом состоянии транзистора. Этот параметр указывают для определенных значений Vgs 10В или 4.5В или 2.5 В при которых сопротивление становится минимальным.
- Vgs(th) – пороговое напряжение при котором транзистор начнет открываться.
- Ids – максимальный постоянный ток через транзистор.
- Ids(Imp) – импульсный (кратковременный) ток, который выдерживает транзистор.
- Ciss, Crss, Coss – емкость затвор-исток (input), затвор-сток (reverse), сток-исток(output).
- Qg – заряд который необходимо передать затвору для переключения.
- Vgs(max) – максимальное допустимое напряжение затвор-исток.
- t(on), t(of) – время переключения транзистора.
- характеристики обратного диода сток-исток ( максимальный ток, падение напряжения, время восстановление)
Что еще нужно знать про полевой транзистор?
P-канальные транзисторы имеют хуже характеристики чем N-канальные. Меньше рабочая частота, больше сопротивление, больше площадь кристалла. Они реже используются и выпускаются в меньшем ассортименте.
МОП транзистор — потенциальный прибор и управляется напряжением (потенциалом), затвор отделен слоем диэлектрика , по сути это конденсатор и через него не протекает постоянный ток, поэтому он не потребляет ток управления в статике, но во время переключения требуется приличный ток для заряда-разряда емкости.
МОП транзистор имеет хоть и не большое, но активное сопротивление в открытом состоянии Rds. Это сопротивление уменьшается с ростом отпирающего напряжения и становится минимальным при определенном напряжении затвор-исток, 4.5В или 10В. По сути – это резистор, сопротивление которого управляется напряжением Vgs.
Vgs – управляющее напряжение, Vg-Vs. Если измерять относительно общего минуса, то: для n канального Vgs>0, для p канального Vgs<0 (красный провод вольтметра на затвор, черный на исток). У силовых транзисторов управляющее напряжение, при котором будет минимальное сопротивление – 10 вольт и больше. У низковольтных «полевиков», которые управляются логическими уровнями микросхем, оно составляет 4.5 вольт или 2.5В , для разных транзисторов. Общее правило: чем выше напряжение – тем транзистор лучше откроется, но это напряжение не должно превышать масимально допустимого Vgs(max).
Схема включения MOSFET
Традиционная, классическая схема включения «мосфет», работающего в режиме ключа (открыт-закрыт), приведена на рис 3. Это схема, с общим истоком. Она наиболее распространена, легка в реализации и имеет самый простой способ управления транзистором.
Нагрузку включают в цепь стока. Встроенный диод, оказывается включенным в обратном направлении и ток через него не протекает.
Для n-канального: исток на землю, сток через нагрузку к плюсу. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать положительное напряжение, подтянуть к плюсу питания. При работе от ШИМ (широтно импульсный модулятор), открывать его будет положительный импульс.
Для p-канального: исток на плюс питания, сток через нагрузку на землю. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать отрицательное напряжение, подтянуть к минусу питания (земле). При управлении от ШИМ, открывающим будет – отрицательный импульс (отсутствие импульса).
Рис. 3. Классическая схема включения MOSFET в ключевом режиме.
МОП транзистор, в открытом состоянии, будет пропускать ток как от истока к стоку, так и от стока к истоку. Также и нагрузку можно включать как в цепь стока, так и истока. Но при «нестандартном» включении, усложняется управление транзистором, так для n-канального может потребоваться, напряжение выше питания, а для p-канального – отрицательное напряжение ниже земли (двухполярное питание).
МОП транзисторы, используемые в цифровой электронике, делятся на два типа.
- Мощные силовые – используются в импульсных преобразователях напряжения и в цепях питания.
- Транзисторы логического уровня – используются как ключи, коммутируют различные сигналы и управляются микросхемами.
Транзисторы бывают в разных корпусах, с разным количеством выводов, часто в одном корпусе объединяют два транзистора.
| Subject area | German | Russian |
| sociol. | brain drain | утечка умов |
| law, BrE | brain drain | «утечка мозгов» |
| microel. | Double-Implanted Lightly-Doped Drain/source process | технология МОП БИС с высокоомными стоками и истоками, сформированными двойной ионной имплантацией |
| gen. | Drain | дренажная канава |
| med. | Drain | дренажная трубка |
| med. | Drain | дренаж |
| fr., med. | Drain | дренажная трубка (ср. тж. Drän) |
| tech. | Drain | сток (электрод МОП-транзистора) |
| tech. | Drain | дрёна |
| microel., BrE | Drain | сток (полевого транзистора) |
| quant.el. | Drain | сток фототранзистора |
| gen. | Drain | дренажная труба |
| el. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость затвор-сток |
| el. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость сток-затвор |
| microel. | Drain-Gate-Kapazität | ёмкость сток затвор |
| el. | Drain-Gate-Spannung | напряжение сток-затвор |
| microel. | Drain-Gate-Spannung | напряжение сток затвор |
| microel. | Drain-Leckstrom | ток стока закрытого транзистора |
| microel. | Drain-pn-übergang | стоковый p-n-переход |
| microel. | Drain-pn-übergang | p-n-переход стока |
| microel. | Drain-Reststrom | остаточный ток стока |
| microel. | Drain-Schaltung | схема с общим стоком |
| microel. | Drain-Source-Kapazität | ёмкость сток-исток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Drain-Source-Spannung | напряжение между стоком и истоком |
| microel. | Drain-Source-Spannung | напряжение сток-исток |
| microel. | Drain-Source-Strecke | участок сток-исток |
| tech. | Drain-Source-Strecke | участок сток-исток МОП-транзистора |
| microel. | Drain-Source-Widerstand | сопротивление сток-исток (в открытом состоянии транзистора) |
| microel. | Drain-Substrat-pn-übergang | p-n-переход сток подложка |
| el. | Drain-Substrat-Spannung | напряжение сток-подложка |
| microel. | Drain-Substrat-Spannung | напряжение сток подложка |
| surg. | Einlegen des Robinson-Drains | наложение дренажа Робинсона (Лорина) |
| microel. | Gate-Drain-Kapazität | ёмкость затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Kapazität | ёмкость затвор сток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи стока |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | ток отсечки (тюлевого транзистора; ток отсечки состоит из обратного тока перехода затвор сток и тока утечки по поверхности пластины и через изоляторы выводов транзистора) |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Reststrom | остаточный ток в цепи затвор сток |
| el. | Gate-Drain-Spannung | напряжение затвор-сток |
| microel. | Gate-Drain-Spannung | напряжение затвор сток |
| microel. | Gate-Drain-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор-сток (при разомкнутом выводе) |
| microel. | Gate-Drain-Sperrstrom | обратный ток перехода затвор сток (при разомкнутом выводе) |
| microel., BrE | Lightly-Doped Drain | слаболегированный сток (полевого транзистора) |
| microel. | Lightly-Doped Drain | слаболегированный сток |
| microel. | Open-Drain-Ausgang | выход с открытым стоком |
| microel. | Open-Drain-Treiber | формирователь на МОП-каскаде с открытым стоком |
| med. | Pyelographie durch Drain | чрездренажная пиелография |
| med. | R-Drain | дренаж Робинсона (SKY) |
| surg. | Robinson-Drain | дренаж Робинсона (Лорина) |
| microel. | Source-Drain-Spannung | напряжение сток-исток |
| microel. | Source-Drain-Strecke | участок-исток сток |
| microel. | Source-Drain-Strom | ток между истоком и стоком |
| microel. | Source-Drain-Strom | ток в цепи исток-сток |
| microel. | Source-Drain-Strom | ток стока |
| microel. | Source-Drain-Strom | ток в цепи исток сток |
| microel. | Source-Drain-Widerstand | сопротивление исток-сток |
| gate [geɪt] n | |
| gen. | ворота; калитка; вход; выход; застава; горный проход; количество зрителей (на стадионе, выставке и т. п.); литник; не выпускать студентов с территории колледжа (в Оксфорде и Кембридже); шлюз; клапан; заслонка; шибер; шлюзные ворота; зона выхода на посадку в аэропорту (WiseSnake); выручка, полученная от проданных билетов (the number of people who pay to enter a sports ground for an event *an average home gate of more than 12,000 ¦ the money taken for admission. NOED. (also gate money) uncountable the amount of money made by selling tickets for a sports event • Today’s gate will be given to charity. OALD Alexander Demidov); проходная (markaron) |
| Gruzovik | створка |
| adv. | кадровое окно |
| aerohydr. | вырез; гнездо |
| agric. | ворота шлюза; пастбище (обычно на общинной земле) |
| airports | выход для прибывающих пассажиров (ART Vancouver) |
| archit. | садовая калитка |
| astronaut. | выход на посадку; строб; решётка |
| auto. | впуск; канал; кулиса (рычага переключения передач); задний борт |
| automat. | вентильный провод (в плёночном, криотроне); управлять пропуском; каналы литниковой системы |
| avia. | секция в аэропорту (как бы ворота страны ivann); выход для пассажиров на посадку (MichaelBurov); выход на посадку (из аэровокзала); район входа (в заданную зону полёта); управляющий импульс (радиолокационной системы); вход (напр. в район аэродрома); защёлка; упор; выход на перрон (Emilia M); выход на посадку к самолёту (Alex_Odeychuk); стойка (регистрационная rustahm) |
| bank. | прибыль (grossenwahn grossenwahn) |
| chem. | впускной литник |
| construct. | затвор (гидротехнический); шлагбаум; место посадки-высадки авиапассажиров; ворота (шлюза); место погрузки-выгрузки авиагрузов; место погрузки-выгрузки авиапочты |
| dial. | манера поведения; образ действий |
| dril. | клинкетная задвижка |
| ecol. | затвор гидросооружения |
| econ. | входная плата |
| el. | схема; логический вентиль (ssn) |
| electr.eng. | логическая схема; логический элемент; строб (- импульс); затвор (полевого транзистора) |
| fin. | ограничения (Aprilen) |
| forestr. | решётка (барабана) |
| geophys. | интервал; окно |
| hist. | путь; дорога |
| horse.rac. | стартовые ворота; позиция с которой стартуют лошади |
| hydrogr., radioloc. | полустроб |
| immunol. | ‘ворота’: логически ограниченная область клеток с определенными характеристиками на гистограмме их распределения, позволяющая анализировать события, заключенные исключительно в данную область проточная цитометрия (Тантра) |
| inform. | КПП (быстрый вариант для устного перевода; не для всех ситуаций 4uzhoj) |
| IT | вентиль; вентильная схема; логический элемент; строб-импульс; стробирующий импульс; схема совпадений; вентиль совпадения; затвор (в канальном транзисторе) |
| journ. | «-гейт» (Вторая часть сложного слова (первоначально от Watergate), образующая слова со значением «скандал, возникший из-за скрываемого преступления или других неправомерных действий со стороны официальных лиц или учреждений» (Altaigate, Angolagate, Bertiegate, Billygate и др.) Vitaliyb) |
| Makarov. | Rad. окно; вентиль (в автоматике и вычислительной технике); вентиль (электрический, полупроводниковый); генератор селекторных импульсов; задний борт (автомобиля); заслонка (бункера, лоткового питателя и т.п.); логическая ячейка; откаточная выработка; регулятор; стробирующее устройство; схема (напр. логическая); схема пропускания; затвор (напр. полевого транзистора); шиберная задвижка |
| med. | воротный механизм (inspirado) |
| met. | питатель; стробирующая схема |
| met., roll. | стояк |
| metrol. | запуск; триггер |
| microel. | пост; селекторный импульс; рабочее место |
| mil. | люк |
| mil., tech. | щит (плотины); затвор (плотины) |
| mil., WMD | шибер (заслонка); заслонка (в печи; in a furnace) |
| mining. | выемочный штрек; выработка, соединяющая камеру с главной выработкой; люковый затвор |
| nautic. | затвор (шлюза, сухого дока); спрямляющая решётка; спрямляющее устройство; намётка для мачты (на шлюпке); селектор |
| O&G, karach. | Точка принятия решений (при которой принимается решение руководства для позволения проекта к переходу к следующему этапу или отменить/отложить проект bumblbee89) |
| O&G, oilfield. | шибер задвижки |
| OHS | точка ветвления (дерева событий Leonid Dzhepko) |
| oil | запорный элемент (клапана); подъёмный щит (в системе ям для слива нефти) |
| polygr. | щель (высекальной машины); перекидной мостик (напр. проектора); распределительный мостик (напр. проектора) |
| polym. | литниковое отверстие; материал, остающийся в литнике; ограничитель (на концах валков краскотёрки) |
| proj.manag. | контрольный рубеж (проекта IgBar) |
| railw. | кулиса рычага переключения |
| relig. | врата |
| sec.sys. | стробимпульс |
| shipb. | прямоугольное напряжение (подаваемое на сетку или катод лампы для выключения или включения цепи) |
| slang | выручка от продажи билетов; мужчина, современный во всех отношениях; одарённый джазовый музыкант; работа для джазового музыканта |
| sport. | створ (ssn) |
| tech. | щит; литниковая система; пропуск; проход (металла через валки); рама для крепления пильных полотен; фильмовое окно; штрек; запорный элемент; вакуумный затвор (МОП-транзистора); впускной потниковый канал; дверь; лётка; подводящий канал; просвет; схема совпадения; управляющий электрод; фильмовый канал; временной селектор; гидротехнический затвор; дверца; логическая схема; питатель (литник); борт; затвор; затвор полевого транзистора; селекторный стробирующий импульс; передняя заслонка ковша на скреперах John Deere (anoral); затвор (в полевом транзисторе); задвижка |
| textile | компенсатор; хомутик; зажим |
| gate вентильная n | |
| IT | схема |
| GATE [geɪt] abbr. | |
| abbr. | Глобальный альянс транснационального образования Global Alliance for Transnational Education (Taj) |
| Gate [geɪt] n | |
| horse.rac. | стартовые ворота, стартовое стойло позиция, с которой стартуют лошади (Энигма) |
| proj.manag. | Контрольная точка (fliss) |
| tech. | выпускное отверстие ((на прессформе) Aleks_Teri) |
| wicket gate n | |
| Gruzovik, garden. | калитка |
| slide gate n | |
| Gruzovik | задвижка |
| gate in a furnace n | |
| mil., WMD | заслонка (в печи) |
| gate [geɪt] adj. | |
| math. | вентильный |
| gate [geɪt] n | |
| comp., MS | вентиль (A workflow activity that is used in the authentication phase of request processing) |
| geophys. | схема пропускания сигналов |
| hydrogr., el. | ключ |
| neur.net. | гейт (т.е. узел, источник dimock) |
| wood. | проход |
| Gate [geɪt] n | |
| foundr. | впуск о месте подвода литниковой системы к оформляющей полости (http://www.barvinsky.ru/articles/art_a021_Moldex3D_Russian_GUI.htm ANNA__H); впускной литниковый канал о соответствующем участке литниковой системы (ANNA__H) |
| gate [geɪt] n | |
| biotechn. | гейт (выбранная для анализа область на одно- или двумерной диаграмме, полученной в ходе цитометрических измерений capricolya) |
| footb. | банка (carmen-passenger) |
| immunol. | логически ограниченная область клеток с определёнными характеристиками на гистограмме их распределения, позволяющая анализировать события, заключенные исключительно в данную область проточная цитометрия (Предложите другой вариант, никто не запрещает. Данное развернутое определение «GATE» взято из докторской по аллергологии и иммунологии ( http://medical-diss.com/docreader/564736/a#?page=1). В тексте диссертации общее определение подытоживается термином в скобках «ворота». Тантра) |
| progr. | коммутатор (ssn) |
| gate [geɪt] v | |
| gen. | запирать ворота колледжа (в Оксфорде и Кембридже) |
| el. | стробировать |
| Gruzovik, electric. | засвечивать (impf of засветить); засветить (pf of засвечивать) |
| IT | управлять отпиранием; управлять пропусканием; пропускать |
| Makarov. | коммутировать (логические схемы, селекторы и т.п.); осуществлять селекцию во времени; регулировать (поток) |
| metrol. | запускать |
| mus. | отпирать |
| nano | осуществлять селекцию по времени; применять логические схемы; применять логические элементы; управлять с помощью логических схем; управлять с помощью логических элементов |
| slang | уволить; лишить; прогнать |
| tech. | оборудовать затвором (сооружение); регулировать поток затвором; коммутировать (логические схемы); разблокировать (подавать стробирующее или разрешающее напряжение) |
| gate [geɪt] adj. | |
| Gruzovik | затворка (= створка) |
| el. | дверной |
| microel. | затворный |
| English thesaurus | |
| GATE [geɪt] abbr. | |
| abbr., meteorol. | German Appropriate Technology Exchange Project; group to advance total energy |
| abbr., oil | general purpose automatic test equipment |
| abbr., space | general automatic test equipment; get-away tether experiment |
| GATES abbr. | |
| abbr., IT | graphics and text editing system |
| abbr., mil. | Global Air Transportation Execution System |
| GATE [geɪt] abbr. | |
| abbr. | GARP Atlantic Tropical Experiment; General Audio And Television Equipment; General Aviation Telephonic Entry; Generic Analytical Technology For Enterprises; Gifted And Talented Enrichment; Gifted And Talented Extension; Glade Ada Translator And Evaluator; Global Atlantic Tropical Experiment; Gprs Application Test Environment; Graduate Aptitude Test For Engineers; Guaranteed Access To Education |
| abbr., ed. | Gifted And Talented Education |
| abbr., ed., scient. | Graduate Aptitude Test in Engineering |
| mil. | general-purpose automatic test equipment |
| GATES abbr. | |
| abbr. | Government Authorised Tax Elimination Strategies |
| abbr., astronaut. | Global Access to Tele-health and Education Systems (project) |
| abbr., ed. | Gifted And Talented Educational Services |
Полевые транзисторы разновидности | Техника и Программы
Типы полевых транзисторов гораздо более разнообразны, чем биполярных (к полевым, кстати, и принадлежал самый Первый прототип транзистора, изобретенный Шокли еще в 1946 году). Только основных разновидностей существует более десятка, но всем им присущи общие черты, которые мы сейчас кратко и рассмотрим.
Простейший полевой транзистор с /2-«-переходом показан на рис. 6.10, а— в данном случае с «-каналом. Аналогичные базе, коллектору и эмиттеру выводы называются затвор, сток и исток. Если потенциал затвора равен потенциалу истока (то есть имеется в виду аналог замыкания цепи база-эмиттер у биполярного), то, в отличие от биполярного, полевой транзистор с р-п-переходом открыт. Но есть и еще одно существенное отличие — если биполярный транзистор при полном открывании имеет почти нулевое сопротивление цепи коллектор-эмиттер, то полевой в этих условиях работает довольно стабильным источником тока: ток в цепи истока почти не зависит от напряжения на стоке. Сама величина тока зависит от конкретного экземпляра транзистора и называется начальный ток стока. Запереть его удается подачей отрицательного (порядка 7—10 В) напряжения на затвор относительно истока, а в промежутке полевик с w-каналом находится в активном режиме, когда ток стока зависит от напряжения на затворе.
Рис. 6.10. Полевые транзисторы: а — включение полевого транзистора с р-п-переходом и п-каналом; б — полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) в режиме ключа; в — внутренняя структура IGBT-транзистора
Уникальной особенностью полевого транзистора является то, что в рабочем режиме он фактически не потребляет тока по входу затвора — достаточно иметь соответствующий потенциал, ведь диод затвор-исток в рабочем режиме смещен в обратном направлении и ток через него определяется только токами утечки, которые равны нано- и микроамперам, как говорилось ранее! В этом отношении полевой транзистор аналогичен электронной лампе. А если мы сместим этот переход в положительном направлении (когда потенциал затвора превысит потенциал истока и диод затвор-исток откроется), то полевой транзистор с /2-«-переходом уже перестанет работать как транзистор.
В различных типах полевых транзисторов с изолированным затвором (т. н. МОП-транзисторах, от «металл-окисел-полупроводник» или, по-английски, ‘ MOS, иначе их называют MOSFET), последний вообще изолирован от цепи сток-исток тонким слоем окисла кремния Si02, и там в принципе нет и не может быть никакого тока через цепь затвора. Правда, когда на затвор подается переменное напряжение или короткий импульс, в дело вступает конденсатор, образованный затвором и истоком. Как следует из главы 5, перезаряд этого конденсатора (его емкость может составлять десятки пикофарад) может приводить к значительному реактивному току в цепи затвора. На подобных транзисторах построены практически все современные логические микросхемы, отличающиеся практически нулевым потреблением тока в статическом режиме (см. главу 15).
Старые образцы MOSFET-транзисторов с «-каналом (например, отечественные КП305, КПЗ 13) требовали для полного запирания небольшого отрицательного смещения на затворе относительно истока (порядка 0,5—0,8 В). Современные MOSFET-транзисторы (рис. 6.10,6) управляются аналогично биполярному в схеме с общим эмиттером — при нулевом напряжении на затворе относительно истока транзистор заперт, при положительном напряжении порядка 8—20 В — полностью открыт, причем в открытом состоянии он представляет собой крайне малое сопротивление — у некоторых типов менее 0,01 Ом. Такие транзисторы выпускаются на мощности от единиц до сотен ватт и используются, например, для управления шаговыми двигателями или в импульсных источниках питания.
Вообще полевики гораздо ближе к той модели транзистора, когда промежуток коллектор-эмиттер или сток-исток представляются, как управляемое сопротивление — у полевых транзисторбв это действительно сопротивление. Условно говоря, со схемотехнической точки зрения биполярные транзисторы являются приборами для усиления тока, а полевые — для усиления напряжения.
Приведенные нами примеры не исчерпывают разнообразия типов полевых транзисторов. Например, т. н. ЮВТ-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistors— биполярный транзистор с изолированным затвором), появившиеся в 1980-е годы, объединяют в себе полевую и биполярную структуры, отчего управляющий электрод в них зовется, как и в полевых, затвором, а два других, аналогично биполярным, — коллектором и эмиттером. На самом деле ЮВТ-транзистор представляет собой довольно сложную полупроводниковую структуру (рис. 6.10, в), с положительной обратной связью между разно-полярными «обычными» транзисторами и с управлением от полевого (ср. со структурой однопереходного транзистора на рис. 10.3).
ЮВТ-транзисторы используются в качестве мощных ключей (десятки-сотни ампер при напряжениях более 1000 вольт). Управляются они положительным напряжением на затвор? относительно эмиттера, причем у некоторых типов насыщение наступает уже при подаче 2,7—4 В на затвор, и такие транзисторы могут управляться непосредственно от логических схем. Платой за такую роскошь является довольно высокое напряжение насыщения между коллектором и эмиттером, характерное для биполярных транзисторов — от 1 В для относительно маломощных приборов (единицы ампер) до 2—3 В для более мощных (десятки и сотни ампер).
| Усилитель ошибки выводит значение напряжения, пропорциональное разнице между напряжением сток-исток нагрузочного транзистора и опорным напряжением. | Усилитель с ошибкой, четырехрядный, вылетает по величине пропорционального напряжения по разнице между напряжением сток-исток транзистора, заряженным и опорным напряжением. |
| представляет собой устройство управления электропитанием, в котором первый ток (ids) в соответствии с напряжением сток-исток (vds) силового полевого МОП-транзистора протекает через полевой транзистор | .Изобретение относится к устройству управления электроэнергией в тексте главной цепи (идентификаторов) транзисторного полевого транзистора и функции единого напряжения сток-исток (vds) на транзисторе MOSFET с функцией |
| первое напряжение затвор-исток и второе напряжение затвор-исток смещены друг от друга на смещение напряжения затвор-исток, а первое напряжение сток-исток и второе напряжение сток-исток смещены друг от друга на сток -смещение напряжения источника | решетка-источник предварительного натяжения и второй источник решетки натяжения не устраняют взаимный источник напряжения и дренаж-источник предварительного напряжения и дренажный источник-источник второго напряжения не изменяют взаимное действие при снятии напряжения дренаж-исток. |
| Схема определения напряжения сток-исток (2) определяет напряжение сток-исток (VDS) полевого транзистора (60). | Цепь обнаружения напряжения сток-исток (2) обнаруживает напряжение сток-исток (VDS) на полевом транзисторе (60). |
| Приложение напряжения смещения сток-исток к полупроводниковому устройству создает пробивной механизм через скважину, чтобы инициировать прохождение тока между истоком и стоком. | Применение напряжения поляризационного стока-истока для устройства полупроводниковой генерации на основе метода начального воздействия на источник и сток. |
| Устройство верхнего плеча включает в себя первый и второй транзисторы, каждый из которых подключен между входным выводом и промежуточным выводом, так что первый транзистор управляет коммутационным напряжением сток-исток второго транзистора. | Устройство, обеспечивающее высокое качество связи первых и вторых транзисторов, соединяется с промежуточным выходом и промежуточным выходом, выбирая главный транзистор, управляющий напряжением коммутации сток-исток второго транзистора. |
напряжение + сток-исток — Перевод на английский
Приложение для измерения напряжения источник-сток выше с прямым напряжением, произведенным выше, чем сток-исток, в среде 10 пА.
При приложении напряжения исток-сток, превышающего напряжение включения, ток исток-сток превышает примерно 10 пА.
электроника и электротехника — wipo.int
Приложение для напряжения исток-сток в прямом направлении, производящее напряжение исток-сток ниже 10 Па.
При приложении напряжения исток-сток ниже напряжения включения получается ток исток-сток менее примерно 10 пА.
электроника и электротехника — wipo.int
Схема определения напряжения сток-исток (2) обнаруживает напряжение сток-исток (VDS) на полевых транзисторах (60).
Схема определения напряжения сток-исток (2) определяет напряжение сток-исток (VDS) полевого транзистора (60).
электроника и электротехника — wipo.int
Первый транзистор (T12) поляризован с предварительным напряжением решетка-исток и предварительным напряжением сток-исток.
Первый транзистор (T12) смещен первым напряжением затвор-исток и первым напряжением сток-исток.
электроника и электротехника — wipo.int
Второй транзистор (T14) поляризован со вторым источником напряжения решетки и вторым стоком-источником напряжения.
Второй транзистор (T14) смещен вторым напряжением затвор-исток и вторым напряжением сток-исток.
электроника и электротехника — wipo.int
Единая константа де куранта источника (обслуживающая постоянную константу исток-сток), позволяющая поддерживать постоянную исток-сток куранта и измерять вариации напряжения исток-сток .
Ток исток-сток поддерживается постоянным с помощью источника постоянного тока (как средство для этого), и измеряются изменения напряжения исток-сток.
машиностроение — wipo.int
Неподходящее напряжение исток-дренаж и натяжение решетки установлено для области кушета корпуса полупроводников, примыкающих к электроду источника (22), после того, как исток-сток исток-сток регулируется при натяжении решетки .
Подходящие напряжение исток-сток и напряжение затвора истощают область слоя полупроводникового тела, прилегающую к электроду истока (22), и затем ток исток-сток регулируется напряжением затвора.
электроника и электротехника — wipo.int
Источник натяжения кабеля или кабель слива является модифицируемой подвеской на второй срок.
Напряжение проводки истока или стока изменяется в течение второго периода времени.
электроника и электротехника — wipo.int
Центральная часть содержания металла, замена кремния, повышение напряжения исток-сток.
Металлосодержащая центральная часть, заменяющая кремний, увеличивает напряжение пробоя между истоком и стоком.
электроника и электротехника — wipo.int
L’épaisseur de la zone de migrate определяет напряжение источника утечки.
Толщина дрейфовой области определяет напряжение пробоя сток-исток.
электроника и электротехника — wipo.int
Напряжение 3,3 В, полученное на транзисторе NMOS (130) истока / стока N1 (130).
Напряжение 3,3 В поступает на вывод N1 истока / стока транзистора NMOS (130).
электроника и электротехника — wipo.int
Варианты напряжения исток-сток, составляющие элемент измерения герметичности.
Изменение напряжения исток-сток является мерой расширения.
машиностроение — wipo.int
Использование двух зон миграции дренажа (366, 368), позволяющее уменьшить натяжение засорения исток-дренаж и максимальную плотность зазоров.
Использование двух областей дрейфа стока (366, 368) приводит к увеличению напряжения пробоя исток-сток и к увеличению максимальной плотности тока стока.
электроника и электротехника — wipo.int
Неопределенная поляризация обеспечивает защиту между жидкостными камерами, источниками и стоками регионов, а также заряжает их в регионах, где они находятся.
Смещение напряжения обеспечивается между камерами для текучей среды, областями истока и стока, и измеряется поток заряда между областями истока и стока.
естественные и прикладные науки — wipo.int
Условие определения истока по отношению к напряжению дренажа / источник максимальной безопасности с теоретической константой истока.
Опорное состояние определяется относительно максимального безопасного напряжения сток-исток при расчетном токе стока источника постоянного тока.
машиностроение — wipo.int
сток% 20terminal — определение английского языка, грамматика, произношение, синонимы и примеры
Просто нужно расшифровать и слить , резервные системы Graystones.
OpenSubtitles2018.v3
Маккинли (генеральный директор МОМ) признал необходимость обеспечения того, чтобы «утечка мозгов» , имеющаяся во многих развивающихся странах, не препятствовала их продвижению.
UN-2
Также упоминался вопрос слива мозгов
MultiUn
Все эти меры поддержки преследуют одни и те же цели: превратить Западные Балканы в функционирующую рыночную экономику, способную полностью интегрироваться в единый рынок ЕС, улучшить деловой и инвестиционный климат, тем самым способствуя увеличению торговых потоков внутри региона и с ЕС 11. , чтобы создать рабочие места и возможности, тем самым уменьшив утечку мозгов из региона.
не задано
Когда военный корабль прыгает в нормальный космос, он ненадолго теряет контакт из-за того, что потребляет энергии.
OpenSubtitles2018.v3
При производстве по-прежнему используются те же процессы, что и в прошлом: слить воду из творога, выложить его в формы, посолить вручную в два этапа, использовать сухую крупную соль и несколько раз переворачивать сыр, затем прокалывать длинными иглами, как это проветривание сыра позволяет пенициллиуму глаукуму развиваться
oj4
Оцените преобразование объема в массу, полученное из осушенных массы криля в известном объеме (например,грамм. 10 литров) взято из кутка
eurlex-diff-2018-06-20
Слить и взвесить
UN-2
Однако имелся ряд сопутствующих рисков, таких как уязвимость перед экономическими спадами в странах-получателях и последствия утечки мозгов для стран происхождения, которые могут испытывать трудности с развитием собственной производственной базы.
UN-2
Возьмите овощи, которые были процежены из соуса, а также оливки, каперсы, перец и одну чашку цельнозерновой кукурузы и одну чашку гороха слить жидкости.
jw2019
Обе реки образуют часть так называемого «прибрежного бассейна», который на самом деле представляет собой группу бассейнов небольших рек в Сирии, которые впадают в Средиземное море.
WikiMatrix
Например, экспорт рабочей силы может усугубить утечку мозгов и, если денежные переводы не инвестируются в производственные ресурсы, может усугубить неравенство.
UN-2
Хорошо, сегодня утром мы были за завтраком, и Джеймс расстроился, а затем внезапно все столовые приборы просто спрыгнули с доски , осушающей .
OpenSubtitles2018.v3
Если вы это сделаете, ваша кровь истощит , и вы умрете
opensubtitles2
(Если он наклонился, чтобы выпить воду, вода на опустошила ниже того уровня, которого он мог достичь, а если он потянулся за плодом, ветви выпали из его рук).
WikiMatrix
Кроме того, некоторые государства упомянули низкий уровень защиты интеллектуальной собственности (Коста-Рика, Маврикий), утечку мозгов (Маврикий), отсутствие национальных научных журналов (Гватемала) и неэффективные модели передачи технологий (Уругвай, Вьетнам).
UN-2
Ух ты! Не зря у тебя аккумулятор разряжен .
OpenSubtitles2018.v3
Вдобавок позже они узнали, что судно Mississippi вытянуло в Мексиканский залив, а не в Тихий океан, как они предполагали изначально; экспедиция повернула назад примерно на 440 миль (710 км) от залива в месте слияния реки Арканзас с Миссисипи.
WikiMatrix
Использование конкретной формы, описанной исчерпывающе подробно, является важным моментом в спецификации.Он определяет типичную форму «Chabichou du Poitou» в виде маленькой пробки, а также поведение сыворотки, когда она сливает .
не задано
Это связано с рядом факторов: строительство на поймах, плохое обслуживание дренажных систем, и т. Д.
Europarl8
В течение 5 минут после завершения заправки топливом слейте и заправьте автомобиль в течение минимум 6 часов и максимум 36 часов при температуре 23 ° C ± 3 ° C.
Eurlex2018q4
Нам нужна динамичная научная база в Европе, мы должны обратить вспять утечку мозгов ».
Кордис
tmClass
Истощено ее жизненной силы во время родов
opensubtitles2
Дренажные трубы и вентиляция;
ЕврЛекс-2
Определение дренажа по Merriam-Webster
\ Drān \осушенный; осушение; стоки
переходный глагол
1а : для постепенного или полного отвода (жидкости) слил всю воду из бассейнаб : , чтобы вызвать постепенное исчезновение истощить богатство региона
2а : для постепенного высыхания осушить болото
б : для уноса поверхностных вод река, истощающая долину
c : для истощения или опорожнения на или как если бы путем вытягивания по градусам или с приращениями истощил страну своих ресурсов
d : опорожнить, выпив содержимое слить кружку пива
непереходный глагол
1 : для опорожнения или освобождения жидкости путем ее стекания или капания. жду, пока из ванны сливается
2 : для сброса поверхностных или излишков воды впадает в Мексиканский залив
3а : постепенно стекать
б : постепенно исчезать : сокращаться его нервозность, как всегда, улетучилась — Х.А. Синклер1 : Средство (например, труба), с помощью которого обычно сливается жидкое вещество.
2 : то, что вызывает истощение : бремя истощение ресурсов города3а : акт опорожнения
б : постепенный отток или изъятие : истощение чистая утечка с Востока пяти миллионов душ — Г.В. Пирсон насмарку: до состояния истощения или безвозвратной потери Вся их тяжелая работа пошла насмарку .
Symbol, работа, типы и различные корпуса
Компоненты силовой электронной коммутации, такие как BJT, MOSFET, IGBT, SCR, TRIAC и т. Д.являются важными устройствами, используемыми при проектировании многих схем, от простой схемы драйвера до сложных выпрямителей мощности и инверторов. Самый простой из них — это БЮТ, и мы уже узнали, как работают БЮТ-транзисторы. Наряду с BJT широко используемыми переключателями питания являются полевые МОП-транзисторы. По сравнению с BJT, MOSFET может работать с высоким напряжением и током, поэтому он популярен среди приложений с высокой мощностью. В этой статье мы изучим основы MOSFET , его внутреннюю конструкцию, принцип работы и способы их использования в схемах.Если вы хотите пропустить теорию, вы можете прочитать статью о популярных полевых МОП-транзисторах и о том, где их использовать, чтобы ускорить процесс выбора и проектирования деталей.
Что такое полевой МОП-транзистор?
MOSFET — это полевой транзистор на основе оксида металла. , MOSFET был изобретен для преодоления недостатков, присущих полевым транзисторам, таких как высокое сопротивление стока, умеренный входной импеданс и более медленная работа. Таким образом, полевой МОП-транзистор можно назвать усовершенствованной формой полевого транзистора.В некоторых случаях полевые МОП-транзисторы также называются IGFET (полевой транзистор с изолированным затвором). На практике полевой МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением, что означает, что при подаче номинального напряжения на вывод затвора полевой МОП-транзистор начинает проводить через выводы стока и истока. Подробности мы рассмотрим позже в этой статье.
Основное различие между полевым транзистором и полевым МОП-транзистором состоит в том, что полевой МОП-транзистор имеет металлооксидный электрод затвора, электрически изолированный от основного полупроводникового n-канала или p-канала тонким слоем диоксида кремния или стекла.Изоляция управляющего затвора увеличивает входное сопротивление полевого МОП-транзистора до чрезвычайно высокого значения в мегаом (МОм).
Символ полевого МОП-транзистора
В общем, полевой МОП-транзистор представляет собой четырехконтактное устройство с выводами слива (D), истока (S), затвора (G) и корпуса (B) / подложки. Вывод на корпусе всегда будет подключен к выводу источника, следовательно, полевой МОП-транзистор будет работать как трехконтактное устройство.На изображении ниже, символ N-канального MOSFET показан слева, а символ P-канального MOSFET показан справа.
Наиболее часто используемый корпус для полевого МОП-транзистора — это To-220, для лучшего понимания давайте взглянем на распиновку знаменитого полевого МОП-транзистора IRF540N (показано ниже). Как вы можете видеть, контакты Gate, Drain и Source перечислены ниже, помните, что порядок этих контактов будет меняться в зависимости от производителя.Другими популярными полевыми МОП-транзисторами являются IRFZ44N, BS170, IRF520, 2N7000 и т. Д.
MOSFET как переключатель
Наиболее распространенное применение MOSFET использует его в качестве переключателя. На приведенной ниже схеме показан полевой МОП-транзистор, работающий как переключающее устройство для включения и выключения лампы. Входное напряжение затвора V GS прикладывается с помощью источника входного напряжения. Когда приложенное напряжение положительное, двигатель будет во включенном состоянии, а если приложенное напряжение равно нулю или отрицательно, лампа будет в выключенном состоянии.
Когда вы включаете МОП-транзистор, подавая необходимое напряжение на вывод затвора, он останется включенным, если вы не подадите 0В на затвор. Чтобы избежать этой проблемы, мы всегда должны использовать понижающий резистор (R1), здесь я использовал значение 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или затемнение света, мы будем использовать сигнал ШИМ для быстрого переключения, во время этого сценария емкость затвора полевого МОП-транзистора будет создавать обратный ток из-за паразитного эффекта.Чтобы решить эту проблему, мы должны использовать токоограничивающий конденсатор, я использовал здесь значение 470.
Вышеуказанная нагрузка рассматривается как резистивная нагрузка, поэтому схема очень проста, и в случае, если нам нужно использовать индуктивную или емкостную нагрузку, нам нужно использовать какую-то защиту, чтобы предотвратить повреждение полевого МОП-транзистора. Например, если мы используем емкостную нагрузку без электрического заряда, это рассматривается как короткое замыкание, это приведет к высокому «пуску» тока, а когда приложенное напряжение снимается с индуктивной нагрузки, будет образование большого количества обратного напряжения в цепи при схлопывании магнитного поля приведет к наведенной обратной ЭДС в обмотке катушки индуктивности.
Классификация полевых МОП-транзисторов
MOSFET классифицируется на два типа в зависимости от типа операций, а именно MOSFET в режиме расширения (E-MOSFET) и MOSFET в режиме истощения (D-MOSFET), эти полевые МОП-транзисторы дополнительно классифицируются в зависимости от материала, используемого для конструкции. как n-канальный и p-канальный. Итак, в целом существует 4 различных типа полевых МОП-транзисторов
.- МОП-транзистор с N-канальным режимом истощения
- МОП-транзистор с режимом истощения P-канала
- МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения
- МОП-транзистор в режиме расширения P-канала
N-канальные полевые МОП-транзисторы называются NMOS и представлены следующими символами.
В соответствии с внутренней конструкцией полевого МОП-транзистора, выводы затвора (G), стока (D) и истока (S) физически соединены в полевом МОП-транзисторе в режиме истощения, в то время как в режиме улучшения они физически разделены, по этой причине для полевого МОП-транзистора режима улучшения символ выглядит сломанным. МОП-транзисторы с P-каналом называются PMOS и представлены следующими символами.
Из доступных типов полевой МОП-транзистор с N-каналом расширения является наиболее часто используемым.Но ради познания попробуем вникнуть в разницу. Основное различие между N-канальным MOSFET и P-канальным MOSFET заключается в том, что в N-канале переключатель MOSFET будет оставаться открытым до тех пор, пока не будет подано напряжение затвора. Когда на вывод затвора поступает напряжение, переключатель (между стоком и источником) замыкается, а в P-канальном MOSFET переключатель остается закрытым до тех пор, пока не появится напряжение затвора.
Аналогичным образом, основное различие между MOSFET в режиме расширения и режиме истощения состоит в том, что напряжение затвора, подаваемое на E-MOSFET, всегда должно быть положительным, и он имеет пороговое напряжение, выше которого он полностью включается.Напряжение на затворе D-MOSFET может быть как положительным, так и отрицательным, и он никогда не включается полностью. Также обратите внимание, что D-MOSFET может работать в режиме улучшения и истощения, в то время как E-MOSFET может работать только в режиме улучшения.
Конструкция полевого МОП-транзистора
На изображении ниже показана типичная внутренняя структура полевого МОП-транзистора . Хотя полевой МОП-транзистор является усовершенствованной формой полевого транзистора и работает с теми же тремя выводами, что и полевой транзистор, внутренняя структура полевого транзистора действительно отличается от общего полевого транзистора.
Если вы посмотрите на структуру, вы увидите, что вывод затвора закреплен на тонком металлическом слое, который изолирован слоем диоксида кремния (SiO2) от полупроводника, и вы сможете увидеть два полупроводника N-типа. фиксируется в области канала, где размещены выводы стока и истока. Канал между стоком и истоком полевого МОП-транзистора — N-типа, в противоположность этому, подложка выполнена как P-тип. Это помогает смещать полевой МОП-транзистор с обеих полярностей, положительной или отрицательной.Если вывод затвора полевого МОП-транзистора не смещен, он останется в непроводящем состоянии, поэтому полевой МОП-транзистор в основном используется при разработке переключателей и логических вентилей.
Принцип работы полевого МОП-транзистора
В общем, полевой МОП-транзистор работает как переключатель, МОП-транзистор управляет напряжением и током между истоком и стоком. Работа полевого МОП-транзистора зависит от МОП-конденсатора , который представляет собой поверхность полупроводника под слоями оксида между выводами истока и стока.Его можно инвертировать из p-типа в n-тип, просто приложив положительное или отрицательное напряжение затвора соответственно. На изображении ниже показана блок-схема полевого МОП-транзистора.
Когда напряжение сток-исток (V DS ) подключено между стоком и истоком, положительное напряжение подается на сток, а отрицательное напряжение — на исток. Здесь PN-переход на стоке смещен в обратном направлении, а PN-переход на истоке смещен в прямом направлении.На этом этапе между стоком и истоком не будет протекания тока.
Если мы подадим положительное напряжение (V GG ) на вывод затвора, из-за электростатического притяжения неосновные носители заряда (электроны) в P-подложке начнут накапливаться на контакте затвора, который образует проводящий мост между двумя n + регионы. Количество свободных электронов, накопленных на контакте затвора, зависит от силы приложенного положительного напряжения.Чем выше приложенное напряжение, тем больше ширина n-канала, образованного из-за накопления электронов, это в конечном итоге увеличивает проводимость, и ток стока (I D ) начнет течь между Источником и Стоком.
Когда на вывод затвора не подается напряжение, не будет протекать какой-либо ток, кроме небольшого количества тока из-за неосновных носителей заряда. Минимальное напряжение, при котором MOSFET начинает проводить, называется пороговым напряжением .
Работа полевого МОП-транзистора в режиме истощения:
Полевые МОП-транзисторы в режиме обеднения обычно называются «включенными» устройствами, поскольку они обычно находятся в закрытом состоянии, когда на выводе затвора нет напряжения смещения. Когда мы увеличиваем приложенное к затвору напряжение в положительную сторону, ширина канала будет увеличиваться в режиме истощения. Это увеличит ток стока I D через канал. Если приложенное напряжение затвора сильно отрицательно, ширина канала будет меньше, и полевой МОП-транзистор может попасть в область отсечки.
VI характеристики:
Вольт-амперная характеристика MOSFET-транзистора в режиме истощения находится между напряжением сток-исток (V DS ) и током стока (I D ). Небольшое напряжение на выводе затвора будет управлять током, протекающим через канал. Канал, образованный между стоком и истоком, будет действовать как хороший проводник с нулевым напряжением смещения на выводе затвора. Ширина канала и ток стока увеличиваются, если на затвор подается положительное напряжение, тогда как они уменьшаются, когда мы прикладываем отрицательное напряжение к затвору.
Работа полевого МОП-транзистора в режиме расширения:
Работа полевого МОП-транзистора в режиме улучшения аналогична работе открытого переключателя, он начнет работать, только если положительное напряжение (+ V GS ) будет подано на вывод затвора и ток стока начнет течь через устройство. Ширина канала и ток стока увеличиваются при увеличении напряжения смещения. Но если приложенное напряжение смещения равно нулю или отрицательно, транзистор сам останется в выключенном состоянии.
VI Характеристики:
ВИ-характеристики полевого МОП-транзистора в расширенном режиме отображаются между током стока (I D ) и напряжением сток-исток (V DS ). Характеристики VI разделены на три различные области: омическую область, область насыщения и область отсечки. Область отсечки — это область, в которой полевой МОП-транзистор будет находиться в выключенном состоянии, когда приложенное напряжение смещения равно нулю. При приложении напряжения смещения полевой МОП-транзистор медленно движется в сторону режима проводимости, и медленное увеличение проводимости происходит в омической области.Наконец, область насыщения — это место, где положительное напряжение прикладывается постоянно, и полевой МОП-транзистор будет оставаться в состоянии проводимости.
Пакеты MOSFET МОП-транзисторы
доступны в различных корпусах, размерах и названиях для использования в различных приложениях. В целом, полевые МОП-транзисторы поставляются в 4 различных корпусах, а именно: поверхностный монтаж, сквозное отверстие, PQFN и DirectFET
.Полевые МОП-транзисторы доступны под разными именами в каждом типе пакетов, а именно:
Поверхностный монтаж: ТО-263, ТО-252, МО-187, СО-8, СОТ-223, СОТ-23, ЦОП-6 и т. Д.
сквозное отверстие: TO-262, TO-251, TO-274, TO-220, TO-247 и т. Д.
PQFN: PQFN 2×2, PQFN 3×3, PQFN 3.3×3.3, PQFN 5×4, PQFN 5×6 и т. Д.
DirectFET: DirectFET M4, DirectFET MA, DirectFET MD, DirectFET ME, DirectFET S1, DirectFET SH и т. Д.
измерение заряда затвора mosfet 4200a анализатор параметров scs
Введение
Полевые МОП-транзисторыиспользуются в различных приложениях и могут использоваться для высокоскоростной коммутации.На скорость переключения устройства влияют внутренние емкости, которые обычно указываются в технических данных в терминах C iss и C oss , которые определяются емкостью входного затвора и стока, C gs и C . gd . Помимо указания емкости, заряд затвора (Q gs и Q gd ) также может использоваться для оценки коммутационных характеристик полевого МОП-транзистора.
Один из методов измерения заряда затвора полевого МОП-транзистора описан в стандарте JEDEC JESD24-2 «Метод проверки заряда затвора».В этом методе ток затвора форсируется, в то время как напряжение затвор-исток измеряется как функция времени. Из полученной формы волны напряжения затвора вычисляются заряд затвор-исток (Q gs ), заряд затвор-сток (Q gd ) и заряд затвора (Q g ).
Анализатор параметров 4200A-SCS поддерживает выполнение измерений заряда затвора полевого МОП-транзистора с использованием двух приборов измерения источника (SMU) и теста измерения заряда затвора, включенного в систему. Этот тест является одним из многих, включенных в обширную библиотеку тестов, входящую в комплект программного обеспечения 4200A-SCS Clarius +.В этой заметке по применению описывается, как измерить заряд затвора MOSFET на основе метода тестирования заряда затвора JEDEC с использованием анализатора параметров 4200A-SCS.
МОП-транзистор Обзор измерения заряда затвораВ методе заряда затвора фиксированный испытательный ток (I g ) нагнетается в затвор МОП, транзистора, и измеренное напряжение затвора-истока (V gs ) отображается в зависимости от заряда, текущего в затвор. На вывод стока подается фиксированное напряжение смещения. На рис. 1 показана зависимость напряжения затвора от заряда силового полевого МОП-транзистора.
Заряд затвора (Q) получается из принудительного тока затвора и времени (I gdt ). Заряд затвор-исток (Q gs ) — это заряд, необходимый, как показано на рис. 1 , для достижения начала области плато, где напряжение (V gs ) почти постоянно. Напряжение плато (или Миллера) (V pl ) определяется в соответствии со стандартом JEDEC как напряжение затвор-исток, когда dV gs / dt минимально.Плато напряжения — это область, когда транзистор переключается из состояния ВЫКЛ в состояние ВКЛ. Заряд затвора, необходимый для завершения этого переключения — заряд, необходимый для переключения устройства с начала области плато до конца — определяется как заряд затвор-сток (Q gd ) и известен как заряд Миллера. Заряд затвора (Q g ) — это заряд от исходной точки до точки, где напряжение затвора-источника (V gs ) равно заданному максимуму (V gsMax ).
Рисунок 1. Типичное напряжение затвора в зависимости от заряда затвора силового полевого МОП-транзистора.S1 — наклон отрезка прямой от начала координат до первой точки плато. S2 — наклон отрезка линии от последней точки плато до заданного максимального напряжения затвора (VgsMax). Наклоны используются для расчета Q gs и Q gd , как указано в стандарте JESD24-2.
На рисунке 2 показаны типичные формы сигналов затвора и стока в зависимости от времени.Когда ток подается на затвор, V gs увеличивается, пока не достигнет порогового напряжения. В этот момент начинает течь ток стока (I d ). Когда C gs заряжается в момент времени t1, Id остается постоянным, а напряжение стока (V d ) уменьшается. V gs остается постоянным, пока не достигнет конца плато. Как только C gd заряжается в момент t2, напряжение затвор-исток (V gs ) снова начинает увеличиваться, пока не достигнет заданного максимального напряжения затвора (V gsMax ).
Рис. 2. V gs , V d и I d в зависимости от времени полевого МОП-транзистора. Использование 4200A-SCS для измерения заряда затвора MOSFET4200A-SCS измеряет заряд затвора силового MOSFET с помощью двух приборов SMU. На рисунке 3 показана основная принципиальная схема теста заряда затвора. Клемма Force HI одного SMU (SMU1) подключена к клемме затвора полевого МОП-транзистора и устанавливает ток затвора (I g ) и измеряет напряжение затвор-исток (V gs ) как функцию времени.Второй SMU (SMU2) подает фиксированное напряжение (V ds ) на сток при заданном соответствии тока (I b ). Максимальный допустимый ток 4200-SMU — 0,1 А; максимальное соответствие 4210-SMU — 1 А.
Во время теста заряда затвора напряжение затвора увеличивается и включает транзистор. Во время этого перехода в области плато сток SMU (SMU2) переключается из режима управления напряжением в режим управления током, поскольку ток превышает указанный уровень соответствия.Программное обеспечение возвращает переходные процессы тока стока и напряжение стока во время перехода из состояния ВЫКЛ в состояние ВКЛ.
Клемма источника MOSFET подключается к клемме Force LO или GNDU шасси 4200A-SCS.
Рисунок 3. Конфигурация теста заряда затвора с использованием двух приборов SMU. Настройка программного обеспечения Clarius + для измерения заряда затвора MOSFETТест Gate Charge находится как в тестовой, так и в проектной библиотеках, которые можно найти на панели Select, выполнив поиск по фразе «gate charge».Как только тест будет найден в тестовой библиотеке, его можно будет добавить в проект, выбрав и добавив его в дерево проекта. Этот тест был создан из пользовательского модуля gate_charge в пользовательской библиотеке GateCharge.
Введите параметры вводаПеред выполнением теста вам необходимо ввести входные параметры теста на панели «Конфигурация» программного обеспечения Clarius (, рис. 4, ). Входные параметры будут варьироваться в зависимости от устройства и используемой модели SMU.
Рисунок 4.Проверка заряда ворот в окне настройки.Описание входных параметров приведено в Таблица 1 . Сначала введите номера SMU, которые подключены к затвору (gateSMU) и стоку (стокSMU) полевого МОП-транзистора. Клемма источника всегда должна быть подключена к GNDU или Force LO.
Величина тока, протекающего через gateSMU, — это параметр gateCurrent (I g ). Напряжение стока (V ds ) — это напряжение смещения, приложенное к стоку, и стокLimitI — это ток согласования SMU стока.
Параметр Coffset используется для корректировки емкости смещения и описывается в следующих параграфах.
Таблица 1. Входные параметры для пользовательского модуля gate_charge.
| Входной параметр | Диапазон значений | Значения по умолчанию | Описание |
| ворота SMU | СМУ1-СМУ9 | СМУ1 | Номер SMU, подключенного к терминалу ворот |
| сток SMU | СМУ1-СМУ9 | СМУ2 | Номер SMU, подключенного к клемме стока |
| источник | GNDU | GNDU | Клемма источника всегда подключена к клемме Force LO на GNDU |
| Vds | ± 200 В | 10 В | Величина напряжения смещения стока стока SMU |
| стокLimitI | 4200-СМУ: 0.1А 4210-СМУ: 1А | 0,1 А | Текущее соответствие стока СМУ |
| воротТекущий | ± 1E-5 А | 1e-7 A | Величина тока затвора затвора СМУ |
| VgsMax | ± 200 В | 10 В | Максимальный уровень напряжения затвора SMU. |
| время выхода | от 0 до 300 с | 60 с | Количество секунд до тайм-аута. |
| ИЗМЕР | 1 (да) или 0 (нет) | 1 | Обратный измеренный ток стока |
| Кейс | 0 или Ceff | 0 | Запустите тест с разомкнутой цепью, а затем введите значение Ceff, возвращенное на лист | .
В зависимости от кабельной разводки и соединений измерительной системы, емкость смещения может находиться в диапазонах от единиц пикофарад до сотен пикофарад.Эти емкости можно скорректировать, запустив пользовательский модуль gate_charge с разомкнутой цепью, получив емкость смещения, а затем введя значение емкости смещения в программное обеспечение для компенсации. Вот как выполнить эти шаги:
- Измерьте емкость смещения . Настройте параметры теста, включая ток входного затвора, как если бы устройство было подключено к SMU. (Увеличьте VgsMax только для измерения Ceff.) Перед выполнением теста поднимите датчики или извлеките устройство из испытательного приспособления.Выполните тест заряда затвора с разомкнутой цепью.
- Получите емкость смещения . После выполнения теста измеренная емкость смещения системы рассчитывается и отображается в столбце Ceff на листе. Ceff получается из максимального напряжения затвора, тока затвора и времени.
Поскольку на этом этапе измеряется обрыв цепи, после выполнения теста на листе может появиться значение -9 или -12. Это связано с тем, что ни одно устройство не измеряется, поэтому нет области плато.Однако значение Ceff правильное и может быть введено как Coffset в представлении «Настройка». - Введите измеренную емкость смещения и выполните . Введите измеренную емкость смещения Ceff для параметра Coffset в окне «Конфигурация». По умолчанию Coffset равен 0 F. Компенсация емкости смещения будет производиться в последующих измерениях.
После ввода входных параметров выполните тест, выбрав «Выполнить» в верхней части экрана.Во время выполнения теста осциллограмма заряда затвора будет обновляться в реальном времени на графике в представлении «Анализ», а рассчитанные выходные параметры появятся в таблице.
Просмотр параметров выводаПосле завершения теста несколько параметров возвращаются на Лист. Таблица 2 содержит описания этих параметров.
Таблица 2. Выходные параметры для пользовательского модуля gate_charge
| Выходной параметр | Описание |
| gate_charge | Значения состояния теста — см. Описание в Таблице 3 |
| timeArray | Измеренное время (секунды) |
| VgArray | Измеренное напряжение затвор-исток (В) |
| VgCharge | Измеренный заряд затвора (кулоны) |
| VdArray | Измеренное напряжение стока (В) |
| IdArray | Измеренный ток стока (амперы) |
| Наклон | Динамическая крутизна (dVg / dt) напряжения затвора |
| Ceff | Отношение заряда затвора к максимальному напряжению затвора |
| Впл | Напряжение плато или Миллера (вольт) |
| T1 | Отметка времени начала области плато (секунды) |
| T2 | Отметка времени окончания области плато (секунды) |
| Qgs | Заряд затвора от начала координат до первой точки перегиба или плато напряжения (кулоны) |
| Qgd | Заряд затвора между двумя точками перегиба кривой заряда затвора (кулоны) |
| Qg | Заряд ворот от исходной точки до VgsMax (кулоны) |
Графическое изображение результатов
Результирующее напряжение затвор-исток может быть отображено как функция заряда затвора или тока стока, а напряжение стока может быть отображено как функция времени. Рисунок 5 — типичный сигнал напряжения затвора, генерируемый 4200A-SCS
. Рис. 5. Типичная форма сигнала напряжения затвора, генерируемого 4200A-SCS.В дополнение к построению графиков V gs , V ds и I d также можно построить график как функцию заряда затвора полевого МОП-транзистора или времени. На рис. 6 показан график в представлении «Анализ» программного обеспечения Clarius, на котором показаны все три параметра как функция заряда затвора.В этом случае напряжение отображается по оси Y1, а ток — по оси Y2.
Рис. 6. V gs , V ds и I d как функция заряда затвора.Проверить статус теста
Каждый раз, когда тест выполняется, значение статуса теста возвращается в первый столбец на листе с именем «gate_charge». Таблица 3 перечисляет возвращенные значения состояния теста в столбце «gate_charge» и их соответствующие описания и примечания.
Таблица 3. Значения статуса теста
| Статус теста | Описание | Банкноты |
| 1 | Ошибок нет | Тест прошел успешно. |
| -1 | Шлюз СМУ нет | Укажите правильный SMU. |
| -2 | Сток СМУ нет | Укажите правильный SMU. |
| -3 | VgsMax> 200 В | Проверяет, что напряжение затвора меньше 200 В.Уменьшите напряжение затвора. |
| -4 | Предел тока стока превышает 1 А (4210-SMU) Предел тока стока превышает 0,1 А (4200-SMU) | Проверяет, что ток стока меньше 1 А (или 0,1 А для SMU средней мощности). Уменьшите предельный ток стока (DrainLimitI). |
| -5 | Превышен предел мощности | Ток должен быть <0,1 А, если V> 20 В. Уменьшите предельный ток стока (DrainLimitI) или напряжение стока (Vds). |
| -6 | Проверка ошибок условий ввода.Ограничивает timeOut до 200 с. | Укажите время выхода <200 с. |
| -7 | Время проверки превышает указанный тайм-аут (timeOut). | Увеличить время выхода. Максимум 200 с. Попробуйте увеличить gateCurrent, чтобы зарядить устройство быстрее. |
| -8 | Количество итераций / измерений> 10000. | Увеличьте ток затвора (gateCurrent). |
| -9 | Количество итераций / измерений <5 | Уменьшить ток затвора (gateCurrent).Проверьте устройство, тестовую настройку и правильность SMU. Эту ошибку можно проигнорировать, если она возникает при измерении разомкнутой цепи для коррекции смещения. Значение Ceff остается действительным. |
| -10 | Количество точек от начала до точки первого плато <10 | Уменьшить ток затвора (gateCurrent) |
| -11 | Ошибка вычисления крутизны, S1. Коэффициент корреляции <0,9. Кривая от начала координат до первой точки плато не является линейной. | Проверить устройство и испытательную установку. |
| -12 | Ошибка вычисления крутизны S2. Коэффициент корреляции <0,9. Кривая от последней точки плато до VgsMax не является линейной. | Проверить устройство и испытательную установку. Если уровень VgCharge или VdArray высокий, попробуйте уменьшить значение gateCurrent и повторите тест. Эту ошибку можно проигнорировать, если она возникает при измерении разомкнутой цепи для коррекции смещения. Значение Ceff остается действительным. |
| -13 | Vds> 200 В | Уменьшите напряжение стока. |
| -14 | gate Ток> 10 мкА | Уменьшить ток затвора (I g ). |
Заключение
Измерения заряда затвора полевого МОП-транзисторана транзисторах можно легко выполнить с помощью анализатора параметров Keithley 4200A-SCS. Используя два прибора SMU, подключенных к затвору и стоку устройства, программное обеспечение Clarius легко получает формы сигналов заряда затвора.
Общие сведения о сопротивлении сток-исток в открытом состоянии полевого МОП-транзистора
В этом техническом обзоре описаны некоторые полезные детали, касающиеся общего параметра полевого МОП-транзистора, называемого сопротивлением в открытом состоянии.
Вспомогательная информация
Одной из наиболее заметных спецификаций в таблицах данных для дискретных полевых МОП-транзисторов является сопротивление сток-исток в открытом состоянии, сокращенно R DS (on) . Идея R DS (on) кажется такой приятно простой: когда полевой транзистор находится в отсечке, сопротивление между истоком и стоком чрезвычайно велико — настолько велико, что мы предполагаем нулевой ток. Когда напряжение затвор-исток полевого транзистора (V GS ) превышает пороговое напряжение (V TH ), он находится во включенном состоянии, а сток и исток соединены каналом с сопротивлением, равным R DS (на) .Однако, если вы знакомы с реальным электрическим поведением полевого МОП-транзистора, вы должны легко признать, что эта модель не соответствует фактам.
Во-первых, у полевого транзистора действительно нет «включенного состояния». Когда он не находится в режиме отсечки (здесь мы игнорируем подпороговую проводимость), полевой транзистор может находиться в области триода или области насыщения. Каждая из этих областей имеет собственное соотношение тока и напряжения. Тем не менее, мы можем с уверенностью предположить, что «включенное состояние» соответствует области триода, потому что R DS (on) актуален в контексте схем переключения, а не усилителей слабого сигнала и схем переключения, т.е.2 \ вправо) $$
(Это для устройства NMOS; устройство PMOS будет иметь µ p вместо µ n .) Однако, если мы проигнорируем член V DS 2 , уравнение можно упростить следующим образом:
$$ I_D = \ mu_nC_ {ox} \ frac {W} {L} \ left (V_ {GS} -V_ {TH} \ right) V_ {DS} $$
Теперь у нас действительно есть линейная (то есть резистивная) зависимость между током сток-исток (I D ) и напряжением сток-исток (V DS ).Однако «сопротивление» не является постоянным, как в случае простого резистора; скорее сопротивление соответствует
$$ \ frac {1} {\ mu_nC_ {ox} \ frac {W} {L} \ left (V_ {GS} -V_ {TH} \ right)} $$
Это подводит нас к важному моменту, связанному с R DS (on) : на него влияет напряжение затвор-исток. Вот пример из таблицы данных для полевого МОП-транзистора Fairchild NDS351AN:
Типичное пороговое напряжение для этой части равно 2.1 В. Если вы быстро посмотрите на спецификацию V TH и очень быстро на спецификацию R DS (on) , вы можете подумать, что вы можете управлять этим полевым транзистором с логическим сигналом 3,3 В и достичь заявленного состояния включения. -устойчивость. Это было бы немного небрежно, учитывая, что в таблице данных четко указано напряжение затвор-исток, которое соответствует спецификации R DS (on) ; однако одна или две точки данных R DS (вкл.) / V GS не передают экстремального увеличения сопротивления в открытом состоянии, которое применяется к напряжениям затвор-исток, которые на самом деле намного выше типичного V TH .Итак, мораль этой истории такова: 1) помните, что сопротивление в открытом состоянии (то есть в триодной области) зависит от V GS и 2) для получения подробной информации обратитесь к графику R DS (on) vs. GS .
Кроме того, сопротивление в открытом состоянии не равно , равному сопротивлению, выраженному уравнением области триода, приведенным выше. Последний представляет собой сопротивление канала полевого МОП-транзистора, тогда как сопротивление в открытом состоянии охватывает другие источники сопротивления — соединительные провода, эпитаксиальный слой и т. Д.На характеристики сопротивления влияет технология производства, и соответствующие вклады различных компонентов R DS (on) варьируются в зависимости от диапазона напряжений, для которого предназначено конкретное устройство.
