Маркировка стабилитрона 12 вольт

Ciber SLasH. Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot] и гости: 4. Ремонт: Ноутбуков, Компьютеров Виртуальная лаборатория ремонта. Совместно решаема любая проблема. Открытый архив даташитов FAQ Личный раздел.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• 1N4742A, Стабилитрон 12В, 5%, 1Вт, DO-41
• Параметры импортных стабилитронов с гибкими выводами. Стабилитрон на 12 вольт маркировка фото
• Маркировка стабилитронов в стеклянном корпусе и правильный подбор параметров
• Маркировка компонентов в частности стабилитронов
• Справочник по параметрам стабилитронов
• Стабилитрон | Принцип работы и маркировка стабилитронов
• Стабилитрон КС512А
• Маркировка и обозначение стабилитронов
• Стабилитрон
• Как проверить напряжение стабилитрона?

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как определить номинал стабилитрона

1N4742A, Стабилитрон 12В, 5%, 1Вт, DO-41

Производитель — NXP. Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZV Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZT Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZX Полупроводниковые стабилитроны работают на обратном участке Вольт Амперной характеристики, где имеется сильная зависимость тока от напряжения.

Это свойство позволяет использовать диоды Зенера, как часто называют импортные полупроводниковые стабилитроны, в качестве источников опорного напряжения. Стабилитроны, представленные на этой страницы, имеют малую рассеиваемую корпусом мощность, как и прочие маломощные диоды и диодные сборки в аналогичных корпусах.

Особый тип стабилитронов, диоды, предназначенные для подавления импульсных помех — ограничительные диоды изготовлены в пластиковых корпусах средней мощности SMA и SMC. В этих корпусах изготавливаются полупроводниковые диоды средней мощности на ток от 1 Ампера , диоды Шоттки , высоковольтные выпрямительные диоды и импульсные диоды.

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов , применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Uст в диапазоне Характеристики стабилитронов серии BZT52 Рассеиваемая мощность стабилитрона SOD Точность номинального напряжения стабилизации SOT23 Точность номинального напряжения стабилизации SOT Точность номинального напряжения стабилизации Корзина Корзина пуста. Электронный каталог Корзина Корзина пуста Логин:.

Параметры импортных стабилитронов с гибкими выводами. Стабилитрон на 12 вольт маркировка фото

By willka78 , December 26, in Справочная радиоэлементов. Привет ребят, нужен стабилитрон на 5. Так что я или запутался или не понимаю как мне разобраться с этим всем. То была советская техника еще, где названия и слепой увидит что к чему. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Стабилитрон обычно начинаетса с буквы С ,потом написано выходное напряжэние,а естли совдеповские то начинаютса принмерно Д

Рис. 12 –. Маркировка smd стабилитронов. В качестве маркировка smd . показывает нам, что это значение равно В, второй же вариант – 9 вольт.

Маркировка стабилитронов в стеклянном корпусе и правильный подбор параметров

Имея дома радиоэлектронную лабораторию, можно своими руками сделать самые различные приспособления для электрооборудования или сами приборы, что позволит значительно сэкономить на покупке техники. Важным элементом многих электрических схем приборов является стабилитрон. Такой элемент smd, смд является необходимой частью многих электросхем. Благодаря обширной области применения, стабилитрон имеет различную маркировку. Маркировка, нанесенная на корпус такого диода, дает подробную, но зашифрованную, информацию о данном элементе. Наша сегодняшняя статья поможет вам разобраться в том, какая цветовая маркировка встречается на корпусе стеклянном и нет импортных стабилитронов. Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое. Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод smd имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Маркировка компонентов в частности стабилитронов

Производитель — NXP. Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZV Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZT Технические характеристики и маркировка cтабилитронов BZX

Кто знает, где можно найти справочник по импортным стеклянным стабилитронам.

Справочник по параметрам стабилитронов

Внешне стабилитрон похож на диод, выпускается в стеклянном и металлическом корпусе. Его главное свойство заключается в сохранении постоянного напряжения на своих выводах при достижении определенного потенциала. Это наблюдается у него при достижении напряжения туннельного пробоя. Обычные диоды при таких значениях быстро доходят до теплового пробоя и перегорают. Стабилитроны, их еще называют диодами Зенера, в режиме туннельного или лавинного пробоя могут находиться постоянно, без вреда для себя, не доходя до теплового пробоя.

Стабилитрон | Принцип работы и маркировка стабилитронов

У светодиода сильно ограничен ток. Через обычный красный светодиод лучше больше 20 мА не пропускать. По вашему 50 мА — это силовая цепь? И вы считаете, что использование светодиода как источника опорного напряжения — это хорошая схема? Ток установится в точке пересечения ВАХ цепочки диодов и выходной характеристики источника и примет вполне конечное, хотя и сильно зависящее от напряжения, значение. И подобрав это напряжение, вполне можно добиться протекания нужного нам тока. Но… Во-первых, этот ток окажется зависящим от температуры.

Взяв ту же схему, что была показана ранее, мы выполним вычисления, принимая, что напряжение стабилитрона равно 12,6 вольт.

Стабилитрон КС512А

Re: двуханодный стабилитрон. Ищи по Bidirectional Zener diode, таких не много есть у панасоника и бывшей моторолы. Не путать с TVS Suppressor. Двух анодный стабилитрон это стабилитрон внутри корпуса соединен катодами и поэтому при проверке обычным тестером если стабилитрон «живой» он ведедет себя как «разрыв проводника» то есть сопротивление P-N перехода стремится к бесконечности.

Маркировка и обозначение стабилитронов

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Стабилитроны с али , Тэст

Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, главной функцией которого является стабилизация напряжения. Его принцип работы имеет отличия от прочих диодов, к примеру, тех же оптронов. Принцип работы оптронов также отличается — он преобразует электрический сигнал в свет, передает его по оптическому каналу и затем преобразует снова в электрический сигнал. Существует несколько разновидностей стабилитронов. Следует заметить, что напряжение на устройство должно подаваться в обратной полярности, то есть таким образом, чтобы его анод соединялся с отрицательным полюсом питания.

Выберите регион , чтобы увидеть способы получения товара.

Стабилитрон

Корпус стеклянный с гибкими выводами. Маркировка, черное кольцо у катода, напряжение стабилизации указано на корпусе. Маркировка диодов — краткое графическое условное обозначение элемента. Элементная база в настоящее время настолько разнообразна, сокращения отличаются весьма ощутимо. Сложно идентифицировать диод: стабилитрон, туннельный, Ганна.

Как проверить напряжение стабилитрона?

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы.

Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники.

Обозначение и замена зарубежных радиоэлементов

Обозначения зарубежных радиоэлементов

За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECCTRON) и японская (JIS).

За рубежом существует три основные системы обозначений радиоэлементов: американская (JEDEK), европейская (PRO ELECCTRON) и японская (JIS).

Американская система обозначений (JEDEK):

Первая цифра показывает количество p-n переходов:

1-диод

2-транзистор

3-тиристор

За цифрой следует буква N и затем серийный номер. Буква за номером обозначают разные параметры для приборов одного типа. Например: 1N4148, 2N5551.

Европейская система обозначений (PRO ELECTRON):

Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков.

Две буквы и три цифры для широкого применения. Три буквы и две цифры – для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это, как правило, коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока).

Первая буква –код материала:

А- германий

В – кремний

С – арсенид галлия

R – сульфид кадмия

Вторая буква – назначение:

А – маломощный диод

В – варикап

С – маломощный низкочастотный транзистор

D – мощный низкочастотный транзистор

Е – туннельный диод

F – маломощный высокочастотный транзистор

G – несколько приборов в одном корпусе

H – магнитодиод

L – мощный высокочастотный транзистор

M – датчик Холла

P – фотодиод, фототранзистор

Q — светодиод

R – маломощный регулирующий или переключающий прибор

S – маломощный переключательный транзистор

T – мощный регулирующий или переключающий прибор

U – мощный переключательный транзистор

X – умножительный диод

Y – мощный выпрямительный диод

Z – стабилитрон

Например: BZY56, DC547C, BF492, BU508.

Японская система обозначения (JIC):

Условное обозначение состоит из пяти элементов.

Первый элемент – цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 – фотодиод, фототранзистор;

1 – диод;

2 – транзистор;

3 – тиристор

Второй элемент – буква S (Semiconductor)

Третий элемент – тип прибора:

A – высокочастотный p-n-p транзистор

B — низкочастотный p-n-p транзистор

C — высокочастотный n-p-n транзистор

D – низкочастотный n-p-n транзистор

E – диод Есаки

F — тиристор

G – диод Ганна

H – однопереходный транзистор

I – полевой транзистор с p-каналом

K – полевой транзистор с n-каналом

M – симметричный тиристор (симистор)

Q — светодиод

R – выпрямительный диод

S – слаботочный диод

T – лавинный диод

V — варикап

Z — стабилитрон

Четвертый элемент обозначает регистрационный номер и начинается с числа 11.

Пятый – одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).

Например: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как A733; 2SB1116A — B1116A; 2SC945 — C945; 2SD1555 — D1555 и т.п.

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма «SAMSUNG» в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма «MOTOROLA» — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Замена зарубежных радиоэлементов

Для замены малосигнальных диодов типа 1N4148 можно использовать любой из перечисленных: КД510, КД521, КД522.

Замену выпрямительных диодов типа 1N4001…1N4004 можно произвести на КД105, КД208, КД209, КД243.

Кольцевая метка на корпусе зарубежных диодов и стабилитронов обычно расположена у катода.

Таблица 1. Возможная замена зарубежных транзисторов

диод%20маркировка%20mfw%2031 техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть UJ3D06506TS UnitedSiC 650В-6А Диод ТО-220-2Л UJ3D1210KS UnitedSiC 1200В-10А Диод ТО-247-3Л org/Product»>

UJ3D1220K2 UnitedSiC 1200В-20А Диод ТО-247-2Л UJ3D06530TS UnitedSiC 650В-30А Диод ТО-220-2Л UJ3D1250K UnitedSiC 1200В-50А Диод ТО-247-3Л UJ3D06504TS UnitedSiC 650В-4А Диод ТО-220-2Л

диод%20маркировка%20mfw%2031 Datasheets Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог Datasheet	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
диод перекрестный эталон Реферат: перекрестный референс диода Шоттки MV3110 AH513 AH761 AH512 диод импатта Gunn Diode Ah470 DMK-6606 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	MA40401 MA40402 MA40404 MA40405 MA40406 MA40408 перекрестная ссылка на диод перекрестная ссылка на диод шоттки МВ3110 AH513 AH761 AH512 ударный диод Ганн Диод Ач470 ДМК-6606
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
Антенна GPS AT65 Резюме: MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 MA4ST1081 ELDC-17LITR MASWSS0169 MAAVSS0007 MAALSS0042 etc1-1-13tr MADRCC0013 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	АМ50-0002 АМ50-0003 АМ50-0004 АМ50-0006 АТ10-0009 АТ10-0017 АТ10-0019 АТ-108 АТ-110-2 АТ-113 GPS-антенна AT65 MA4EX580L1-1225T МА4СТ1081СК-287 MA4ST1081 ЭЛДК-17ЛИТР MASWSS0169 MAAVSS0007 МААЛСС0042 и т.д.1-1-13тр MADRCC0013
диод Реферат: Стабилитрон диод 1N4148 «Диод ВЧ» стабилитрон А 36 коде диод диод Шоттки 1n4148 стабилитрон 1n4148 Стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	1Н4148 1N4148W 1Н4150 1N4150W 1Н914 1Н4151 1N4151W 1Н4448 1N4448W 1N4731 диод диод стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон А 36 кодовый диод диод Шоттки 1н4148 стабилитрон Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
2001 — Диод RU 3AM Реферат: диод РУ 4Б РГ-2А Диод диод РУ 4АМ МН638С ФММ-32 СПФ0001 красный зеленый зеленый стабилитрон Диод RJ 4Б sta464c Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
1N4007 ДИОД ЗЕНЕРА Реферат: диод А14А диод ст4 диак диод а15а стабилитрон дб3 стабилитрон 1н4744 стабилитрон 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400в Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	1N4001 1N4002 1N4003 1Н4004 1N4005 1Н4006 1Н4007 1N5400 1N5401 1N5402 1N4007 ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД диод А14А диод ст4 диак диод а15а стабилитрон дб3 стабилитрон 1n4744 диод стабилитрон 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400в
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
2012 — SR506 Диод Реферат: диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СМД4001-4007) СР560 ДО-27 UF4004 ДО-41 UF4007 10А10 LL4148 ФР101-ФР107 SR506 Диод диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
2006 — термодиод Реферат: Термодиод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование термодиодов в процессоре PowerPC 970MP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	PowerPC970MP® 64-битный PowerPC970MP™ 970MP) 970MP термодиод Термодиод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MP™ PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970мп Использование термодиодов в процессоре PowerPC 970MP
Антибликовое покрытие OZ Optics Fiber Реферат: Лазерный диод 1550нм 1300нм 1550нм лазерный диод Радиальный sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A лазерный соединитель ЛАЗЕРНЫЙ ДИСТАНЦИОНЕР SMA 905 размеры волокна лазерные диоды для оптического источника линзы лазерный диод Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	-40 дБ Оптическое просветляющее покрытие оптического волокна OZ Optics Лазерный диод 1550нм 1300нм лазерный диод 1550нм Радиальное ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО ЛДЦ-21А лазерный соединитель ЛАЗЕРНЫЙ ДАЛЬНОМЕР СМА 905 размеры волокна лазерные диоды для оптического источника линза лазерный диод
Германиевый диод Реферат: 5-амперный диодный выпрямитель Германиевый диод OA91 aa117 диод 2-амперный выпрямительный диод 2-амперный стабилитрон DIODE 1N649 германиевый выпрямительный диод OA95 диод Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	1Н34А 1Н38А 1Н60А 1Н100А 1Н270 1Н276 1Н277 1Н456 1Н459 1Н456А германиевый диод Диодные выпрямители на 5 ампер Германиевый диод OA91 диод аа117 диод Выпрямительный диод на 2 ампера 2-амперный стабилитрон ДИОД 1N649 германиевый выпрямительный диод Диод ОА95
диод Шоттки 60В 5А Реферат: 30А Быстродействующий диод Шоттки Диод 20В 5А Диод Шоттки высокое обратное напряжение код маркировки 1А Диод Шоттки Диод 40В 2А Шоттки Барьер 3А Диод Шоттки код 10 Шоттки БАРЬЕР ДИОД ERG81-004 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	5В/10А) 500нс, диод шоттки 60В 5А 30A быстродействующий диод Диод Шоттки 20В 5А Диод Шоттки высокого обратного напряжения код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40В 2А Барьер Шоттки 3А диод Шоттки код 10 БАРЬЕР ШОТТКИ ДИОД ЭРГ81-004
Диод Ганна Реферат: Микроволновый кремниевый детектор Диод DW9248 микроволновый волновод Marconi gunn Silicon Detector УВЧ-диодный варактор диодный варактор с фильтром Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Ганн Диод Микроволновый кремниевый детекторный диод DW9248 микроволновый волновод Маркони Ганн Кремниевый детектор УВЧ диод варикапный диодный фильтр варактор
м2222а Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a SOD80C ФИЛИПС BCB47B 1N4148 СОД80С ПМБТА64 PXTA14 BF960 полевой транзистор BFW11 BF345C BC558B ФИЛИПС
схемы сварки Реферат: многопереходная «солнечная батарея» EMCORE CIC Солнечная батарея Emcore дуговой реактор солнечной батареи Многопереходная ячейка «солнечная батарея» с диодом Шоттки Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF
2009 — 2850КТ Реферат: 2850MT 1200 RTV 1N5550 1N6515 2850FT RTV-615 scotchcast эпоксидный диод с piv 40v Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	1Н6515 1Н5550 2850КТ 2850 тонн 1200 РТВ 1Н5550 1Н6515 2850 футов РТВ-615 скотчкаст эпоксидная смола горшечный материал диод с пив 40v
1998 — Стабилитрон 3 В 400 мВт Реферат: транзистор bc548b BC107 транзистор TRANSISTOR bc108 bc547 таблица перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 74HCT Спецификация семейства IC TRANSISTOR mosfet BF998 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DS750 87C750 80С51 ПЗ3032-12А44 БУК101-50ГС BUW12AF БУ2520АФ 16 кГц BY328 Стабилитрон 3В 400мВт транзистор bc548b Транзистор BC107 ТРАНЗИСТОР bc108 Таблица перекрестных ссылок bc547 Транзистор BC109 ДИАК OB3 ДИАК Br100 Спецификация семейства микросхем 74HCT ТРАНЗИСТОР MOSFET BF998
УВЧ фазовращатель Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Следующая

1N5250BTA, 1N5250BTA PDF 中文 资料, 1N5250BTA 引脚图, 1N5250BTA 电路-DATASHEET-电子 工程 世界

для всех наших клиентов

Относительно изменений в документе, такие как Hitachi

7

. 0135 Electric и Hitachi XX, Renesas Technology Corp.

Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas

Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логические, аналоговые

и дискретные устройства, а также память чипы, отличные от DRAM (флеш-память, SRAM и т. д.)

Соответственно, хотя в документе упоминаются названия Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors и другие марки Hitachi

, фактически все эти названия были изменены на Renesas

Technology Corp. Спасибо за понимание. За исключением нашего корпоративного товарного знака, логотипа и корпоративного заявления

, в содержание документа не было внесено никаких изменений, и

эти изменения не являются изменением содержания самого документа.

Домашняя страница Renesas Technology: http://www.renesas.com

Renesas Technology Corp.

Отдел поддержки клиентов

1 апреля 2003 г.

Меры предосторожности

При проектировании схем безопасность должна быть на первом месте!

1. Корпорация Renesas Technology прилагает максимум усилий для того, чтобы сделать полупроводниковые продукты лучше

и более надежными, но всегда существует вероятность того, что с ними могут возникнуть проблемы. Проблемы с полупроводниками

могут привести к травмам, пожару или материальному ущербу.

Не забывайте уделять должное внимание безопасности при проектировании цепей с соответствующими мерами

, такими как (i) размещение замещающих, вспомогательных цепей, (ii) использование негорючих материалов или

(iii) предотвращение любой неисправности или несчастного случая.

Примечания относительно этих материалов

1. Эти материалы предназначены для помощи нашим клиентам в выборе продукта Renesas

Technology Corporation, наиболее подходящего для применения клиентом; они не передают какую-либо лицензию

в соответствии с какими-либо правами интеллектуальной собственности или любыми другими правами, принадлежащими Renesas Technology

Corporation или третьей стороне.

2. Корпорация Renesas Technology не несет ответственности за любой ущерб или нарушение каких-либо

прав третьих лиц, возникающих при использовании любых данных о продукте, схем, схем, программ, алгоритмов или

примеров применения схем, содержащихся в этих материалах.

3. Вся информация, содержащаяся в этих материалах, включая данные о продуктах, диаграммы, схемы, программы и алгоритмы

, представляет собой информацию о продуктах на момент публикации этих материалов и может быть изменена

корпорацией Renesas Technology Corporation без предварительного уведомления. в связи с улучшением продукта или

другие причины. Поэтому клиентам рекомендуется связаться с Renesas Technology Corporation по телефону

или с авторизованным дистрибьютором продукции Renesas Technology Corporation для получения последней информации о продукте

, прежде чем приобретать продукт, указанный здесь.

Описанная здесь информация может содержать технические неточности или опечатки.

Renesas Technology Corporation не несет ответственности за любой ущерб, ответственность или другие убытки

возникает из-за этих неточностей или ошибок.

Также обратите внимание на информацию, опубликованную Renesas Technology Corporation различными способами

, включая домашнюю страницу Renesas Technology Corporation Semiconductor

(http://www.renesas.com).

4. При использовании любой или всей информации, содержащейся в этих материалах, включая данные о продуктах, диаграммы,

диаграммы, программы и алгоритмы, обязательно оценивайте всю информацию как общую систему до

принятие окончательного решения о применимости информации и продукции. Корпорация Renesas Technology

не несет ответственности за любой ущерб, ответственность или другие убытки, возникшие в результате информации

, содержащейся в данном документе.

5. Полупроводники Renesas Technology Corporation не предназначены и не производятся для использования в устройствах

или системах, которые используются в условиях, когда на карту потенциально может быть поставлена ​​человеческая жизнь. Пожалуйста, свяжитесь с

Renesas Technology Corporation или авторизованный дистрибьютор продукции Renesas Technology Corporation

при рассмотрении возможности использования продукта, содержащегося в данном документе, для каких-либо конкретных целей, таких как аппаратура или системы

для транспорта, автомобильных, медицинских, аэрокосмических, ядерных или подводных ретрансляторов. .

6. Предварительное письменное разрешение Renesas Technology Corporation необходимо для перепечатки или воспроизведения в

полностью или частично этих материалов.

7. Если на эти продукты или технологии распространяются ограничения экспортного контроля Японии, они должны быть

экспортируется по лицензии правительства Японии и не может быть импортирован в другую страну, кроме утвержденного пункта назначения.

Любая утечка или реэкспорт, противоречащие законам и правилам экспортного контроля Японии и/или

страны назначения, запрещены.

8. Пожалуйста, свяжитесь с Renesas Technology Corporation для получения дополнительной информации об этих материалах или продуктах

, содержащихся в них.

от 1N5223B до 1N5258B

Кремниевые эпитаксиальные планарные стабилитроны для регулирования напряжения

ADE-208-137B (Z)

Rev.2

Декабрь 2001 г.

Особенности

•

Стеклянный корпус обеспечивает высокую надежность.

•

Широкий спектр напряжения стабилитрона от 2,7 В до 36 В обеспечивает гибкость применения.

Информация для заказа

Типовой номер

1N5223B —

1N5258B

Катодная лента

Black

Mark

Type No.

Package Code

DO-35

Pin Arrangement

1

Type No.

Cathode band

2

1. Cathode

2. Anode

от 1N5223B до 1N5258B

Абсолютные максимальные номинальные значения

(Ta = 25°C)

Поз.0135 Storage temperature

Symbol

Pd

Pd(surge)

*

T

L

*

Tj

*

2

3

1

Value

500

10

230

200

–65 to +200

Unit

mW

W

°C

°C

°C

Tstg

Notes: 1. Non-recurrent square wave, pw = 8,3 мс, Tj = 55°C, Tj до помпажа.

2. Менее 1/16 дюйма от корпуса в течение 10 секунд.

3. Стандартная печатная плата, см. рис. 2.

Электрические характеристики

(Ta = 25°C)

В

Z

(V)

Test

Condition

I

R

(µA)

µ

Test

Condition

Z

ZT

(Ω)

Ω

Test

Condition

З

ЗК

(Ω)

Ω

Test

Condition

γ

Z

(%/°C)

*

V

F

*

(V)

%°

1

2

I

Z

(MA)

1N5223B 2,7 ± 5 (%) 20

1N5224B 2,8 ± 5 (%) 20

1N5224B 2,8 ± 5 (%) 20

1N5224B 2,8 ± 5 (%) 20

1N5224B 2,8 ± 5 (%) 20

1N5224B 2,7. ± 5 (%) 20

1N5227B 3,6 ± 5 (%) 20

1N5228B 3,9 ± 5 (%) 20

1N5229B 4,3 ± 5 (%) 20

1N5230B 4,7 ± 5 (%) 20

1N5231B 5,1 ± 5 (%) 20

1N5232B 5,6 ± 5 (%) 20

1N5232B 5,6 ± 5 (%) 200137

1N5232B 5,6 ± 5 (%) 200137

1N5232B 5,6 ± 5 (%) 200137

1N5232B 5,6 (%) 200137

1N5232B 5,6 (%) 200137

1N5232B 5,6 (%) 200137

1N5232B 5.

1N5234B 6,2 ± 5 (%) 20

1N5235B 6,8 ± 5 (%) 20

1N5236B 7,5 ± 5 (%) 20

1N5237B 8.2 ± 5 (%) 20

1N5237B 8.2 ± 5 (%) 20

1N5237B 8.2 ± 5 (%) 20

1N5237B 8.2 ± 5 (%) 20

1N5237B 8.2 (%) 20

1N5237B 8.2 (%) 20

1N5237B 8.

Макс.

75

75

50

25

15

10

5

537

5

5

5

5

3

3

3

3

V

R

(V)

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

1.0

2.0

2.0

3.0

3.5

4.0

5.0

6.0

6.5

6.5

Max

30

30

29

28

24

23

22

19

17

11

7

7

5

6

8

8

I

ZT

(mA)

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

20

Max

1300

1400

1600

1600

1700

1900

2000

1900

1600

1600

1600

1000

750

500

500

600

I

ZK

(mA) Max

0. 25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

-0.08

-0.08

-0.075

-0.07

-0.065

-0.06

± 0.055

±0.03

±0.03

+0.038

+0.038

+0.045

+0.05

+0.058

+0.062

+0.065

Max

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

1.1

Notes: 1. 1N5223 to 1N5242: I

Z

= 7,5 мА, 1N5243 до 1N5258: I

Z

= I

Z,

, TA = 25 ° C до 1255 ° C

Z,

, TA = 25 ° C TO 1255 ° C

.

F

= 200 мА

Ред.2, декабрь 2001 г., стр. 2 из 7

1N5223B through 1N5258B

Electrical Characteristics

(cont)

(Ta = 25°C)

V

Z

(V)

Test

Condition

I

R

(µA )

µ

Test

Condition

Z

ZT

(Ω)

Ω

Test

Condition

Z

ZK

(Ω)

Ω

Test

Condition

γ

Z

(%/°C)

*

V

F

*

(V)

%°

1

2

I

Z

(MA)

1N5239B 9,1 ± 5 (%) 20

1N5240B 10 ± 5 (%)

1N5241B 11 ± 5 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5242B 12 (%)

1N5241B

1N5244B 14 ± 5 ​​(%)

1N5245B 15 ± 5 (%)

1N5246B 16 ± 5 (%)

1N5247B 17 ± 5 (%)

1N5248B 18 ± 5 (%)

1N5249B 19 ± 5 (%)

1N5250B 20 ± 5 (%)

1N52551B 20 ± 5 (%)

1N52551B 20 ± 5 (%)

1N52551B 225550B 20 ± 5 (%)

1N52551B 225550B 20 ± 5 (%)

1N52551B 225550B 20 ± 5 (%)

1N5251B 225550B 20 ± 5 (%)

1N551B 225550B 20 ± 5 (%) (%)

1N5253B 25 ± 5 (%)

1N5254B 27 ± 5 (%)

1N5255B 28 ± 5 (%)

1N5256B 30 ± 5 (%)

1N5257B 33 ± 5 (%)

1N5258B 36 ± 5 (%)

20

20

20

9,5

9,0

8,5

5,7

13,8

7. 0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Max

3

3

2

1

0.5

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

V

R

(V)

7.5

8.0

8.4

9.1

9.9

10

11

12

13

14

14

15

17

18

19

21

21

23

25

27

Max

10

17

22

30

13

15

16

17

19

21

23

25

29

33

35

41

44

49

58

70

I

ZT

(mA)

20

20

20

20

9. 5

9.0

8.5

7.8

7.4

7.0

6.6

6.2

5.6

5.2

5.0

4.6

4.5

4.2

3.8

3.4

Max

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

600

700

700

I

ZK

(mA) Max

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

0.25

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.082

+0.083

+0.084

+0.