Отличные характеристики по допуску сопротивления, тепловому коэффициенту сопротивления, высокочастотным характеристикам, характеристикам отсутствия шумов по току и минимальным искажениям третьей гармоники. Наши компоненты SMD способствуют бессвинцовому составу электронных продуктов.

Сопротивление Допуск Сопротивление (RR1632 и RR2632 выражены четырехзначными числами.) Температурный коэффициент сопротивления Размеры Код детали

RG1608P-1541-B-T5 : Тонкопленочные резисторы — SMD 1/16 Вт 1,54 кОм 0,1% 25 частей на миллион Сверхпрецизионные тонкопленочные резисторы серии Susumu RG отличаются высокой надежностью и превосходной стабильностью в различных условиях окружающей среды с допусками сопротивления от ±0,02% до ±0,5%. Благодаря конструкции THIN FILM (NiCr) с низким уровнем шума серия RG идеально подходит для автомобильной промышленности, протестируйте

RG3216N-1130-C-T5: 113 Ом, 0,25 Вт, чип-резистор 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 113 OHM 1/4W .1% 1206 Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 113 Ом; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

RG1005P-821-B-T5: 820 Ом, 0,063 Вт, чип-резистор 1/16 Вт — поверхностный монтаж; RES 820 OHM 1/16W 0.1% 0402 SMD Характеристики: Сопротивление (Ом): 820 Ом; Мощность (Ватт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: Digi-Reel; Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует RoHS

RG3216P-9312-B-T1: 93,1 кОм, 0,25 Вт, чип-резистор 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 93,1K OHM 1/4W 0,1% 1206 Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 93,1K; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

RG3216N-9533-D-T5: 953 кОм, 0,25 Вт, чип-резистор 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 953K OHM 1/4W . 1% 1206 Характеристики: Сопротивление (Ом): 953К ; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

RG1005N-3831-B-T1 : 3,83 кОм, 0,063 Вт, чип-резистор 1/16 Вт — поверхностный монтаж; RES 3.83K OHM 1/16W .1% 0402 Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 3.83K ; Мощность (Ватт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует RoHS

RR1220P-3921-B-M-T5 : 3,92 кОм, 0,1 Вт, чип-резистор 1/10 Вт — поверхностный монтаж; RES 3.92K OHM 1/10W .1% 0805 SMD Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 3.92K; Мощность (Ватт): 0,1 Вт, 1/10 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: Cut Tape (CT); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS

RG3216P-4020-W-T1: 402 Ом, 0,25 Вт, чип-резистор 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 402 OHM 1/4W . 1% 1206 Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 402 ; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: Cut Tape (CT); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует RoHS

RG1005N-431-P-T1: 430 Ом, 0,063 Вт, чип-резистор 1/16 Вт — поверхностный монтаж; RES 430 OHM 1/16 Вт 0,02% 0402 Характеристики: Сопротивление (Ом): 430 Ом; Мощность (Ватт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 0,02%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS

PAT1632C7DBT : 0 МГц — 3000 МГц ВЧ/СВЧ ФИКСИРОВАННЫЙ АТТЕНЮАТОР Технические характеристики: Тип аттенюатора: Фиксированный; Частота: от 0,0 до 3 ГГц; КСВ: 1,3 1 ; Затухание: 0,0 дБ; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-3

2SC5003 : Встроенный демпферный диод, кремниевый NPN тройной диффузионный планарный транзистор. Обозначение VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg до +150 Единица C Кремниевый NPN Тройной диффузионный планарный транзистор (высоковольтный переключающий транзистор) sЭлектрические характеристики Обозначение ICBO1 ICBO2 ICEO VEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) VFEC fT COB Применение: Отображение выходного сигнала горизонтального отклонения , Импульсный регулятор и Внешние размеры общего назначения FM100(TO3PF).

AVD05P : Кремниевый ВЧ-транзистор NPN.

BCR16CS

EFA160A : GaAs. 8-12V GAAS Power Feet с низким уровнем искажений. +29,0 дБм Типичная выходная мощность 9,0 дБ Типичное усиление мощности x 1600 микрон рекупленное «грибные» шейки Si3n4 Passivation Advanced EpiTaxial Doping Profile обеспечивает высокую эффективность мощности, линейность и надежность, сортируемые в 30 мА на бин -диапазон RTHS RTHS Rths RTHS RTHS Rths RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS RTHS ПАРАМЕТРЫ/УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ Выходная мощность при сжатии 1 дБ Vds=8V,.

EMF6 : . ! 1) Силовая коммутационная схема в едином корпусе. 2) Стоимость монтажа и площадь можно сократить вдвое. Тип Упаковка Обозначение Код Базовая единица заказа (шт.) T2R 8000 Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Обозначение Пределы VCBO -15 VCEO -12 -6 VEBO -500 IC Ток коллектора -1,0 ICP 150(ВСЕГО) ПК Мощность рассеивание Tj 150 Соединение.

MMBZ15VALT3 : Двойной стабилитрон SOT23 . 225 Вт 15 В, упаковка: SOT-23 (TO-236), контакты = 3. Стабилитроны с пиковой мощностью 24 и 40 Вт Эти двойные монолитные кремниевые стабилитроны предназначены для приложений, требующих защиты от переходных перенапряжений. Они предназначены для использования в чувствительном к напряжению и электростатическому разряду оборудовании, таком как компьютеры, принтеры, бизнес-машины, системы связи, медицинское оборудование и другое.

S9G73 : GaAs. Микроволновая мощность GAAS Fet.

ZMY22 : Стабилитроны. Кремниевые планарные силовые стабилитроны Для использования в стабилизирующих и ограничивающих схемах с более высокой номинальной мощностью. Напряжения Зенера классифицируются в соответствии с международным стандартом E24. Меньшие допуски по напряжению и другие напряжения Зенера доступны по запросу. Эти диоды также доступны в корпусе DO-41 с обозначением типа ZPY1 ZPY100. Случай:.

03028BX472AKU : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BX, 0,0047 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0047 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

05002-200CGZP : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, ВР, 0,00002 мкФ, НАНЕСИТЕЛЬНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 2,00E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 2 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

0805Y271M160N : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 16 В, Y5 В, 0,00027 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0805. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 2,70E-4 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 16 вольт; Способ крепления:.

CWR19CB157JZGA : КОНДЕНСАТОР ТАНТАЛОВЫЙ, ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 4 В, 150 мкФ, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТЬ. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые ; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 150 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 4 вольта; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Операционная.

FLK102XV : ДИАПАЗОН KU, GaAs, N-КАНАЛЬНЫЙ, РЧ МАЛЫЙ СИГНАЛ, HEMFET. s: Тип транзистора/технология: HEMT; Полярность: N-канал.

TSM6866DCARV : 6 A, 20 В, 0,03 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛА, Si, POWER, MOSFET. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 20 вольт; RDS(вкл.): 0,0300 Ом; PD: 1600 мВт; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, TSSOP-8; Количество единиц в IC: 2.