Симисторы (триаки) от Philips Semiconductors

Что такое симистор?

Рис. 1. Обозначение симистора

Он представляет собой «двунаправленный тиристор» и имеет три электрода: один управляющий и два основных для пропускания рабочего тока. Особенностью симистора является способность проводить ток как от анода к катоду, так и в обратном направлении.

Структура симистора представлена на рис. 2.

Рис. 2. Структура симистора

В отличие от тиристоров симистор может управляться как положительным, так и отрицательным током между затвором и T1. Это свойство позволяет симистору работать во всех четырех секторах, как показано на рис. 3. (плюс и минус обозначают полярность затвора). Для управления режимом работы симистора используется низковольтный сигнал, подаваемый на управляющий электрод симистора. При подаче напряжения на управляющий электрод симистор переходит из закрытого состояния в открытое и пропускает через себя ток.

Рис. 3. Спецификация квадрантов

Симистор открывается, если через управляющий электрод проходит отпирающий ток или если напряжение между его электродами Т1 и Т2 превышает некоторую максимальную величину (на самом деле это часто приводит к несанкционированным срабатываниям симистора, происходящим при максимуме амплитуды напряжения питания). В режиме переменного питания смена состояний симистора вызывается изменением полярности напряжения на рабочих электродах Т1 и Т2.

Симистор переходит в закрытое состояние после изменения полярности между его выводами Т1 и Т2 или если значение рабочего тока меньше тока удержания.

Все режимы работы симистора отображены на рис. 3.

Когда затвор управляется постоянным током или однополярными импульсами с нулевым значением тока нагрузки, в квадрантах (3+, 3-) предпочтителен отрицательный ток затвора по следующим причинам: во-первых, для внутреннего строения переходов симистора характерно то, что затвор наиболее отдален от области основной проводимости в квадранте 3+. Во-вторых, при более высоком значении

I_GT (отпирающий ток управляющего электрода) требуется более высокий пиковый I_G. При более длинной задержке между I_G и током нагрузки требуется большая продолжительность I_G. Кроме того, низкое значение dI_T/dt (максимально допустимое изменение текущего тока после переключения) может вызывать перегорание затвора при управлении нагрузками, создающими высокий dI /dt (включение холодной лампы накаливания, емкостные нагрузки). Наконец, чем выше I_L — ток срабатывания (это относится и к квадранту 1-), тем большая продолжительность I_G необходима для малых нагрузок, что позволит току нагрузки с начала полупериода достичь значения выше I_L.

В стандартных цепях управления фазой переменного тока, таких как регуляторы яркости и регуляторы скорости вращения, полярность затвора и T2 всегда одинаковы. Это означает, что управление производится всегда в квадрантах 1+ и 3-, в которых коммутирующие параметры симистора одинаковы, а затвор наиболее чувствителен.

Эти данные получены из графика вольт-амперной характеристики симистора. Положительному напряжению T2 соответствует положительное значение тока через T2, и наоборот (см. рис. 4).

Рис. 4. ВАХ симистора

Для предотвращения ложных срабатываний симисторов, вызванных шумами и пульсациями, создаваемыми двигателями, цепи, использующие четырехквадрантные (4Q) симисторы, должны иметь дополнительные компоненты защиты. Это, как правило, демпферная RC-цепочка между силовыми электродами симистора, которая используется для ограничения скорости изменения напряжения (dV/

dt), а в некоторых случаях необходима индуктивность для ограничения скорости изменения тока при коммутации (dI_COM/dt). Данные компоненты увеличивают стоимость устройства и его габариты, а также они могут уменьшать надежность устройства.

Преимущества трехквадрантных симисторов (Hi-com)

Отличие 3Q-симистораа от 4Q-симистора заключается в некритичной структуре перекрытия переходов у затвора. И хотя это делает его неспособным к управлению в квадранте 3+, зато устраняет возможное самопроизвольное срабатывание и помогает избежать всех неудобств, относящихся к 4Q-симисторам. Так как большинство устройств работает в квадрантах 1+ и 3- (управление фазой), или 1- и 3-(однополярное управление с помощью интегральных схем или других электронных цепей), то потеря управления в квадранте 3+ — очень малая цена за полученные преимущества.

Hi-com-симисторы имеют ряд преимуществ перед 4-квадрантными. Основной минус применения 4Q-симистора заключается в необходимости предотвращения ложных срабатываний, вызванных шумами и пульсациями, что заставляет использовать демпферную RC-цепочку. Кроме того, к особенностям 3Q-симисторов относятся:

• увеличение допустимого значения dV_COM/dt (критическое значение изменения коммутирующего напряжения). Это позволяет управлять реактивными нагрузками (в большинстве случаев) без необходимости в демпфирующем устройстве, без сбоев в коммутации. Таким образом, можно сократить количество элементов, размер печатной платы, стоимость, а также устранить потери на рассеивание энергии демпфирующим устройством;
• увеличение допустимого значения dI_COM /dt (критическое значение изменения коммутирующего тока) значительно улучшает работу на более высоких частотах и для несинусоидальных напряжений без необходимости в ограничении dI_COM /dt при помощи индуктивности последовательно с нагрузкой;
• увеличение допустимого значения dV_D/dt. Симисторы очень чувствительны при высоких рабочих температурах. Высокое значение dV_D /dt уменьшает тенденцию к самопроизвольному включению из состояния отсутствия проводимости за счет dV/dt при высоких температурах. Это позволяет применять их при высоких температурах для управления резистивными нагрузками в кухонных или нагревательных приборах, где обычные симисторы не могут использоваться. Данные особенности исключают необходимость использования дросселя или демпфера. В связи с этим симисторы 3Q (Hi-com) с успехом могут применяться в мощных электродвигателях, предназначенных для современной бытовой техники.

 

Производители симисторов

Сейчас изготовлением симисторов (как 4-квадрантных, так и Hi-com) заняты ведущие производители полупроводников. Среди них можно выделить Philips Semiconductors, STMicroelectronics, ON Semiconductors, Crydom. Все производители пытаются покрыть как можно большую номенклатуру симисторов. Ниже вы можете видеть сводную таблицу (таблица 1) аналогов симисторов, номиналами от 1 до 25 А и от 400 до 800 В.

Таблица 1. Производители симисторов

Следует особо отметить, что Philips и Crydom уже выпускают симисторы, рассчитанные на 1000 В (BTA208X-1000C и BTA208X-1000B от Philips, несколько слов о них будет сказано ниже, и их аналоги от Crydom — CTA24-1000CW и CTA24-1000BW).

Некоторые производители также стали выпускать симисторы, рассчитанные на 40А: CTB40-400 B, CTB40-600 B и CTB40-800 B от Crydom, а также BTA40-600B, BTA40-800 B, BTA41-600 B, BTA41-600 B, BTB41-600 B и BTB41-800 B от STMicroelectronics. Недавно и Philips анонсировал предстоящий в ближайшее время выпуск 40-В симисторов.

 

Симисторы от Philips

Компания Philips Semiconductors является ведущим производителем Hi-com-симисторов, столь широко используемых во многих отраслях промышленности. На данный момент линейка Hi-com-симисторов представлена следующими моделями, приведенными в таблице 2.

Таблица 2.

Особое внимание обратим на новые Hi-com-симисторы BTA208X-1000 C и BTA208X-1000 B.

Эти симисторы используются для управления мощными электромоторами, где имеется высокое запирающее напряжение, статическое и динамическое

dV/dt. Данный симистор переключает направление полного номинального среднеквадратического тока при максимальной номинальной температуре перехода без помощи демпфера.

Особенности BTA208 B-1000 C:

• защита от ложного запуска;
• гарантированное V_drm = 1000 В.

Рассмотрим некоторые графики, демонстрирующие свойства данного симистора:

1. Полное разложение мощности как функции среднеквадратического тока в открытом состоянии (рис. 5).
2. Среднеквадратический ток в открытом состоянии как функция повышающейся основной температуры (рис. 6).

Рис. 6.

 

Применение симисторов

В настоящий момент симисторы применяются во многих областях техники, например в бытовых и электрических приборах и инструментах, электромоторах, диммерах и т. д.

О диммерах хотелось бы поговорить немного подробнее.

В двух словах диммер — это многоканальный симисторный регулятор для управления яркостью ламп накаливания. Диммированием света называется регулировка напряжения источника света (лампы) с целью изменения ее светового потока. Диммирование света имеет широчайшее применение во многих сферах, связанных с использованием профессионального света, например в театрально-сценических постановках и концертных программах, где очень часто требуется возможность оперативного изменения освещенности отдельных участков сцены.

Диммингом пользуются даже мобильные тележурналисты, осветительная аппаратура которых работает от батарей. Для них важно, чтобы во время съемки лампы работали на полную мощность, а все остальное время находились в режиме готовности к работе.

Рассмотрим принцип работы диммера.

Напряжение, используемое в промышленности, является переменным -220 В, 50 Гц, то есть сетевое напряжение имеет вид синусоиды (рис. 7).

Рис. 7.

Большинство диммеров бытового и профессионального назначения, изготовленных на базе симисторов, используют импульсно-фазовый метод управления. Открывая сими-стор с большей или меньшей задержкой по времени, возможно «вырезать» соответствующую часть синусоиды питающего напряжения (рис. 8).

Рис. 8.

Таким образом, среднее напряжение на выходе устройства изменяется пропорционально изменению времени задержки открытия симистора.

Если крутить ручку управления яркости диммера в сторону увеличения, то напряжение будет изменяться так, как показано на рис. 9.

Рис. 9.

Другими словами, диммеры не уменьшают амплитуду напряжения, а только изменяют форму синусоиды. Вследствие этого применение диммеров в качестве регуляторов напряжения невозможно, поскольку электронная схема управления компактной люминесцентной лампой содержит компоненты, которые могут в этом случае выйти из строя.

Симистор, выполняющий функцию силового ключа, является основным элементом диммера. Он упрощает конструкцию диммера и значительно сокращает стоимость, например, по сравнению с аналогичным диммером на тиристоре.

 

Заключение

Подводя итог под рассмотренными свойствами симисторов, можно кратко выделить их основные преимущества:

1. Высокая частота срабатывания позволяет добиться высокой точности управления.
2. Ресурс работы значительно выше, чем у электромеханических компонентов.
3. Позволяют значительно уменьшить размеры силового блока.
4. Низкий уровень шума при коммутации силовых цепей.

Помимо всего, симистор является элементом силовой электроники — одной из наиболее динамично развивающихся областей российской электроники. По различным оценкам, она обеспечивает до 50% всего оборота на отечественном рынке изделий электроники. Как считают многие специалисты, российские разработчики и производители могут составить в этой области реальную конкуренцию иностранным фирмам. Применяется силовая электроника везде: при производстве электроэнергии, ее передаче и потреблении. По предварительным прогнозам, объем рынка силовой электроники в мире уже сейчас составляет около $300 млрд, из них на Россию приходится около $6 млрд. А вскоре, когда будет принята программа энергосбережения, емкость рынка может значительно возрасти.

Соответственно, объемы производства и применения симисторов как элемента силовой электроники постоянно растут. Нагревательные устройства (кухонные плиты, печи и т. д.), компрессоры кондиционеров и холодильников, кухонные комбайны, миксеры, швейные машины, вентиляторы, пылесосы, стиральные машины — вот лишь часть приборов, в которых находят активное применение и продолжают внедряться симисторы. Используя их, вы получаете значительную экономию средств, времени, преимущества в простоте разработки, а следовательно, и дополнительную прибыль.

Продолжение саги о тиристорах

В одной из предыдущих новостей были упомянуты «старые знакомые» — тиристоры. Основной особенностью их применения, можно сказать недостатком, является односторонняя проводимость в открытом состоянии. Другими словами, включая тиристоры в цепь переменного тока, мы получаем на нагрузке напряжение с постоянной составляющей. Не всегда нагрузка «её переносит», особенно если это первичная обмотка трансформатора. Подобного явления можно избежать, если тиристор включить в диагональ выпрямительного моста, а через другую диагональ моста подключить нагрузку, как показано на рисунке.

 

 

Несинусоидальность напряжения на нагрузке всё равно останется, а постоянной составляющей не будет. Избавиться от громоздкости схемы позволит применение симметричного тиристора.

 

Симметричный тиристор

Симметричный тиристор, симистор (или «триак» — от англ. triac) – полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации нагрузки в сети переменного тока. Он представляет собой «двунаправленный тиристор» и имеет также три электрода: один управляющий и два основных (силовых) для пропускания рабочего тока.

Основной особенностью симистора является способность проводить ток в обоих направлениях между силовыми электродами. Это очевидно по его вольт-амперной характеристике (ВАХ).

 

Как видно из рисунка, отрицательная (обратная) ветвь ВАХ симистора, в отличие от ВАХ тиристора повторяет прямую ветвь. Также, в отличие от тиристоров, прибор может управляться как положительным, так и отрицательным током между управляющим и силовым электродом. Для управления используется низковольтный сигнал. При подаче управляющего напряжения симистор переходит из закрытого состояния в открытое и пропускает через себя ток. При питании от сети переменного тока смена состояний симистора вызывается изменением полярности напряжения между основными электродами. Симистор перейдёт в закрытое состояние после изменения полярности или когда значение рабочего тока станет меньше тока удержания (I_G на ВАХ).

 

Режимы работы симистора отображены на рисунке.

 

 

 

 

Здесь показаны G — управляющий вывод (затвор) и Т2 – силовой вывод.

В стандартных цепях управления переменным током, таких как регуляторы яркости и регуляторы скорости вращения, полярность затвора и T2 всегда одинаковы. Это означает, что управление симистором производится всегда в 1+ и 3- квадрантах, в которых коммутирующие параметры симистора одинаковы, а затвор наиболее чувствителен. Данные о режимах работы получены на основании ВАХ прибора. Положительному напряжению на T2 соответствует прямая ветвь ВАХ, отрицательному – обратная. В практике применения бытуют трёхквадрантные (3Q) и четырёхквадрантные (4Q) симисторы. Диаграммы напряжения на нагрузке приведены на рисунке:

Здесь Iупр – ток управления симистором, Ԏ — длительность импульса управления. Видно, что для 3Q — симисторов длительность импульса управления не влияет на закрывание прибора.

Отличие между 3Q — и 4Q – симисторами показано на рисунке:

Для предотвращения ложных срабатываний симисторов, вызванных шумами и пульсациями, создаваемыми двигателями, цепи, использующие 4Q — симисторы, должны иметь дополнительные компоненты защиты. Это демпферная RC-цепочка между силовыми электродами, которая используется для ограничения скорости изменения нарастания напряжения и тока, таким образом подавляя помехи (снабберная цепь). Существуют приборы со встроенной снабберной цепью, однако они увеличивают габариты устройства и его стоимость.

 

В результате применения симистора схема будет иметь вид: 

В данном случае в качестве нагрузки возможно включение сетевого трансформатора.

Основные параметры симисторов:

• VDRM — пиковое прямое напряжение выключения (VBO на ВАХ)
• IDRM — пиковый прямой ток выключения (IL на ВАХ)
• VRRM — пиковое обратное напряжение отключения (-VBO на ВАХ)
• IRRM — пиковый обратный ток выключения (-IL на ВАХ)
• VTM — максимальное входное напряжение
• IH – ток удержания
• диапазон рабочих температур
• время включения и выключения

Ведущим производителем приборов является фирма STMicroelectronics. Изначально в июне 1987 года фирма была создана как SGS-THOMSON Microelectronics, в результате слияния компаний SGS Microelettronica (Италия) и Thomson Semiconducteurs (Франция). В мае 1998 года компания была переименована в STMicroelectronics. На сегодняшний день это известный производитель интегральных устройств, в составе которого около 7400 человек, работающих в различных областях НИОКР. Только  за 2017 год было оформлено более 17 000 патентов, 9500 патентных предложений и 500 новых патентных заявок.

 

 

Другим наиболее известным производителем симисторов является фирма WeEn. Деятельность этого производителя освещена в предыдущей новости.

 

 

В семействе выпускаемых симисторов широкого применения имеются приборы на коммутируемые токи до 40 А и напряжения до 1200 В, что в несколько раз превышает величины параметров у их «собратьев» — тиристоров. При этом напряжения управления начинаются от 900 мВ, а токи управления — от 3 мА. Существует класс приборов, предназначенный для применения в цифровой технике, управляемый сигналами логического уровня – «Logic sensitive gate». Отдельного упоминания заслуживают симисторы, производящиеся со встроенной снабберной защитой от импульсных перенапряжений при коммутации (BTA06-600BRG, BTA16-600BRG). Кроме того, у нас в продаже имеются и бесснаберные (Snubberless, Alternistor — Snubberless) симисторы, без встроенной защиты (BTA10-800BWRG, BTA12-800CWRG).

 

Симисторы также, как и тиристоры, изготавливаются в корпусах для монтажа в отверстия и для поверхностного монтажа.

 

Примеры обозначения серий симисторов

В настоящее время симисторы применяются:

• Управление мощными цепями переменного тока (сварочные аппараты, электродвигатели локомотивов подвижного железнодорожного состава, и т. д.)
• Коммутация цепей переменного тока
• Мощные регулируемые источники первичного электропитания

принцип работы, проверка и включение, схемы

Как он работает и для чего нужен

Симистор является полупроводниковым прибором. Его полное название – симметричный триодный тиристор. Его особенность – возможно проводить ток в обе стороны. Данный элемент цепи имеет три вывода: один является управляющим, а два других силовыми. В этой статье мы рассмотрим принцип работы, устройство и назначение симистора в различных схемах электроприборов. В таблице ниже представлены характеристики популярных симисторов:

Таблица характеристик популярных симисторов.

Конструкция и принцип действия

Особенность симистора является двунаправленной проводимости идущего через прибор электрического тока. Конструкция устройства строится на использовании двух встречно-параллельных тиристоров с общим управлением. Такой принцип работы дал название от сокращенного «симметрические тиристоры». Поскольку электроток может протекать в обе стороны, нет смысла обозначать силовые выводы как анод и катод. Дополняет общую картину управляющий электрод. В симисторе есть пять переходов, позволяющих организовать две структуры. Какая из них будет использоваться зависит от места образования (конкретный силовой вывод) отрицательной полярности.

Симистор.

Тиристоры

Тиристор является переключающим полупроводниковым прибором, который способен пропускать ток только в одном направлении. Его нередко называют вентилем и проводят аналогии между ним и управляемым диодом. У тиристоров имеется три вывода, причем один – это электрод управления. Это, если выразиться грубо, кнопка, при помощи которой происходит переключение элемента в проводящий режим. В статье будет рассмотрен частный случай тиристора – симистор — устройство и работа его в различных цепях.

Тиристор – это еще выпрямитель, выключатель и даже усилитель сигнала. Нередко его используют в качестве регулятора (но только в том случае, когда вся электросхема запитывается от источника переменного напряжения). У всех тиристоров имеются некоторые особенности, о которых нужно поговорить более подробно.

Как работает устройство

Исходно полупроводниковый прибор находится в запертом состоянии и ток по нему не проходит. При подаче тока на управляющий электрод, последний переходит в открытое состояние и симистор начинает пропускать через себя ток. При работе от сети переменного тока полярность на контактах постоянно меняется. Схема, где используется рассматриваемый элемент, при этом будет работать без проблем. Ведь ток пропускается в обоих направлениях. Чтобы симистор выполнял свои функции, на управляющий электрод подают импульс тока, после снятия импульса ток через условные анод и катод продолжает протекать до тех пор, пока цепь не будет разорвана или они не будут находится под напряжением обратной полярности.

Это один из видов тиристоров, отличающийся от базового типа большим числом p-n переходов, и как следствие этого, принципом работы (он будет описан ниже). Характерно, что в элементной базе некоторых стран данный тип считается самостоятельным полупроводниковым устройством.

При использовании в цепи переменного тока симистор закрывается на обратной полуволне синусоиды, тогда нужно подавать импульс противоположной полярности (той же, под которой находятся «силовые» электроды элемента).

Принцип действия системы управления может корректироваться в зависимости от конкретного случая и применения. После открытия и начала протекания подавать ток на управляющий электрод не нужно. Цепь питания разрываться не будет. При надобности отключить питание следует понизить ток в цепи ниже уровня величины удержания или кратковременно разорвать цепь питания.

Управляющие сигналы

Чтобы добиться желаемого результата с симистором используют не напряжение, а ток. Чтобы прибор открылся, он должен быть на определённом небольшом уровне. Для каждого симистора сила управляющего тока может быть разной, её можно узнать из даташита на конкретный элемент. Например, для симистора КУ208 этот ток должен быть больше 160 мА, а для КУ201 —не менее 70 мА.

Симистор иностранного производства.

Полярность управляющего сигнала должна совпадать с полярностью условного анода. Для управления симистором часто используют выключатель и токоограничительный резистор, если он управляется микроконтроллером – может понадобиться дополнительная установка транзистора, чтобы не сжечь выход МК, или использовать симисторный оптодрайвер, типа MOC3041 и подобных. Четырёхквадрантные симисторы могут отпираться сигналом с любой полярностью. В этом преимуществе есть и недостаток – может потребоваться увеличенный управляющий ток. При отсутствии прибор заменяется двумя тиристорами. При этом следует правильно подбирать их параметры и переделывать схему управления. Ведь сигнал будет подаваться на два управляющих вывода.

Интересно по теме: Как проверить стабилитрон.

Свойства тиристоров

Среди огромного множества характеристик этого полупроводникового элемента можно выделить самые существенные:

1. Тиристоры, подобно диодам, способны проводить электрический ток только в одном направлении. В этом случае они работают в схеме, как выпрямительный диод.
2. Из отключенного во включенное состояние тиристор можно перевести, подав на управляющий электрод сигнал с определенной формой. Отсюда вывод – у тиристора как у выключателя имеется два состояния (причем оба устойчивые). Таким же образом может функционировать и симистор. Принцип работы ключа электронного типа на его основе достаточно прост. Но для того чтобы произвести возврат в исходное разомкнутое состояние, необходимо, чтобы выполнялись определенные условия.
3. Ток сигнала управления, который необходим для перехода кристалла тиристора из запертого режима в открытый, намного меньше, нежели рабочий (буквально измеряется в миллиамперах). Это значит, что у тиристора есть свойства усилителя тока.
4. Существует возможность точной регулировки среднего тока, протекающего через подключенную нагрузку, при условии, что нагрузка включена с тиристором последовательно. Точность регулировки напрямую зависит от того, какая длительность сигнала на электроде управления. В этом случае тиристор выступает в качестве регулятора мощности.

Достоинства и недостатки

Для чего нужен рассматриваемый полупроводниковый прибор? Самый популярный вариант использования – коммутация в цепях переменного тока. В этом плане симистор очень удобен – используя небольшой элемент можно обеспечить управление высоковольтного питания. Популярны решения, когда им заменяют обычное электромеханическое реле. Плюс такого решения – отсутствует физический контакт, благодаря чему включение питания становится надежнее, переключение бесшумным, ресурс на порядки больше, быстродействие выше. Еще одно достоинство симистора – относительно невысокая цена, что вместе с высокой надёжностью схемы и временем наработки на отказ выглядит привлекательно.

Будет интересно➡ Что такое динистор?

Полностью избежать минусов разработчикам не удалось. Так, приборы сильно нагреваются под нагрузкой. Приходится обеспечивать отвод тепла. Мощные (или «силовые») симисторы устанавливают на радиаторы. Ещё один недостаток, влияющий на использование, это создание гармонических помех в электросети некоторыми схемами симисторных регуляторов (например, бытовой диммер для регулировки освещенности).

Отметим, что напряжение на нагрузки будет отличаться от синусоиды, что связано с минимальным напряжением и током, при которых возможно включение. Из-за этого подключать следует только нагрузку, не предъявляющую высоких требований к электропитанию. При постановке задачи добиться синусоиды такой способ коммутации не подойдёт. Симисторы сильно подвержены влиянию шумов, переходных процессов и помех. Также не поддерживаются высокие частоты переключения.

Область применения

Характеристики, небольшая стоимость и простота устройства позволяет успешно применять симисторы в промышленности и быту. Их можно найти:

• В стиральной машине.
• В печи.
• В духовках.
• В электродвигателе.

• В перфораторах и дрелях.
• В посудомоечной машине.
• В регуляторах освещения.
• В пылесосе.

На этом перечень, где используется этот полупроводниковый прибор, не ограничивается. Применение рассматриваемого проводникового прибора осуществляется практически во всех электроприборах, что только есть в доме. На него возложена функция управления вращением приводного двигателя в стиральных машинках, они используются на плате управления для запуска работы всевозможных устройств – легче сказать, где их нет.

Основные характеристики

Рассматриваемый полупроводниковый прибор предназначен для управления схемами. Независимо от того, где в схеме он применяется, важны следующие характеристики симисторов:

1. Максимальное напряжение. Показатель, который будучи достигнут на силовых электродах не вызовет, в теории, выхода из строя. Фактически является максимально допустимым значением при условии соблюдения диапазона температур. Будьте осторожны – даже кратковременное превышение может обернуться уничтожением данного элемента цепи.
2. Максимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии. Пиковое значение и допустимый для него период, указываемый в миллисекундах.
3. Рабочий диапазон температур.
4. Отпирающее напряжение управления (соответствует минимальному постоянному отпирающему току).
5. Время включения.
6. Минимальный постоянный ток управления, нужный для включения прибора.
7. Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии. Этот параметр всегда указывают в сопроводительной документации. Обозначает критическую величину напряжения, предельную для данного прибора.
8. Максимальное падение уровня напряжения на симисторе в открытом состоянии. Указывает предельное напряжение, которое может устанавливаться между силовыми электродами в открытом состоянии.
9. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии и напряжения в закрытом. Указываются соответственно в амперах и вольтах за секунду. Превышение рекомендованных значений может привести к пробою или ошибочному открытию не к месту. Следует обеспечивать рабочие условия для соблюдения рекомендованных норм и исключить помехи, у которых динамика превышает заданный параметр.
10. Корпус симистора. Важен для проведения тепловых расчетов и влияет на рассеиваемую мощность.

Вот мы и рассмотрели, что такое симистор, за что он отвечает, где применяется и какими характеристиками обладает. Рассмотренные простым языком теоретические азы позволят заложить основу для будущей результативной деятельности. Надеемся, предоставленная информация была для вас полезной и интересной!

Будет интересно➡ Что такое SMD светодиоды

Как проверить симистор в стиральной машине

Симисторы используются для передачи напряжения на внешние устройства, а также для защиты от перегорания во время нестабильной работы электросети. Такое оборудование может быть разной мощности, а для СМА чаще всего используются модели со средними показателями. Проверка симистора в стиральной машине помогает выявить неисправности и устранить неполадки в разных узлах техники:

• при подключении насосов-помп;
• при подаче потока воды внутрь барабана;
• при подключении электромагнитов и некоторых других узлов.

Как устранить поломку

Чаще всего они выходят из строя из-за частых скачков напряжения в электросети. В одних случаях хватает 1-2 раз, в других система выдерживает больше нагрузок. Еще бывает, что эти детали перегорают из-за попадания воды или моющих средств на контакты. Поэтому в таких случаях необходимо знать, как проверить симистор в стиральной машине, какое для этого требуется оборудование и не привела ли поломка к выходу из строя и других узлов устройства.

Собственными силами в домашних условиях это выявить практически невозможно, особенно если у вас нет соответствующего опыта, навыков и оборудования для проверки. Рекомендуем вам не заниматься самостоятельным ремонтом. В противном случае такая замена симистора в стиральной машине может привести к еще большему числу неполадок или даже серьезным поломкам в системе. В отдельных случаях есть риск полностью вывести технику из строя без возможности дальнейшей ее починки.

Рекомендуем вам не заниматься ремонтом лично, а сразу вызывать мастера на дом. Наши специалисты в Москве оперативно приедут на вызов, проведут диагностику и определят, насколько серьезны неполадки в системе. Наши мастера отлично разбираются в ремонте, знают, чем заменить симистор, как это сделать правильно и быстро.

Назад к списку

www.mosremslugba.ru

Полупроводниковая структура симистора

Структура симистора состоит из пластины, состоящей из чередующихся слоев с электропроводностями p- и n- типа и из контактов электродов основного и управляющего действия. Всего в структуре полупроводника содержится пять слоев p- и n-типа. Область между слоями называется p-n-переходом, который обладает нелинейной ВАХ с небольшим сопротивлением в обратном направлении, где минус – это n-слой, а плюс – p-слой и высокое значение сопротивления в обратном направлении. Пробой p-n-перехода происходит при напряжении равном несколько тысяч вольт.

Во время включения симистора в прямом направлении в работу вступает правая половина структуры. Левая область структуры выключена, она считается для тока, с обладанием очень высоким сопротивлением. Характеристики симистора динамического и статического плана при его действии в прямом направлении, при поступлении положительного управляющего сигнала соответствуют аналогичным характеристикам тиристора, работающего в прямом направлении.

По этой схеме к СЭУ прилагается напряжение со знаком плюс, относительно СЭ, а p—n-переходы j2 и j4 подключаются в прямом, а p—n-переходы j1 и j3 – в обратную сторону. Благодаря этому структура может рассматриваться, как структура тиристора, подключенная в обратном направлении, не принимающая участие в работе по пропусканию тока. В этом случае действие прибора определяется при помощи левой части структуры и представляет собой обратно ориентированную p—n—p—n структуру с добавочным пятым слоем n0 , который граничит со слоем p1.

Использование симистора

Симистор представляется настолько гибким и универсальным устройством, что благодаря его свойству переключения в проводящее состояние запускаемым импульсом с положительным или отрицательным знаком, который не зависит от источника проявляющего свойства мгновенной полярности. По сути названия анод и катод для прибора не имеют большой актуальности.

• Одно из популярных и простейших сфер использования симистора может считаться его применение в качестветвердотельного реле. Для него характерно малое значение пускового тока достаточного для нагрузки с большими токами. Функцию ключа в таком устройстве может играть геркон, или обладающее большой чувствительностью термореле и прочие контактные пары с током до 50мА, при этом величина тока нагрузки может ограничиваться исключительно показателями, на которые рассчитан симистор.
• 2Не менее широко использование симистора в качестве регулятора интенсивности освещения и управления скоростью вращения электромотора. Схема построена на спользовании запускающих элементов, которые устанавливаются RC-фазовращателем, такой элемент, как потенциометр регулирует интенсивность освещения, а резистор служит для ограничения тока нагрузки. Формирование импульсов выполняется с помощью динистора. После пробоя в динисторе, который происходит в результате разности потенциалов на конденсаторе, импульс разряда конденсатора, возникающий мгновенно включает симистор.
• Управление мощностью в нагрузке с использованием в схеме добавочной RC-цепочки, что дает большой фазовый сдвиг, который облегчает задачу по управлению мощности.

Обозначение симистора на схеме.

Преимущества использования симисторов

• Увеличение разрешенной критической величины напряжения коммутации, что разрешает управления большими реактивными нагрузками без существенных сбоев в коммутации. Это позволяет уменьшить число компонентов, размеры печатной платы, снизить цену и убрать потери на рассеивание энергии демпфером.
• Повышение критической величины изменения тока коммутации, что повышает качество работы на высокой частоте для несинусоидального напряжения.
• Большая чувствительность к высокой температуре рабочего процесса.
• Высокое значение допустимого напряжения снижает стремление к самовключению из состояния отсутствия проводимости при большой температуре, что разрешает их использование для резистивных нагрузок по управлению бытовой и нагревательной техникой.
• Долговечность симистора, обусловленная рабочими температурными перепадами, отличается практически неограниченным ресурсом.
• Отсутствие искрообразования и возможность управления в момент нулевого тока в сети, что снижает электромагнитные помехи.

Основные достоинства симистора:

1. большая частота срабатывания для высокой точности управления;
2. высокий ресурс по сравнению с релейными электромеханическими устройствами;
3. возможность добиться небольших размеров приборов;
4. отсутствие шума при включении и отключении электроцепей.

Силовая электроника, с использованием симисторов, разработанная отечественными производителями благодаря своим качественным показателям может составить западным фирмам высокую конкуренцию.

Материал по теме: Как подключить конденсатор

Виды симисторов

Говоря о видах симисторов, следует принять тот факт, что это симистор является одним из видов тиристоров. Когда имеются в виду различия по работе, то и тиристор можно представить своего рода разновидностью симистора. Различия касаются лишь по управляющему катоду и в разных принципах работы этих тиристоров. Читайте что такое импульсный блок питания.

Поврежденные симисторы.

Импортные симисторы широко представлены на отечественном рынке. Их основное отличие от отечественных симисторов заключается в том, что они не требуют предварительной настройки в самой схеме, что позволяет экономить детали и место на печатной плате. Как правило, они начинают работать сразу после включения в схему. Следует лишь точно подобрать необходимый симистор по всем требуемым характеристикам.

• На замену Z00607 хорошо подходят ы BT131-600, только они максимально подходят по всем характеристикам
• Полностью аналогичный у Z7M является МАС97А8.
• z3m . Такой же , как и чуть выше. Различия в токе по управляющему ключу и в максимальном напряжении. Полностью аналогичен по замене на MAC97A8
• ВТА 16 600 — импортный , рассчитанный на использование в цепях до 16 ампер и напряжением до 600 вольт
• Этот очень часто используется концерном Samsung в производстве бытовых приборов. Аналогом этого полупроводника и, несомненно, более лучшим, является BT 134-800. ы m2lz47 являются не самыми надежными с точки зрения условий эксплуатации в приборах с нестабильными параметрами питающей сети.
• тс122 25. Данный симистор очень часто называют силовым тиристором, так как он используется в электроприборах или электроинструменте в механизмах плавного пуска. Отличительной особенность данного а является его большая надежность на протяжении большого срока работы.
• 131 6 , другое название данного а ВТ 131-600, но есть и упрощенное название, и на многих деталях имеется именно упрощенная маркировка. С этим моментом очень часто связано то, что по оригинальной или упрощенной маркировке не всегда можно найти именно ту информацию, которая нужна.

Будет интересно➡ Что такое адресная светодиодная лента

Схемы управления

Схемы управления симистором отличаются простотой и надежностью. Там, где без применения симисторов требовалось большое количество деталей, и производилась тщательная подгонка по параметрам – симисторы значительно упростили всю принципиальную схему. Включение в схему только основных элементов позволяет миниатюризировать не только саму печатную плату, но и весь прибор в целом. Читайте принцип работы индикаторной отвертки.

Схема диммера на симисторе позволяет создать компактное дополнение к выключателю освещения, для плавной регулировки уровня освещения. При необходимости схему можно дополнить компонентами для плавного изменения освещения в зависимости от яркости внешнего фона.

Схема регулятора на симисторе включает в себя непосредственно сам датчик температуры, питающую сеть, и прибор нагрузки. Изменение показаний датчика температуры приводит к изменени показателей тока на ключе симистора, что приводит либо к увеличению напряжения, либо к уменьшению. Забудьте о сложных механических устройствах с биметаллическими пластинами и выгорающих контактах. Схемы управления скоростью вращения двигателя принципиально ничем не отличаются по принципу построения от других аналогичных. Нюансы касаются только параметров тока и напряжения на двигатель.

Симистр на электронной схеме.

Управление симистором через оптопару позволяет подключать электрооборудование, которым нужно управлять. Непосредственно к компьютеру через порт LPT. Оптопара в данном примере позволяет защитить непосредственно материнскую плату компьютера от перегрузки и выхода из строя. Своего рода умны предохранитель с функцией управления. Управление симистором с микроконтроллера позволяет добиться очень точных показателей по току и напряжению, при которых происходит управление самим симистором и распределению питающего напряжения на различные устройства нагрузки.

Лекция 9 тиристоры. Силовые полупроводниковые приборы

Цель: Объяснить курсантам принцип работы тиристора как управляемого электронного ключа в силовой электронике.

План

1. Структура тиристора, разновидности тиристоров, принцип работы динистора.

2. Вольтамперная характеристика и управление динистором, схемы включения.

3. Тринистор, вольтамперная характеристика, управление, схемы включения.

4. Система маркировки и условных обозначений тиристоров.

5. Основные параметры тиристоров.

6. Симистор, структура, назначение. Вольтамперная характеристика симистора.

7. Фототиристоры и фотосимисторы. Структура, принцип работы.

8. Биполярные транзисторы с изолированным затвором.

1. Структура тиристора, разновидности тиристоров, принцип работы

К силовым полупроводниковым приборам относятся управляемые приборы, используемые в различных силовых устройствах: электроприводе, источниках пи­тания, мощных преобразовательных установках и др. Для снижения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Основные требования, предъявляемые к силовым приборам, сводятся к следующим:

• малые потери при коммутации;

• большая скорость переключения из одного состояния в другое;

• малое потребление по цепи управления;

• большой коммутируемый ток и высокое рабочее напряжение.

Силовая электроника непрерывно развивается и силовые приборы непрерыв­но совершенствуются. Разработаны и выпускаются приборы на токи до 1000А и рабочее напряжение свыше 6кВ. Быстродействие силовых приборов таково, что они могут работать на частотах до 1 МГц. Значительно снижена мощность управления силовыми ключами.

Разработаны и выпускаются мощные биполярные и униполярные транзисторы. Специально для целей силовой электроники разработаны и выпускаются мощные четырехслойные приборы − тиристоры и симисторы. К последним достижениям силовой электроники относится разработка новых типов транзисторов: со статичес­кой индукцией (СИТ и БСИТ) и биполярных транзисторов с изолированным затво­ром (БТИЗ). Новые типы транзисторов могут коммутировать токи свыше 500А при напряжении до 6000В. В отличие от тиристоров эти приборы имеют полное управление, высокое быстродействие и малое потребление по цепи управления.

Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тринисторы). Для коммутации цепей переменного тока разработаны спе­циальные симметричные тиристоры − симисторы.

2. Вольтамперная характеристика и управление динистором, схемы включения.

Динисторы. Динистором называется двухэлектродный прибор диодного типа, имеющий три p—n-перехода. Крайняя область Р называется анодом, а другая крайняя область N − като­дом. Структура динистора приведена на рис. 6.1 а. Три p—n-перехода динисто­ра обозначены как J₁ J₂ и J₃— Схемати­ческое изображение динистора приведе­но на рис. 6.1 б.

Схему замещения динистора мож­но представить в виде двух триодных структур, соединенных между собой. Деление динистора на составляющие транзисторы и схема замещения приведены на рис. 6.2.

При таком соединении коллекторный ток первого транзистора является током базы второго, а коллекторный ток второго транзистора является током базы первого. Благодаря этому внутреннему соединению внутри прибора есть положительная обратная связь.

Если на анод подано положительное напряжение по отношению к катоду, то переходы J₁ и J₃ будут смещены в прямом направлении, а переход J₂ − в обратном, поэтому все напряжение источника Е будет приложено к переходу J₂. При­мем, что коэффициенты передачи по току эмиттера транзисторов T₁ и T₂ имеют

значения α₁ и α₂ соответственно. Пользуясь схемой замещения, приведенной на рис. 6.2 б, найдем ток через тиристор, равный сумме токов коллекторов обоих транзисторов и тока утечки Iк0

I = α₁I + α₂I + I_К0 (6.1)

Ток во внешней цепи равен I_э1 = I_э2 = I, поэтому после подстановки I в (6.1) найдем

I(1 – α₁ — α₂) = I_К0,

откуда получим значение внешнего тока

(6.2)

Пока выполняется условие (α₁ + α₂) < 1 ток в динисторе будет равен I_К0. Если же сделать (α₁ + α₂) > 1, то динистор включается и начинает проводить ток. Таким образом, получено условие включения динистора.

Для увеличения коэффициентов передачи тока α₁ или α₂ имеются два способа. По первому способу можно увеличивать напряжение на динисторе. С ростом напряжения при U = U_вкл один из транзисторов будет переходить в режим насыщения.

Коллекторный ток этого транзистора, протекая в цепи базы второго транзистора, откро­ет его, а последний, в свою очередь, увеличит ток базы первого. В результате коллектор­ные токи транзисторов будут лавинообразно нарастать, пока оба транзистора не перей­дут в режим насыщения.

После включения транзисторов динистор замкнется и ток I будет ограничиваться только сопротивлением внешней цепи. Падение напряжения на открытом приборе меньше 2В, что примерно равно падению напряжения на обычном диоде. Вольтамперная характеристика динистора приведена на рис. 6.3 а, а схема им­пульсного включения изображена на рис. 6.3 б.

Выключить динистор можно, понизив ток в нем до значения /_выкл или поменяв полярность напряжения на аноде. Различные способы выключения динистора приведены на рис. 6.4. В первой схеме прерывается ток в цепи динистора. Во второй схеме напряжение на динисторе делается равным нулю. В третьей схеме ток динистора понижается до I_выкл включением добавочного резистора R_д. В четвертой схеме при замыкании ключа К на анод динистора подается напряжение противоположной полярности при помощи конденсатора С.

6 Силовые полупроводниковые приборы — СтудИзба

состоянияЛекция 6. Силовые полупроводниковые приборы

К силовым полупроводниковым приборам относятся управляемые приборы, используемые в различных силовых устройствах: электроприводе, источниках пи­тания, мощных преобразовательных установках и др. Для снижения потерь эти приборы в основном работают в ключевом режиме. Основные требования, предъявляемые к силовым приборам, сводятся к следующим-

• малые потери при коммутации,

• большая скорость переключения из одного состояния в другое,

• малое потребление по цепи управления,

• большой коммутируемый ток и высокое рабочее напряжение.

Силовая электроника непрерывно развивается и силовые приборы непрерыв­но совершенствуются Разработаны и выпускаются приборы на токи до 1000 А и рабочее напряжение свыше 6кВ. Быстродействие силовых приборов таково, что они могут работать на частотах до 1 МГц. Значительно снижена мощность управ­ления силовыми ключами.

Разработаны и выпускаются мощные биполярные и униполярные транзисторы. Специально для целей силовой электроники разработаны и выпускаются мощные четырехслойные приборы — тиристоры и симисторы. К последним достижениям силовой электроники относится разработка новых типов транзисторов: со статичес­кой индукцией (СИТ и БСИТ) и биполярных транзисторов с изолированным затво­ром (БТИЗ). Новые типы транзисторов могут коммутировать токи свыше 500 А при напряжении до 2000В. В отличие от тиристоров эти приборы имеют полное управление, высокое быстродействие и малое потребление по цепи управления.

Тиристоры делятся на две группы: диодные тиристоры (динисторы) и триод-

Рекомендуемые файлы

Техническое задание

Инженерия требований и спецификация программного обеспечения

FREE

Маран Программная инженерия

Программаня инженерия

FREE

Учебный план для ИУ3, ИУ4, ИУ5, ИУ6, ИУ7, РК 6, РЛ6, МТ4, МТ8, МТ11, СМ13

Физика

Отчёт по практике — Вариант 67 — НМХЦ им Н.> поэтому после подстановки /в (4.1) найдем

шсуда получим значение внешнего тока

Пока выполняется условие (а, + ос;) < 1 ток в динисторе будет равен /,о Если же сделать (cci +aa)> 1, то динистор включается и начинает проводить ток Таким образом, получено условие включения динистора

Для увеличения коэффициентов передачи тока О] или (Хг имеются два способа По первому способу можно увеличивать напряжение на динисторе С ростом на­пряжения U= U,u, один из транзисторов будет переходить в режим насыщения

Рис. 6 3. Вольт-амперная характеристика динистора (а) и схема его включения (6)

Коллекторный ток этого транзистора, протекая в цепи базы второго транзистора, откроет его, а последний, в свою очередь, увеличит ток базы первого. В результате коллекторные токи транзисторов будут лавинообразно нарастать, пока оба тран­зистора не переидут в режим насыщения.

После включения транзисторов динистор замкнется и ток / будет ограничи­ваться только сопротивлением внешней цепи. Падение напряжения на открытом приборе меньше 2 В, что примерно равно падению напряжения на обычном диоде. Вольт-амперная характеристика динистора приведена на рис. 6.3 а, а схема им­пульсного включения изображена на рис. 6.3 б.

Выключить динистор можно, понизив ток в нем до значения /„.ил или поменяв полярность напряжения на аноде. Различные способы выключения динистора приведены на рис. 6.4. В первой схеме прерывается ток в цепи динистора. Во второй схеме напряжение на динисторе делается равным нулю. В третьей схеме ток динистора понижается до /,ыхд включением добавочного резистора Ry

Рис 6 5 Структура тиристора с катодным управлением (а) и его условное схематическое обозначение (б), структура тиристора с анодным управлением (в) и его условное схематическое обозначение (г)

В четвертой схеме при замыкании ключа К на анод динистора подается напряже­ние противоположной полярности при помощи конденсатора С.

Тиристор Второй способ включения четырехслойной структуры реализован в тиристоре Для этого в нем имеется вывод от одной из баз эквивалентных транзи­сторов Г| или Тч. Если подать в одну из этих баз ток управления, то коэффициент передачи соответствующего транзистора увеличится и произойдет включение тиристора.

В зависимости от расположения управляющего электрода (УЭ) тирис-юры делятся на тиристоры с катодным управлением и тиристоры с анодным управле­нием Расположение этих управляющих электродов и схематические обозначения

тиристоров   приведены   к рис. 6 5 Вольт-амперная xapal теристика тиристора приведен на рис. 6.6 Она отличается с характеристики динистора теп что напряжение включения pi гулируется изменением тока цепи управляющего электрод, При увеличении тока ynpaani ния снижается   напряжет включения. Таким образом, ti ристор эквивалентен динистор с управляемым напряжение включения.

с его помощью выключить тиристор нельзя. Основные схемы выключения тирис-тора такие же, как и для динистора.

Как динисторы, так и тиристоры подвержены самопроизвольному включе­нию при быстром изменении напряжения на аноде.щсл-

При включении тиристора током управления после подачи импульса тока /у, в управляющий электрод проходит некоторое время, необходимое для включения тиристора. Кривые мгновенных значений токов и напряжений в тиристоре при его включении на резистивную нагрузку приведены на рис 6 7 Процесс нараста­ния тока в тиристоре начинается спустя некоторое время задержки ;зд, которое зависит от амплитуды импульса тока управления /у, При достаточно большом

токе управления время задержки достигает долей микросекунды (от 0,1 до 1 2мкс)

условиях. Длительность импульса тока управления должна быть такой, что­бы к моменту его окончания анодный ток тиристора был больше тока удержа­ния/аул-

Если тиристор выключается приложением обратного напряжения ?7„бр, то процесс выключения можно разделить на две стадии: время восстановления об­ратного сопротивления ?„б.в и время выключения г,ь„. После окончания времени восстановления /об.» ток в тиристоре достигает нулевого значения, однако он не выдерживает приложения прямого напряжения. Только спустя время г,ь,к к тирис-тору можно повторно прикладывать прямое напряжение ?7,ipo.

Потери в тиристоре состоят из потерь при протекании прямого тока, потерь при протекании обратного тока, коммутационных потерь и потерь в цепи управ­ления. Потери при протекании прямого и обратного токов рассчитываются так же, как в диодах. Коммутационные потери и потери в цепи управления зависят от способа включения и выключения тиристора.

Симистор — это симметричный тиристор, который предназначен для комму­тации в цепях переменного тока. Он может использоваться для создания реверсив­ных выпрямителей или регуляторов переменного тока. Структура симметричного тиристора приведена на рис. 6.8 а, а его схематическое обозначение на рис. 6.8 б. Полупроводниковая структура симистора содержит пять слоев полупроводников с различным типом проводимостей и имеет более сложную конфигурацию по сравнению с тиристором. Вольт-амперная характеристика симистора приведена на рис. 6.9.

Как следует из вольт-амперной характеристики симистора, прибор включает­ся в любом направлении при подаче на управляющий электрод УЭ положительно­го импульса управления. Требования к импульсу управления такие же, как и для тиристора. Основные характеристики симистора и система его обозначений такие же, как и для тиристора. Симистор можно заменить двумя встречно параллельно включенными тиристорами с общим электродом управления. Так, например,

условиях. Длительность импульса тока управления должна быть такой, что­бы к моменту его окончания анодный ток тиристора был больше тока удержа­ния/аул-

Если тиристор выключается приложением обратного напряжения ?7„бр, то процесс выключения можно разделить на две стадии: время восстановления об­ратного сопротивления ?„б.в и время выключения г,ь„. После окончания времени восстановления /об.» ток в тиристоре достигает нулевого значения, однако он не выдерживает приложения прямого напряжения. Только спустя время г,ь,к к тирис-тору можно повторно прикладывать прямое напряжение ?7,ipo.

Потери в тиристоре состоят из потерь при протекании прямого тока, потерь при протекании обратного тока, коммутационных потерь и потерь в цепи управ­ления. Потери при протекании прямого и обратного токов рассчитываются так же, как в диодах. Коммутационные потери и потери в цепи управления зависят от способа включения и выключения тиристора.

Симистор — это симметричный тиристор, который предназначен для комму­тации в цепях переменного тока. Он может использоваться для создания реверсив­ных выпрямителей или регуляторов переменного тока. Структура симметричного тиристора приведена на рис. 6.8 а, а его схематическое обозначение на рис. 6.8 б. Полупроводниковая структура симистора содержит пять слоев полупроводников с различным типом проводимостей и имеет более сложную конфигурацию по сравнению с тиристором. Вольт-амперная характеристика симистора приведена на рис. 6.9.

Как следует из вольт-амперной характеристики симистора, прибор включает­ся в любом направлении при подаче на управляющий электрод УЭ положительно­го импульса управления. Требования к импульсу управления такие же, как и для тиристора. Основные характеристики симистора и система его обозначений такие же, как и для тиристора. Симистор можно заменить двумя встречно параллельно включенными тиристорами с общим электродом управления. Так, например,

симистор КУ208Г может коммутировать переменный ток до 10 А при напряжении до 400В. Отпирающий ток в цепи управления не превышает 0,2 А, а время вклю­чения — не более Юмкс.

Фототиристоры и фотосимисторы — это тиристоры и симисторы с фотоэлектрон­ным управлением, в которых управляющий электрод заменен инфракрасным свето-диодом и фотоприемником со схемой управления. Основным достоинством таких приборов является гальваническая развязка цепи управления от силовой цепи. В ка­честве примера рассмотрим устройство фотосимистора, выпускаемого фирмой «Сименс» под названием СИТАК. Структурная схема прибора СИТАК приведена на рис. 6.10 а, а его условное схематическое изображение — на рис. 6.10 б.

Такой прибор потребляет по входу управления светодиодом ток около 1,5мА и коммутирует в выходной цепи переменный ток 0,3 А при напряжении до 600В. Такие приборы находят широкое применение в качестве ключей переменного тока с изолированным управлением. Они также могут использоваться при управлении более мощными тиристорами или симисторами, обеспечивая при этом гальвани­ческую развязку цепей управления. Малое потребление цепи управления позволя­ет включать СИТАК к выходу микропроцессоров и микро-ЭВМ. В качестве при­мера на рис. 6.11 приведено подключение прибора СИТАК к микропроцессору для регулирования тока в нагрузке, подключенной к сети переменного напряже­ния 220В при максимальной мощности до 66Вт.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) выполнены как сочетание входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным за­твором (ПТИЗ) и выходного биполярного «-р-и-транзистора (БТ). Имеется много различных способов создания таких приборов, однако наибольшее распростране­ние получили приборы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), в которых удачно

сочетаются особенности полевых транзисторов с вертикальным каналом и допол­нительного биполярного транзистора. шунтируется двумя насыщенными транзисторами Л и 77 включенными последовательно.

Условное схематическое изображение БТИЗ приведено на рис. 6.13. Это обо­значение подчеркивает его гибридность тем, что изолированный затвор изобра­жается как в ПТИЗ, а электроды коллектора и эмиттера изображаются как у биполярного транзистора.

Область безопасной работы БТИЗ подобна ПТИЗ, т. е. в ней отсутствует уча­сток вторичного пробоя, характерный для биполярных транзисторов. На рис. 6.13.6 приведена область надежной (безотказной) работы (ОБР) транзистора типа IGBT с максимальным рабочим напряжением 1200В при длительности им­пульса Юмкс. Поскольку в основу транзисторов типа IGBT положены ПТИЗ с индуцированным каналом, то напряжение, подаваемое на затвор, должно быть больше порогового напряжения, которое имеет значение 5…6В.

Быстродействие БТИЗ несколько ниже быстродействия полевых транзисто­ров, но значительно выше быстродействия биполярных транзисторов Исследова­ния показали, что для большинства транзисторов типа IGBT времена включения и выключения не превышают 0,5 .-«-переходом. В таком приборе при нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии. Перевод транзистора в непроводящее состояние осуществляется при

Сра	внитсльные х	арактеристи	киСИТ	и БСИТ транзис	Таблица 6 1 .торов
Тип транзистора	Устройство	Напряжение, В	Ток стока, А	Напряжение отсечки, В	Время рассасывания, мкс
КП926	сит	400	16	-15	<5
КП955	БСИТ	450	25	0	<1,5
КП810	БСИТ	1300	7	0	<3

помощи запирающего напряжения С/зи отрицательной полярности, приклады­ваемого между затвором и истоком Существенной особенностью такого СИТ транзистора является возможность значительного снижения сопротивления ка­нала Rev в проводящем состоянии пропусканием тока затвора при его прямом смещении.

СИТ транзистор, как и ПТИЗ, имеет большую емкость затвора, перезаряд которой требует значительных токов управления. Достоинством СИТ по сравне­нию с биполярными транзисторами является повышенное быстродействие. Время включения практически не зависит от режима работы и составляет 20… 25 нс при задержке не более 50нс. Время выключения зависит от соотношения токов стока и затвора.

Для снижения потерь в открытом состоянии СИТ вводят в насыщенное со­стояние подачей тока затвора. Поэтому на этапе выключения, так же как и в би­полярном транзисторе, происходит процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в открытом состоянии. Это приводит к задержке выключе­ния и может лежать в пределах от 20нс до 5 мкс.

Специфической особенностью СИТ транзистора, затрудняющей его примене­ние в качестве ключа, является его нормально открытое состояние при отсутствии

управляющего сигнала Для его запирания необходимо подать на затвор отрицательное напряжение смещения, которое должно быть больше напряжения отсечки.-и-переходом, их схематическое изображение и условные обозначения такие же. Таким образом, определить СИТ транзисторы можно толь­ко по номеру разработки, что весьма затруднительно, если нет справочника. Сравнительные характеристики некоторых типов СИТ и БСИТ транзисторов приведены в табл. 6.1.

Несмотря на высокие характеристики СИТ и БСИТ транзисторов, они уступа­ют ПТИЗ по быстродействию и мощности управления. Типовые вольт-амперные характеристики СИТ транзистора приведены на рис. 6.14. К достоинствам СИТ транзисторов следует отнести малое сопротивление канала в открытом состоянии, которое составляет 0,1… 0,025 Ом.

                                  thyristor water radiator ss11, SS12 ,SS13 ,SS14 ,SS15

СИЛОВЫЕ ЭЛЕКТРОКОМПОНЕНТЫ  —  Тиристоры, Диоды, Симисторы и Аналоги

POWER ELECTRICAL COMPONENTS   —  Thyristors, Diodes, Triacs, and Analogues

 Силовые полупроводники и аналоги        —        Power semiconductors manufacturer  

  Украина  — UA    TEL.: +38-(066)-047-5000 , +38-(093)-145-7537 , +38-(067)-765-2868   
  Россия  —  RU    SKYPE. blizzzzzznec   Watsapp\Viber:+38-(066)-047-5000   E-Mail  :   [email protected]

    Manufacturing and Distribution Company . Discrete components and power semiconductor modules, including thyristors, diodes, IGBTs, and thyristor / diode modules. Our semiconductor partners include Semikron, VISHAY, IXYS ,Powerex,Diotec,Infineon ,ABB , Dynex , Kubara Lamina , Proton Electrotex , I&R,Siemens and many other .
  

 
 

Тип тиристора	UDRM(URRM), B	ITAV, A (TC, oС)	Тип тиристора
ТБ142-50	600 — 1200	50	ТБ142-50
ТБ142-63	600 — 1200	63	ТБ142-63
ТБ152-80	600 — 1200	80	ТБ152-80
ТБ152-100	600 — 1200	100	ТБ152-100
ТБ165-63	600 — 1200	63	ТБ165-63
ТБ165-80	600 — 1200	80	ТБ165-80
ТБ261-125	600 — 1400	125 (90)	ТБ261-125
ТБ261-160	600 — 1400	160 (90)	ТБ261-160
ТБ271-200	600 — 1400	200 (90)	ТБ271-200
ТБ271-250	600 — 1400	250 (90)	ТБ271-250
ТБ133-250	1000 — 2400	250 (85)	ТБ133-250
ТБ133-320	1000 — 2400	320 (85)	ТБ133-320
ТБ133-400	1000 — 2400	400 (85)	ТБ133-400
ТБ233-200	400 — 1500	200 (85)	ТБ233-200
ТБ233-250	400 — 1500	250 (85)	ТБ233-250
ТБ233-320	400 — 1500	320 (85)	ТБ233-320
ТБ333-250	1400 — 2200	250 (85)	ТБ333-250
ТБ333-320	1400 — 2200	320 (85)	ТБ333-320
ТБ333-400	1400 — 2200	400 (85)	ТБ333-400
ТБ433-200	600 — 1500	200 (85)	ТБ433-200
ТБ433-250	600 — 1500	250 (85)	ТБ433-250
ТБ433-320	600 — 1500	320 (85)	ТБ433-320
ТБ933-250	2400 — 3600	250 (85)	ТБ933-250
ТБ143-400	1000 — 2400	400 (85)	ТБ143-400
ТБ143-500	1000 — 2400	500 (85)	ТБ143-500
Тип тиристора	UDRM(URRM), B	ITAV, A (TC, oС)	Тип тиристора
ТБ143-630	1000 — 2400	630 (85)	ТБ143-630
ТБ243-400	1000 — 1600	400 (85)	ТБ243-400
ТБ243-500	1000 — 1600	500 (85)	ТБ243-500
ТБ243-630	1000 — 1600	630 (85)	ТБ243-630
ТБ943-400	2400 — 3600	400 (85)	ТБ943-400
ТБ153-630	1000 — 2400	630 (85)	ТБ153-630
ТБ153-800	1000 — 2400	800 (85)	ТБ153-800
ТБ153-1000	1000 — 2400	1000 (85)	ТБ153-1000
ТБ453-630	1600 — 2000	630 (85)	ТБ453-630
ТБ453-800	1600 — 2000	800 (85)	ТБ453-800
ТБ453-1000	1600 — 2000	1000 (85)	ТБ453-1000
ТБ953-630	2400 — 3600	630 (85)	ТБ953-630
ТБ173-1600	1000 — 2400	1600 (85)	ТБ173-1600
ТБ173-2000	1000 — 2400	2000 (85)	ТБ173-2000
ТБ373-1600	3600 — 5000	1600 (85)	ТБ373-1600

Тип диода	URRM, В	IFAV, А (TC, oC)		Тип диода
Д161-200	300 — 1800	200 (145)		Д161-200
Д161-200Х	300 — 1800	200 (125)		Д161-200Х
Д161-250	300 — 1800	250 (140)		Д161-250
Д161-250Х	300 — 1800	250 (140)		Д161-250Х
Д161-320	300 — 1800	320 (130)		Д161-320
Д161-320Х	300 — 1800	320 (130)		Д161-320Х
Д161-400	300 — 1800	400 (124)		Д161-400
Д171-400	600 — 1800	400 (145)		Д171-400
Д171-400Х	600 — 1800	400 (145)		Д171-400Х
Д171-500	600 — 1800	500 (105)		Д171-500
Д171-500Х	600 — 1800	500 (105)		Д171-500Х
Д123-200	4600 — 6000	200 (110)		Д123-200
Д123-250	3000 — 4400	250 (108)		Д123-250
Д123-320	1800 — 2800	320 (130)		Д123-320
Д123-500	400 — 1600	500 (105)		Д123-500
Д223-250	2800 — 4400	250		Д223-250
Д223-320	1800 — 2800	320		Д223-320
Д133-400	1000 — 4000	400 (117)		Д133-400
Д133-500	1000 — 2800	500 (140)		Д133-500
Д133-630	1000 — 3200	630 (129)		Д133-630
Д133-800	400 — 2000	800 (145)		Д133-800
Д133-1000	400 — 2000	1000 (133)		Д133-1000
Д233-400	2400 — 4400	400		Д233-400
Д233-500	1000 — 4400	500 (108)		Д233-500
Д233-630	1000 — 3200	630		Д233-630
Тип диода	URRM, В	IFAV, А (TC, oC)		Тип диода
Д233-800	1000 — 2400	800		Д233-800
Д233-1000	400 — 2400	1000 (125)		Д233-1000
Д233-1600	400 — 800	1600		Д233-1600
Д143-630	2400 — 4000	630 (112)		Д143-630
Д143-800	1800 — 2800	800 (136)		Д143-800
Д143-1000	400 — 1800	1000 (148)		Д143-1000
Д143-1250	400 — 2000	1250 (135)		Д143-1250
Д143-2000	400 — 800	2000		Д143-2000
Д243-630	2400 — 4400	630		Д243-630
Д243-800	2400 — 4400	800 (102)		Д243-800
Д243-1000	1000 — 3200	1000 (127)		Д243-1000
Д243-1250	1000 — 2400	1250		Д243-1250
Д253-1600	400 — 2200	1600 (150)		Д253-1600
Д253-2000	400 — 2400	2000 (138)		Д253-2000
Д253-2500	1200 — 2800	2500		Д253-2500
Д253-3200	400 — 800	3200		Д253-3200
Д253-4000	400 — 800	4000		Д253-4000
Д353-800	4400 — 6000	800 (90)		Д353-800
Д353-1250	2200 — 3400	1250 (100)		Д353-1250
Д353-1600	2200 — 3400	1600 (100)		Д353-1600
Д553-1600	3400 — 4400	1600		Д553-1600
Д553-2000	1200 — 3800	2000		Д553-2000
Д553-2500	1200 — 3600	2500		Д553-2500
Д273-2500	4600 — 5000	2500 (127)		Д273-2500

 

Тип диода URRM, В IFAV, А (TC, oC)   Тип диода ДЛ112-10 1000 — 1800 10   ДЛ112-10 ДЛ112-16 1000 — 1800 16   ДЛ112-16 ДЛ112-25 1000 — 1800 25   ДЛ112-25 ДЛ122-32 1000 — 1800 32   ДЛ122-32 ДЛ122-40 1000 — 1800 40   ДЛ122-40 ДЛ132-50 1000 — 1800 50   ДЛ132-50 ДЛ132-63 1000 — 1800 63   ДЛ132-63 ДЛ132-80 1000 — 1800 80   ДЛ132-80 ДЛ142-80 1000 — 1800 80   ДЛ142-80 ДЛ142-100 1000 — 1800 100   ДЛ142-100 ДЛ152-160 1000 — 1800 160   ДЛ152-160 ДЛ161-200 400 — 1800 200 (115)   ДЛ161-200 ДЛ161-250 400 — 1800 250 (115)   ДЛ161-250 ДЛ165-80 1000 — 1600 80   ДЛ165-80 ДЛ165-100 1000 — 1600 100   ДЛ165-100 ДЛ171-320 400 — 1800 320 (115)   ДЛ171-320 ДЛ171-400 400 — 1800 400 (115)   ДЛ171-400 ДЛ123-320 400 — 1600 320 (113)   ДЛ123-320 ДЛ133-500 400 — 1600 500 (123)   ДЛ133-500 ДЛ233-500 1000 — 2400 500 (123)   ДЛ233-500 ДЛ243-800 1800 — 2400 800   ДЛ243-800 ДЛ153-1250 2200 — 3200 1250 (115)   ДЛ153-1250 ДЛ153-1600 2200 — 3200 1600(100)   ДЛ153-1600 ДЛ153-2000 1600 — 2000 2000 (100)   ДЛ153-2000 ДЛ253-1600 1600 — 3200 1600 (100)   ДЛ253-1600 Тип диода URRM, В IFAV, А (TC, oC)   Тип диода ДЛ253-2000 1600 — 3200 2000 (100)   ДЛ253-2000 ДЛ253-2500 1600 — 2800 2500 (100)   ДЛ253-2500 ДЛ553-1600 2800 — 4200 1600 (100)   ДЛ553-1600 ДЛ553-2000 1600 — 3800 2000 (100)   ДЛ553-2000 ДЛ553-2500 1600 — 3600 2500 (100)   ДЛ553-2500 ДЛ173-3200 2400 — 3200 3200 (100)   ДЛ173-3200 ДЛ173-4000 1600 — 2400 4000 (100)   ДЛ173-4000   Type Тип PARAMETERS / ПАРАМЕТРЫ UDRM, URRM ITAV (Tc) (di/dt)c (du/dt)c tq   В A (°C) A/мкс В/мкс мкс   TFI171-250 300 …1100 250 (90) 1600 1000 8 … 16   TFI171C-250 300 …1100 250 (90) 1600 1000 8 … 16   TFI371-200 1200 …2200 200 (85) 1600 1000 20 … 32   TFI133-400 300 …1100 400 (90) 1600 1000 8 … 16   TFI133-400 TFI333-320 1200 …2200 320 (85) 1600 1000 20 … 32   TFI333-320 TFI143-400 800 …1500 400 (90) 2000 1000 6,3 … 10   TFI243-400 1200 …2200 400 (88) 2000 1000 20 … 32   TFI243-400 TFI243-500 800 …1500 500 (85) 2000 1000 12,5 … 25   TFI243-500 TFI243-630 800 …1500 630 (80) 2000 1000 16 … 25   TFI243-630 TFI343-500 1200 …2200 500 (85) 2000 1000 25 … 32   TFI343-500 TFI153-1000 800 …1500 1000 (80) 2000 1000 12,5 … 25   TFI153-1250 800 …1500 1250 (70) 2000 1000 16 … 32   TFI253-800 1200 …2200 800 (85) 2000 1000 25 … 40   TFI253-1000 1200 …2200 1000 (75) 2000 1000 25 … 40   TFI353-800 2200 …3400 800 (80) 2000 1000 50 … 100   TFI353-1000 2200 …2800 1000 (78) 2000 1000 32 … 40   TFI173-2000 800 …1400 2000 (85) 2000 1000 16 … 25   TFI173-2000 TFI273-2000 1200 …2200 2000 (80) 1600 1000 32 … 50   TFI273-2000 TFI473-1600 3400 …4400 1600 (80) 1600 1000 125; 160   TFI473-1600 TFI133S-400 600 …1200 400 (81) 1600 1000 5; 6,3   TFI133S-400 TFI143S-500 300 …1100 500 (85) 2000 1000 5 … 6,3   TFI153S-800 800 …1400 800 (83) 1600 1000 6,3 … 12,5   TFI153S-1000 800 …1400 1000 (78) 1600 1000 10; 12,5

Тиристор ТБИ443-400-8	Тиристор ТБИ443-500-20
Тиристор ТБИ443-400-9	Тиристор ТБИ443-500-22
Тиристор ТБИ443-400-10	Тиристор ТБИ443-630-8
Тиристор ТБИ443-400-11	Тиристор ТБИ443-630-10
Тиристор ТБИ443-400-12	Тиристор ТБИ443-630-11
Тиристор ТБИ443-400-13	Тиристор ТБИ443-630-12
Тиристор ТБИ443-400-14	Тиристор ТБИ443-630-13
Тиристор ТБИ443-400-15	Тиристор ТБИ443-630-14
Тиристор ТБИ443-500-10	Тиристор ТБИ443-630-15
Тиристор ТБИ443-500-12	Тиристор ТБИ443-630-16
Тиристор ТБИ443-500-14	Тиристор ТБИ443-630-18
Тиристор ТБИ443-500-16	Тиристор ТБИ443-630-20
Тиристор ТБИ443-500-18	Тиристор ТБИ443-630-22

ВОДЯНОЕ И ВОЗДУШНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ К ТИРИСТОРАМ 

                                        

 О111,О123,О131,О143,О151-80,О153 (243),О161,О171,О181,О221,О231,О241,О251,О253,(343),О271,О281,О461,О471,ОА-003,ОА-007,ОА-025,ОА-026,ОА-049,ОА-371,ОМ-103,ОМ-104

Диоды

Лавинные диоды

Диоды частотные

Тиристоры

Тиристоры лавинные

Быстродействующие тиристоры

Импульсные, частотные

Оптронные тиристоры

Симметричные тиристоры (симисторы)

Оптронные симметричные тиристоры

Частотные тиристоры

Запираемые тиристоры

Тиристорные модули

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ,

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ,

УПРАВЛЯЕМЫЕ ,

ЗАПИРАЕМЫЕ,

ОПТРОННЫЕ,

ИМПУЛЬСНЫЕ,

АНАЛОГОВЫЕ,

ЛАВИННЫЕ, 

СИММЕТРИЧНЫЕ,

ОПТО-СИМИСТОРЫ И ДР. ОТ 10А ДО 2000А.

      ИМПОРТ,ЗАМЕНА ,АНАЛОГИ , ПОДБОРКА , УСТАНОВКА

                                                                          

         Украина ,Донецк,Доставка в любой регион 

   Электрокомпоненты для электроприводов,

          Тиристорные установки , Управляемые выпрямители 

       Тиристоры замена для индукционных печей 

         Мощные тиристорные блоки  БВО

Управление тиристорное , водяное охлаждение тиристора

Низковольтные быстродействующие предохранители 
ПП57У (аналог российских предохранителей ПП-57) 

Тиристор TP 907FC-320-20-NMI 5STR 03T 2040 20 005 863

 

Тиристор TP 907FC-320-20-NMI  20 005 863 5STR 03T 2040  на трамвай Татра (Чехия)

 

Другие тиристоры к трамваям:

 

Тиристор ТР 960F-320-20  20005863 5STR 03T 2040

 

Тиристор ТР 922-25-12 909-106-90 TR 922-25-12 NKF 
Тиристор ТP 967 F-320-20 NMI 
Тиристор TP 922-25-12 NKF

тп967ф , N<143 , nbhbcnjh
купить тиристоры , продам диод , куплю диод , продажа тиристоров , дешево тиристоры ,
где купить тиристор, где купить диоды , где купить силовые , где найти симистор
Винницкая область * Волынская область * Днепропетровская область* Донецкая область* Житомирская область * Закарпатская область* Запорожская область * Ивано- Франковская область* Киевская область * Кировоградская область * Крым * Луганская область * Львовская область* Николаевская область * Одесская область * Полтавская область * Ровенская область* Сумская область* Тернопольская область * Харьковская область* Херсонская область* Хмельницкая область* Черкасская область* Черниговская область * Черновицкая область
основные характеристики тиристоров ,класс тиристора,схема включения тиристора ,тиристоры оптом ,диоды оптовые цены , тиристоры с доставкой по Украине , Россия , куплю тиристор, маркировка тиристора , классификация тиристоров , купить тиристор , купить диод , продам тиристор , продам диод , принцип действия тиристора , схема включения тиристора

Тиристор быстродействующий  

ТБ143-500-22, ТБ143-630-20 ,ТБИ233-400-12 , ТБИ153-1000-22 , ТБ253-1000-22 ,TFI153-1000, TFI253-1000
ТБ133-200, ТБ133-250, ТБ133-320, ТБ133-400, ТБ143-320, ТБ143-400, ТБ143-500, ТБ143-630, ТБ143-1000, 
ТБ153-630, ТБ153-800, ТБ153-1000, ТБ153-1250, ТБ173-1600, ТБ233-200, ТБ233-250, ТБ233-320, 
ТБ243-400, ТБ243-500, ТБ243-630, ТБ243-1000, ТБ253-800, ТБ253-1000, ТБ273-2000, ТБ333-250, 
ТБ333-320, ТБ333-400, ТБ333-500, ТБ343-500, ТБ343-630, ТБ343-1000, ТБ453-630, ТБ453-800, ТБ453-1000
Тиристор Лавинный ТЛ171, ТЛ271,
Диод Лавинный ДЛ161,ДЛ171
Диод низкочастотный  Д161,Д171
Тиристор низкочастотный  Т161,Т171,Т153,Т143,Т253,Т353,Т173,Т273,Т963,Т133,Т123,Т243,Т233,Т333,
Модули
МТОТО,МТСТС,МТТ,МДД, МДТО, МТКД  

 В500, Т123, Д133,

Д143, Д153, ТБ173, ТБ153, ТЛ171, ТБ171, ТЛ2-200, ДЛ, Д161,

Д171, ВЛ200, В200, ВК200, МТТ, МТОТО, Т142, ТО125,

МДД, ТЧ, ДЧ, ТС, ТЗ, ПП57, ЭПУ1-2, БТУ, ЭПУ1,

ЭЛЕКТРОПРИВОДЫ, ПРЕДОХРАНИТЕЛИ, ОХЛАДИТЕЛИ,

ВОДЯНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ,ТИРИСТОРНЫЕ БЛОКИ УПРАВЛЕНИЯ!

Т161-160, 125, 200 Т171-250, 320, 200 ТЛ171-250, 320

ТБ171-200 ТБ133-250 ТЧ-25, 40, 63, 80, 100 МТТ-80 МТТ100

МТОТО-80 МТ3160 МДД-100, 80 Тл171-250, 320 ТЛ271-250, 320

Т133-320, 400, 500 Т143-500, 630, 400 Т153-630, 800, 1000

Т253-800, 1000, 1250 ТБ143-320, 400, 500 ТБ253-800, 1000,1250

ТБ173-2000-22кл. Т630 Т500 Т1000

Диоды В 200; ВЛ 200;

Д 112-25; Д 112-25Х; Д 122-40; Д 132-50;

Д 132-63; Д 132-80; Д 132-80Х; ДЛ 112-16; ДЛ 112-

25; ДЛ 122-40; ДЛ 132-80; ДЧ 132-25; ДЧ 132-25Х;

Д 133-400; Д 133-500; Д 133-800; Д 151-160; Д 161-200; Д 161-

250; Д 161-250Х; Д 161-320; Д 161-320Х; Д 161-400;

Д 171-400; ДЛ 161-200; ДЛ 171-320; ДЛ 123-320; ДЛ 153-1250;

ДЛ 153-1600; ДЧ 251-160/ДЧ 251-160Х; ДЧ 251-200/ДЧ 251-200Х;

ДЧ 261-250; ДЧ 261-320; ДЧ 261-320Х ДЧ 271-400Х; ДЧ

243-1000; МТКД 40; В6-200; В6-200Х;

Д161-250, 320, 200 ДЛ161-200 В200 В500, 800 ВЛ200 ВК200

ТБ, ТЧ, ТС, ТСО, МТОТО, МТТ, МДТ, МТД, МДТО, МТСТС,

ВК, ВЛ, ДЧ, ТЛ, ТД, И ТД. и другие силовые полупроводники

отечественного и зарубежного производства

 

«Мягкое» включение мощных нагрузок

«Мягкое» включение мощных нагрузок «Мягкое» включение мощных нагрузок
     В схемах с мощной нагрузкой и большой частотой переключений на смену силовым электромагнитным реле и пускателям пришли силовые полупроводниковые переключатели с оптической развязкой. В настоящее время существуют приборы, позволяющие применять их в системах с непосредственным управлением от логических уровней микросхем типа ТТЛ, ТТЛШ, КМОП и др.
     Для цепей переменного тока предпочтение отдается микросхемам с включением электронного ключа в момент прохождения напряжения через ноль. Это исключает большие импульсные помехи, возникновение коммутационных скачков напряжения из-за фазового сдвига между током и напряжением, а также снижает требования к сетевым фильтрам или позволяет обойтись без них. Самопроизвольное включение силовых симисторов из-за случайных бросков напряжения при коммутации обмоток электроклапанов или электродвигателей может привести к межфазному замыканию. Для устранения этого применяют шунтирование силовых выводов демпфирующей RC-цепью. При включении мощных нагрузок при малых (близких к нулю) напряжениях  существенно уменьшается амплитуда импульсов тока при работе с емкостными нагрузками. Кроме того, симисторы работают в мягком режиме и их надежность резко увеличивается.
     Типичными представителями бесконтактных силовых коммутаторов являются оптоизоляторы МОС3031М/32М/33М, МОС3041М/42М/43М, МОС3061М/62М/63М, МОС3162М/3163М, МОС3081/82/83 [1] (аналогичное описание есть также логотипом Fairchild Semiconductor), выпускаемые в 6-выводном DIP-корпусе (рис.1). Они состоят из инфракрасного излучающего диода, оптически связанного с детектором двухстороннего перехода напряжения через ноль и выходного оптосимистора. Эти элементы удобны для использования с мощными  симисторами, полупроводниковыми реле и другими промышленными элементами управления.
     Микросхемы, маркировка которых заканчивается на 1, 2 и 3 обеспечивают включение нагрузки при подаче на светодиод тока, соответственно равного 15, 10 и 5 мА. Падение напряжения на инфракрасном светодиоде составляет 3 В. Микросхемы, предпоследняя цифра маркировки которых заканчивается на 3, 4, 6 и 8, предназначены для коммутации цепей с максимальным напряжением соответственно 250, 400, 600 и 800 В. Максимальная величина импульсного тока коммутации — 1 А при продолжительности включения 100 мкс. Максимальный непрерывный ток коммутации — 60 мА.
     Схема включения микросхем для управления симистором показана на рис.2. Для МОС303Х/МОС304Х/МОС306Х/МОС308Х сопротивление R1 должно составлять соответственно 180, 360, 360 и 360 Ом, значение R2 — 1 КОм, 330, 360 и 330 Ом. Выходной ток ИМС может достигать 1А, но только в момент включения силового симистора VS1, поэтому нельзя использовать этот выход как релейный, нагружая постоянной нагрузкой. К одному выводу может быть подключен только один симистор. Более мощные симисторы могут быть подключены к микросхеме через промежуточный усиливающие симисторы. Следует учитывать, что рабочие токи, коммутируемые симисторами, зависят от температуры. В таблице приведены рекомендуемые симисторы для непосредственного подключения к приборам. Симисторы должны устанавливаться на радиаторы. Следует учитывать, что рабочие токи, коммутируемые симисторами, зависят от температуры. Устаревшие симисторы типа ТС161 требуют однополярного сигнала включения и не могут работать от этих микросхем.
     В качестве силовых элементов вместо симисторов можно применять тиристоры, включенные встречно-параллельно (рис.3). Номиналы резисторов выбираются в соответствии с рекомендациями к рис.2, диоды — 1N4001.
     В [2] приведены основные типы и параметры модулей российского производства.
     Источники информации
     1. 6-Pin DIP Zero-Cross Optoisolators Triac Driver Output (800 Volts Peak). Motorola Semiconductor Technical data.
     2. Л.Рачинский, А.Санчугов. Новые силовые полупроводниковые гибридные модули с оптической развязкой серии МГТСО. — Силовая электроника, 2006, №2, С.60.
     3. http://www.termodat.spb.ru/out.htm.
     4. О.В.Белоусов. Электронный коммутатор нагрузок. — Радиоаматор, 2007, №11, С.33.
     5. О.В.Белоусов. Электронный коммутатор нагрузок. — Радиолюбитель, 2008, №3, С.12.
     6. В.А.Мельник. Детекторы пересечения нуля сетевым напряжением на микроконтроллере. — Радиокомпоненты, 2008, №3, С.49. — Электрик, 2008, №5, С.64. — Радиомир, 2008, №4, С.23.
     7. А.Кашкаров. Варианты включения безрелейных оконечных электронных узлов. — Радиолюбитель, 2008, №1, С.55.     Рис.1         Рис.2

        Рис.3         Таблица

meet beautiful russian brides

Выпрямители с кремниевым управлением, подключенные как силовой симистор

Рис. 1

by Lewis Loflin

Кремниевый выпрямитель (SCR) используется для коммутации мощного переменного тока. При использовании в парах для имитации своих собратьев-симисторов они могут переключать более высокие уровни мощности. Это потому, что только один SCR является одним за один раз, что снижает рабочий цикл.

На рис. 1 показана схема, которую я построил, и она работает. Я также обнаружил, что не работает.

Их еще называют тиристорами.Для получения дополнительной информации о свойствах SCR, относящихся к этим схемам:

• Базовые симисторы и тиристоры
• Примеры схем оптопар на основе светоактивных тиристоров
• Обзор выпрямителя с кремниевым управлением и схемы

Рис. 2

Рис. 2 иллюстрирует правильный и неправильный способ подключения кремниевых выпрямителей в качестве симисторов. Я построил схему справа, которая представлена ​​в сети. Это не работает с обоими SCR постоянно.

Лучше всего это увидеть с левой стороны, где анод привязан к катоду.Для правильного срабатывания как отдельных устройств, эти два затвора должны быть разделены.

Рис. 3

Лучшим вариантом для запуска тиристоров или симисторов является оптопара, как показано на рис. 3.

Оптопары h21CX photo SCR разработаны специально для срабатывания тринисторов. Проблема в том, что многие из этих деталей сегодня сложно найти.

Можно использовать оптопары с фото-триаком MOC30XX с добавлением диода в схему затвора. Мой тест не показал практической разницы в работе.

Рис. 4

Рис. 4 — это точная принципиальная схема установки, которую я построил на Рис. 1.

Рис. 5

Я также построил два отдельных модуля SCR на основе Рис. 3 с одним оптопарой для каждого SCR. Здесь я использовал оптопары h21C6 photo SCR с последовательно включенными входными светодиодами.

Рис. 6

Рис. 6 выполняет то же самое, что и рис. 5, но я использую оптопары типа MOC3011 с дополнительным затворным диодом.

• Веб-мастер
• Электроника для хобби
• Электронная почта

• Исследование твердотельных реле и цепей управления
• Сравнение оптопары Photo Triac и Photo SCR
• Примеры схем оптопар на основе светоактивных тиристоров
• Обзор выпрямителя с кремниевым управлением и схемы
• Выпрямители с кремниевым управлением, подключенные как силовые симисторы
• Биполярные транзисторные схемы с изолированным затвором IGBT
• Цепи ограничителя тока для светодиодов оптопары
• VOM1271 Схема драйвера фотоэлектрического МОП-транзистора
• Ограничитель тока для безопасного тестирования стабилитронов, светодиодов
• Источник постоянного тока операционного усилителя 3 А LM741
• Цепи двунаправленных твердотельных реле
• Простое твердотельное реле для маломощных светодиодных ламп на 120 В
• Build High Power MOSFET Реле переключателя направления

• Оптическая развязка элементов управления двигателем с Н-мостом
• Управление двигателем с Н-мостом на всех NPN-транзисторах
• Базовые схемы транзисторных драйверов для микроконтроллеров
• ULN2003A Транзисторная матрица Дарлингтона с примерами схем
• Учебное пособие по использованию силовых транзисторов Дарлингтона TIP120 и TIP125
• Управление силовыми транзисторами 2N3055-MJ2955 с транзисторами Дарлингтона
• Описание биполярных транзисторных переключателей
• Учебное пособие по переключению N-канального силового полевого МОП-транзистора
• Учебное пособие по переключателю P-Channel Power MOSFET
• Создание транзисторного управления двигателем с H-мостом
• Н-мостовое управление двигателем с силовыми МОП-транзисторами
• Другие примеры цепей с двутавровым мостом силового полевого МОП-транзистора
• Создание мощного транзисторного управления двигателем с H-мостом
• Управление двигателем H-Bridge с силовыми МОП-транзисторами Обновлено
• Драйверы оптоизолированных транзисторов для микроконтроллеров

• Comparator Theory Circuits Tutorial
• Цепи постоянного тока с LM334
• LM334 Цепи CCS с термисторами, фотоэлементы
• LM317 Цепи источника постоянного тока
• TA8050P Управление двигателем с Н-мостом
• Управление двигателем с Н-мостом на всех NPN-транзисторах
• Базовые симисторы и тиристоры
• Гистерезис компаратора и триггеры Шмитта
• Учебное пособие по теории компараторов
• Работа и использование фотодиодных схем
• Реле постоянного тока с оптопарой на полевых МОП-транзисторах с фотоэлектрическими драйверами
• Подключение твердотельных реле Crydom MOSFET
• Photodiode Op-Amp Circuits Tutorial
• Входные цепи оптопары для ПЛК
• h21L1, 6N137A, FED8183, TLP2662 Оптопары с цифровым выходом
• Оптическая развязка органов управления двигателем с Н-образным мостом
• Управление двигателем с Н-мостом на всех NPN-транзисторах

Оптическая развязка управления двигателем H-моста YouTube
Оптическая развязка управления двигателем с Н-мостом

Теория оптопары и схемы YouTube
Драйверы оптоизолированных транзисторов для микроконтроллеров

All NPN Transistor H-Bridge Motor Control YouTube
Управление двигателем с Н-мостом на всех NPN транзисторах

Учебное пособие по широтно-импульсной модуляции YouTube
Учебное пособие по широтно-импульсной модуляции

PIC12F683 Микроконтроллер и схемы YouTube
PIC12F683 Микроконтроллер и схемы

Edal Industries: SCR и TRIAC

SCR

Кремниевый управляемый выпрямитель (SCR) — это обычный выпрямитель, управляемый стробирующим сигналом.Это трехкомпонентное четырехуровневое устройство. Когда напряжение на затворе превышает пороговое напряжение, устройство включается и проводит ток, даже если напряжение затвора снимается, пока ток через устройство превышает ток удержания. Когда ток через устройство падает ниже тока удержания, устройство выключается.

Тиристоры

доступны с токами до 200 ампер и напряжением до 1000 вольт в различных корпусах.

тиристоров используются для управления мощностью в цепях постоянного тока.Типичные области применения — переключение питания постоянного тока, цепи управления фазой, инверторы, зарядные устройства для аккумуляторов, сварочные аппараты и твердотельные реле.

Эти блоки могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в соответствии с вашими особыми требованиями.

TRIAC

TRIAC — это, по сути, два SCR, соединенных параллельно с противоположной полярностью, при этом оба затвора связаны вместе.TRIAC используются для управления мощностью в цепи переменного тока.

Это двунаправленный электронный переключатель, который будет проводить ток в любом направлении при срабатывании напряжения любой полярности на затворе. Устройство будет продолжать проводить до тех пор, пока ток не упадет ниже порогового напряжения.

Это позволяет управлять большими значениями мощности с небольшими значениями мощности затвора и делает их идеальными для схем переключения переменного тока и приложений управления фазой.TRIAC доступны с номинальным током до 200 ампер и напряжением до 1000 вольт в различных корпусах. Эти блоки могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в соответствии с вашими особыми требованиями.

Конструкция

Edal обеспечивает прочную, стабильную и надежную работу даже в суровых условиях.

Загрузите полный каталог в формате PDF. Щелкните здесь

TRIAC: Что это? (Определение, работа и применение)

Что такое симистор?

Симистор определяется как трехконтактный переключатель переменного тока, который отличается от других кремниевых выпрямителей в том смысле, что он может проводить в обоих направлениях, независимо от того, является ли подаваемый сигнал затвора положительным или отрицательным, он будет проводить.Таким образом, это устройство можно использовать для систем переменного тока в качестве выключателя.

Это трехконтактное четырехслойное двунаправленное полупроводниковое устройство, контролирующее мощность переменного тока. На рынке доступен симистор максимальной мощностью 16 кВт.

На рисунке показан символ симистора, который имеет две основные клеммы MT ₁ и MT ₂ , соединенные обратно параллельно, и клемму затвора.

Конструкция симистора

Два тиристора подключены обратно параллельно клемме затвора как общий.Клеммы затвора подключены как к областям N, так и к P, благодаря чему сигнал затвора может подаваться независимо от полярности сигнала. Здесь у нас нет анода и катода, поскольку он работает для обеих полярностей, что означает, что устройство двустороннее. Он состоит из трех клемм, а именно: основной клеммы 1 (MT ₁ ), основной клеммы 2 (MT ₂ ) и клеммы затвора G.

На рисунке показана конструкция симистора. Есть два основных терминала, а именно MT ₁ и MT ₂ , а оставшийся терминал — это терминал ворот.

Работа симистора

Симистор можно включить, подав напряжение затвора выше, чем напряжение отключения. Однако, не создавая высокого напряжения, его можно включить, применив стробирующий импульс длительностью 35 микросекунд. Когда приложенное напряжение меньше напряжения отключения, мы используем метод запуска затвора, чтобы включить его.
Существует четыре различных режима работы:

1. Когда MT ₂ и вентиль положительный по отношению к MT ₁
   Когда это происходит, ток течет по пути P ₁ -N ₁ -P ₂ -N ₂ .Здесь P ₁ -N ₁ и P ₂ -N ₂ смещены вперед, а N ₁ -P ₂ смещены в обратном направлении. Говорят, что симистор работает в положительно смещенной области. Положительный вентиль относительно MT ₁ прямое смещение P ₂ -N ₂ и происходит пробой.
2. Когда MT ₂ положительный, но затвор отрицательный относительно MT ₁
   Ток течет по пути P ₁ -N ₁ -P ₂ -N ₂ .Но P ₂ -N ₃ имеет прямое смещение, и носители тока вводятся в P ₂ на симисторе.
3. Когда MT ₂ и Gate отрицательны по отношению к MT ₁
   Ток течет по пути P ₂ -N ₁ -P ₁ -N ₄ . Два соединения P ₂ -N ₁ и P ₁ -N ₄ смещены в прямом направлении, а переход N1-P1 смещен в обратном направлении. Говорят, что симистор находится в отрицательно смещенной области.
4. Когда MT ₂ отрицательный, но затвор положительный по отношению к MT ₁
   P ₂ -N _{2 При этом условии} смещен вперед. Вводятся носители тока, поэтому симистор включается. Этот режим работы имеет недостаток, заключающийся в том, что его не следует использовать для цепей с высоким (di / dt). Чувствительность запуска в режимах 2 и 3 высока, и если требуется предельная способность запуска, следует использовать отрицательные стробирующие импульсы. Срабатывание в режиме 1 более чувствительно, чем в режиме 2 и режиме 3.

Характеристики симистора

Симистор Характеристики аналогичны SCR, но применимы как к положительному, так и к отрицательному напряжению симистора. Операцию можно резюмировать следующим образом:

Работа симистора в первом квадранте

Напряжение на клемме MT ₂ положительно по отношению к клемме MT ₁ , а напряжение затвора также положительно по отношению к первой клемме.

Работа симистора во втором квадранте

Напряжение на клемме 2 положительно по отношению к клемме 1, а напряжение затвора отрицательно по отношению к клемме 1.

Работа симистора в третьем квадранте

Напряжение клеммы 1 положительное по отношению к клемме 2, а напряжение затвора отрицательное.

Работа симистора в четвертом квадранте

Напряжение клеммы 2 отрицательное по отношению к клемме 1, а напряжение затвора положительное.

Когда устройство включается, через него проходит сильный ток, который может повредить устройство, поэтому для ограничения тока к нему должен быть подключен резистор ограничения тока.Применяя правильный стробирующий сигнал, можно контролировать угол включения устройства. Для правильного срабатывания затвора следует использовать схемы срабатывания затвора. Мы можем использовать diac для запуска стробирующего импульса. Для срабатывания устройства с правильным углом стрельбы можно применять стробирующий импульс длительностью до 35 микросекунд.

Преимущества симистора

1. Может срабатывать с положительной или отрицательной полярностью импульсов затвора.
2. Требуется только один радиатор немного большего размера, тогда как для SCR требуется два радиатора меньшего размера.
3. Требуется один предохранитель для защиты.
4. Безопасный пробой в любом направлении возможен, но для защиты SCR следует использовать параллельный диод.

Недостатки симистора

1. Они не намного надежны по сравнению с SCR.
2. Он имеет рейтинг (dv / dt) ниже, чем SCR.
3. Доступны более низкие значения по сравнению с SCR.
4. Нам нужно быть осторожными со схемой запуска, так как она может срабатывать в любом направлении.

Использование симистора

1. Они используются в цепях управления.
2. Используется в переключении ламп высокой мощности.
3. Используется в управлении мощностью переменного тока.

Цепи симистора

• Изучив этот раздел, вы должны уметь:
• Распознать типичные пакеты симисторов:
• Изучите типичную диаграмму характеристик симистора.
• Понимание функции квадрантов при срабатывании симисторов:
• Понимать основные принципы работы опто-симисторов.
• Разберитесь в работе диак.
• Ознакомьтесь с методами и ограничениями при испытании тиристоров вне схемы.
• Меры безопасности при использовании устройств среднего и высокого напряжения.

Симистор

Рис. 6.3.1 Пакеты симисторов

На рис. 6.3.1 показаны некоторые типичные корпуса симистора вместе с условным обозначением схемы для симистора. Симистор представляет собой двунаправленный тиристор, аналогичный по работе двум тиристорам, соединенным в обратную параллель, но использующим общий затвор.Следовательно, симистор может проводить и управлять как во время положительного, так и отрицательного полупериода сигнала сети. Однако вместо положительных анодных и отрицательных катодных соединений основные токоведущие соединения симистора обычно обозначаются как MT1 и MT2, обозначающие главные клеммы 1 и 2 (хотя могут использоваться и другие буквы), поскольку любая клемма может быть положительной или отрицательной. Симистор может быть приведен в действие током, подаваемым на клемму затвора (G). После срабатывания симистор будет продолжать проводить до тех пор, пока основной ток не упадет ниже порога удержания тока, близкого к нулю.

Рис. 6.3.2 Характеристики симистора

• На рис. 6.3.2 показаны основные характеристики симистора.
• В _BO — это максимальное прямое или обратное напряжение, которое симистор может выдержать, прежде чем он перейдет в неконтролируемую проводимость.
• В _DRM — это максимальное повторяющееся пиковое напряжение (обычно максимальное пиковое напряжение приложенной волны переменного тока), которое может надежно выдерживаться.
• V _GT — это диапазон напряжений затвора, которые вызывают проводимость.
• I _L — это минимальный ток, который заставит симистор фиксироваться и продолжать проводить после снятия напряжения срабатывания затвора.
• I _H — минимальный ток удержания, ниже которого проводящий симистор перестает проводить.

Рис. 6.3.3 Квадранты симистора

Квадранты симистора

Поскольку стробирующий ток или импульс, используемые для запуска симистора, могут применяться, пока вывод MT2 является положительным или отрицательным, а стробирующий ток или импульс также могут быть положительными или отрицательными, существует четыре различных способа запуска симистора.Обычно они обозначаются как «Квадранты», как показано на Рис. 6.3.3

Большинство симисторов могут срабатывать в любом из четырех квадрантов, и два из четырех возможных квадрантов необходимы для запуска проводимости во время двух (положительного и отрицательного) полупериодов переменного тока. Квадранты I и III или квадранты II и III являются предпочтительными методами запуска, поскольку квадрант IV гораздо менее чувствителен к запуску из-за способа построения диака. Таким образом, если квадрант IV используется с любым из трех других квадрантов, для положительных и отрицательных полупериодов потребуются разные значения тока запуска, что создает ненужные сложности.Также, если симистор срабатывает в квадранте IV, его способность обрабатывать любые быстрые изменения тока (δI / δt) снижается, что делает симистор более восприимчивым к повреждениям от таких событий, как случайные сильные всплески тока и неизбежные высокие пусковые токи при использовании ламп накаливания. включены.

Важной целью многих современных разработок является борьба с потенциально опасными скачками напряжения и снижение склонности симистора к повторному срабатыванию во время выключенной части цикла. Это происходит во время каждого цикла переменного тока между моментом, когда ток падает ниже тока удержания тиристора, и до следующего импульса запуска.Хотя обычно это не проблема, когда симистор управляет резистивной нагрузкой, такой как лампа накаливания, при использовании с индуктивными нагрузками, такими как двигатели, напряжение нагрузки и ток нагрузки, скорее всего, не будут «синфазны» друг с другом, поэтому напряжение может фактически быть около своего пикового значения, когда ток падает до нуля (как описано здесь), вызывая большое и быстрое изменение напряжения на симисторе, которое может вызвать мгновенное повторное срабатывание симистора и, таким образом, повторное включение, что приведет к потере управления.

Стандартные симисторы

использовались для управления переменным током в течение многих лет, но за это время диапазон различных конструкций симисторов значительно увеличился.Современные конструкции симисторов, такие как симисторы 3Q HIGH-COM (3 квадранта, высокая коммутация) от NXP / WeEn и симисторы Snubberless _TM от ST Microelectronics, имеют множество преимуществ, таких как улучшенная производительность, меньшее количество ложных срабатываний, удобство использования как с резистивными, так и с индуктивными нагрузками и улучшенные возможности отключения без необходимости использования дополнительных схем, таких как демпферы. Дополнительное согласование входов также является особенностью некоторых конструкций, включая согласование стробирующих импульсов, таких как детекторы перехода через ноль, входы логического уровня и т. Д.

Поскольку многие функции управления теперь выполняются с помощью микропроцессоров и / или логических схем, существует также много симисторов, которые принимают логические сигналы для запуска, а не полагаются исключительно на традиционные методы управления фазой. Одним из таких симисторов является симистор 6073A Sensitive Gate от ON Semiconductor, который используется в демонстрационной схеме низкого напряжения в модуле тиристоров 6.4.

Рис. 6.3.4. Опто-симистор

Опто-симистор

Материалы, используемые при производстве симисторов и тиристоров, как и любого полупроводникового прибора, светочувствительны.Их проводимость изменяется при наличии света; поэтому они обычно упаковываются в маленькие куски черного пластика. Однако, если в комплект входит светодиод, он может включать выход высоковольтного устройства в ответ на очень небольшой входной ток через светодиод. Это принцип, используемый в опто-симисторах и опто-тиристорах, которые легко доступны в форме интегральных схем (ИС) и не нуждаются в очень сложных схемах, чтобы заставить их работать. Просто подайте небольшой импульс в нужное время, чтобы загорелся встроенный светодиод, и питание будет включено.Основным преимуществом этих оптически активируемых устройств является превосходная изоляция (обычно несколько тысяч вольт) между цепями малой и высокой мощности. Это обеспечивает безопасную изоляцию между цепью управления низкого напряжения и высоковольтным выходом высокого напряжения. Хотя выходной ток опто-симисторов обычно ограничен десятками миллиампер, они обеспечивают полезный интерфейс, когда выход используется для запуска симистора высокой мощности от опто-симистора низкого напряжения.

Диак

Фиг.6.3.5 DB3 Diac & Обозначение цепи

Диак представляет собой двунаправленный триггерный диод (см. Рис. 6.3.5), который в течение многих лет использовался в качестве основного триггерного компонента для стандартных триаков. Он блокирует прохождение тока, когда приложенное к нему напряжение меньше его потенциала разрыва V _BO (см. Рис. 6.3.6), но проводит сильную проводимость, когда приложенное напряжение равно V _BO . Однако, в отличие от других диодов, которые проводят только в одном направлении, диак имеет одинаковое разрывное перенапряжение как в положительном, так и в отрицательном направлении.Как только напряжение переменного тока, приложенное к диак, достигает либо + V _BO , либо -V _BO , генерируется положительный или отрицательный импульс тока. Потенциал отключения для диаек обычно составляет от 30 до 40 вольт. Это действие делает диаки особенно полезными при запуске симисторов в цепях управления переменным током из-за его способности запускать симистор во время положительного или отрицательного полупериода сигнала сети (линии). Его схемное обозначение (показанное на рис. 6.3.5) аналогично символу симистора, но без клеммы затвора.

Рис. 6.3.6 Типичные характеристики диафрагмы.

Характеристики Diac, показанные на рис. 6.3.6, показывают, что при напряжениях ниже V _BO диак имеет высокое сопротивление (характеристическая кривая почти горизонтальна, что указывает на то, что протекает только небольшой ток утечки в несколько мкА, но как только достигается + V _BO или -V _BO , диак показывает отрицательное сопротивление. Обычно закон Ома гласит, что увеличение тока через компонент с фиксированным значением сопротивления вызывает увеличение напряжения на этом компоненте. ; однако здесь происходит обратный эффект, диак показывает отрицательное сопротивление при размыкании, где ток резко возрастает, хотя на самом деле напряжение снижается.Режим отрицательного сопротивления длится около 2 мкс, за это время прямое напряжение упадет примерно до 5 В и диак будет пропускать ток 10 мА. Это действие достаточно (хотя и не совсем) симметрично в положительной (+ V) или отрицательной областях характеристик.

Рис. 6.3.7. Симистор с внутренним запуском (Quadrac)

Симистор с внутренним запуском (Quadrac)

Поставщики компонентов предлагают гораздо меньше типов диаков, чем симисторов.Также легче выбрать идеальный диак для срабатывания конкретного симистора, когда он уже встроен в комплект. Так обстоит дело с «квадрактом» или симистором с внутренним запуском, показанным на рис. 6.3.7. Эти устройства также уменьшают количество компонентов и пространство на печатной плате.

Чувствительные затворные симисторы

Симисторы

, для запуска которых требуется диак, имеют недостаток для многих современных низковольтных приложений. Напряжение, необходимое диакритическому контроллеру для создания запускающего импульса, должно быть, по крайней мере, равно или больше, чем его потенциал отключения (V _BO ), и оно составляет около 30 В или более.Однако доступны симисторы — чувствительные затворные симисторы, которые могут срабатывать гораздо более низкими напряжениями в диапазоне устройств TTL, HTL, CMOS и OP AMP, а также микропроцессорных выходов.

Демонстрационная схема управления чувствительным затворным симистором показана в тиристорном модуле 6.4.

Проверка тиристоров, симисторов и диодов.

В Интернете есть множество страниц, на которых предлагаются методы тестирования тиристоров и симисторов с помощью мультиметра. В основном они включают в себя проверку сопротивления тестируемого устройства, чтобы убедиться, есть ли в нем разомкнутая цепь.Измерение сопротивления между анодом и катодом SCR или между двумя основными выводами симистора должно указывать на очень высокое сопротивление при измерении в любом направлении путем перестановки щупов измерителя.

В обоих тестах измеритель должен регистрировать сопротивления вне диапазона (обычно показываемые дисплеем, показывающим «1» или «OL»), также называемые бесконечным или бесконечным сопротивлением. Аналогичные испытания сопротивления могут быть выполнены путем измерения сопротивления, опять же в обоих направлениях, между затвором SCR и его катодом или затвором и MT1 на симисторе, и они должны указывать на гораздо более низкое сопротивление, но не на нулевое сопротивление.

Если какой-либо из этих четырех тестов дает показание 0 Ом, можно предположить, что компонент неисправен; однако, если результаты не показывают неисправностей, это ТОЛЬКО ВЕРОЯТНО означает, что с компонентом все в порядке. Испытания сопротивления этих высоковольтных компонентов имеют ограниченное применение, и на них можно положиться только как на простое руководство; они не показывают, что устройство будет запускаться при правильном напряжении или что ток удержания правильный. SCR и симисторы обычно работают при сетевом (линейном) напряжении, и когда они выходят из строя, результаты могут быть драматичными.По крайней мере, резкое сгорание предохранителя будет обычным результатом короткого замыкания тиристора или симистора. Однако вполне возможно, что эти устройства неисправны и не показывают никаких признаков неисправности при проверке омметром. Они могут казаться нормальными при низком напряжении, используемом в тестовых счетчиках, но все равно выходят из строя в условиях сетевого напряжения. Компоненты высокого напряжения, такие как тиристоры и симисторы, также могут быть повреждены из-за невидимых скачков напряжения или перегрузки по току.

Обычным методом тестирования оборудования, использующего тиристоры или симисторы, является проверка напряжений и форм сигналов, если цепь работает, или замена подозрительной части при повреждении (например,грамм. перегоревшие предохранители). Во многих случаях компоненты в источниках питания или схемах управления высоким напряжением производимого оборудования будут обозначены как «критически важные для безопасности компоненты» и должны заменяться только с использованием методов и компонентов, рекомендованных производителем. Производители обычно указывают полные «комплекты для обслуживания» нескольких полупроводниковых устройств и, возможно, других связанных компонентов, все из которых должны быть заменены, поскольку отказ одного устройства управления мощностью может легко повредить другие компоненты, что не всегда очевидно. на момент ремонта.

ЛЮБЫЕ РАБОТЫ НА СЕТЕВЫХ ЦЕПЯХ ДОЛЖНЫ ВЫПОЛНЯТЬСЯ ПРИ ПОЛНОСТЬЮ ОТКЛЮЧЕНИИ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ. ТАКЖЕ ЛЮБЫЕ КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ЗАРЯДА (например, КОНДЕНСАТОРЫ) ДОЛЖНЫ БЫТЬ РАЗРЯЖЕНЫ, ЕСЛИ ЭТО АБСОЛЮТНО НЕИЗБЕЖНО.

Если вы не прошли обучение безопасным методам работы, которые необходимы для работы с этими типами цепей, НЕ ДЕЛАЙТЕ ЭТО! Эти схемы могут убить!

WeEn WeEn Высокомощные симисторы

BTA440Z, BTA445Z, BTA41, BTA45 серии высокомощных трех- и четырехквадрантных симисторов

Приложения переменного тока большой мощности требуют особого внимания к конструкции симистора.Высокая температура Tj (макс.) 150 ° C обеспечивает больший запас по тепловому расчету. Изолированный (изнутри) корпус идеально подходит для управления водонагревателем. Блок симистора может быть установлен на входе холодной воды без использования какой-либо внешней гальванической развязки. Для управления нагревателем симисторы могут запускаться в различных режимах: двухполупериодное управление или управление фазой. Симисторы высокой мощности WeEn сертифицированы UL1577, что гарантирует безопасность конструкции и применения.

Основные характеристики

• Технология пассивирования Planar обеспечивает устойчивость к напряжению и надежность
• Мощные симисторы WeEn сертифицированы UL1577
• Сильноточная ИТ (RMS) для водонагревателей и электроинструментов большой мощности
• Отличная блокировка напряжения, низкий ток утечки.

Дополнительные возможности

• Сильноточная способность
• Технология 3Q и 4Q с повышенной помехоустойчивостью
• Высокая коммутационная способность с максимальной устойчивостью к ложным срабатываниям
• Высокая устойчивость к ложному включению от dV / dt
• Устойчивость к работе при высоких температурах перехода (Tj (макс.) = 150 ° C)
• Возможность высокого напряжения
• Наименее чувствительный вентиль для максимальной помехоустойчивости
• Низкое термическое сопротивление
• Планар пассивирован для устойчивости к напряжению и надежности
• Изолированный язычок, рассчитанный на 2500 В (среднеквадратичное значение)

Приложения

• Водонагреватели проточного типа
• Комнатные обогреватели
• Электроинструменты от сети переменного тока
• Приложения для сильноточных и импульсных перенапряжений
• Освещение и сценическое освещение

T50AC120A лист данных — силовые симисторы 50A

85HFLR40S02: диоды быстрого восстановления IRF8113TRPBF: Fet — Отдельный дискретный полупроводниковый продукт 17.2A 30V 2.5W поверхностный монтаж; MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC Технические характеристики: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 30 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 17,2 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 5,6 мОм при 17,2 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2910 пФ @ 15 В; Мощность — Макс: 2,5 Вт; Упаковка B25AC80DL: 800 В, 25 А, TRIAC Технические характеристики: Тип тиристора: Симистор; Тип упаковки: СИЛОВОЙ МОДУЛЬ-3; Количество контактов: 3; VDRM: 800 вольт; IT (RMS): 25 ампер IR30DDR08L: 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Пакет: DIE-1; Количество контактов: 1; Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт IRHM4160PBF: 35 А, 100 В, 0.045 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 100 вольт; rDS (вкл.): 0,0450 Ом; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, КЕРАМИЧЕСКАЯ, TO-254AA, 3 КОНТАКТА; Количество блоков в ИС: 1 IRKD196-04-N: 195 А, 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, высокое напряжение; ЕСЛИ: 195000 мА; Пакет: СИЛА, ИНТ-А-ПАК-3; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2 IRKE166-20N: 165 А, 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: одиночный; Пакет: СИЛА, ИНТ-А-ПАК-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; IF: 165000 мА; VRRM: 400 вольт; Соответствует RoHS: RoHS IRL530N-015PBF: 15 А, 100 В, 0.1 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 100 вольт; rDS (вкл.): 0,1000 Ом; Количество блоков в ИС: 1 12FLR5MS05: 12 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-203AA Технические характеристики: Корпус: DO-4, DO-4, 1 PIN; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 12000 мА; trr: 0,2000 нс; Соответствует RoHS: RoHS 152L40AM: 150 А, 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт; IF: 150000 мА 2N6798EDPBF: 200 В, 0.4 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF Технические характеристики: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 200 вольт; rDS (вкл.): 0,4000 Ом; Количество блоков в ИС: 1

% PDF-1.3 % 23 0 объект > эндобдж xref 23 84 0000000016 00000 н. 0000002401 00000 п. 0000002643 00000 п. 0000003410 00000 н. 0000003459 00000 н. 0000003925 00000 н. 0000004385 00000 п. 0000004741 00000 н. 0000005245 00000 н. 0000005292 00000 н. 0000005341 00000 п. 0000005389 00000 п. 0000005438 00000 п. 0000005487 00000 н. 0000005787 00000 н. 0000006174 00000 н. 0000006287 00000 н. 0000006398 00000 н. 0000006795 00000 н. 0000009701 00000 п. 0000010067 00000 п. 0000010206 00000 п. 0000010538 00000 п. 0000013140 00000 п. 0000015282 00000 п. 0000017261 00000 п. 0000019167 00000 п. 0000019318 00000 п. 0000019437 00000 п. 0000019465 00000 п. 0000021489 00000 п. 0000021838 00000 п. 0000022229 00000 п. 0000022648 00000 н. 0000022809 00000 п. 0000022922 00000 п. 0000025060 00000 п. 0000025589 00000 н. 0000026506 00000 п. 0000026729 00000 н. 0000027157 00000 п. 0000027974 00000 п. 0000028873 00000 п. 0000029689 00000 п. 0000030088 00000 п. 0000030291 00000 п. 0000036100 00000 п. 0000038495 00000 п. 0000039954 00000 н. 0000040390 00000 п. 0000040648 00000 п. 0000040746 00000 п. 0000044883 00000 п. 0000045320 00000 п.