Расшифровка обозначения групп динамических параметров силовых тиристоров согласно ГОСТ
Предыдущая статья Следующая статья
14.07.2022
В каталогах для обозначения типа силовых тиристоров по ГОСТу используется буквенно-цифровая маркировка. Ее расшифровка позволит определить основные свойства силовых тиристоров, найти нужное изделие, отвечающее требованиям сферы их применения.
Параметры и порядок обозначения силовых тиристоров
Основным параметром силовых тиристоров, который отображается в названии изделия, является максимально допустимый ток открытого состояния p-n-переходов полупроводникового прибора. Значение указывается в амперах, порядковый номер 6 или 7 (в зависимости от числа буквенных индексов в названии). Характеристики силовых тиристоров по напряжению классифицируются по классам, номер которого указывается в названии, согласно ГОСТ.
Параметр критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии p-n-переходов полупроводникового прибора распределен по группам.
- по времени выключения прибора;
- то же, включения.
Первой буквой Т обозначается группа полупроводниковых компонентов, относящаяся к силовым тиристорам. Если в названии через дефис далее следуют буквы, то они обозначают тип прибора и его особенности. К примеру, буква:
- Б — быстродействующий.
- Л — лавинного типа.
- С — симметричный.
- Ч — высокочастотный.
- О — оптронный и др.
После букв в обозначении марки тиристора следует цифра, указывающая порядковый номер разработки изделия. Следующие 2 цифры характеризуют диаметр и номер конструкционного исполнения. Дальнейшие обозначения следуют через дефис и указывают номинал тока и группы динамических параметров. Если после номинала тока стоит буква Х — это означает, что изделие выполнено с противоположной полярностью (корпус соединен с катодом).
Климатическое исполнение обозначается буквенным кодом. Далее, последней цифрой, от 0 до 5, кодируют категорию размещения устройства в помещениях, отличающихся допустимым диапазоном температуры и влажности.
Примеры обозначения силовых тиристоров
ТС122-25-5-4-УХЛ2 — Тиристор симметричный (симистор), 1-й порядковый номер разработки, 2-й тип размера корпуса и конструкция исполнения — 2. Максимальный, постоянно действующий ток –— 25 А, 5-й класс по напряжению (500 В). 4-я группа по критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии. Климатическое исполнение для эксплуатации с умеренным и холодным климатом (УХЛ). 2-я группа категории размещения в помещениях или под навесом без теплоизоляции.
В нашем интернет-магазине «ЗУМ-СМД» предлагается купить тиристоры оптом по низким ценам. Консультации по актуальности цены и наличия требуемого количества изделий с нужными параметрами и характеристиками силовых тиристоров, а также оформить заказ можно по телефону +7 (800) 333-48-97.
Возврат к списку
Обратная связь
Похожие статьи
ADUM230D/230E, ADUM231D/231E
(Analog Devices, Inc.)
Подробнее ➜
Оптрон: технические характеристики и основные параметры
Характеристики и области применения — в статье от экспертов «ЗУМ-СМД».
Подробнее ➜
Как проверить целостность тиристора
Существует несколько способов, как проверить целостность тиристора. Также для симметричных, запираемых тиристоров и динисторов есть свои особенности проверки.
Подробнее ➜
7.7. Симметричные тиристоры (симисторы)
В некоторых схемах требуются приборы, которые можно включить как в прямом, так и в обратном направлении. Этому требованию отвечают симисторы.
Условное графическое обозначение симистора представлено на рис. 7.8.
а б
Рис. 7.8. Условное графическое обозначение (а) и представление симистора в виде двух тиристоров, включенных встречно-параллельно (б)
При подаче импульса тока управления на управляющий электрод симистор включается при любой полярности анодного напряжения. Выключается– как обычный тиристор.
ВАХ симистора аналогична ВАХ двух тиристоров, включенных встречно-параллельно (рис. 7.9).
Если полярность поданного напряжения следующая (на рис. 7.10 – без скобок): «минус» на электроде А и «плюс» на электроде В, то переход П4 закрыт. При подаче положительного импульса на управляющий электрод (УЭ) ток проходит по пути n1-p2-n3-p4
Рис. 7.9. Вольт-амперная характеристика симметричного тиристора
Рис. 7.10. Структура симистора
При обратной полярности: «плюс» на электроде А и «минус» на электроде В, переход П1 закрыт. Напряжение приложено к слоям p2-n3-p4-n5. При подаче на управляющий электрод положительного импульса электроны из цепи управления попадают в слой p2 и под действием поля перехода П2 переходят в слой n3, понижая его потенциал.
Прямая и обратная ветви ВАХ симистора имеют идентичный характер и определяются теми же параметрами, что и прямая ветвь обычного тиристора.
Симисторы, как и обычные тиристоры, разбивают на группы по среднему падению напряжения и на классы по номинальному рабочему напряжению.
Симисторы применяют в качестве бесконтактных переключателей и управляемых вентилей для преобразования электрического тока.
Полностью управляемые тиристоры в различных источниках имеют следующие названия: запираемые, выключаемые, двухоперационные, GTO-тиристоры.
У обычных тиристоров можно управлять моментом включения, но нельзя управлять моментом окончания токовой проводимости. В связи с этим использование тиристоров в цепях постоянного тока, а также в инверторах, требует применения специальных средств (схем индуктивно-емкостных контуров коммутации), гасящих ток.
Условное графическое обозначение запираемого тиристора приведено на рис. 7.11.
Рис. 7.11. Условное графическое обозначение запираемого тиристора
В запираемых тиристорах положительным управляющим импульсом обеспечивается перевод тиристора в проводящее состояние, а отрицательным импульсом – выключение тиристора.
ВАХ запираемого тиристора аналогична ВАХ обычного тиристора, аналогичен и процесс включения.
Запираемый тиристор имеет такую же четырехслойную структуру, что и обычный тиристор, поэтому к ним применим транзисторный аналог. При подаче отрицательного импульса тока управления в базовый слой структуры уменьшается заряд в обоих базах транзисторов. При этом уменьшаются все составляющие тока тиристора и он выключается.
Переходный процесс выключения запираемого тиристора током в цепи управления происходит в три этапа (рис. 7.12).
Рис. 7.12. Переходные процессы при выключении запираемого тиристора
На
первом этапе при протекании тока IA= const
подается импульс тока управления Iу на управляющий электрод (рис. 7.12, а). При
этом происходит снижение значения тока
катода Iк = (IА – Iу).
Чтобы первый этап перешел во второй
необходимо определенное значение
запирающего тока управляющего электрода,
намного большее, чем значение тока
включения (I
(7.6)
Обычно G = = 3-5.
Второй этап характеризуется резким снижением токов IА и IК (рис. 7.12, а, б). В течение этого этапа происходит дальнейшее снижение концентрации носителей заряда в обеих базах структуры. Этап заканчивается тогда, когда эта концентрация становится равной нулю, при этом по цепи управляющего электрода и катода протекает обратный ток.
На третьем этапе происходит рассасывание неосновных носителей и ток тиристора снижается до нуля (рис. 7.12, а).
Основное конструктивное отличие запираемых тиристоров от обычных (незапираемых) заключается в ином расположении горизонтальных и вертикальных слоев с n- и p-проводимостями.
Наибольшему изменению подверглось устройство катодного слоя n. Он разбит на несколько сотен элементарных ячеек, равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Такое исполнение вызвано стремлением обеспечить равномерное снижение тока по всей площади полупроводниковой структуры при выключении прибора.
Базовый слой p, несмотря на то, что выполнен как единое целое, имеет большое число контактов управляющего электрода (примерно равное числу катодных ячеек), так же равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Базовый слой n выполнен аналогично соответствующему слою обычного тиристора.
Анодный слой р имеет шунты (зоны с n-типом проводимости), соединяющие n-базу с анодным контактом через небольшие распределенные сопротивления. Анодные шунты применяют в тиристорах для снижения времени выключения прибора за счет улучшения условий извлечения зарядов из базовой n-области.
Запираемые тиристоры изготавливают в штыревых и таблеточных корпусах, устанавливаемых на типовых охладителях.
6. Тиристоры, симисторы, диаки Есть несколько тиристоров выведены на 6.1. Триаки выглядят одинаково, а диаки выглядят как маломощные выпрямительные диоды. Их символы и распиновка представлена на рис. 6.2. Тиристор — усовершенствованный диод. Помимо анода (А) и катода (k) у него есть еще один вывод, который обычно
описан как ворота (G), как показано на рисунке 6.2a. Так же диод
делает, тиристор проводит ток, когда анод положителен по сравнению с
катода, но только если напряжение на затворе положительное и
на затвор поступает достаточный ток для включения устройства. Когда
тиристор начинает проводить ток в затвор не имеет значения, а тиристор
можно отключить, только отключив ток между анодом и катодом. Для
пример см. на рис. 6.3. Если S1 закрыт, тиристор не будет проводить ток, и
глобус не загорится. Если S2 замкнут на очень короткое время,
глобус загорится. Чтобы выключить глобус, необходимо открыть S1. Тиристоры имеют маркировку в некоторых
схемы как SCR, что является аббревиатурой от Silicon Controlled
Выпрямитель. Тиристоры и симисторы имеют буквенно-цифровую маркировку КТ430, для
пример. 6.1 Практические примеры Рисунок 6.5 определяет наличие света в комнате. Без света, фототранзистор не проводит. При наличии света фототранзистор проводит и звонок активируется. Выключение света не остановит тревога. Тревога отключается через S1. Схема мигания глобуса показана на рис. 6.6. Эта схема мигает глобусом мощностью 40 Вт несколько раз в секунду. Напряжение сети регулируется с помощью диод 1N4004. Зарядка конденсатора 220u и его напряжение поднимается. Когда это напряжение достигает расчетного напряжения диака (20 В), конденсатор разряжается через диак в симистор. Этот включает симистор и зажигает лампочку на очень короткий промежуток времени, через некоторое время (установленное 100 тыс. горшок), конденсатор снова заряжается, и весь цикл повторяется. Регулятор 1k устанавливает текущий уровень, необходимый для срабатывания симистора. Схема для управления яркостью шара или скоростью двигателя показан на рис. 6.7 Если основное назначение этой схемы — управление яркостью света лампочка, RS и CS не необходимый. |
6-контактный DIP-драйвер симисторного оптрона с нулевым переходом (800 В пик.)
%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (MOC3083M — 6-контактный DIP-драйвер симисторного оптрона с нулевым переходом \ (800 В пик. \)) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать application/pdf