• Каталог

  Каталог электронных компоненты, активные электронные компоненты, пассивные электронные компоненты, микросхемы, транзисторы, биполярные транзисторы, диоды, стабилитроны, клеммы, клеммники

• О магазине
  • О магазине
  • Контакты
  • Обратная связь
  • Оплата
  • Доставка
  • Как купить
  • Ответы на вопросы
  • Сотрудничество
  • Правовая информация
  • Товары под заказ
  • Параметрический фильтр
  • Вакансии
• Скидки
• Оплата

• Доставка
• Как купить
• Справочник

  Справочник по транзисторам, тиристорам, симисторам, стабилитном, полевым транзисторам, биполярным странзисторам

• Личный кабинет
  • Мои настройки
  • Мои заказы
  • Моя корзина
  • Подписка

Где купить

Стойкость к высокому току Стойкость к высокому импульсному току Высокая надежность Низкий обратный ток Низкое прямое падение напряжения Сверхбыстрое время восстановления

* Корпус: формованная пластмасса D2 * Эпоксидная смола: огнестойкая по стандарту UL94V-O * Вывод: осевой вывод, пригодный для пайки в соответствии с MIL-STD-202, гарантируется метод 208 * Полярность: цветная полоса обозначает конец катода * Монтажное положение: любое * Вес: 0,465 грамма

Рейтинг C при температуре окружающей среды, если не указано иное. Одна фаза, полуволна, 60 Гц, резистивная или индуктивная нагрузка. Для емкостной нагрузки уменьшите номинальный ток на 20 %.

Максимальное периодическое пиковое обратное напряжение Максимальное среднеквадратичное напряжение Максимальное обратное напряжение Максимальный средний прямой ток 0,375 дюйма (9,5 мм) Длина провода Пиковый прямой импульсный ток, 8,3 мс Одиночная полусинусоидальная волна Накладывается на номинальную нагрузку (метод JEDEC) Максимальное пиковое прямое напряжение 1,0 А. Максимальный обратный ток постоянного тока при номинальном напряжении блокировки постоянного тока C

Максимальное время обратного восстановления (Примечание 1) Типичная емкость перехода (Примечание 2) Диапазон температур перехода Диапазон температур хранения

1 ) Условия теста обратного восстановления 1,0 A, Irr 2 ) Измерено на частоте 1,0 МГц и приложенном обратном напряжении 4,0 В постоянного тока

ПРИМЕЧАНИЯ: 1. Время нарастания не более 7 нс, входное сопротивление = 1 МОм, 22 пФ. 2. Время нарастания: макс. 10 нс, полное сопротивление источника = 50 Ом. 3. Все резисторы = неиндуктивные.

1N5342A : Кремниевый стабилитрон 3,3 В, 5 Вт

1N5345A : Кремниевый стабилитрон 3,3 В, 5 Вт

1N5408 : Кремниевые выпрямительные диоды

1N6283A : Рабочее пиковое обратное напряжение: 5,50 В, 1500 Вт Подавитель переходного напряжения

FR156G : 50 В, 1,5 А, выпрямитель с быстрым восстановлением и пассивированным стеклом

RM2B : Кремниевые выпрямительные диоды

SB230S : Выпрямительные диоды с барьером Шоттки

STUN0B2 : Подавитель переходного напряжения для поверхностного монтажа

S5KP54 : Подавитель переходного напряжения

2EZ6. 8D10 : Кремниевые стабилитроны

S5KP120 : Подавитель переходного напряжения

1N4244 : Диоды сверхбыстрого переключения.

2SK3175A : . Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и микросхемы памяти.

ADP1110AN-33 : Повышающий/понижающий импульсный регулятор микромощности; Регулируемый и фиксированный 3,3 В, 5 В, 12 В.

MMBC1623L4 : NPN (усилительный транзистор).

NTE181 : Мощный аудиоусилитель на кремниевом транзисторе. NTE180 (PNP) и NTE181 (NPN) Мощный аудиоусилитель на кремниевых транзисторах: NTE180 (PNP) и NTE181 (NPN) представляют собой кремниевые комплементарные транзисторы в корпусе типа TO3, предназначенные для использования в качестве выходных устройств в комплементарных аудиоусилителях до 100 Вт музыкальной мощности. на канал. : D Высокий коэффициент усиления по постоянному току: hFE 7,5 A D Отличная абсолютная безопасная рабочая зона.

PHB18NQ10T : PHB18NQ10T; PHD18NQ10T; PHP18NQ10T; N-канальный транзистор Trenchmos ™; Пакет: СОТ78 (ТО-220АБ, СЦ-46).

PS12032 : Тип = Asipm ;; Напряжение = 1200В;; Ток = 5А;; Конфигурация цепи = Cib/ci ;; Рекомендуется для дизайна = ;; Кривые потерь при переключении =.

Q62702F1063 : Транзистор R.f Sot23. Кремниевый ВЧ-транзистор PNP Для широкополосных усилителей с малыми искажениями до 1 ГГц при токах коллектора от до 20 мА Электростатический разряд: Устройство, чувствительное к электростатическому разряду, соблюдайте меры предосторожности при обращении! Тип Маркировка Код заказа Конфигурация контактов BFT 2=E 3=C Максимальные номинальные параметры Параметр Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Ток коллектора.

SDB310D : Тип слабого сигнала. Диод, диод с барьером Шоттки, малый тип сигнала IO.

050022R2CCMP : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, БП, 0,0000022 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 2,20E-6 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 11 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления:.

CNN2A2 : РЕЗИСТОР, СЕТЕВОЙ, ПЛЕНОЧНЫЙ, ИЗОЛИРОВАННЫЙ, ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА. s: Конфигурация: Массив микросхем ; Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), ЧИП, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

D2089UKG4 : ДИАПАЗОН УВЧ, Si, N-КАНАЛЬНЫЙ, РЧ МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 65 вольт; Количество единиц в IC: 1.

DN0407A502K-01 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, NTC, 5000 Ом. s: Категория/применение: Общее использование; Диапазон сопротивления: 5000 Ом; Рабочая температура: от -50 до 150 C (от -58 до 302 F).

ИРХ236-04ПБФ : 300 А, 400 В, тринистор. с: ВДРМ: 400 вольт; ВРРМ: 400 вольт; ИТ (RMS): 300 ампер; IGT: 200 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество выводов: 3.

MB3505-BC01-BP : 35 А, 50 В, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 400000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: МЕТАЛЛ, MB-35, 4 PIN ; Количество выводов: 4; Количество диодов: 4.

MCL1JLTE100J : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, радиочастотный дроссель; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Номинальный постоянный ток: 3000 мА; Рабочая температура: от -25 до 85 C (от -13 до 185 F).

SF41GP : 4 А, 50 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-201AD. s: Упаковка: DO-201, DO-201AD, 2 контакта; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 50 вольт; ЕСЛИ: 4000 мА; трр: 0,0350 нс; Соответствует RoHS: RoHS.

7447065 : ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Применение: общего назначения. Свойства Индуктивность Номинальный ток Сопротивление постоянному току Условия испытаний 10 кГц L IR RDC Значение 3,5 0,085 Единица H A Дол. 20% макс. Рекомендуется, чтобы температура детали не превышала 105°С при наихудших условиях эксплуатации. Температура окружающей среды: до +65°С (относится к ИК)Рабочая температура: до +105°С

8-1623931-3 : РЕЗИСТОР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 0,33 Вт, 5 %, 1200 частей на миллион, 8200000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: CarbonFilm; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Осевые выводы, С ОСЕВЫМИ ВЫВОДАМИ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 8,20E6 Ом; Допуск: 5 +/- %; Температурный коэффициент: 1200 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 0,3300.